TWI261831B - Phase change type optical recording medium and recording method therefor - Google Patents

Description

1261831 (1) 玖、發明說明 本申請案主張2002年12月27日在日本專利廳所申 請之日本專利申請案第2 0 〇 2 — 3 8 0 6 6 5號之權利，該申請 案之揭示將結合於本文供參考。 【發明所屬之技術領域】 大致地’本發明有關光學記錄媒體及其記錄方法，且 更特定地有關一種可重寫入之相位改變型（或相位轉變型 )光學記錄媒體，其可使用於藉照射光束來造成光學改變 (或轉變）於其記錄層材料中而記錄資訊於該處之上及從 該處重現資訊，以及有關一種適用於高速記錄資訊於此一 相位改變型光學記錄媒體之記錄方法。 【先前技術】 近來，用於諸如CD - RW，DVD + RW及DVD-RW之 相位改變型光學記錄媒體之記錄速率已改善，且高速率記 錄系統正發展以實現2 4倍速率之記錄於c D - R W之例中 ’及實現相對於採用DVD格式之可重寫入相位改變型光 學記錄媒體2倍至4倍速率之記錄於0 V D之例中，現已 存在主動的硏究及發展以實現針對更高速率記錄資訊的光 學記錄系統。 傳統記錄策略之格式通常設定一基本（或基礎）週期 爲1 T，其中T表示頻道週期，該”頻道，，指示每一資料位 兀之時間或空間長度，且標準化以用於例如DVD。但當 (2) 1261831 記錄速率增加及藉設定光束之記錄脈波寬度相等於傳統之 頻道週期時，會存在其中當記錄一非定形標號時無法取得 足夠高的功率之問題。爲解決此問題，日本公開專利申請 案第2 0 0 1 - 3 3 1 9 3 6號提出一種設定該記錄策略使得基本 週期爲2T之方法。 換言之，根據傳統記錄策略之設定，當記錄標號之長 度藉nT表示時，光束之記錄脈波的數目係設定於η - 1或 b - 2。爲此原因，記錄係指定使得每次記錄標號之長度增 加1 T時記錄脈波之數目會增加。在採用2T之基本週期 的記錄策略之例中，每次記錄標號之長度增加2T時，記 錄脈波的數目會增加以便降低高速記錄之例中之記錄脈波 數目中之增加及減少抖動。 然而，採用2T基本週期之記錄策略並未充分地考量 用於記錄之記錄設備的光束功率之上升與下降特徵間的關 係。爲此原因，採用2T基本週期之記錄策略一直不符需 要且存在有其中記錄脈波的設定一直不適用的問題。 例如在日本公開專利申請案第2 0 0 1 — 3 3 1 9 3 6號中所 提出之上述方法可應用於可重寫入之DVD之例中諸如4 倍速率或更高之高速記錄。但根據本發明人所作的實驗發 現到，可企望的是，上述方法之應用限制係在DVD之參 考記錄速率的6倍速率之層次（1倍速率爲3.49m/sec( 米/秒））。 此外，當藉傳統記錄方法以諸如DVD之記錄速率的 1 0倍速率之更高速率形成記錄標號時，如第1圖中所示 -6 - 1261831 (3) ，當形成記錄標號時，若責務比設定爲0 · 5，則脈波寬度 必須設定爲大約1 Jiisec (奈秒）。第1圖係顯示傳統記 錄方法所使用之記錄脈波的圖式。在第1圖以及將於稍後 描述之第2及3圖中，縱坐標指示記錄脈波振幅（或功率 位準），及橫坐標指示時間。在第1圖中，Pw表示記錄 (寫入）功率，P e表示抹除功率，p b表示底部功率，以 及W表示記錄脈波之寬度。 另一方面，如第2圖中所示，可藉現有半導體雷射二 極體（LD )之直接調變所形成記錄脈波的上升及下降時 間常數約係2奈秒。第2圖係顯示可藉現有半導體雷射二 極體（LD )之直接調變所形成之記錄脈波的上升及下降 緣。所以無法在照射時間內發射具有所需之記錄功率P w (或功率位準）的光束。在第2圖中，Pr表示記錄脈波 的上升緣，而Pf則表示記錄脈波的下降緣。 例如即使當根據採用2T之基本週期的記錄策略執行 1 〇倍速率之記錄時，具有〇 · 5責務比之實際記錄脈波寬度 爲3 . 8奈秒，而雖可形成此一記錄脈波，但如第3圖中所 示地，半寬度呈極窄。第3圖顯示傳統記錄方法所使用之 實際記錄脈波的半寬度。因此，從第3圖可易於瞭解的是 ，難以取得一用於形成非定形標號之足夠高的功率。在第 3圖中，Phb表示記錄脈波的半寬度。 因此，存在有實現可符合諸如在DVD之例中6倍速 率或更高速率層次之高速記錄之進一步改善記錄策略的需 求，以及存在有能在當記錄速率增加時取得當形成非定形 -7- 1261831 (4) 標號時之足夠高的功率之需求。 【發明內容】 因此，本發明之大致目的在於提供一種新穎及有用的 相位改變型光學記錄媒體及其記錄方法’其中可消除上述 問題。 本發明之另一及更特定的目的在於提供一種相位改變 型光學記錄媒體及其記錄方法’其可設定一記錄策略’能 取得足夠高的功率以用於當高速形成非定形記錄標號時照 射在光學記錄媒體上之脈波形光束，且甚至可符合DVD 之例中6倍速率或更高速率層次之記錄速率，而實現諸如 調變因數及抖動之合乎要求的記錄特徵。 本發明之仍一及更特定的目的在於提供一種記錄方法 ，用於根據標號長度調變藉照射相對於包含至少相位改變 記錄層及反射層於基板上之相位改變型光學記錄媒體之結 晶相位改變記錄層之脈波形光束來形成記錄標號’該記錄 方法包含：當形成一具有大小小於或等於預定大小N之 記錄標號時，照射一由單一記錄脈波所形成之光束’該預 定大小N係設定相對於一參考大小，該參考大小爲該光 束之光束光點直徑與一計量爲光束功率之上升與下降時間 常數之和的時間內該光束所行進之距離之和；以及當形成 一具有大小大於該預定大小N之記錄標號時，照射一由 複數個記錄脈波所形成之光束。