TWI271122B - Water-capturing-agent and organic EL device - Google Patents

Description

1271122 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關有機電場發光元件、以及抑制非發光部 之暗斑的產生及成長之吸水劑的改良。 【先前技術】 通常有機電場發光元件（有機電場發光元件），係包括 將含有螢光性有機化合物之薄膜之有機EL層挾在陽極與 陰極之間之積層體之發光部分結構，在含有上述螢光性有 機化s物之薄膜上注入正電洞（孔）及電子後經再結合產生 光激子（exciton)，當該光激子失活時利用光之放出（螢 光•磷光）之自發光元件。 但，上述有機電場發光元件之最大課題為改善發光部 分之壽命。壽命短之原因為，產生稱為暗斑之非發光點。 该非發光點係隨著點燈過程時間的成長，逐漸使非發光面 積增大’導致發光部分之發光亮度降低。因此，以該非發 光部分之直徑達到可目視之數1 〇 # m以上而確認時，則該 產品之壽命將盡。已知產生該暗斑之主要原因為，構成有 機電場發光元件之有機EL層與密封容器内之水分及氧氣 進行反應使部分產生暗斑並成長。 因此，必需極力減少配置有機電場發光元件之密封器 内之水分，尤其重要的是將使用於發光部之有機材料以無 水分之狀態進行精製處理。又，使密封容器内不殘留水分， 在基板上使發光部成膜時所使用之真空容器内部、或在形 成發光部之基板之上面覆蓋發光部後安裝封裝蓋之元件封 315933 6 1271122 衣紅作等衣造步驟中，極力去除容器内之水分之方法、經 乾法進行有機電場發光元件之製造。然而，即使如此，而 由於然法在製造過程中完全去除水分因此也無法完全抑 暗斑之產生及成長。 總之，有機電場發光元件之最大課題係完全去除容器 =之水分來杜絕暗斑、或不讓小暗斑成長，達到元件之長. 奇命化。遠對策為：冑售之有機電場發光元件係在容器内 經其他乾燥方法設置某種無機系之乾燥劑並封裝企圖改善 C 1 >4 而相關之技術係有關本發明，且在下述專魯 利文獻1所示之習知之技術領域内。 又，以往之無機系之乾燥方法改良了來自粉末之問題 點，使與水分之反應性高之有機金屬系化合物成為膜狀形 成吸水層’利用化學反應有效地進行吸取水分，且不含氧 氣等’有效地形成可抑制有機EL周邊部分暗斑之產生及成 長之吸水方法之技術，係顯示在下述文獻2中。 [專利文獻1]特開2002-267138號公報 [專利文獻2]特開2002-33187號公報 第2圖係呈不有機電場發光元件之封裝結構之部分剖 面圖。如第2圖所示，在由玻璃等所形成之玻璃基板52 上，具有相互相向之陽極電極55、陰極電極％、以及陽極 電極55錢極電極56之間夾著有機電場發光元件51之有 機發光層54之結構。在封裝蓋53上設置凹部59,在該凹 部内加入作為吸水劑57之氧化鋇⑽）粉末，固定透水性 之貼帶6G使粉末不至飛散管内。此時，封裝管内充滿乾燥 315933 7 1271122 氮氣’為了防止水分由外部侵人便 #J 〇 之黏者 又如第3圖所不，在玻璃基板7 之陽極電極75、险炼+ &。 。又置相互相向 η之有機EL發光^Γ 間爽著有機電場發光元件 係積層電人/74a二t部結構。該有機發光層74， 送層74c之3同輸达層7扑、發光層兼電子輸 璃^板72鱼曰、°構。又，上述有機發光層74設置在由玻 肖基板72與封裝蓋73盥宓 同時在氣密容器P 8所構成之氣密容器内， 述有親材料°之^水劑層77,防止由水分污染到上 有機金屬錯合物之“發光層74。上述吸水劑層77由 式（化2)、Γ 厚膜構成，該有機金屬錯合物係由化學 " 、化3)、（化4)所示。 (化2) 化

