TWI240400B - Method for fabricating a packaging substrate - Google Patents

Description

1240400 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種封裝基板製程，尤指一種利用通孔以及兩次 鎳金電鍵製程分別完成基板上、下表面鍵金區域的鎳金電贫的封 裝基板製程。 ' ' ' 【先前技術】 在電子產品不斷往輕、薄、短、小發展的趨勢下，市場對於覆 晶封裝技術的重視程度逐步提高。由於覆晶技術較傳統封裝方式 具備多重優勢，使其在行動通訊環境日漸成形下，成為近年封測 產業發展的重點。目前，隨著採用球格陣列(BGA)、覆晶(Flip ch⑹ 等這一類植球式高階封裝漸成為主流封裝技術，市場對於封裝時 所舄要的封裝基板(Packaging Substrate)也日益增加。上游idm廠 與1C設計公司基於成本考量，通常將基板採購權交由封裝廠全權 負貝，基板電路設計也一併交由封裝廠代工，所以佔封裝成本仍 同達二成以上的IC封裝基板，便成為封裝廠跨入高階封裝市場 時，必須掌握的最重要關鍵材料。而隨著封裝基板上的佈線越趨 緻密化，如何提高封裝基板之佈線密度，同時兼顧製程的穩定可 罪度低成本以及產品的良率，即為封裝基板製作的重要課題。 1240400 密雜紐之製細財，除了於其上形成細 〃 4又為銅質導線)之外’且各導線線路上的1/0接點 =^-層所辦「錄」，植是_，喃升封裝基板 ”曰曰片之間在進行打金線過程中構成翻的電性連接，同時，亦 有防止銅冑導相案氧化之功能。隨後，再進行印製防鲜阻劑 solder ma峨表喻里㈣aeefmis聰程聰護職於基板表 面上的導線線路。 +習知電鍍表錢理之作法概縣被防銲阻舰蔽之區域 需有從基板表面上之銅質線路延伸至基板周圍之電鍍延伸導線 gating bus)，以作為電鑛時之導電路徑，如此，才能在基板上外 路於防銲阻渺卜之各需錢金區域上鍍—層特定厚度的鎳金層。然 而上述4知作法之主要缺點在於，電鑛延伸導線勢必佔據可利 用的基板佈線空間，使得基板佈線密度無法提升。此外，電鑛導 線易文到鄰近導線線路的訊號干擾產生雜訊問題。在習知技藝 中，鎳金層往往會與防銲阻劑有部分的重疊，而鎳金層與防銲阻 劑之間附著性不佳卻會導致封裝基板產品的可靠度下降。 相關習知技藝中，可參考如美國專利第6,576,54〇號r於接觸 墊上電鐘錄金之結構的基板製作方法(Method For Fabricating Substrate Within A Ni/Au Structure Electroplated On Electrical Contact Pads)」，其所揭露之技術，缺點是需於線路形成後，再對 基板多做一次金屬化動作，造成成本的浪費。此外，更可能容易 1240400 :、、、，。中處理不慎而有線路刮傷或撞傷的情形發生，對基板上 的細線路造成影響。另—個缺點是，祕肋在斜形成後欲製 作^象轉移製辦，會因祕板表_金觸是後來生成，容易 於覆蓋光阻劑後，產生金屬層與基板表面發生剝離現象，造成良 【發明内容】 • 本發明所提出之方法係利用封裝基板的特色，鍍金區域會於基 板兩面顯露’且透過通孔連通，故先讓基板某一面覆蓋金屬層， 以使其全面導通，在利用通孔導通到另一面，達到使部分線路 鍍鎳金之封裝基板製作。 根據本發明之較佳實細，本發明提供—觀躲板之製造方 法，包含有下列步驟： • 提供一基板，並於上形成通孔； 於该基板的上、下表面以及該通孔的内壁上形成—第一金屬 層； —進行-微影以及_製程，將該第—金屬層於該基板的上表面 定義成第-導線_，於該基板的τ表面定義成第二導線圖案， 且该第-轉圖案與該第二導、_餘由該通孔構成電連結； 於該基板的上、下表面覆蓋—防銲阻劑，且該防銲阻劑填 通孔； / 1240400 於口亥防!予阻劑中形成一第一開口以及一第二開口，其中該第— 一、/路出.卩刀韻—導線圖案，而該第二開口暴露出部分該第 二導線圖案； ㈣Γ 口亥基板的上表面形成—第一導電層，且該第一導電層覆蓋該 防杯阻劑以及該第-開口，並與該第一導線圖案接觸； 於该第-導電層上覆蓋_第一絕緣層； 於該第二開口暴露出之部分該第二導線圖案上電鑛一第二金 屬層； 制除該第一絕緣層；以及 進仃-姓刻製程’餘刻掉該第一導電層，以暴露出該第一開口 内的該第一導線圖案。 ☆為了使貴審查委員能更近一步瞭解本發明之特徵及技術内 :參;===本說_圖，所附_ I、稀助”兄明用，並非用來對本發明加以限制者。 【實施方式】 本發社钱針對縣絲紅無拉魏 到在部分線路上電鍍鎳金層的目的。本發明之主 全電Γ:Γ初別完成基板上、下表面鍍金區域的鎳 j鍍’且在電鍍之前’銅層導線上的待錢金區域先 疋義出來’然後再進行鎳金電鑛，因此麵的鎳金層不會二方二 1240400 _重疊/此可以避免鎳金層與晴阻劑之_著性不佳等問 題發生，藉此提高封裝基板產品的可靠度。 口月參閱第1圖至第U圖，其!會示的是本發明封裝基板製作方 法之較佳實施例的勤示意®。首先，如第1 ®所示，提供-基 板10 ’其有上表面101以及下表面102，且基板1〇已經先以鑽通 孔製程處理過，於其上形成通孔12。 如第2圖所示，進行一金屬化製程，於基板10以及通孔12的 表面上形成鋪18。銅層18可以是化學沈積靖，其厚度約為 10微米以下。接著，如第3圖所示，進行微影以及侧製程，將 銅層18在基板1〇的上表面1〇1定義成銅層墊22，同時使銅層18 在基板10的下表面102定義成銅層墊24，其中銅層墊22與銅層 墊24兩者經由通孔12侧壁上的通孔銅金屬26構成電連結。 如第4圖所示，於基板1〇的上表面101以及下表面1〇2覆蓋 防銲阻劑3G，並且填滿通孔12。如熟習該項技藝者所知，防鮮阻 劑30乃可吸收光之光喊分，彻曝光以及顯影製程可以於防録 阻劑30形成開口 32以及開口 34,其分別定義出在銅層墊22上的 待鍍金區域105以及在銅層墊24上的待鍍金區域1〇6。 如第5圖所示，接著在基板1〇的上表面1〇1全部覆蓋一導電 層38 ’其覆蓋的區域包括有防銲阻劑3〇以及暴露出來的銅層墊 1240400 22及基材10導电層38可以是金屬層，例如銅層，或者是其它 任何：以導電之材料所構成。如第6 _示，然後躲導電層％ 上復盖一、纟e*緣層40，例如防鲜阻劑。 如第7圖所示，接著進行電鑛鎳金製程，使銅層塾^經由通 孔12導通至銅層墊22以及導電層38，並使導電層％外接至一預 定電壓，俾使待鑛金區域106内的銅層塾24上得以電鑛一錄金層 52由於本發明係先以防銲阻劑3〇定義出待錢金區域祕，再進 仃電鑛，因此，鎳金層52①會與防銲阻劑3〇重疊，如此可以避 免鎳金層無銲_之咖著性不佳等問紐生，藉此提高封裝 土板產πα的了罪度。而由於在基板丨〇的上表面IQ〗上方覆蓋有絕 緣層40，因此不會電鍍鎳金。 在完成待鑛金區域106的電鍵鎳金製程之後，如第8圖所示， 將覆盍在基板10的上表面1〇1上方的絕緣層4〇剝除。如第9圖 所不’然後進行-微侧製程，將剝除絕緣層4〇之後所暴露出來 的‘電層38餘刻掉，暴露出待鍍金區域1〇5内的銅層墊。 以下藉由第ίο圖至第12圖介紹在基板10的上表面ι〇ι的待 鑛金區域105内電鑛鎳金的步驟。基本上，在基板10的上表面1〇1 的待鍍金區域1〇5内電鑛鎳金的步驟與前述在基板1〇的下表面 102的待鍍金區域1〇6内電鍍鎳金的步驟相同。 11 1240400 +首先，如第10圖所示’在基板10的下表面102全部覆蓋一導 電層仙’«蓋的區域包括有及暴露絲的鎳金層 A同樣的，導電層48可以是金屬層，例如銅層，或者是其錄 仃可以導電之材料所構成。然後，再於導電層48上覆 5〇’例如防銲_或光阻機。 ^第固所示，進行電鑛鎳金製程，使銅層墊22經由通孔12 • 料至，層塾24、錄金層52以及導電層48，並使導電層48外接 至預疋電Μ ’俾使待鍍金區域105内的銅層塾22上得以電鍍一 、臬金層62。由於在基板1()的下表面1〇2上方覆蓋有絕緣層％， 因此不會再電鍍鎳金。 ρ最後，如第12圖所示，將覆蓋在基板10的下表面102上方的 、、巴緣層50剝除’然後進行一微侧製程，將剝除絕緣層％之後 所暴露出來的導電層48侧掉，暴露出鎳金層52。 i 以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍 所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。 12 1240400 【圖式簡單說明】 第1圖至第12圖，本發明封裝基板製作方法之較佳實施例的 剖面示意圖。

