TWI250569B - Cleaning sheet and process for cleaning substrate treatment device using same - Google Patents

Description

1250569 玖、發明說明 (發明所屬之技術領域） - 本發明係關於一種淸潔裝置用之片材，及更特定言之’ 、 係關於用於易被外來物質損壞之基板處理裝置諸如半導體 或平面顯示器製造裝置及半導體或平面顯示器檢查裝置之 淸潔片材及淸潔方法。 (先前技術） 基板處理裝置輸送彼此實體接觸之各種輸送系統及基 板。在此程序中，當有外來物質附著至基板或輸送系統時， 鲁 後續的基板會連續受污染，而必需暫停裝置的操作及定期 淸潔裝置。此產生工作效率降低或需要甚多人工的問題。 爲解決此等問題，有人提出一種包含輸送其上固定有黏著 材料之基板，以將附著至基板處理裝置內部之外來物質淸 除的方法（日本專利公開第1 998- 1 5 468 6號），及一種包含 輸送管狀元件，以移除附著至基板背面之外來物質之方法 (曰本專利公開第1999-87458號）。 (發明內容） φ 包含輸送其上固定有黏著材料之基板，以將附著至基板 處理裝置內部之外來物質淸除之方法係克服前述問題的有 效方法。然而’根據此方法，由於使用黏著材料作爲淸潔 層’因而黏著材料有可能會相當牢固地黏合至裝置之接觸 面積’以致其無法自接觸面積剝離，而使其無法確實地輸 ， 送基板。當裝置之夾台包含真空吸取機構時，此問題尤其 顯著。 此外’包含輸送管狀元件以移除外來物質之方法可毫無 6 1250569 問題地進行輸送，但其有重要的移除容量差的缺點。 此外，希望用於移除此等外來物質之淸潔片材包含不會 . 於基板處理裝置中之輸送部位等等上造成污染的淸潔層。 Μ 待黏著至淸潔層之隔離物需作類似的考量。換言之’一般 將淸潔片材設置成使隔離物黏著至淸潔層之表面，以保護 淸潔層之表面，或改良其可操作性。由剝離性的觀點來看， 通常將經聚矽氧、鱲或其類似物剝離處理之聚酯薄膜或其 類似物使用作爲此隔離物。 然而，當在使用時將前述的隔離物自淸潔層剝離時，剝 鲁 離處理劑諸如聚砂氧及鱲會移動至淸潔層。當將此淸潔片 材輸送至基板處理裝置中以嘗試移除外來物質時，前述經 轉移的剝離處理劑附著至裝置中之輸送部位等等，而不利 地污染裝置。 因此，迄今爲止在實務上使用一種由聚儲烴基樹脂製成 之淸潔層表面保護膜替代前述的隔離物。此種膜的本身即 使未經聚矽氧、蠟或其類似物剝離處理，仍可展現充分的 剝離性，因此可防止裝置之污染。然而，在將淸潔片材使 鲁 用於具約8 〇 °c溫度之裝置中或類似情況中，會產生由於在 聚烯烴基樹脂之膜形成過程中添加之各種添加劑移動至淸 潔層，然後氣化或與裝置中之殘留氣體反應，而仍使裝置 內部受到污染的問題。 第一及第二發明之目的在於提供一種可確實輸送通過 ，· 基板處理裝置，而簡單且確實地移除附著外來物質的淸潔 ， 片材。 此外’参照前述之製造具有淸潔功能之輸送兀件之方 7 1250569 法’在將淸潔片材黏著至輸送元件諸如基板以製造淸潔元 件之情況中，當將尺寸較輸送元件之形狀大的淸潔片材黏 著至輸送元件’然後再沿輸送元件之外形切割（以下稱爲 「直接切割法」）時，在片材切割過程中會自淸潔層等等產 生碎片’然後再附著至淸潔元件及裝置，而不利。此外， 在將先前經加工成元件形態之淸潔標籤片材黏著至輸送元 件以製造淸潔元件（以下稱爲「預切割法」）之情況中，可 相較於直接切割法而抑制在標籤工作過程中之碎片的產 生，但淸潔層之黏著劑在標籤切割過程中自切割部分突 · 出，而使得黏著劑有可能會附著至標籤之末端。此外，在 使用聚合-固化黏著劑作爲黏著劑的情況中，當於片材切割 之後進行固化時，在切割端之黏著劑會由於氧抑制而經歷 錯誤固化’而可能會造成在基板處理裝置中在接觸部位上 的污染。 此外’在將標籤片材衝孔的情況中，淸潔標籤以有普通 黏著劑插置於其間之連續長度之隔離物的形態連續製備 得。然而’在此情況，當使用當接受到活化能時聚合及固 · 化之黏著劑作爲淸潔層時，淸潔層會經歷硬化及收縮，而 使得標籤的本身易自隔離物剝離。當在隔離物與黏著劑之 間的剝離黏著力小時，淸潔標籤會自隔離物剝離。此外， 當用於滯留標籤之隔離物的剝離層不安定時，剝離層之剝 離黏著力會在儲存過程中改變，或剝離層之成份會移動至 -黏著層表面，而使標籤之黏著性質劣化。在最糟的情況中， _ 標籤會在淸潔元件的使用過程中自輸送元件剝離，而造成 裝置的錯誤。 1250569 此外，在於片材衝孔之前進行固化之情況中，尤其係在 將聚矽氧剝離劑使用作爲淸潔層之表面保護用之剝離薄膜 · 的情況中，該聚矽氧成份會移動至淸潔層之表面。 . 在此等情勢下，第三發明之目的在於提供一種可確實輸 送通過基板處理裝置，以簡單且確實地移除附著至裝置之 外來物質，而不會造成淸潔標籤在預切割過程中自隔離物 剝離’且標籤之老化安定性及黏著性質優異之具淸潔功能 的標籤片材。 此外，在此等情勢下，第四發明之目的在於提供一種可 Φ 使基板確實輸送通過基板處理裝置，使其可簡單且確實地 移除附著至裝置內部之外來物質，且既不會在片材衝孔過 程中造成錯誤衝孔，亦不會在預切割過程中造成黏著劑之 錯誤固化之具淸潔功能之標籤片材的製造方法。 本發明人對前述目的進行廣泛的硏究。結果，發現使用 第一發明（其係一種經層合爲隔離物之經聚矽氧基剝離劑 剝離處理之保護膜，其中當將該隔離物自該淸潔層剝離 時’附著至該淸潔層之聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷計算 I 爲0.005克/平方米或以下，及該隔離物上之聚矽氧之塗 布量以聚二甲基矽氧烷計算爲0.1克/平方米或以下）作爲 用於保護該淸潔層之保護膜，當經由將輸送元件諸如具有 淸潔層之片材及經固定此一片材之基板輸送至裝置內，而 淸潔裝置內部，以移除附著於其上之外來物質時，可確實 -防止由於隔離物所致之在裝置上之污染的問題，且可簡單 及確實地剝離外來物質，而不會造成前述問題。因此而完 成本發明。 1250569 關於第二發明，發現使用經層合爲隔離物之由聚烯烴基 樹脂製成之未經處理之保護膜（其中加入於保護膜中之熱 - 劣化抑制劑及潤滑劑之量的總和以1 0 0份重量之聚烯烴基 ， 樹脂計係低於〇 . 〇 1份重量）作爲前述之用於保護淸潔層的 保護膜，可確實防止由於隔離物所致之在裝置上之污染的 問題，且可簡單及確實地剝離外來物質，而不會造成前述 問題。因此而完成本發明。 關於第四發明，本發明人進行廣泛硏究以完成前述目 的°結果，發現使用預切割方法於製造包含由當接受到活 Θ 化能時經歷聚合及固化之黏著劑製成之淸潔層之具淸潔功 能的標籤片材可製造可簡單及確實地移除外來物質，而不 會造成前述問題之具淸潔功能的標籤片材，其中此預切割 方法包含在淸潔層之黏著劑的聚合固化反應之前將淸潔層 之第一剝離薄膜剝離，使淸潔層在沒有實質氧效應的條件 下進行聚合固化，以第二剝離薄膜保護該淸潔層之表面， 然後再切割標籤。因此而完成本發明。 換言之，本發明之第一本質係關於一種包含淸潔層及於 鲁 其至少一面上經層合爲隔離物之經聚矽氧基剝離劑剝離處 理之保護膜的淸潔片材，其特徵在於當將該隔離物自該淸 潔層剝離時，附著至該淸潔層之聚矽氧之量以聚二甲基矽 氧烷計算爲0.005克/平方米或以下（申請專利範圍第1 項）；一種包含淸潔層及於其至少一面上經層合爲隔離物之 · 經聚矽氧基剝離劑剝離處理之保護膜的淸潔片材，其特徵 在於使用經塗布以聚二甲基砂氧烷計算爲^丨克/平方米 或以下之量之聚矽氧的隔離物作爲該隔離物（申請專利範 10 1250569 圍第2項）；一種包含淸潔層及於其至少一面上經層合爲隔 離物之經聚矽氧基剝離劑剝離處理之保護膜的淸潔片材， 其特徵在於當將該隔離物自該淸潔層剝離時，附著至該淸 潔層之聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷計算爲0·005克/平 方米或以下，且於該淸潔層之另一面上設置普通黏著層（申 請專利範圍第3項”一種包含淸潔層及於其至少一面上經 層合爲隔離物之經聚矽氧基剝離劑剝離處理之保護膜的淸 潔片材’其特徵在於使用經塗布以聚二甲基矽氧烷計算爲 〇 . 1克/平方米或以下之量之聚矽氧的隔離物作爲該隔離 物’且於該淸潔層之另一面上設置普通黏著層（申請專利範 圍第4項）；一種包含設置於襯片之至少一面上之淸潔層及 於其上經層合爲隔離物之經聚矽氧基剝離劑剝離處理之保 護膜的淸潔片材，其特徵在於當將該隔離物自該淸潔層剝 離時，附著至該淸潔層之聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷計 算爲0.005克/平方米或以下（申請專利範圍第5項）；一 種包含設置於襯片之至少一面上之淸潔層及於其上經層合 爲隔離物之經聚矽氧基剝離劑剝離處理之保護膜的淸潔片 材，其特徵在於使用經塗布以聚二甲基矽氧烷計算爲0.1 克/平方米或以下之量之聚矽氧的隔離物作爲該隔離物 (申請專利範圍第6項）；一種包含設置於襯片之至少一面 上之淸潔層、設置於該襯片之另一面上之普通黏著層及於 至少該淸潔層之表面上層合爲隔離物之經聚矽氧基剝離劑 剝離處理之保護膜的淸潔片材，其特徵在於當將該隔離物 自該淸潔層剝離時，附著至該淸潔層之聚矽氧之量以聚二 甲基矽氧烷計算爲〇 · 〇 〇 5克/平方米或以下（申請專利範圍 1250569 第7項）；一種包含設置於襯片之至少一面上之淸潔層、設 置於該襯片之另一面上之普通黏著層及於至少該淸潔層之 . 表面上層合爲隔離物之經聚矽氧基剝離劑剝離處理之保護 膜的淸潔片材，其特徵在於使用經塗布以聚二甲基矽氧烷 計算爲0.1克/平方米或以下之量之聚矽氧的隔離物作爲 該隔離物（申請專利範圍第8項）等等。 