KR20190087627A - 양자점 필름 및 그의 적용 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 286
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims abstract description 159
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 114
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 88
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 44
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 9
- -1 p-coumarinic acid Natural products 0.000 claims description 48
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 41
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 36
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 35
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229920001709 polysilazane Polymers 0.000 claims description 10
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 9
- 150000007965 phenolic acids Chemical group 0.000 claims description 9
- YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 3,4-dihydroxybenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 YQUVCSBJEUQKSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims description 5
- DOUMFZQKYFQNTF-WUTVXBCWSA-N (R)-rosmarinic acid Chemical compound C([C@H](C(=O)O)OC(=O)\C=C\C=1C=C(O)C(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C(O)=C1 DOUMFZQKYFQNTF-WUTVXBCWSA-N 0.000 claims 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical group OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N trans-caffeic acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-DUXPYHPUSA-N 0.000 claims 2
- ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N (E)-3,4,5-trihydroxycinnamic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 ACEAELOMUCBPJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZZAFFYPNLYCDEP-HNNXBMFYSA-N Rosmarinsaeure Natural products OC(=O)[C@H](Cc1cccc(O)c1O)OC(=O)C=Cc2ccc(O)c(O)c2 ZZAFFYPNLYCDEP-HNNXBMFYSA-N 0.000 claims 1
- 229940074360 caffeic acid Drugs 0.000 claims 1
- 235000004883 caffeic acid Nutrition 0.000 claims 1
- QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N cis-caffeic acid Natural products OC(=O)C=CC1=CC=C(O)C(O)=C1 QAIPRVGONGVQAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims 1
- DOUMFZQKYFQNTF-MRXNPFEDSA-N rosemarinic acid Natural products C([C@H](C(=O)O)OC(=O)C=CC=1C=C(O)C(O)=CC=1)C1=CC=C(O)C(O)=C1 DOUMFZQKYFQNTF-MRXNPFEDSA-N 0.000 claims 1
- TVHVQJFBWRLYOD-UHFFFAOYSA-N rosmarinic acid Natural products OC(=O)C(Cc1ccc(O)c(O)c1)OC(=Cc2ccc(O)c(O)c2)C=O TVHVQJFBWRLYOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 33
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 33
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 32
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 31
- 230000009969 flowable effect Effects 0.000 description 24
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 22
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 21
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 18
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 18
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 17
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 16
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 14
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 13
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 9
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 9
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 9
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 8
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 8
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 7
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 7
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 5
- 150000002148 esters Chemical group 0.000 description 5
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 5
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004169 (C1-C6) alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 4
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 4
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 4
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 4
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- 125000000027 (C1-C10) alkoxy group Chemical group 0.000 description 3
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 3
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 3
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006701 (C1-C7) alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004706 High-density cross-linked polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004705 High-molecular-weight polyethylene Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012695 Interfacial polymerization Methods 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N Phosgene Chemical compound ClC(Cl)=O YGYAWVDWMABLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004699 Ultra-high molecular weight polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004704 Ultra-low-molecular-weight polyethylene Substances 0.000 description 2
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N [dimethoxy(propyl)silyl]oxymethyl prop-2-enoate Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OCOC(=O)C=C RMKZLFMHXZAGTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 125000002102 aryl alkyloxo group Chemical group 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- IINQAVTXAIJUOI-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-dicarboxylic acid;benzene-1,3-diol;terephthalic acid Chemical class OC1=CC=CC(O)=C1.OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1.OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 IINQAVTXAIJUOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 2
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K calcium;sodium;phosphate Chemical compound [Na+].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003020 cross-linked polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004703 cross-linked polyethylene Substances 0.000 description 2
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000002993 cycloalkylene group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000012765 fibrous filler Substances 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 125000001188 haloalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229920004932 high density cross-linked polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 125000000743 hydrocarbylene group Chemical group 0.000 description 2
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 2
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- 239000012766 organic filler Substances 0.000 description 2
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002493 poly(chlorotrifluoroethylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001652 poly(etherketoneketone) Polymers 0.000 description 2
- 239000005014 poly(hydroxyalkanoate) Substances 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920006260 polyaryletherketone Polymers 0.000 description 2
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 2
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 description 2
- 239000005023 polychlorotrifluoroethylene (PCTFE) polymer Substances 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000903 polyhydroxyalkanoate Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 229920002215 polytrimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000011121 sodium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC VDZOOKBUILJEDG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 125000000101 thioether group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000785 ultra high molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001862 ultra low molecular weight polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 2
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N (3-ethyloxetan-3-yl)methanol Chemical compound CCC1(CO)COC1 UNMJLQGKEDTEKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,5,6,7,7a-hexahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1CCC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 MUTGBJKUEZFXGO-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N (3as,7ar)-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1C=CC[C@@H]2C(=O)OC(=O)[C@@H]21 KMOUUZVZFBCRAM-OLQVQODUSA-N 0.000 description 1
- 125000003837 (C1-C20) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006659 (C1-C20) hydrocarbyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005913 (C3-C6) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006552 (C3-C8) cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 description 1
- KKYDYRWEUFJLER-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,10,10,10-heptadecafluorodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCC(F)(F)F KKYDYRWEUFJLER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEQGZUUPPQEDPF-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-5,5-dimethylimidazolidine-2,4-dione Chemical compound CC1(C)N(Cl)C(=O)N(Cl)C1=O KEQGZUUPPQEDPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LJWZDTGRJUXOCE-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylhexyl)oxetane Chemical compound CCCCC(CC)CC1CCO1 LJWZDTGRJUXOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLDFSDCBQJUWFG-UHFFFAOYSA-N 2-(methylamino)-1,2-diphenylethanol Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(NC)C(O)C1=CC=CC=C1 BLDFSDCBQJUWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSQZNZLOZXSBHA-UHFFFAOYSA-N 3,8-dioxabicyclo[8.2.2]tetradeca-1(12),10,13-triene-2,9-dione Chemical compound O=C1OCCCCOC(=O)C2=CC=C1C=C2 WSQZNZLOZXSBHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUKDLHIPTSZFPO-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]-n-[3-[diethoxy(methyl)silyl]propyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCNCCC[Si](C)(OCC)OCC SUKDLHIPTSZFPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCl KSCAZPYHLGGNPZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWLDCNACDPTRMY-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilyl-n-(3-triethoxysilylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCC[Si](OCC)(OCC)OCC RWLDCNACDPTRMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDQWJFXZTAWJST-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOC(=O)C=C XDQWJFXZTAWJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZZGHGKTHXIOMN-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilyl-n-(3-trimethoxysilylpropyl)propan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCC[Si](OC)(OC)OC TZZGHGKTHXIOMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C=C KBQVDAIIQCXKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QBHDSQZASIBAAI-UHFFFAOYSA-N 4-acetylbenzoic acid Chemical compound CC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 QBHDSQZASIBAAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 4-vinylcyclohexene dioxide Chemical compound C1OC1C1CC2OC2CC1 OECTYKWYRCHAKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFHBJXIEBWOOFA-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-3,6-dioxabicyclo[6.2.2]dodeca-1(10),8,11-triene-2,7-dione Chemical compound O=C1OC(C)COC(=O)C2=CC=C1C=C2 SFHBJXIEBWOOFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYIUODUDSPAJQ-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound C1C(COC(=O)C(=C)C)CCC2OC21 FYYIUODUDSPAJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl 7-oxabicyclo[4.1.0]heptane-4-carboxylate Chemical compound C1CC2OC2CC1C(=O)OCC1CC2OC2CC1 YXALYBMHAYZKAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930185605 Bisphenol Natural products 0.000 description 1
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920002160 Celluloid Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 1
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical group ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000951490 Hylocharis chrysura Species 0.000 description 1
- 235000019738 Limestone Nutrition 0.000 description 1
- 229920010126 Linear Low Density Polyethylene (LLDPE) Polymers 0.000 description 1
- 150000001204 N-oxides Chemical group 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RINSJDWDXSWUOK-UHFFFAOYSA-N OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1.OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1.OC(=O)C1=CC=C(O)C(O)=C1 RINSJDWDXSWUOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000004357 Transferases Human genes 0.000 description 1
- 108090000992 Transferases Proteins 0.000 description 1
- 239000004708 Very-low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- LTKACMBVEOKTGC-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-(3-trimethoxysilylpropylamino)propyl] prop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCC(O)COC(=O)C=C LTKACMBVEOKTGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNFUJUQPEUUTEZ-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-(3-tripropoxysilylpropylamino)propyl] prop-2-enoate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)CCCNCC(O)COC(=O)C=C RNFUJUQPEUUTEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 125000002178 anthracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000002519 antifouling agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001540 azides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003828 azulenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001553 barium compounds Chemical class 0.000 description 1
- RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L barium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ba+2] RQPZNWPYLFFXCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001863 barium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- PYGSFJHAOJNADQ-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-dicarboxylic acid;phenol;terephthalic acid Chemical compound OC1=CC=CC=C1.OC1=CC=CC=C1.OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1.OC(=O)C1=CC=CC(C(O)=O)=C1 PYGSFJHAOJNADQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- FSTRGOSTJXVFGV-UHFFFAOYSA-N bis(4-chlorophenyl) carbonate Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1OC(=O)OC1=CC=C(Cl)C=C1 FSTRGOSTJXVFGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZJIAOFBVVYSMA-UHFFFAOYSA-N bis(4-methylphenyl) carbonate Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1OC(=O)OC1=CC=C(C)C=C1 IZJIAOFBVVYSMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACBQROXDOHKANW-UHFFFAOYSA-N bis(4-nitrophenyl) carbonate Chemical compound C1=CC([N+](=O)[O-])=CC=C1OC(=O)OC1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 ACBQROXDOHKANW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJUWPHRCMMMSCV-UHFFFAOYSA-N bis(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-ylmethyl) hexanedioate Chemical compound C1CC2OC2CC1COC(=O)CCCCC(=O)OCC1CC2OC2CC1 DJUWPHRCMMMSCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZSMWSKOPZEMAJ-UHFFFAOYSA-N bis[(2-methoxyphenyl)methyl] carbonate Chemical compound COC1=CC=CC=C1COC(=O)OCC1=CC=CC=C1OC TZSMWSKOPZEMAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- PBHRBFFOJOXGPU-UHFFFAOYSA-N cadmium Chemical compound [Cd].[Cd] PBHRBFFOJOXGPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOMBKNNSYQHRCA-UHFFFAOYSA-J calcium sulfate hemihydrate Chemical compound O.[Ca+2].[Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O ZOMBKNNSYQHRCA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N chlorosulfonic acid Substances OS(Cl)(=O)=O XTHPWXDJESJLNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002676 chrysenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=C4C=CC=CC4=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- MIHINWMALJZIBX-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-2,4-dien-1-ol Chemical compound OC1CC=CC=C1 MIHINWMALJZIBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKABGNBJZPUWOY-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,4-dicarboxylic acid;[4-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1CCC(CO)CC1.OC(=O)C1CCC(C(O)=O)CC1 MKABGNBJZPUWOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRYLXAVVXYFIEH-UHFFFAOYSA-N cyclohexene ethenoxyethene Chemical compound C1=CCCCC1.C(=C)OC=C LRYLXAVVXYFIEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004956 cyclohexylene group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- VILAVOFMIJHSJA-UHFFFAOYSA-N dicarbon monoxide Chemical group [C]=C=O VILAVOFMIJHSJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N diethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZZNQQQWFKKTOSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UJTGYJODGVUOGO-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-propylsilane Chemical compound CCC[Si](C)(OCC)OCC UJTGYJODGVUOGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 1
- JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(dimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)OC JJQZDUKDJDQPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROORDVPLFPIABK-UHFFFAOYSA-N diphenyl carbonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC(=O)OC1=CC=CC=C1 ROORDVPLFPIABK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N diphosphoric acid Chemical compound OP(O)(=O)OP(O)(O)=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 150000002081 enamines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- CHNUOJQWGUIOLD-NFZZJPOKSA-N epalrestat Chemical compound C=1C=CC=CC=1\C=C(/C)\C=C1/SC(=S)N(CC(O)=O)C1=O CHNUOJQWGUIOLD-NFZZJPOKSA-N 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNBRCHPBPDRPIT-UHFFFAOYSA-N ethenyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)C=C NNBRCHPBPDRPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N ethoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OCC)C1=CC=CC=C1 ZVJXKUWNRVOUTI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004715 ethylene vinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000002657 fibrous material Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N fluoroethene Chemical group FC=C XUCNUKMRBVNAPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-f][2]benzofuran-1,3,5,7-tetrone Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC2=C1C(=O)OC2=O ANSXAPJVJOKRDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 1
- QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N glymidine Chemical compound N1=CC(OCCOC)=CN=C1NS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 QFWPJPIVLCBXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 125000002192 heptalenyl group Chemical group 0.000 description 1
- FLBJFXNAEMSXGL-UHFFFAOYSA-N het anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C2C1C1(Cl)C(Cl)=C(Cl)C2(Cl)C1(Cl)Cl FLBJFXNAEMSXGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- RZXDTJIXPSCHCI-UHFFFAOYSA-N hexa-1,5-diene-2,5-diol Chemical compound OC(=C)CCC(O)=C RZXDTJIXPSCHCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 229940042795 hydrazides for tuberculosis treatment Drugs 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 125000003427 indacenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 1
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000006028 limestone Substances 0.000 description 1
- 229920005679 linear ultra low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000004579 marble Substances 0.000 description 1
- 229920001179 medium density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004701 medium-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005395 methacrylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N methoxy(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(OC)C1=CC=CC=C1 BKXVGDZNDSIUAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N methyl(tripropoxy)silane Chemical compound CCCO[Si](C)(OCCC)OCCC RJMRIDVWCWSWFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012764 mineral filler Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006682 monohaloalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical group 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003204 osmotic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 125000005003 perfluorobutyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000001792 phenanthrenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C=CC12)* 0.000 description 1
- 235000009048 phenolic acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000007539 photo-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001123 polycyclohexylenedimethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000006684 polyhaloalkyl group Polymers 0.000 description 1
- 229920001470 polyketone Polymers 0.000 description 1
- 229920013637 polyphenylene oxide polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229940088417 precipitated calcium carbonate Drugs 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001725 pyrenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229940005657 pyrophosphoric acid Drugs 0.000 description 1
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000000235 small-angle X-ray scattering Methods 0.000 description 1
- 238000001998 small-angle neutron scattering Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 1
- 125000000565 sulfonamide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 125000003375 sulfoxide group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- MCZDHTKJGDCTAE-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;acetate Chemical compound CC([O-])=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC MCZDHTKJGDCTAE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- GFZMLBWMGBLIDI-UHFFFAOYSA-M tetrabutylphosphanium;acetate Chemical compound CC([O-])=O.CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC GFZMLBWMGBLIDI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DFQPZDGUFQJANM-UHFFFAOYSA-M tetrabutylphosphanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC DFQPZDGUFQJANM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SFORWUUPTGSYHA-UHFFFAOYSA-M tetrabutylphosphanium;phenoxide Chemical compound [O-]C1=CC=CC=C1.CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC SFORWUUPTGSYHA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000001935 tetracenyl group Chemical group C1(=CC=CC2=CC3=CC4=CC=CC=C4C=C3C=C12)* 0.000 description 1
- RCRYHUPTBJZEQS-UHFFFAOYSA-N tetradecanoyl tetradecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC(=O)OC(=O)CCCCCCCCCCCCC RCRYHUPTBJZEQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000005809 transesterification reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- QVOFCQBZXGLNAA-UHFFFAOYSA-M tributyl(methyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCCC[N+](C)(CCCC)CCCC QVOFCQBZXGLNAA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OCC)(OCC)OCC)CCC2OC21 UDUKMRHNZZLJRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N triethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCOCC1CO1 JXUKBNICSRJFAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 150000004684 trihydrates Chemical class 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003960 triphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 229920001866 very low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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Abstract
제1 층 및 제2 층 사이에 배치된 양자점 용액을 포함하는 공정으로부터 형성된 발광 장치용 필름으로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 보호 층이고; 상기 보호 층은 장벽 중합체를 스캐빈저와 혼합함으로써 형성되는, 필름.