【主要元件符號說明】 10 基板 12 通孔 18 銅層 22 銅層墊 24 銅層墊 26 通孔銅金屬 30 防銲阻劑 32 開口 34 開口 38 導電層 40 絕緣層 48 導電層 50 絕緣層 52 鎳金層 62 鎳金層 101 上表面 102 下表面 105 待鍍金區域 106 待鍍金區域 13

Claims (1)

1240400 、申請專利範圍 一種封裝基板之製造方法，包含有下列步驟： 提供一基板，並於上形成通孔； 層 於該基板的上、下表面以及該通孔的内壁上形成一第一導電 通孔 妨-微影以及餘刻製程，將該第一導電層於該基板的上表面 ▲，第‘線職，於絲板的下表面定義成第二導線圖案， ^第¥線圖案與_第二導線_經由該通孔構成電連結； 於該基板的上、下表城蓋—防銲_，且贿銲阻劑填滿該 於该防銲阻劑中形成一第一 弟開口以及一第二開口，其中該第一 而該第二開口暴露出部分該第 開口暴硌出部分該第—導線圖案， 二導線圖案； 於該基板的上表面形成— 弟—^電層，且該第二導雷展Jf荖命 防銲阻劑以及該第_開口，^ W盾復盍β 料第m 並與该第一導線圖案接觸； 於5亥第一導電層上覆 „ 弟絕緣層；以及 導線圖案上電鍍一第三導 於该第一開口暴露 電層 2·如申請專利範圍第丨項 第二開nm “ ,'、、狀封錄板之製造方法，其中於該 .....暴露出之部分該第 該製造方法另包括有下列步=線_上電鍍第三導電層之後 14 1240400 韌除該第一絕緣層；以及 進行-侧製程，掉該第二導電層，以暴露出該第一開口 内的該第一導線圖案。 3.如申請專利範圍第2項所述之封裝基板之製造方法，其中在進 行該韻刻製程之後，該製造方料包括有下列步驟： 於該基板的下表面形成1四導電_，第四導€層覆蓋該 防銲阻劑以及該第二開口，並盘兮—θ 祕網. • 並與，亥第二導線圖案接觸， 於該第四導電層上覆蓋—第二絕緣層；以及 於該第二開口暴露出之部分該第二導線圖案上電鑛〆第五導 電層。 4.如申請專利範圍第3項所述之封裝基板之製造方法，其中該第 四導電層為銅層。 φ 5.如申請專利範圍第3項所述之封裝基板之製造方法，其中该第 五導電層包含有金以及鎳。 6·如申請專利範圍第1項所述之封裝基板之製造方法，广 一導電層為銅層。 7·如申請專利範圍第1項所述之封裝基板之製造方法 三導電層包含有金以及錄。 15 1240400 8.如申請專利範圍第1項所述之封裝基板之製造方法，其中該第 二導電層為銅層。 十一、圖式：

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