根據本發明之該方法’可 設定一記錄策略，該記錄策略能在當高速形成非定形記錄 -8- (5) 1261831 標號時取得一足夠高之功率以用於照射在光學記錄媒體上 之脈波形光束，且甚至可符合D V D之情況中6倍速率或 更高速率層次之記錄速率，以實現諸如調變因數及抖動之 合乎要求的記錄特徵。此係因爲相對於該記錄標號之記錄 脈波的適合數目係藉考量光束之上升及下降時間常數而確 定。 預定大小N可設定爲參考大小的0.55倍±10%。 當形成一具有大小大於PN以及大小小於或等於（ p+ 1 ) N之記錄標號時，照射由複數個記錄脈波所形成之 光束可照射一由P+ 1記錄脈波所形成之光束，其中P係大 於或等於1之整數。在此例中，可獲得足夠高之功率以用 於當高速形成非定形記錄標號時照射在光學記錄媒體上之 脈波形光束，因爲記錄脈波之數目會相對於記錄標號長度 而適當地指定，藉此實現具有降低抖動之合乎要求的記錄 特徵。 複數個記錄脈波可形成一脈波列（N1+N + N +.........) ，其係由一具有大小藉乘 1 . 3 d: 0 . 1於預定大小N所獲得 的起始脈波N 1，及接著之具有預定大小N之脈波N所組 成；以及照射由複數個記錄脈波所形成之光束可在當形成 記錄標號時照射由脈波列（N1+N + N +.........)所確定之若 干記錄脈波所形成之光束。在此例中，可進一步地減少抖 動，因爲該起始脈波N 1具有1 . 3 ± 0 · 1乘預定大小N之大 小。 標號長度調變可爲8至14調變（EFM )加上調變（ (6) 1261831 EFM +調變），而在其中所使用之光學系統具有〇·65之數 値孔徑（N . A.)之拾訊器的記錄條件下，用於形成3 T至 1 4 T之E F Μ標號長度的記錄脈波數目會發射具有大約6 6 0 奈米波長及設定爲20米/秒至42米/秒之記錄線性速度的 光束，及可設定1以用於3Τ至5Τ，2以用於6Τ至8Τ，3 以用於9 Τ至1 1 Τ，及4以用於1 4 Τ。在此例中，可獲得 足夠高的功率以用於當高速形成非定形記錄標號時照射在 光學記錄媒體上之脈波形光束，因爲記錄脈波之數目係藉 考量EFM +調變及光束特徵而適當地相對於記錄標號長度 而指定，因而實現具有減少抖動之合乎要求的記錄特徵。 照射單一記錄脈波所形成之光束可在單一記錄脈波之 前添加一預熱脈波。此外，該預熱脈波可具有一照射時間 及功率，該照射時間大於或等於一頻道週期而小於或等於 兩頻道週期，以及該功率係當藉單一記錄脈波記錄3 Τ之 EFM標號長度時取單一記錄脈波之記錄功率與抹除功率 間之中間値。在此例中，可藉預熱脈波之添加，在高速記 錄期間分離最小的記錄長度，因而使預熱標號長度能正確 記錄以及能獲得合乎要求的記錄特徵。 本發明之進一步目的在於提供一種相位改變型光學記 錄媒體，包含：一基板；一結晶相位改變記錄層，配置於 該基板上方，而當藉一標號長度調變來形成記錄標號時接 收一脈波形光束；以及一反射層，配置於該相位改變記錄 層上方，其中該相位改變記錄層係由S b及G a之組成比 接近於共融組成之材料所製成，且當形成一具有大小小於 -10- (7) 1261831 或等於預定大小N之記錄標號時接收一由單一記錄脈波 所形成之光束，及當形成一具有大小大於預定大小N之 記錄標號時接收一由複數個記錄脈波所形成之光束’該預 定大小N係參考一參考大小而設定，請參考大小係該光 束之光點直徑與一計量爲光束功率之上升與下降時間常數 之和的時間內該光束所行進之距離之和。根據本發明之相 位改變型光學記錄媒體，可造成充分的光學改變於相位改 變記錄層之中而使資訊能記錄，抹除及重寫入，即使當光 束係局速照射且藉根據記錄策略由右干記錄脈波形成日寸’ 因爲該相位改變記錄層係由接近Sb與Ga之共融組成之 材料所製成。此外，可取得具有大的調變因素及降低抖動 之合乎要求的記錄特徵。 該相位改變記錄層可進一步以SbGa共融組成15百 分比或更少而含至少一選自含有Ge，In，Μη及Sn之群 的元素。在此例中，可調整諸如記錄線性速度響應及調變 因素的特徵，以符合相位改變型光學記錄媒體性能上之不 同需求。 複數個記錄脈波可形成一脈波列（N1+N + N+.........) ，其係由一具有大小藉乘1 . 3 ± 0 · 1於預定大小N所獲得 的起始脈波N1，及接著之具有預定大小N之脈波N所組 成，而當形成預熱標號時，若干由相位改變記錄層所接收 之記錄脈波係由脈波列（N1+N + N+.........)所確定。在此 例中，可減少抖動，即使當起始脈波N 1具有上述大小以 及光束係高速照射在相位改變型光學記錄媒體之上，因爲 -11 - (8) 1261831 該相位改變記錄層係由接近S b與G a共融組成之材料所 製成。 在當記錄條件係使得標號長度調變爲8至1 4調變（ E F Μ )加調變（E F Μ +調變）的重現時，該相位改變型光 學記錄媒體可具有大於或等於1 5 %的反射率及大於或等於 0.4的調變因素，以及利用具有0.65數値孔徑（Ν.Α.)之 拾訊器的光學系統，藉由於形成3Τ至14Τ之EFM標號長 度的相位改變記錄層所接收之記錄脈波的數目會發射具有 大約6 6 0奈米波長及記錄線性速度設定爲2 0米/秒至4 2 米/秒的光束，及設定爲1以用於3Τ至5Τ，2以用於6Τ 至8 Τ，3以用於9 Τ至1 1 Τ，及4以用於14 Τ。在此例中 ，可獲得足夠的光束功率以記錄非定形標號於該相位改變 記錄層之中，即使當該光束係以高速照射且藉若干根據記 錄策略所設定之記錄脈波所形成時，該記錄策略係考慮到 EFM +調變與光束特徵，因爲該相位改變記錄層係由接近 Sb及Ga之共融組成的材料所製成。此外，可獲得具有大 的調變因數及降低抖動之合乎要求的記錄特徵。 該相位改變記錄層可接收單一記錄脈波所形成且在該 單一記錄脈波之前添加有一預熱脈波之光束。