Description
본 개시내용은 일반적으로 발광 장치 및 방법, 그리고 보다 특히 양자점(quantum dot) 필름을 활용하는 방법 및 구조에 관한 것이다.
반도체 기반 발광 다이오드(LED)를 사용하여 전기를 광으로 직접 변환하는 것은, 보다 효율적인 조명에 대한 가장 유망한 접근법들 중 광범위하게 용인되는 접근법이다. LED는 백열성 및 형광성 광원과 같은 통상적인 조명 시스템을 훨씬 능가하는 고휘도, 긴 작동 수명, 및 저 에너지 소비 성능을 보여준다. LED 분야는 현재 결정질 기판(예를 들어, 사파이어) 상에 에피택셜(epitaxal) 방법으로 제작된 반도체 양자-웰 이미터(예를 들어, 질화인듐갈륨(InGaN)/질화갈륨(GaN)에 기초함)에 의해 주도되고 있다. 이러한 구조는 매우 효율적이고, 신뢰성 있으며, 잘 발달되어 있고 밝지만, 작동 중에 격자 불일치 및 가열에 의해 야기된 기판 및 반도체 계면에서의 구조적 결점은, 일반적으로 이러한 장치를 제한된 유연한 적합성을 갖는 점 광원으로 제한한다.
OLED는 유연한 기판 상에서의 제작을 포함하는 저온 대면적 처리로 용이하게 개량될 수 있다. 합성 유기 화학은 선택적인 전하 수송에서 색 조정가능한 광 방출에 이르기까지 특정한 기능성을 달성하도록 분자 특성을 맞춤화하기 위해 본질적으로 무제한 자유도를 제공한다. 값싼 "플라스틱" 물질을 기반으로 하는 고품질 조명원의 전망은 OLED 분야에서 엄청난 양의 연구를 이끌었고, 결과적으로 평면 스크린 텔레비전 및 이동 통신 장치와 같은 여러 OLED-기반 하이테크 제품의 실현으로 이어졌다. 삼성, LG, 소니, 및 파나소닉과 같은 여러 대기업들은 조명 및 디스플레이 둘 다를 위한 대면적 백색 발광 OLED를 개발하려 노력하고 있다. OLED 분야의 진보에도 불구하고, 상용 제품에서 그것이 널리 사용되는 것을 막을 수 있는 이 기술의 몇 가지 단점이 있다. 하나의 문제점은, 적어도 부분적으로 필요한 장치 아키텍처의 복잡성으로 야기된 불량한 비용 효율성이고, 이는 제작 중에 다중 열 증착 단계를 필요로 한다. 또 다른 문제점은, 특히 심홍색 및 청색 인광 OLED에 대한 이들의 제한된 안정성이다. 최근 몇 년 동안 크게 개선되었지만, 이들은 여전히 고급형 장치에 이용되는 표준을 충족하지는 못한다.
화학적으로 합성된 나노결정 양자점(QD)은 저비용이지만 효율적인 LED를 위한 유망한 부류의 발광 물질로 부상하였다. 이러한 발광 나노물질은 크기-제어된 조정가능한 방출 파장을 특징으로 하고, 유기 분자에 비해 색 순도, 안정성 및 내구성에서의 개선을 제공한다. 게다가, 유기 물질과 마찬가지로, 콜로이드성 QD는 경량의 유연한 기판에 적합가능한 값싼 용액-기반 기술을 통해 제작 및 처리될 수 있다. 더욱이, 다른 반도체 물질과 유사하게, 콜로이드성 QD는 거의 연속적인 밴드-위-에지(above-band-edge) 흡수 및 근접-밴드-에지(near-band-edge) 에너지에서의 좁은 방출을 특징으로 한다. 그러나, 벌크 반도체와는 달리, QD의 광학 스펙트럼은 그의 크기에 직접적으로 의존한다. 구체적으로, 그의 방출 색은, QD 크기 및/또는 조성을 변화시켜 적외선(IR)에서 자외선(UV)까지 연속적으로 조정될 수 있다. 광범위한 스펙트럼 조정가능성은 높은 광루미네선스(PL) 양자 수율(QY)과 조합되어 잘 부동태화된 구조에서 유니티에 접근한다. 이러한 QD의 고유한 특성은 LED, 레이저, 태양 전지, 및 광 검출기와 같은 다양한 장치에서 사용하기 위해 탐구된 바 있다.
양자점은 공기 및 수분에 노출 시 열화될 수 있는 것으로 알려져 있다. 광 존재 시, 산소 및 수분 분자는 양자점의 표면 상에 광-산화 및 광-부식을 야기할 수 있다. 일단 양자점이 산소 및 수분과 반응하면, 양자점의 표면 상에 새로운 결함이 생성될 수 있다. 이러한 결합은 양자점의 광 방출을 감소시킬 수 있다.
통상적인 양자점 필름에서, 양자점은, 도 1에 예시된 바와 같이, 제1 장벽 필름 및 제2 장벽 필름 사이에 배치될 수 있다. 적합한 장벽 필름은 중합체(예를 들어, PET); 산화규소, 산화금속, 질화금속, 탄화금속, 옥시질화금속과 같은 산화물, 및 그의 조합을 포함한다. 상기 장벽 층은 전형적으로 스퍼터링, 증발, 화학 증기 증착, 플라즈마 증착, 원자 층 증착, 도금 등과 같은 필름 금속화 기술에서 이용된 기술을 사용하여 형성된다. 제2 장벽 필름은 전형적으로 양자점 층 상에 적층되고, 종종 접착 표면 또는 층을 포함한다. 각 통상적인 장벽 층의 두께는, 상기 기재된 통상적인 방법에 요구될 수 있는 바와 같이, 롤-투-롤(roll-to-roll) 또는 라미네이트 제작 공정에서 주름을 제거하도록 구성된다.
양자점 필름 및 그를 제조하는 방법에서의 개선이 필요하다.
발광 장치용 필름이 개시된다. 일 양태에 따르면, 필름은 양자점 용액을 제1 층 및 제2 층 사이에 배치하는 단계로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함하는 보호 층이며, 상기 스캐빈저는 산소 및 물 중 적어도 하나를 흡수하여 상기 산소 및 물이 양자점 용액과 반응하는 것을 방지하는, 단계; 상기 양자점 용액을 경화시켜 상기 제1 층 및 제2 층 사이의 양자점 층과 스택된 구조를 갖는 필름을 형성하는 단계를 포함하는, 공정으로부터 형성된다.
일 양태에 따르면, 물품은 제1 층 및 제2 층; 상기 제1 층 및 제2 층 사이에 배치된 양자점 층을 포함하고; 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체(barrier polymer) 및 스캐빈저를 포함하는 보호 층이며, 상기 보호 층은 적어도 산소 및 수분이 양자점 층 내로 침투하는 것을 억제한다.
추가의 양태에 따르면, 제1 층 및 제2 층은 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함하는 보호 층이다. 추가의 또 다른 양태에 따르면, 필름은 기판을 포함하고, 상기 제1 층은 상기 기판 상에 배치되며, 양자점 층은 기판에 대향하는 제1 층 상에 배치되고, 상기 제2 층은 상기 제1 층에 대향하는 양자점 층 상에 배치된다.
또 다른 양태에 따르면, 필름은 보호 층에 적용된 확산 층을 추가로 포함하며, 상기 확산 층은 양자점 층에 대향하는 보호 층의 표면 상에 있다.
또 다른 양태에 따르면, 제1 층은 기판 및 접착 층 사이에 배치된 무기 층을 포함하는 장벽 층이며, 상기 양자점 용액은 제1 층 상에 배치되고, 제2 층은 보호 층이고 양자점 층에 적용된다.
추가의 양태에 따르면, 양자점 용액을 제1 층 및 제2 층 사이에 배치하는 것을 포함하는 공정으로부터 형성된 필름인, 발광 장치용 필름이며, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 보호 층이고; 상기 보호 층은 장벽 중합체와 스캐빈저를 혼합함으로써 형성된다.
추가의 또 다른 양태에서, 방법은 양자점 용액을 제1 층 상에 배치하고; 제2 층을 양자점 용액에 적용하는 단계로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체와 스캐빈저를 제공함으로써 형성된 보호 층이며, 상기 스캐빈저는 산소 및 물 중 적어도 하나를 흡수하여 상기 산소 및 물 중 적어도 하나가 양자점 용액과 반응하는 것을 억제하는, 단계; 및 제1 층, 제2 층 및 양자점 용액을 경화시켜 상기 제1 층, 양자점 층, 및 제2 층의 스택을 포함하는 필름을 형성하는 단계를 포함한다.
본 개시내용의 상기 언급된 및 다른 특징과 이점, 및 그를 획득하는 방식은, 첨부된 도면과 함께 본 개시내용의 한 양태의 하기 설명을 참조함으로써 명백해지고 보다 더 이해될 것이다:
도 1은 선행 기술의 양태에 따른 복합 층 구조의 개략적인 표현이다.
도 2는 본 개시내용의 양태에 따른 복합 층 구조의 개략적인 표현이다.
도 3은 본 개시내용의 양태에 따른 복합 층 구조의 개략적인 표현이다.
도 4는 본 개시내용의 양태에 따른 복합 층 구조의 개략적인 표현이다.
도 5는 본 개시내용의 양태에 따른 방법 흐름도이다.
도 6은 본 개시내용의 추가의 양태에 따른 방법 흐름도이다.
도 7은 본 개시내용의 또 다른 추가의 양태에 따른 방법 흐름도이다.
도 1은 선행 기술의 양태에 따른 복합 층 구조의 개략적인 표현이다.
도 2는 본 개시내용의 양태에 따른 복합 층 구조의 개략적인 표현이다.
도 3은 본 개시내용의 양태에 따른 복합 층 구조의 개략적인 표현이다.
도 4는 본 개시내용의 양태에 따른 복합 층 구조의 개략적인 표현이다.
도 5는 본 개시내용의 양태에 따른 방법 흐름도이다.
도 6은 본 개시내용의 추가의 양태에 따른 방법 흐름도이다.
도 7은 본 개시내용의 또 다른 추가의 양태에 따른 방법 흐름도이다.
본 개시내용은 양자점 필름 및 다른 양태 중에서, 감소된 제조 복잡성 및 필름 두께(예를 들어, 50 마이크로미터(미크론, μm) 미만, 100 미크론 미만, 또는 5 미크론 내지 50 미크론, 또는 5 내지 100 미크론의 다른 종점 두께)를 갖는 양자점 필름을 형성하는 방법에 관한 것이다. 보호 층은 양자점 층에 인접하게 배치되어 산소 및 수분으로부터 양자점 층을 보호할 수 있다. 한 양태로서, 통상정인 다층 필름의 장벽 층 중 적어도 하나는 본 개시내용의 보호 층으로 대체될 수 있다. 보호 층은 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 한 양태에서, 보호 층은 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함한다. 추가의 양태에서, 보호 층은 확산 층과 같은 기능성 층 또는 그 위에 배치된 프리즘을 포함할 수 있다. 추가의 양태로서, 보호 층은 무기 층 또는 하이브리드 층을 포함할 수 있다. 추가의 또 다른 양태에서, 필름은 제1 층 및 제2 층 사이에 배치된 양자점 용액을 포함하며, 상기 제1 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함하는 보호 층이다. 이 양태에서 스캐빈저는 산소 및 수분 중 적어도 하나, 즉, 물이 산소 및 수분 중 적어도 하나를 흡수함으로써 양자점 용액과 반응하는 것을 억제한다. 일 양태에 따르면, 제1 층은 장벽 필름이고, 양자점 용액은 상기 장벽 필름 상에 배치되고 경화되어 장벽 필름 상에 양자점 층을 형성한다. 제2 층은 보호 층이고 제1 층에 대향하는 양자점 층에 적용된다. 또 다른 양태에 따르면, 장벽 중합체 및 스캐빈저는 기판에 적용되어 제1 층을 형성하고, 양자점 용액은 상기 제1 층 상에 배치되고, 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함하는 상기 제2 층은 양자점 층 상에 적용되어 상기 제1 층 및 제2 층 둘 다가 보호 층이도록 한다. 다른 구성은, 본원에 기재된 바와 같은, 보호 층으로서 사용될 수 있다. 본 개시내용은 이렇게 제한되는 것은 아니지만, 본 개시내용의 다양한 양태에 대한 이해는 하기 제공된 양태를 논의하여 얻어질 것이다.
도 1을 참조하면, 통상정인 양자점 필름은 제1 및 제2 장벽 필름 사이에 배치된 양자점 용액을 포함한다. 장벽 필름은 물리적 장벽을 제공함으로써 산소 및 수분이 양자점 층과 반응하는 것을 억제한다. 그러나, 이러한 필름은 상대적으로 두껍고, 따라서 추가의 기능성 층 없이 필름 두께의 2/3를 구성함으로써 양자점 필름의 전체 두께에 크게 기여한다. 또한, 그들은 상대적으로 제조 비용이 비싸다.
본원의 개시내용에 따르면, 통상정인 양자점 필름에서 제1 및 제2 장벽 필름 중 적어도 하나는 보호 층으로 대체된다. 보호 층은 스캐빈저와 제공된 장벽 중합체를 포함하며, 스캐빈저의 존재는 하기 보다 완전히 논의된 바와 같이 산소 및 수분 중 적어도 하나, 즉 물이 양자점 용액과 반응하는 것을 억제한다. 본 개시내용의 보호 층은 장벽 층보다 더 얇아서 양자점 필름의 전체 두께를 감소시키고, 또한 양자점 필름의 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
도 2는 예시적인 양자점(QD) 필름(200)의 개략적인 측면 입면도이다. 하나 이상의 양태에서, QD 필름(200)은 제1 층(202), 제2 층(204), 및 상기 제1 층(202) 및 제2 층(204) 사이에 배치된 양자점 층(206)을 포함한다.
양자점 층(206)은 아크릴형, 에폭시형, 또는 실리콘형 중합체, 또는 그의 조합과 같은 중합체 물질(212)에 분산된 양자점 용액(210)을 포함할 수 있다. 양자점 층(206)은 양자점 물질(214)의 하나 이상의 집단을 포함할 수 있다. 예시적인 양자점 또는 양자점 물질(214)는 청색 LED로부터의 청색 1차 광을 양자점에 의해 방출된 2차 광으로 하향 변환할 때 녹색 광 및 적색 광을 방출한다. 적색, 녹색, 및 청색 광의 각각의 부분은 양자점 필름 물품을 통합하는 디스플레이 장치에 의해 방출된 백색 광에 대한 원하는 백색 점을 달성하도록 제어될 수 있다. 본원에 기재된 양자점 필름 물품에서 사용하기에 적합한 양자점(214)는 카드뮴셀레늄 CdSe/ 황화아연 ZnS, 인화인듐 InP/ 황화아연 ZnS, 셀렌화납 PbSe/PbS, 셀렌화카드뮴 CdSe/ 황화카드뮴 CdS, 텔루르화카드뮴 CdTe/CdS 또는 CdTe/ZnS를 포함하는 코어/셸 발광성 나노결정을 포함한다. 양자점 층(206)은 임의의 유용한 양의 양자점(214)를 가질 수 있다. 많은 양태에서, 양자점 층(206)은 약 0.05 중량% 내지 약 5 중량% 양자점을 가질 수 있다. 이는 제안된 크기 범위에서 다양한 개재 종점이 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 그러나, 다른 부하물의 양자점(214)이 사용될 수 있다.