C7I C7

OIAI

〇——AI 〇——c Ό—ΑΙ oyc C7 /1// 315933 8 1271122

AL ,ΑΙ (化4) 〇 II ,c, 、〇 C17H35 C17H35 c/V从 \ o \\ 、。人 C， 上述由化學式（化2)、（化 錯合物可溶於有機溶劑中 ）所示之有機金 物塗佈在玻璃貝襞時為液體狀，將兮化 隹玻璃表面經噴砂機等加工 欠將5亥化 面玻璃板所成之封裝蓋73之内側全面。/竹切面加工之 二之广_77。_用粉末 二為厚度為】 :元::不必要在封裝蓋”上形成凹部=有：無需· 九兀件全體之厚度變薄。 J使有機電場4 【發明内容】 315933 9 1271122 然而，由於以往之氧化鋇（Ba0)之吸水劑為劇毒物，因 而由工作環境及市面的流出便產生操作等問題。又，由於 虱化鋇為粉末狀態，在封入時易於飛散而不方便。由於吸 水劑為粉末狀，因此在封入吸水劑時必需另外設置封入空 間而導致元件全體變厚之問題。以往之膜狀吸水劑，係： 膜形成過程中必需經加熱來去除溶劑因此很費時間。又， 使用於該難吸水劑之乾m由於裝置體積大，因此 在製造場所内所需之設置空間也變大，因而導致作業效率 變差之問題。 本發明係鑑於上述問題而完成者，其目的係提供一種 抑制暗斑之產生及成長、且在光聚合過 力:工之吸水鮮，㈣財㈣乾財式㈣置之有丁= %發光元件。 為了達成上述目的，本發明係有關·· 種吸水副，其特徵係為以上述化學式（化〇所示之化 合物為主成分者。 2. 3·如上述第1項之吸水劑，其中， 之化合物之取代基r有2種。 4·如上述第1項之吸水劑，其中， 之化合物之取代基R有3種。 如上述第1項之吸水劑， 之化合物之取代基r至少 其中’上述化學式（化υ所示 有2種以上。 上述化學式（化1)所示 上述化學式（化1)所示 5· —種吸水劑，其特徵俜· ^ 又係.上述弟1項至第4項之化合物 相互或與其他化合物進行化學結合者。 315933 10 1271122 6. —種感光性吸水劑，其特徵係：藉由上述第t項至第5 項之吸水劑中之至少-種以上與感光劑，使可經紫外線 照射而進行乾燥步驟者。 7· -種熱聚合性吸水劑，其特徵係：藉由上述第i項至第 5項之吸水劑中之至少—種以上與熱聚合性材料，使可 經加熱而進行乾燥步驟者。 8. -種有機電場發光元件’在至少一方為透明之一對電極 間積層有由有機化合物所成之正電洞注入層、正電洞輸 送層、發光層之有機EL發光部，封裳上述有機乩發光 部之氣密容器，以及設置在上述氣密容器内之吸 該吸水劑係由上述第1項至第5項之吸水劑所構 【實施方式】 侧剖^ ί圖係壬不本發明之有機電場發光元件實施方式之 如第1圖所示，有機電場 性及透氺柹夕拓π * ^光兀件1，係以具有絕緣 之内侧#面上板作為朗基板2。在該玻璃基板2 宰。上述1有透明？、有透明性之導電材料形成陽極5圖 案U透明性之導電材料，如 嗔減法箄物理今4。、丄 朕、、’工具工？备鑛法、

貝我沽寻物理虱相沈積（pvD 法在玻璃基板2之全夺w alVaPQrDe—) (ph〇t〇llth〇graphy)以所兩夕犯处、俊，、工铽衫成像法 陽極5。該陽極5之八而厂進行圖案成形後，形成 基板2之末端部並連°:無出至作為引出電極之玻璃 接在驅動回路（未圖示）上。 315933 11 1271122 柳：陽,5之上面，經如分子束蒸鑛法、阻抗加熱法等 / ’^層由有機化合物材料薄膜所成之有機此層“ =圖例中之有機EL層4,係由在陽極5上將㈣銅（We) 成版厚為數十nm之電社人層4a、及在該電洞注入層 ?面由雙((N—(1—萘基—正苯基))聯苯胺(，所成曰 =為數十nm之電洞輸送層4b、及在該電洞 ;=8 —經基_陶所成膜厚為數十⑽之發光 5、有機ΕΙ ^ Λ 成。因此，由上述之陽極 體=成=:以及後述之陰極6之5層結構所成之積層 之二i a1圖所示之上述陰極6 ’係在有機此層4(詳言 薄膜卿成=^之發光層兼電子輸送層⑻上面經金屬 屬膑料成。该金屬薄膜之材料

