TWI259656B - High frequency switch circuit - Google Patents

Description

1259656 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明有關於在處理高頻率電信號之電路裝置中，用以 轉換該高頻率電信號之路徑之高頻率開關電路之構造。 【先前技術】

隨著行動型個人電腦和行動型資訊終端裝置之普及，使 用高頻率之無線網路介面卡之尼生需求正急遽增力17 。另 外，目標指向高通信品質之高頻率無線電話之尼生需要亦 急遽增加。另外同時，該等之小型高功能化係為市場需求。 在該等之機器中，高頻率開關電路所實現之功能有轉換發 訊/收訊、天線發散、多頻帶之頻帶轉換等。該等之高頻率 開關電路被要求之條件為Ο N狀態之低插入損失、0 F F狀態 之高洩漏抑制、高可靠度亦即對靜電破壞之耐性、和低價 格、小型化。 ， 圖 1 0表示供作實用之單極雙投型之高頻率開關電路之 電路圖。該高頻率開關電路在端子3 1 - 3 2間之信號路徑，2 段串聯地插入連接由場效電晶體構成之開關元件1、2’在 端子3 1 - 3 3間之信號路徑，2段串聯地插入連接由場效電 晶體構成之開關元件3、4。開關元件1、2之Ο N / 0 F F係由 對控制端子3 5之施加電壓所控制。另外，開關元件3、4 之Ο N / 0 F F係由對控制端子3 6之施加電壓所控制。符號5〜8 分別表示高電阻元件。 在該高頻率開關電路中，在〇 N側信號路徑，例如在端子 3 1 - 3 3間之信號路徑，經由控制端子 3 6對開關元件3、4 5 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108333

1259656 施加閘偏壓，藉此使開關元件3、4被偏移至ON區域 電阻化。另外一方面，在0 F F側信號路徑，例如在端 —端子3 2間之信號路徑，開關元件1、2經由控制端 被施加閘偏壓，藉此使開關元件1、2被偏移至OFF區 高電阻化。另外，0 N側信號路徑和0 F F側信號路徑可 用施加在控制端子3 5、3 6之閘偏壓而成為反轉。 開關元件之串聯連接之段數，亦有增加開關元件之 為3段、4段者。此種構造可以維持對靜電破壞之耐 並可以實現小型/低價格化，具有符合民生市場傾向 處。 在其另一方面，在OFF側信號路徑，會殘留被偏移到 區域之開關元件1、2之寄生電容，作為路徑時該寄生 成為串聯連接之形式，則難以獲得優良之抑制0 F F洩 性係為其短處。 圖1 1為利用由電阻和電容構成之等效電路，替換I 之開關元件1、2、3、4所形成者。在圖1 1中，電容 2 2相當於被偏移到0 F F區域之開關元件1、2之寄生Ί 電阻2 3、2 4相當於0 N狀態之開關元件3、4之0 N電 在此處，對於並聯連接在該寄生電容之高電阻化之 部份，由於其值很大所以視為無限大而不予圖示。 2 1、2 2通常成為在數百f F到數p F之間。假設電容2 ] 均為0.5pF時，串聯電容成為0.25pF，在5GHz之阻 為大約1 3 0 Ω 。因此，抑制洩漏量成為1 2 d B，不能稱 足夠。 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108333 而低 子31 子35 域而 以利 數成 性’ 之長 OFF 電容 漏特 圖1 0 21、 阻。 電阻 電容 卜22 抗成 其為 6