양자점 층(206)은, (216)에서 개략적으로 도시된, 산란 비드 또는 입자를 포함할 수 있다. 산란 입자의 포함은 더 긴 광학 경로 길이 및 개선된 양자점 흡수 및 효율을 초래한다. 입자 크기는 50 나노미터(nm) 내지 10 마이크로미터, 또는 100 nm 내지 6 마이크로미터 범위이다. 이는 제안된 크기 범위에서 다양한 개재 종점이 사용될 수 있는 것으로 이해된다. 양자점 층(206)은 흄드 실리카와 같은 충전제를 포함할 수 있다.
제1 층(202)는 산소 및 수분과 같은 환경 조건으로부터 양자점을 보호할 수 있는 임의의 유용한 물질로 형성될 수 있다. 하기 보다 상세하게 논의된 바와 같이, 제1 층(202) 및 제2 층(204) 중 적어도 하나는 보호 층(400)일 수 있다.
도 2에 제시된 양태에서, 제1 층(202)는 장벽 필름(300)이다. 적합한 장벽 필름은, 예를 들어, 중합체, 유리 또는 유전체 물질을 포함한다. 적합한 장벽 필름 물질은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)와 같은 중합체; 산화규소, 산화티타늄, 또는 산화알루미늄(예를 들어, SiO2, Si2O3, TiO2, 또는 Al2O3)과 같은 산화물; 및 그의 적합한 조합을 포함하나 이에 제한되지는 않는다.
도 3을 참조하면, QD 필름(200)의 장벽 층(300)은 상이한 물질 또는 조성물의 적어도 2개의 층을 포함할 수 있어서, 다층 장벽이 장벽 층에서의 핀홀 결함 정렬을 제거 또는 감소시켜, 양자점 층(206) 내로 산소 및 수분 침투에 대한 효과적인 장벽을 제공하도록 한다. QD 필름(200)은 임의의 적합한 물질 또는 물질의 조합을 포함할 수 있다. 도 2(a) 및 2(b)에 제시된 양태에서, 단지 1개의 장벽 층이 제공되지만, 특정한 QD 필름 적용이 바람직한 경우에 추가의 장벽 층이 도면에서 제시된 구조의 외측에 첨가될 수 있다.
도 3은 제1 층(202)(도 2)으로 구현될 수 있는 예시적인 장벽 층(300)을 예시한다. 제시된 바와 같이, 장벽 층(300)은 베이스 기판(304)(예를 들어, 중합체) 상에 배치된 무기 층(306)을 포함할 수 있다. 임의적으로, 확산 층(302)는 무기 층(306)에 대향하는 기판(304) 상에 제공될 수 있다. 무기 층(306)은 폴리실라잔계 중합체, 폴리실록산계 중합체와 같은 무기 물질을 포함할 수 있다. 무기 층은 산화규소, 산화티타늄, 또는 산화알루미늄(예를 들어, SiO2, Si2O3, TiO2, 또는 Al2O3)과 같은 산화물; 및 그의 적합한 조합을 포함할 수 있다. 특정 양태에서, 코팅(308)은, 예를 들어, 무기 층(306)에 인접하게 적용될 수 있다. 코팅(308)은 접착 코팅(예를 들어, 유기 층)일 수 있고, 예를 들어, QD 층으로 접착 특성을 개선시킬 수 있다.
도 4는 제1 층(202) 및 제2 층(204) 중 적어도 하나로 구현될 수 있는 예시적인 보호 층(400)을 예시한다. 도 2에 제시된 양태에서, 제2 층(204)는 보호 층(400)이다. 도 4에 제시된 바와 같이, 보호 층(400)은 스캐빈저(403)과 조합된 장벽 중합체(401)을 포함할 수 있다. 장벽 중합체(401)은 상기 기재된 바와 같은 장벽 필름에서 적합하게 사용된 임의의 중합체일 수 있다. 예를 들어, 장벽 중합체(401)은 폴리실라잔계 중합체, 폴리실록산계 중합체와 같은 사용된 무기 물질을 포함할 수 있다. 하나의 비제한적 예로써, 물질의 변환은 하기 반응에 따라 수행될 수 있다:
게다가, 장벽 중합체는 유기 및 무기 하이브리드 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하기 구조가 사용될 수 있는데, 여기서 R1은 유연성을 제공하는 유기 성분이고, R2는 접착을 개선시키는 유기 성분이다.
스캐빈저(403)은 산소 및 수분 중 적어도 하나를 흡수하는 임의의 화합물일 수 있다. 예를 들어, 스캐빈저(403)은 페놀산일 수 있다. 페놀산은 방향족 산 화합물의 유형이다. 그 종류에는 페놀계 고리 및 유기 카르복실산 기능(C6-C1 골격 구조)을 함유하는 물질이 포함된다. 페놀산은 일반적으로 유리 라디칼을 트래핑함으로써 산화방지제로서 작용한다. 페놀산은 보호 층(400)에서 산소 및/또는 수분과 반응하는 스캐빈저(403)으로서 사용될 것이다. 페놀산은 외부 대기로부터 양자점 층 내로 산소 및 수분 중 적어도 하나의 투과를 방지할 수 있다. 하기를 포함하는 페놀산의 여러 범주가 있다:
일 양태에 따르면, 스캐빈저(403)은 프로토카테큐산을 포함한다. 프로토카테큐산과 산소 및 수분의 반응은, 하기 제시된 바와 같이, 본원의 양태에 따른 스캐빈저로서 페놀산의 사용을 나타낸다:
임의적으로, 보호 층(400)은 기능성 층(402)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 기능성 층(402)는 확산 층(405)일 수 있거나 또는 그를 포함할 수 있다(도 2(b)). 확산 층(405)는 양자점 층(206)에 대향하는 보호 층(400)의 한 측면(404) 상에 적용될 수 있다. 또 다른 양태에서, 기능성 층(402)는 밑에 있는 필름의 휘도를 향상시키는 프리즘(407)(도 4)이다. 필름(200)의 주어진 적용분야에 대해 바람직한 표면 매트 처리 및/또는 긁힘 방지 처리와 같은 다른 기능성 또는 장식용 층이 사용될 수 있다.
도 2(b)를 참조하면, 또 다른 양태에 따르면, 필름(200)은 보호 층 중 하나 이상이 양자점 층의 외측에 적용되는 기능성 층(402)일 수 있다. 기능성 층(402)는 양자점 층에 대향하는 제2 층의 한 측면 상의 제2 층(204)에 적용될 수 있다. 이 양태에서, 제2 층(204)는 보호 층(400)이다. 기능성 층(402)는 개략적으로 제시된 바와 같은 확산 층일 수 있다. 필름(200)의 주어진 적용분야에 대해 바람직한 표면 매트 처리 및/또는 긁힘 방지 처리와 같은 다른 기능성 또는 장식용 층이 사용될 수 있다.
보호 층(400)은 저온 습식 공정에 의해 형성될 수 있다. 한 양태로서, 본 개시내용의 양태에 따른 보호 층은 본원에 기재된 바와 같은 유동가능한 경화성 코팅 조성물일 수 있거나 또는 그를 포함할 수 있다. 이와 같이, 유동가능한 경화성 코팅 조성물은 필름(200)의 양자점 층(206)과 같은 표면을 코팅하는데 사용될 수 있다. 한 양태로서, 저온 습식 공정은 롤 코팅, 그라비아 코팅, 나이프 코팅, 딥 코팅, 커튼 플로우 코팅, 스프레이 코팅, 바 코팅, 다이 코팅, 스핀 코팅, 또는 잉크젯 코팅 등을 포함하나 이에 제한되지는 않는 코팅 방법을 포함할 수 있다.
일단 보호 층이 양자점 층(206)에 적용되면, 보호 층(400)은 물질에 대해 자외선(UV) 경화를 포함하나 이에 제한되지는 않는 적절한 경화 방법에 따라 개별적으로 경화될 수 있다. 예시적인 양태와 같이, 자외선(UV) 경화는 저압 수은 램프(Hg LP; 헤라우스 노블라이트 NIQ 65XL)가 장착된 기밀 알루미늄 케이싱에서 수행될 수 있다. 상기 램프는 약 254 nm(20 와트, W)의 자외선 영역 및 약 185 nm(5 W)의 진공 자외선(VUV) 영역에서 20 mm의 샘플까지의 거리로 방출되도록 구성될 수 있다. 기체 스위핑이 적용될 수 있고, 건조 질소 중 99.9% 순수 건조 질소 및 5% O2의 혼합물을 포함할 수 있다. 샘플의 경화를 시작하기 전에, 대기는 10분 동안 질소로 퍼지될 수 있고(분당 8 리터, L/분), 램프는 정격 출력으로 가열되게 할 수 있다. 경화는 샘플의 표면에서 1% 이하의 산소 분압으로 발생할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 제1 층 및 제2 층 둘 다가 보호 층인 필름(200)이 제시된다. 이 양태에서, 제1 층은 보호 용액이 적용되는 기판을 포함한다. 그 다음에 양자점 용액은 제1 보호 층 상에 배치되고 경화될 수 있다. 그 다음에 또한 보호층인 제2 층은 상기 논의된 바와 같은 양자점 용액에 적용된다. 제시된 양태에서, 제1 보호층은 기판 상에 배치되고 경화되어 필름(200)의 제1 층을 형성한다. 경화성 보호 층 코팅 조성물은 고체 플라스틱 형태 표면 상에 경화된 필름을 제공하도록 경화될 수 있다. 경화된 필름은 마모 방지 코팅 층을 제공할 수 있다. 경화된 필름은 높은 표면 경도 및 유리와 같은 느낌을 제공할 수 있고, 경도, 긁힘 방지, 기계적 강도, 및 충격 방지와 같은 특성의 바람직한 조합을 제공할 수 있다. 충전제, 폴리에스테르, 또는 그의 조합은, 충전제 및 폴리에스테르가 없는 고체 플라스틱 형태로 수행된 처리 결과와 비교하여 경도에서의 놀라운 증가를 생성할 수 있다.
본 방법은 고체 플라스틱 형태의 표면을 유동가능한 경화성 코팅 조성물로 코팅하는 것을 포함할 수 있다. 코팅은 고체 플라스틱 형태의 표면 상에 유동가능한 경화성 코팅 조성물의 코팅을 형성하는 임의의 적합한 방식으로 수행될 수 있다. 습식 또는 전사 코팅 방법이 사용될 수 있다. 예를 들어, 코팅은 바 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 또는 딥핑일 수 있다. 단일- 또는 다중-측면 코팅이 수행될 수 있다.
고체 플라스틱 형태는 투명하거나, 불투명하거나, 또는 임의의 하나 이상의 색일 수 있다. 고체 플라스틱 형태는 임의의 하나 이상의 적합한 플라스틱(예를 들어, 플라스틱의 균질한 혼합물)을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 고체 플라스틱 형태는 아크릴로니트릴 부타디엔 스티렌(ABS) 중합체, 아크릴 중합체, 셀룰로이드 중합체, 셀룰로스 아세테이트 중합체, 시클로올레핀 공중합체(COC), 에틸렌-비닐 아세테이트(EVA) 중합체, 에틸렌 비닐 알콜(EVOH) 중합체, 플루오로플라스틱, 이오노머, 아크릴/PVC 합금, 액정 중합체(LCP), 폴리아세탈 중합체(POM 또는 아세탈), 폴리아크릴레이트 중합체, 폴리메틸메타크릴레이트 중합체(PMMA), 폴리아크릴로니트릴 중합체(PAN 또는 아크릴로니트릴), 폴리아미드 중합체(PA 또는 나일론), 폴리아미드-이미드 중합체(PAI), 폴리아릴에테르케톤 중합체(PAEK), 폴리부타디엔 중합체(PBD), 폴리부틸렌 중합체(PB), 폴리부틸렌 테레프탈레이트 중합체(PBT), 폴리카프로락톤 중합체(PCL), 폴리클로로트리플루오로에틸렌 중합체(PCTFE), 폴리테트라플루오로에틸렌 중합체(PTFE), 폴리에틸렌 테레프탈레이트 중합체(PET), 폴리시클로헥실렌 디메틸렌 테레프탈레이트 중합체(PCT), 폴리카르보네이트 중합체(PC), 폴리히드록시알카노에이트 중합체(PHA), 폴리케톤 중합체(PK), 폴리에스테르 중합체, 폴리에틸렌 중합체(PE), 폴리에테르에테르케톤 중합체(PEEK), 폴리에테르케톤케톤 중합체(PEKK), 폴리에테르케톤 중합체(PEK), 폴리에테르이미드 중합체(PEI), 폴리에테르술폰 중합체(PES), 폴리에틸렌클로리네이트 중합체(PEC), 폴리이미드 중합체(PI), 폴리락트산 중합체(PLA), 폴리메틸펜텐 중합체(PMP), 폴리페닐렌 산화물 중합체(PPO), 폴리페닐렌 황화물 중합체(PPS), 폴리프탈아미드 중합체(PPA), 폴리프로필렌 중합체, 폴리스티렌 중합체(PS), 폴리술폰 중합체(PSU), 폴리트리메틸렌 테레프탈레이트 중합체(PTT), 폴리우레탄 중합체(PU), 폴리비닐 아세테이트 중합체(PVA), 폴리비닐 염화물 중합체(PVC), 폴리비닐리덴 염화물 중합체(PVDC), 폴리아미드이미드 중합체(PAI), 폴리아릴레이트 중합체, 폴리옥시메틸렌 중합체(POM), 및 스티렌-아크릴로니트릴 중합체(SAN) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 고체 플라스틱 형태는 폴리카르보네이트 중합체(PC) 및 폴리메틸메타크릴레이트 중합체(PMMA) 중 적어도 하나를 포함한다. 고체 플라스틱 형태는 PC 및 PMMA의 블렌드를 포함할 수 있다.
고체 플라스틱 형태는 하나의 유형의 폴리카르보네이트 또는 다수의 유형의 폴리카르보네이트를 포함할 수 있다. 폴리카르보네이트는 계면 중합(예를 들어, 염화메틸렌과 같은 유기 용액 및 가성 수용액 사이의 계면에서 비스페놀과 포스겐의 반응) 또는 용융 중합(예를 들어, 반응 매스의 용융 온도 초과에서 단량체 또는 올리고머의 에스테르교환 및/또는 중축합)을 통해 제조될 수 있다. 계면 중합에 대한 반응 조건은 달라질 수 있지만, 한 양태에서, 절차는 2가 페놀 반응물을 수성 가성 소다 또는 탄산칼슘에서 용해 또는 분산시키는 단계, 생성된 혼합물을 적합한 수-비혼화성 용매 매질에 첨가하는 단계, 및 상기 반응물을, 트리에틸아민 또는 상 전이 효소와 같은 촉매의 존재 하에, 제어된 pH 조건, 예를 들어, 약 8 내지 약 10 하에서 카르보네이트 전구체(예를 들어, 포스겐)와 접촉시키는 단계를 포함할 수 있다. 가장 흔히 사용된 수-비혼화성 용매는 염화메틸렌, 1,2-디클로로에탄, 클로로벤젠, 톨루엔 등을 포함한다.