本發明之第二本質係關於一種包含在淸潔層之至少一 面上層合爲隔離物之由聚烯烴基樹脂製成之未經處理之保 護膜的淸潔片材，其中加入於此保護膜中之熱劣化抑制劑 春 及潤滑劑之量的總和以1 0 0份重量之聚烯烴基樹脂計係低 於0 · 0 1份重量（申請專利範圍第9項）；一種包含在淸潔層 之一面上層合爲隔離物之由聚烯烴基樹脂製成之未經處理 之保護膜的淸潔片材，其中加入於此保護膜中之熱劣化抑 制劑及潤滑劑之量的總和以1 0 0份重量之聚烯烴基樹脂計 係低於0 · 〇 1份重量，且於該淸潔層之另一面上設置普通黏 著層（申請專利範圍第1 〇項）；一種包含設置於襯片之至少 一面上之淸潔層及於該淸潔層之表面上層合爲隔離物之由 鲁 聚烯烴基樹脂製成之未經處理之保護膜的淸潔片材，其中 加入於此保護膜中之熱劣化抑制劑及潤滑劑之量的總和以 1 0 0份重量之聚烯烴基樹脂計係低於〇 . 0 1份重量（申請專 利範圍第11項）；一種包含設置於襯片之一面上之淸潔 層、設置於該襯片之另一面上之普通黏著層及於至少該淸 _ 潔層之表面上層合爲隔離物之由聚烯烴基樹脂製成之未經 處理之保護膜的淸潔片材，其中加入於此保護膜中之熱劣 化抑制劑及潤滑劑之量的總和以1 0 0份重量之聚烯烴基樹 12 1250569 脂計係低於0 · 〇 1份重量（申請專利範圍第1 2項）；根據申 請專利範圍第9至1 2項之淸潔片材，其中該保護膜不含熱 劣化抑制劑及潤滑劑（申請專利範圍第1 3項）等等。 本發明之第三本質係關於一種具淸潔功能之標籤片 材，其包含設置於襯片之一面上之淸潔層，其表面經剝離 薄膜保護，且其中該襯片之另一面係彼此間可剝離分開地 連續設置於連續長度之隔離物上，而有普通黏著層插置於 其間，其特徵在於使該隔離物自該普通黏著層剝離所需之 1 8 0 ^剝離黏著力係〇 . 0 5牛頓/ 5 0毫米或以上（申請專利範 圍第1 6項）；一種具淸潔功能之標籤片材，其包含設置於 襯片之一面上之淸潔層，其表面經剝離薄膜保護，其中該 襯片之另一面係彼此間可剝離分開地連續設置於連續長度 之隔離物上，而有普通黏著層插置於其間，其特徵在於使 用以曰東電工（股）製造之No. 3 1 B帶測定，具有85 %或以 上之百分殘留黏著力的隔離物作爲該隔離物（申請專利範 圍第1 7項）；如申請專利範圍第1 6或1 7項所說明之具淸 潔功能之標籤片材，其中該淸潔層之拉伸模數（根據JIS K7 1 27試驗方法）爲1 0 Mpa或以上（申請專利範圍第1 8 項）；根據申請專利範圍第1 6或1 7項之具淸潔功能之標籤 片材，其包含具有由包含感壓黏著聚合物、每分子具一或 多個不飽和雙鍵之可聚合不飽和化合物及聚合引發劑之固 化黏著劑製成之淸潔層的淸潔片材（申請專利範圍第1 9 項）；根據申請專利範圍第1 6或1 7項之具淸潔功能之標籤 片材，其中說明於申請專利範圍第1 9項中之感壓黏著劑係 爲包含（甲基）丙烯酸烷基酯爲主成份之丙烯酸系聚合物 13 1250569 (申請專利範圍第2 0項）；如申請專利範圍第1 6或1 7項所 定義之具淸潔功能之標籤片材，其中說明於申請專利範圍 · 第1 9項中之聚合引發劑係爲光聚合引發劑，及淸潔層係爲 _ 光定形（光固化）黏著層（申請專利範圍第21項）等等。 本發明之第四本質係關於一種具淸潔功能之標籤片材 的製造方法，此標籤片材包含在襯片之一面上之由當接受 到活化能時聚合及固化之黏著劑製成之淸潔層，其表面經 剝離薄膜保護，其中該襯片之另一面係可剝離地設置於隔 離物上，而有普通黏著層插置於其間，其特徵在於自經如 · 此製得之標籤片材之淸潔層轉移至矽晶圓之尺寸〇. 2微米 或以上之外來物質的量係爲2 0件/平方英吋或以下（申請 專利範圍第22項）；一種具淸潔功能之標籤片材的製造方 法，此標籤片材包含在襯片之一面上之由當接受到活化能 時聚合及固化之黏著劑製成之淸潔層，其表面經剝離薄膜 保護，其中該襯片之另一面係可剝離地設置於隔離物上， 而有普通黏著層插置於其間，其包含在該淸潔層之黏著劑 的聚合固化反應之前將淸潔層之第一剝離薄膜剝離，使淸 ® 潔層在沒有實質氧效應的條件下進行聚合固化，以第二剝 離薄膜保護該淸潔層之表面，然後再將片材衝孔成爲標籤 形態（申請專利範圍第2 3項）；如申請專利範圍第2 3項所 說明之具淸潔功能之標籤片材的製造方法，其中在淸潔層 之黏著劑之聚合固化反應之前保護淸潔層之表面的第一剝 -離薄膜係具有聚矽氧基剝離劑之薄膜（申請專利範圍第2 4 _ 項）；如申請專利範圍第22項所說明之具淸潔功能之標籤 片材的製造方法，其中在將片材衝孔成爲標籤形態之過程 14 1250569 中之淸潔層的拉伸模數（根據HS Κ7 127試驗方法）係爲10 MP a或以上（申請專利範圍第2 5項）；如申請專利範圍第 _ 2 2項所說明之具淸潔功能之標籤片材的製造方法，其中淸 潔層係爲包含感壓黏著聚合物、每分子具一或多個不飽和 雙鍵之可聚合不飽和化合物及聚合引發劑之固化黏著劑 (申請專利範圍第2 6項）；如申請專利範圍第2 6項所說明 之具淸潔功能之標籤片材的製造方法，其中感壓黏著聚合 物係爲包含（甲基）丙烯酸及/或（甲基）丙烯酸烷基酯爲主 要單體之丙烯酸系聚合物（申請專利範圍第2 7項）；如申請 · 專利範圍第2 6項所說明之具淸潔功能之標籤片材的製造 方法，其中聚合引發劑係爲光聚合引發劑，及淸潔層係爲 光定形黏著層（申請專利範圍第2 8項）等等。 (實施方式） 本發明之第一淸潔片材包含作爲用於保護淸潔層表面 之保護膜之經聚矽氧基剝離劑剝離處理的隔離物。待層合 於該淸潔層上之該隔離物需滿足當將該隔離物自該淸潔層 剝離時，附著至該淸潔層之聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷 春 計算爲0.005克/平方米，以0.003克/平方米特佳的需 求。或者，該隔離物需滿足該隔離物上之聚砂氧之塗布量 以聚二甲基矽氧烷計算爲0.1克/平方米或以下，以0.07 克/·平方米或以下特佳之需求。當附著至淸潔層之聚矽氧 之量或聚矽氧於隔離物上之塗布量超過前述的預定値時， ， 會產生與淸潔層之最外部表面接觸之剝離處理劑之成份或 作爲其中一成份之聚矽氧移動至淸潔層之表面污染淸潔 層，而造成基板處理裝置中之接觸部位二次污染的問題。 15 1250569 聚矽氧之量的測量可經由使用螢光χ-射線測量儀器測量 在樣品表面之30毫米Φ測量範圔內之Si-Κα的強度，然 _ ¥再使測量値以聚二甲基矽氧烷進行計算而進行。轉換式 ， 係以下式（1)表示。 y = 0.00062x (1) y:聚二甲基矽氧烷之量（克/平方米） X : Si-Ka 之強度（kcps) 使用於本發明之隔離物並無特殊之限制，只要附著至、凊 潔層之聚矽氧之量或聚矽氧於隔離物上之塗布量不大於如 φ 前所述之預定値即可。舉例來說，使用作爲剝離處理劑之 聚矽氧樹脂可爲溶劑型、乳液型、無溶劑型等等。或者， 可使用固化型聚矽氧樹脂諸如縮合反應固化型、加成反應 固化型、紫外光固化型及電子射線固化型聚矽氧樹脂。聚 矽氧樹脂可更包含各種添加劑，諸如除主成份諸如聚二甲 基矽氧烷之外加入於其中作爲輕剝離添加劑之非官能聚矽 氧或作爲重剝離添加劑之聚矽氧樹脂。 使用作爲隔離物之材料並無特殊之限制，但其可爲由聚 鲁 氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二 甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、乙酸伸乙酯·乙烯基共聚物、 離子交聯聚合物樹脂、乙烯-(甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-(甲 基）丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯等等製成之塑膠 膜。 . 本發明之第一淸潔片材包含作爲用於保護淸潔層表面 之保護膜之由聚烯烴基樹脂製成之厚度一般自25微米至 1〇〇微米之隔離物。聚烯烴基樹脂之例子包括聚乙烯、聚 16 1250569 丙嫌、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物等等。此種薄膜’諸如聚醚’ 即使未經聚矽氧或蠟剝離處理，仍展現低臨界表面張力， - 医！ #可將其預定爲相對於淸潔層之表面具有降低的剝離黏 ， 著力。此外，由軟氯乙烯製成之薄膜有加入於薄膜中之大 量的塑化劑移至淸潔層之表面’而造成基板處理裝置中之 污染，或由聚氯乙烯釋放出之氯化氫造成裝置中之污染的 缺點。然而，聚烯烴基樹脂不會造成此種問題。 此一淸潔層表面保護膜係經由以一般方式將各種添加 劑加至前述之聚烯烴基樹脂，然後再利用薄膜形成裝置諸 # 如擠塑機及壓延機將聚烯烴基樹脂加工成爲薄膜形態而製 備得。本發明之特徵在於前述之添加劑不含熱劣化抑制劑 及潤滑劑，或若有的話，將兩添加劑之量的總和限制至以 1 〇 〇份重量之聚烯烴基樹脂計，低於0 · 0 1份重量之狹窄範 圍。 熱劣化抑制劑之例子包括酚系熱劣化抑制劑、芳族胺基 熱劣化抑制劑、有機硫基熱劣化抑制劑、有機磷基熱劣化 抑制劑、及金屬化合物基熱劣化抑制劑。當熱劣化抑制劑 · 及潤滑劑之量的總和以1 00份重量之聚烯烴基樹脂計不小 於0 · 0 1份重量時’此等添加劑會移動至淸潔層表面，而使 其很難確實地防止基板處理裝置中的污染。 此外’由於由前述之聚烯烴基樹脂製成之保護膜在淸潔 層形成黏著劑之塗布過程中必需承受加熱及乾燥步驟，因 _ 而作爲薄膜形成材料之聚烯烴基樹脂以展現8 0 °c或以上 * - 之熱變形溫度（根據JIS K72〇7在0.45 MPa之負荷下）較 佳。此一保護膜未經進行剝離處理。 17 1250569 淸潔層之材料等等並無特殊之限制。然而，使用經活化 能源諸如紫外光線及熱固化成具有產生降低黏著力之立體 . 網狀分子結構的材料較佳。舉例來說’相對於矽晶圓（鏡面） 之1 8 0 °剝離黏著力爲0 · 2 0牛頓/ 1 〇毫米或以下，以自約 0.010至〇·1〇牛頓/1〇毫米較佳。虽此黏者力超過0 20 牛頓/10毫米時，淸潔層在輸送過程中會黏著至裝置中的 非淸潔區域，而可能會造成輸送困難。 此外，在本發明，可將淸潔片材切割成標籤形態，然後 再將其使用作爲具淸潔功能之標籤片材。在此情況，切割 馨 方法並無特殊之限制。然而，當淸潔層之黏著劑未經聚合 及固化時，其有淸潔層之黏著層會自片材之切割部分突 出，或附著至切割部分或黏著繩，或經切割成不均勻深度 而產生粗糙切割部分，其在最糟的情況中會造成錯誤切割 的缺點。