TWI259308B - Liquid-crystal display device and method of fabricating same - Google Patents

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1259308 五、發明說明（1) 【發明背景】 1 · 發明領域 本發8月# Μ 其關於一種由、Ξ於一種液晶顯示器（LCD)襄置。本發明尤 合於上基板所釆了液晶於下基板上且藉由密封構件將其貼 土极所开）成的LCD裝置及其製造方法。 2 ·相關技藝之說明 方、去m所週知的lcd裝置之製造方法為「直*、、主入 方法與「滴下貼合」方法。 勹具工主入」 藉由「直介、、士 λ ^ 板）藉由具有、注法，一對基板（亦即，下與上基 合的基板遭受$ ^ Φ 、…、固性树脂所形成。隨後，所貼 然後1:::硬化該構件的熱處理，形成-空單元。 翠元内外部間之壓力差經由注入孔而注入 $傻，封閉注入孔，造成lcd單元。 即，下鱼上：板)猎葬者ώ 一滴下貼合」方法’在-對基板(亦 「，、上I扳）猎由密封 一矩形框狀密封構件於下美 、口；一起之前，形成 構件内部的下基板上。、密^且所期望的液晶滴入密封 形成。隨後，下與上基=外(υν)固化樹脂所 到用以硬化構件的UV光照：由；=件Λ貼^ 預先滴至下美柘Κ糾、 k成LCD早π。因為液晶已 藉著「·真空注入」方法，二：此狀恶中填入早兀。 液日日因壓力差而注入空單 第6頁 1259308 五、發明說明（2) " " " —* 元因而’隨著L C D面板之尺寸增加會發生下列問題。

士 具體言之，當此方法應用於大尺寸LCD面板之製造 0守，（i )液晶難以如期望般達到遠離注入恐之位置、（丨土） 元成液日日之真空注入製程耗時、以及（i丨丨）注入 能發生顯示不均勻。 T迎J 另一方面，此等問題（i)至（i i i)可在「滴下貼合」方 法中解決，因此，此方法從未實際用來製造大尺寸1(：1)」面 板。然而，本發明人發現此方法具有下列問題或缺點。 一圖1至3係分別顯示典型的LCD面板之下基板。圖4係 示沿著圖3中之線IV- I V之剖面。 1 4 η下基板丨丨〇 1之表面分隔成一位於中央部的矩形顯示部 01、一環繞顯示部1401的矩形框狀之周緣部14〇2、以及 一位於周緣部1 402以外的端子形成部14〇3。在顯示部14〇1 中，像素11 09排列成一矩陣陣列。在周緣部14〇2中，形成 有一密封構件1201、閘極線11〇3、汲極線11〇5、以及導 擋光構件1106。在端子形成部1 403中’形成有閘極端子 1102、汲極端子11〇4、以及共用端子111〇。 閘極線11 03使像素11 09與閘極端子11〇2交互連接。 極線1105使像素1109與汲極端子11〇4交互連接。擋光構件 1106使共用端子mo彼此交互連接。擋光構件11〇6具有阻 播或遮蔽外界光進入顯示部丨4 〇丨之功能以及供應共用電壓 至上基板1301上的共用電極13〇3之功能，如圖4所示。具 有矩形框之形狀的密封構件1201形成為重疊於在周緣部、 1 402中的閘極與汲極線1103與1105以及擋光構件ιι〇6。

第7頁 1259308 五、發明說明（3) 下基板11 0 1藉由密封構件1 2 〇 1貼合於上基板1 3 〇 1，使 得小間隙形成於基板1 1 〇 1與1 3 〇 1間，如圖4所清楚顯示。 液晶層1 2 0 3形成於基板11 〇 1與1 3 〇 1間之間隙中。介電質層 1107形成以覆蓋下基板之表面。 在LCD面板之製造順序中，在貼合基板丨丨〇丨與丨3〇丨之 後U V光照射至密封構件1 2 〇 1，藉以硬化構件1 2 〇 1。在此程 序中，如圖4所示，具有所期望的圖案15〇2之uv曝光遮罩 1 5 0 1以一特定的間隙放置於下基板丨丨〇丨下方，然後，光 經由遮罩1501向上照射。本發明人發現密封構件12〇1不如 此製程所期望般地接收光，因為uv光部分被擋光構件11〇6 阻播。UV光對於構件1 2 〇 1不夠充分的照射會導致構件丨2 〇 i 固化樹脂之若干組成進入液晶層12〇3，造成有缺陷的 品質。尤其，在擋光構件11 06沿著密封構件1201延伸而幾 乎完全重疊於構件丨2〇1之位置處此問題會更顯著，如圖3 所示。 再 11 0 6 以 於密封 附近會 之尺寸 1106 並 不久的 而於較 的硬化 者，照射 及閘極與 構件1 2 0 1 減少。近 與解析度 且線1103 將來，UV 廣的範圍 至密封構件1201的UV光部 汲極線1103與1105的阻擋 的照射量在構件11 06以及 年來，線1103與1105之間 之增加而傾向愈來愈窄， 與11 05皆會更多地影響照 光對於構件1201之照射量 内變動。此導致構件1 2 〇 1 分受到擋光構件 。因而，UV光對 線1 1 0 3與11 〇 5之 隔隨著LCD裝置 因此，不僅構件 射量。結果，在 將因著位置不同 之材料之不均句

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均 應 能 此 倘若移除擋光構件nnR ai ^ 勾的硬化之問題可幾乎被解：在；：子：構件之不 至上基板1301上的 =:而，共用電麼不能供進入顯示部_中，而：二電；1 303，同時，外界光可 ，構件1106之移除不切^起有缺陷的顯示操作。因 【發明概 據此 造方法， 現約略均 本發 法，改善 本發 法，確保 熟悉 具體指出 依據 包含： (a) 一第 部； 述】 ，本發明 允許密封 勻的硬化 明之另一 顯示特徵 明之又一 下與上基 此項技藝 之其他目 本發明之 之目的在於提供一種LCD裝置及其製 構件之材料充分地接收硬化光，藉以實 而無須移除擋光構件。 目的在於提供一種LCD裝置及其製造方 〇 目的在於提供一種LCD裝置及其製造方 板間之單元間隙之均勻性。 之人士從下文之說明可更明瞭前述與未 的。 第一態樣，提供一種LC])裝置。該裝置 基板’具有一顯示部與一環繞該顯示部之周緣 忒周緣部包括有一密封構件、從該顯示部延伸出的複 数條配線、以及複數個導電擋光構件； 第一基板’貼合於该第一基板；以及 (c)—液晶層’形成於該第一基板與該第二基板間；

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1259308 五、發明說明（5) 件所二：晶層係由該第-基板、該第二基板、與該密封構 數個封成為重疊於該複數條配線與該複 數個擋光構件之對於，條配線及該複 的2 5 %或更大。 且品域等於该岔封構件每單位面積 型成發：Γ態樣之LCD裝置，該密封構件係 密封構件；於配線與該複數個擋光構件，使得該 疊區域等該複數個撐光構件之-非重 果，顯不移除該複數個擋光構件。結 在依據本發明第一態樣之裝置之一較 於該複數條配線與該複數個擋光構件之ϊ 域。該複數個非重疊區域糊_或更少之 在依據本發明第一態樣之裝置之另一較實 冓件中之一個位於該顯示部之-角落二 個孔；心：21冓件之位置處具有複數個穿透孔。該複數 個孔係/α者该岔封構件排列。 另-組之間且在^I於” # ί ί條配線之一組與其 且於4岔封構件之位置處具有複數個穿 第10頁 1259308 五、發明說明（β) 透孔。該複數個孔係沿 在依據本發明第一 該複數個擋光構件中之 疊於該密封構件之位置 係沿著該密封構件排列 者5亥禮、封構件排列。 態樣之裝置之再一較佳實施例中， 一個係沿著該密封構件伸長且在重 處具有複數個穿透孔。該複數個孔 在依 該複數條 該複數條 排列。該 第二寬度 在依 中，一相 件在重疊 在依 中，該複 形成以界 依據 法。該方 (a) 形成 周緣部， 該周 及複數個 (b) 形成 (c) 滴下 據本發 配線從 配線之 複數條 並以大 據本發 對擋光 於該密 據本發 明第， 該顯示部向外延 第一 態樣之裝置之更一較佳 伸以重疊於該 第一寬度並以 具有大於該第 實施例中， 密封構件。 一第一間距 一寬度的一 列0 佳實施例 相對擋光構 透孔。 佳實施例 個穿透孔係 組具有一 配線之一第二組 於該第一間距的 態樣之裝 成於該第 之位置處 態樣之裝 中之至少 明第一 構件形 封構件 明第一 數個擋光構件 定一游標尺。 本發明 法包含 一第一 一第二間距排 置之更又一較 二基板上。該 具有複數個穿 置之又另一較 一個之該複數 之第二態樣，提供一種LCD裝置之製造方 下列步 基板 緣部包括有從 導電擋光構件 一密封構件在 一液晶於社结 具有一顯示部與一環繞該顯示部之 該顯示部延伸出的複數條配線，以 a亥苐'一基板之周緣部中； 一基板上，由該密封構件所環繞的