該相位改變 型光學記錄媒體可具有一大於或等於1 5 %之反射率及大於 或等於〇·4之調變因數於當記錄條件係使得該預熱脈波具 有照射時間大於或等於一頻道週期及小於或等於兩頻道週 期之重現時，以及具有功率爲當藉單一記錄脈波記錄3 T 之EFM標號長度時取該單一記錄脈波之記錄功率與抹除 -12- (9) 1261831 功率間之中間値。在此例中，可藉預熱脈 最小的記錄長度，即使是在高速記錄之期 標號長度能正確記錄及獲得合乎要求之記 該相位改變型光學記錄媒體可具有反 15%及調變因素大於或等於0.4於當記錄 號長度調變爲8至1 4調變（EFM )加調^ ，該相位改變記錄層利用具有0.6 5 ± 2數 之拾訊器，發射出具有約660奈米波長與 至42米/秒之記錄線性速度之光學系統所 3T至14T EFM標號長度之記錄脈波數目 於3T至5T，2以用於6T至8T，3以用Ϊ 4以用於1 4 T，以及該相位改變記錄層接 所形成之光束及在該單一記錄脈波之前添 時，的重現時間時，其中該預熱脈波具有 等於一頻道週期及小於或等於兩頻道週期 當藉單一記錄脈波記錄3 T之EFM標號長 錄脈波之記錄功率與抹除功率間之中間値 藉預熱脈波的添加來分離最小的記錄長度 記錄之期間，藉此使記錄標號長度能正確 要求的記錄特徵。 本發明之其他目的及進一步特性將從 讀之詳細說明中呈更明顯。 【實施方式】 波之添加來分離 間，藉此使記錄 錄特徵。 射率大於或等於 條件係使得：標 變（E F Μ +調變） 値孔徑（Ν.Α·) 設定爲20米/秒 接收之用於形成 係設定爲1以用 冷9 Τ至1 1 Τ，及 收單一記錄脈波 加有一預熱脈波 照射時間大於或 ，及具有功率爲 度時取該單一記 。在此例中，可 ，即使是在高速 記錄及獲得合乎 下文結合附圖閱 -13- 1261831 (10) 藉參閱第4圖及後續圖式，將說明根據本發明之相位 改變型光學記錄媒體及根據本發明之記錄方法的實施例。 第4圖係部分切除之透視圖，顯示根據本發明之相位 改變型光學記錄媒體之實施例。第5圖係橫截面視圖，顯 示第4圖中所示相位改變型光學記錄媒體之切除部分。 第4圖中所示之相位改變型記錄媒體1 〇 〇包含一透明 基板1，一下方保護層2，一相位改變記錄層3，一上方 保護層4，一反射層5，及一外覆層6，堆疊如第5圖中 所示。當然，採用第5圖中所示之實際堆疊結構並非本發 明之重點。 使用於相位改變記錄層3之記錄材料可具有一組成比 例接近於Sb及Ga之共融組成，其係適用於執行高速記 錄。'例如該相位改變記錄層3可藉濺鍍技術，利用具有組 成接近於該共融組成之記錄標靶予以形成，使得該組成比 例呈接近於Sb及Ga之共融組成。亦即，由於初始化， 該相位改變記錄層3具有一晶相（抹除之狀態），藉照射 一根據本發明記錄方法所調變之光束於該相位改變記錄層 3，例始可形成非定形狀態中之記錄標號於該相位改變記 錄層3之中。例如該相位改變記錄層3可藉添加1 5原子 百分比（at.% )或更少之至少一選自 Ge，In，Μη及 Sn 之組群的元素於該SbGa共融組成。藉添加諸如Ge，In， Μη及Sn之元素於該SbGa共融組成，可適當地調整諸如 記錄線性速度響應及調變因素之相位改變型光學記錄媒體 100的特徵。若此等元素對於SbGa共融組成之添加超過 -14 - 1261831 (11) 1 5原子百分比，由於劣化的記錄線性速度響應，該等記 錄特徵會劣化且反射率會隨著時間逝去而改變（老化）。 若添加超過1 5原子百分比之Sn的數量於SbGa共融組成 時，則由於結晶速度呈太快，該記錄標號之儲存穩定性會 劣化。 該透明基板1可由玻璃，樹脂或類似物組成。在此實 施例中，使用樹脂於透明基板1，因爲該樹脂易於製模且 不昂貴。可使用於該透明基板1之樹脂的典型實例包含聚 碳酸鹽樹脂及壓克力樹脂，其均具有良好的光透射率。從 易於形成及諸如光透射率之良好光學特徵之觀點，企望使 用聚碳酸鹽樹脂於該透明基板1。 下方保護層2可由諸如ZnS及Si〇2之介電質所製成 。上方保護層4可由相同於該下方保護層2之材料所製成 。在此實施例中，上方保護層4係由選自金屬氧化物，氮 化物，碳化物及其混合物之材料所製成。 該上方及下方保護層4及2各可藉合適材料利用諸如 真空沈積法、濺鍍法、電漿C V D、光學C V D、離子電鍍 法、及電子束沈積法之不同的氣相沈積技術予以形成。 反射層5可藉抗蝕性相當強之金屬，諸如Al、Ag、 CU及Αιι或具有該等材料爲主要成分之合金予以形成。 視需要地，可配置該外覆層6於該反射層5之上，該 外覆層6可藉紫外線硬化樹脂，陽離子聚合作用所硬化之 樹脂’及類似物所形成。在其中應用此實施例於；[3VD之 例子中’相同於透明基板i之基板可配置於反射層5之上 -15- (12) 1261831 ’以及該外覆層6亦可在此一例中作用爲接合材料。 接著，將說明根據本發明之記錄方法的實施例。在此 記錄方法之實施例中，爲方便起見，假設該光束係照射在 第4及5圖中所示之相位改變型光學記錄媒體1 〇 〇之相位 改變記錄層3之上。基本上，當形成記錄標號時採用於此 實施例中之藉標號長度調變的記錄策略，會根據預定大小 確定光束的記錄脈波數目，而該預定大小係依一參考大小 所設定，此參考大小係藉加和一光束之光束光點直徑（或 大小）與在其取光束功率上升及下降之時間期間光束所行 進之距離所獲得。 例如當執行記錄於一記錄線性速度，該速度係在大於 或等於DVD之8倍速及小於或等於12倍速的範圍時，表 示爲P之各記錄標號中之脈波數目可根據N所表示之預 定大小，依界定記錄脈波數目之邊限的下一方程式（1 ) 予以確定： (標號長度）2pxN ( 1 ) 預定大小N可藉下一方程式（2)確定，其中L表示 光束光點直徑，以及X表示在取光束上升及下降之時間 期間該光束所行進之距離： N = 0.55x ( L + X ) ( 2 ) 例如，若該光束光點直徑L在該記錄設備之光學系統 中約0.92微米，及發射自半導體雷射二極體（LD )之光 束的上升及下降時間常數爲2奈秒，則在1 〇倍速記錄之 例中光束上升及下降時間常數之和的時間期間’該光束行 -16- 1261831 (13) 進約Ο · 4微米。所以’預定大小N約爲0 · 5 8 3微米’其係 光束光點直徑L = 〇. 92微米與光束行進之0.14微米距離之 總和1 . 〇 6微米的0.5 5倍。