此外，當於片材切割之後進行聚合固化反應時， 暴露於切割部分上之黏著劑會由於氧抑制而被阻止聚合， 其有時會造成基板處理裝置被黏著劑之污染。因此，於切 割之前預先進行聚合固化反應較佳。爲此，淸潔層之拉伸 鲁 模數爲10 MPa或以上較佳，自10至2，000 MPa(根據JIS K 7 1 2 7 )更佳，以防止由於片材切割而發生前述的問題。經 由將拉伸模數預定至此一指定値或以上，可防止黏著劑自 淸潔層突出或在標籤切割過程中的錯誤切割，而可製得不 會因黏著劑而造成污染之具有淸潔功能的標籤片材。當拉 _ 伸模數超過2,000 MPa時，自輸送系統移除附著外來物質 的能力劣化。當拉伸模數小於此範圍時，會發生前述之切 割的問題，或黏著劑會在輸送過程中黏著至裝置中之待淸 18 Ϊ250569 潔區域，而可能會造成輸送的困難。 關於此一淸潔層之明確例子，包含加入於感壓黏著聚合 _ 物中之每分子具一或多個不飽和雙鍵之化合物的淸潔層爲 較佳。 此外’此一感壓黏著聚合物之實例爲包含選自包括丙烯 酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸及甲基丙烯酸酯之（甲基）丙烯 酸及/或（甲基）丙烯酸酯作爲單體之丙烯酸系聚合物。經 由使用每分子具二或多個不飽和雙鍵之化合物作爲可共聚 合單體而合成此丙烯酸系聚合物，或將每分子具有不飽和 鲁 雙鍵之化合物化學鍵結至利用官能基之間之反應合成得之 丙烯酸系聚合物，以致丙烯酸系聚合物分子包含加入於其 中之不g包和雙鍵，則當接受到活化能時，亦可使聚合物之 本身參與聚合固化反應。 此處所使用之每分子具一或多個不飽和雙鍵之化合物 (以下稱爲「可聚合不飽和化合物」）係具1 〇，0 〇 〇或以下之 重量平均分子量的非揮發性低分子化合物較佳。此化合物 具有5,〇〇〇或以下之分子量，以於固化過程中經歷有效率 鲁 的黏著層之立體網狀交聯較佳。此一可聚合化合物之例子 包括苯氧基聚乙二醇（甲基）丙烯酸酯、己內酯（甲基）丙 稀酸酯、聚乙二醇二（甲基）丙烯酸酯、聚丙二醇二（甲基） 丙嫌酸酯、二羥甲基丙烷三（甲基）丙烯酸酯、二異戊四醇 六（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸胺基甲酸酯、（甲基）丙烯 _ 酸環氧酯、（甲基）丙烯酸寡聚酯等等。在此等可聚合化合 物之中，使用一或多種化合物。 此外’待加入於黏著劑中之聚合引發劑並無特殊之限 19 1250569 制。可使用任何已知材料作爲此一聚合引發劑。舉例來說， 如使用熱作爲活化能的來源，則可使用熱聚合引發劑諸如 · 過氧化苯甲醯及偶氮雙異丁腈。如使用光，則可使用光聚 合引發劑諸如苯甲醯基、安息香乙基醚、雙苄、異丙基安 息香醚、二苯基酮、米蚩酮（Michler，S ketone)氯氧二苯并 硫哌喃、十二基氧二苯并硫哌喃、二甲基氧二苯并硫哌喃、 苯乙酮二乙基縮酮、苄基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基 酮、2 -羥甲基苯基丙烷、及2,2 -二甲氧-2-苯基苯乙酮。 淸潔層之厚度並無特殊之限制，但其一般係自約5至丨00 φ 微米。 本發明亦提供一種包含設置於淸潔層之另一面或襯片 之另一面上之普通黏著層的淸潔片材。在此情況，在另一 面上之黏著層的材料等等並無特殊之限制，只要其滿足黏 著功能即可。可使用普通的黏著劑（例如，丙烯酸系黏著 劑、橡膠基黏著劑）。黏著層之厚度一般係自約5至1 0 0 微米。在本發明中在將輸送元件諸如基板之此一黏著劑剝 離以再利用輸送元件諸如基板的情況中，以相對於矽晶圓 · (鏡面）之1 8 0 °剝離黏著力計算，此一普通黏著劑之黏著力 係自約〇 · 2 1至0 · 9 8牛頓/ 1 〇毫米較佳，尤其係自約〇 . 4 〇 至0 · 9 8牛頓/ 1 〇毫米，以致可容易地將基板再剝離，而 不會於淸潔之後在輸送過程中剝離。 使用於另一面上之黏著層中的隔離物並無特殊之限 制。隔離物之例子包括由聚烯烴諸如聚乙烯、聚丙烯、聚 丁烯、聚丁二烯及聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、 ~ 聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸 20 1250569 酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子交聯聚合物樹脂、乙烯 -(甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基）丙烯酸酯共聚物、聚苯 . 乙烯及聚碳酸酯製成之塑膠膜，其經聚矽氧基剝離劑、以 長鏈烷基爲主之剝離劑、氟基剝離劑、脂族酸醯胺基剝離 劑、矽石基剝離劑或其類似物剝離處理。隔離物之厚度一 般係自約1 〇至1 〇 0微米。 淸潔層之襯片並無特殊之限制。襯片之例子包括由聚乙 烯、聚對苯二甲酸乙二酯、乙醯基纖維素、聚碳酸酯、聚 丙烯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚碳二醯亞胺、耐綸薄膜等等 · 製成之塑膠膜。襯片薄膜之厚度一般係自約10微米至100 微米。 在本發明之具淸潔功能的第三標籤片材中，連續長度之 隔離物需具有〇·〇5牛頓/ 50毫米或以上之180°剝離黏著 力，以0 · 1牛頓/ 5 0毫米或以上較佳，尤其係自約〇 . 1至 0.5牛頓/ 50毫米，以使其本身可自普通黏著層剝離。或 者，該隔離物需具有8 5 %或以上之利用日東電工（股）製造 之No . 3 1 B帶（商品名：聚酯膠帶；基材：聚酯；黏著劑： · 丙烯酸基）測得之百分殘留黏著力，以90%或以上較佳，尤 其係自約90至1 1 〇%。隔離物之剝離黏著力的測量係經由 使用拉伸試驗機器（指示於AS 1 6 3 5、FINAT-10、FS-147、 PSTC-4中）在常態（23°C，50%RH)中測定以180°之角度及 3 00毫米/分鐘之速率將隔離物自淸潔標籤剝離所需之力 - 而進行。更詳細說明，將日東電工（股）製造之No. 3 1 B聚 _ 酯膠帶黏著至於；i IS G 43 0 5中所指示之冷軋不銹鋼板 (SUS 3 04)。然後於常態（23°C，50%RH)中在180 °之角度下 21 1250569 測量剝離黏著力作爲基礎黏著力（Fg)。接著使用19.6牛頓 (2公斤）之滾筒將前述之聚酯膠帶黏著至該隔離物。然後 _ 將層合物在49牛頓（5公斤）之負荷下加壓。然後於24小 時後’將膠帶剝離。接著將經如此剝離的膠帶黏著至前述 的不銹鋼板。然後以與前述相同之方式測量剝離黏著力， 而測得殘留黏著力（F)。然後使用以下方程式（1 )由如此測 得之基礎黏著力（F〇)及殘留黏著力（F)測得百分殘留黏著 力： 百分殘留黏著力（°/。）= (F/F〇)x 1 0 0 ( 1 ) φ 如該隔離物之1 80°剝離黏著力低於預定値，則於具淸潔 功能之標籤片材的製造後，淸潔標籤會自連續長度之隔離 物部分剝離，而可能會造成黏著劑之黏著力的改變或黏著 劑被外來物質污染。如1 8 0 °剝離黏著力超過〇 . 5牛頓/ 5 0 毫米，則當將標籤自隔離物剝離時會發生重度剝離，而可 能會使工作性劣化。此外，如百分殘留黏著力小於預定値， 則在標籤片材之儲存過程中，剝離層成份會轉移至黏著 劑，而可能會使標籤之黏著性質劣化，或使標籤對隔離物 鲁 的剝離黏著力不穩定而不利。其亦有當將此一淸潔標籤黏 著至輸送元件時，由於被外來物質污染而發生錯誤黏著， 或經黏著淸潔標籤之具淸潔功能之輸送元件之老化安定性 劣化的缺點。 在本發明，連續長度之隔離物的材料並無特殊之限制， - 只要其剝離黏著力不小於如前所述之預定値即可，但其可 _ 爲由聚烯烴諸如聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯及聚 甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二 22 1250569 酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯 酯共聚物、離子交聯聚合物樹脂、乙烯-(甲基）丙烯酸共聚 物、乙烯-(甲基）丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯及聚碳酸酯製 成之塑膠膜，其經聚矽氧基剝離劑、以長鏈烷基爲主之剝 離劑、氟基剝離劑、脂族酸醯胺基剝離劑、矽石基剝離劑 或其類似物剝離處理。 前述之淸潔層對矽晶圓（鏡面）展現0.20牛頓/ 10毫米或 以下之1 8 0 °剝離黏著力，以自約0 . 〇 1至0 · 1牛頓/ 1 〇毫 米較佳（根據JIS Z02 3 7測量）。當此黏著力超過0.20牛頓 /10毫米時，淸潔層在輸送過程中與裝置中之待淸潔區域 接觸，而可能會造成輸送困難。淸潔層之厚度並無特殊之 限制，但其一般係自約5至1 0 0微米。待使用於保護淸潔 層之剝離薄膜並無特殊之限制，但其可爲由聚烯烴諸如聚 乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯及聚甲基戊烯、聚氯乙 烯、氯乙烯共聚物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸 丁二酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子交 聯聚合物樹脂、乙烯-(甲基）丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基） 丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯及聚碳酸酯製成之塑膠膜，其 經聚矽氧基剝離劑、以長鏈烷基爲主之剝離劑、氟基剝離 劑、脂族酸醯胺基剝離劑、矽石基剝離劑或其類似物剝離 處理。 爲製備根據本發明之具淸潔功能之標籤片材，使用包含 設置於襯片之一面上之前述之淸潔層及設置於襯片之另一 面上之普通黏著層的淸潔片材。