대안적으로, 용융 공정은 폴리카르보네이트를 제조하기 위해 사용될 수 있다. 일반적으로, 용융 중합 공정에서, 폴리카르보네이트는, 균일한 분산액을 형성하기 위해, 혼합기, 이축 압출기 등에서 에스테르교환 촉매의 존재 하에, 디히드록시 반응물(들) 및 디아릴 카르보네이트 에스테르, 예컨대 디페닐 카르보네이트를, 용융된 상태에서 공-반응시킴으로써 제조될 수 있다. 휘발성 1가 페놀은 증류에 의해 용융된 반응물로부터 제거될 수 있고, 중합체는 용융된 잔류물로서 단리될 수 있다. 일부 양태에서, 폴리카르보네이트를 제조하기 위한 용융 공정은, 아릴 기 상에 전자-끌기 치환기를 갖는 디아릴 카르보네이트 에스테르, 예컨대 비스(4-니트로페닐)카르보네이트, 비스(2-클로로페닐)카르보네이트, 비스(4-클로로페닐)카르보네이트, 비스(메틸 살리실)카르보네이트, 비스(4-메틸카르복실페닐)카르보네이트, 비스(2-아세틸페닐)카르복실레이트, 비스(4-아세틸페닐)카르복실레이트, 또는 그의 조합을 사용한다. 게다가, 사용하기 위한 에스테르교환 촉매는 상 전이 효소, 예컨대 수산화테트라부틸암모늄, 수산화메틸트리부틸암모늄, 테트라부틸암모늄 아세테이트, 수산화테트라부틸포스포늄, 테트라부틸포스포늄 아세테이트, 테트라부틸포스포늄 페놀레이트, 또는 그의 조합을 포함할 수 있다.
하나 이상의 폴리카르보네이트는 고체 플라스틱 형태 중 약 50 중량% 내지 약 100 중량%, 예컨대 약 50 중량% 이하, 또는 약 55 중량%, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90, 95, 96, 97, 98, 99, 99.9 중량%, 또는 약 99.99 중량% 이상일 수 있다. 다양한 양태에서, 폴리카르보네이트는 하기 구조를 갖는 반복기를 포함할 수 있다:
구조에서 각 페닐 고리는 독립적으로 치환 또는 비치환된다. 변수 L3은 -S(O)2- 및 치환 또는 비치환된 (C1-C20)히드로카르빌렌으로부터 선택된다. 다양한 양태에서, 폴리카르보네이트는 비스페놀 A로부터 유도될 수 있어서, 폴리카르보네이트가 하기 구조를 갖는 반복기를 포함하도록 한다:
고체 플라스틱 형태는 하나의 충전제 또는 다수의 충전제와 같은 충전제를 포함할 수 있다. 충전제는 임의의 적합한 유형의 충전제일 수 있다. 충전제는 고체 플라스틱 형태에 균질하게 분포될 수 있다. 하나 이상의 충전제는 고체 플라스틱 형태 중 약 0.001 중량% 내지 약 50 중량%, 또는 약 0.01 중량% 내지 약 30 중량%, 또는 약 0.001 중량% 이하, 또는 약 0.01 중량%, 0.1, 1, 2, 3, 4, 5, 10, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45 중량%, 또는 약 50 중량% 이상을 형성할 수 있다. 충전제는 섬유상 또는 미립자일 수 있다. 충전제는 규산알루미늄(멀라이트), 합성 규산칼슘, 규산지르코늄, 융합된 실리카, 결정질 실리카 흑연, 천연 규사 등; 붕소 분말; TiO2, 산화알루미늄, 산화마그네슘 등과 같은 산화물; 황산칼슘(그의 무수물, 탈수화물 또는 삼수화물로서); 백악, 석회석, 대리석, 합성 침강 탄산칼슘 등과 같은 탄산칼슘; 섬유상, 모듈형, 바늘 형상, 층판상 활석 등을 포함하는 활석; 규회석; 표면 처리된 규회석; 중공 및 고형 유리 구체와 같은 유리 구체; 카올린; 탄화규소, 알루미나, 탄화붕소, 철, 니켈, 구리 등과 같은 단결정 섬유 또는 "휘스커(whisker)"; 석면, 탄소 섬유, 유리 섬유와 같은 섬유(연속 및 절단된 섬유 포함); 황화몰리브덴, 황화아연 등과 같은 황화물; 바륨 화합물; 미립자 또는 섬유상 물질과 같은 금속 및 산화금속; 박편 충전제; 섬유상 충전제, 예를 들어 규산알루미늄, 산화알루미늄, 산화마그네슘, 및 황산칼슘 반수화물 등 중 적어도 하나를 포함하는 블렌드로부터 유도된 것들과 같은 짧은 무기 섬유; 천연 충전제 및 보강제; 폴리테트라플루오로에틸렌과 같은 유기 충전제, 폴리(에테르 케톤), 폴리이미드, 폴리벤즈옥사졸, 폴리(황화페닐렌), 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 방향족 폴리아미드, 방향족 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리테트라플루오로에틸렌, 아크릴 수지, 폴리(비닐 알콜) 등과 같은 섬유를 형성할 수 있는 유기 중합체로부터 형성된 보강 유기 섬유상 충전제; 또는 상기 충전제 중 적어도 하나를 포함하는 조합일 수 있다. 충전제는 유리 섬유, 탄소 섬유, 광물성 충전제, 또는 그의 조합으로부터 선택될 수 있다. 상기 충전제는 유리 섬유일 수 있다.
유리 섬유는 E-유리, S-유리, AR-유리, T-유리, D-유리, R-유리, 및 그의 조합으로부터 선택될 수 있다. 사용된 유리 섬유는 E-유리, S-유리, 및 그의 조합으로부터 선택될 수 있다. 고강도 유리는 일반적으로, 미국에서는 S-형 유리, 유럽에서는 R-유리, 및 일본에서는 T-유리로 알려져 있다. 고강도 유리는 E-유리보다 상당히 더 많은 양의 산화실리카, 산화알루미늄 및 산화마그네슘을 갖는다. S-2 유리는 E-유리보다 대략 40-70% 더 강하다. 유리 섬유는 표준 공정에 의해, 예를 들어, 증기 또는 공기 블로잉, 화염 블로잉, 및 기계적 인장에 의해 제조될 수 있다.
유리 섬유는 크기가 부여되거나 또는 크기가 부여되지 않을 않을 수 있다. 크기가 부여된 유리 섬유는 그의 표면이 폴리카르보네이트와의 적합성을 위해 선택된 크기가 부여된 조성물로 코팅된다. 크기가 부여된 조성물은 섬유 스탠드 상의 폴리카르보네이트의 수분-제거 및 수분-함유를 촉진시키고, 폴리카르보네이트 조성물에서 원하는 물리적 특성을 획득하는 것을 보조한다. 유리 섬유는 코팅제로 사이징될 수 있다. 코팅제는, 유리 섬유의 중량을 기준으로, 약 0.1 중량% 내지 약 5 중량%, 또는 약 0.1 중량% 내지 약 2 중량%의 양으로 존재할 수 있다.
유리 섬유 제조 시, 다수의 필라멘트가 동시에 형성되고, 코팅제로 크기가 부여된 다음, 스트랜드라 불리는 것으로 묶일 수 있다. 대안적으로, 스트랜드 그 자체는 먼저 필라멘트로 형성된 다음 사이징될 수 있다. 이용된 사이징의 양은 일반적으로 유리 필라멘트를 연속 스트랜드 내에 결합하기에 충분한 양이고, 유리 섬유의 중량을 기준으로, 약 0.1 내지 약 5 중량%, 약 0.1 내지 2 중량%, 또는 약 1 중량%일 수 있다.
유리 섬유는 연속적 또는 절단될 수 있다. 절단된 스트랜드 형태의 유리 섬유는 약 0.3 밀리미터(mm) 내지 약 10 센티미터(cm), 약 0.5 cm 내지 약 5 cm, 또는 약 1.0 mm 내지 약 2.5 cm의 길이를 가질 수 있다. 다양한 추가의 양태에서, 유리 섬유는 약 0.2 mm 내지 약 20 mm, 약 0.2 mm 내지 약 10 mm, 또는 약 0.7 mm 내지 약 7 mm, 1 mm 이상, 또는 2 mm 이상의 길이를 가질 수 있다. 유리 섬유는 둥근 (또는 원형), 편평한, 또는 불규칙한 단면을 가질 수 있다. 유리 섬유의 직경은 약 1 μm 내지 약 15 μm, 약 4 μm 내지 약 10 μm, 약 1 μm 내지 약 10 μm, 또는 약 7 μm 내지 약 10 μm일 수 있다.
고체 플라스틱 형태는 폴리에스테르를 포함할 수 있다. 폴리에스테르는 임의의 적합한 폴리에스테르일 수 있다. 폴리에스테르는 방향족 폴리에스테르, 폴리(알킬렌 에스테르), 예를 들어, 폴리(알킬렌 아릴레이트)(예를 들어, 폴리(알킬렌 테레프탈레이트)), 및 폴리(시클로알킬렌 디에스테르)(예를 들어, 폴리(시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트)(PCT), 또는 폴리(1,4-시클로헥산-디메탄올-1,4-시클로헥산디카르복실레이트)(PCCD)), 및 레소르시놀계 아릴 폴리에스테르로부터 선택될 수 있다. 폴리에스테르는 폴리(이소프탈레이트-테레프탈레이트-레소르시놀)에스테르, 폴리(이소프탈레이트-테레프탈레이트-비스페놀 A)에스테르, 폴리[(이소프탈레이트-테레프탈레이트-레소르시놀)에스테르-코-(이소프탈레이트-테레프탈레이트-비스페놀 A)]에스테르, 또는 이들 중 적어도 하나를 포함하는 조합일 수 있다. 폴리(알킬렌 테레프탈레이트)의 예는 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)(PET), 폴리(1,4-부틸렌 테레프탈레이트)(PBT), 및 폴리(프로필렌 테레프탈레이트)(PPT)를 포함한다. 또한 폴리(알킬렌 나프타노에이트), 예컨대 폴리(에틸렌 나프타노에이트)(PEN), 및 폴리(부틸렌 나프타노에이트)(PBN)가 유용할 수 있다. 알킬렌 테레프탈레이트 반복 에스테르 단위와 다른 에스테르기를 포함하는 공중합체가 또한 유용할 수 있다. 유용한 에스테르 단위는 상이한 알킬렌 테레프탈레이트 단위를 포함할 수 있으며, 이는 개별 단위로서, 또는 폴리(알킬렌 테레프탈레이트)의 블록으로서 중합체 쇄에 존재할 수 있다. 이러한 공중합체의 구체적인 예는 PETG로서 약칭되고(여기서 중합체는 50 몰% 이상의 폴리(에틸렌 테레프탈레이트)를 포함함), 및 PCTG로서 약칭되는(여기서 중합체는 50 몰% 초과의 폴리(1,4-시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트)를 포함함), 폴리(시클로헥산디메틸렌 테레프탈레이트)-코-폴리(에틸렌 테레프탈레이트)를 포함한다. 폴리에스테르는 고체 플라스틱 형태로 실질적으로 균질하게 분포될 수 있다. 고체 플라스틱 형태는 하나의 유형의 폴리에스테르 또는 다수의 유형의 폴리에스테르를 포함할 수 있다. 하나 이상의 폴리에스테르는 고체 플라스틱 형태 중 약 0.001 중량% 내지 약 50 중량%, 약 0.01 중량% 내지 약 30 중량%, 또는 약 0.001 중량% 이하, 또는 약 0.01 중량%, 0.1, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 26, 28, 30, 35, 40, 45 중량%, 또는 약 50 중량% 이상과 같은, 고체 플라스틱 형태 중 임의의 적합한 비율을 형성할 수 있다. 폴리에스테르는 하기 구조를 갖는 반복 단위를 포함할 수 있다:
변수 R8 및 R9는 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C20)히드로카르빌렌일 수 있다. 변수 R8 및 R9는 시클로알킬렌-함유 기 또는 아릴-함유 기일 수 있다. 변수 R8 및 R9는 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐, 또는 치환 또는 비치환된 -(C0-C10)히드로카르빌-(C4-C10)시클로알킬-(C0-C10)히드로카르빌-일 수 있다. 변수 R8 및 R9 둘 다는 시클로알킬렌-함유 기일 수 있다. 변수 R8 및 R9는 독립적으로 하기 구조를 가질 수 있다:
여기서, 시클로헥실렌은 시스 또는 트랜스 방식으로 치환될 수 있다. 일부 양태에서, R9는 파라-치환된 페닐일 수 있어서, R9는 하기와 같은 폴리에스테르 구조에 나타나도록 한다:
고체 플라스틱 형태는 임의의 적합한 형상 및 크기를 가질 수 있다. 일부 양태에서, 고체 플라스틱 형태는 약 25 미크론 내지 약 50,000 미크론, 약 25 미크론 내지 약 15,000 미크론, 약 60 미크론 내지 약 800 미크론, 또는 약 25 미크론 이하, 또는 약 50, 75, 100, 150, 200, 250, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1,000, 1,500, 2,000, 3,000, 4,000, 5,000, 6,000, 8,000, 10,000, 12,000, 14,000, 15,000, 20,000, 25,000, 30,000, 40,000, 또는 약 50,000 미크론 이상의 두께와 같은, 임의의 적합한 두께를 갖는 시트이다.
유동가능한 경화성 코팅 조성물은 a) 약 1,000 내지 약 4,000의 중량 평균 분자량 및 약 1.05 내지 약 1.4의 (Mw/Mn)을 갖는 지환족 에폭시기-함유 실록산 수지, b) 에폭시-기능성 유기실록산, 및 이소시아네이트기 또는 이소시아누레이트기를 포함하는 유기실록산, 또는 상기 a) 및 b) 둘 다를 포함할 수 있다.
에폭시-기능성 유기실록산은 하기 구조를 가질 수 있다:
각각의 경우에서, Ra는 독립적으로 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬일 수 있다. 각각의 경우에서, 변수 Ra는 독립적으로 비치환된 (C1-C6)알킬일 수 있다. 변수 La는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(Si(ORa)2)n1-, -(O-CH2-CH2)n1-, 및 -(O-CH2-CH2-CH2)n1-(여기서 n1은 약 1 내지 약 1,000(예를 들어, 1-100, 1-50, 1-10, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 25, 30, 40, 50, 75, 100, 200, 250, 500, 750, 1,000)일 수 있음)로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 또는 3개의 기에 의해 차단된 치환 또는 비치환된 (C1-C30)히드로카르빌일 수 있다. 변수 La는 -O- 및 -S-로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 또는 3개의 기에 의해 차단된 비치환된 (C1-C30)히드로카르빌일 수 있다. 에폭시-기능성 유기실록산은 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필 메틸디메톡시실란, 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필 메틸디에톡시실란, 또는 3-글리시독시프로필 트리에톡시실란일 수 있다. 유동가능한 경화성 수지 조성물은 하나의 에폭시-기능성 유기실록산, 또는 다수의 에폭시-기능성 유기실록산을 포함할 수 있다. 하나 이상의 에폭시-기능성 유기실록산은 약 0.01 중량% 내지 약 100 중량%, 10 중량% 내지 약 100 중량%, 약 50 중량% 내지 약 99.9 중량%, 또는 약 0.01 중량% 이하, 또는 약 0.1 중량%, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90, 95, 96, 97, 98, 99, 99.9, 또는 약 99.99 중량%와 같은, 유동가능한 경화성 수지 조성물 중 임의의 적합한 비율일 수 있다.