In等功函數小之金屬材料單體μ A 小之合金。上述陰極6之膜厚如以教+ g § :功函數 50nm至20〇nm為佳）之薄膜、 nm至數百nm(以 玻璃基板2之末端部作為、^ °陰極之一部分’引出至 示）上。 4引出電極連接在驅動回路（未圖 所成璃基板2相對應之由矩形破璃板 尸/Γ风〈訂衣盖3。該封裳蓋3之 两攸 步驟中形成如由紫外線硬；成=之封裝 了該密封部以外之其他内側封;成…部。除 層7。 ㈣封衣盍3之内面上配置吸水 本《月之有機金屬錯合物之吸水劑，係只要可經幻 315933 32 1271122 詳細研究該等有機金屬錯合物，結果發現在以往之吸水劑 之取代基上引人雙鍵，可以得到能藉由光聚合及熱聚合使 吸水能力達到同等以上，且可實現透明及縮短製造時間之 有機金屬錯合物。 以下為由（化1)所示之有機金屬錯合物之取代基 例，但該（化1)所示之有機金屬錯合物之取代基r並不限 定於該等。 ， 中’R,R，各自表示至少含有1個不飽和鍵、且係氫、 ^為1以上之烧基、晞基、芳基、環烧基、烧氧基、酸 :基中之任一取代基、或上述各基之至少一部分氫 由自素取代之取代基、中心金屬M之配位數為6之金屬。 雜产其严數為1以上之烧基、烯基、芳基、環院基、 甲笑=服基烧基為取代或未取代者，具體可列舉如： 己基、弟—丁基、弟三丁基、戊基、 二庚广辛基、壬基、癸基、十-基、十二基、十三 悬、十四基、十五基、+丄 丄，# 廿基、廿一基、廿一美箄八： 土、十八基、十九基、 廿—基寺，其中以碳數為S丨v μ —盆达# 取代或未取代基之具體例以以 之“仏。 之低平从取人， 「尸吓不之基為適宜0又該等 …勿、水s物亦佳。烯基可列舉 丁埽基、戊烯基、己烯基等，1中以下^^基、稀丙基、 以上之取代或未取代基之且體例:下列所示之碳數為8 聚合物亦佳。 /、組例為锃。又該等之低聚物、 芳基為取代或未取代者，具體之例可列舉如：苯基、 315933(修正版) 14 1271122 曱苯基、4 —畜：ή· — 鼠本基、聯笨基、鄰，間，對-三聯苯基、萘基、 ，二，n 9—苯基蒽基、9,1G-二苯基蒽基、、祐基 以石反數為8以上之基為佳。又該等之低聚物、聚 合物亦佳。 弋或未取代之烧氧基之具體例可列舉如··甲氧基、 =基、第三丁氧基、三氯甲氧基、三氟甲氧基等，其 以碳數為8以上之基為佳。又該等之低聚物、聚合物亦 佳。 ^ 代或未取代之環燒基之具體例可列舉如：環戊基、 :己基、降冰片烷基、金剛烧基、4-甲基環己基、4—氮基 %己基等，其中以碳數為8以上之基為佳。又該等之低聚 物、聚合物亦佳。 取代或未取代之雜環基之具體例可列舉如··吡咯基、 吡咯啉基、吡唑基、吡唑啉基、咪唑基、三唑基、吡啶基、 $啡基、嘧啶基、吡啡基、三啡基、吲哚基、苯并咪唑基、 不7基、喹啉基、異喹啉基、噌啉基、喹喔啉基、苯并喹 林基苟g同基、二氰基苟酉同基、昨唾基、。惡唾基…惡二嗤 基、噻唑基、噻二唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并 坐基一笨并噁唑基、二苯并噻唾基、二苯并咪哇基等。 又該等之低聚物、聚合物亦佳。 取代或未取代之醯基之具體例可列舉如：甲醯基、乙 醯基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、戊醯基、異戊二基、 二甲基乙醯基、十二酸基、十四酿基、十六絲、十八酿 基、乙二酸基、丙二酸基、丁二酿基、戍二酿基、己二酿 315933 15 1271122 基、庚二醯基、辛二醯基、壬二醯基、癸二醯基、丙烯醯 基、丙炔醯基、曱基丙烯醯基、丁烯醯基、異丁烯醯基、 油隨基、反油酿基、馬來酸基、富馬醯基、擰康醯基、中 康醯基、樟腦醯基、苯曱醯基、酞醯基、異酞醯基、對苯 二醯基、萘曱醯基、曱苯醯基、氫化阿托醯基、阿托醯基、 肉桂醯基、呋喃曱醯基、噻吩甲醯基、煙醯基、異煙醯基、 乙醇醯基、丙醇醯基、丙三醇醯基、丙醇二醯基、蘋果醯 基、酒石醯基、托品醯基、二苯乙醇醯基、水楊醯基、茴 香基、香草驢基、藜蘆醯基、胡椒酸基、原兒茶醯基、 掊醯基、乙醛醯基、丙酮醯基、乙醯乙醯基、中草醯基、 中酸草酸基、草酸乙酸基（oxalacetyl )、草酸乙酸基 (oxa lace to)、乙醯丙醯基等醯基亦可由氟、氯、溴、埃等 取代。其中以碳數為8以上之醯基為佳。又該等之低聚物、 聚合物亦佳。 上述醯基之具體例可列舉如：曱醯基、乙醯基、丙醯 基、異丁醯基、戊醯基、異戊醯基、三曱基乙醯基、十二 酸基、十四酸基、十六醯基、十八酿基、乙二醯基、丙二 醯基、丁二醯基、戊二醯基、己二醯基、庚二醯基、辛二 醯基、壬二醯基、癸二醯基、丙烯醯基、丙炔醯基、曱基 丙烯醯基、丁烯醯基、異丁烯醯基、油醯基、反油醯基、 馬來醯基、富馬醯基、檸康醯基、中康醯基、樟腦醯基、 苯曱醯基、酞醯基、異酞醯基、對苯二醯基、萘曱醯基、 甲苯酸基、氫化阿托酸基、阿托酸基、肉桂醯基、咲鳴曱 醯基、噻吩曱醯基、煙醯基、異煙醯基、乙醇醯基、丙醇 16 315933 1271122 醯基、丙三醇醯基、丙醇二醯基、蘋果醯基、酒石醯基、 托品醯基、二苯乙醇醯基、水楊醯基、菌香醯基、香草醯 基、藜蘆醯基、胡椒醯基、原兒茶醯基、掊醯基、乙醛醯 基、丙酮醯基、乙醯乙醯基、中草醯基、中酸草醯基、草 酉敗乙酸基、草酿乙酸基、乙酸丙醒基等，或該等之酸基亦 可由氟、氣、溴、碘等取代。 [實施例] · 以下列舉實施例和比較例以具體說明本發明。 (貫施例1) 實施例1之化合物如化學式（化5)所示。 (化5)