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五、發明說明（7) 區域内； :一第二基板於該第-純，以限制該液晶於由， ^基板、該^基板、與該密封構件所界^的^間^ (Ο ΐί照Ϊ特定光至該密封構件而硬化該密封構件，· 數個擋光構件， If二於遠後數條配線與該複 數個擋光丄ί ;重對於該複數條配線與該複 的25%或更大 ㈣…於該密封構件每單位面積 藉著依據本發明第二態樣之L(：d裝置之 然製造出本發明第一態樣之L(：d裝置。 / ，”、、員 在依據本發明第二態樣之方 數個擋光構件具有複數個穿 針’該複 件之位置虛。田、，* 排列在重豐於該密封構 板照射至該密封構件。 苒仵之孩先係經由该第一基 在依據本發明繁-能採 該第二基板包括—相；Π :法之另：較佳實施例中， 位置處具有複數個穿透I 牛，在重璺於該密封構件之 經由該第二基板照射至該密封=化該密封構件之該光係 依據本發明之第二能 置包含： 一〜…，提供另一種LCD裝置。該裝 (a) —第一基板，且古一 e _ 部； /、有一顯示部與一環繞該顯示部之周緣 在封構件、從該顯示部延伸出的複

第12頁 該周緣部包括有一 1259308 五、發明說明（8) 數條配、以及複數個導電擋光構件； (b) —第二基板，貼合於該第一基板·以及 C 液曰曰層，形成於該第一基板與該第二基板間； f液晶層係由該第一基板、該第二基板、與該 件所界定； π Η再 、—其中該密封構件係形成為從重疊於該複數條配線與該 ，數個擋光構件，使得該密封構件對於該複數條配線與該 複數個擋光構件之複數個非重疊區域規律地排列； 並且其中該複數個非重疊區域以8 0 // m或更少之間隔 彼此分離。 / 、藉著依據本發明第三態樣之LCD裝置，該密封構件係 形j為從重疊於該複數條配線與該複數個擋光構件，使得

該密封構件對於該複數條配線與該複數個擋光構件之 Z 個非重豐區域規律地排列。因而，有效地防止或抑 σ 一 間隙不均勻性。 市』早兀 再者，由於該複數個非重疊區域以80 或更少之 隔彼此分離，故用以硬化該密封構件的該光充分地照曰 該密封構件。因此，防止由該密封構件之成分之侵 、= 成之有缺陷的顯示操作。 所^ 依據本發明之第四態樣，提供另一種LCD裝置。▲ 置包含： 。該裝 (a) 部； 一第一基板，具有一顯示部與一環繞該顯示部之周緣 光構 該周緣部包括有一密封構件，以及複數個導電挣

第13頁 1259308 五、發明說明（9) 件； (b) —第 (c) 一液 該液 件所界定 其中 使得該複 重疊於該 並且 離。 藉著 形成為重 具有複數 置處。因 再者 離，故用 件。因此 陷的顯示 在依 中，一相 件具有對 疊區域係 在依 例中，一 ^基板，貼合於該第一基板；以及 曰:層’形成於該第一基板與該第二基板間； 晶層係由該第一基板、該第二基板、與該密封構 该密封構件係形成為重疊於該複數個擋光構 $個擋光構件具有複數個穿透孔，規律地排 也、封構件之位置處； 其中邊複數個孔以8 〇 # m或更少之間隔彼此分 依據本發明第 疊於該複數個 個穿透孔，規 而，有效地防 ，由於該複數 以硬化該密封 ’防止由該密 操作。 據本發明之第 對擋光構件形 於密封構件之 規律地排列。 據本發明第三 相對擋光構件 四態樣之LCD裝置，該密封構件係 擋光構件，使得該複數個擋光構件 律地排列在重疊於該密封構件之位 止或抑制單元間隙不均勻性。 個孔以80 # m或更少之間隔彼此分 構件的該光充分地照射至該密封構 封構件之成分之侵入所造成之有缺 三或第四態樣之裝置之較佳實施例 成於該第二基板上。該相對擋光構 複數個非重疊區域。該複數個非重 或第四態樣之裝置之另一較佳實施 形成於邊第二基板上。該相對擋光

1259308 五 發明說明（1G) 構件覆蓋該密封構件之全部。 在依據本發明第三或第四態樣之裝置之又另一較佳實 施例中，一相對擋光構件形成於該第二基板上。該相重^ 光構件沒有覆蓋該密封構件之全部。 δ 在依據本發明第三或第四態樣之裝置之更一較佳實於 U中’一相對擔光構件形成於該第二基板上，以重疊於琴 岔，構件。該擋光構件伸入該第二基板與該密封構件之二 重疊區域達一特定的寬度X。該寬度X滿足a ^ χ ^ 2 關係，此處a係該第一與第二基板間之一單元間隙。 依據本發明之第五態樣，提供又另一LCD裝置。該穿 置包含： μ衣 (^); -第-基板’具#一顯示部與一環繞該顯示部之周緣 (b) 該周緣部包括有一密封構件； 一第二基板，貼合於該第一基板； (c) 該第二基板包括有_相對導電擋光構件；以 一液晶層，形成於該第一基板與該第二 該液晶層係由該第一美姑兮筮_ υ 板間， 件所界定； 土板°亥第一基板、與該密封構 f中該密封構件形成為重疊於該 该岔封構件對於該相對柃伞接从 田九構件，使付 地排列； ㈣先構件之複數個非重疊區域規律 並且其中該複數個非重聂 彼此分離。 且&成乂80 # 111或更少之間隔

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五、發明說明(11) 藉著依據本發 成為重疊於該第二 構件與該相對擋光 因而，有效地防止 再者，由於該 間隔彼此分離，故 至該密封構件。因 造成之有缺陷的顯 依據本發明之 置包含： (a) —第一基板， 部； CD敦置，該密封構件形 :上之该相對擋光構件，使得該密封 牛之複數個非重叠區域規律地排列。 或抑制單元間隙不均勻性。 ΐ數個非重疊區域以之80 _或更少之 用以硬化該密封構件之該光充分地照射 在，防止由该密封構件之成分之侵入所 示操作。 第/、恶樣，提供再一種LCD裝置。該裝 具有一顯示部與一環繞該顯示部之周緣 該周緣部包括有一密封構件； (b) —第二基板，貼合於該第一基板； 該第二基板包括有一相對導電擋光構件；以及 (c) 二液晶層，形成於該第一基板與該第二基板間； 件所晶層係由該第一基板、該第二基板、與該密封構 〜、其中該密封構件係形成為重疊於該相對擋光構件，使 知複數個穿透孔規律地排列於該相對擋光構 件之複數個重疊區域中； *封構 並且其中該複數個孔以8 〇 // m或更少之間隔彼此分 離。 藉著依據本發明第六態樣之LCD裝置，該密封構件形

第16頁 1259308 五、發明說明（12) 成為重疊於該第 個穿透孔規律地 數個重疊區域中 因而，有效 再者，由於 離，故用以硬化 件。因此，防止 陷的顯示操作。 在依據本發 中，該第一基板 二基板上之該相對擋光構件，使得該複數 排列在該相對擋光構件與該密封構件之複 〇 地防止或抑制單元間隙不均勻性。 ίίί:孔以80 _或更少之間隔彼此分 δ: 構件之該光充分地照射至該密封構 由以搶封構件之成分之侵入所造成之有缺 複數個擋 於該密封 播光構件 在依 施例中， 依據 置包含： (a) —第 部； 該周 光構件 構件。 之複數 據本發 該相對 本發明 明第五或第 包括從該顯 。該複數條 該密封構件 個非重疊區 明之第五或 擒光構件係 之第七態樣 基板 =態樣之裝置之較佳實施例 示部延伸出的複數條配線以及 配線與該複數個擋光構件重疊 對於該複數條配線與該複數個 域係規律地排列。 第六態樣之裝i之另一較佳實 由一有機材料所形出 ，提供更-獅裝成置。該裝 ，具有一顯示部與一環繞該顯示 括有一密封構件； 部之周緣 貼合於該第一基板 對導電播光構件；以及 一基板與該第二基板間； 板、該第二基板、與該密封 (b) —第二

