TWI250892B - Process for control the largeness of crystals at the continuous mass crystallization - Google Patents
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Description
A7 1250892 _ B7_____ 五、發明說明(丨) 當藉由結晶方法大量製造物品時’顆粒大小分佈必須 符合高品質標準。 爲了將此等產物的製造成本降到最低’在結晶程序已 應該以一致及可再現的方式盡可能接近所需的粒子大小分 佈曲線。本發明係關於一種在連纟買式大量生產結晶程序控 制晶體尺寸之方法 尤其是硫酸銨,不論是否做爲肥料或工業產品,宜由 結晶方法製得。在製造肥料時,此等顆粒結晶產物的大小 尺寸需在某種分佈範圍,此粒子大小以能保證特定的噴霧 寬度及噴霧精準度需求。就工業用途而言,需要更佳密實 的粒狀產物。
Draft Tube Buffle Crystallizer(DTB Crystallizer)的操作 原則及結構係爲已知(請參考USP 3 873 275 )。 此等DTB結晶器可以用來產生所述的粒子大小分佈圖 形,然而卻不容許以一致而且可再現之方式生產。由於設 計原則-藉此利用選擇性破壞結晶作用中心的方式抑制細粒 形成,因此尤其是DTB結晶器容易產生明顯的粒子大小分 佈週期性波動。 使用動態控制方法的裝置也是已知的。 , 根據結晶器內之結晶體的粒子大小分析,可控制數個 程序參數,例如細粒再循環速率,進料物流的體積,酸鹼 値’混合級數,或晶種的進料等,結果獲得均勻的粒子大 小分佈(請參考USP 4 263 010)。 然而’ g亥方法非常昂貴而且在大部分的情況裡無法安 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 ----訂----- 秦· A7 1250892 ____B7 ___ 五、發明說明(/) 定。 利用DTB結晶器形成大型結晶體的方法也是已知的。 根據結晶裝置內懸浮液密度,攪拌器馬達的耗電性,擋板 (buffle)底下結晶床的厚度,及粒子大小分佈圖形,將結 晶物質交替地從DTB結晶器排出,亦即以交替產率排出( 請參考 JP 150 127)。 此將造成尺寸超過1.4毫米的結晶部分增加’然而, 尺寸超過2.0毫米的結晶部分仍然在35%到90%之間波動 。交替性波動產率對下游技術單元非常不利,而且因此造 成安裝工廠容量的利用性不佳。 我們進一步知道有助於增加產生於DTB結晶器中部分 大型結晶體的方法。該方法係使用飼進結晶器的晶體懸浮 液,其固體含量爲6到高至25體積%,並依序由從結晶器 排出固體物質(4重量%到高達25重量% )所組成。該程 序中所使用之35重量%到高達85重量%的晶種尺寸係大 於1.2毫米,而最多15重量%的結晶大於1.7毫米(請參 考 WO 93/19826)。 該情況裡,引晶懸浮液的溫度低於結晶器裡面的溫度 〇 關於該方法的缺點係爲限制製法進行得更均勻,而且 使更大結晶的部分增加。該方法沒有聲明,也沒有描述任 何在形成結晶方面的選擇性尺寸控制,也沒有提及更細粒 狀產物的產生。 本發明目的之一在於去除上述缺點,亦即找出一種可 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----訂------ 1250892 A7 p---- --Β7_ 五、發明說明(力) 以確定在連續式大量結晶處理中可再現結晶尺寸控制的方 法。 根據本發明,該方法中可以添加引晶產物,並且符合 下列條件: -利用完全與實際結晶處理無關的參數產生引晶產物 y -引晶產物內固體物質之所得平均粒徑爲0.1毫米到 1.0毫米之間,但是在任何情況裡小於所需結晶體的粒徑; -引晶產物中所含的固體物質係源自於不同技術的次 物流’並且產生無關於主要結晶處理之特定粒子尺寸範圍
J -引晶產物在添加引晶產物時的溫度可比結晶器內處 理溫度低高達40°c-較佳低10-30°C ;及 -流入結晶器內的任何其它進料物流及再循環流體沒 有任何固體物質。 將結晶懸浮液飼進結晶裝置內,該懸浮液之參數可以 調整與實際結晶處理完全無關。此等懸浮液的特徵在於其 固體含量,固體的粒子大小分佈,以及在某段時間內飼進 裝置的產物數量。 , 控制引晶產物之參數將會影響最終產物的粒子尺寸分 佈圖形,而且明顯地使最終產物之粒子大小分佈的波動( 因爲將固體物質從結晶裝置內排出)降到最小。 在某結晶裝置內,可以利用嘗試-及-錯誤的方法( trial- and-eiror)以決定引晶產物相對於所需晶體靜態的實 6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---訂------ %, A7 1250892 __—_B7_____ 五、發明說明(条) 際參數。 不論引晶產物是以連續或不連續方式加入都可以利用 該方法。 在以不連續方式飼進引晶產物的情況裡’此添加步驟 係將結晶器裡面選定結晶部分之重量保持在特定限制範圍 之下進行。 