1241857 坎、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 號（audio signal) 之表面，以實現 本發明係關於一種將用以感測音頻信 之電容器的固定電極層設置於半導體裝置 輕量化及薄型化之電容器麥克風。 【先前技術】 以下參照第16圖，說明習知型電容器麥克風⑽之構 成（參照例如專利文獻1 )。 習知型電容器麥克風1〇〇係將振動板1〇6、固定電極 7以及半導體裝置丨丨〇收納於外殼材丨〇丨所構成。振動 板1〇6與固定電極1G7係藉由將間隔件（SpaCe〇l()3夾在兩 者之間的方式，而間隔出一定距離而形成電容器。然後， 由於振動板1 06按照從外部進入的聲響而發生振動，而使 该電容器之電容值產生變化。半導體裝置n〇内建有FET pield Effect Transistor，場效電晶體），將上述電容器之電 谷k化她加於FET之閘極（gate)，以藉此將音頻信號轉換 成電氣信號。 又’電容器麥克風i 〇〇係將使振動板1 〇6與外殼材1 〇 i 間^開來的環圈（ring) 102、使振動板106與固定電極107 間隔開來之間隔件1 03、用以收納半導體裝置11 0之支撐 部（holde〇l〇4以及組裝基板1〇5内建於外殼材101。 [專利文獻1] 曰本專利特開2000-50393號公報（第8頁，第9圖） 然而’在習知型電容器麥克風1 〇 〇中，係將振動板 5 315521 1241857 1 Ο 6、固定電極1 〇 7以及半導體裝置1 1 〇以個別的構件内建 於外殼材1 0 1。所以，導致電容器麥克風1 〇〇之薄型化受 到限制，而產生整體的厚度大於2mm之問題。 還有，由於必須透過連接部108才能連接固定電極ι〇7 與半導體裝置110，因此亦阻礙了電容器麥克風1〇〇之薄 型化。 而且，環圈（ring)102、間隔件103、支撐部（h〇lder) ι〇4 及組裝基板1〇5並非都是構成電容器麥克風1〇〇的必要構 f要件。所以，上述使用多個構件之情形，亦阻礙了電容 器麥克風1 〇 〇之薄型化。 【發明内容】 个货叨係有 π π 4，不贫明之主要 、在於提供一種將固定電極設於半導體裝置之表面，以 此實現薄型化及輕量化之電容器麥克風。 前诚ίΓ月之特徵為具有：由導電圖案（卿⑽）、載置方 半導二電：案上的半導體元件以及將前述導電圖案與前: …件一體封裝之封裝樹脂所構 刖述半導髀云A 丁守衣置> 千¥體7L件作電㈣接，且形成於 且用以形成電容器之一個電極 ：、θ : 固定電極層相對向而設，且用以層；以及與前主 極的振動膜。 形成則述電容器之另一1 、载置於前述導電 案與前述半導體元 裝置；由前述導電 圖案 件一 再者，本發明係具有：由導電圖案 上的半導體元件以及將前述導電圖 體封裝之封裳樹脂所構成之半導體 315521 6 1241857 圖案之一部份所構成 固定電極層；以及與 形成前述電容器之另 【實施方式】 而且用以形成電 前述固定電極層相 一電極的振動膜。 容器之一個電極的 對向而設，且用以 (說明電容器麥克風之構 取们弟1貫施形態） u下苓照第1圖，今明太欢口口 構成等。第i H⑷兔φ “之電容器麥克風10Α之 圖⑻為第V: 器麥克風10八之剖視圖，第1 為弟1圖（a)中 中YY，… 的俯視圖，第1圖(C)為第1圖(A) Υ γ _ Y的俯視圖。 ’ 參照第1圖（Α)，本發明之雷交 描#尨日士 知月之電奋态麥克風10Α形成之 構成係具有：由導電 载置於導電圖案11上的半 V篮兀件12、以及將墓雷闰安 ^ 電圖案11與半導體元件1 2 —體封 衣之封裝樹脂1 3所形成之半導妒驻 风灸牛¥體裝置20Α;與半導體元 件12作電性連接且形成於 〜时 乂玎展树月日1 3表面而用以形成電 容器之一個電極之固定電極層 14，及與固定電極層14相 對向而設且用以形成雷交哭夕Η 〜风电合夯之另一電極之振動膜2 1。