이소시아네이트기를 포함하는 유기실록산은 구조 (Rb)4-pSi(Rc)p를 가질 수 있다. 변수 p는 1 내지 4(예를 들어, 1, 2, 3, 또는 4)일 수 있다. 각각의 경우에서, Rb는 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬 및 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알콕시로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 각각의 경우에서, Rb는 비치환된 (C1-C6)알킬 및 비치환된 (C1-C6)알콕시로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 각각의 경우에서, Rc는 -Lb-NCO일 수 있으며, 여기서 Lb는 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(Si(ORb)2)n2-, -(O-CH2-CH2)n2-, 및 -(O-CH2-CH2-CH2)n2-(여기서 n2는 약 1 내지 약 1,000(예를 들어, 1-100, 1-50, 1-10, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 25, 30, 40, 50, 75, 100, 200, 250, 500, 750, 1,000)일 수 있음)로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 또는 3개의 기에 의해 차단된 치환 또는 비치환된 (C1-C30)히드로카르빌일 수 있다. 각각의 경우에서, Lc는 -O- 및 -S-로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 또는 3개의 기에 의해 차단된 비치환된 (C1-C30)히드로카르빌일 수 있다. 이소시아네이트기를 포함하는 유기실록산은 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란일 수 있다. 유동가능한 경화성 수지 조성물은 이소시아네이트기를 포함하는 하나 또는 하나 초과의 유기실록산을 포함할 수 있다. 이소시아네이트기를 포함하는 하나 이상의 유기실록산은 약 0.01 중량% 내지 약 100 중량%, 10 중량% 내지 약 100 중량%, 약 50 중량% 내지 약 99.9 중량%, 또는 약 0.01 중량% 이하, 또는 약 0.1 중량%, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90, 95, 96, 97, 98, 99, 99.9, 또는 약 99.99 중량%와 같은, 유동가능한 경화성 수지 조성물 중 임의의 적합한 비율을 형성할 수 있다.
이소시아누레이트기를 포함하는 유기실록산은 하기 구조를 가질 수 있다:
각각의 경우에서, Rd는 -H 및 -Lc-Si(Re)3으로부터 선택될 수 있으며, 여기서 적어도 하나의 Rd는 -Lc-Si(Re)3이다. 각각의 경우에서, Rd는 -Lc-Si(Re)3일 수 있다. 각각의 경우에서, Lc는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(Si(Re)2)n3-, -(O-CH2-CH2)n3-, 및 -(O-CH2-CH2-CH2)n3-(여기서 n3은 약 1 내지 약 1,000(예를 들어, 1-100, 1-50, 1-10, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 25, 30, 40, 50, 75, 100, 200, 250, 500, 750, 1,000)일 수 있음)로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 또는 3개의 기에 의해 차단된 치환 또는 비치환된 (C1-C30)히드로카르빌일 수 있다. 각각의 경우에서, Lc는 -O- 및 -S-로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 또는 3개의 기에 의해 차단된 비치환된 (C1-C30)히드로카르빌일 수 있다. 각각의 경우에서, Re는 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬 및 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알콕시로부터 선택될 수 있다. 각각의 경우에서, Re는 비치환된 (C1-C6)알킬 및 비치환된 (C1-C6)알콕시로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 이소시아네이트기 또는 이소시아누레이트기를 포함하는 유기실록산은 트리스-[3-(트리메톡시실릴 프로필)-이소시아누레이트일 수 있다. 유동가능한 경화성 수지 조성물은 이소시아누레이트기를 포함하는 하나 또는 다수의 유기실록산을 포함할 수 있다. 유동가능한 경화성 수지 조성물의 임의의 적합한 비율은 약 0.01 중량% 내지 약 100 중량%, 10 중량% 내지 약 100 중량%, 약 50 중량% 내지 약 99.9 중량%, 또는 약 0.01 중량% 이하, 또는 약 0.1 중량%, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90, 95, 96, 97, 98, 99, 99.9, 또는 약 99.99 중량%와 같은, 이소시아누레이트기를 포함하는 하나 이상의 유기실록산일 수 있다.
유동가능한 경화성 수지 조성물은 비스(유기실록산)-기능성 아민을 포함할 수 있다. 일부 양태에서, 유동가능한 경화성 수지 조성물은 에폭시-기능성 유기실록산, 이소시아네이트기 또는 이소시아누레이트기를 포함하는 유기실록산, 및 비스(유기실록산)-기능성 아민을 포함한다. 비스(유기실록산)-기능성 아민은 구조 Rf 3Si-Ld-NH-Ld-SiRf 3을 가질 수 있다. 각각의 경우에서, Rf는 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알킬 및 치환 또는 비치환된 (C1-C10)알콕시로부터 선택될 수 있다. 각각의 경우에서, Rf는 비치환된 (C1-C6)알킬 및 비치환된 (C1-C6)알콕시로부터 독립적으로 선택될 수 있다. 각각의 경우에서, Ld는 독립적으로 -O-, -S-, 치환 또는 비치환된 -NH-, -(Si(Rf)2)n4-, -(O-CH2-CH2)n4-, 및 -(O-CH2-CH2-CH2)n4-{여기서 n4는 약 1 내지 약 1,000(예를 들어, 1-100, 1-50, 1-10, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 25, 30, 40, 50, 75, 100, 200, 250, 500, 750, 1,000)일 수 있음}로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 또는 3개의 기에 의해 차단된 치환 또는 비치환된 (C1-C30)히드로카르빌일 수 있다. 각각의 경우에서, Ld는 -O- 및 -S-로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 또는 3개의 기에 의해 차단된 비치환된 (C1-C30)히드로카르빌일 수 있다. 비스(유기실록산)-기능성 아민은 비스(트리에톡시실릴프로필)아민, 비스(트리메톡시실릴프로필)아민, 또는 비스(메틸디에톡시실릴프로필) 아민일 수 있다. 유동가능한 경화성 수지 조성물은 하나 이상의 비스(유기실록산)-기능성 아민을 포함할 수 있다. 하나 이상의 비스(유기실록산)-기능성 아민은 약 0.01 중량% 내지 약 100 중량%, 10 중량% 내지 약 100 중량%, 약 50 중량% 내지 약 99.9 중량%, 또는 약 0.01 중량% 이하, 또는 약 0.1 중량%, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90, 95, 96, 97, 98, 99, 99.9, 또는 약 99.99 중량%와 같은, 유동가능한 경화성 수지 조성물 중 임의의 적합한 비율을 형성할 수 있다.
상기 방법은 물 및 촉매를 사용하여 가수분해 및 축합 반응을 수행하여 졸(예를 들어, 콜로이드성 현탁액)을 형성하는 단계, 알콜 또는 물을 방출하는 단계를 포함할 수 있다. 졸은 유동가능한 경화성 수지 조성물을 포함할 수 있다. 고체 플라스틱 형태의 표면을 코팅하는 단계는 고체 플라스틱 형태를 졸로 코팅하는 단계를 포함할 수 있다. 경화성 코팅 조성물을 경화시키는 단계는 플라스틱 형태 상의 졸을 경화시켜 고체 플라스틱 형태 표면 상에 경화된 필름(예를 들어, 겔)을 제공하는 단계를 포함할 수 있다.
유동가능한 경화성 코팅 조성물은 지환족 에폭시기-함유 실록산 수지를 포함할 수 있다. 유동가능한 경화성 코팅 조성물은 하나의 유형의 지환족 에폭시기-함유 실록산 수지 또는 다수의 유형의 이러한 수지를 포함할 수 있다. 하나 이상의 지환족 에폭시기-함유 실록산 수지는 약 0.01 중량% 내지 약 100 중량%, 10 중량% 내지 약 100 중량%, 약 50 중량% 내지 약 99.9 중량%, 또는 약 0.01 중량% 이하, 또는 약 0.1 중량%, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 15, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90, 95, 96, 97, 98, 99, 99.9, 또는 약 99.99 중량%와 같은, 유동가능한 경화성 코팅 조성물 중 임의의 적합한 비율을 형성할 수 있다. 실록산 수지는 약 1,000 내지 약 4,000(예를 들어, 약 1,000, 1,200, 1,400, 1,600, 1,800, 2,000, 2,200, 2,400, 2,600, 2,800, 3,000, 3,200, 3,400, 3,600, 3,800, 또는 4,000)의 중량 평균 분자량 및 약 1.05 내지 약 1.4(예를 들어, 약 1.05, 1.2, 1.4, 1.6, 1.8, 2.0, 2.2, 2.4, 2.6, 2.8, 3.0, 3.2, 3.4, 3.6, 3.8, 또는 약 4.0 이상)의 (Mw/Mn)(즉, 중량 평균 분자량을 수 평균 분자량으로 나눔, 다분산도로도 지칭됨, 혼합물 중 분자 크기의 이질성의 척도)을 가질 수 있다.
실록산 수지는, 물 및 임의의 촉매의 존재 하에, (i) 구조 R1 nSi(OR2)4-n 단독(여기서 R1은 (C3-C6)시클로알킬(C1-C6)알킬(여기서 시클로알킬기는 에폭시기를 포함함)이고, R2는 (C1-C7)알킬이고, n은 1-3임)를 갖는, 지환족 에폭시기 및 알콕시기를 포함하는 알콕시실란, 또는 (ii) 구조 R1 nSi(OR2)4-n을 갖는 알콕시실란 및 구조 R3 mSi(OR4)4-m(여기서 R3은 (C1-C20)알킬, (C3-C8)시클로알킬, (C2-C20)알케닐, (C2-C20)알키닐, (C6-C20)아릴, 아크릴기, 메트아실기, 할로겐기, 아미노기, 메르캅토기, 에테르기, 에스테르기, 카르보닐기, 카르복실기, 비닐기, 니트로기, 술폰기, 및 알키드기로부터 선택되고, R4는 (C1-C7)알킬이고, m은 0 내지 3임)를 갖는 알콕시실란의, 가수분해 및 축합에 의해 제조될 수 있다. 구조 R1 nSi(OR2)4-n을 갖는 알콕시실란은 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 또는 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리에톡시실란일 수 있다. 구조 R3 mSi(OR4)4-m을 갖는 알콕시실란은 테트라메톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 메틸트리프로폭시실란, 디메틸디메톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 디페닐디메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 트리페닐메톡시실란, 트리페닐에톡시실란, 에틸트리에톡시실란, 프로필에틸트리메톡시실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리프로폭시실란, N-(3-아크릴옥시-2-히드록시프로필)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-히드록시프로필)-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-히드록시프로필)-3-아미노프로필트리프로폭시실란, 3-아크릴옥시프로필메틸비스(트리메톡시) 실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리프로폭시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리에톡시실란, 3-(메트)아크릴옥시프로필트리프로폭시실란, N-(아미노에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 클로로프로필트리메톡시실란, 클로로프로필트리에톡시실란, 및 헵타데카플루오로데실트리메톡시실란으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
유동가능한 경화성 코팅 조성물은 지환족 에폭시기와 반응하여 가교 결합을 형성할 수 있는 반응성 단량체를 추가로 포함할 수 있다. 유동가능한 경화성 코팅 조성물은 하나의 이러한 단량체 또는 다수의 이러한 단량체를 포함할 수 있다. 하나 이상의 반응성 단량체는 약 0.001 중량% 내지 약 30 중량%, 또는 약 0.01 중량% 내지 약 10 중량%, 또는 약 0.001 중량% 이하, 또는 약 0.01 중량%, 0.1, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 26, 28, 또는 약 30 중량% 이상과 같은, 유동가능한 경화성 코팅 조성물 중 임의의 적합한 비율을 형성할 수 있다. 하나 이상의 반응성 단량체는 약 1:1000 내지 약 1:10, 또는 약 1:1000 이하, 또는 약 1:500, 1:250, 1:200, 1:150, 1:100, 1:80, 1:60, 1:40, 1:20, 또는 약 1:10 이상과 같은, 에폭시-함유 실록산 수지에 대한 임의의 적합한 중량비로 존재할 수 있다. 반응성 단량체는 산 무수물 단량체, 옥세탄 단량체, 또는 (C3-C6)시클로알킬기와 같은 지환족 에폭시기를 갖는 단량체일 수 있다. 산 무수물 단량체는 프탈산 무수물, 테트라히드로프탈산 무수물, 헥사히드로프탈산 무수물, 나드산 메틸 무수물, 클로렌드산 무수물, 및 피로메리트산 무수물로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다. 옥세탄 단량체는 3-에틸-3-히드록시메틸옥세탄, 2-에틸헥실옥세탄, 크실렌 비스 옥세탄, 및 3-에틸-3[[3-에틸옥세탄-3-일]메톡시]옥세탄으로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다. 지환족 에폭시기를 갖는 반응성 단량체는 4-비닐시클로헥센 이산화물, 시클로헥센 비닐 일산화물, (3,4-에폭시시클로헥실)메틸 3,4-에폭시시클로헥실카르복실레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸 메타크릴레이트, 및 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)아디페이트로부터 선택되는 하나 이상일 수 있다.
다양한 양태에서, 하나 이상의 촉매가 존재한다. 다른 양태에서, 유동가능한 경화성 코팅 조성물은 촉매가 없을 수 있다. 촉매는 산성 촉매, 염기성 촉매, 이온 교환 수지, 및 그의 조합과 같은 임의의 적합한 촉매일 수 있다. 예를 들어, 촉매는 염산, 아세트산, 플루오르화수소, 질산, 황산, 클로로술폰산, 요오드산, 피로인산, 암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화바륨, 이미다졸, 및 그의 조합일 수 있다.
경화성 유동가능한 코팅 조성물은 하나 이상의 유기 용매를, 예컨대, 실록산 수지 100 중량부를 기준으로, 약 0.01 내지 약 10 중량부, 또는 약 0.1 내지 약 10 중량부의 양으로 포함할 수 있다. 하나 이상의 용매는 경화성 유동성 코팅 조성물 중 약 0.001 중량% 내지 약 50 중량%, 약 0.01 중량% 내지 약 30 중량%, 약 30 중량% 내지 약 70 중량%, 또는 약 0.001 중량% 이하, 또는 약 0.01 중량%, 0.1, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 26, 28, 30, 35, 40, 45 중량%, 또는 약 50 중량% 이상일 수 있다.
유동가능한 경화성 코팅 조성물은 자외선 개시제, 열 개시제, 오늄 염, 유기금속 염, 아민, 및 이미다졸로부터 선택된 하나 이상의 중합 개시제를, 실록산 수지 100 중량부를 기준으로, 약 0.01 내지 약 10 중량부, 또는 약 0.1 내지 약 10 중량부의 양으로 추가로 포함할 수 있다. 하나 이상의 중합 개시제는 경화성 유동가능한 코팅 조성물 중 약 0.001 중량% 내지 약 50 중량%, 약 0.01 중량% 내지 약 30 중량%, 또는 약 0.001 중량% 이하, 또는 약 0.01 중량%, 0.1, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 22, 24, 26, 28, 30, 35, 40, 45 중량%, 또는 약 50 중량% 이상일 수 있다.
유동가능한 경화성 코팅 조성물은 산화방지제, 평활성 첨가제(leveling agent), 흐림방지제, 오염방지제, 및 코팅 제어제로부터 선택되는 것과 같은, 하나 이상의 첨가제를 추가로 포함할 수 있다. 본 개시내용에 따르면, 스캐빈저는 보호 층의 형성 시 유동가능한 경화성 코팅 조성물 내에 제공된다. 스캐빈저는 산소 및 수분 중 적어도 하나가 양자점 층과 접촉하고 그와 반응하는 것을 억제한다.
상기 방법은 또한 경화성 코팅 조성물을 경화시켜, 고체 플라스틱 형태 표면 상에 경화된 필름을 제공하는 단계를 포함할 수 있다. 경화는 임의의 적합한 경화일 수 있다. 경화는 열 경화일 수 있다. 경화는 자외선 경화일 수 있다. 경화는 열 및 자외선 경화의 조합(예를 들어, 동시적 또는 순차적)일 수 있다.
고체 플라스틱 형태 상의 경화된 필름은 약 1 미크론 내지 약 1,000 미크론, 약 1 미크로 내지 약 100 미크론, 약 5 미크론 내지 약 75 미크론, 또는 약 1 미크론, 2, 3, 4, 5, 6, 8, 10, 12, 14, 16, 18, 20, 25, 30, 35, 40, 45, 50, 55, 60, 65, 70, 75, 80, 85, 90, 95, 100, 200, 500, 750, 또는 약 1,000 미크론 이상과 같은, 임의의 적합한 두께를 가질 수 있다.