因此，當記錄標號之大小小於或等於預定大小N時 ，相對應於單一記錄脈波之光束會照射在相位改變型光學 記錄媒體之上以記錄資訊於該處之上。相反地’當記錄標 號之大小超過PN，但小於或等於（P+1 ) N，其中P爲大 於或等於1之整數時，脈波數目會根據記錄標號之大小設 定，使得記錄脈波之數目變成p +1，以及相對應於此記錄 脈波數目之光束會照射在該相位改變型光學記錄媒體之上 以記錄資訊於該處之上。

取得記錄脈波之數目p的邊限之特定方法係如下述。 若光束光點直徑爲0.92// m以及光束功率上升及下降所得 之時間爲4奈秒，當方程式（i )中之p = 1時，在8倍速 (8x)時 pN = 0.5 67，在 1〇 倍速（ι〇χ)時 ρν = 〇·5 8 3，以 及在12倍速（12Χ )時ρν = 〇·5 9 8。該等ρΝ値係相對應於 下文第1表中之8至14調變（EFM)標號長度4Τ及5丁 之實際標號長度的中間値。 -17- (14) 1261831 第1表 E F Μ標號長度 ^ -------- ^ 實際標號長__ 3Τ 0.4^0___ 4Τ 0.5J___ 5Τ 0.6 7 6Τ 0.8〇 — 7Τ 0.9 3 _ 8Τ 1.06 9Τ 1.2〇 1 0Τ 1.33 1 1 Τ 1.46 14Τ 1.86 在此例中，選擇1個記錄脈波用於記錄efm標號長 度至4 T，及選擇2個記錄脈波用於記錄大於或等於5 T之 EFM標號長度。此外，若p = 2時，在8倍速之pN値呈 1.135，在10倍速之pN値呈1.166，以及在12倍速之PN 値呈1 . 1 9 6，而選擇2個記錄脈波用於記錄5 T至8 T之 EFM標號長度，及選擇3個記錄脈波用於記錄大於或等 於9T之EFM標號長度。同樣地，可藉確定邊限p = 3及 p = 4來選擇用於記錄所有EFM標號長度之記錄脈波的數 目P。 根據使用作參考之預定大小N來指定將使用於3 T至 1 4 T之E F Μ標號長度的記錄脈波數目，記錄脈波之數目p -18- (15) 1261831 將呈1以用於3T至4T，2以用於5T至8T，3以用於9T 至11Τ，及4以用於14Τ〇 藉此方式分配記錄脈波之數目Ρ供不同的E F Μ標號 長度，可取得足夠高的光束功率，亦即，足夠高的記錄（ 寫入）功率，即使是在高的記錄線性速度。 當然，可採用另一記錄策略，其依據脈波列（Ν 1 + Ν + Ν+ .........)來確認用以記錄該等記錄標號長度之記錄脈波 數目，此脈波歹1J ( Ν 1 + Ν + Ν + .........)係由一大小藉乘1.3 ± 0 . 1於預定大小Ν所獲得之起始脈波Ν 1及具有該預定 大小Ν之後續脈波Ν所組成。 例如當執行記錄於一記錄線性速度，該速度係在大於 或等於DVD之8倍速及小於或等於12倍的範圍時，在各 記錄標號中之記錄脈波之數目P係以相類似於上述之藉設 定起始脈波Ν 1爲Ν X ( 1 . 3 ± 0 · 1 )及設定後續脈波N爲N 之方式予以確定。若P = 1時，則藉計算以取得5 T與6 T 間之Ρ N値以用於8倍速至12倍速’且耢此計算結果’ 當計算時，用於記錄3 T至5 T E F Μ標號長度之記錄脈波 數目Ρ可藉考慮光束光點直徑與記錄脈波上升時間之不一 致而選擇（或設定）於1。只要下降時間不會太慢，當執 行此計算時，無需考慮該下降時間。同樣地’用於記錄所 有E F Μ標號長度之記錄脈波的數目Ρ可藉確定該等邊限 ρ = 2，ρ = 3及ρ二4而選擇（或設定）。 尤其，使用於記錄各記錄標號長度之記錄脈波數目ρ 可根據脈波列予以確定，該脈波列可由具有大小藉乘1 . 3 -19- 1261831 (16) ±0.1於預定大小Ν = 0·583微米所獲得之0.758微米的起 始脈波及具有預定大小Ν = 0 · 5 8 3微米之後續脈波所組成。 根據此記錄策略，藉指定將使用於記錄3 Τ至1 4Τ之 E F Μ標號長度之記錄脈波之數目ρ，則記錄脈波之數目ρ 呈1以用於3Τ至5Τ，2以用於6Τ至8Τ，3以用於9Τ至 11Τ，及4以用於14Τ。第6圖係一圖式，顯示根據本發 明記錄方法之實施例所採用之記錄策略之相對應於藉起始 脈波Ν 1及後續脈波Ν所組成之脈波列所指定之各記錄標 號的記錄脈波。換言之，第6圖顯示相對應於各該等記錄 標號長度之記錄脈波的數目Ρ。藉此方式分配記錄脈波的 數目Ρ以用於不同的記錄標號長度，可獲得足夠高的光束 功率，亦即，足夠高的記錄（寫入）功率，即使是在高的 記錄線性速度，且相較於上述之記錄脈波數目ρ之分配， 可進一步降低抖動。 根據本發明人所執行之該等實驗，發現在上述記錄線 性速度範圍中，特定地，該單一記錄脈波之設定邊限會影 響記錄特徵。例如，在其中該記錄線性速度係設定爲 DVD之1 〇倍速時，將發現到，抖動會進一步地藉執行用 於直至5 T之EFM標號長度之單一記錄脈波的記錄予以降 低。 相反地，當藉由單一記錄脈波來涵蓋複數個記錄標號 長度時’會有最短標號（最小長度的標號）呈難以分離之 趨勢。 例如，在DVD中所使用之EFM的例子中，若單一記 - 20- 1261831 (17) 錄脈波將使用於記錄3 T至5 T之E F Μ標號長度以用於8 倍速或更高之高速記錄時，則由於使用於記錄之光束上升 特徵之效應’相較於4Τ及5Τ標號及記錄脈波寬度，該 J Τ彳示5虎之w錄脈波莧度必須設定更短。