以下 說明上述各構成要素。 V電圖案1 1係由銅f金屬形成，以使背面露出的方式 而後埋於封裝樹脂13中。於此，導電圖案n係形成有形 成安裝有半導體元件12之晶片焊墊（die pad)的導電圖案 UB，及形成接合墊（bonding pad)之導電圖案iia。 參照第1圖（B)，導電圖案丨丨B係配置於中央部，在其 上部係透過接著劑而固定有半導體元件丨2。由封裝樹脂i 3 路出的‘電圖案11A的月面係藉由阻焊劑（s〇ider resjst) 1 9 315521 7 1241857 加以保護。導電圖案^係以包圍導電圖案πΒ之方式而 配置複數個在半導體裝置20A之周邊部，且透過金屬細線 16而與半導體元件12之電極作電性連接。此外，在導電 圖案11A的背面係形成有由鲜錫等谭材所構成之外部電極 再者 個‘電圖案11A係透過設於貫通孔26之連 接部、15,而與固定電極層14作電性連接。此外，亦可形 成使導電圖案11A彼此相連接的配線部。其中，在此之導 電圖案11雖為單層的配線構造，但亦可藉由將導電圖案 11而構成2層以上的多層配線構造。藉此方式，可在半導 體裝置20A内部，構成更為複雜的電路。 封裝樹脂13係在露出導電圖案u的背面的狀態下， 將全體封裝起來。在此，係封裝有半導體元件12、:屬細 線16以及導電圖案u。以封裝樹脂13的材料而言，可全 面性地採用藉由轉移成型（transfer m〇lding)所形成的熱硬 化性樹脂’或藉由射出成型（injecti〇n则⑻叫所埶 可塑性樹脂。 a半導體^件12係採用FET，透過金屬細線Μ及連接 部15，使閘極與固定電極層14作電性連接。半導體元件 12之源極（S0Urse)及汲極（dain)係透過金屬細線而與形 成接合墊（bonding pad)的導電圖案UA相連接。藉此方 2使由固定電極層14與振動膜21所構成之電：器的電 合变化，可藉由半導體元件12而轉換成電氣信號。關於具 體上的電路構成，將參照第2圖而容後說明。此外，半導 體疋件12亦可採用單—的FET以外的半導體it件。例如， 315521 1241857 亦可採用將雙極型（bip〇lar)以及M〇s(Metal-〇xide-Semiconductor，金氧半導體）型的主動元件（active element)、電阻等被動元件（passive eiernent)加以集積化而 構成放大電路或雜訊消除電路（n〇ise cancelling circuit)之 1C來作做為半導體元件I]。 貫通孔26係將封裝樹脂13的一部份予以去除而形 成，在底部係露出導電圖案11A的表面。在該貫通孔26 之側面部，形成有由金屬膜所構成之連接部15，與形成於 封裝樹脂13表面之固定電極層14及導電圖案uA作電性 連接。此外貫通孔26之形狀，在俯視方向之剖面形成約為 圓形，且形成在封裝樹脂13表面附近之剖面會大於下部之 …參照第！圖（〇,固定電極層14係由銅等金屬所構成， 係猎由電解電鍍法或無電解錢法#而形成於封裝樹脂 Π的表：。接著，固定電極層14係透過形成於貫通孔26 之、。"5，而與半導體元件12之閘極相連接。此 :Γ=與連接部15亦可藉由鑛敷膜而-體形成。 此處，固疋電極層14係形成圓形。 振動膜21與固定電極層 而設置，且形成有電容器的另一 ：:：，/:隔-定距離 :半永久性保持性電荷的樹脂膜。採用用 稱為駐極體（electret)電容哭麥克 、 連接部15為形成在貫通孔⑷則 具有使固定電極層14與導 &面之孟屬層， 、以_ 11A作電性連接的功 315521 9 1241857 用此外亦可以充填貫通孔2 6之方式，來形成連接部 15 〇 上述固定電極層14與連接部15係藉由鍍敷法而一體 形成。