고체 플라스틱 형태 표면 상의 경화된 필름은 임의의 적합한 경도를 가질 수 있다. 예를 들어, 고체 플라스틱 형태 표면 상의 경화된 필름은 경도, 즉 약 3B 내지 약 9H, 또는 약 HB 내지 약 8H, 또는 약 3B 이하, 또는 약 2B, B, HB, F, H, 2H, 3H, 4H, 5H, 6H, 7H, 8H, 또는 약 9H 이상의 연필 경도를 가질 수 있다. 연필 경도는 9H(가장 단단함) 내지 9B(가장 부드러움) 범위의 스케일에 대한 물질의 경도의 척도이다. 일반적으로, 연필 경도 스케일은, 예를 들어, 700 그램(g) 또는 1 kg 부하물에서, 9H(가장 단단함), 8H, 7H, 6H, 5H, 4H, 3H, 2H, H, F, HB(중간), B, 2B, 3B, 4B, 5B, 6B, 7B, 8B, 및 9B(가장 부드러움)이다. 한 양태에서, 고체 플라스틱 형태 표면 상의 경화된 필름은 약 3B 내지 약 9H, 또는 약 HB 내지 약 8H, 또는 약 3B 이하, 또는 약 2B, B, HB, F, H, 2H, 3H, 4H, 5H, 6H, 7H, 8H, 또는 약 9H 이상의 연필 경도를 가질 수 있다. 연필 경도는, 예를 들어, 1 kg 부하물에서 ASTM D3363에 따라 결정될 수 있다.
제조 방법
하나 이상의 양태에서, 및 예를 들어 도 2를 참조하면, 양자점 필름(200)을 형성하는 방법은 제1 층(202) 상에 양자점 용액을 코팅하는 단계 및 양자점 층(206) 상에 제2 층(204)를 배치하는 단계를 포함한다. 그러나, 다른 공정이 사용될 수 있다. 상기 양태에서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 보호 층(400)이다. 상기 보호 층(400)은 롤 코팅, 그라비아 코팅, 나이프 코팅, 딥 코팅, 커튼 플로우 코팅, 스프레이 코팅, 바 코팅, 다이 코팅, 스핀 코팅 또는 잉크젯 코팅에 의해, 디스펜서를 사용함으로써, 또는 다른 수단에 의해 적용될 수 있다.
도 5는 본 개시내용의 양태에 따른 방법을 제시한다. 상기 방법은 단계(502)에서, 장벽 층 상에 양자점 용액을 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 양자점 용액은 용액 코팅 공정을 사용하여 장벽 층 상에 배치될 수 있다.
단계(504)에서, 양자점 용액은 경화되어 장벽 층에 부착된 양자점 층을 형성할 수 있다. 장벽 층은 폴리실라잔계 중합체, 폴리실록산계 중합체, 또는 그의 조합을 포함할 수 있다.
단계(505)에서, 보호 용액은 상기 논의된 바와 같은 장벽 중합체와 스캐빈저를 혼합함으로써 형성된다. 단계(506)에서, 보호 용액은 양자점 층 상에 배치된다. 상기 보호 용액은 롤 코팅, 그라비아 코팅, 나이프 코팅, 딥 코팅, 커튼 플로우 코팅, 스프레이 코팅, 바 코팅, 다이 코팅, 스핀 코팅 또는 잉크젯 코팅 중 하나 이상을 사용하여, 디스펜서를 사용함으로써, 또는 그의 조합을 사용하여 양자점 층 상에 배치될 수 있다.
단계(508)에서, 보호 용액은 경화되어 양자점 층에 부착된 보호 층을 형성할 수 있다. 상기 보호 용액은 자외선(UV) 경화 공정을 포함하나 이에 제한되지는 않는 방사선 경화 공정, 및 증기 경화 공정을 포함하나 이에 제한되지는 않는 열 경화 공정 중 하나 이상을 사용하여 경화될 수 있다. 보호 층은 적어도 산소 및 수분이 양자점 층 내로 침투하는 것을 억제한다. 상기 보호 층은 임의적으로 무기 층에 인접하게 배치된 기능성 층을 포함할 수 있다. 보호 층의 무기 층은 폴리실라잔계 중합체, 폴리실록산계 중합체, 또는 그의 조합을 포함할 수 있다. 추가의 옵션으로서, 보호 층은 하이브리드 층에 인접하게 배치된 기능성 층을 포함하거나, 그로 본질적으로 이루어지거나, 또는 그로 이루어질 수 있다. 보호 층의 하이브리드 층은 유기 성분 및 무기 성분을 포함할 수 있다. 무기 성분은 적어도 폴리실라잔계 중합체, 폴리실록산계 중합체, 또는 그의 조합을 포함할 수 있다.
도 6을 참조하면, 방법(600)은 (602)에서 양자점 층을 제1 층 및 제2 층 사이에 배치하는 단계, (604)에서 장벽 중합체 및 스캐빈저를 혼합하여 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나를 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 도 5에 제시된 양태는 제2 층을 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함하는 보호 용액으로 형성하는 단계를 포함한다. 이는, 제1 층이 단지 보호 층인 필름(200)의 구성이, 필름이 반전되는 동일한 방법에 따라 형성될 수 있는 것으로 이해될 것이다. 도 7은 제1 층(예를 들어, 202, 도 2) 및 제2 층(예를 들어, 204, 도 2) 둘 다가 상기 기재된 바와 같은 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함하는 보호 용액으로부터 형성되는 양태를 도시한다. 이 양태에서, 방법(700)은 (701)에서 기판을 제공하는 단계, (702)에서 장벽 중합체 및 스캐빈저를 혼합하여 보호 용액을 형성하는 단계; (704)에서 상기 보호 용액을 기판에 적용하는 단계를 포함한다. 제1 층을 형성하는데 필요한 경우, 단계(706)에서 보호 용액 및 기판이 경화될 수 있다. 단계(708)에서 양자점 용액이 적용된다. 필요한 경우, 단계(710)에서 양자점 용액이 경화되어 제1 층의 상부 상에 양자점 층을 형성한다. 단계(712)에서 보호 용액을 포함하는 제2 층이 양자점 층 상에 적용된다. 제2 층은, 양자점 층이 제1 및 제2 층 사이에 배치되도록 제1 층에 대향하여 적용된다. 단계(714)에서, 임의적인 기능성 층은 제2 층에 적용될 수 있다. 상기 논의된 바와 같은, 기능성 층은 원하는 표면 특징 또는 마감을 달성하도록 선택될 수 있고, 확산제를 포함할 수 있다.
일단 경화되면, 보호 층(들)은 장벽 층의 두께보다 작은 두께를 가질 수 있다. 한 양태로서, 상기 장벽 층은 100 미크론의 두께를 가질 수 있고, 상기 보호 층은 100 미크론 미만의 두께를 가질 수 있다. 또 다른 양태에서, 보호 층(400)은 50 미크론 미만의 두께를 가질 수 있다. 보호 층은 장벽 층보다 작은 두께를 가질 수 있으므로, 층의 스택의 전체 두께는 2개의 장벽 층을 갖는 스택과 비교하여 최소화될 수 있다.
본 개시내용에 따르면, 장벽 중합체와 스캐빈저로 구성된 보호 층을 제공하는 단계는 필름(200)에서 양자점 층으로부터 방출된 광에 대한 더 높은 강도 수준을 시간 경과에 따라 제공한다. 특히, 본원에 기재된 바와 같은 장벽 중합체 및 스캐빈저로 구성된 보호 층을 포함하는 필름에서의 강도 수준은, 통상적인 양자점 층에 대한 속도보다 더 적은 속도로 열화된다. 하기 실험은 스캐빈저를 갖는 본 개시내용에 따른 용액으로 생성된 보호 층을 갖는 필름과 스캐빈저가 없는 용액(대조군)의 비교를 나타낸다. 이러한 용액은 그 다음에 통상적인 양자점 필름과 비교되었다.
모의 실험을 통해, 본 개시내용에 따라 제조된 필름은 상기 양태에 따른 스캐빈저와 혼합된 장벽 중합체를 포함하는 보호 층을 시험하기 위해 통상적인 양자점 층과 비교되었다. 보호 용액은 통상적인 양자점 층과 스캐빈저가 없는 장벽 중합체로 이루어진 보호 층을 비교하기 위해 제조되었다. 표 1은 5종의 제조된 용액에 대한 제형을 제시한다. 용매(부틸 에테르) 중 장벽 중합체(폴리실라잔계 중합체)를 포함한 제1 용액(용액 1)은 90% 용매 중 10% 장벽 중합체로 생성되었고 양자점 층에 적용되었다. 추가의 용액이 스캐빈저로 첨가되었으며, 이때 용매의 양은 스캐빈저의 첨가에 비례하여 감소되었다. 용액 2는 0.01% 스캐빈저를 포함하였다. 용액 3은 0.1% 스캐빈저를 포함하였다. 용액 4는 0.3% 스캐빈저를 포함하였다. 용액 5는 0.5% 스캐빈저를 포함하였다.
표 1. 제조된 용액의 성분.
상기 실험에서, 프로토카테큐산(3,4-디히드록시벤조산)이 스캐빈저로서 사용되었다. 도 8은 통상적인 양자점 필름에서의 양자점 층의 측정된 강도를 장벽 중합체 및 용매를 갖는 용액 1, 및 본 개시내용에 따른 장벽 중합체 및 스캐빈저를 갖는 용액과 비교한다. 통상적인 QD 필름 강도 수준이 용액 1 및 스캐빈저를 포함하는 보호 층 용액보다 더 신속하게 감소되는 것으로 관찰되었다. 도 8은 통상적인 필름과 비교하여 용액 둘 다에 대한 강도가 더 느린 속도로 감소한다는 것을 제시한다. 스캐빈저의 존재는 통상적인 QD 필름 및 비스캐빈저 대조군 용액에 의해 나타낸 강도에서의 급격한 하락과 비교하여 비교적 높은 수준의 강도를 유지하면서 초기에 훨씬 더 느린 속도로 감소한다는 것을 나타내었다. 이들 용액 둘 다는 초기 강도가 처음 50시간 내에 1(l/lo)에서 0.8 이하로 하락하였다. 대조군 용액의 경우, 초기 하락 후 안정화된 필름은 장벽 중합체와 스캐빈저가 존재하는 것에 의해 나타낸 속도와 유사한 강도 감소율을 나타낸다. 그러나, 통상적인 QD 필름은, 강도가 약 300시간에서 0에 도달할 때까지 높은 속도로 계속 감소하였다. 개선된 강도 안정성은 스캐빈저를 포함하는 보호 층 용액에서 관찰되었다. 언급된 바와 같이, 초기 강도 감소율은 현저히 낮았다. 관찰된 속도는, 약 0.004 PL의 대조군 용액에서의 강도 손실률 및 통상적인 QD 필름에서의 유사한 강도 손실률과 비교하여 처음 50시간 내에 시간당 대략 0.00004 PL이었다. 처음 50시간 후, 장벽 중합체와 스캐빈저에 대한 강도 감소율은 시간당 약 0.00004 PL 내지 시간당 0.0007 PL 범위 이내로 떨어졌다.
양태
본 개시내용은 적어도 하기 양태를 포함한다.
양태 1A. 제1 층 및 제2 층; 상기 제1 층 및 제2 층 사이에 배치된 양자점 층을 포함하는 물품으로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함하는 보호 층이며, 상기 보호 층은 적어도 산소 및 수분이 양자점 층 내로 침투하는 것을 억제하는, 물품.
양태 1B. 제1 층 및 제2 층; 상기 제1 층 및 제2 층 사이에 배치된 양자점 층으로 본질적으로 이루어진 물품으로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함하는 보호 층이며, 상기 보호 층은 적어도 산소 및 수분이 양자점 층 내로 침투하는 것을 억제하는, 물품.
양태 1C. 제1 층 및 제2 층; 상기 제1 층 및 제2 층 사이에 배치된 양자점 층으로 이루어진 물품으로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체 및 스캐빈저를 포함하는 보호 층이며, 상기 보호 층은 적어도 산소 및 수분이 양자점 층 내로 침투하는 것을 억제하는, 물품.
양태 2. 양태 1에 있어서, 상기 스캐빈저가 페놀산인, 필름.
양태 3. 양태 1 또는 양태 2에 있어서, 상기 스캐빈저가 프로토카테큐산인, 필름.
양태 4. 양태 1 내지 양태 3 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 제1 층이 장벽 층이고, 상기 양자점 층이 용액 코팅 공정을 사용하여 장벽 층 상에 배치되는, 필름.
양태 5. 양태 1 내지 양태 3 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 제1 층이 보호 층이고, 상기 제2 층이 보호 층이고, 상기 제1 층이 장벽 중합체 및 스캐빈저 밑에 있는 기판인, 필름.
양태 6. 양태 1 내지 양태 5 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 보호 층이 무기 층이고, 상기 무기 층이 폴리실라잔계 중합체, 폴리실록산계 중합체, 또는 그의 조합을 포함하는, 필름.
양태 7. 양태 1 내지 양태 6 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 보호 층이 하이브리드 층을 포함하고, 상기 하이브리드 층이 유기 성분 및 무기 성분을 포함하는, 필름.
양태 8. 양태 1 내지 양태 7 중 어느 한 양태에 있어서, 보호 층의 외측에 제공된 기능성 층을 추가로 포함하는 필름.
양태 9. 양태 1 내지 양태 8 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 기능성 층이 확산제인, 필름.
양태 10. 양태 9에 있어서, 상기 기능성 층이 프리즘인 필름.
양태 11. 양태 1 내지 양태 9 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 제2 층이 용액 코팅 공정을 사용하여 양자점 층 상에 배치되는, 필름.
양태 12. 양태 1 내지 양태 11 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 스캐빈저가 0.5% 미만의 양으로 존재하는, 필름.
양태 13. 양태 1 내지 양태 12 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 스캐빈저가 약 0.01% 내지 약 0.5% 범위로 존재하는, 필름.
양태 14. 양태 1 내지 양태 13 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 보호 층이 약 50 나노미터 내지 약 50 마이크로미터 범위의 두께를 갖는, 필름.
양태 15. 양태 1 내지 양태 14 중 어느 한 양태를 포함하는 발광 장치.
양태 16A. 양자점 용액을 제1 층 및 제2 층 사이에 배치시켜 양자점 층을 형성하는 단계를 포함하는 공정으로부터 형성된 필름인, 발광 장치용 필름으로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 보호 층이고; 상기 보호 층은 장벽 중합체와 스캐빈저를 혼합함으로써 형성되는, 필름.
양태 16B. 양자점 용액을 제1 층 및 제2 층 사이에 배치시켜 양자점 층을 형성하는 단계로 본질적으로 이루어진 공정으로부터 형성된 필름인, 발광 장치용 필름으로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 보호 층이고; 상기 보호 층은 장벽 중합체와 스캐빈저를 혼합함으로써 형성되는, 필름.
양태 16C. 양자점 용액을 제1 층 및 제2 층 사이에 배치시켜 양자점 층을 형성하는 단계로 이루어진 공정으로부터 형성된 필름인, 발광 장치용 필름으로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 보호 층이고; 상기 보호 층은 장벽 중합체와 스캐빈저를 혼합함으로써 형성되는, 필름.
양태 17. 양태 16A에 있어서, 상기 제2 층에 인접하게 배치된 기능성 층을 추가로 포함하는 필름.