1259656 作為改善之對策，已發明有將鄰接之該開關元件間 送線路長度設為1 / 4波長之奇數倍的方法，但是在該 電容不可忽視之頻率範圍内，1 / 4波長之奇數倍無法 最佳值，尚有改善之餘地。相反地，在寄生電容可以 之頻率範圍内，由於該寄生電容產生之洩漏量本身很 所以該傳送線路之效果較小。 [專利文獻1 ] 日本專利特開昭5 3 - 1 3 6 9 5 2號公報 如以上所說明，在習知之高頻率開關電路中，係構 開關元件多段串聯連接，在此種構造中，在開關元件 0 F F之信號路徑，抑制洩漏特性不足為其問題。 【發明内容】 本發明之目的為提供在開關元件成為0 F F之信號路 亦可以充分獲得抑制洩漏特性之高頻率開關電路。 為了解決上述問題，本發明之高頻率開關電路，具4 多個開關元件，以串聯連接之狀態被設在信號路徑； 送線路，插入連接在多個開關元件之互相鄰接者之間 送線路之每一傳送特性相位變化量，和開關元件之 OFF 狀態之寄生電容所產生之反射特性相位變化量 計，在使用頻率上限值波長時，設定為相當於大約9 0 位變化之奇數倍。 若依照此構造，在使用頻率上限值波長時，經由開 件成為0 F F之信號路徑而泡漏之泡漏信號，和該汽漏 之反射信號成為大約1 8 0度之相位互異，兩個信號變 相抵銷。因此，在開關元件成為0 F F之信號路徑，可 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108333 之傳 寄生 稱為 忽視 小， 成使 成為 徑， t有： 和傳 ;傳 每一 之合 度相 關元 信號 成互 以充 7 1259656 分地獲得抑制洩漏特性。 另外，僅利用追加傳送線路之最小之零件數目增力α ，可 以使對Ο Ν狀態之插入損失之影響成為最小限度，並可以達 成改善0 F F狀態之抑制洩漏特性之目的。 上述之傳送線路之特性阻抗，係最好與輸入/輸出特性阻 抗同等。依照此種方式時，經由插入傳送線路，可以使附 加之插入損失成為最小限度。

在此處，為了使傳送線路之每一傳送特性相位變化量， 和開關元件之每一 OFF狀態之寄生電容所產生之反射特性 相位變化量之合計，在使用頻率上限值時，相當於大約9 0 度之奇數倍，最好調整傳送線路之長度。 另外，作為開關元件係使用例如場效電晶體、雙極電晶 體、或二極體等。 另外，在使用有如上述之開關元件之情況時，為了使傳 送線路之每一傳送特性相位變化量，和開關元件之每一 0 F F狀態之寄生電容之反射特性相位變化量之合計，在開 關電路之使用頻率上限值時，相當於大約9 0度之奇數倍， 除了上述方法外，亦可以調整開關元件之活性層面積、場 效電晶體之閘幅或雙極電晶體之射極大小。 另外，作為積體電路，該高頻率開關電路最好使開關元 件和傳送線路在半導體基板上形成一體。 另外，該高頻率開關電路亦可以構建成使開關元件在半 導體基板上形成一體，以作為積體電路，且傳送線路形成 在實裝有半導體基板之陶瓷基板或樹脂基板上，或傳送線 8 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108333

1259656 路形成在實裝有半導體基板之陶瓷封裝或樹脂封裝内， 關元件和傳送線路互相電連接。 另外，上述之傳送線路係由微條線路、共面導波路線 具有接地面之共面導波路線路、槽線备、具有接地面之 線路、懸置型微條線路、螺旋形狀條線路、蛇形狀條線鲜 金屬線之條線路、多層薄膜條線路、具有接地面之多層 膜條線路之任一個，或該等之組合構成。 依照以上說明，本發明之高頻率開關電路，係考慮到 開關元件之OFF狀態之寄生電容，使鄰接之該開關元件 之該傳送線路之每一傳送特性相位變化量，和0 F F狀態 該開關元件之每一寄生電容所產生之反射特性/相位變化 之合計，在開關電路之使用頻率上限值時，成為波長之 約1 / 4或其奇數倍，亦即，9 0度之奇數倍。 利用此種方式，當開關元件為OFF狀態時，以高頻率 關電路之使用頻率上限值之2倍之頻率值作為通過頻帶 而以此方式構成帶通型濾波器。其結果為在該高頻率開 電路之使用頻帶中，成為遮斷頻帶，其抑制洩漏特性， 較於沒有該傳送線路之情況，串聯連接之每一段可以改 約4〜8 d B。 另外一方面，當開關元件為ON狀態時，使傳送線路之 抗配合高頻率開關電路之輸入/輸出特性阻抗，藉由插入 送線路可以使所附加之插入損失成為最小限度。具體 言，可以將插入損失抑制為充分之數dB程度。 【實施方式】 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108333 開 槽 Λ 薄 該 間 之 量 大 開 關 相 善 阻 傳 而 9 1259656 下面參照圖式說明本發明之實施例。 (實施例1 ) 圖1為表示本發明實施例1之高頻率開關電路之構造的 示意立體圖。該高頻率開關電路實現單極雙投開關功能。 圖2為表示該高頻率開關電路之構造的電路圖。