藉由鍍敷法可使封裝樹脂13之表面、貫通孔26之 側面、以及導電圖t UA之表面，形成均等厚度之金屬層。 口此藉由與固定電極層1 4 一體化形成之連接部丨5，即 可使岐電極層14與導電圖案11B痛實地作電性連接。 以下參照第2圖說明電容器麥克風丨〇 a之電路構成。 以虛線24包圍的領域為内建於半導體裝置2〇 a之電路。 為FET之半導體元件12之間極透過金屬細線16等而與設 在封裝樹脂13表面之固定電極層14作電性連接。接著， 半導體元件之汲極係透過電阻22而與電源We相連接， 並透過搞合（Coupling)電容器23,而輸出至交流側。此外， 半導體兀件12之源極及振動膜21係接地於GND。在習知 型電谷裔麥克風中，固定電極層及半導體元件為個別的構 成要件，但在本發明中，料在用以封裝半導體元件12 的封裝樹脂1 3之表面設置固定雷 單的構造。 置口-電極層14,所以可獲得簡 以下參照第3圖，說明在外殼材25内建半導體裝 20A之電容器麥克風1〇A的構 / f置胤透過組裝基板24而固定在外殼材25之電容哭夫 y的剖視圖，第3圖(B)為將半導體裝置繼直接夕 固定於外殼材25之電容器麥克風1〇八的剖視圖。 參照第3圖⑷’在表面形成有構成電容器麥克風之振 315521 10 1241857 動膜21 *固定電極層14之半導體m係收納於外殼材 二内部。外殼材25係由紹等金屬或樹脂所製成，由上部 牙-之中心孔，輸入聲響至内部。此外，外殼材25且有圓 同狀外形。因此’收納於外殼材25内壁之環圈⑴响Μ、 27B、振動膜21及組裝基板“均具有圓盤狀。 環圈27A及27B為供作對於構成電容 件定位之用，其中心部份挖空而 ^ 各要 风囿（％ )狀。環圈2 7 A呈 有使振動膜21與外殼材25隔開之功用。環圈27b則且； 使振動膜21與半導體裝置20A相隔開之功用。由於固定 電極層14’係形成在半導體元件12的上面，所以，在本 發明中’可以獲得不需要用以使振動膜21與固定電極層 1 4相隔開之間隔件的構成。 組裝基板24係在上部組裝半導體裝置2〇a ,具有可 使外殼材25密封的功用。組裝基板24之兩面形成有已導 通之導電路徑，在表面之導電路徑透過外部電極而組裝有 ，導體裝置2GA。而振㈣21與組裝基板24則係透過外 殼材25本體或導通銷（pin)等而與導電路徑相連接。形成 在組裝基板24的背面的導電路徑，與表面的導電路徑相導 通，而藉由設置引線（lead)或焊錫電極等，形成與外部相連 之連接部。 參照第3圖（B) ’在此係將半導體裝置2〇 A直接固定 在外殼材25之内壁。換言之，即構成在第3圖（a)中省去 組裝基板24之構成。此處所用之半導體裝置2〇a係具有 圓形的外形以崁合於外殼材25的内壁。上述形狀之半導體 315521 11 1241857 ^置鹰可採用雷射（laser)等，而藉由將形成半導體襄置 之外形的封裝樹脂丨3切斷成圓 其劣畋细壯贫』 风131形狀來加以製造。藉由 、、、、、衣土板24之構成，可使電容器麥克風1〇A之播 成更加薄型及簡單化。 構 此處，半導體裝置2〇A具有將外殼材幻 並且形成於背面的外部電極18具有 / 功用， 外部端子之功用。 電…克風10A之 之J 4圖，說明其他形態之電容11以風咖 構成。電容器麥克風形成之構成係具有：由導電圖 案11、載置於導電㈣n上的半導體元件12、以 電圖案η與半導體元件12—體封裝之封裝樹脂13所構成 之+導體裝置20Β;由導電圖案u之—部份所構成，且用 以形成電容器之—個電極的固定電極層14;以及與固定電 極層U相對向而設且用以形成電容器之另一電極的：動 膜广與第1圖所示之電容器麥克風1GA共同之處均以相 同付號標έ主’並省略共同之處之具體說明。 參照第4圖（Α)，半導體裝置20Β係將導電圖案11Α 露出的面載置於上側。接著，固定半導體元件12之導電圖 案11即作為固定電極層14而發揮功用。於是，以固定電 極層14及振動膜21來形成電容器。此外，固定電極層μ 與半導體元件1 2係透過金屬細線1 6及導電圖案i丨Α而作 電性連接。 以下參照第4圖（B)，說明導電圖案11之具體形狀。 在此’將載置半導體元件12之島狀（land)導電圖案u形 315521 12 1241857 成於中央部，該導電圖案1丨作為