在另一面上之黏著層的材 料等等並無特殊之限制，只要連續長度之隔離物展現以上 23 1250569 定義之値或更高値即可，但其可由普通黏著劑（例如，丙烯 酸系黏著劑、橡膠基黏著劑）製成。在此設置中，可將淸潔 ， 標籤自隔離物剝離，利用普通黏著層黏著至諸如各種之輸 _ 送元件，然後再以具有淸潔功能之輸送元件輸送通過裝 置’以致其與待淸潔之部位接觸而淸潔。由於輸送元件之 再利用需將輸送元件之黏著層剝離，因而可將該黏著層之 以對矽晶圓（鏡面）之180 °剝離黏著力計算之黏著力預定 爲自0,01至10.0牛頓/MO毫米之範圍，尤其係自約〇.〇5 至5.0牛頓/10毫米，而可容易地將輸送元件之黏著層再 春 剝離，而不會於淸潔之後在輸送過程中剝離。 本發明將參照圖式作進一步說明，但本發明並不受限於 此。 圖1係說明本發明之具淸潔功能之標籤片材之一例子的 平面圖’其中將複數個淸潔標籤A彼此分開地連續設置於 連續長度之隔離物1上。如圖2(沿圖1之線條a-a的剖面 圖）所示’此標籤A包括設置於襯片2之一面上的淸潔層3 和剝離薄膜4以及設置於襯片2之另一面上的普通黏著層 · 5，且其係以此黏著層5插置於其間而可剝離地設置於隔離 物1上。 在操作時，將淸潔標籤自隔離物1剝離，然後再黏著至 輸送元件諸如半導體晶圓。然後將剝離薄膜4自淸潔層3 剝離。接著可將標籤片材輸送至裝置中，以淸潔待淸潔之 . 部位。 m 在本發明之具淸潔功能之第四標籤片材的製造方法 中，自經如此製得之標籤片材之淸潔層轉移至矽晶圓之具 24 1250569 0·2微米或以上之尺寸之外來物質的數目需爲每平方英吋 2 0個或以下，尤其係每平方英吋1 〇個或以下。如外來物 . 質之轉移量超過每平方英吋2 0個，則會產生基板處理裝置 中之接觸部位受污染的問題。 在本發明，第四標籤片材之製造方法並無特殊之限制， 只要外來物質之轉移量不大於如前所述之預定値即可。然 而，尤其進行包含在該淸潔層之黏著劑的聚合固化反應之 前將淸潔層之第一剝離薄膜剝離，使淸潔層在沒有實質氧 效應的條件下進行聚合固化，以第二剝離薄膜保護該淸潔 馨 層表面，然後再將片材衝孔成標籤形態之方法較佳。如構 成淸潔片材之黏著劑於片材衝孔過程中尙未聚合及固化， 則其有淸潔層之黏著層自片材之衝孔部分突出，或附著至 衝孔部分或黏著索，或衝孔至不均勻深度而得粗糙衝孔部 分的缺點，其在最糟的情況中會造成錯誤衝孔。此外，當 於片材之衝孔後進行聚合固化反應時，暴露於衝孔部分上 之黏著劑由於氧抑制而被阻止聚合，其有時會因黏著劑而 造成基板處理裝置之污染。 φ 在本發明，淸潔層之拉伸模數爲1 〇 Μ P a或以上較佳， 自10至2,000 MPa更佳（根據JISK7127)，以防止發生前 述之片材衝孔的問題。經由將拉伸模數預定爲此一指定値 或以上’可防止黏著劑自淸潔層突出或在片材衝孔過程中 之錯誤衝孔，而可製造具淸潔功能之標籤片材，並不會於 · 預切割方法中因黏著劑而造成污染。當拉伸模數小於i 〇 MP a時’會發生前述之片材衝孔的問題，或黏著劑會在輸 送過程中黏著至裝置中之待淸潔區域，而可能會造成輸送 25

«I 1250569 困難。相對地，當拉伸模數太大時，自輸送系統移除附著 外來物質之能力劣化。 · 在本發明，淸潔層在淸潔層之聚合固化反應之前需沒有 . 第一剝離薄膜，然後再在沒有實質氧效應的條件下進行聚 合及固化。當淸潔層係在存在第一剝離薄膜之情況下進行 聚合及固化時，與淸潔層之最外部表面或其部分接觸之剝 離劑之成份諸如聚矽氧移動至淸潔層之表面，而造成淸潔 層污染。此外，在沒有實質氧效應之條件下之淸潔層的聚 合及固化可，例如，經由於真空大氣（壓力：約133 Pa)中 鲁 照射活化能源而完成。 此外，經進行聚合及固化之淸潔層受到在其表面上之第 二剝離薄膜的保護，然後再進行片材衝孔，而製得標籤形 態。用於保護淸潔層之表面的第一及第二剝離薄膜並無特 殊之限制，只要其可於淸潔片材之製造或使用過程中自淸 潔層再剝離即可。然而，可使用稍後說明之作爲隔離物之 塑膠膜或可再剝離之黏著片材。第一及第二剝離薄膜可相 同或不同。然而，當第一剝離薄膜係如說明於段落（0010) ® 中之具有聚矽氧基剝離劑之薄膜時，本發明之製造方法尤 其有效。 根據本發明之具淸潔功能之標籤片材的製造方法，使包 含由設置於襯片之一面上之前述之特定黏著劑製成之淸潔 層（其表面經剝離薄膜保護），其中襯片之另一面係可剝離 · 地設置於隔離物上，而有普通黏著層插置於其間之淸潔片 I 材進行作爲淸潔層之固化黏著劑之固化，然後再在除隔離 物外之部分上進行片材衝孔，而製得標籤形態。在此情況， 26 1250569 衝孔方法及工作形態並無特殊之限制。然而，可根據說明 於後之輸送元件之形狀將淸潔片材衝孔，然後再除去不需 · 要的片材，而形成標籤。或者，可自除標籤外之部分將不 ， 需要的片材剝離，及以留置未剝離之一部分的片材強化部 分，作爲在標籤周圍或在片材末端之除標籤外的強化部 分，而形成標籤。 根據本發明之具淸潔功能之標籤片材的製造方法，使用 包含設置於襯片之一面上之前述之特定淸潔層，其中襯片 之另一面係可剝離地設置於隔離物上，而有普通黏著層插 鲁 置於其間之淸潔片材。在另一面上之黏著層的材料等等並 無特殊之限制，只要其滿足黏著性質即可，但其可爲普通 黏著劑（例如，丙烯酸系黏著劑、橡膠基黏著劑）。在此設 置中，可將具淸潔功能之標籤自說明於後之隔離物剝離， 利用普通黏著層黏著至諸如各種的輸送元件，然後再以具 有淸潔功能之輸送元件輸送通過裝置，以致其與待淸潔之 部位接觸而淸潔。在於淸潔之後將基板之黏著層剝離，以 再利用輸送元件諸如前述之基板的情況中，普通黏著層之 鲁 黏著力並無特殊之限制。然而，如普通黏著層之以對矽晶 圓（鏡面）之180。剝離黏著力計算之黏著力係自〇.〇1至1〇 牛頓/10毫米，尤其係自約（^至5牛頓/1〇毫米，則基 板可容易地自黏著層再剝離，而不會於淸潔之後在輸送過 程中剝離，而特別有利。 · 根據本發明之具淸潔功能之標籤片材的製造方法，使包 λ 含由設置於襯片之一面上之前述之特定黏著劑製成之淸潔 層（其表面經剝離薄膜保護），其中襯片之另一面係可剝離 27 1250569 地設置於隔離物上，而有普通黏著層插置於其間之淸潔片 材進行作爲淸潔層之固化黏著劑之固化，然後再在除隔離 . 物外之部分上進行片材衝孔，而製得標籤形態。在此情況， 衝孔方法及工作形態並無特殊之限制。然而，可根據說明 於後之輸送元件之形狀將淸潔片材衝孔，然後再除去不需 要的片材，而形成標籤。或者，可自除標籤外之部分將不 需要的片材剝離，及以留置未剝離之一部分的片材強化部 分，作爲在標籤周圍或在片材末端之除標籤外的強化部 分，而形成標籤。 © 根據本發明之具淸潔功能之標籤片材的製造方法，使用 包含設置於襯片之一面上之前述之特定淸潔層，其中襯片 之另一面係可剝離地設置於隔離物上，而有普通黏著層插 置於其間之淸潔片材。在另一面上之黏著層的材料等等並 無特殊之限制，只要其滿足黏著性質即可，但其可爲普通 黏著劑（例如，丙烯酸系黏著劑、橡膠基黏著劑）。在此設 置中，可將具淸潔功能之標籤自說明於後之隔離物剝離， 利用普通黏著層黏著至諸如各種之輸送元件，然後再以具 ® 有淸潔功能之輸送元件輸送通過裝置，以致其與待淸潔之 部位接觸而淸潔。在於淸潔之後將基板之黏著層剝離，以 再利用輸送元件諸如前述之基板的情況中，普通黏著層之 黏著力並無特殊之限制。然而，如普通黏著層之以對矽晶 圓（鏡面）之1 8 0 °剝離黏著力計算之黏著力係自〇 · 〇 1至1 〇 -牛頓/10毫米，尤其係自約0.1至5牛頓/10毫米，則基 * 板可容易地自黏著層再剝離，而不會於淸潔之後在輸送過 程中剝離，而特別有利。 28 1250569 本發明之隔離物並無特殊之限制，只要可將淸潔標籤自 隔離物剝離即可’但其可爲由聚烯烴諸如聚乙烯、聚丙烯、 · 聚丁烯、聚丁二烯及聚甲基戊烯、聚氯乙烯、氯乙烯共聚 _ 物、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二醋、聚胺基 甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子交聯聚合物樹脂、 乙嫌-(甲基）丙烯酸共聚物、乙嫌-(甲基）丙燦酸酯共聚物、 聚苯乙烯及聚碳酸酯製成之塑膠膜，其經聚矽氧基剝離 劑、以長鏈院基爲主之剝離劑、氟基剝離劑、脂族酸醯胺 基剝離劑、矽石基剝離劑或其類似物剝離處理。隔離物之 鲁 厚度並無特殊之限制，但其一般係自約1 〇至i 00微米。 標籤A之形狀並無特殊之限制，且其可視輸送元件諸如 標籤A所黏著之基板的形狀而爲圓形、晶圓形狀、框形、 具有供夾頭部分等等用之突出物之形狀等等。 經黏著淸潔片材或淸潔標籤之輸送元件並無特殊之限 制’但其可爲平面顯不器基板諸如半導體晶圓、L C D及 PDP、基板諸如光碟及MR磁頭或其類似物。 實施例 · 將於以下實施例中說明本發明，但本發明並不受限於 此。以下所使用之術語「份」係指示「重量份數」。 (實施例1 -1 ) 將由7 5份之丙烯酸2 -乙基己酯、2 0份之丙烯酸甲酯及 5份之丙烯酸所組成之單體混合物製得之1 〇〇份之丙烯酸 · 基聚合物（重量平均分子量：700,000)與150份之多官能丙 烯酸胺基甲酸酯（商品名：UV- 1 700B，Nippon Synthetic Chemical Industry Co.，Ltd.製造）、3份之聚異氰酸酯化合 29 1250569 物（商品名:Colonate’ Nippon Polyurethane Industry Co.，