在該高頻率開關電路中，開關元件1〜4，係與圖1 0所示 者相同，由分別形成在半絕緣性G a A s基板1 0上之4個場 效電晶體所構成。傳送線路1 1插入連接在開關元件1、2 之間，傳送線路1 2插入連接在開關元件3、4之間。 例如，開關元件1、2，係藉由控制端子3 5經由高電阻 元件5、6被施加零偏壓，藉此成為0 F F狀態。另外，開關 元件3、4，係藉由控制端子3 6經由高電阻元件7、8被施 加正偏壓，藉此成為Ο N狀態。利用此種方式，端子3 1 — 端子3 2間成為0 F F狀態，端子31 —端子3 3間成為Ο N狀 態。簡單而言，該高頻率開關電路被構建成使開關元件1〜4 和傳送線1 1、1 2在半導體基板1 0上一體形成，以作為積 體電路。 傳送線路1 1、1 2可以利用微條線路、共面導波路線路、 具有接地面之共面導波路線路、槽線路、具有接地面之槽 線路、懸置型微條線路、螺旋形狀條線路、蛇形狀條線路、 金屬線之條線路、多層薄膜條線路、具有接地面之多層薄 膜條線路之任一個，或該等之組合構成。 圖3表示端子31—端子32間為OFF，端子31—端子33 間為 ON之狀態時之高頻率開關電路之等效電路圖。圖 3 10 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108333

1259656 為將圖2之開關元件1、2、3、4替換成為電容21、 電阻23、24之等效電路圖。電容21、22相當於開關 1、2，電阻2 3、2 4相當於開關元件3、4。0 F F狀態之 元件 1、2之高阻抗成分，相較於在高頻率區域中與 2 1、2 2之阻抗，成為很大之值，所以視為開路狀態而 圖示 。 在此處，0 F F狀態之開關元件1、2顯示從數十Κ Ω Ω程度之高電阻值，但同時從構造觀之會殘留寄生電 另外一方面，Ο N狀態之開關元件3、4殘留有從數百π 數Ω之程度之電阻值。若變換來自控制端子3 5、3 6之 時，可以使開關元件1、2和開關元件3、4之Ο N / 0 F F才 在鄰接之開關元件1、2間，和開關元件3、4間， 述之方式，分別配置有傳送線路1 1、1 2。傳送線路1 : 係以與輸入/輸出之特性阻抗一致之方式調整線路幅^ 送線路1 1、1 2之線路長度被設定成使該傳送線路1 1 之傳送特性相位變化量和該寄生電容2 1、2 2之反射特 位變化量之合計，在高頻率開關電路之使用頻率上 時，成為大約9 0度。此種情況之該寄生電容2 1、2 2 生之反射特性相位變化量，被定義成以特性阻抗終結 容之一側，而從相反側看到之值。若替換成高頻率開 路之使用頻率上限值之波長時，該相位變化量合計相 大約1 / 4波長。 洩漏該寄生電容2 1之信號，大半被寄生電容2 2所J 利用往復使1 / 2波長相位旋轉，與以逆相洩漏之輸入 312XP/發明說明書(補件)/9^07/941083 3 3 22和 元件 開關 電容 不予 :至Μ 容。 1 Ω至 偏壓 目反。 如上 卜1 2 i。傳 、12 性相 限值 所產 該電 關電 當於 文射， 信號 11