第17頁 相 形成於該第 1259308

件所界定； 其中該相對擔光構件不位於該第二基板 之一重疊區域中。 /在封構件 藉著依據本發明第七態樣之LCD裝置，唁 =該相對標光構件不位於該第二基板與該密封構H板—上 豐區域中。因而，有效地防止或抑制單元間隙不均重 依據本發明之第八態樣，提供又再一種LC]) —。 ° 裝置包含： < 1 该 2). 一第一基板，具有一顯示部與一環繞該顯示部之周緣 該周緣部包括有一密封構件； (b) —第二基板，貼合於該第一基板； 該第二基板包括有一相對導電擋光構件；以及 (c) 一液晶層，形成於該第一基板與該第二基板間； 讀液晶層係由該第一基板、該第二基板、與該密封 件所界定； 其中該相對播光構件係伸入該第二基板與該密封構件 之一重疊區域達一特定的寬度X ; 並且其中該寬度X滿足a ^ X $ 2a之關係，此處&係 該第一與第二基板間之一單元間隙。 藉著依據本發明第八態樣之LCD裝置，該第二基板上 的該相對擋光構件伸入該第二基板與該密封構件之該重叠 區域達該特定的寬度X，此處a $ X S 2a。因而，有效 地防止並抑制單元間隙不均勻性以及外界光漏逸。 1259308 五、發明說明（14) 在依據本發明第七或第八態樣之 中，該相對擋光構件係由一有機材料^^較佳實施例 在依據本發明第三至第八態樣中任」能样 佳實施例，一有機層形成於該第一基心，之裝置之較 該密封構件。 吏之不重疊於 在依據本發明第三至第樣中任— 一較佳實施例中，該裝置係屬於水平電尸g:之政置之另 依據本發明之第九態樣，提供—種^D 法。該方法包含下列步驟： 、之製造方 u)形成一第一基板，具有—顯示 周緣部； 衣、、凡5亥顯示部之 以 、月緣cr卩包括有從該顯示部 及複數個導電擋光構件；丨（伸出的複數條配線 ⑻=成-密封構件在該第一基板 =-液晶於該第-基板上，在由該密封構件環繞的 (第d)- ί:工基η-基板，以限制該液晶於由該 以及 第一基板、與該密封構件所界定的空間中； ()3 Κ 3特定光至該密封構件而硬化該密封構件； 數個擋光ίΞ封ϊίίϋ成為重疊於該複數條配線與該複 數個擔光構件之封構件對於該複數條配線與該複 並且1φ▲硬數個非重叠區域係規律地排列； ^ ’、及複數個非重疊區域以8 0 # m或更少之間隔 1259308 五、發明說明（15) 彼此分離 藉著依據本發明第九態樣之Lcd梦 然製造出本發明第三態樣之LCD裝置。、 •造方法，顯 在依據本發明第九態樣之方法 數個擔光構件具有複數個穿透孔，H 5例中，該複 件之位置處。用以硬化該密封構件 豐於該密封構 照射至該密封構件。 以光經由該第一基板 依據本發明之第十態樣，提佴 造方法。該方法包含下列步驟供又另一種LCD裝置之製 (a)形成一第一基板，具有一 周緣部； ’、/、邛與一環繞該顯示部之 (:)=一”構件在該第一基板之周緣部中； C c)滴下一液晶於該第一基板上， 的區域内； 在由该役封構件所環繞 =基板、該第二基板、與該密封構件:===該 (f )藉由照射特定光至該密 其中該密封構件形成為硬化該密封構件； 該相對擋光構件與該密•"冓：：：相對擋光構件，使得 地排列； 構件之複數個非重疊區域係規律 並且其中該複數個非曹矗 彼此分離。 且品域以8 0 # m或更少之間隔 第20頁 1259308 五、發明說明（16) 藉著依據本發明第十態樣之LCD裝置之製造方 然製造出本發明第五態樣之Lcd裝置。 貝 ，在依據本發明第十態樣之方法之較佳實施例中， 對ίΐ?件具有複數個穿透孔’ #列在重疊於該密封;冓： 之位置處。用以硬化該密封構件的該光係 照射至該密封構件。 田巧第一基板 康▲本發明之第十一態樣’提供更一種lcd裝置 L方法。该方法包含下列步驟： 、 -第-基板’ *有一顯示部與一環繞該顯示部之 一也、封構件在該第一基板之周緣部中； 了液晶於該第一基板上，在由該密封構件所環繞 :相對導電擋光構件於該第二基板上. -基板，制該液晶於由該 /第一基板、與該密封構件所界定之空間中； J1"寺定光至該密封構件而硬化該密封構株· =^封構件形成為不重疊於該相， 本發明第十'態樣之LCD裝置之製;構件： 出本發明第七態樣之LCD裝置。“方法’ (a) 形成 周緣部； (b) 形成 (c) 滴下 的區域中 (d) 形成 (e )貼合 第一基板 以及 (f)藉由 其中 並且 藉著 顯然製造 【較佳實施例之詳細說明 1259308 五、發明說明（17) 下文將參照附圖詳細說明本發明之較佳實施例。 第一實施例 茲參照圖1至8說明依據本發明第一實施例之LCD裝置 如下，其中本發明應用於扭轉向列（Twiste(j Nematic， TN)型LCD裝置。 一如圖5與6所示，依據第一實施例之LCD裝置之LCD面板 包含一矩形下基板101、一矩形上基板3〇1、以及一由基板 101與301所夾住的液晶層2〇3。下基板藉由密封構件 201貼合於上基板3〇1，使得小間隙形成於基板丨〇1與3(Π 間’如圖6所示。液晶填入間隙中且由構件2〇 1限制住，形 成液晶層2 0 3。 下基板1 0 1之表面分隔成一位於中央部的矩形顯示部 401、一位於基板1〇1之周圍以環繞顯示部4〇1的矩形框狀 周緣部402、以及一位於周緣部4〇2以外的矩形框狀端子形 成部4 0 3。密封構件2 〇 1位於周緣部4 〇 2中。 在顯示部401中，如圖7至9所示，像素1〇9排列成矩陣 陣ft。掃描線111係以特定的間距沿著下基板1 0 1之縱轴 (沿著圖7至9中之水平方向）形成。信號線丨丨2係垂直於下 基板101之縱軸（沿著圖7至9中之垂直方向）以特定的 延伸。 包 如圖10所示’每一像素包含一像素電極121與一 關電晶體，具有一半導體島部122、一閘極電極丨23、— ^ 極電極1 2 4、以及一汲極電極1 2 5。由圖案化透明導電膜所、 形成的像素電極1 21位於由掃描線1 11與信號線丨丨2所定義

第22頁 1259308 五、發明說明（18) 的區域中。半導體島部1 22經由閘極介電質形成於閘極電 極1 23上方。閘極電極123連接至對應的掃描線111。源極 電極1 2 4連接至像素電極1 2 1與半導體島部1 2 2。汲極電極 1 2 5連接至半導體島部1 2 2與對應的信號線1 1 2。 在周緣部402中，除了密封構件201以外，形成有閘極 線103、汲極線1〇5、導電擋光構件l〇6a、106b、與106c、 以及導電傳輸部2 0 2。 在端子形成部403中，形成有閘極端子1〇2、汲極端子 1 04、以及共用端子11 〇。閘極端子丨〇2位於基板丨〇ι之左 側。 汲極端子1 〇 4位於基板1 0 1之上側。共用電極丨丨〇位於 基板101之上與左側。如圖7與8所示，閘極線1〇3使閘極端 子102與掃描線ill交互連接。汲極線丨使汲極端子1〇4與 信號線11 2交互連接。

如圖6之剖面圖所清楚顯示，介電質層丨〇 7形成於下基 板101上以覆蓋閘極線1〇3、汲極線丨〇5、以及擋光構件 l〇6a、l〇6b、與l〇6c。在上基板3〇1上，相對擋光構件3〇2 形成為沿著周圍的密封構件2 〇 1延伸。因此，構件3 〇 2係呈 矩形框狀。相對共用電極3〇3形成於基板3〇1上以覆蓋構件 3〇2胃。晶格狀黑矩陣（未圖示）形成於基板3〇ι上由構件3〇2 所％繞的區域中且相對於下基板丨〇 1之顯示部4 〇 1。構件 3〇2係相對於下基板1〇1之擋光構件1〇6&、1〇6b、與。 下與上基板101與3〇1藉著密封構件2〇1貼合於一起， 而間隙部204散佈於基板1〇1與3〇1間之液晶層2〇3中。導電

第23頁 1259308 、發明說明（19) 傳輸部202形成以橋接基板1Q1與3Q1。每一傳輸部202之— 端固定於下基板101上的擋光構件丨〇6a、1〇6b、或1〇6(：且 另一端固定於上基板301上之相對共用電極3 03。傳輸部 2 Y 2用以供應共用電壓至共用電極3 0 3。由銀膠或類似者所 ^成的傳輸部2 〇 2位於密封構件2 〇 1之外，在周緣部4 〇 2 中。