/〇

CaH? ^ (化6)

3AI(〇C3H7)3 + 3H2〇 --- (OAIOC3H7)3 + 6C3H7〇H 化學式（化5 )所示之化合物經以下方法進行合成。將 17 3】5933(修正版) 1271122 I6g水和60g異丙醇蒸發後，加熱至12〇t。在8〇。匸下保 溫之燒瓶中加入204g異丙醇鋁和60g異丙醇進行激列攪 繼續在該溶液中緩慢加入蒸發掉之異丙醇和水。反應 溶液緩慢成為漿體狀。在2〇(TC下加熱去除異丙醇，成為 乾燥之白色粉末。最後得到收率1〇〇g之環狀異丙醇鋁氧化 物三聚物。 使用該化合物（化5)合成化學式（化7)。化學式（化7) 所示之化合物之合成㈣下方法進行。該合成巾進行碳盘 碳間之雙鍵結合。 (化7) (〇AI〇C3H7)3 + 3C2H2(C〇)2〇 -^ (OAiOOCH = CHC00C3H7)3 ^稱200g甲苯加入三口燒瓶中。在氮氣下進行反應。接 者，將稱重為3. 06g之環狀異丙醇鋁氧化物三聚物加入燒 瓶中。又％ 2. 94g之馬來酸酐加入燒瓶中。該溶液在室溫 下激烈攪拌2小時。之後，經蒸發器去除溶劑中之曱苯。 得到3g產物。 以下在（1-a)、（卜b)步驟中說明使用上述產物以 吸水劑。 (卜a) 使用得到之產物製造感光性樹脂。製造方法經以 法進行。 在得到之3g產物中加入i.9g 2-曱基丙烯酸羥乙酯 (HEMA)亚攪拌。再加入lg聚乙二醇二甲基丙烯酸酯。接著 315933 18 1271122 :二作:為起f劑之〇.°3g曰本化藥(股份公司)DETX—S及 ^%胺亚攪拌。該操作在氮氣流下進行。充分俨 至：：呈均勻為止。將所得之溶液注入到分注器上。見 …°己述该感光性樹脂使用於有機電場發光元件時 ”造順序。所使用之有機電場發先元件之二二 弟1圖所示之有機電場發光元件加以說明。J係使用 玻璃場發光元件丨’係形成由矩形玻璃板所成之 土 對應该玻璃基板2而設置之玻璃封裝苗 經密封部之黏荖添β私壯 a 内』衣皿d 分之玻璃夷ir 封容器。在該密封容器一部 +办 '"板之面上，作為具有透明性之導電材料，铖 賀濺法成膜為厚度200nm之由IT〇膜、二 微影成像法以所需之开m =所成之~極5 °再經 .而之形狀進仃圖案成形後形成陽極5。作 二；=極5之一部分’係引出至玻璃基板2之末 而邛作為引出电極連接在驅動回路（未圖示）上。 將上L附有I TO膜之玻璃基板洗淨、乾燥後，安穿 2蒸鍍裝置中以1〜之真空度排氣，之後在上述陽 ^上面將酞菁_(CuPc)蒸鑛形成膜厚為2Gnm之電洞注入