爲了消除明顯的最終產物粒子大小週期性波動’必須 有僅小幅波動以及足以供系統使用的有效成核速率。此舉 將獲得不隨時間改變的結晶大小部分,特別是<:1·0毫米的 部分。如果對應値超出偏差値下限,則繼續引晶。如果對 應値超出偏差値上限,則停止引晶。 在連續引晶的情況裡,所添加之引晶產物的固體含量 保持在佔從結晶器排出之固體物質的5重量%到30重量% ,較佳7重量%到15重量%。 有利地,引晶產物內所含固體粒子的平均粒徑爲〇·3 毫米到0.8毫米。在任何情況裡,應小於所需結晶體之粒 徑。 可以依照一般所知的方式調整引晶產物中所含固體物 質的所需粒徑。較佳地,此等固體物質係由機械性尺寸減 ,小及/或在獨立結晶階段中從最終產物部分其中之一獲得此 等固體物質,亦即在引晶時沒有使用未經改變的最終產物 〇 引晶產物沒有一定要是與連續式大量結晶處理所得之 最終產物相同的化學物質。然而,如果引晶產物具有與最 7 ___- __________ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂—— 1250892 A7 五、發明說明(4 ) 終產物相同的化學組成,則將是有利的。 有利地,在例如硫酸銨的連續式大量結晶處理中,利 用晶性硫酸銨進行引晶。 本發明優點的特色在於下列特徵: -最終產物的粒子大小分佈及因而的平均粒徑可以在所 選擇的方式下控制; -可以消除明顯的最終產物之粒子大小分佈週期性波動 ,此係使已經安裝的工廠容量利用性更佳; -實際結晶處理沒有對作用變數,亦即引晶產物的粒子 大小產生影響;及 -過篩分析的頻率可以降到最低,就使用連續引晶法被 用於程序控制的情況而言。 第1圖係顯示本發明之大量結晶處理的流程圖。符號 的說明如下: 1 結晶裝置(結晶器) 2 管線(供飼進溶液用) 3 管線(供廢蒸汽用) 4 廢蒸汽壓縮器 5 熱交換器 6 循環泵 7 再循環管線 8 管線(供結晶淤泥用) 9 淤泥泵 10 離心機 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂i丨;------备· A7 1250892 五、發明說明(V ) 11 收集槽 12 泵 13 管線(供母液用) 14 管線(供晶體用) 15 管線(供次物流用) 16 溶解腐蝕物質的結晶器 17 離心機 18 管線(分別供結晶體,或部分引晶產物) 19 槽 20 供部分引晶產物用之管線 21 分比例及飼進的系統 22 供引晶產物用之管線 結晶作用係在連續操作結晶裝置(1)內進行,較佳在 OSLO 或 DRAFT TUBE BAFFLE (DTB)結晶器裡進行。 經預熱的飼進溶液(例如37±3% (重量比)硫酸銨溶 液流經管線(2 )進入結晶器。 廢蒸汽係經由管線(3)進入廢蒸汽壓縮器(4),在 此蒸汽被壓縮。經壓縮之廢蒸汽的能量係由熱交換器(5 ) 取走’並且最後回到結晶裝置一在轉移介質通過循環泵(6 ,)及通過再循環流管線(7)之後。 腐蝕物質係經由管線(8)及淤泥泵(9)排入離心機 (10) °經分離的母液係流入收集槽(11),然後以泵( I2)經過管線(13)抽入再循環管(7)。結晶體係流經管 線(14),進入下游處理單元。 9 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑽X 297公爱) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · —a— n ϋ — — — — — — — — A7 1250892 五、發明說明(q ) 液相次物流係從結晶裝置循環經過管線(15)進入腐 蝕物質(16)用的結晶器。該階段發展出的結晶體係由離 心機(Π)分離,並且流經管線(I8)進入槽(19)的結 晶體可能成爲加入所謂引晶產物中的可能組份° 同樣地,引晶產物,例如晶性硫酸銨-就粒子大小分 佈及數量而言-已經由最終產物部分進行機械性尺寸減小 所產生的次物流係流經管線(20)進入槽(19)。在槽( 19)裡面係形成結晶泥槳,該結晶泥漿以不使引晶結晶沈 降的方式,藉由分比例及飼進的系統(20經過管線(22 )進入結晶器。 本發明將藉由下列施行的實施例說明’但是本發明不 限於該實施例。 實施例N°1 (參考實施例,沒有額外的引晶產物) 連續操作結晶裝置(DTB結晶器)裡面的有效體積大 約280立方公尺。 將經預熱的飼進溶液(硫酸銨溶液,其在大約90°C下 具有固體硫酸銨的含量爲38.5±2重量% )飼進結晶器內, 不添加任何引晶產物。蒸發速率爲30噸/小時,而產率, .亦即,從結晶器排出的晶性產物數量爲20噸/小時。結晶 器裡面之淤泥內的固體含量爲35重量%到40重量%。 歷時120小時測量>1.8毫米之大小比例的粒子大小分 佈係示於第2圖。粒子大小分佈圖形裡有明顯的明顯波動 〇 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂------ A7 1250892 ___^B7_____ 五、發明說明(幺) 實施例N2 (不連續地添加引晶產物) 操作模式在此基本上與實施例1所述相同’但強調的 需求爲所有的進料物流及循環產物-除了引晶產物外-必須 絕對沒有任何固體物質。 