Ltd.製造）及1 〇份之作爲光聚合引發劑之苄基二甲基縮酮 · (商品名：Irgacure 651 ’ Ciba Specialty Chemicals Co.，Ltd. 製造）均勻混合，而製備得紫外光固化黏著劑溶液。 另外將以與如前所述之相同方式製得，除了前述之黏著 劑不含苄基二甲基縮酮之黏著劑溶液於寬度250毫米及厚 度25微米之聚酯襯片薄膜的一面塗布至乾燥厚度爲1〇微 米，而於其上提供普通黏著層。然後於此普通黏著層之表 面上黏著經聚矽氧基剝離劑剝離處理之厚度3 8微米的聚 # 酯基剝離薄膜。接著將先前說明之紫外光固化黏著劑溶液 於襯片薄膜之另一面塗布至乾燥厚度爲15微米，而提供作 爲淸潔層之黏著層。然後於黏著層之表面黏著經聚矽氧基 剝離劑剝離處理之保護膜作爲隔離物A。 然後使此片材以1，〇〇〇毫焦耳/平方公分之整體劑量照 射中心波長3 6 5奈米之紫外光線。 然後將作爲淸潔層之保護膜的隔離物A自淸潔片材A剝 離。接著測量附著至淸潔層表面之聚矽氧的量。關於測量， 春 使用Rigaku Corporation製造之螢光X-射線測量儀器。測 量淸潔層表面在30毫米Φ區域中之Si-Κα的強度。然後 使測量値以聚二甲基矽氧烷進行計算。結果，Si-Ka之強 度爲4.2 kcps，其以聚二甲基矽氧烷計算爲0.003克/平 方米。此外，利用螢光X -射線測量儀器測量隔離物A在 · 3〇毫米Φ區域中之聚矽氧的塗布量。結果，Si-Ka之強度 爲104 kcps，其以聚二甲基矽氧烷計算爲0.064克/平方 米0 30 1250569 此淸潔片材A於紫外光固化後之黏著層的拉伸模數爲 5 5 Μ P a。拉伸模數係根據J I S K 7 1 2 7試驗方法測量。 _ 此外，將淸潔層側上之黏著層於1 0毫米之寬度上黏著 至矽晶圓之鏡面，然後根據JIS Z02 3 7測量淸潔層側上之 普通黏著層之對矽晶圓（鏡面）的180°剝離黏著力。結果， 其爲0.008牛頓/10毫米。 此外，以與如前所述之相同方式測量在另一側上之普通 黏著層之對矽晶圓（鏡面）的180°剝離黏著力。結果，其爲 0.85牛頓/10毫米。 籲 將此淸潔片材A之普通黏著層側上之剝離薄膜剝離。然 後將淸潔片材A黏著至8英吋矽晶圓之背側（鏡面），而製 備得具淸潔功能之輸送淸潔晶圓A。 (實施例1-2) 以與實施例1 - 1相同之方式製備淸潔片材B，除了使用 經聚矽氧基剝離劑剝離處理之隔離物B作爲淸潔層之保護 膜的隔離物。 然後將作爲淸潔層之保護膜的隔離物B自淸潔片材B剝 · 離。接著測量附著至淸潔層表面之聚矽氧的量。關於測量， 以與實施例1-1相同之方式測量Si-Κα之強度。然後使測 量値以聚二甲基矽氧烷進行計算。結果，Si-Κα之強度爲 0.6 kcps，其以聚二甲基矽氧烷計算係低於0.001克/平方 米。此外，以與如前所述之相同方式測量隔離物B之聚矽 _ 氧的塗布量。結果，Si-Ka之強度爲69 kcps，其以聚二甲 基矽氧烷計算爲0.042克/平方米。 此外，以與實施例1 -1相同之方式製備具淸潔功能之輸 31 1250569 送淸潔晶圓B。 (比較實施例1 -1) - 以與實施例1 -1相同之方式製備淸潔片材c，除了使用 ^ 經聚矽氧基剝離劑剝離處理之隔離物c作爲淸潔層之保護 膜的隔離物。 然後將作爲淸潔層之保護膜的隔離物c自淸潔片材c剝 離。接著測量附著至淸潔層表面之聚矽氧的量。關於測量， 以與實施例1 - 1相同之方式測量s i -Κα之強度。然後使測 量値以聚二甲基矽氧烷進行計算。結果，Si-Κα之強度爲 馨 9.8 kcps，其以聚二甲基矽氧烷計算係低於0.006克/平方 米。此外，以與如前所述之相同方式測量隔離物C之聚矽 氧的塗布量。結果’ Si-Ka之強度爲214 kcps，其以聚二 甲基矽氧烷計算爲〇·13克/平方米。 此外，以與實施例1 - 1相同之方式製備具淸潔功能之輸 送淸潔晶圓C。 然後以下列方式使前述實施例1 - 1及1 - 2及比較實施例 i - 1之淸潔片材Α至C進行在半導體晶圓上之污染試驗及 鲁 經由輸送具淸潔功能之淸潔晶圓A至C，而於基板處理裝 置中進行外來物質移除試驗。結果記述於表1 - 1。 <晶圓污染之評估> 利用手動輥將淸潔片材之淸潔層黏著至8英吋矽晶圓之 整個鏡面’同時將隔離物（保護膜）剝離。其後將淸潔片材 自晶圓剝離。利用雷射表面檢查裝置計算附著至鏡面之尺 寸〇·2微米或以上之外來物質。 · <外來物質移除試驗> 32 1250569 使用雷射表面檢查裝置，測量在全新8央吋砂晶圓之二 片材之鏡面上之尺寸0.2微米或以上之外來物質。結果分 別爲4、5及2。然後將此等晶圓輸送g具有靜電吸引機構 之個別的基板處理裝置中，使其鏡面面向下。然後利用雷 射表面檢查裝置測量此等晶圓之鏡面。在8英吋晶圓尺寸 之面積中之結果分別爲3 3，6 4 3、3 5,7 7 3及3 1，0 3 2。 接著將淸潔層側上之保護膜自如此製得之輸送淸潔晶 圓A至C剝離。然後將此等晶圓於具有經附著外來物質之 晶圓階段的前述基板處理裝置上輸送。結果’此等晶111可 毫無困難地輸送。其後使全新的8英吋矽晶圓以其鏡面面 向下地輸送，然後利用雷射外來物質檢查裝置測量尺寸0· 2 微米或以上之外來物質的產生。將此操作進行五次。 33 1250569 表卜1 --- '"' 實施例 1-1 實施例 1-2 比較實施 例1-1 附著至淸潔層之聚矽氧之 量（g/m2) 0.003 低於 0.00 1 0.006 隔離物上之聚矽氧之塗布 量（g/m2) 0.064 0.042 0.133 外來物質之數目（件/ 8英 吋） 3 1 2 443 外來物質之移除百分比（％/ 於5次操作後） 85 96 5 1 如可於前述結果所見，包含經聚矽氧基剝離劑剝離處理 之保護膜作爲淸潔層之隔離物（保護膜）（其中當將該隔離 物自該淸潔層剝離時’附著至該淸潔層之聚矽氧之量以聚 二甲基砂氧院計算爲0.005克/平方米或以下，或該隔離

物上之聚矽氧之塗布量以聚二甲基矽氧烷計算爲0·1克/ 平方米或以下）之實施例1 -1及1 -2之淸潔片材可防止聚石夕 氧基剝離劑之成份或其部分移動至淸潔層表面。結果’發 現使用此等淸潔晶圓可大大地消除在基板處理裝置上的污 染，而產生高的外來物質移除能力。相對地’經發現在本 發明之範圍外之比較實施例1 -1之淸潔片材顯現有大量的 聚矽氧附著至矽晶圓，因此，使用此等淸潔晶圓會造成裝 置的反向污染，使移除外來物質之能力劣化，及因此而使 其用途失效。 (實施例2-1) 34 1250569 將 AS AHI CHEMICAL INDUSTRY CO·，LTD.製造之 l〇〇 份之低密度聚乙烯樹脂在不含熱劣化抑制劑及潤滑劑的情 況下在20(TC之擠塑溫度及4米/分鐘之引出速度下擠塑 通過平面薄膜製造機器[SHI Modern Machinery, Ltd.製 造]，而形成薄膜。如此製得厚度1 〇 〇微米之淸潔層表面保 護膜A。 將由75份之丙烯酸2-乙基己酯、20份之丙烯酸甲酯及 5份之丙烯酸之單體混合物製得之1 0 0份之丙烯酸基聚合 物（重量平均分子量：700,000)與50份之聚乙二醇200二 甲基丙稀酸酯（商品名：Nk Ester4G，ShinnakamuraKagaku K.K·製造）、50份之丙烯酸胺基甲酸酯（商品名：U-N-01， Shinnakamura Kagaku Κ·Κ·製造）、3份之聚異氰酸酯化合 物（商品名:Colonate L» Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.製造）及3份之作爲光聚合引發劑之苄基二甲基縮酮 (商品名：Irgacure 651，Ciba Specialty Chemicals Co.5 Ltd. 製造）均勻混合，而製備得紫外光固化黏著劑溶液。另外將 以與如前所述之相同方式製得，除了前述之黏著劑不含苄 基二甲基縮酮之黏著劑溶液於寬度250毫米及厚度25微米 之聚酯襯片薄膜的一面塗布至乾燥厚度爲10微米，而於其 上提供普通黏著層。然後於此普通黏著層之表面上黏著厚 度3 8微米之聚酯基剝離薄膜。接著將先前說明之紫外光固 化黏著劑溶液於襯片薄膜之另一面塗布至乾燥厚度爲40 微米，而提供作爲淸潔層之黏著層。然後於黏著層之表面 黏著以上製備得之保護膜A。 然後使此片材以2,000毫焦耳/平方公分之整體劑量照 35 1250569 射中心波長3 6 5奈米之紫外光線，而製得本發明之淸潔片 材A。此淸潔片材A於紫外光固化後之淸潔層之黏著層的 · 拉伸模數爲55 MPa。 在此拉伸模數係根據Π S K 7 1 2 7試驗方法測量。 此外，將淸潔層側上之黏著層於1 〇毫米之寬度上黏著 至矽晶圓之鏡面，然後根據J I S Z 0 2 3 7測量淸潔層側上之 普通黏著層之對矽晶圓（鏡面）的1 8 0 15剝離黏著力。結果， 其爲0.029牛頓/ 10毫米。 此外’以與如前所述之相同方式測量在另一側上之普通 鲁 黏著層之對矽晶圓（鏡面）的1 8 0 °剝離黏著力。結果，其爲 0.10牛頓/10毫米。 將此淸潔片材A之普通黏著層側上之剝離薄膜剝離。然 後將淸潔片材A黏著至8英吋矽晶圓之背側（鏡面），而製 備得具淸潔功能之輸送淸潔晶圓A。 (實施例2 - 2 ) 於 ASAHI CHEMICAL INDUSTRY CO·，LTD.製造之 1〇〇 份之低密度聚乙烯樹脂中加入〇 · 〇 〇 9份之脂族酸酯基潤滑 鲁 劑。然後使混合物以與實施例1相同之方式進行薄膜形 成，而製得淸潔層保護膜B。以與實施例2 · 1相同之方式 製備得淸潔片材B及具淸潔功能之輸送淸潔晶圓B，除了 將淸潔層表面保護膜B使用作爲淸潔層之隔離物。 (比較實施例2 - 1 ) . 於 AS AHI CHEMICAL INDUSTRY CO·，LTD.製造之 100 份之低密度聚乙烯樹脂中加入0.0 1份之酚系熱劣化抑制 劑及〇· 〇 1份之脂族酸酯基潤滑劑。然後使混合物以與實施 36 1250569 例2- 1相同之方式進行薄膜形成，而製得淸潔層保護膜c。 以與實施例2 - 1相同之方式製備得淸潔片材c及具淸潔功 能之輸送淸潔晶圓C，除了將淸潔層表面保護膜^使用作 爲淸潔層之隔離物。 (比較實施例2 - 2 ) 於 AS AHI CHEMICAL INDUSTRY CO·，LTD.製造之 l〇〇 份之低密度聚乙烯樹脂中加入0 · 1份之酚系熱劣化抑制劑 及0 · 1份之脂族酸酯基潤滑劑。然後使混合物以與實施例 2 - 1相同之方式進行薄膜形成，而製得淸潔層保護膜D。 以與實施例2 - 1相同之方式製備得淸潔片材D及具淸潔功 能之輸送淸潔晶圓D，除了將淸潔層表面保護膜D使用作 爲淸潔層之隔離物。 (比較實施例2 - 3 ) 將厚度5 0微米之經聚矽氧處理之聚酯薄膜使用作爲淸 潔層表面保護膜E。以與實施例2 - 1相同之方式製備得淸 潔片材E及具淸潔功能之輸送淸潔晶圓E，除了將淸潔層 表面保護膜E使用作爲淸潔層之隔離物。 然後檢查前述實施例2-1及2-2及比較實施例2d至2-3 之淸潔片材A至E之使隔離物（淸潔層表面保護膜）自淸潔 層剝離所需之剝離黏著力。此外，以下列方式使此等淸潔 片材A至E進行在半導體晶圓上之污染試驗及經由輸送具 淸潔功能之淸潔晶圓A至E，而於基板處理裝置中進行外 來物質移除試驗。結果記述於表2 - 1。 <晶圓污染之評估> 利用手動輥將淸潔片材之淸潔層黏著至8英吋矽晶圓之 37 1250569 整個鏡面，同時將隔離物（保護膜）剝離。其後將淸潔片材 自晶圓剝離。利用雷射表面檢查裝置計算附著至鏡面之尺 · 寸0.2微米或以上之外來物質。 . <外來物質移除試驗> 使用雷射表面檢查裝置，測量在全新8英吋矽晶圓之五 片材之鏡面上之尺寸0.2微米或以上之外來物質。結果分 別爲1 0、8、3、5及1 1。然後將此等晶圓輸送至具有靜電 吸引機構之個別的基板處理裝置中，使其鏡面面向下。然 後利用雷射表面檢查裝置測量此等晶圓之鏡面。在8英吋 β 晶圓尺寸之面積中之結果分別爲3 3,1 5 6、3 8,94 5、32,1 44、 37,998、及 31，327° 接著將淸潔側上之保護膜自如此製得之輸送淸潔晶圓Α 至Ε剝離。然後將此等晶圓於具有經附著外來物質之晶圓 階段的前述基板處理裝置上輸送。結果，此等晶圓可毫無 困難地輸送。其後使全新的8英吋矽晶圓以其鏡面面向下 地輸送，然後利用雷射外來物質檢查裝置測量尺寸0 ·2微 米或以上之外來物質的產生。將此操作進行五次。 ® 38 1250569 表2-1 隔離物之剝 晶圓上之外 ------------ 外來物質之移 離黏著力 來物質之數 除百分比（％/ (N/50 mm 寬 目（件/8英 於5次操作後） 度） 丨 吋） 實施例2 - 1 0.2 3 96 實施例2-2 0.15 11 90 比較實施例 0.15 225 76 2-1 比較實施例 0.12 2,573 55 2-2 比較實施例 0.03 9,8 1 6 32 2-3 如可於前述結果所見，包含其中熱劣化抑制劑及潤滑劑 之量之總和以1 0 0份之聚乙烯基樹脂計係低於〇 · 〇1份之淸 潔層保護膜作爲淸潔層之隔離物（保護膜）之實施例2-1及 2 - 2之淸潔片材對淸潔層之表面顯現小至0 · 5牛頓/ 5 0毫 米寬度或以下之剝離黏著力，且隔離物可容易地自淸潔層 剝離，而不會有任何瑕疵，諸如淸潔層組成物之部分掉落。 更經顯示由於附著至矽晶圓之外來物質的數目少，因而使 用此等淸潔晶圓可大大地消除在基板處理裝置上的污染’ 而產生高的外來物質移除能力。相對地，經發現在前述之 兩成份之量之總和方面落於本發明之範圍外之比較實施例 2 - 1及2 - 2之淸潔片材，及包含習知之經聚矽氧處理之聚 酯薄膜之比較實施例2-3之淸潔片材顯現有大量的外來物 39 1250569 質附著至矽晶圓，因此，使用此等淸潔晶圓會造成裝置中 反向污染，使移除外來物質之能力劣化，及因此而使其用 · 途失效。 1 (實施例1 -1) 將由7 5份之丙烯酸2 -乙基己酯、2 0份之丙烯酸甲酯及 5份之丙烯酸所組成之單體混合物製得之1 〇〇份之丙烯酸 基聚合物（重量平均分子量：700,000)與50份之聚乙二醇 200 二甲基丙嫌酸酯（商品名：NKEster4G，Shinnakamura Kagaku K.K.製造）、50份之丙烯酸胺基甲酸酯（商品名： φ U-N-01，Shinnakamura Kagaku Κ.Κ.製造）、3 份之聚異氰 酸酯化合物（商品名：ColonateL，Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.製造）及3份之作爲光聚合引發劑之苄基 二甲基縮酮（商品名：Irgacure 651，Ciba Specialty Chemicals Co.，Ltd.製造）均勻混合，而製備得紫外光固化 黏著劑溶液A。 另外於設有溫度計、攪拌器、氮氣引入管及冷凝器之500 毫升的三頸燒瓶型反應容器中裝入3份之丙烯酸2 -乙基己 鲁 酯、10份之丙烯酸正丁酯、及15份之N，N-二甲基丙烯醯 胺、及0.15份之2,2’-偶氮雙異丁腈及1〇〇份之作爲聚合 引發劑之乙酸乙酯，而成爲200克。接著邊攪拌反應混合 物，邊將氮氣引入約1小時，以將內部的空氣置換爲氮氣。 其後將反應容器之內部溫度提高至5 8 °C，接著將反應混合 . 物維持約4小時，以產生聚合作用。結果，製得黏著聚合 物溶液。然後將1 〇 〇份之黏著聚合物溶液與3份之聚異氰 酸酯化合物（商品名：Colonate L，Nippon Polyurethane 40 1250569 I n d u s t r y C ο . 5 L t d ·製造）均勻混合，而製得黏著劑溶液a。 將前述之黏著劑溶液A於由其一面經聚矽氧基剝離劑處 · 理之連續長度之聚酯薄膜（厚度：38微米；寬度：250毫米） . 製成之隔離物A的經剝離處理表面上塗布至乾燥厚度爲 ]5微米。然後於黏著層上層合連續長度之聚酯薄膜（厚 度：2 5微米；寬度：2 5 0毫米）。接著將紫外光固化黏著劑 溶液A於薄膜上塗布至乾燥厚度爲4 〇微米，而提供作爲 淸潔層之黏著層。然後於黏著層表面上黏著與如前所述之 相同剝離薄膜的經剝離處理表面，而製得片材。 鲁 然後使此片材以1，〇〇〇毫焦耳/平方公分之整體劑量照 射中心波長3 6 5奈米之紫外光線，而製得具有紫外光固化 淸潔層之淸潔片材A。 然後將黏著薄膜（其係除在此淸潔片材A之黏著層側上 之隔離物外之層合材料）以直徑2 0 0毫米之圓的形態衝 孔。接著將不需要的黏著薄膜連續剝離及移除，而製備得 如圖1所示之本發明之具淸潔功能的標籤片材A。此具淸 潔功能之標籤片材A的衝孔係沒有任何黏著劑之打結或缺 鲁 損之問題而進行。於製備之後，觀察此具淸潔功能之標籤 片材A。結果，未發生淸潔標籤自隔離物剝離，且淸潔標 籤保持於隔離物上。此外，既未觀察到普通黏著劑自標籤 之末端突出，亦未觀察到標籤被黏著劑污染。此外，將標 籤片材A儲存1個月。然而，未發生標籤自隔離物剝離， -顯示淸潔片材A展現高的老化安定性。 測量此具淸潔功能之標籤片材A之將隔離物自淸潔標籤 剝離所需之180°剝離黏著力。其爲〇.1牛頓/ 50毫米。隔 41 1250569 離物之剝離黏著力的測量係經由使用拉伸試驗機器（指示 於 AS1635、FINAT-10、FS-147、PSTC-4 中）在常態（23°C ， - 5 0 % R Η )中測定以1 8 0。之角度及3 0 0毫米/分鐘之速率將 _ 隔離物自淸潔標籤剝離所需之力而進行。 此外’使用日東電工（股）製造之No· 31 Β帶（聚酯膠帶） 測量百分殘留黏著力。更詳細說明，將No · 3 1 B帶黏著至 於J I S G 4 3 0 5中所指示之不銹鋼板（s U S 3 0 4)。然後測量剝 離黏著力（基礎黏著力）。基礎黏著力爲5.2牛頓/ 20毫米。 接著使用19.6牛頓（2公斤）之滾筒將隔離物a黏著至No. · 31B帶之黏著表面。然後將層合物在49牛頓（5公斤）之負 荷下加壓。然後於24小時後，將膠帶剝離。接著將經如此 剝離的膠帶黏著至前述的不銹鋼板。然後以與前述相同之 方式測量剝離黏著力，而測得殘留黏著力。殘留黏著力爲 5.4牛頓/ 20毫米，及百分殘留黏著力爲104 %。 測量此紫外光固化黏著劑A之拉伸模數（Π S K 7 1 2 7試驗 方法）。結果，其於以1，0 0 0毫焦耳/平方公分之整體劑量 照射中心波長3 65奈米之紫外光線之後爲49 MPa。 · 此普通黏著層對矽晶圓（鏡面）之180°剝離黏著力爲0.25 牛頓/ 1 0晕；米。 使用標籤貼紙（NEL-GR3 000，NITTO SEIKI INC.製造） 將此具淸潔功能之標籤片材A黏著至8英吋矽晶圓，而製 備得具淸潔功能之輸送元件A。此時，將淸潔標籤黏著至 · 8英吋矽晶圓之鏡面。於2 5個片材上連續進行此操作。結 w 果，片材毫無問題地黏著至晶圓。因此，製備得具淸潔功 能之供輸送用之具淸潔功能之輸送元件A。 42 1250569 另外，使用雷射表面檢查裝置，測量在全新8英吋矽晶 圓之四個片材之鏡面上之尺寸0.2微米或以上的外來物 - 質。第一個片材顯現5件外來物質，第二個片材顯現3件 _ 外來物質，及第三個片材顯現5件外來物質。然後將此等 晶圓輸送至具有靜電吸引機構之個別的基板處理裝置中， 使其鏡面面向下。然後利用雷射表面檢查裝置測量此等晶 圓之鏡面之尺寸0.2微米或以上的外來物質。第一、第二 及第三片材分別於8英吋晶圓尺寸之面積中顯現29,845、 32,194及30,036件外來物質。 _ 接著將淸潔側上之剝離薄膜自如此製得之供輸送用之 具淸潔功能之輸送元件A剝離。然後將輸送元件A於具有 經附著2 9,845件外來物質之晶圓階段的前述基板處理裝 置上輸送。結果，輸送元件可毫無困難地輸送。其後使全 新的8英吋矽晶圓以其鏡面面向下地輸送，然後利用雷射 外來物質檢查裝置測量尺寸〇 . 2微米或以上之外來物質的 產生。將此操作進行五次。結果記述於表3 - 1。 (實施例3-2) · 以與實施例3 - 1相同之方式製備具淸潔功能之標籤片材 B，除了以由低密度聚乙烯製成之聚烯烴薄膜B (厚度：70 微米；寬度：2 5 0毫米）作爲具淸潔功能之標籤片材之連續 長度的隔離物。此具淸潔功能之標籤片材B的衝孔係沒有 任何黏著劑之打結或缺損之問題而進行。於製備之後，觀 · 察此具淸潔功能之標籤片材B。結果，未發生淸潔標籤自 . 隔離物剝離，且淸潔標籤保持於隔離物上。此外，既未觀 察到普通黏著劑自標籤之末端突出’亦未觀察到標籤被黏 43 1250569 著劑污染。此外，將標籤片材B儲存1個月。然而’未發 生標籤自隔離物剝離，顯示淸潔片材B展現高的老化安定 - 性。 . 測量此具淸潔功能之標籤片材B之將隔離物自淸潔標籤 剝離所需之180°剝離黏著力。其爲0.15牛頓/ 50毫米。 此外，利用No. 3 1 B帶測量隔離物B之殘留黏著力。