為了減少閘極線103與汲極線1 〇5之電阻，此等線丨〇3 與1〇5之寬度增加。此時，此等線1〇3與1〇5之間距適當地 增加。此係因為寬度增加使線丨〇 3與1 〇 5之間距變窄，結 果，用以硬化密封構件2〇1的uv光更難以穿透周緣部4〇2。 如圖7所示，位於下基板1〇1之左上角（亦即，a部分） 的擋光構件106a使靠近閘極端子1〇2的共用端子11〇交互$ 接於靠近汲極端子104的共用端子11〇。構件1〇6a具有一务 形的矩形平面形狀。為了促進uv光照射至密封構件2〇1， 矩形孔601形成以穿透構件1〇6&。孔6〇1規律地沿著密 件2〇1iL形部份排列，以重疊於密封構件2〇1。傳輸部2〇〗 之-端連接於構件106a，不重疊於密封構件2G1 202位於構件201以外。 别1 組汲極端子1 〇 4及其 ’ b部分）。構件1 〇 6 b 共用端子110彼此交

如圖8所示，擋光構件i〇6b位於一 結合組的没極端子1 〇 4間之位置（亦即 使形成於結合組的沒極端子1 〇 4附近的 互連接。 ' 封構

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地沿著密封構件201之延長部份排列，以重 2〇1。傳輸部202之一端係連接至構件mb，不重疊於構^封 構件201。傳輸部202位於構件2〇1以外。 圖8所示的擋光構件10讣亦排列於其他兩位置；一為 下基板101之上側而另一為下基板1〇1之左側。因而，構 1 0 6 b之總數為三。 如圖9所示，擋光構件106c形成為沿著基板1〇1之下盘 右側從基板1〇1之左下角延伸至其右上角，包括有c部分;、 因=，構件106c具有約呈L字母的形狀。構件1〇6c使左側 上靠近閘極端子1 02的共用端子丨丨〇與上側上靠近汲極端子 104的共用端子11〇交互連接。為了促進叮光照射至密封構 件201，矩形孔601形成為穿透構件1〇6c。孔6〇1係規律地 沿著密封構件201之L形部份排列，以重疊於密封構件 201。在六個傳輸部202中之每一個之一端連接至構件 106c，不重疊於密封構件2〇1。所有傳輸部2〇2位於 201以外。 擋光構件106a、106b、與1〇6C經由對應的導電傳輸部 202連接於上基板301上的相對共用電極3〇3，如圖6所示。 因此，共用電壓經由傳輸部202供應至共用電極3〇3、構 106a、l〇6b、與106c、以及共用端子u〇。 如前所述，具有矩形框形狀的密封構件2〇1形成以重 疊於閘極線1 0 3、汲極線1 〇 5、共用線丨丨〇、以及擒光構 106a 、 l〇6b 、與106c 。 田 在第一實施例之LCD面板中，應用適當的手段於閘極

1259308 五、發明說明（21) 線1 0 3、汲極線1 0 5、以及擋光構件1 0 6 a、1 0 6 b、與1 0 6 C之 形狀與佈局圖’藉以控制U V光之傳輸面積為密封構件2 〇 1 之總佔據面積的25%或更寬。 再者，孔6 0 1之間隔設係設定為8 〇 # m或更少。 此等限制之理由如下。 具體吕之’本發明人發現當照射至構件2 〇 1的u v光量 每單位面積設定為1 5 0 0 mJ/cm2或更大時，密封構件2〇1之 U V硬化樹脂元全硬化。在考慮邊際下，他們發現需要2 〇 〇 〇 mJ/cm2或更大以達成此目的。

每單位面積UV光照射至密封構件2〇1之有效量為每單 位面積uv光照射之總量與每單位面積孔601之開口率之乘 積0

為了硬化密封構件201之材料’每單位面積uv光昭射 至構件201之量最少為2000mJ/cm2便足夠。因而，即使每 單位面積開口率不足夠，此問題仍能藉由增加ϋν光之量而 解決。然而，在此例子中，較佳者為每單位面積”光照射 至構件201之量為8000 mJ/cm2或更少，以防止硬化時間更 2且抑制基板1 〇 1或3 〇 1之溫度上升。結果，本發明人發現 =圖15所示的關係中導出每單位面積孔6〇1之開口率應 或更高。 接著，本發明人測量硬化的密封構件2〇 i之堅固性或 :二’如圖16B所示。纟此測量中，密封構件7〇"皮夾在。 反704與705間且穿透孔由圖案化擋光構件702所形 成。當每單位面積孔之開口率固定為25%時，孔之間隔L ί

第26頁 1259308 五、發明說明（22) 變。孔之寬度設定為（L/ 3 )。如圖1 6B所見，測量係進行於 構件702之擋光部分之中心部703。 此測量之結果顯示於圖1 6A中。如圖1 6A所見，孔之間 隔L應設定為80 /zm或更少。此可應用至每單位面積孔之 開口率大於2 5 %的例子。 接著，參照圖1 1說明依據第一實施例之LCD裝置之LCD 面板之製造方法。 在形成密封構件201之步驟（1 )中，UV固化樹脂連續滴 於圖5所示的下基板1〇1之周緣部402處，同時改變基板101 之相對於分配器的位置，藉以寫出矩形框狀密封構件2 〇 1 於基板1 0 1上。此時，所滴成的樹脂具有〇 · 2至〇 · 6 m m的寬 度以及10至50 /zm的高度。 接著’實行滴下液晶（LC)且貼合下與上基板丨〇1與3〇 i 於一起之步驟（2 )。在此步驟中，特定的液晶滴在由密封 構件2 0 1所環繞的區域處。另一方面，在真空環境中，附 著有或固定有間隙部204的上基板3 01對準於下基板丨〇1並 且藉由一對表面板而彼此壓合。板之負載係設定為，舉例 而言，20 0至3000 N。隨後，所對準且受壓的基板1〇1盥 301返回到大氣壓力下，藉以藉由大氣壓力貼合基板1(^與 301於一起。所貼合的基板101與3〇1轉成面向下，以進、 下一步驟（3 )。 繼而，實行照射uv光且暫時硬化密封構件2〇1之步驟 (3)。在此步驟中，所貼合且轉成面向下的uv光以直線形 式成團朝下照射至基板101與301。因此，ϋν光經由下美

1259308 五、發明說明（23) 1 0 1以強度5 0 0 0至8 0 0 0 m J / c m2選擇性照射至密封構件 2 0 1，藉以硬化構件2 0 1。於此階段，如圖丨2所示，使用具 有圖案502的UV遮罩501。圖案502在對應於密封構件2〇1的 位置處具有一開口。因此，朝向顯示部4〇1與下基板1〇1之 端子开> 成部403的UV光被阻擔，而朝向其周緣部的UV光 穿過圖案502。圖案502之開口係考慮可能的對準誤差而確 定。 由於UV光藉由使用遮罩5 0 1選擇性照射至密封構件 201，故有效地防止UV光對於在顯示部4〇1中之對準層所可 能造成得不良影響。 曰 經由遮罩5 0 1所照射的U V光不僅經由閘極與沒極線j 〇 3 與1 0 5間之間隙亦經由播光構件1 〇 6 a、j 〇 6 b、與1 〇 6 c之穿 透孔601而有效率地達到密封構件2〇1 ,藉以硬化構件2〇1 之UV固化樹脂。更且，穿過構件2〇1的uv光在上基板3〇1上 的擋光構件3 0 2處反射，然後再次達到構件2 〇 1。因此，所 反射的UV光對構件201之硬化反應有貢獻。在步驟（3)中， 密封構件2 〇 1暫時被硬化。 繼而，實行最後硬化密封構件2 〇 1之步驟（4)。在此步 驟中，基板於基板溫度120 °C下受到熱處理一小時。因 此’密封構件201終於硬化，製成第一實施例之lcd裝置之 LCD面板。 如前所述，藉著依據第一實施例之LCD裝置，閘極線 1 0 3之一部分與汲極線1 〇 5之一部分係從掃描或信號線1 j j 或11 2至閉極或〉及極端子1 〇 2或1 〇 4而相對地長，被形成為

第28頁 1259308 五、發明說明（24) 見度較大且間隔較廣。因而，U V光穿過線丨〇 3與丨0 5間之間 隙有效率地達到密封構件201，同時維持線1〇3與1〇5之電 阻於所期望的低值。 由於穿透孔601形成在擋光構件1〇6a、1〇6b、與1〇6c 中重疊於密封構件201，故UV光經由構件1〇6a、1〇6b、盥 l〇6c有效率地照射至構件2〇1。亦且，因為孔6〇ι，uv光對 於構件20 1之強度均勻。此意謂在整個構件2〇 j内硬化作用 才目當均勻。A防止LCD裝置因構件2G1不成功的硬化而造成 有缺陷的操作。 倘右孔601僅形成在擋光構件1〇6a、1〇6b、與 中，則其增高構件l〇6a、l〇6b、與l06c之電阻/此導致丘 1 "3〇3 ^ ^ ° # ^ ^ ^ ^ ^ 牛106a、106b、與106(;之檔光功能劣化，允許外界光進入 顯示部401且使LCD裝置之顯示特徵變差 Γ擇形Λ於置在第撼一實施例之構件，、祕、與肢中之 ^擇=位置。據此’密封構件2〇1之不成功的硬化被有效 抑制以改善顯示品質，同時維持構件1〇6& =之電阻於足夠低的值且維㈣光功能於所期望的高 Μ ϋ卜’ 若基板1〇1與3〇1由熱阻值特性較玻璃低的塑 膝所形成，則可獲得額外的優點 件 可僅藉由照身m光至構件201而完全硬化〜封構件201 ΙΤΟ):ΪΪ;導Ϊ膜例如氧化銦錫(IndiUD1 Tin Ox—， )使第—貫施狀裝置之任何導電構件，則可獲得 第29頁 1259308