양태 18. 양태 16A에 있어서, 상기 장벽 중합체가 폴리실라잔계 중합체, 폴리실록산계 중합체, 또는 그의 조합을 포함하는, 필름.
양태 19. 양태 16A에 있어서, 상기 보호 층이 기능성 층을 추가로 포함하는, 필름.
양태 20. 양태 19에 있어서, 상기 기능성 층이 확산제인, 필름.
양태 21. 양태 19에 있어서, 상기 기능성 층이 프리즘인 필름.
양태 22. 양태 16A 내지 양태 21 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 제1 층이 장벽 층인, 필름.
양태 23. 양태 16A 내지 양태 22 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 양자점 용액이 용액 코팅 공정을 사용하여 장벽 층 상에 배치되는, 필름.
양태 24. 양태 16A 내지 양태 23 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 보호 층이 제2 층이고, 상기 제2 층이 용액 코팅 공정을 사용하여 양자점 층 상에 배치되는, 필름.
양태 25. 양태 16A 내지 양태 24 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 층 중 적어도 하나가 방사선 경화 공정 및 열 경화 공정 중 하나 이상을 사용하여 경화되는, 필름.
양태 26. 양태 24 또는 양태 25에 있어서, 상기 용액 코팅 공정이 롤 코팅, 그라비아 코팅, 나이프 코팅, 딥 코팅, 커튼 플로우 코팅, 스프레이 코팅, 바 코팅, 다이 코팅, 스핀 코팅 또는 잉크젯 코팅 중 적어도 하나, 디스펜서를 사용함으로써, 또는 그의 조합을 포함하는, 필름.
양태 27. 양태 16 양태 내지 양태 26 중 어느 한 양태의 필름을 포함하는 발광 장치.
양태 28A. 양자점 용액을 제1 층 상에 배치시켜 양자점 층을 형성하고; 제2 층을 양자점 용액에 적용하는 단계로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체와 스캐빈저를 제공함으로써 형성된 보호 층이며, 상기 스캐빈저는 산소 및 물 중 적어도 하나를 흡수하여 상기 산소 및 물 중 적어도 하나가 양자점 용액과 반응하는 것을 억제하는, 단계; 및 제1 층, 제2 층 및 양자점 용액을 경화시켜 상기 제1 층, 양자점 층, 및 제2 층의 스택(stack)을 포함하는 필름을 형성하는 단계를 포함하는, 방법.
양태 28B. 양자점 용액을 제1 층 상에 배치시켜 양자점 층을 형성하고; 제2 층을 양자점 용액에 적용하는 단계로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체와 스캐빈저를 제공함으로써 형성된 보호 층이며, 상기 스캐빈저는 산소 및 물 중 적어도 하나를 흡수하여 상기 산소 및 물 중 적어도 하나가 양자점 용액과 반응하는 것을 억제하는, 단계; 및 제1 층, 제2 층 및 양자점 용액을 경화시켜 상기 제1 층, 양자점 층, 및 제2 층의 스택을 포함하는 필름을 형성하는 단계로 본질적으로 이루어진, 방법.
양태 28C. 양자점 용액을 제1 층 상에 배치시켜 양자점 층을 형성하고; 제2 층을 양자점 용액에 적용하는 단계로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체와 스캐빈저를 제공함으로써 형성된 보호 층이며, 상기 스캐빈저는 산소 및 물 중 적어도 하나를 흡수하여 상기 산소 및 물 중 적어도 하나가 양자점 용액과 반응하는 것을 억제하는, 단계; 및 제1 층, 제2 층 및 양자점 용액을 경화시켜 상기 제1 층, 양자점 층, 및 제2 층의 스택을 포함하는 필름을 형성하는 단계로 이루어진, 방법.
정의
본 개시내용에 사용된 용어가 특정한 양태만을 기재하는 목적을 위한 것이고, 제한하는 것으로 의도되지 않는 것으로 이해되어야 한다. 본 명세서 및 청구범위에 사용된 바와 같은, "포함하는"이라는 용어는 "~로 이루어진" 및 "~로 본질적으로 이루어진" 양태를 포함할 수 있다. 달리 정의되지 않는 한, 본원에 사용된 모든 과학 및 기술 용어는 본 개시내용이 속하는 관련 기술분야의 통상의 기술자에 의해 통상적으로 이해되는 바와 동일한 의미를 갖는다. 본 명세서 및 하기 청구범위에서, 본원에 정의될 다수의 용어가 참조될 것이다.
범위는 하나의 값(제1 값)에서 또 다른 값(제2 값)으로 본원에서 표현될 수 있다. 이러한 범위가 표현될 때, 범위는 일부 양태에서 제1 값 및 제2 값 중 하나 또는 둘 다를 포함한다. 본 문서 전체에 걸쳐, 범위 형식으로 표현된 값은 따라서 범위의 한계로서 명백하게 언급된 수치 값을 포함할 뿐만 아니라, 각 수치 값 및 하위 범위가 명백하게 언급된 것처럼 그 범위 내에 포함된 모든 개별 수치 값 또는 하위 범위를 포함하는 것으로 유연한 방식으로 해석될 수 있다. 본원에 사용된 바와 같은, "약" 및 "에서 또는 약"이란 용어는, 해당 양 또는 값이 지정된 값, 지정된 값의 근사치, 또는 지정된 값과 거의 동일할 수 있다는 것을 의미한다. 예를 들어, "약 0.1% 내지 약 5%" 또는 "약 0.1% 내지 5%" 범위는, 약 0.1% 내지 약 5%뿐만 아니라 나타낸 범위 내의 개별 값(예를 들어, 1%, 2%, 3%, 및 4%) 및 하위 범위(예를 들어, 0.1% 내지 0.5%, 1.1% 내지 2.2%, 3.3% 내지 4.4%)를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. "약 X 내지 Y"라는 진술은, 달리 나타내지 않는 한, "약 X 내지 약 Y"와 동일한 의미를 갖는다. 마찬가지로, "약 X, Y, 또는 약 Z"라는 진술은, 달리 나타내지 않는 한, "약 X, 약 Y, 또는 약 Z"와 동일한 의미를 갖는다. 본원에 사용된 바와 같은 "약"이라는 용어는 값 또는 범위에서, 예를 들어, 명시된 값 또는 명시된 범위의 한계의 10% 이내, 5% 이내, 또는 1% 이내의 가변도를 허용할 수 있고, 정확한 명시된 값 또는 범위를 포함한다. 본원에 사용된 바와 같은 "실질적으로"라는 용어는 적어도 약 50%, 60%, 70%, 80%, 90%, 95%, 96%, 97%, 98%, 99%, 99.5%, 99.9%, 99.99%, 또는 적어도 약 99.999% 이상, 또는 100%에서와 같은, 다수의 또는 대부분의 값을 지칭한다.
본 문서에서, 단수형 용어는 문맥상 달리 명확하게 명시되지 않는 한 하나 이상을 포함하는 것으로 사용된다. "또는"이라는 용어는 달리 나타내지 않는 한 비배타적인 "또는"을 지칭하기 위해 사용된다. "A 및 B 중 적어도 하나"라는 진술은 "A, B, 또는 A 및 B"와 동일한 의미를 갖는다. 게다가, 본원에 이용된 어법 또는 용어는, 달리 정의되지 않는 한, 단지 설명의 목적을 위한 것이고 제한하기 위한 것이 아니라는 것으로 이해되어야 한다. 섹션 제목의 임의의 용도는 문서를 읽는 것을 보조하는 것으로 의도되고, 제한하는 것으로 해석되지 않아야 하며; 섹션 제목에 관련한 정보는 특정한 섹션 내에서 또는 밖에서 발생할 수 있다.
본원에 기재된 방법에서, 시간적 또는 작동적 순서가 명백하게 언급된 경우를 제외하고는, 본 발명의 원리에서 벗어나지 않으면서 임의의 순서로 행위가 수행될 수 있다. 또한, 명시된 행위는 명백한 청구 언어가 그들이 별도로 수행될 수 있다는 것을 언급하지 않는 한, 동시에 수행될 수 있다. 예를 들어, X를 수행하는 청구 행위 및 Y를 수행하는 청구 행위는 단일 작동 내에서 동시에 수행될 수 있고, 생성된 공정은 청구된 공정의 문자 그대로의 범주 내에 속할 것이다.
본원에 사용된 바와 같은 "유기 기"라는 용어는 임의의 탄소-함유 작용기를 지칭한다. 예를 들어, 산소-함유 기 예컨대 알콕시기, 아릴옥시기, 아르알킬옥시기, 옥소(카르보닐)기, 카르복실산, 카르복실레이트, 및 카르복실레이트 에스테르를 포함하는 카르복실기; 황-함유 기 예컨대 알킬 및 아릴 황화물 기; 및 다른 헤테로원자-함유 기. 유기 기의 비제한적 예는 OR, OOR, OC(O)N(R)2, CN, CF3, OCF3, R, C(O), 메틸렌디옥시, 에틸렌디옥시, N(R)2, SR, SOR, SO2R, SO2N(R)2, SO3R, C(O)R, C(O)C(O)R, C(O)CH2C(O)R, C(S)R, C(O)OR, OC(O)R, C(O)N(R)2, OC(O)N(R)2, C(S)N(R)2, (CH2)0-2N(R)C(O)R, (CH2)0-2N(R)N(R)2, N(R)N(R)C(O)R, N(R)N(R)C(O)OR, N(R)N(R)CON(R)2, N(R)SO2R, N(R)SO2N(R)2, N(R)C(O)OR, N(R)C(O)R, N(R)C(S)R, N(R)C(O)N(R)2, N(R)C(S)N(R)2, N(COR)COR, N(OR)R, C(=NH)N(R)2, C(O)N(OR)R, C(=NOR)R, 및 치환 또는 비치환된 (C1-C100)히드로카르빌을 포함하며, 여기서 R은 수소(다른 탄소 원자를 포함하는 예에서) 또는 탄소계 모이어티일 수 있고, 상기 탄소계 모이어티는 치환 또는 비치환될 수 있다.
본원에 정의된 바와 같은 분자 또는 유기 기와 함께 본원에 사용된 바와 같은 "치환된"이란 용어는, 그 안에 함유된 하나 이상의 수소 원자가 하나 이상의 비수소 원자로 대체된 상태를 지칭한다. 본원에 사용된 바와 같은 "작용기" 또는 "치환기"라는 용어는 분자로 또는 유기 기로 치환될 수 있거나 또는 치환된 기를 지칭한다. 치환기 또는 작용기의 예는 할로겐(예를 들어, 플루오린 F, 염소 Cl, 브로민 Br, 및 아이오딘 I); 히드록시기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아르알킬옥시기, 옥소(카르보닐)기, 카르복실산, 카르복실레이트, 및 카르복실레이트 에스테르를 포함하는 카르복실기와 같은 기의 산소 원자; 티올기, 알킬 및 아릴 황화물 기, 술폭시드기, 술폰기, 술포닐기, 및 술폰아미드기와 같은 기의 황 원자; 아민, 히드록시아민, 니트릴, 니트로기, N-산화물, 히드라지드, 아지드, 및 엔아민과 같은 기의 질소 원자; 및 다양한 다른 기의 다른 헤테로원자를 포함하나 이에 제한되지는 않는다. 치환된 탄소(또는 다른) 원자에 결합될 수 있는 치환기의 비제한적 예는 F, Cl, Br, I, OR, OC(O)N(R)2, CN, NO, NO2, ONO2, 아지도, CF3, OCF3, R, O(옥소), S(티오노), C(O), S(O), 메틸렌디옥시, 에틸렌디옥시, N(R)2, SR, SOR, SO2R, SO2N(R)2, SO3R, C(O)R, C(O)C(O)R, C(O)CH2C(O)R, C(S)R, C(O)OR, OC(O)R, C(O)N(R)2, OC(O)N(R)2, C(S)N(R)2, (CH2)0-2N(R)C(O)R, (CH2)0-2N(R)N(R)2, N(R)N(R)C(O)R, N(R)N(R)C(O)OR, N(R)N(R)CON(R)2, N(R)SO2R, N(R)SO2N(R)2, N(R)C(O)OR, N(R)C(O)R, N(R)C(S)R, N(R)C(O)N(R)2, N(R)C(S)N(R)2, N(COR)COR, N(OR)R, C(=NH)N(R)2, C(O)N(OR)R, 및 C(=NOR)R을 포함하며, 여기서 R은 수소 또는 탄소계 모이어티일 수 있고; 예를 들어, R은 수소, (C1-C100)히드로카르빌, 알킬, 아실, 시클로알킬, 아릴, 아르알킬, 헤테로시클릴, 헤테로아릴, 또는 헤테로아릴알킬일 수 있거나; 또는 질소 원자 또는 인접한 질소 원자에 결합된 2개의 R 기는 질소 원자 또는 원자들과 함께 헤테로시클릴을 형성할 수 있다.
본원에 사용된 바와 같은 "알킬"이란 용어는 직쇄 및 분지형 알킬기 및 시클로알킬기를 지칭한다. 직쇄 알킬기의 예는 1 내지 8개의 탄소 원자를 갖는 것들 예컨대 메틸, 에틸, n-프로필, n-부틸, n-펜틸, n-헥실, n-헵틸, 및 n-옥틸기를 포함한다. 분지형 알킬기의 예는 이소프로필, 이소-부틸, sec-부틸, t-부틸, 네오펜틸, 이소펜틸, 및 2,2-디메틸프로필기를 포함하나 이에 제한되지는 않는다.
본원에 사용된 바와 같은 "알케닐"이란 용어는, 적어도 1개의 이중 결합이 2개의 탄소 원자 사이에 존재하는 것을 제외하고는, 본원에 정의된 바와 같은 직쇄 및 분지쇄 및 시클릭 알킬기를 지칭한다.
본원에 사용된 바와 같은 "아실"이라는 용어는 카르보닐 모이어티를 함유하는 기를 지칭하며, 상기 기는 카르보닐 탄소 원자를 통해 결합된다.
본원에 사용된 바와 같은 "시클로알킬"이란 용어는 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 시클로헥실, 시클로헵틸, 및 시클로옥틸기와 같지만 이에 제한되지는 않는 시클릭 알킬기를 지칭한다. 일부 양태에서, 시클로알킬기는 3 내지 약 8-12개의 고리 원을 가질 수 있는 반면, 다른 양태에서 고리 탄소 원자의 수는 3 내지 4, 5, 6, 또는 7개이다.
본원에 사용된 바와 같은 "아릴"이란 용어는 고리 내에 헤테로원자를 함유하지 않는 시클릭 방향족 탄화수소기를 지칭한다. 따라서 아릴기는 페닐, 아줄레닐, 헵타레닐, 비페닐, 인다세닐, 플루오레닐, 페난트레닐, 트리페닐레닐, 피레닐, 나프타세닐, 크리세닐, 비페닐레닐, 안트라세닐, 및 나프틸기를 포함하나 이에 제한되지는 않는다.
본원에 사용된 바와 같은 "헤테로시클릴"이란 용어는 3개 이상의 고리 원을 함유하는 방향족 및 비방향족 고리 화합물을 지칭하며, 그 중 하나 이상은 질소 N, 산소 O, 및 황 S과 같지만 이에 제한되지는 않는 헤테로원자이다.
본원에 사용된 바와 같은 "알콕시"라는 용어는, 본원에 정의된 바와 같은, 시클로알킬기를 포함하는 알킬기에 연결된 산소 원자를 지칭한다.
"할로", "할로겐, "또는 "할로겐화물"기라는 용어는, 본원에 사용된 바와 같이, 그 자체로 또는 또 다른 치환기의 일부로서, 달리 나타내지 않는 한, 플루오린, 염소, 브로민, 또는 아이오딘 원자를 의미한다.