殘 留黏著力爲4.7牛頓/ 20毫米，及百分殘留黏著力爲90%。 使用標籤貼紙（NEL-GR3 00 0，NITTO SEIKI INC.製造） 將此具淸潔功能之標籤片材B黏著至8英吋矽晶圓，而製 · 備得具淸潔功能之輸送元件B。此時，將淸潔標籤黏著至 8英吋矽晶圓之鏡面。於2 5個片材上連續進行此操作。結 果’片材毫無問題地黏著至晶圓。因此，製備得具淸潔功 能之供輸送用之具淸潔功能之輸送元件B。 接著將 '凊潔側上之剝離薄膜自先前製得之供輸送用之 具淸潔功能之輸送元件A剝離。然後將輸送元件A於具有 經附著3 2,1 94件外來物質之晶圓階段的前述基板處理裝 置上輸送。結果，輸送元件可毫無困難地輸送。其後使全 · 新的8英吋砂晶圓以其鏡面面向下地輸送，然後利用雷射 外來物質檢查裝置測量尺寸〇 . 2微米或以上之外來物質的 產生。將此操作進行五次。結果記述於表3 _ i。 (比較實施例3 - 1 ) 以與實施例3 - 1相同之方式製備具淸潔功能之標籤片材 . C’除了以聚酯薄膜c(厚度：38微米；寬度：25〇毫米） 作爲具淸潔功能之標籤片材之連續長度的隔離物。此具淸 潔功能之標鑛片材C的衝孔係沒有任何黏著劑之打結或缺 44 1250569 損之問題而進行。 然而，當於製備之後觀察具淸潔功能之標籤片材c時， · 觀察得幾乎所有的淸潔標籤皆自隔離物剝離，顯示未製備 得標籤片材。 ~ 測量此具淸潔功能之標籤片材C之將隔離物自淸潔標籤 剝離所Μ之1 8 0剝離黏著力。結果，在待測量之標籤之 間之剝離黏著力的分散大。i 8 0。剝離黏著力最大爲〇. 〇 3 牛頓/ 5 0毫米。 此外，利用N 〇 · 3 1 B帶測量隔離物C之殘留黏著力。殘 鲁 留黏著力爲4.0牛頓/ 20毫米，及百分殘留黏著力爲77%。 使用標籤貼紙（NEL-GR3000，NITTO SEIKI INC·製造） 將此具淸潔功能之標籤片材C黏著至8英吋矽晶圓，而製 備得具淸潔功能之輸送元件C。此時，將淸潔標籤黏著至 8英吋矽晶圓之鏡面。於2 5個片材上連續進行此操作。結 果，淸潔標籤被貼紙完全自隔離物剝離，而對晶圓造成頻 繁的錯誤黏著。即使係可黏著至晶圓之具淸潔功能之輸送 元件C亦會於黏著過程中具有混合於其中之空氣泡（浮 · 起），而使其無法製得單一的良好產品。因此，暫停利用具 淸潔功能之輸送元件C淸潔基板處理裝置之內部。 45 1250569 表3-1 外來物質之移除 百分比 輸送1 輸送2 輸送3 輸送4 輸送5 片材 片材 片材 片材 片材 實施例3 - 1 83% 88% 90% 92% 92% 實施例3 - 2 8 0% 85% 90% 92% 92% 比較實施例 暫停淸潔 3-1 (實施例4 - 1 ) 將由75份之丙烯酸2 -乙基己酯、20份之丙烯酸甲酯及 5份之丙烯酸所組成之單體混合物製得之1 〇〇份之丙烯酸 基聚合物（重量平均分子量：700,0 00)與50份之聚乙二醇 200 二甲基丙烯酸酯（商品名：NK Ester 4G，Shinnakamura KagakuK.K.製造）、50份之丙烯酸胺基甲酸酯（商品名： U-N-01，Shinnakamura Kagaku K.K.製造）、3 份之聚異氰 酸酯化合物（商品名：ColonateL，Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.製造）及3份之作爲光聚合引發劑之苄基 二甲基縮酮（商品名：Irgacure 651，Ciba Specialty Chemicals Co·, Ltd.製造）均勻混合，而製備得紫外光固化 黏著劑溶液。 另外以與如前所述之相同方式製得普通黏著劑溶液，除 了前述之黏著劑不含苄基二甲基縮酮。 將前述之黏著劑溶液於由其一面經聚矽氧基剝離劑處 理之連續長度之聚酯薄膜（厚度：38微米；寬度：250毫米） 製成之隔離物的經剝離處理表面上塗布至乾燥厚度爲1 〇 46 1250569 微米。然後於黏著層上層合連續長度之聚酯薄膜（厚度：2 5 微米；寬度：2 5 0毫米）。接著將紫外光固化黏著劑溶液於 * 薄膜上塗布至乾燥厚度爲4 0微米，而提供作爲淸潔層之黏 - 著層。於乾燥之後，接著於黏著層之表面上黏著由其一面 經聚矽氧基剝離劑處理之連續長度之聚酯薄膜（厚度：3 S 微米；寬度：2 5 0毫米）製成之第一剝離薄膜的經剝離處理 表面，而製得片材。 將此片材之淸潔層上之第一剝離薄膜剝離。然後使片材 於真空大氣（133 Pa)中以1,000毫焦耳/平方公分之整體 ® 劑量照射中心波長3 6 5奈米之紫外光線。接著於淸潔層之 表面上黏著厚度50微米之聚烯烴薄膜（未經處理）作爲第 二剝離薄膜，而製得具有紫外光固化淸潔層之淸潔片材。 然後將黏著薄膜（其係除此淸潔片材之隔離物外之層合 材料）以直徑200毫米之圓的形態衝孔。接著將不需要的黏 者薄膜連續剝離及移除，而製備得如圖1所示之本發明之 淸潔標籤片材。此淸潔片材之衝孔係沒有任何黏著劑之打 結或缺損之問題而進行。於製備之後，觀察標籤片材。結 · 果’既未觀察到普通黏著劑自標籤末端突出，亦未觀察到 標麵;被黏著劑污染。 此外，此淸潔片材於固化之後，即於片材衝孔過程中之 淸潔層的拉伸模數爲49 MPa。在此拉伸模數係根據JIS K 7 1 2 7試驗方法測量。 此外，將此淸潔標籤片材之淸潔層上之第二剝離薄膜剝 離。然後將淸潔標籤片材以使淸潔層與晶圓接觸之設置黏 著至8英吋矽晶圓。接著將標籤片材自晶圓剝離。利用雷 47 1250569 射型外來物質測量儀器測量8英吋矽晶圓之表面。結果’ 尺寸0.2微米或以上之外來物質的數目爲14。 - 將淸潔標籤自如此製得之具淸潔功能之標籤片材之隔 . 離物剝離，然後利用手動輥黏著至8英吋矽晶圓之背面（鏡 面），而製備得具淸潔功能之輸送淸潔晶圓。普通黏著層對 矽晶圓（鏡面）之1800剝離黏著力爲2.5牛頓/ 10毫米。 使用此具淸潔功能之標籤片材，利用標籤貼紙（商品名： NEL-GR3000，NITTO SEIKI INC·製造）將標籤黏著至 8 英吋矽晶圓之背面（鏡面）。於25個片材上連續進行此操 Φ 作。結果，片材可毫無問題地黏著至晶圓，而使其可製備 得具淸潔功能之輸送淸潔晶圓。此外，將淸潔層於1 0毫米 之寬度上黏著至矽晶圓之鏡面，然後根據JIS Z023 7測量 對矽晶圓之180°剝離黏著力。結果，其爲0.018牛頓/ 10 毫米。 另外，使用雷射表面檢查裝置，測量在全新8英吋矽晶 圓之四個片材之鏡面上之尺寸0.2微米或以上的外來物 質。第一個片材顯現6件外來物質，第二個片材顯現5件 · 外來物質。然後將此等晶圓輸送至具有靜電吸引機構之個 別的基板處理裝置中，使其鏡面面向下。然後利用雷射表 面檢查裝置測量此等晶圓之鏡面之尺寸〇 . 2微米或以上的 外來物質。第一及第二片材分別於8英吋晶圓尺寸之面積 中顯現3 3，4 5 6及3 6，0 9 1件外來物質。 · 接著將淸潔層側上之第二剝離薄膜自如此製得之輸送 淸潔晶圓剝離。然後將淸潔晶圓於具有經附著3 3，4 5 6件外 來物質之晶圓階段的前述基板處理裝置上輸送。結果，淸 48 1250569 潔晶圓可毫無困難地輸送。其後使全新的8英吋砂晶圓以 其鏡面面向下地輸送’然後利用雷射外來物質檢查裝置測 · 量尺寸〇 . 2微米或以上之外來物質的產生。將此操作進行 、 五次。將外來物質之移除百分比記述於表4_ ；!。 (比較實施例4 - 1 ) 以與實施例4- 1相同之方式製備淸潔片材，除了於大氣 中使第一剝離薄膜保持未自淸潔層剝離，而使片材以1，0 0 0 毫焦耳/平方公分之整體劑量照射中心波長3 6 5奈米之紫 外光線。然後將第二剝離薄膜自此淸潔標籤片材之淸潔層 參 剝離。然後將淸潔標籤片材以使淸潔層與晶圓接觸之設置 黏著至8英吋矽晶圓。接著將淸潔標籤片材自晶圓剝離。 接著利用雷射型外來物質測量儀器測量8英吋矽晶圓之表 面。結果，尺寸0.2微米或以上之外來物質的數目爲 6，2 64。然後以與實施例相同之方式自此淸潔片材製得淸潔 晶圓。 接著將淸潔層側上之第二剝離薄膜自如此製得之輸送 淸潔晶圓剝離。然後將淸潔晶圓於具有經附著36,〇91件外 鲁 來物質之晶圓階段的前述基板處理裝置上輸送。結果’淸 潔晶圓可毫無困難地輸送。其後使全新的8英吋砂晶圓以 其鏡面面向下地輸送，然後利用雷射外來物質檢查裝置測 量尺寸〇 . 2微米或以上之外來物質的產生。將此操作進行 五次。將外來物質之移除百分比記述於表4 - 1 ° · (比較實施例4 - 2 ) · 以與實施例4 - 1相同之方式製備淸潔片材’除了未使淸 潔片材以1，0 0 0毫焦耳/平方公分之整體劑量照射中心波 49 1250569 長3 6 5奈米之紫外光線。然後以與實施例4- 1相同之方式 將此^潔片材經由衝孔成直徑2 〇 〇毫米之圓而切割，而製 — 備铬具淸潔功能之標籤片材。於此程序中，淸潔層尙未固 . 化’因此其係作爲緩衝材料。因此，由於衝孔無法進行至 均句深度’因而發生甚多標籤的錯誤衝孔。此外，觀察如 此製備得之標籤。結果，觀察得黏著劑自標籤末端突出。 此外’於標籤上觀察到甚多由於在衝孔過程中所產生之黏 著劑之打結所造成之黏著劑的污染。此外，黏著劑延伸及 黏著至在標籤末端在淸潔層側上之第二剝離薄膜。使如此 鲁 製備得之標籤以1,000毫焦耳/平方公分之整體劑量照射 中心波長3 6 5奈米之紫外光線。然而，在標籤末端之黏著 Μ由於氧抑制而未固化，且保持黏性。因此，暫停由此標 _片材製備輸送淸潔晶圓。