At 卜馬固疋電極層1 4而發揮功 月匕。此外，將透過内建的半導俨 碴卞净體兀件12及金屬細線16所 逆接之導電圖案11A設置於其周 周圍。而且，一個導電圖案 係與固定電極層14相連接。 以下參照第5圖，說明第4 R成—f .
乐4圖所不之半導體裝置20B 内建於在外殼材25之電容器麥支逦 Β 夕兄風1〇B之構成。外殼材 具有圓筒形之形狀，且内建右 堤有振動膜21及半導體裝置 。此外，與第3圖所示 朴 心电奋态麥克風10Α —樣地， 精由環圈27Α、27Β來對各要素進行定位。 半導體裝置20Β係使導電圖案u露出的面為上面， 且透過絕緣性接著材料固定於組裝基板Μ。而導電圖案 11A係透過金屬細線28而與形成在組裝基板表面的之導 電路徑作電性連接。因此，導雷 ^ ^圖案1 1係具有半導體元件 12之載置領域、配線部、半導體裝置20B内部的接合墊 (b—㈣以外之功能。亦即，兼具固定電極層14及形 成金屬細線28的接合墊之功能。半導體裝置2〇B以外之 構成要素，則與第3圖說明者相同。 在上述電合為麥克風10B中，由於半導體裝置MB 的形狀具有比第1圖所示之半導體裝置2〇 A更為簡單之構 成，因此可構成較低成本之電容器麥克風。 本發明之特徵在於在封裝樹脂13上面設置固定電極 層14,以使固定電極層14與半導體元件12作電性連接。 具體來說，在封裝樹脂13上面形成由金屬膜構成的固定電 極層H，透過設於貫通孔26之連接部。，使固定電極層 315521 13 1241857 14與半導體元件12作 體元件12之閑極與固定。因此，使為之半導 頻信號為電氣信號。因此$ =14相連接，藉此可轉換音 型化及輕量化。 可貫現電容器麥克風10A之薄 再者’本發明之特韓 之一部^ M t ^ 、在於透過藉由削除封裝樹脂13 :導電==設置的貫通孔26,而使固定電… 側==乍電性連接。具體而言 之 W曲及由其底露出的導 連接部15。而由於連接部由金屬膜所構成的 法等而-體㈣，所以固定電極固/電極：14係藉由鍍敷 作電性連接。藉此方式一 "a 14與導電圖案11B係 14與導電圖案:㈣電：=需要追加供作使固定電極層 又，在上述之說明之中，匕用之其他構成要件。 線構造’但亦可將導電圖圖,11係具有單層之配 來說，形成透過絕緣層㈣⑽2層的配線構造。具體 接部將各層之導電圖案 是數層的導電圖案，而以連 線構造。 〃 連接’藉此可實現多層之配 (說明電路裝置1〇之製造 在本實施例中，“ 態） 心來說明電容器麥克風心:鳩之製造方法為中 中，電容器麥克風1GA係以下、二方法。在本實施形態 驟所構成：準備導電…步7驟製造。亦即由以下步 導電猪30之厚度淺之分離溝3: ’在導如0形成比該 11之步驟；將半導體元件；2固」：形成複數個導電圖案 疋在導電圖案11之步驟； 315521 14 1241857 3^1封&樹脂13以包覆半導體元件12，且充填於分離溝 方式進仃鑄模（m〇ld)之步驟；以使導電圖案1 1露出 =式’於封裝樹脂13形成貫通孔26的步驟；在封裝樹 曰3之表面形成固定電極層“，同時在貫通孔％的側面 及底面形成連接部丨5之步驟；將導電箔3〇之背面去除直 '露出封農樹脂13為止之步驟；切割封裝樹脂13，以藉 刀離為各電路裝置之步驟；以及將構成電容器麥克風之 f件組裝人外殼材25之步驟。以下參照第6圖至第工$圖， 說明本發明之各步驟。 