"할로알킬"기라는 용어는, 본원에 사용된 바와 같은, 모노-할로 알킬기, 폴리-할로 알킬기(여기서 모든 할로 원자는 동일하거나 상이할 수 있음), 및 퍼-할로 알킬기를 포함하며, 여기서 모든 수소 원자는 플루오로와 같은 할로겐 원자로 대체된다. 할로알킬의 예는 트리플루오로메틸, 1,1-디클로로에틸, 1,2-디클로로에틸, 1,3-디브로모-3,3-디플루오로프로필, 퍼플루오로부틸 등을 포함한다.
본원에 사용된 바와 같은 "탄화수소" 또는 "히드로카르빌"이란 용어는, 각각, 탄소 및 수소 원자를 포함하는 분자 또는 작용기를 지칭한다. 상기 용어는 또한 정상적으로 탄소 및 수소 원자 둘 다를 포함하는 분자 또는 작용기를 지칭할 수 있지만, 모든 수소 원자는 다른 작용기로 치환된다.
본원에 사용된 바와 같은, "히드로카르빌"이란 용어는 직쇄, 분지형, 또는 시클릭 탄화수소로부터 유도된 작용기를 지칭하고, 알킬, 알케닐, 알키닐, 아릴, 시클로알킬, 아실, 또는 그의 임의의 조합일 수 있다. 히드로카르빌 기는 (Ca-Cb)히드로카르빌로서 제시될 수 있으며, 여기서 a 및 b는 정수이고 탄소 원자의 a 내지 b 개수 중 임의의 개수를 갖는 것을 의미한다. 예를 들어, (C1-C4)히드로카르빌은 히드로카르빌기가 메틸(C1), 에틸(C2), 프로필(C3), 또는 부틸(C4)일 수 있다는 것을 의미하고, (C0-Cb)히드로카르빌은 특정 양태에서 히드로카르빌기가 없다는 것을 의미한다.
본 개시내용에 사용된 바와 같은 "수 평균 분자량"(Mn)이란 용어는 샘플 내 개별 분자의 분자량의 통상적인 산술 평균을 지칭한다. 이는 샘플 내 모든 분자의 총 중량을 샘플 내 분자의 총 개수로 나눈 것으로 정의된다. 실험적으로, Mn은 식 Mn = ΣMini/Σni를 통해, 분자량 Mi의 ni 분자를 갖는 종 i의 분자량 분율로 나누어진 샘플을 분석함으로써 결정된다. Mn은 겔 투과 크로마토그래피, 분광학적 말단기 분석, 및 삼투압 측정을 포함하는 다양한 널리 알려진 방법에 의해 측정될 수 있다. 명시되지 않는 경우, 본원에 주어진 중합체의 분자량은 수 평균 분자량이다.
본원에 정의된 바와 같은 "중량 평균 분자량"이란 용어는 ΣMi 2ni / ΣMini와 동등한 Mw를 지칭하며, 여기서 ni는 분자량 Mi의 분자의 개수이다. 다양한 양태에서, 중량 평균 분자량은 광 산란, 작은 각 중성자 산란, X-선 산란, 및 침강 속도를 사용하여 결정될 수 있다.
본원에 사용된 바와 같은 "방사선"이란 용어는 매질 또는 공간을 통해 이동하는 에너지 입자를 지칭한다. 방사선의 예는 가시광선, 적외선 광, 마이크로파, 전파, 초저주파, 극저주파, 열 방사선(열), 및 흑체 방사선이다.
본원에 사용된 바와 같은 "UV 광"이란 용어는 약 10 nm 내지 약 400 nm의 파장을 갖는 전자기선 방사선인 자외선 광을 지칭한다.
본원에 사용된 바와 같은 "경화"라는 용어는 임의의 형태의 방사선에 노출시키는 것, 가열시키는 것, 또는 물리 또는 화학 반응을 겪게 하여 경화 또는 점도의 증가를 초래하는 것을 지칭한다.
본원에 사용된 바와 같은 "용매"라는 용어는 고체, 액체, 또는 기체를 용해시킬 수 있는 액체를 지칭한다. 용매의 비제한적 예는 실리콘, 유기 화합물, 물, 알콜, 이온성 액체, 및 초임계 유체이다.
본원에 사용된 바와 같은 "코팅"이란 용어는 코팅된 표면 상의 물질의 연속 또는 불연속 층을 지칭하며, 여기서 물질의 층은 표면에 침투할 수 있고, 공극과 같은 영역을 채울 수 있으며, 상기 물질의 층은 평면 또는 곡면을 포함하는 임의의 3차원 형상을 가질 수 있다. 한 양태에서, 코팅은, 일부가 다공성 또는 비다공성일 수 있는 하나 이상의 표면 상에, 코팅 물질의 배스에 침지시킴으로써 형성될 수 있다.
본원에 사용된 바와 같은 "표면"이라는 용어는 물체의 경계 또는 측면을 지칭하며, 상기 경계 또는 측면은 임의의 둘레 형상을 가질 수 있고, 편평하거나, 구부러지거나, 또는 각진 것을 포함하는 임의의 3차원 형상을 가질 수 있으며, 상기 경계 또는 측면은 연속 또는 불연속일 수 있다. 표면이라는 용어가 일반적으로 내포된 깊이가 없는 물체의 가장 바깥쪽 경계를 지칭하긴 하지만, '공극'이라는 용어가 표면에 관하여 사용될 때, 이는 공극이 표면 아래 기판으로 연장되는 표면 개구 및 깊이 둘 다를 지칭한다.
본원에 사용된 바와 같은, "중합체"라는 용어는 적어도 하나의 반복 단위를 갖는 분자를 지칭하고, 공중합체를 포함할 수 있다.
본원에 기재된 중합체는 임의의 적합한 방식으로 종결될 수 있다. 일부 양태에서, 중합체는 적합한 중합 개시제, -H, -OH, 치환 또는 비치환된 (C1-C20)히드로카르빌(예를 들어, (C1-C10)알킬 또는 (C6-C20)아릴)(-O-, 치환 또는 비치환된 -NH-, 및 -S- 로부터 독립적으로 선택된 0, 1, 2, 또는 3개의 기로 차단됨), 폴리(치환 또는 비치환된 (C1-C20)히드로카르빌옥시), 및 폴리(치환 또는 비치환된 (C1-C20)히드로카르빌아미노)로부터 독립적으로 선택된 말단기로 종결될 수 있다.
예시적인 유형의 폴리에틸렌은, 예를 들어, 초고분자량 폴리에틸렌(UHMWPE, 예를 들어, 3.5 내지 7.5 백만 원자 질량 단위의 몰 질량), 초저분자량 폴리에틸렌(ULMWPE), 고분자량 폴리에틸렌(HMWPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE, 예를 들어, 0.93 내지 0.97 g/cm3 또는 970 kg/m3의 밀도), 고밀도 가교 폴리에틸렌(HDXLPE, 예를 들어, 약 0.938 내지 약 0.946 g/cm3의 밀도), 가교 폴리에틸렌(PEX 또는 XLPE, 예를 들어, ASTM F876에 따른 65 내지 89%의 가교 정도), 중밀도 폴리에틸렌(MDPE, 예를 들어, 0.926 내지 0.940 g/cm3의 밀도), 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 예를 들어, 약 0.910 g/cm3 내지 0.940 g/cm3), 선형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE) 및 초저밀도 폴리에틸렌(VLDPE, 예를 들어, 약 0.880 내지 0.915 g/cm3의 밀도)을 포함한다.
다양한 변형 및 변경이 본 개시내용의 범주 또는 취지로부터 벗어나지 않으면서 본 개시내용에서 이루어질 수 있음이 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 본 개시내용의 다른 양태는 본 명세서 및 본원에 개시된 본 개시내용의 실시를 고려하여 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 명백할 것이다. 명세서 및 양태는 단지 예시적인 것으로 간주되며, 본 개시내용의 진정한 범주 및 취지는 하기 청구범위에 의해 나타내는 것으로 의도된다.
본 개시내용의 특허가능한 범주는 청구범위에 의해 정의되고, 관련 기술분야의 통상의 기술자에게 발생하는 다른 양태를 포함할 수 있다. 이러한 다른 양태는 청구범위의 문자 언어와 상이하지 않은 구조적 요소를 갖는 경우, 또는 청구범위의 문자 언어와 차이가 없는 등가의 구조적 요소를 포함하는 경우, 청구범위의 범주 내에 있는 것으로 의도된다.
Claims (20)
- 제1 층 및 제2 층;
상기 제1 층 및 제2 층 사이에 배치된 양자점(quantum dot) 층
을 포함하는 발광 필름으로서,
상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체(barrier polymer) 및 스캐빈저를 포함하는 보호 층이며, 상기 보호 층은 적어도 산소 및 수분이 양자점 층 내로 침투하는 것을 억제하는, 발광 필름. - 제1항에 있어서, 상기 스캐빈저가 페놀산인, 필름.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스캐빈저가 갈산, p-쿠마린산, 카페인산, 로즈마린산 및 프로토카테큐산으로 이루어진 군으로부터 선택되는, 필름.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 층이 장벽 층이고, 상기 양자점 층이 용액 코팅 공정을 사용하여 상기 장벽 층 상에 배치되는, 필름.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 층이 보호 층이고, 상기 제2 층이 보호 층이고, 상기 제1 층이 상기 장벽 중합체 및 상기 스캐빈저 밑에 있는 기판인, 필름.
- 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호 층이 무기 층을 포함하고, 상기 무기 층이 폴리실라잔계 중합체, 폴리실록산계 중합체, 또는 그의 조합을 포함하는, 필름.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호 층이 하이브리드 층을 포함하고, 상기 하이브리드 층이 유기 성분 및 무기 성분을 포함하는, 필름.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호 층의 외측에 제공된 기능성 층을 추가로 포함하는, 필름.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기능성 층이 확산제인, 필름.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기능성 층이 프리즘인, 필름.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 층이 용액 코팅 공정을 사용하여 양자점 층 상에 배치되는, 필름.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스캐빈저가 0.5 중량% 미만의 양으로 존재하는, 필름.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 스캐빈저가 약 0.01% 내지 약 0.5%의 양으로 존재하는, 필름.
- 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호 층이 약 50 나노미터 내지 약 50 마이크로미터 범위의 두께를 갖는, 필름.
- 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항의 필름을 포함하는, 발광 장치.
- 발광 장치용 필름으로서,
상기 필름은 양자점 용액을 제1 층 및 제2 층 사이에 배치시켜 양자점 층을 형성하는 단계로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 보호 층인, 단계를 포함하는 공정으로부터 형성되되,
상기 보호 층은 장벽 중합체를 스캐빈저와 혼합함으로써 형성되는, 필름. - 제16항에 있어서, 상기 장벽 중합체가 폴리실라잔계 중합체, 폴리실록산계 중합체, 또는 그의 조합을 포함하는, 필름.
- 제16항에 있어서, 상기 보호 층이 기능성 층을 추가로 포함하는, 필름.
- 제16항 내지 제26항 중 어느 한 항의 필름을 포함하는, 발광 장치.
- 양자점 용액을 제1 층 상에 배치하며; 제2 층을 양자점 용액에 적용하는 단계로서, 상기 제1 층 및 제2 층 중 적어도 하나는 장벽 중합체와 스캐빈저를 제공함으로써 형성된 보호 층이며, 상기 스캐빈저는 산소 및 물 중 적어도 하나를 흡수하여 상기 산소 및 물 중 적어도 하나가 양자점 용액과 반응하는 것을 억제하는, 단계; 및
상기 제1 층, 제2 층 및 양자점 용액을 경화시켜 상기 제1 층, 양자점 층, 및 제2 층의 스택(stack)을 포함하는 필름을 형성하는 단계;
를 포함하는, 방법.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201662433408P | 2016-12-13 | 2016-12-13 | |
US62/433,408 | 2016-12-13 | ||
PCT/IB2017/057855 WO2018109671A1 (en) | 2016-12-13 | 2017-12-12 | Quantum dot film and applications thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20190087627A true KR20190087627A (ko) | 2019-07-24 |
Family
ID=60943059
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020197019286A KR20190087627A (ko) | 2016-12-13 | 2017-12-12 | 양자점 필름 및 그의 적용 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20190334107A1 (ko) |
EP (1) | EP3555930A1 (ko) |
KR (1) | KR20190087627A (ko) |
CN (1) | CN110249443A (ko) |
WO (1) | WO2018109671A1 (ko) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109037271B (zh) * | 2018-08-16 | 2021-10-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光学器件及其制造方法、显示装置 |
US10978658B2 (en) | 2018-08-24 | 2021-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and display device including the same |
CN112447916B (zh) * | 2019-09-04 | 2022-04-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种量子点薄膜的制备方法 |
US10985336B1 (en) | 2020-01-06 | 2021-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Oxygen scavenging nanoparticles for air-processed quantum dot light emitting diodes |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6008305A (en) * | 1998-06-30 | 1999-12-28 | Adco Products, Inc. | Primer for improving the bonding of adhesives to nonporous substrates |
TW515223B (en) * | 2000-07-24 | 2002-12-21 | Tdk Corp | Light emitting device |
JP3817235B2 (ja) * | 2003-06-17 | 2006-09-06 | 双葉電子工業株式会社 | 捕水剤及び有機el素子 |
JP2005056587A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Toyota Industries Corp | El装置及びその製造方法 |
US20070184300A1 (en) * | 2003-12-26 | 2007-08-09 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Oxygen absorbent molding and organic electroluminescent element |
US20090015142A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display devices |
WO2009089105A1 (en) * | 2008-01-04 | 2009-07-16 | Nanolumens | Flexible display |
WO2009099425A2 (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Qd Vision, Inc. | Flexible devices including semiconductor nanocrystals, arrays, and methods |
CN103261931A (zh) * | 2010-10-08 | 2013-08-21 | 康奈尔大学 | 使用光子晶体谐振器的光阱装置、方法和应用 |
WO2012138410A1 (en) * | 2011-04-02 | 2012-10-11 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
KR20140007485A (ko) * | 2011-06-15 | 2014-01-17 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 수증기 배리어 필름, 및 그 제조 방법, 및 이것을 사용한 전자 기기 |
US9052544B2 (en) * | 2012-03-26 | 2015-06-09 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Direct-light backlight module and liquid crystal display device |
BR112014031281A2 (pt) * | 2012-06-13 | 2017-06-27 | Tipa Corp Ltd | folha biodegradável |
TW201436855A (zh) * | 2012-12-21 | 2014-10-01 | Tesa Se | 從平面結構物移除滲透物的方法 |
KR102446693B1 (ko) * | 2014-04-04 | 2022-09-26 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 파장 변환 시트, 백라이트 유닛 및 형광체용 보호 필름 |
KR102660293B1 (ko) * | 2015-01-09 | 2024-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 색변환 패널 및 표시 장치 |
KR101686736B1 (ko) * | 2015-04-17 | 2016-12-14 | 엘지전자 주식회사 | 양자점-고분자 복합체의 제조 방법, 양자점-고분자 복합체, 이를 포함하는 광 변환 필름, 백라이트 유닛 및 표시장치 |
-
2017
- 2017-12-12 CN CN201780084361.0A patent/CN110249443A/zh active Pending
- 2017-12-12 US US16/468,372 patent/US20190334107A1/en not_active Abandoned
- 2017-12-12 KR KR1020197019286A patent/KR20190087627A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-12-12 WO PCT/IB2017/057855 patent/WO2018109671A1/en unknown
- 2017-12-12 EP EP17826292.9A patent/EP3555930A1/en not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3555930A1 (en) | 2019-10-23 |
US20190334107A1 (en) | 2019-10-31 |
CN110249443A (zh) | 2019-09-17 |
WO2018109671A1 (en) | 2018-06-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E601 | Decision to refuse application |