50 1250569 表4-1 外來物質之移除 百分比 輸送1 輸送2 輸送3 輸送4 輸送5 片材 片材 片材 片材 片材 實施例4 - 1 8 0% 88% 9 0% 92% 92% 比較實施例4 - 1 8 0% 82% 82% 8 0% 78% 比較實施例4-2 暫停淸潔 如前所述，在第一發明，經由將淸潔片材之淸潔層表面 保護膜（隔離物）預定爲使當將淸潔層表面保護膜自淸潔層 ® 剝離時，附著至該淸潔層之聚砂氧之量，或隔離物上之聚 矽氧之塗布量不大於指定値，可將淸潔片材應用至於基板 處理裝置中自輸送部位等等移除外來物質之方法’而防止 由於保護膜所致之在裝置中污染的問題，及產生高的外來 物質移除能力。 此外，在第二發明，經由利用未經剝離處理之聚烯烴基 樹脂形成淸潔片材之淸潔層表面保護膜（隔離物），及將其 設置成使加入於表面保護膜中之熱劣化抑制劑及潤滑劑之 · 量不大於指定値，可將淸潔片材應用至於基板處理裝置中 自輸送部位等等移除外來物質之方法，而防止由於保護膜 所致之在裝置中污染的問題，及產生高的外來物質移除能 力。 此外’第三發明之具淸潔功能之標籤片材可提供不會發 t 生淸潔標籤自隔離物剝離，且展現高老化安定性之具淸潔 功能之標籤片材，以及可確實輸送通過基板處理裝置，而 簡單及確實地移除附著至裝置內部之外來物質的淸潔輸送 51 1250569 元件。 此外，根據第四發明之具淸潔功能之標籤片材的_ % $ 法，可製得在將片材衝孔成標籤形態之過程中不# # 誤衝孔，且不會造成黏著劑之污染的淸潔標籤片材。同時， 具淸潔功能之標籤片材可確實輸送通過基板處理裝置，而 簡單及確實地移除附著至裝置內部之外來物質。 (圖式簡單說明） 圖1係說明本發明之具淸潔功能之標籤片材之一具1® μ 的平面圖。 圖2係沿圖1之線條a- a的剖面圖。 (元件符號說明） 1 隔離物 A 淸潔標籤 2 襯片 3 淸潔層 4 剝離薄膜 5 普通黏著層 52

Claims (1)

1250569 拾、申請專利範圍 1 . 一種淸潔片材，包含： _ 一淸潔層；及 _ 一經包含聚矽氧之剝離劑處理之保護膜，該保護膜係於 淸潔層之至少一面上設置爲隔離物； 其中，當將該隔離物自淸潔層剝離時，附著至淸潔層之 聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷計算爲0.00 5克/平方米或 以下。 2 · —種淸潔片材，包含： Φ 一淸潔層；及 一經包含聚矽氧之剝離劑處理之保護膜，該保護膜係於 淸潔層之至少一面上設置爲隔離物； 其中，該隔離物具有以0.1克/平方米或以下（以聚二甲 基矽氧烷計算）之量塗布之聚矽氧。 3 . —種淸潔片材，包含： 一淸潔層； 一經包含聚矽氧之剝離劑處理之保護膜，該保護膜係於 鲁 淸潔層之一面上設置爲隔離物；及 一設置於淸潔層之另一面上之黏著層； 其中，當將該隔離物自淸潔層剝離時，附著至淸潔層之 聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷計算爲0.005克/平方米或 以下。 、 4. 一種淸潔片材，包含： 一淸潔層； 一經包含聚矽氧之剝離劑處理之保護膜，該保護膜係於 53 1250569 淸潔層之一面上設置爲fci離物’及 一設置於淸潔層之另一面上之黏著層；-其中，該隔離物具有以0·1克/平方米或以下（以聚二甲 基矽氧烷計算）之量塗布之聚矽氧。 5 . —種淸潔片材，包含： 一襯片； 一設置於襯片之至少一面上之淸潔層；及 一經包含聚矽氧之剝離劑處理之保護膜’該保護膜係於 淸潔層上設置爲隔離物； 9 其中，當將該隔離物自淸潔層剝離時，附著至淸潔層之 聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷計算爲0.005克/平方米或 以下。 6 . 一種淸潔片材’包含· 一観片 : 一設置於襯片之至少一面上之淸潔層；及 一經包含聚矽氧之剝離劑處理之保護膜，該保護膜係於 淸潔層上設置爲隔離物； # 其中，該隔離物具有以0.1克/平方米或以下（以聚二甲 基矽氧烷計算）之量塗布之聚矽氧。 7 . —種淸潔片材，包含： 一*襯片； 一設置於襯片之一面上之淸潔層； . 一設置於襯片之另一面上之黏著層；及 經包含聚矽氧之剝離劑處理之保護膜，該保護膜係至少 於淸潔層上設置爲隔離物； 54 1250569 其中，當將該隔離物自淸潔層剝離時，附著至淸潔層之 聚矽氧之量以聚二甲基矽氧烷計算爲0.005克/平方米或 、 以下。 8.—種淸潔片材，包含： 一襯片； 一設置於襯片之一面上之淸潔層； 一設置於襯片之另一面上之黏著層；及 經包含聚矽氧之剝離劑處理之保護膜，該保護膜係至少 於淸潔層上設置爲隔離物； φ 其中，該隔離物具有以〇·1克/平方米或以下（以聚二甲 基矽氧烷計算）之量塗布之聚矽氧。 9 . 一種淸潔片材，包含： 一淸潔層；及 一包含聚烯烴樹脂、熱劣化抑制劑及潤滑劑之保護膜， 該保護膜係於淸潔層之至少一面上設置爲隔離物，及該保 護膜係未經剝離劑處理， 其中，該熱劣化抑制劑及該潤滑劑之總量以1 00份重量 鲁 之聚烯烴樹脂計係低於〇 . 〇 1份重量。 10. *—種淸潔片材’包含： 一淸潔層； ~包含聚烯烴樹脂、熱劣化抑制劑及潤滑劑之保護膜， 該保護膜係於淸潔層之一面上設置爲隔離物，及該保護膜 · 係未經剝離劑處理，及 一設置於淸潔層之另一面上之黏著層； 其中，該熱劣化抑制劑及該潤滑劑之總量以1 〇 〇份重量 55 1250569 之聚烯烴樹脂計係低於ο . ο 1份重量。 1 1 · 一種淸潔片材，包含： ， 一襯片； 一設置於襯片之至少一面上之淸潔層；及 一包含聚烯烴樹脂、熱劣化抑制劑及潤滑劑之保護膜， 該保護膜係於淸潔層上設置爲隔離物，及該保護膜係未經 剝離劑處理； 其中’該熱劣化抑制劑及該潤滑劑之總量以1 〇〇份重量 之聚烯烴樹脂計係低於0.0 1份重量。 鲁 1 2 . —種淸潔片材，包含： 一襯片； 一設置於襯片之一面上之淸潔層； 一設置於襯片之另一面上之黏著層；及 一包含聚烯烴樹脂、熱劣化抑制劑及潤滑劑之保護膜， 該保護膜係至少於淸潔層上設置爲隔離物，及該保護膜係 未經剝離劑處理， 其中，該熱劣化抑制劑及該潤滑劑之總量以1 〇 〇份重量 鲁 之聚烯烴樹脂計係低於〇 · 〇 1份重量。 i 3 .如申請專利範圍第9至1 2項中任一項之淸潔片材’ 其中，該保護膜不包含熱劣化抑制劑及潤滑劑。 1 4 . 一種具淸潔功能之輸送元件，包含一輸送元件、一以 黏著層插置於其間而設置於輸送元件上之如申請專利範圍 -第3、4、7、8、10及12項中任一項之淸潔片材。 1 5 . —種淸潔基板處理裝置之方法，此方法包含： 將如申請專利範圍第1、2、5、6、9及1 1項中任一項之 56 1250569 淸潔片材，或包含輸送元件、以黏著層插置於其間而設置 於輸送元件上之如申請專利範圍第3、4、7、8、1 0及1 2 - 項中任一項之淸潔片材之具淸潔功能之輸送元件的保護膜 _ 剝離；及 於剝離之後將該淸潔片材或輸送元件輸送至基板處理 裝置中。 1 6 · —種具淸潔功能之標籤片材，包含： 一襯片； 一設置於襯片之一面上之淸潔層； Φ 一設置於淸潔層上之剝離薄膜； 一隔離物；及 一設置於襯片之另一面上之黏著層，且其係在隔離物可 自黏著層剝離之條件下設置於隔離物上； 其中，將至少一黏著層彼此分開地連續設置於一隔離物 上，及- 使該隔離物自黏著層剝離所需之1 8 0 °剝離黏著力係 牛頓/50毫米或以上。 _ 1 7 . —種具淸潔功能之標籤片材，包含： 一襯片； 一設置於襯片之一面上之淸潔層； 一設置於淸潔層上之剝離薄膜； 一隔離物；及 - 一設置於襯片之另一面上之黏著層，且其係在隔離物可 \ 自黏著層剝離之條件下設置於隔離物上； 其中，將至少一黏著層彼此分開地連續設置於一隔離物 57 1250569 上，及 該隔離物係以日東電工（股）製造之No. 31 B帶測定，具 ， » 有8 5 %或以上之百分殘留黏著力的隔離物。 . 1 8 .如申請專利範圍第1 6或1 7項之具淸潔功能之標籤片 材，其中，該淸潔層根據：ί I S K 7 1 2 7試驗方法之拉伸模數 爲10 MPa或以上。 1 9 .如申請專利範圍第1 6或1 7項之具淸潔功能之標籤片 材，其中，該淸潔層包含含有下列成份之固化黏著劑：感 壓黏著聚合物，每分子具一或多個不飽和雙鍵之可聚合不 · 飽和化合物，及聚合引發劑。 2 0 .如申請專利範圍第1 6或1 7項之具淸潔功能之標籤片 材，其中，該淸潔層包含含有下列成份之固化黏著劑：感 壓黏著聚合物，每分子具一或多個不飽和雙鍵之可聚合不 飽和化合物，及聚合引發劑；及該感壓黏著劑係包含（甲基） 丙烯酸烷基酯之丙烯酸系聚合物。 2 1 .如申請專利範圍第1 6或1 7項之具淸潔功能之標籤片 材，其中，該淸潔層包含含有下列成份之固化黏著劑：感 # 壓黏著聚合物，每分子具一或多個不飽和雙鍵之可聚合不 飽和化合物，及聚合引發劑；及該聚合引發劑係爲光聚合 引發劑及該淸潔層係爲光固化黏著層。 2 2.—種製造具淸潔功能之標籤片材之方法，此方法包 含： ‘ 提供一在襯片之一面上之淸潔層，該淸潔層具有於其表 : 面之剝離薄膜，及該淸潔層包含藉由活化能而聚合及固化 之黏著劑；及 58 1250569 提供一在隔離物可自黏著層剝離之條件下之在襯片與 隔離物之間之黏著層，該黏著層係在襯片之另一面上； 其中’自淸潔層轉移至砂晶圓之尺寸〇.2微米或以上之 外來物質的量係爲2 0件/平方英吋或以下。 2 3 .如申請專利範圍第2 2項之方法，包含·· 在該黏著劑之聚合及固化之前將第一剝離薄膜自淸潔 層剝離； 使淸潔層在沒有實質氧效應的條件下進行聚合及固化； 於進行聚合及固化之後以第二剝離薄膜保護淸潔層之 表面；及 將製得之淸潔層、襯片、黏著層及第二剝離薄膜之層合 物衝孔成爲標籤形態。 2 4 .如申請專利範圍第2 3項之方法，其中，該第一剝離 薄膜係具包含聚矽氧之剝離劑之薄膜。 2 5·如申請專利範圍第22項之方法，其中，該淸潔層於 衝孔過程中之根據；T IS K7 127試驗方法之拉伸模數爲1〇 Μ P a或以上。 26·如申請專利範圍第22項之方法，其中，該淸潔層包 含含有下列成份之固化黏著劑··感壓黏著聚合物，每分子 具一或多個不飽和雙鍵之可聚合不飽和化合物，及聚合引 發劑。 2 7 _如申請專利範圍第2 6項之方法，其中，該感壓黏著 聚合物係包含（甲基）丙烯酸及（甲基）丙烯酸烷基酯之至少 一者的丙燃酸系聚合物。 2 8 .如申請專利範圍第2 6項之方法，其中，該聚合引發 59 1250569 劑係爲光聚合引發劑及該淸潔層係爲光固化黏著層。 2 9 .如申請專利範圍第2 2項之方法，其中，將至少一黏 著層彼此分開地連續設置於一隔離物上。

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