第1步驟·參照第6圖至第8圖 本步驟為準備導電猪3〇，且在導電箔3〇形成比該導 電落30之厚度淺之分離溝32，以形成複數個導電圖案 在本步驟中，首先如第6圖所示，準備片狀（sheet)導 電羯30。該導電猪30係'考慮焊材之附著性、接合（bon — ) 性及鍍敷性來㈣其材料’以材料來說’可採用以銅（cu) 為主要材料之導電箱、以鋁（Αυ為主要材料之導電羯、或 者鐵（Fe)-鎳（Ni)等合金所成之導電箔等。導電箔之厚产， 當考慮到之後的蝕刻（etching)時，以約1〇// m至3〇〇以㈤ 較好，但是大於300 // m或小於1〇 “茁，基本上亦可。如 後所述’只要形成比導電猪30之厚度淺的分離溝32即可。 接下來，如第7圖所示，纟導電帛3〇上形成光阻劑 (photoresist)(耐蝕刻遮罩（mask)31，且對光阻劑31進行圖 案化（patterning)’以露出除了形成導電圖案丨丨之區域之外 的導電箔30。 315521 15 1241857 接著，參照第8圖，對導電箔30選擇性地進行餘刻。 在此，導電圖案11係構成：形成晶片焊墊（diepad)之導電 圖案11B，及構成接合墊（bonding pad)之導電圖案Ua等 此外’分離溝3 2之側面形成彎曲，使得與充填於該部份之 封裝樹脂1 3之密接更為強固。 第2步驟：參照第9圖 本步驟係將半導體元件1 2固定於導電圖案丨丨B，以將 半導體元件12與導電圖案11B作電性連接。 參照第9圖，透過接著劑，將半導體元件12組裝在導 電圖案11B。在此，可使用具絕緣性的材料來作為接著劑。 再者，將半導體元件12之電極與預期之導電圖案UA進 行打線接合（wire bonding)。具體來說，係藉由熱壓接合 (the_c〇mpressi〇n b〇nding)之球形接合b〇nding)& 超音波之楔形接合（wedge b〇nding)來對於組裝於導電圖案 11B之半導體元件12的電極與預期的導電圖案"A，一起 施行打線接合（wire bonding)。 此處，係將FET固定於導電圖案UB來作為半導體元 件12，但是以半導體元件12來說，亦可採用將雙極型及 議型之主動元件、電阻等被動元件加以集積化而構成放 大電路或雜訊消除電路之IC來作為半導體元件U。 第3步驟··參照第1 0圖 本步驟係利用封裝樹脂13以包覆半導體元件12，且 充填於分離溝3 2的方式進行鑄模。 本步驟為如㈣圖所示，封裝樹脂13係包覆半導體 315521 16 1241857 元件12及複數個導電圖案n，且於分離溝32令填充封褒 樹脂13，而與分離溝32相戾合而強固地接合。接著藉由、 =裝樹脂13來支持導電圖案u。此外，在本步驟中，可 藉由轉移成型(transfer m〇ld)、射出成型(ί—爪，或 灌注（potting)加以實現。以樹脂材料而言可利用轉移成 型來實現環氧樹脂等熱硬化性樹脂，而聚醯亞胺樹脂 (P〇lyimide resin)、聚苯硫樹脂 resin)則可利用射出成型來實現。 本步驟之特徵在和^，A ' 於在包復封裝樹脂13之前，使形成 導電圖案11的導電箔3〇為 υ馮支持基板。在以往係使用原來 2需的支持基板而形成導電圖案但在本發明中形成支 持基板之導電箔30則係作為雷托^丨 糸作為電極材料之必要材料。因此， /、有可非常節省構成材 何卄；進仃作業之優點，亦可達成降 低成本之目的。此外， 八 、 為刀離溝32形成地比導電箔30 子又k，所以導電箔3 〇作 分離。因此，具有可… 圖案n’並不會個個 狀 體處理片狀導電箔川，因而在對封 衣树脂1 3進行鑄模時， Μ θy J非吊奋易進行對模具的使搬送或 對杈具進行組裝的作業之特徵。 、飞 第4步驟：參照第u圖 本步驟係以使導雷_安^]命I 13形成貫通孔26。.