雖然必須設定3 τ 標號之記錄脈波寬度更短之此問題並不明顯於其中記錄線 性速度爲8倍速之例中，但當在記錄線性速度大於或等於 1 〇倍速之例中記錄3 T標號時，無法形成該相位改變記錄 層材足之足夠的融化範圍。結果，無法取得足夠的非定形 標號寬度，因而劣化了調變因素。此外，若用於3 T標號 之記錄脈波的上升起始時間係設定比4 T及5 T標號更早 以便確定足夠的融化區及改善3 T標號之調變因素時，可 取得足夠的調變因素，呈在其縱向中，會呈難以區別及分 離3T標號於4T標號。 因此，爲避免此等問題，此實施例之修正爲，當利用 單一記錄脈波來記錄該記錄標號長度時，在記錄脈波之前 添加一預熱脈波，使得即使用於高速記錄時，可正確地形 成記錄標號長度以及可獲得合乎要求的記錄特徵。換言之 ，藉施加相對於相位改變型光學記錄媒體之足夠光束功率 以使最短之記錄脈波（最小記錄脈波寬度）能記錄，如第 7圖中所示地，在該單一記錄脈波之前添加了一預熱脈波 。第7圖係一*圖式，用於解說添加於早一記錄脈波之_的 預熱脈波之功率位準。在第7圖中，縱軸表示記錄脈波之 功率位準，以及橫軸表示時間。在第7圖中，P w代表記 錄（寫入）功率，Pe代表抹除功率，Pb代表底部功率’ -21 - 1261831 (18)

Pwa代表預熱脈波之預熱功率，以及Tpwa代表預熱脈波 之脈波寬度（或照射時間）。 預熱脈波之功率位準P wa係設定使得相位改變記錄 層之溫度不會到達相位改變記錄層材料之融化點，結果， 可降低當施加記錄脈波時該相位改變記錄層材料到達融化 點的時間，藉此同時地使調變因數能具有欲取得之足夠寬 度及使3 T標號能區別於4T標號及分離於其縱方向中。 特定地，企望地，預熱脈波之功率位準Pwa取記錄 功率Pw與抹除功率間之中間値，以及該預熱脈波係添加 於相對應記錄標號長度3 T與照射時間Tpwa之記錄脈波 之數目之前，其中該照射時間係大於或等於頻道週期及小 於或等於兩倍頻道週期，該”頻道”表示每資料位元之時間 或空間長度且標準化以用於例如DVD。 從本發明人所執行之實驗可發現到，預熱脈波之照射 時間Tpwa必須設定大於或等於5奈秒，否則，若預熱脈 波之照射時間Tpwa小於5奈秒時，則相較於其中未添加 預熱脈波之例，藉添加該預熱脈波可能無法見到抖動特徵 之明顯改善。惟，若預熱脈波之照射時間Tpwa爲5奈秒 或更大時，相較於其中未添加預熱脈波之例，可發現到抖 動降低約1 %。 第8圖係一圖式，顯示其中記錄線性速度爲DVD之 1 〇倍速之例之預熱脈波照射時間Tpwa與抖動之關係。第 8圖顯示其中預熱脈波之功率位準Pwa爲1 2毫瓦及記錄 脈波之記錄功率Pw爲2 8毫瓦之例的關係。在第8圖中 -22- 1261831 (19) ’縱軸表示抖動（％ )，及橫軸表示預熱脈 T p w a。例如可從第8圖了解到，當預熱脈 Tp wa爲5奈秒或更大時，抖動將獲得合乎要 另一方面，當考慮到其他記錄標號上之 企望的是，預熱脈波之照射時間Tpwa約係 於或等於相對應於最短標號之3 T的一半， 波之效應在8毫瓦或更大的功率位準，且 Pwa企望地爲20毫瓦或更小，以及更企望却 更小，以用於DVD之8倍速與12倍速之間 度。 同時，發現當藉此記錄方法之實施例記 改變型光學記錄媒體時，調變因數爲0.4或 射率爲15%或更大。 上述參數範圍滿足了達成相容於DVD-値。且因而可獲得合乎要求之記錄特徵或性 行資訊之高速記錄時。 此外，本發明人發現到，本發明所採用 小N來設定記錄脈波數目p之記錄策略將 脈波數目之邊限（或自由度）。從本發明者 ，該自由度可視爲約± 1 0 %。 第9A及9B圖分別係用於解說可設定 之自由度的限制。 記錄標號之後緣係藉具有抹除功率P e 抹除脈波）了以結晶及確定’但當企圖延長 波之照射時間 波之照射時間 求之低値。 效應時，發現 1 . 5 T，其係小 發現該預熱脈 發現功率位準 2爲16毫瓦或 的記錄線性速 錄資訊於相位 更大，以及反 -ROM之指定 能，即使當執 之根據預定大 允許設定記錄 所執行之實驗 記錄脈波數目 之記錄脈波（ 可藉單一記錄 -23- 1261831 (20) 脈波讀取之標號長度爲更大的記錄標號時，該標號邊緣必 須形成於該記錄標號之一部分處而在取沿著相對於相位改 變型光學記錄媒體上之軌跡之記錄標號寬度的方向中更小 ，如第9 A圖中所示。因爲根據此一記錄，標號邊緣之一 不一致將增加，故企望該等光束分別相對應於具有記錄功 率Pw之記錄脈波及具有抹除功率Pe之記錄脈波（抹除 脈波）而重疊於取沿著該軌跡之記錄標號寬度方向中更大 的一部分記錄標號處，及形成該標號邊緣於此部分處，如 第9B圖中所示，在第9A及9B圖中，軌跡以箭頭所示之 光束行進方向延伸。根據本發明人所執行之實驗，發現到 若是標號邊緣形成於一位於距離記錄標號前緣約〇. 6倍於 該記錄所用之光束的光點直徑L的距離之一部分處，且抖 動確實不會增加。在其中所使用之光學系統具有〇 . 6 5中 心値數値孔徑（N . A ·)之拾訊器及發射具有約6 6 0奈米波 長光束的例子中，此一相關於N.A·中改變之公差可描述 爲大約0 · 6 5 ± 2。所以’企望地’當採用上述記錄策略時 ，該光學系統之拾訊器（透鏡）的N . A .係在大約0 · 6 5 ± 2 的範圍中。然而，當實際生產該記錄設備時，更企望於該 N . A.之公差藉考慮光學系統之其他不一致性而變成大約 〇·65±1 。 下文將相對於比較例之性能描述本發明實施例及修正 例的性能。 在用於比較之相位改變型光學記錄媒體之實施例中’ 省略第5圖中所示之外覆層6。更特定地’所使用之透明 -24 - (21) 1261831 基板係由聚碳酸鹽所製成而具有0.6毫米之厚度及配置有 一使用於記錄之光束導槽。