電阻降低之額外優點。 第二實施例 二實施例之LCD裝置，其中 有相同的參考編號。因而， 的說明。 圖1 3係顯示依據本發明第 相同於第一實施例之元件附加 為簡化之故省略關於相同組態 弁槿：匕U不相同於圖12之剖面。如圖13所I，相對擋 $構件302A形成為沿著密封構件2〇1延伸，在上基板川丨之

。圍因此構件3 0 2 Α為矩形框狀。相對共用電極3 〇 3形 成於基板301上以覆蓋構件3〇2。晶格狀黑矩陣（未圖示）形 成於基板301上，在由構件3〇2所環繞的區域内且相對於下 基板101之顯示部4〇1。構件3〇2A係相對於下基板ιοί之擋 光構件1 0 6。除了沒有孔形成於在構件丨〇 6中以外，構件 1 0 6之結構相同於第一實施例之擋光構件丨〇6a、1 〇6b、與 1 0 6 c 〇 如圖13所見，穿透孔601A形成在相對擋光構件302A 中。沒有孔601形成在下基板1〇1之擋光構件、i〇6b、 與106c中。

相似於第一實施例，在第二實施例之LCD面板中亦 且’ UV光之透射面積被控制於密封構件2〇1之總佔據面積 的2 5%或更廣，且同時，孔6〇 1A之間隔設定於80 /zm或更 少 0 接著，參照圖13說明依據第二實施例之LCD裝置之LCD 面板之製造方法如下。

第30頁 1259308 五、發明說明（2什） 首先，下與上基板101與301以相同於第一實施例之方 式貼合於一起。然後，使用具有圖案502的遮罩501，UV光 以直線之形式經由上基板3 0 1向下照射至所貼合的基板1 〇 J 與301。因此，UV光經由上基板301選擇性照射至密封構件 201，藉以硬化構件201。在此階段，如圖13所示，朝向顯 示部401與下基板1〇1之端子形成部4〇3的UV光被擋住，而 朝向其周緣部402的UV光穿過圖案502。 經由遮罩501所照射的UV光經由檔光構件302A之穿透 孔601A有效率地達到密封構件2〇1，藉以硬化構件2〇1之訂 固化樹脂。更且，穿過構件2〇1的1^光在下基板1〇1上的擋 光構件106處反射，然後，再達到構件2〇1。因此，所反射 的UV光對於構件201之硬化反應有貢 封構件201暫時硬化。 你yγ么 之埶：：f此步驟(4)中，基板受到相同於第-實施例 …、處理。因此，密封構 ^ 例之LCD裝置之LCD面板。 硬化’凡成第-貝加 藉著依據第二實施例I rD奘 第一實施例之優點。 之LCD扃置，顯然可獲得相同於 第三實施例 例之LCD裝置，其中 的參考編號。因而 〇 相ηΓ笛4係顯示依據本發明第三實 實施例之元件附加有相 = 關於相同組態的說 "係顯不相同於圖9之平面a 如圖1 4所見，擋光

第31頁 1259308 一 " 1 1 ........ .. 五、發明細（27) ' · 構件106之穿透孔l〇8a與l〇8b提供一游標尺1〇8。孔1〇8&與 i〇8b定位成重疊於密封構件201。孔1〇8&係條狀且以相等 間隔排列，形成刻度。孔l〇8b形成為寫出特定的數目（例 如，〇與1)或符號（例如，+與一）。孔108&與1〇扑用於經 由擋光構件106有效率地照射UV光至密封構件2〇1。 游標尺108用於檢查UV固化樹脂之寬度，用於下基板 101上所寫的密封構件201，及/或構件201關於基板i〇"j之 相對位置。藉由閱讀由孔108a與1081)所形成的游標尺1〇8 之刻度對其檢查。較佳地，游標尺丨08設置於第一實施例 中没有播光構件106a、l〇6b、及/或l〇6c之位置處。 藉著依據第三實施例之LCD裝置，顯然可獲得相同於 第一實施例之優點。此外，因為游標尺丨〇8，所以可在不 使用任何其他測量裝置下檢查用於下基板丨〇 1上所寫的密 封構件201之UV固化樹脂寬度及/或構件2〇1關於基板丨〇1之 相對位置。 第四至第六實施例 圖1 7至1 9係分別顯示依據本發明之第四至第六實施例 之LCD裝置，其中本發明應用於水平電場型LCD裝置。 隨著增加LCD裝置之反應速度之需求，使r單元間 隙」窄化已經變得更加重要。「單元間隙」係下與上基板 101與301間之間隙，換言之，液晶層203之厚度。反應時 間正比於單元間隙之平方。舉例而言，倘若單元間隙從4 //m減少至3 # m，反應時間減少至（3/4)2 = (9/1 6)。 然而，單元間隙之窄化增加了用於注入液晶之時間。

第32頁 1259308 五、發明說明(28) 依據本發明人之測試，倘若單元間隙減少至（丨/ 2 )，則注 入時間增加至用於真空注入方法之原先注入時間的五倍。 此缺點可藉由使用滴下貼合方法而解決。 本發明人發現前述第一實施例具有下列缺點。 具體言之，孔601之完成狀態因製造批次而變動。倘 若孔601太小，則照射至密封構件2(n的訂光量傾向於減 少。因此’沒解決構件2 〇 1之硬化不充分之問題。另一方 面，倘若孔601太大，擋光構件i〇6a、1〇6b、與i〇6c之電 阻傾向於增加。因而，另一問題（例如，干擾或閃爍）將因 電性#號經由構件1 〇 6 a、1 0 6 b、與1 〇 6 c之傳遞延遲而發 生。 據此，倘若LCD裝置之尺寸更大，則難以實現下列要 求：密封構件201形成為重疊於閘極與汲極線丨03與1〇5以 及擋光構件1 0 6 a、1 0 6 b、與1 0 6 c，使得密封構件2 〇 1和線 103與105以及構件l〇6a、106b、與l〇6c之非重疊區域等於 構件201之每單位面積的25%或更大。 此外，此缺點不發生在前述第二實施例中。此係因為 UV光經由上基板3 0 1向下照射，因而，不會發生電阻增加 之缺點。據此，開口率（亦即，孔6 〇 1之尺寸）可設定於具 有足夠到不隨製造批次而變動的邊際之值。 依據第四至第六實施例之LCD裝置將確保均勻的單元 間隙。 本發明人獲知上基板3 0 1上的擋光構件3 〇 2與單元間隙 之不均勻性間具有一關係。基於此知識，本發明人進行如

第33頁 1259308 五、發明說明(2分） 下之測試。 除了上基板301上的相對擋光構件3〇2之結構以外，依 據圖17、18、與19之第四至第六實施例之LCD裝置據具有 彼此相同的組態。 關於圖1 7之第四實施例，在下基板丨〇 1上，形成有一 具有穿透孔60 Id的導電擋光構件1〇 6d、一閘極介電質層 107a、一鈍化層i〇7b、以及一有機層304。構件106d形成 於下基板101之表面上。閘極介電質層l〇7a形成於構件 106d上。鈍化層l〇7b形成於閘極介電質層i〇7a上。作為資 料線（未圖示）與共用電極（未圖示）間之層間介電質層的有 機層304形成於純化層l〇7b上。由於有機層具有較無機層 低的介電質常數，故可降低層間介電質層之整體介電質常 數。亦且，有機層較無機層更容易形成。因此，在此實施 例中使用有機層304。 擋光構件106d之孔601d定位成重疊於密封構件2〇1。 因為孔60 Id，所以UV光之透射區域被控制成密封構件2〇1 之總佔據面積的2 5%或更廣。 在上基板301上，相對擋光構件302形成於在顯示部 401中。構件302不延伸至周緣部403。塗覆層403形成於基 板301上以覆蓋構件302。（倘若LCD裝置屬於縱向電場型， 則形成相對共用電極303而非層403，如同第一至第三實施 例。) 雖然圖1 7至1 9中省略方位層以求簡化，但方位層分別 形成於下與上基板101與301之内表面上。此用以控制液晶