根據粒子大小分析的結果,選擇來自結晶裝置裡面的 晶性粒子其中一部分。該部分的大約粒子大小應盡可能接 近於引晶產物中所含粒子的平均粒徑。 根據實驗基礎,針對該部分定義偏差値上下限’然後 使用這些偏差値來控制引晶產物的不連續大量流動。不連 續引晶的開始及結束係視結晶裝置裡面結晶體所含的大小 部分(>0.4毫米/<1.0毫米)之比例而定。如果大小部分的 偏差値下限超過1重量%,則將開始進行結晶裝置的引晶 步驟。該情況裡,引晶產物的固體含量將爲1〇重量% ’平 均粒徑爲大約0.6毫米。 歷時120小時測量>1.8毫米的大小比例的粒子大小分 佈係示於第3圖。 實施例N3(連續添加引晶產物) 在此操作模式基本上與實施例N°1相同,不同的是需 要所有的進料物流及再循環產物-除了引晶產物之外-必須 絕對沒有任何固體物質。 將引晶產物飼進結晶裝置,根據實驗設定一組最佳化 的進料參數。引晶產物的固體含量將佔最終產物取出量的 11 本紙張用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) π裝--------訂------ %, A7 1250892 _____B7____―― 五、發明說明() 7重量%,其平均粒徑大約〇·6毫米。以15立方米/小時的 體積流率連續加入引晶產物。 不再需要進行粒子大小分析做爲控制操作模式的基礎 ,至少此等分析可以降低到絕對最小次數。歷時120小時 測量>1.8毫米的大小比例的粒子大小分佈係視於第4圖。 實施例N°4 (連續添加過量引晶產物) 操作模式在此與實施例N°3相同。 將引晶產物飼進結晶裝置,根據實驗設定一組最佳化 的進料參數。 引晶產物的固體含量將佔最終產物取出量的25重量% ,其平均粒徑大約0.6毫米。以25立方米/小時的體積流 率連續加入引晶產物。藉由添加過量的引晶產物’成功地 減小粒子大小。 歷時120小時測量>1.8毫米的大小比例的粒子大小分 佈係示於第5圖。在第24個小時到第80個小時期間’ >1.8毫米的大小部分的比例藉由引晶而適當地變成大約20 重量%。 12 _ -———— . 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---- 訂--------- 备·
Claims (1)
- A8B8SD8 1250892 ; 「 _ ^ i-1 a 六、申請專利範圍 1. 一種在連續式大量結晶程序中藉由添加引晶產物來 控制結晶特別是硫酸銨尺寸的方法,其特徵在於: -利用完全與實際結晶程序無關的參數產生引晶產物 -引晶產物內所含之固體物質的平均粒徑爲0.1到1.0 毫米,但是在任何情況裡小於所需晶性產物的粒徑; -引晶產物的固體物質係不受結晶作用主程序影響地 ,由各種不同的技術次物流產生,且係在特定粒子尺寸車E 圍; -在加入引晶產物時,其溫度可比結晶器內程序溫度 低到40°c ;及 -流入結晶器內的任何其它進料物流及再循環物沒有 任何固體物質,其限制條件爲:在不連續引晶的情況裡’ 以不連續方式將引晶產物加入’使得結晶器裡面所選擇之 結晶部分的質量比例保持在特定範圍,而在連續引晶的情 況裡,所添加之引晶產物的固體含量佔從結晶器排出之固 體物質5重量%到30重量% ;而引晶產物內所含之固體 物質的平均粒徑爲0.3毫米到0.8毫米,且引晶產物內所含 固體物質的所需粒子大小係藉由從最終產物機械性尺寸減 小及/或在獨立結晶階段獲得’且引晶產物及最終產物具有 相同的化學組成。 2. 如申請專利範圍第1項之方法,其中該加入之固體 含量佔7%重量到15%重量。 1 f^i^#^(CNS)A4M(21〇x 297^*3 (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 訂/ 線
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19912699A DE19912699A1 (de) | 1999-03-20 | 1999-03-20 | Verfahren zur Steuerung der Kristallgröße bei der kontinuierlichen Massenkristallisation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI250892B true TWI250892B (en) | 2006-03-11 |
Family
ID=7901840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW089104870A TWI250892B (en) | 1999-03-20 | 2000-03-17 | Process for control the largeness of crystals at the continuous mass crystallization |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1165198B1 (zh) |