Sr?在=;…層知上將雙㈣-萘基-正苯基) 从女以 θ積成膜厚為30nm之電洞輸送層仆。接 I ’將三㈣基„)糾％)層積成膜厚為Μ 輸送層4c。再將A1_Ll合金以共蒸鑛法層積成膜 尽為20〇nm之上部電極（陰極）。上述陰極之一部分，引出 至破璃基板2之末端部並連接在驅動回路（未圖示）上。 其次’在解除真空之乾燥氮氣中進行封襄。在乾燥氮 315933 19 1271122 Μ之平面加工玻璃基板上塗佈由分注器所得之感光性樹 月曰。接著，塗佈膜經紫外線燈以1〇〇mW/cm2之曝出量照射 使硬化。之後用烘箱加熱至1G(rc，吸附元件内之水分。 用顯微鏡觀察該有機電場發光元件之發光狀態後，放 M5C · 85%之高溫高濕度之環境下，進行吸水效果之石崔 :、工⑽小％過後’取出元件同樣用顯微鏡觀察發光狀 2。結果並未發現非發光部（暗斑）之成長，而可確認該材， 料作為吸水劑具有充分之功能。 接著，使用所得之產物製造熱硬化性樹脂。製造方法鲁 經以下方法進行。 斤得之3g產物中加入h97g 2-甲基丙稀酸經乙醋 (腿A)關拌。再加人㈣乙：醇：甲基丙賴醋。接著 ，入作為熱聚合起始劑之G G3g日本油脂（股份公司）之過 氧化物之PERGCTA 0並㈣。該㈣在氮氣流下進行。充 分攪拌至溶液呈均勾為止。 (1-b) 接著，圮述該熱硬化性樹脂使用於有機電場發光元 順序。所❹之有機電場發光元件^例，係使 用'1圖所示之有機電場發光元件加 以說明。 /亥有機電場發光元们，係、形成由矩形玻璃板所成之 玻璃基板2和、對應該玻璃基板2而設置之玻璃封裝 經密封部之黏著劑8封裝之密封容器。在該密封容器Γ部 :之玻璃基板2之面上，作為具有透明性之導電材料，爽 喷賤法絲為厚度ITQ膜所成之陽極5。再^ 315933 20 1271122 你支影成像法以所雲夕犯壯、社— 為進仃圖案成形後形成陽極5。作 〜部分，係引出至玻璃基板2之末 而口 Η乍為引出電極連接在驅動回路（未圖示）上。 直ΙΤ° :之玻璃基板洗淨、乾燥後’安裝在 :7 裝置中airw之真空度排氣，之後在上述陽 亟上酞*_uPc)蒸鍍形成膜厚為2〇⑽之電洞注入 =4a。再在上述電洞注入層4a上面將雙叫 =聯苯胺(^_層積成膜厚為3-之電洞輸送層J =後將三（8^基_)銘（Μ)層積成膜厚為之發 電子輸送層4C。再將A⑷合金以共蒸鑛法層積成 版厚為2_m之上部電極（陰極）。上述陰極之一部分，、 出至玻璃基板2之末端部並連接在驅動回路（未圖示）上。 其在解除真空之乾燥氮氣中進行封裝。在乾燥氮 亂下之平面加工玻璃基板上塗佈由分注器所得之熱硬化性 樹脂。接者’將塗佈膜置於加熱板上以9(TC加熱10分鐘 使硬化。在封裝玻璃周圍塗佈紫外線硬化型之環氧黏著 劑，與元件基板黏合並照射紫外線使硬化。之後用供箱加 熱至100C吸收元件内之水分。 用顯微鏡觀察該有機電場發光元件之發光狀態後，放 入85C · 85%之高溫高濕度之環境下，進行吸水效果之確 w、、、工1G(M %過後’取出儿件同樣用顯微鏡觀察發光狀 態。結果並未發現非發光部（暗斑）之成長，而可確認該材 料作為吸水劑具有充分之功能。 如第1圖所示，有機電場發光元件！之封裝蓋3為平 315933 21 1271122 狀=玻璃’但並不限定於此’亦可為外収密封部凸出後 形之吸水裝置部分成為凹部之容器狀之封裝蓋之結構。 二f用料化合物之吸水劑之使用例中，不僅塗佈在玻 :反上一亦可在固疋封裝盍之前在有機電場發光元件上 充九、以無害溶劑呈液狀之吸水劑後，進行密封。