1259656 合成，看起來傳送線路和寄生電容具有分路效果。利 種方式可以獲得抑制洩漏之效果。換言之，在0 F F側 子3 1 —端子3 2間構成有以開關電路之使用頻率上限仓 倍之頻率作為通過頻帶的濾波器，至開關電路之使用 上限值為止，成為該濾波器之遮斷區域，可以加強抑 漏之特性。 圖4表示使用頻率上限設為6 G Η z，有該傳送線路1 之情況和沒有之情況的插入損失和抑制泡漏之頻率特 模擬結果。曲線A 1、A 2分別表示沒有該傳送線路1 1 之情況時之插入損失和抑制洩漏之頻率特性。另外， B 1、B 2分別表示有該傳送線路1 1、1 2之情況時之插 失和抑制洩漏之頻率特性。在使用頻率之6 G Η z以下， 洩漏特性可以改善4〜5 d Β。 在圖3中，寄生電容2 1、2 2係例如0 . 1 8 p F。在圖 表示使一側以5 Ο Ω終結之狀態之0 . 1 8 p F之寄生電容 射特性相位變化。在頻率6 G Η z時觀察到大約3 8度之 變化。 另外，在圖1中，在厚度1 0 0 // m之背面接地面之鎵 板上，利用與輸入/輸出特性阻抗同為 5 Ο Ω之特性阻 微條線路，構成該傳送線路1 1、1 2。其線路幅度例如 /im，長度設定為2.6mm。圖6表示該傳送線路之每一 特性之相位變化特性。在傳送線路之長度為2 . 6 m m之 時，在頻率6 G Η z具有大約5 2度之傳送特性相位變化 利用上述之設定，該寄生電容之反射特性相位變化 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108333 用此 之端 •之2 頻率 制洩 1 > 1 2 性的 '12 曲線 入損 抑制 5中 之反 相位 砷基 抗之 為80 傳送 情況 〇 量和 12

1259656 該傳送線路之傳送變化量之合計為大約9 0度，亦即相 1 / 4波長。Ο Ν狀態之端子3 1 —端子3 3間之插入損失 於該傳送線路Π、1 2之導體損失、介電質損失所造成 失而劣化，但是其劣化值在6 G Η ζ下小至0 . 3 d Β。 另外，在上述實施例中為使用場效電晶體作為開 件，但是並不只限於此，亦可以使用雙極電晶體。 另外，在上述之實施例中，作為相位變化量之調整， 係採用調整傳送線路之長度的構造，但是亦可以採用 開關元件之活性層面積、場效電晶體之閘幅或雙極電 之射極大小，而調整寄生電容量之構造。 若依照本實施例，在使用頻率上限值波長時，通過 元件成為0 F F之信號路徑而洩漏之洩漏信號和該洩漏 之反射信號，成為大約1 8 0度之相位互異，兩個信號 互相抵銷。因此，可以充分獲得開關元件變成0 F F之 路徑之抑制洩漏特性。 (實施例2 ) 圖7為表示本發明實施例2之高頻率開關電路之構 示意立體圖。該高頻開關電路實現單極雙投開關功能 8為表示該兩頻率開關電路之構造的電路圖。 在該高頻率開關電路中，開關元件1 Ο 1〜1 0 8由被各 密封之P I N二極體所構成。在鉛基板1 0 0 (介電係數 上配置開關元件1 Ο 1〜1 0 8。在開關元件1 Ο 1〜1 0 8中之 鄰接者之間，分別配置傳送線路1 2 1〜1 2 6。在偏壓端·? 預先被施加正偏壓。該正偏壓係經由阻流線圈1 1 3施 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108333 當於 ，由 之損 關元 段， 調整 晶體 開關 信號 變成 信號 造的 〇圖 樹脂 9.6) 互相 1 35 力σ在 13 1259656 開關元件1 Ο 4。阻流線圈1 1 4係經由通孔1 1 8對開關元件 1 0 8施加零偏壓。

此時，當從控制端子1 3 6經由阻流線圈1 1 2對開關元件 1 Ο 1、1 0 5施加正偏壓時，開關元件1 Ο 1〜1 0 4變成0 F F，開 關元件1 0 5〜1 0 8變成Ο Ν。亦即，輸入端子1 3 1和輸出端子 1 3 2之間成為0 F F狀態，輸入端子1 3 1和輸出端子1 3 3之 間成為Ο Ν狀態。電容元件1 1 5、1 1 6、1 1 7切斷偏壓，只使 信號成分在輸入端子131與第1輸出端子132和第2輸出 端子1 3 3之間傳達。在此處，當從控制端子1 3 6經由阻流 線圈1 1 2對開關元件1 Ο 1、1 0 5供給零偏壓時，開關元件 1 (Π〜1 0 4變成Ο Ν，開關元件1 0 5〜1 0 8變成0 F F，輸入端子 131和第1輸出端子132之間變成ON，輸入端子131和第 2輸出端子1 33之間變成OFF。 如上述，在鄰接之開關元件1 0 1〜1 0 8之間分別配置傳送 線路 1 2 1〜1 2 6。該傳送線路1 2 1〜1 2 6之長度，與實施例 1 同樣地，該傳送線路之一的傳送特性相位變化量，和該開 關元件之一的OFF偏壓時之寄生電容之反射特性相位變化 量之合計，在高頻率開關電路之使用頻率上限值時，被設 定成為大約9 0度。段間之開關元件1 0 2、1 0 3，或開關元 件 1 0 6、1 0 7之0 F F狀態之寄生電容之反射特性相位變化 量，以單側接地狀態估計。端部之開關元件1 〇 1、1 〇 4或開 關元件1 0 5、1 0 8之0 F F狀態之寄生電容之反射特性相位變 化量之估計係使電容之一側經由特性阻抗成為接地狀態， 而從其相反側看者。 14 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108333