KR (1) | KR100592155B1 (zh) |
AT (1) | ATE397481T1 (zh) |
AU (1) | AU3802300A (zh) |
CO (1) | CO5231207A1 (zh) |
DE (3) | DE19912699A1 (zh) |
ES (1) | ES2307499T3 (zh) |
TW (1) | TWI250892B (zh) |
WO (1) | WO2000056416A1 (zh) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6657073B1 (en) | 1999-08-18 | 2003-12-02 | Daesang Corporation | Crystallization of α-L-aspartyl-L-phenylalanine methyl ester |
DE10026619A1 (de) | 2000-05-29 | 2001-12-06 | Basf Ag | Vorrichtung zur Herstellung von Kristallen |
WO2009077346A1 (de) * | 2007-12-14 | 2009-06-25 | Gea Messo Gmbh | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines grobkörnigen ammoniumsulfat-produktkristallisats |
DE102008007154B4 (de) | 2008-02-01 | 2014-03-20 | Gea Messo Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines grobkörnigen Ammoniumsulfat-Produkts durch Kristllisation |
DE102008007155B4 (de) | 2008-02-01 | 2014-04-30 | Gea Messo Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung eines grobkörnigen kristallinen Ammoniumsulfat-Produkts |
DE102008029050A1 (de) | 2008-06-18 | 2009-12-24 | Gea Messo Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur kontinuierlichen Herstellung eines Kristallisats mit konstanter Korngrößenverteilung |
DE102008059754A1 (de) * | 2008-12-01 | 2010-06-02 | Gea Messo Gmbh | Verfahren zur Erzeugung eines grobkörnigen Ammoniumsulfat-Produkts |
DE102012101702B4 (de) * | 2012-03-01 | 2017-10-05 | Gea Messo Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines grobkörnigen Ammoniumsulfat-Produkts durch Kristallisation und Anlage zur Durchführung des Verfahrens |
PL2895426T3 (pl) | 2012-09-11 | 2018-09-28 | Cap Iii Bv | Sposób i urządzenie do zapoczątkowania procesu krystalizacji siarczanu amonu |
CN105197962A (zh) * | 2015-09-30 | 2015-12-30 | 芜湖新兴铸管有限责任公司 | 一种硫铵结晶设备 |
CN111408157B (zh) * | 2020-04-14 | 2021-09-14 | 中石化南京工程有限公司 | 一种硫酸铵结晶方法及其装置 |
CN115520879B (zh) * | 2021-06-24 | 2024-03-26 | 中国石油化工股份有限公司 | 异相晶种连续制备颗粒硫酸铵的方法及装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1597729A (zh) * | 1968-12-06 | 1970-06-29 | ||
GB1329316A (en) * | 1970-12-08 | 1973-09-05 | Kerr Mc Gee Chem Corp | Process for automatic control of crystal size distribution |