由於吸水 劑為透明，故無需限定吸水劑之封裝。 上述實施例1之有機金屬錯合物，係在製造過程之最 終階段中溶劑在減壓條件τ、將化合物之溫度在一般之 180 C上下進订乾紐。但，亦可將乾燥溫度達到2⑽。c以上 後進行乾燥。在該乾燥步驟中，上述實施例之化合物可能 引起脫水反應。此時’實施例之取代基之間_鍵而進行 鍵結。即使在該情況下，與上述化合物相比較，吸水能力 並沒有下降而可期待同等以上之吸水效果。又，將上述實 施例1之化合物彼此混合使用時’經相互之相乘效果可得 到相同於使用實施例化合物單體時之效果或以上之吸水效 果。 又，由於在環狀結構周圍結合具很多配位基結合之取 代基，化合物本身進行吸水之同時經取代基可提高化合物 之疏水效果。因此，當水分接近元件本身時由於疏水效果 而可得到水分很難接近之效果。 由於實施例1之有機金屬錯合物對人體無害，可提高 製造有機電場發光元件時之便利性。又有機電場發光元件 並無限制，亦可使用於如電漿顯示裝置、太陽電池以及電 子紙等具有密封結構且厭水之各種電子裝置中。 315933(修正版) 22 1271122 上达光聚合起始劑並不限定於實施例者，作為乙稀單 體之光聚合起始劑可使用-般習知之各種化合物。可列舉 如二苯乙酮系、安綱系、二苯甲酮系、_酮系、： 糸寺。具體可列舉如：汽巴公司（Ciba_Geigy c〇rp)之 ㈣㈣00907 2—曱基曱硫）苯基]_2_嗎啉丙烧— 1—-酮、I咖Ure(R)369 2-苯甲基—n胺基+ (4_嗎琳 苯基）丁酮-1、日本化藥（股份）之噻噸酮系起始劑DETx 2，4 -二乙基嚷嘲g同。 又，因併用光聚合促進劑與光聚合起始劑，可使自由 基聚合反應之反應速度提高而添加。該反應在氮氣下進行 牯雖不成問題，但問題是存在氧時，由於活性氧與自由基 發生反應導致聚合反應停止。作為光聚合促進劑係使用胺 類時會與活性氧反應亦可進行截留（捕集）。可使用如：三 乙醇胺及雙•二乙基二苯曱酮等3級胺。 作為感光性組成物亦可使用單體及預聚單體。具體可 列舉如··丙烯酸系單體之乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、丙二 醇（曱基）丙烯酸酯、新戊二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚乙二 醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基）丙烯酸酯、三羥 曱基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇五（甲基）丙烯酸 酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、三羥甲基丙烷單苯甲 酸g旨二（甲基）丙烯酸酯、雙酚A環氧乙烧加成物之二（甲基） 丙烯酸酯、氫化雙酚A二（甲基）丙浠酸酯、壬基苯酚環氧 乙烧加成物之二（甲基）丙烯酸酯、雙酚A環氧丙烷加成物 之一（甲基）丙烯酸g旨等。 23 315933 1271122 脂、聚醯亞胺樹脂改性醇酸樹匕 十月曰、χκ月女酯改性醇酸樹脂等。 需與上述改性醇酸樹脂；5處—|、 坷如反應之有機金屬錯合物，可列 舉如：Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ζη、ΓΜ 。 d 如、Cd、Sc、A卜 Ti、Zr、V、