案"路出的方式’於封裝樹脂 通孔26 ^巾係將封裝樹脂13的—部份肖彳除而形成貫 通孔26,藉此使導電 取貝 以雷射將封裝樹脂13之1二的二面路出。具體來說，即 ^伤去除，以藉此形成貫通孔 315521 17 1241857 26且使&電圖案11的表面露出。此處，雷射最好是二氧 化碳氣體（gas)雷射。此外，在以雷射使封裝樹脂丨3蒸發 後，如留有殘渣時，可用過錳酸鈉或過硫酸銨等進行濕蝕 刻（wet etching)，以去除該殘渣。 以雷射形成的貫通孔26之平面形狀可形成圓形。又， 貫通孔26之平面剖面之大小，接近貫通孔％底部之部位 會形成地較小。 第5步驟：參照第12圖及第13圖 本步驟係在封裝樹脂丨3表面形成固定電極層丨4，並 在貫通孔26側面及底面形成連接部丨5。 在本步驟中，係藉由以電解電鍍法或無電解電鍍法， 在封#树月日1 3的上面、貫通孔26的側面部形成由銅等金 屬所構成之鍍敷膜，而構成固定電極層14及連接部Η。” 以電解電鑛法構成鍍敷膜時，可將導電_ 3()的背面舍作電 極使用。在第12圖中’雖在貫通孔26的側面部亦:成有 具有與固定電極層14相同厚度之《膜，但亦可利用鍍敷 材嵌入貫通孔26。如果是以金屬叙入貫通孔26時，則使 用已加人添加劑之鍍敷液，上述削卜般稱 敷 (filling plating)。 默 接下來 弟13圖，按照每一電路裝置1()， 將形成在封裝樹脂13上面的固定電極層14分離。呈體而 言’首先除了對應於各電路裝置10之邊界線之部位：外， 以光阻劑35加以包覆’以形成固定電極層14。接著4 由施行㈣，局部去除對應於各電路裝置Π)之邊界線之ζ 315521 18 1241857 位的固定電極層1 4。在蝕刻完成後，光阻劑3 5即會剝離。 第6步驟··參照第14圖至第15圖 本步驟係將導電箔30之背面去除直至封裝樹脂丨3露 出為止。其中，使本步驟與上述之第5步驟同時進行亦可。 茶照第1 4圖，本步驟係將導電箔3 〇之背面以化學式 及/或物理式地去除，而分離成導電圖案丨丨。本步驟係藉 由磨光、研磨、蝕刻、雷射之金屬蒸發等方法施行。在實 驗中，係將導電箔30全面濕蝕刻，使封裝樹脂13從分離 溝32露出。其結果形成分離成導電圖案iia及導電圖案 11B’且在封裝樹脂13中露出導電圖案丨丨之背面的構造。 換g之，形成充填於分離溝32的封裝樹脂1 3之表面與導 電圖案11之表面實質上為一致之構造。 接著，參照第丨5圖，以覆蓋導電圖案丨丨之露出面之 方式，形成阻焊劑（solder resist) 19。在封裝樹脂13的上 面，形成由銅等金屬所成之固定電極層14，在封裝樹脂η 立的背面露出導電圖案n。因此，在形成有外部電極以的 =位形成開口部33，使得在封裝樹脂13的背面塗布阻烊 劑19。該開口部33係藉由進行曝光及顯像來形成。 夕立接著，在從開口部33露出的導電圖案n之背面形成 電極18具體的說，就是以網版印刷（screenprinting) 士在開π部33塗布焊錫等焊材，使之溶解，藉
電極18。 从外W =下來，將對應於各半導體裝置之邊界線之部位的封 知1 3切割，藉此分離成個別的電路裝置。對應於切割 315521 19 1241857 、水4之°卩位的‘電箱3 〇係以触刻步驟從背面將導電箔去 除。此外，對應於切割線34之部位的固定電極層14亦藉 由蝕刻去除。因此，在本步驟中，由於施行切割切刀心) 只切除封裝樹月旨13，所以可I切刀之摩損抑制到最小限 度。 以上述步驟製造之半導體裝置20 A係與形成電容器 麥克風之其他構成要件一起收納於外殼材25。如此，即扩 例如第3圖所示之最終形狀。 亏 本發明之特徵在於，將設在封裝樹脂13上面的固定電 極層/及使固定電極層14與導電圖案11B作電性連接之 ，接部15—起形成。具體的說’固^電極層㈣連接部 Β —Π體化之錢敷膜，係以電解電鍵法或無電解電鍍法所 製程數:：。