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層20 3中之液晶分子之方位。方位層僅位於顯示部4〇ι中。 雖然圖17至19中未圖示有偏極板以求簡化 別形成於下與上基板101細之外表面上。偏極板不= 於顯示部401中亦位於與周緣部4〇2中之密封構件2〇ι重最 的面積中。 1 在上基板301上，晶格狀黑色矩陣形成在顯示部4〇】 中。在此實施例中，擋光構件302聯合於黑色矩陣，因 此，構件3 0 2得被稱之為黑色矩陣。 雖然圖17至19中未圖示以求簡化，但下與上基板ι〇ι 與301藉由密封構件201貼合於一起，使得液晶層2〇3由基 板101與301所夾住。此相同於圖6所示。由於水^平電場$ 不需要相對電極3 0 3，故不形成傳輸部2 〇 2。 除了擋光構件（亦即，黑色矩陣）302達到周緣部4〇2之 末端以完全重疊於密封構件201以外，圖18之第五實施例 之裝置具有相同於第四實施例之裝置之組態。 除了擋光構件（亦即，黑色矩陣）3〇2達到周緣部4〇2以 部份重豐於密封構件2 0 1以外，圖1 9之第六實施例之裝置 具有相同於第四實施例之裝置之組態。 本發明人依據圖1 7、1 8、與1 9之第四至第六實施例實 際製造LCD裝置，然後，他們進行下列測試。 在此測試中，UV光經由圖17、18、與19之每一裝置中 擋光構件106d之孔601d照射至密封構件2〇1，藉以硬^匕構 件2 0 1。結果，獲得下列資訊。 (1)倘若擒光構件106d之一部分位於上基板3〇1與密 1

II 第35頁 1259308 五、發明說明（31) 封構件2 0 1之重疊區域，如圖1 9所示，則可能發生單元 隙不均勻性。 θ (2) 倘若擋光構件〗〇6d延伸以覆蓋上基板3〇1與密封 構件2 0 1之整個重疊區域，如圖1 g所示，則容易發生單元 間隙不均勻性。然而，此容易性低於（1)之例子。 (3) 倘若擋光構件丨06d不延伸至上基板3〇1與密封構 件201之整個重疊區域，如圖17所示，則甚少發生 隙不均勻性。 θΊ 基於（1)至（3 )之資訊，得出下列推論（i )至（土 ν)。 (i)上基板301之相對擋光構件3〇2由厚度約為i =，機層所形成。另一方面，下基板1〇1之擋光構件ι〇Μ 甶厚度約為0.2 /zm的金屬層所形成。因而，即使由相對 f的堅固金屬層所形成的構件1〇6d重疊於密封構件⑼玉， 早元間隙不均勻性仍然難以發生。 (u )倘右在上基板3 0 1上的由相對厚的不堅固有機層 ，成的構件302部份重疊於密封構件2〇1，如同圖19之裝 射至：ί ί生單元間隙Λ均勻性。倘若在此狀態下UV光照 重聂^以冓件2〇1，則單元間隙傾向於在構件302與201之 相ς區域中為相對大而在構侧2與2()1之非重疊區域中為 在構;牛3。丄=之=實施例之裝置中，，元間隙傾向於 方部份為相：域之右方部分為相對大而在其左 件_倘若上基板3〇1±的構件3〇2完纟重疊於密封構 同圖1 8之裝置，則相較於（丨丨）之例子，單元間 1259308 五、發明說明（32) -- 隙不均勻性難以發生。然而，由於構件3〇2之相對大的厚 度’因此構件30 2可能會具有造成單元間隙不均句性的厚 度變動。因而，倘若使用具有規律地排列在與密封構件 201重疊的整個區域中之穿透孔的構件3〇2，則可獲得與構 件3 02完全重疊於構件2〇1之例子約略相同的結果^如^圖 1 8之裝置。換言之，單元間隙不均勻性傾向於較圖丨7之^ 置更多發生而較圖19之裝置更少發生。 义

(iv)當構件3〇2具有規律地排列在與密封構件2〇1重 疊的整個區域中之穿透孔時，倘若穿透孔之週期太大，則 單元間隙不均勻性可能發生。考慮必需的週期，則其被認 為類似於前述第一至第三實施例之擋光構件1〇6&、l〇6b、 與106c之孔601之間隔。因為構件201之硬化程度將依據構 件302之孔之週期而變動。結果，構件3〇2之孔之間隔必需 為80 //m或更少。 基於前述推論（i )至（iv)，獲得下列結果。

(A)最佳者為上基板3〇1之相對擋光構件3〇2不延伸至 上基板301與密封構件2〇1之重疊區域，如同圖17之第四實 施例。此可應用至UV光經由下基板101照射之例子以及UV 光經由上基板3 0 1照射之例子。 (β)次佳測量為：倘若UV光經由下基板101照射至密 封構件201 ’則構件3〇2最好形成以覆蓋上基板3〇1與構件 2 0 1之整個重疊區域，如同圖丨8之第五實施例。 (C)再次佳測量為：構件302最好形成以覆蓋上基板 301與構件201之整個重疊區域，同時，穿透孔以go //m或

第37頁 1259308 五、發明說明（33) 更少的間隔規律地形成在構件302中。此可應用至UV光經 由下基板101照射之例子以及UV光經由上基板301照射之例 〇 此測量之結構顯示於圖2 4中，其中構件3 0 2具有規律 地排列在與構件2 0 1重疊的整個區域中之孔7 〇 1。 接著，說明下基板1 0 1之製造方法如下。 首先，藉由濺鍍方法形成厚度3〇〇 nm的鉬鎢（M〇W)層 於一透明介電質板（例如，玻璃板）上。然後，此M〇w層由 光刻術與蝕刻技巧圖案化以形成用於掃描線與導電擋光構 件10 6d的導電圖案。圖案化M〇w層被稱為g層配線層。繼 而，藉由 CVDCChemical Vapor I)epositi〇n，化學蒸氣沉 積）方法接續地形成厚度350 11111的氧化矽（si〇x)層與厚度 50 nm的氮化矽（SiNx)層於G層配線層上。Si(^與Si\層= 組曰作為薄膜電晶體（thin-film transistor，TFT)之閘 極介電質層l〇7a。在層107&上，藉由CVD方法形成厚度5〇 m的非晶矽（a —Si)層。a-Si層用於形成TFT之通道區域。 ，=CVD方法形成厚度31〇1111]的31比之蝕刻保護層於3一^ 曰士，然後，藉由光刻術與蝕刻技巧選擇性蝕刻保護 具有所期望的圖案。 更且藉由CVD方法形成厚度5〇⑽的以型^^丨声於 ί ΐ = 護？上。使用圖案化的钕刻保護層；為遮 卜 /力乂7早度 nm 的 ITO(Indium Tin e，氧化銦錫）層，錢，藉由光刻術與㈣技巧將其

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圖案化成具有所期望的形狀。 隨後，藉由光刻術與蝕刻技巧形成用於掃描線或 者之，子。藉由濺鍍方法形成厚度45〇 nm的鋁（Αι)層，然 後，藉由光刻術與蝕刻技巧將其圖案化成具有所期^的^ 狀。 / / 最後，藉由CVD方法形成厚度2 0 0 _的3丨比層作為鈍 化層107b。然後，藉由光刻術與蝕刻技巧圖案化si\層為 具有所期望的形狀。隨後，藉由已知方法形成有機層 於層107b上。因此，製成下基板1〇1。 像素電極121以矩陣陣列排列在下基板1〇1之 401中。 ”丨 ^ 經由對於圖1 7至1 9之第四至第六實施例之裝置的測 試，本發明人發現有機層304亦影響單元間隙均勻性。

具體言之，無機層具有對於密封構件2(Π的良好黏附 性質。然而，有機層對於構件2〇 1之黏附性質不佳。考慮 此因素，在圖1 8之第五實施例之裝置結構中，塗覆層4 〇 3 幵> 成為覆蓋擋光構件3 0 2 (由有機材料所形成）使之接觸於 密封構件201。此使構件302從構件201分離出。結果，當 有機層304形成於下基板101上時，如同圖17至19之第四胃至 第六實施例，層3 0 4最好不要重疊於密封構件2 〇 1。 在圖17之第四實施例中，相對擋光構件3〇2不延伸至 上基板301與密封構件201之重疊區域。因而，必需檢查背 光之漏逸至顯示部4 0 1。此將參照圖2 0說明如下。除了播 光構件302之寬度以外，圖20相同於圖17。