下方保護層2係由ZnS及 S i 〇 2之混合物（2 0分子百分比）所製成而濺鍍在透明基 板1之上至大約7 0奈米之厚度。相位改變記錄層3係由 GaSb所製成且濺鍍在下方保護層2之上至大約15奈米之 厚度。上方保護層4係由相同於下方保護層之材料所製成 且濺鍍於相位改變記錄層3之上至大約1 5奈米之厚度。 反射層5係由AgCu合金所製成且濺鍍於該上方保護層4 之上至大約1 5 0奈米之厚度。該相位改變型光學記錄媒體 係藉紫外線硬化樹脂接合一相同於透明基板1之材料所製 成的基板於反射層5之上。相位改變記錄層3係藉濺鍍技 術利用具有組成接近於共融組成之記錄標靶予以形成’使 得組成比例呈接近於Sb及Ga之共融組成。更特定地’ 該組成比例係8 8原子百分比之Sb及1 2原子百分比之Ga 〇 此相位改變型光學記錄媒體之調變因數係利用大致地 使用於記錄資訊於可寫入式DVD的記錄設備’藉具有 0.6 5數値孔徑（N · A ·)及發射具有大約6 6 0奈米波長光束 之拾訊器予以測量。直接之過寫入操作係以1 〇倍相對於 此相位改變型光學記錄媒體而執行供評估用’以用於三種 記錄策略，亦即，利用1 T基本週期之第一（習知）記錄 策略（第一比較實例），及利用2T基本週期之第二（習 知）記錄策略（第二比較實例），及本實施例所採用之第 三記錄策略。該等測量係實行於DVD ( 34·9米/秒）之10 -25- 1261831 (22) 倍速的記錄線性速率處，及記錄脈波之記錄功率Pw係設 定於3 0毫瓦，而在空間部分之記錄脈波（抹除脈波）的 沬除功率Pe則設定於6毫瓦，使記錄脈波之脈波寬度最 適化以用於各第一，第二及第三記錄策略，以使調變因數 最大。 反射改變係監視以用於其上使用各記錄策略寫入非定 型記錄標號之各記錄軌跡，所監視之反射係使用測試器中 之光二極體轉換爲電性資料（監視之信號），以及該電性 資料係利用最大功率予以標準化，所監視信號之結果係顯 示於第10圖中。第10圖係一圖式，顯示藉第一及第二（ 習知）記錄策略及本發明實施例所採用之第三記錄策略所 獲得之監視信號的比較。在第10圖中，絕對反射率大約 22%，調變因數可從下一方程式（3 )獲得，其中 Mmax 表示最大的監視信號而Mmin則表示最小的監視信號。 (調變因數）=(Mmax — Mmin) /Mmax ......... (3) 根據第一比較實例所採用之第一（習知）記錄策略， 記錄脈波之數目係根據頻道週期1 T而增加1 ;根據第二 比較實例所採用之第二（習知）記錄策略，記錄脈波之數 目係根據頻道週期2 T而增加1。 相對地，根據本發明實施例所採用的第三記錄策略， 該等記錄脈波之上升及下降時間常數爲2奈秒，而在 DVD之1 〇倍速的情況中，光束在上升及下降時間常數之 總和的時間期間行進約0 . 1 4微米。此外，在記錄設備之 光學系統中，相對應於1 /e2之光束功率的光束光點直徑 -26- (23) 1261831 大約爲0.92微米，所以0.55倍之光束光點直徑與光束所 行進距離之和可計算爲大約〇 . 5 8 3微米。錯根據使用爲爹 考之預定大小N = 〇 · 5 8 3微米來指定使用於記錄3 T至1 4 T 的E F Μ標號長度，記錄脈波之數目N係設定爲1以用於 3T至4T，2用於5T至8T，3用於9T至11T，以及4用 於 1 4 T。 例如可從第1 0圖立即瞭解的是’相較於本發明實施 例中所採用之第三記錄策略，第一及第一比較例所採用之 第一及第二（習知）記錄策略明顯地缺少光束功率之必要 位準，也就是記錄功率位準。因此’可確認的是，相較於 第一及第二比較例所採用之第一及第二（習知）記錄策略 ，本發明實施例中所採用之第三記錄策略係極有效的。 同時，測量相位改變型光學記錄媒體之性能以用於可 由本發明實施例所採用之另一第四記錄策略，其根據脈波 列（N 1 +N + N +.........)來確定用於記錄該等記錄標號長度 之記錄脈波的數目，此脈波列（N1+N + N+.........)之起始 脈波N1係設定爲0.75 8微米大小，其係藉乘1.3 ±0.1於 預定大小N = 0.5 8 3微米而取得。藉根據該脈波列（N 1 + N + N+.........)來指定將使用於記錄3T至14T之EFM標號長 度的記錄脈波之數目p，記錄脈波之數目p係設定於1以 用於3T至5 丁，2以用於6T至8T，3以用於9T至11T， 及4以用於1 4T。使用於該測量之相位改變型光學記錄媒 體及記錄設備係相同於上述該等使用於第三記錄策略者， 而抖動係在相同於使用於評估第三記錄策略之調變因素的 -27 - 1261831 (24) 記錄及重現條件下評估（1 0倍速之DVD的記錄線性速度 )° 此外，相同之相位改變型光學記錄媒體之抖動係類似 地根據上述第三記錄策略所設定之記錄脈波之數目p而評 估。 當執行評估時，用於第四及第三記錄策略之上升及下 降時間常數均最適化，而取得下文第2表中所示之結果。 抖動（％)係藉頻道週期畫分記錄標號邊緣之時間變化（ 或不一致性）而取得，且抖動越小則標號邊緣移位最小以 指示已作成合乎要求的記錄。 第2表 起始脈波大小 抖動（％ ) 具有Ν1 7.9 不具有Ν1 8.7 從第2表可確認的是，即使當未添加起始脈波N 1， 亦可取得合乎要求的記錄特徵，但抖動可進一步地藉添加 起始脈汲N 1而予以降低。調變因數爲0 · 6，而獲得自記 錄部分之最大監視信號的反射率爲2 3 %。調變因數及反射 率之該等値會滿足用於達成相容於D V D - R Ο Μ之指定値 ，且因此可藉使用根據本發明之相位改變型光學記錄媒體 及根據本發明之記錄方法來取得合乎要求之記錄特徵或性 能，即使當執行資訊之高速記錄時。 -28- 1261831 (25) 接著，將說明用於DVD之8倍速，l〇倍速及12倍 速所評估之相位改變型光學記錄媒體實施例之記錄性能。 該相位改變型光學記錄媒體之結構係相同於上述使用於評 估第三記錄策略之調變因數的結構。然而，該相位改變記 錄層3係藉濺鍍法利用具有下列組成之標靶材料予以形成 ，用以作成8倍速，1 0倍速及1 2倍速之評估。