可以大為抑制因形成固定電極層14所導致的 丹t，本發明之特徵在 上形成貫通孔26。具體來戈，因為叮、謂月曰1 兄因為可稭由調整雷射之起 二=去除封裝樹脂&所以，可在封裝樹脂^ 复之界面使雷射進行的去除作業中止（咖p)。 孔26:但是：=之說明中’係藉由使用雷射來形成貫 說，… 外之方法亦可形成貫通孔26。且， 况就是在進行封裝樹脂13 -體 13的上面相抿接之模呈上 步驟中，在與封裝樹 凸部。，設置對應於貫通孔心狀： 相抿接°此’由於凸部的頂端部可-面與導電圖宰：表 —面進行封㈣^的封裝1此可形成开^ 315521 20 l24l857 該凸部之形狀相對應之貫通孔26 [發明之效果] 在本發明中可達到以下所述之效果。 第！，藉由在半導體震置20A的表面設置固定電極声 Η，所以可實現電容器麥克風1〇之小型化。而且，固 極層Μ係透過設在封裝樹月旨㈣貫通㈣ 二_ :12作電性連接。因此，沒有必要另外設置用::連接二 電極層14與半導體元件12之連接部。藉此方式 具有輕量及薄型的簡單化之構成的電容器麥克風。且體的 說，可使電容器麥克風的整體厚度為lmm以下。- 第2，由於在用以封裝本逡鰣 ^ 了展+涂體70件12之封裝樹脂13 主面设置固定電極層14’所以，藉由封裝樹脂η來將 + V體兀件12與固定電極層14分隔開來。因此，由於兩 者互不干’故可提高所輸出之信號之S/N比㈨㈣ noise ratio，信號雜訊比）。 固定在外殼材25 置20A之用的組 實現更進一步的 第3,因為可使半導體裝置2〇a直接 之内壁’所以可以省略供作組裝半導體裝 裝基板’來構成電容器麥克風。因此，可 輕量化及薄型化。 第4,藉由將形成半導體元 肢疋件12之載置領域及接合墊 (bonding pad)等之導電圖幸η 口系U的一部份做為固定電極層 1 4來使用，所以，可提供具有f & A — 口口 、’更為間早化之構成的電容器 麥克風。 【圖式簡單說明】 315521 21 1241857 、第1圖為說明本發明之電容器麥克風之剖視圖⑷、俯 視圖（B)及俯視圖（C)。 第2圖為說明本發明之電容器麥克風之電路圖。 第3圖為說明本發明之電容器麥克風之剖視圖（八）及 剖視圖。 第4圖為說明本發明之電容器麥克風之剖視圖（八）及 俯視圖（B)。 第5圖為說明本發明之電容器麥克風之剖視圖。 第6圖為說明本發明之電容器麥克風之製造方法的剖 視圖。 第7圖為說明本發明之電容器麥克風之製造方法的剖 視圖。 第8圖為說明本發明之電容器麥克風之製造方法的刳 視圖。 第9圖為說明本發明之電容器麥克風之製造方法的剖 視圖。 第10圖為說明本發明之電容器麥克風之製造方法的 剖視圖。 第11圖為說明本發明之電容器麥克風之製造方法的 剖視圖。 第丨2圖為說明本發明之電容器麥克風之製造方法的 剖視圖。 、 / 、第13圖為說明本發明之電容器麥克風之製造方法的 315521 22 1241857 風之製造方法的 第14圖為說明本發明之電容器麥克 剖視圖。 第15圖為說明本發明之電容器麥克風之製造方法的 剖視圖。 第1 6圖為說明習知電容器麥克風之剖視圖。 [元件符號說明] 10 電路裝置 1卜 11A、11B導電圖案 13 封裝樹脂 15 連接部 18 外部電極 20A ' 20B、110半導體裝置 22 電阻 24 > 105組裝基板 26 貫通孔 30 導電箔 32 分離溝 34 切割線 104 支撐部 107 固定電極 Vcc 電源 l〇A、10B、10〇電容器麥克風 12 半導體元件 14 固定電極層 1 6、2 8 金屬細線 19 阻焊劑 21 振動膜 23 電容器 25、101外殼材 27A、27B、102 環圈 31、35 光阻劑 33 開口部 103 間隔件 106 振動板 108 連接裝置 GND 接地 23 315521