1259308 ΐ、發明說明（35)' "' - 如圖20所示，為防止背光漏逸，_的突 重疊，度使構件302之末端位於上基板3〇1與密封構件2〇ι 之重疊區域。然後，本發明人測量χ之適當值，用以防止 有缺陷的顯示操作。此測量之結果顯示圖21中。 圖21中之四條曲線顯示背光漏逸程度之相對值， 突出長度X之函數，其中單元間隙&設定為j #m、3 4 #m、以及5 。倘若漏逸程度等於或低於水平線 L1 (程度5 )，則意謂沒有發現漏逸。倘若漏逸程度等於 低於水平線L2(程度12)，則意謂幾乎沒發現漏逸。、3 從圖21之結果，導出下列資訊。具體言之，倘 長度X等於或大於單元間隙a(亦即，χ $ a)，則前 幾乎未被解決。倘若突出長度χ等於或大於兩倍的單元 隙a(亦即，X - 2a)，則前述問題完全解決。 曰 當uv光經由下基板ιοί照射至密封構件2〇1時，如义 說明地，在上基板301上的相對擋光構件3〇2最好不^二 基板301與密封構件201之重疊區域。然而，在此例子 可能發生背光漏逸。因而，構件30 2最好形成為伸入’ 區域達長度X，如圖20所示，此處a ^ X $ 2a。 且 第七實施例 依據本發明之第七實施例之LCD裝置顯示於圖2〇 其中在上基板301上的擋光構件302形成為伸入’ 長度X，此處a S X S 2a。 1 £域達 在此實施例中，不僅可防止背光漏逸’並且單元間隙

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不均勻性難以發生。此係因為即使構件3 02重疊於構件 2〇1，相較於ai2a之長度X，構件2〇1通常具有j _至2 _ 的足夠寬度。 倘若具有特定的寬度之晶格狀黑色長條設於在顯示部 4 0 1中之上基板3 〇 1上，則構件3 〇 2不需重疊於密封構件 2 0 1 ’如同圖2 〇之此實施例。 第八實施例 依據本發明之第八實施例之LCD裝置顯示於圖22中， 除了 UV光經由上基板3〇1照射至密封構件2〇1以外，其結構 相同於圖1 7之第四實施例之裝置。 在此實施例中，由於UV光經由上基板30 1照射，故得 移除播光構件1 〇 6 d之孔6 0 1 d。然而，最好移除孔6 〇 1 d。 第九實施例 依據本發明第九實施例之LCD裝置係顯示於圖23中， 除了擋光構件106d之孔601d被移除以外，其結構相同於圖 1 7之第四實施例之裝置。因此，提供一沒有孔的擋光構件 106e，而非構件l〇6d。 在此實施例中，由於構件106e於下基板丨^與密封構 件2 0 1之重疊區域中不具有孔，照射至密封構件的uv光藉 由構件106e較圖22之第八實施例更有效率地反射。此導致 構件201之硬化較圖22之第八實施例更佳之額外優點。

1259308 晒_丨丨1丨丨II .— 五、發明說明（37) 第十實施例 依據本發明第十實施例之LCD裝置顯示於圖24中，除 了穿透孔701形成於上基板3〇1上的相對擋光構件3〇2a中以 外，其結構相同於圖1 8之第五實施例之裝置。 由於構件302a具有孔701，故UV光得經由上基板3〇1照 射奚密封構件201。 在前述第四至第十實施例中，本發明應用至水平電場 蜇（水平模式）LCD裝置。相較於垂直電場型（垂直模式）LCD 嚴置’水平電場型LCD裝置有一特徵為：當所加電壓高時 (亦即，在雙值模式中）反應速度較低而當所加電壓低時 (办即，在半調模式中）反應速度較高。—般而纟’垂直模 式Ϊ =電f範圍内之反應時間約為在高電壓範圍内之

Vi;式裝置較垂直模式裝置更佳適合顯示：U 適合大尺寸的監視器，0為前者之視角較後者寬：裝：更 此’在未來，水平模式步詈爭、裔 n 據 (τν)。 +棋式#置更適合大尺寸監視器與電視 反應：化置實現所要求的高速 ”範圍内之反應時間約為“電壓範 ::點=較;所獲得的反應二 第42頁 1259308

可應用至水平模式裝置的本發 五、發明說明（38) 因為此處所述之理由 明係重要且有益的。 變化例 毋庸贅言，本發明不限於前述實施例。在本發明之精 神内得添加任何改變或修改至實施例中。 舉例而言，在前述實施例中，本發明應用至TNSLCD 裝置；然而，本發明可應用至任何其他類型的lcd裝置（例 如’水平模式型或垂直方位型）。 倘若本發明應用至水平電場型，如同第四至第十實施 例，則液晶層203由形成於下基板101上的共用電極與=成 於相同之基板1 〇 1上的像素電極1 2 1間所產生的電場所控 制因而，不需设置用於從下基板1〇1供應共用電壓至上 基板301的結構。㉟果，可省略傳輸部犯， ^由擔光構件 m、106a、1()6bmtl()6cM 1 01上的共用電極。 i夂 再者，在第一至第三實施例中，本 LCD装置。妷而，进庵故_ 咛奴乃應用芏逐射裂 罟,…、 庸’ έ ，本發明可應用至反射型LCD裝 置，經由上基板301進入的冰R止#丄扣 衣 昊；Ite 1 η 1 u c “雨 的外界先猎由用於顯示操作的下 基板101上之反射電極而反射。 雖然已說明本發明 人士明瞭在不偏離本發 之範圍僅由下文中之申 之較佳實施例，但熟悉此項技藝之 明之精神下的修改。因而，本發明 請專利範圍所確定。

第43頁 1259308 圖式簡單說明 圖1係顯示先前技藝LCD裝置之下基板之一部份的示意 部分平面圖，顯示對應於圖5中之a部分之部分處的結構。 圖2係顯示圖1中之先前技藝LCD裝置之下基板之一部 分的示意部分平面圖，顯示對應於圖5中之b部分處的結 構。 圖3係顯示圖1中之先前技藝LCD裝置之下基板之一部 分的示意部分平面圖，顯示對應於圖5中之c部分處的結 構。 圖4係沿著圖3中之線I V- I V之示意剖面圖。

圖5係顯示依據本發明第一實施例之LCD裝置之下基板 之示意平面圖，其中省略了排列在顯示部中的像素以求簡 化。 圖6係顯示依據圖5之第一實施例之LCD裝置之組態之 沿著圖5中之線V I - V I的示意剖面圖。 圖7係顯示依據圖5之第一實施例之LCD裝置之下基板 之a部分之示意部分放大平面圖。 圖8係顯示依據圖5之第一實施例之LCD裝置之下基板 之b部分之示意部分放大平面圖。

圖9係顯示依據圖5之第一實施例之LCD裝置之下基板 之c部份之示意部分放大平面圖。 圖10係顯示圖7至9中所示的像素之示意放大平面圖。 圖11係顯示依據圖5之第一實施例之LCD裝置之製造方 法之製程步驟之示意透視圖。 圖1 2係沿著圖9中之線X 11 -X I I之示意剖面圖。

第44頁 1259308 圖式簡單說明 圖1 3係沿著圖9中之線X I I _X I I之示意剖面圖，顯示依 據本發明第二實施例之LCD裝置。 圖1 4係沿著圖9中之線X I I -X I I之示意剖面圖，顯示依 據本發明第三實施例之LCD裝置。 圖1 5係顯示在依據本發明之LCD裝置中穿透孔之開口 率與UV光量間之關係之圖表。 圖1 6A係顯示在依據本發明之LCd裝置中穿透孔之間距 L與由UV光之照射所硬化的密封構件之堅固性間之關係之 圖表。 圖1 6B係顯示用以獲得圖丨6A之圖表的方法之示意圖。 圖1 7係顯示依據本發明第四實施例之LCD裝置之示意 剖面圖。 圖1 8係顯示依據本發明第五實施例之LCD裝置之示意 剖面圖。 圖1 9係顯示依據本發明第六實施例之LCD裝置之示意 剖面圖。 圖20係顯示依據本發明第七實施例之LCD裝置之示意 剖面圖。 ^ 圖21係顯示在依據圖20之第七實施例之LCD裝置中之 也封構件^重疊寬度x與漏光程度間之關係之圖表。 圖22係顯不依據本發明第八實施例之LCD裝置之示意 剖面圖。 ，23係顯不依據本發明第九實施例之up裝置之示意

1259308 圖式簡單說明 圖24係顯示依據本發明第十實施例之LCD裝置之示意 剖面圖。 【符號說明】 101 下基板 102 閘極端子 10 3 閘極線 104 汲極端子 105 汲極線

106 擋光構件 106a 擋光構件 106b 擋光構件 106c 擋光構件 106d 擋光構件 106e 擋光構件 107 介電質層 107a 閘極介電質層 107b 鈍化層

108 游標尺 108a 穿透孔 108b 穿透孔 109 像素 110 共用端子 111 掃描線

第46頁 1259308 圖式簡單說明 112 信號線 121 像素電極 122 半導體島部 123 閘極電極 12 4 源極電極 12 5 >及極電極 201 密封構件 202 導電傳輸部 20 3 液晶層