用於8倍速：添加有5原子百分比之Ge的GaSb共 融組成， 用於10倍速：GaSb共融組成， 用於12倍速：添加有5原子百分比之Sn的GaSb共 融組成。

此外，該相位改變型光學記錄媒體係類似地根據上述 第四記錄策略所設定之記錄脈波數目P予以評估。雖然在 8倍速之例子中用於5 T之記錄脈波數目應設定於2，但爲 方便起見，在8倍速之例子中用於5 Τ之記錄脈波數目係 設定相同於1 〇倍速及1 2倍速之例子中之記錄脈波數目， 以及該記錄係藉由使記錄功率及各記錄線性速度之上升及 下降時間常數最適化而完成。 s己錄功率係成比例於（記錄速度）1 /2，而最適之記錄 功率爲28毫瓦用於8倍速，31毫瓦用於1〇倍速，及34 耄瓦用於1 2倍速。下文第3表顯示藉抖動所評估之記錄 性能。 -29- (26) 1261831 第3表 記錄速度 抖動（％ ) 8倍速 8.2 10倍速 7.9 12倍速 8.7 由本發明所執行之實驗的結果，例如可從第3表了解 到，即使在8倍速之DVD，亦可獲得合乎要求的抖動特 徵。因此，可確認的是，本發明所採用之第四記錄策略允 許設定記錄脈波數目之邊限（或自由度），而該邊限（或 自由度）約爲± 1 〇 %。 同時，可從本發明人所執行之實驗確認的是，設定記 錄脈波之數目的邊限之限制可直至大約0.6倍之使用於記 錄自該記錄標號前緣的光束之光點直徑L，因爲抖動實際 並不會於此邊限內增加。 在上述實施例中，於適用於操作於8倍速D V D之相 位改變型光學記錄媒體的例子中，係添加5原子百分比之 Ge於相位改變記錄層材料，以便刻意地劣化該相位改變 型光學記錄媒體之記錄線性速率響應。然而，當然可藉進 一步添加諸如In，Μη及其合金之元素於添加有Ge之相 位改變記錄層材料來調整諸如記錄線性速度響應及調變因 數之相位改變型光學記錄媒體的特徵。然而，若添加到該 相位改變記錄層材料之元素的數量超過1 5原子百分比時 ，則記錄線性速度響應會變差，因而劣化記錄特徵及/或 -30 - 1261831 (27) 造成反射率隨時間逝去而改變（老化）。 進一步地，在上述實施例中，於適用於操作於丨2倍 速DVD之相位改變型光學記錄媒體的例子中，係添加μ 於相位改變記錄層材料，以便改善該相位改變型光學記錄 媒體之記錄線性速度響應。然而，當然可藉進一步添加諸 如I η，Μ η及其合金之元素於相位改變記錄層材料來調整 諸如調變因素及記錄靈敏度之相位改變型光學記錄媒體的 特徵。然而’若添加到該相位改變記錄材料之S η的數量 超過1 5原子百分比時，則結晶速度呈過快，因而劣化了 記錄標號之儲存穩定性。 此外，在上述實施例中，於適用於操作於1 〇倍速 DVD之相位改變型光學記錄媒體的例子中，可添加， In，Μη，Sn及其合金於相位改變記錄層材料。以便最終 地調整該相位改變型光學記錄媒體之記錄特徵。然而，若 添加於該相位改變記錄層材料之元素的數量超過1 5原子 百分比時，則將發生類似於上述適用於操作於8倍速及 1 2倍速DVD之相位改變型光學記錄媒體的問題。 進一步地，本發明並未受限於該等實施例，而是種種 變化例及修正例可予以完成而不會背離本發明之範疇。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示傳統記錄方法所使用之記錄脈波的圖式 ’ 第2圖係顯示可藉現有半導體雷射二極體之直接調變 -31 - (28) 1261831 所形成之記錄脈波的上升及下降緣的圖式； 第3圖係顯示傳統記錄方法所使用之半寬度之實際記 錄脈波的圖式 第4圖係具有一部分切除之透視圖，顯示根據本發明 之相位改變型光學記錄媒體之實施例； 第5圖係橫截面視圖，顯示第4圖中所示之相位改變 型光學記錄媒體之切除部分； 第6圖係一圖式，顯示根據本發明記錄方法之實施例 所採用之記錄策略之相對應於藉起始脈波N 1及後續脈波 N所組成之脈波列所指定之各記錄標號的記錄脈波； 第7圖係一用於解說在單一記錄脈波之前所添加之預 熱脈波的功率準位的圖式； 第8圖係一圖式，顯示用於其中記錄線性速度爲 DVD 1 0倍速率之例的預熱脈波之照射時間與抖動之關係 ， 第9A及9B圖分別係用於解說明可設定記錄脈波數 目之自由度限制的圖式；以及 第1 〇圖係一圖式，顯示本發明所使用之記錄策略及 傳統記錄策略所獲得之監視信號的比較。 元件對照表 1 :透明基板 2 :下方保護層 3 :相位改變記錄層 -32- (29) 1261831 4 :上方保護層 5 :反射層 6 :外覆層 1 00 :相位改變型光學記錄媒體

Pw :記錄（寫入）功率 P e :抹除功率 P b :底部功率 P wa :預熱脈波之預熱功率

Tpwa :預熱脈波之脈波寬度（或照射時間 -33-

Claims (1)