1259656 換言之，該高頻率開關電路使開關元件1 Ο 1〜1 Ο 8在半 體基板（晶片）上形成一體，以作為積體電路，且在實裝 半導體基板之陶曼基板上或樹脂基板上形成傳送線 1 2 1〜1 2 6，或在陶瓷封裝或樹脂封裝内形成傳送線 1 2 1〜1 2 6，構成為開關元件 1 (Π〜1 0 8與傳送線路 1 2 1〜1 電連接。 傳送線路 1 2 1〜1 2 6 可以利用微條線路、共面導波路 路、具有接地面之共面導波路線路、槽線路、具有接地 之槽線路、懸置型微條線路、螺旋形狀條線路、蛇形狀 線路、金屬線之條線路、多層薄膜條線路、具有接地面 多層薄膜條線路之任一個，或該等之組合構成。 圖9表示在有該傳送線路1 2 1〜1 2 6之情況時和沒有之 況時之插入損失及抑制洩漏之頻率特性的模擬結果。曲 C 1、C 2分別表示沒有該傳送線路1 2 1〜1 2 6之情況時之插 損失和抑制洩漏之頻率特性。另外，曲線D1、D 2分別表 有該傳送線路1 2 1〜1 2 6之情況時之插入損失和抑制洩漏 頻率特性。在使用頻率上限之6GHz時，抑制洩漏特性可 大幅地改善2 0 d B程度。 在圖 8中，開關元件 1 Ο 1〜1 0 4之殘留 0 F F寄生電容 0.2pF。另外，在厚度100//m背面接地面之紹基板上， 傳送線路 1 2 1〜1 2 6由微條線路構成，具有 5 Ο Ω之特性 抗。由此，微條線路之線路幅度為 1 1 8 // in，其長度 3 . 2 m m。Ο N狀態之插入損失由於該傳送線路之導體損失 介電損失所造成之損失而劣化，但是其劣化值在6 G Η z下 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108333 導 有 路 路 26 線 面 條 之 情 線 入 示 之 以 為 該 阻 為 小 15 1259656 至Ο . 5 d B程度。 若依照本實施例，在使用頻率上限值波長時，通過開關 元件成為OFF之信號路徑而洩漏之洩漏信號和該洩漏信號 之反射信號，成為大約1 8 0度之相位互異，兩個信號變成 互相抵銷。因此，可以充分獲得開關元件成為0 F F之信號 路徑之抑制洩漏特性。

另外，在上述之實施例中，作為相位變化量之調整之手 段，可以採用調整傳送線路之長度的構造，或調整作為開 關元件之二極體之活性層面積，藉以調整寄生電容量之構 造的任一種。 本實施例1、2具有單極雙投開關功能，但同樣地，對於 使開關元件多個串聯所形成之雙極雙投開關、或單極單 投、單極三投以上之多極開關、多極多投之矩陣開關，與 本實施例同樣地，亦可適用本發明。 (產業上之可利用性） 本發明在無線L A N網路裝置、無線電話、E T C (不停止自 動繳費系統:electronic toll col lection system)、行動 電話等之微波無線通信裝置/終端機，和微波前端電路中， 係可使用作為開關電路以用於例如發訊/收訊之變換、依照 天線分散之天線選擇、和多頻帶構造中之濾波器變換、或 振盪器變換等。 另外，在半導體基板上積體化成一體之開關電路中，特 別是在需要處理5GHz以上之微波之情況時，本發明之可利 用性很高。另外，在將半導體晶片組裝在陶瓷基板或 16 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108333 1259656 LTCC(4氐溫燒成陶曼·’ Low Temperature Co-fired Ceramics) 基板之開關電路中，特別是在需要處理5 G H z以上之微波之 情況時，本發明之可利用性很高。 【圖式簡單說明】 圖1為表示本發明實施例1之高頻開關電路之構造的示 意立體圖。 圖2為表示本發明實施例1之高頻率開關電路之構造的 電路圖。