DE2320601A1 (de) * | 1973-04-24 | 1975-03-13 | Kramer Oskar Ernst Dipl Ing Ch | Kontinuierliche kristallisatoren |
FR2374067A1 (fr) * | 1976-12-14 | 1978-07-13 | Fives Cail Babcock | Procede et installation de production de germes de cristallisation selectionnes, applicables aux appareils cristalliseurs discontinus ou continus, particulierement pour bas produit de sucrerie |
EP0255786B1 (fr) * | 1986-08-01 | 1990-06-27 | FIVES-CAIL BABCOCK, Société Anonyme | Procédé et installation pour la production d'un magma d'ensemencement pour un appareil de cristallisation à marche continue |
DE69300767T2 (de) * | 1992-03-27 | 1996-04-25 | Allied Signal Inc | Kristallisationsverfahren in einem umlenkkristallisator mit ablenkscheiben. |
-
1999
- 1999-03-20 DE DE19912699A patent/DE19912699A1/de not_active Withdrawn
-
2000
- 2000-03-09 EP EP00916803A patent/EP1165198B1/de not_active Revoked
- 2000-03-09 KR KR1020017011994A patent/KR100592155B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-03-09 DE DE10080665T patent/DE10080665B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-09 ES ES00916803T patent/ES2307499T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-09 WO PCT/DE2000/000747 patent/WO2000056416A1/de active IP Right Grant
- 2000-03-09 AT AT00916803T patent/ATE397481T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-03-09 DE DE50015193T patent/DE50015193D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-09 AU AU38023/00A patent/AU3802300A/en not_active Abandoned
- 2000-03-17 TW TW089104870A patent/TWI250892B/zh active
- 2000-03-17 CO CO00019717A patent/CO5231207A1/es not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2307499T3 (es) | 2008-12-01 |
EP1165198B1 (de) | 2008-06-04 |
EP1165198A1 (de) | 2002-01-02 |
DE10080665B4 (de) | 2009-04-30 |
CO5231207A1 (es) | 2002-12-27 |
WO2000056416A1 (de) | 2000-09-28 |
DE10080665D2 (de) | 2002-10-31 |
KR20020003214A (ko) | 2002-01-10 |
ATE397481T1 (de) | 2008-06-15 |
AU3802300A (en) | 2000-10-09 |
DE19912699A1 (de) | 2000-09-28 |
KR100592155B1 (ko) | 2006-06-23 |
DE50015193D1 (de) | 2008-07-17 |
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