Cr Mn Fe Co Ni、Cu、Ce等金屬醇鹽。還可列舉如： 以該等金屬為中心原子’以卜二_系化合物或$,醋系 化合物為配位基之分子内錯合物、將該等金屬烷氧化之同 時以該等金屬為中心原子，二酮系列化合物或石, 酯系化合物為配位基之分子内錯合物。 上述金屬醇鹽或分子内錯合財之烧氧基，可列舉 如：甲氧基、乙氧基、丙氧基、了氧基等。配位基中作為 万-二酉同系化合物之例可列舉如：乙醯丙酉同、三氟乙醯丙 嗣苯甲I丙酮、苯甲酸三氣丙酮、二苯甲酿甲烧或嚷吩 曱酸丙酮等。作為点-酮酯系化合物可列舉如··乙酸乙酸 醋、苯曱紅酸g旨、氧㈣環己酮、水楊酸§旨等鋒 含羰基之酮羧酸酯及該異構物之烯醇型化合物等。 上述改性醇酸樹脂與有機金屬錯合物，係對改性醇酸 樹脂1〇〇重量份之有機金屬錯合物為0.1至10重量份且在 =0至12〇 c下加熱Q· 5至2小時進行反應。又將改性醇酸 树月曰以外之含备基之樹脂如乙基纖維素及經丙基纖維素 等’事先與上述金屬醇鹽等進行反應為佳。 作為黏度調整用之稀釋劑亦可使用有機溶劑。使用有 機/合劑時，將溶液塗佈在基板等後，經乾燥去除溶劑（預烘 烤）再進行光聚合及熱聚合反應。所使用之溶劑，係選擇 與感光性樹脂之相溶性佳之溶劑。又，依據塗佈方法選擇 315933 25 1271122 溶齊彳之彿點。可· ⑽。c左右杯二°.在旋轉塗佈及喷塗等，，沸點以 …、4。在網版印刷等申，以2〇(rc/ 以對人:無不良影響之溶輪。：二:又 及對苯二齡單甲鍵。在熱聚合反：中二::本二齡 至loot上下而產生自由其土反财希主歧用經加熱 使用3,3,4,4-四（第^者以取代光聚合起始劑。如可 [比較例] (弟二丁基過氧羰基）二苯甲酮⑽B)。 (比較例1) 不同點為··不設置吸水袭置，而其他點 每 例1至3相同結構之有機電場發光元件。〜5貝轭 中進真下進行製造’解除真空後在乾燥氮氣 中進丁 Μ。“在封裳蓋内加人吸水劑。在封I 塗佈紫外線硬化型環氧黏著劑，與元件 紫外線使硬化。 、工&射 用顯微鏡觀察該有機電場發光元件之發光狀態後 入85t.85%之高溫高濕度之環境下，以加速壽命試驗進 盯吸水效果之確認。經1〇〇小時過後，取出元件同樣用顯 微鏡硯察發光狀態。結果發現由於非發光部（暗斑）成長過 大到50"以上，而無需使用顯微鏡以肉眼就能觀 (比較例2) μ 作為比較例，係合成含有以釔（γ)為中心金屬之化人 (化8)。 习 (化8) 315933 26 1271122 C3Hr Ο ,ο—c3h7 0 c-