圖3為本發明實施例1之高頻率開關電路之等效電路圖。 圖4為表示本發明實施例1之插入損失特性和洩漏損失 特性之計算值的圖式。 圖5為表示圖1之實施例1之開關元件為OFF之情況時 之寄生電容之相位特性的圖式。 圖6為表示圖1之實施例1之傳送線路之相位特性的圖 式。 圖7為表示本發明實施例2之高頻率開關電路之構造的 示意立體圖。 圖8為表示本發明實施例2之高頻率開關電路之構造的 電路圖。 圖9為表示在本發明實施例2之高頻率開關電路中，在 有傳送線路和沒有傳送線路之情況時之插入損失特性和抑 制泡漏特性的圖式。 圖 1 0為表示習知之單極雙投型之高頻率開關電路之構 造的電路圖。 17 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108333 1259656 圖1 1為圖1 0之高頻率開關電路之等效電路圖。 【主要元件符號說明】

1〜4 開 關 元 件 5、ί 5、7、8 電 阻 元 件 10 基 板 1卜 12 傳 送 線 路 21、 22 電 容 23 ^ 24 電 阻 31、 32 > 33 端 子 35 > 36 控 制 端 子 1 0卜 108 開 關 元 件 112 、1 1 3、 114 阻 流 線 圈 115 、1 1 6、 117 電 容 元 件 118 通 孔 1 2卜 -126 傳 % %/ 迗 線 路 131 >132^ 1 33 輸 出 端 子 1 35 ^136 偏 壓 端 子 312ΧΡ/發明說明書(補件)/94-07/94108333 18

Claims (1)

1259656 十、申請專利範圍： 1 . 一種高頻率開關電路，其特徵為，具備有：多個開關元 件，以串聯連接之狀態被設在信號路徑；和傳送線路，插 入連接在上述多個開關元件之互相鄰接者之間；上述傳送 線路之每一傳送特性相位變化量，和上述開關元件之每一 〇F F狀態之寄生電容所產生之反射特性相位變化量之合 計，在使用頻率上限值波長時，相當於大約9 0度相位變化 之奇數倍。

2.如申請專利範圍第1項之高頻率開關電路，其中，上 述傳送線路之特性阻抗與輸入/輸出特性阻抗同等。 3 .如申請專利範圍第1項之高頻率開關電路，其中，上 述開關元件係由場效電晶體、雙極電晶體、或二極體所構 成0 4. 如申請專利範圍第1項之高頻率開關電路，其中，調 整上述傳送線路之長度，用來使上述傳送線路之每一傳送 特性相位變化量，和上述開關元件之0 F F狀態之每一寄生 電容所產生之反射特性相位變化量之合計，在使用頻率上 限值時，相當於大約9 0度之奇數倍。 5. 如申請專利範圍第3項之高頻率開關電路，其中，調 整上述場效電晶體、雙極電晶體或二極體之活性層面積、 上述場效電晶體之閘幅或上述雙極電晶體之射極大小，用 來使上述傳送線路之每一傳送特性相位變化量，和上述開 關元件之0 F F狀態之每一寄生電容所產生之反射特性變化 量之合計，在使用頻率上限值時，相當於大約9 0度之奇數 19 312XP/發明說明書(補件)/94-07/94108333 1259656 倍。 6 .如申請專利範圍第1項之高頻率開關電路，其中，上 述開關元件和上述傳送線路在半導體基板上形成一體，以 作為積體電路。

7.如申請專利範圍第1項之高頻率開關電路，其中，上 述開關元件在半導體基板上形成一體，以作為積體電路， 且上述傳送線路形成在實裝有上述半導體基板之陶瓷基板 或樹脂基板上，或形成在陶瓷封裝或樹脂封裝内，上述開 關元件和上述傳送線路互相電連接。 8.如申請專利範圍第1項之高頻率開關電路，其中，上 述傳送線路係由微條線路、共面導波路線路、具有接地面 之共面導波路線路、槽線路、具有接地面之槽線路、懸置 型微條線路、螺旋形狀條線路、蛇形狀條線路、金屬線之 條線路、多層薄膜條線路、具有接地面之多層薄膜條線路 之任一個，或該等之組合構成。

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