204 間隙部 301 上基板 302 擋光構件 302A 相對擋光構件 302a 相對擋光構件 303 相對共用電極 304 有機層

401 矩形顯示部 40 2 矩形框狀周緣部 403 矩形框狀端子形成部 5 01 遮罩 502 圖案 601 穿透孔 6 0 1 A 穿透孔 6 0 1 d 穿透孔

第47頁 1259308 圖式簡單說明 701 密封構件 70 2 擋光構件 703 中心部 704 堅固板 70 5 堅固板 1101 下基板 110 2 閘極端子 1103 閘極線 1104 汲極端子

1105 汲極線 1106 導電擋光構件 1107 介電質層 1109 像素 1110 共用端子 1201 密封構件 1 20 3 液晶層 1301 上基板

1 303 共用電極 1401 矩形顯示部 1 402 矩形框狀周緣部 1 403 端子形成部 1501 遮罩 1 502 圖案

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Claims (1)

1. m 年屮月a 曰 __ 11107907 、、申請專利範圜 1· 一種LCD裝置（液晶顯示裝置）， v a) — ^ ^ ° ^ · 如 罘—基板，具有一顯示部與一产枝μ 部； ％繞該顯示部之周緣 該周緣部包括有一密封構件、你兮# 一 (:條：線、以及複數個導電擋光構件。;“、頁不部延伸出的複 (C)—::基板，,貼合於:玄第-基板；以及 /曰曰層’形成於該第一基板鱼兮笛一 ㈣晶層係由該第一基板、該第 件所界定； 系一基板、與該密封構 數個擋：：：封:ί 2係2成為重疊於該複數條配線與該複 數個擋先構件之一非重聶區域耸2於该後數條配線及該祓 示部之—W，並且該複數/擔光構件中之一個位於該顯 數個穿透$各附近且在重豐於該密封構件之位置處具有複 個牙透孔，該複數個孔係沿著該密封構件排列。 …裳置(液晶顯示裝置），包含： ♦ 部； 基板，具有—顯示部與一環繞該顯示部之周緣 數停ί:緣部包括有—密封構件、從該顯示部延伸出的複 (b i、以及複數個導電擔光構件； (c) _4:基板，貼合於該第-基板；以及 該液:曰曰】传：ΐ:該第一基板與該第二基板間； 曰曰s係由^弟—基板、該第二基板、與該密封構 第49頁 1259308 Λ 曰 修正 MM 91107907 ，六、申請專利範圍 件所界定； 其中該密封構件係形成為重疊 數個播光構件，使得該密封構件對於條配線與該複 數個播光構件之一非重疊區域等於心=條配線及該複 的“％或更*，並且該複數個播二山子構件每單位面積 數條配線之—組與其另一組之件中/ —個位於該複 位置處具有複數個穿 豐於該密封構件之 排列。 硬數個孔係沿著該密封構件 L) 一-種】C—D裝置(液晶顯示裝置），包含： 部； 基板，具有—顯示部與—環繞該顯示部之周緣 0亥周緣部包括有一密封構件 _ j條H、以及複數個導電播光構件^頁不部延伸出的複 ⑻二C ’貼合於該第-基板；以及 液日日層，形成於該第一基板 §x液晶層係由該第一基板、^二「土板間； 件所界定； Μ弟一基板、與該密封構 數個以;封;該複數條配線與該* 數個擋光構件之一非重晶巴 、於π亥稷數條配線及該複 ί;構件伸長且在重疊於該密封構7之位置^ 牙透孔，該複數個孔係沿著該密封構件排/具有複數個 第50頁 1259308 91107907 六、申請專利範圍 曰 修正 4嫌：且申，專利範圍第1、2或3項之W裝置，其中”封 構件具有對於碎满數彳么％給 、甲3名封 之複數個 非舌w厂丄、"复數條配線與該複數個擋光構件 # I髮座域； ^其中該複數個非重疊區域以8〇 μιη或更少 彼此分離。 之間隔 5·如申請專利範圍第1、2或3項之f CD梦置，甘士上、 條配=從該顯示部向外延伸以重疊於該密封構件；口亥複數 以-第-間距排列，並且該複數；配弟-寬度並 於該第-寬度的一第二寬度—Γ組具有大 間距排列。 I从大於該f 一間距的一第二 6·如申請專利範圍第1、2或3工苜夕τ rn脖罢^ 播光構件形成於該第二基板上員之LCD衣置’其中一相對 並且其中該相對擋光構件 處具有複㈣f透孔。霉件在重豐於该您封構件之位置 該複數 包含下列步驟 個擋光構件中 一游標尺 LCD裝置之製造方法， 第51頁 1259308 曰 案號 91107^7 基板，具有一顯示部與—環繞該顯示部之 六、申請專利範圍 (a)形成一第 周緣部； 以 該周緣部包括有從該顯示部 及複數個導電擋光構件； i數條配線 (b)形成一密封構件在該第—基板之周緣部中. (C )滴下一液晶於該第一基板上之件 區域内； 了稱仵所％繞的 (ο :合一第二基板於該第—基板， 第一基板、贫筮-f A 市彳邊/夜晶於由該 以及 β 一土板、/、該密封構件所界定的空間中； (e)藉由知、射特定光至該密 盆由分+ h 1傅1千而硬化該密封槿株. ^狯封構件係形成為重疊於#彳| | π ， 數個擋光構件，使彳旱兮漆私摄^且於忒稷數條配線與該複 數個播光構件之^區t對於該複數條配線與該複 的2 5%或更大；重$ &域寻於該密封構件每單位面穑 孔，排列在重疊^該Λ數Λ擔光構件具有複數個穿透、 …係經由該第—基板照射至該密封構件… (a)形種】C_! ^ J製造方法’包含下列步驟： 周緣部； 土反具有一顯不部與一環繞該顯示部之 "亥周緣部包括有從該 及複數個導電擋光構^ ;、員不4延伸出的複數條配線，以 (b )形成一密封 干在°系弟一基板之周緣部中； 第52頁 1259308 91107907 六、申請專利範圍 (C )滴下一液晶於該第一 區域内； (j)貼合一第二基板於該 第一基板、該第二基板、 以及 C e )藉由照射特定光至該 其中該密封構件係形 數個擋光構件，使得該密 |數個擔光構件之一非重疊 的2 5 %或更大，而且該第二 重疊於該密封構件之位置 化該密封構件之該光係經 件。 曰 修正 板上之由该密封構件所環繞的 第一基板， 與該密封構 雄、封構件而 成為重疊於 封構件對於 區域等於該 -基板包括·_ 處具有複數 由該第二基 以限制該液晶於由該 件所界定的空間中； 硬化該密封構件； 该複數條配線與該複 该複數條配線與該複 後、封構件每單位面積 一相對擋光構件，在 個穿透孔，且用以硬 板照射至該密封構 10·二種LCD裝置之製造方法，包含下列步 第-基板，具有-顯示部與—環繞該顯 部之 a J形成 周緣部； 以 :周緣部包括有從該顯示部延伸 及複數個導電擋光構件； 1数保配線 (b)形成一密封構件在該第一基板之周緣部中. =下一液晶於該第一基板上’在由該 構 區域内； 4傅什％繞的 一ϊΐ —第ΐ基板於該第一基板，以限制該液晶於由該 第土板、忒第一基板、與該密封構件所界定的空間中广 第53頁 1259308 j多正 曰 1- 號 91107907 六、申請專利範圍 以及 (e )藉由照射特定光至资 其中該密封構件係带二ΐ構，而硬化該密封構件； 數個擋光構件，使得該密封槿1豐於該複數條配線與該複 數個擋光構件之複數個^重w =對於該複數條配線與該複 *日甘Γ 非重豎區域係規律地排列· 並且其中該複數個非重聂區敁ινδη /夕J， 彼此分離。 且Q成以8 0 # Hi或更少之間隔 i::專利範圍第1〇項之LCD裝置之製造方法，立中 冓件之ΪΪΪ件具有複數個穿透孔，排列在重疊於該密 板4 ii=硬化該密封構件的該光係經由該第-基 双a射至该密封構件。 不 種LCD裝置之製造方法，包含下列步 12· 緣:成—第—基板，具有一顯示部與一環繞該顯示部之 (b)形成一密封構件在該第一基板之周緣部中； :)區液晶於該第一基板上，在由該密封構件所環繞 (d)形成一相對導電擋光構件於該第二基板上； (=)貼合一第二基板於該第一基板，以限制該液晶於由該 弟一基板、該第二基板、與該密封構件所界定之办 Λ 以及 ， 第54頁 1259308 案號91107907 年月日 修正 六、申請專利範圍 (f )藉由照射特定光至該密封構件而硬化該密封構件； 其中該密封構件形成為不重疊於該相對擋光構件； 並且其中該光經由該第二基板照射至該密封構件。 IB1B1 第55頁