1261831 Π) 拾、申請專利範圍 1. 一種記錄方法，用於根據標號長度調變形成記錄 標號，其係藉照射一相對於包含至少相位改變記錄層及反 射層於基板上之相位改變型光學記錄媒體之結晶相位改變 記錄層的脈波形光束，該方法包含下列步驟： 照射一由單一記錄脈波所形成之光束於當形成一具有 大小小於或等於預定大小N之記錄標號時，該預定大小N 係參考一參考大小所設定，該參考大小爲光束之光束光點 直徑與該光束在計量爲光束功率之上升及下降時間常數之 和的時間內所行進之距離之和；以及 照射一由複數個記錄脈波所形成之光束於當形成一具 有大小大於該預定大小N之記錄標號時。 2. 如申請專利範圍第1項之記錄方法，其中該預定 大小N可設定爲參考大小的0.55倍±10%。 3. 如申請專利範圍第2項之記錄方法，其中照射由 複數個記錄脈波所形成之光束的該步驟，係在當形成一具 有大小大於PN及小於或等於（p +1 ) N的記錄標號時， 照射由P + 1個記錄脈波所形成之光束，其中P爲大於或等 於1之整數。 4. 如申請專利範圍第2項之記錄方法，其中 該複數個記錄脈波形成一脈波列（N1+N + N +.........) ，其係由一具有大小藉乘1 . 3 ± 0 · 1該於預定大小N所獲 得之起始脈波N 1，及具有該預定大小N之後續脈波N所 組成；以及 -34- 1261831 (2) 照射由複數個記錄脈波所形成之光束 形成該記錄標號時，照射若干由脈波列（ )所確定之記錄脈波。 5 .如申請專利範圍第4項之記錄方 長度調變可爲8至1 4調變（EFM )加上言j )，以及用於形成3T至14T EFM標號長 數目在其中所使用之光學記錄媒體具有0 (N.A。）之拾訊器，以設定爲20米/秒至 線性速度發射具有約6 6 0奈米波長光束的 設定爲1以用於3T至5T，2以用於6T : 9T至1 1T，及4以用於14T。 6 .如申請專利範圍第4項之記錄方 單一記錄脈波所形成之光束的該步驟在該 前添加一預熱脈波。 7 .如申請專利範圍第4項之記錄方 脈波具有一照射時間，該照射時間係大於 及小於或等於兩頻道週期，及一功率，該 記錄脈波記錄3 T之EFM標號長度時取該 一記錄功率與一抹除功率間之中間値。 8. 一種相位改變型光學記錄媒體，色 一基板； 一結晶相位改變記錄層，配置於該基 標號長度調變形成記錄標號時，接收一脈 一反射層，配置於該相位改變記錄層 的該步驟係在當 N 1 +N + N+......... 法，其中該標號 If變（EFM +調變 度之記錄脈波的 .65 ±2數値孔徑 42米/秒之記錄 記錄條件下，係 至8 T，3以用於 法，其中照射由 單一記錄脈波之 法，其中該預熱 或於一頻道週期 功率在當藉單一 單一記錄脈波之 L含： 板上方，當藉一 波形光束；以及 上方， -35- 1261831 (3) 其中該相位改變記錄層係由一具有組成比例接近Sb 及G a共融組成之材料所製成，且當形成一具有大小小於 或等於預定大小N之記錄標號時接收一由單一記錄脈波 所形成之光束，及當形成一大小大於預定大小N之記錄 標號時，接收一由複數個記錄脈波所形成之光束，該預定 大小N係參考一參考大小所設定，請參考大小爲光束光 點直徑與該光束在計量爲光束功率之上升及下降時間常數 之和的時間內所行進之距離之和。 9 ·如申請專利範圍第8項之相位改變型光學記錄媒 體，其中該相位改變記錄層進一步包含至少一選自含Ge ，I η，Μ η及S η之組群之1 5原子百分比或更少的元素於 S b G a共融組成中。 10. 如申請專利範圍第8項之相位改變型光學記錄媒 體，其中該複數個記錄脈波形成一脈波列（N1+N + N + .........)，其係由一具有大小藉乘1 . 3 ± 0 . 1於該預定大小 N所獲得之起始脈波N 1，及具有該預定大小N之後續脈 波N所組成；以及當形成該記錄標號時，該相位改變記 錄層所接收之記錄脈波的數目係由該脈波列（N 1 + N + N + .........)所確定。 11. 如申請專利範圍第1 〇項之相位改變型光學記錄 媒體，其中具有反射率大於或等於1 5 %及調變因素大於或 等於〇. 4於當記錄條件係使得：該標號長度調變可爲8至 14調變（EFM )加上調變（EFM +調變），及該相位改變 記錄層利用具有0.65 ±2數値孔徑（Ν·Α·)之拾訊器，發 -36- 1261831 (4) 射出具有6 60奈米波長與設定爲20米/秒至42米/秒之記 錄線性速度之光學系統所接收之用於形成3 T至1 4 T E F Μ 標號長度之記錄脈波數目係設定爲1以用於3 Τ至5 Τ，2 以用於6Τ至8Τ，3以用於9Τ至1 1Τ，及4以用於14Τ 時的重現時。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之相位改變型光學記錄 媒體，其中該相位改變記錄層接收單一記錄脈波所形成之 光束，且在該單一記錄脈波之前添加一預熱脈波。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之相位改變型光學記錄 媒體，其中具有反射率大於或等於15%及調變因素大於或 等於0.4於當記錄條件使得該預熱脈波具有一照射時間， 該照射時間係大於或等於一頻道週期及小於或等於兩頻道 週期，及一功率，該功率在當藉該單一記錄脈波記錄3 Τ 之 E F Μ標號長度時取該單一記錄脈波之一記錄功率與一 抹除功率間之中間値時，的重現時。 14.如申請專利範圍第1 〇項之相位改變型光學記錄 媒體，其中具有反射率大於或等於1 5 %及調變因素大於或 等於0.4於當記錄條件係使得： 該標號長度調變爲8至1 4調變（EFM )加調變（ EFM +調變）， 該相位改變記錄層利用具有〇 . 6 5 ± 2數値孔徑（Ν · A . )之拾訊器，以設定爲20米/秒至42米/秒之記錄線性速 度發射出具有約6 6 0奈米波長之光學系統所接收之用於形 成3 T至1 4 Τ E F Μ標號長度之記錄脈波數目係設定爲1以 -37- (5) 1261831 用於3 T至5 T，2以用於6 T至8 T，3以用於9 T至U τ， 及4以用於14Τ，以及 該相位改變記錄層接收該單一記錄脈波所形成之光束 ，且在該單一記錄脈波之前添加有一預熱脈波， 其中該預熱脈波具有一照射時間，該照射時間係大於 或等於一頻道週期及小於或等於兩頻道週期，及一功率， 該功率在當藉該單一記錄脈波記錄3 Τ之E F Μ標號長度時取 該單一記錄脈波之一記錄功率與一抹除功率間之中間値時 ，的重現時。 -38 -