C2H5O·~Q

、σ I H 、CH, 以該化合物（化8)作 件。雖然吸水劑不同，1水劑’製造有機電場發光元 之有機電場發光元件。’、他點為形成與實施例1相同結構 由於在真空狀態下 中進行封裝。將事先！^ =：： ’解除真空後在乾燥氮氣 在封裝用玻璃内容器後：進之5〇Wt%甲苯溶液塗佈 型環氧黏著劑，與元件基板黏合，照 射i外線使硬化。繼續㈣箱加熱至则。c，吸附元件内 之水分。 用顯微鏡觀察該有機電場發光元件之發光狀態後，放 85 C 85/0之同/皿同濕度之環境下，進行吸水效果之確 涊。經100小時過後，取出元件同樣用顯微鏡觀察發光狀 態。結果發現非發光部（暗斑）成長至25//m上下，確認該 材料只作為吸水劑使用’而本發明之吸水劑則可提高吸水 能力' 且效果也高。 (發明之效果） 在上述說明中顯然，本發明中，吸水劑之結構含有具 雙鍵之有機化合物，與以往之熱乾燥型吸水劑相比可縮短 27 315933 1271122 處理時間、又由於裝置可小型化設置空間亦小讓作業效率 變佳。又由於吸水劑為透明，不限定於有機電場發光元件 可使用於各種用途。因此在產業上達到莫大效果。 經組合吸水劑和紫外線硬化型黏著劑，其乾燥步驟虚 以往乾燥步驟相比可縮短乾燥日夺間。又以必要最小阳产^ :::燥所需之設備及作業步驟等，亦可降低最初成::和 連轉費用。 該吸水劑，由於具有雙鍵與以往之相比可提高吸水能 、’達到抑制暗斑成長之效果。且可大幅度改善有機带妒 發光元件之保存壽命和驅動壽命。 包琢 【圖式簡單說明】 面圖第1圖係為本發明實施例之有冑電場發光元件之側剖 以及第2圖係為習知例之有機電場發光元件之侧剖面圖； :3圖係為習知例之有機電場發光元件之側剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 ' 51、71有機電場發光元件 53、73封裝蓋 電洞注入層 電子輸送層 56、76陰極 5 8、7 8黏著劑 密封 2 ' 52、72玻璃基板 4a 4c 4 ' 54、74有機EL層 4b 電洞輸入層 5 ' Η、75陽極 60 7' 57、77吸水裝置 59 凹部 315933 28 1271122 74a 積層電洞注入層 74b 電洞輸送層 74c 發光層兼電子輸送層

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Claims (1)

1271122 Ϊ 8;4日修(更)正本 弟931 16794號專利申請案 申請專利範圍修正本 (94年8月4日） 1. 一種吸水劑，其特徵係為含有下述化學式（化η所示之 化合物者： (化1) c^ RIC W OIM OIM oyc OHC Ο RIC OIC // 〇 // (式中，R及R’之任一者包含至少一不飽和鍵；r為氫、 石厌數1個以上之經取代或未經取代之烷基、經取代或未 赵取代之烯基、經取代或未經取代之芳基、經取代或未 經取代之環烷基、經取代或未經取代之烷氧基、經取代 或未經取代之醯基、經取代或未經取代之雜環基中之任 —取代基；Μ為金屬；R’為從氫、碳數1個以上之經取 代或未經取代之伸烷基、經取代或未經取代之亞烷基、 經取代或未經取代之伸烯基、經取代或未經取代之亞烯 基、經取代或未經取代之伸芳基、經取代或未經取代之 伸環烧基、經取代或未經取代之亞環烷基、經取代或未 經取代之氧伸烷基、經取代或未經取代之醯基選出之經 315933(修正版) 1271122 取代或未經取代2價基、從經取代或未經取代之雜環基 選出之2價基中之任一取代基）。 2. 如申請專利範圍。項之吸水劑，其中，化學式（化n 所示之化合物之取代基R至少有2種以上。 3. 如申請專利範圍第i項之吸水劑，其中，化學式（化〇 所示之化合物之取代基r有2種。 4·種吸水劑，其特徵係、：申請專利範圍第！項至第3 項之化合物相互進行化學結合者。 5. —種感光性吸水劑，其特徵係：將申請專利範圍第i 項至第4項之吸水劑中至少一種以上與感光劑混合，藉 此可經紫外線照射而進行乾燥步驟者。 6·種熱聚合性吸水劑，其特徵係：將申請專利範圍第1 項至第4項之吸水劑中至少一種以上與熱聚合性材料 混合，藉此可經加熱而進行乾燥步驟者。 7· —種有機電場發光（EL)元件，係具有在至少一方為透明 之對笔極間積層有由有機化合物所成之電洞注入 層、電洞輸送層、發光層之有機EL發光部；封裝上述 有機EL發光部之氣密容器；以及設置在上述氣密容器 内之吸水劑，其中，該吸水劑係由申請專利範圍第5 項或第6項之吸水劑所構成者。 315933(修正版) 2