TWI239786B

TWI239786B - Organic electroluminescent device

Info

Publication number: TWI239786B
Application number: TW092135681A
Authority: TW
Inventors: Toshihiro Ise; Tatsuya Igarashi; Hisashi Okada
Original assignee: Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date: 2002-12-17
Filing date: 2003-12-17
Publication date: 2005-09-11
Also published as: AU2003294176A1; EP1572831B1; EP1572831A1; US20060052607A1; WO2004055130A1; TW200417277A; US7560174B2; KR100998460B1; KR20050084398A; EP1572831A4

Description

1239786 玖、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於一種具有高亮度、高發光效率及優良的耐久性之有機電致發光裝置（有機EL裝置）。【先前技術】有機E L裝置由一相對的電極所組成，且具有一發光層及眾多的有機層（其包含一放到其中間的發光層）。該有機E L 裝置爲一種可藉由下列方式之一來獲得發光的發光裝置：使用讓從陰極所注入的電子與從陽極所注入的電洞在發光層中重組而形成之激子來發光；或從前述激子之能量傳遞而形成的其它分子之激子來發光。針對使用金屬錯合物作爲宿主材料的磷光有機EL元件之發明已經揭示出（參見 JP-A-2002-305083)。但是，現存的狀態爲其發光效率及耐久性尙不足，因此，熱切需要發展出一具有較高的亮度及發光效率且具有優良的耐久性之裝置。【發明內容】因此，本發明之目標爲提供一種具有較高的亮度及發光效率且具有優良的耐久性之發光裝置。前述的問題已可如下而獲得解決。 (1)一種有機電致發光裝置，其包含一對電極及至少一層有機層（其之間包含一發光層），此發光層包含至少一種磷光物質及至少一種由下列式（I)表示之化合物。 1239786

在式⑴中，x11代表氮原子或c-rm ; x12代表氮原子或C-R12; R11及R12每個可代表芳基基團或一在連接R11與 R12後形成一雜環所需之原子團；X13代表氧原子、硫原子、 -C(R13)R14-或-NR15- ; R13、R14及R15每個可代表氫原子或一取代基；Z1代表一形成5員或6員環所需之原子團；Μι 代表金屬離子；η1代表整數1或更大；L1代表配位基；及 m 1代表整數0或更大。 (2) 如在上述（1)所提出之有機電致發光裝置，其中由式 (I)所表示之化合物爲該發光層中之主要組分。 (3) 如在上述（1)或（2)中所提出之有機電致發光裝置，其中由式（I)所表示之化合物爲由下列式（II)所表示之化合 1239786 式（II)

在式（II)中，Q2代表一形成雜環所需之原子團；X2代表氧原子、硫原子、-C(R21)R22-或-NR23- ; R21、R” 及 r23 每個代表氫原子或一取代基；Z2代表一形成5員或6轉環所需之原子團；M2代表金屬離子；η2代表整數1或更大； L2代表配位基；及m2代表整數〇或更大。 (4)如在上述（1 )至（3 )中的任何一項所提出之有機電致馨發光裝置’其中由式（I)所表示之化合物爲由下列式（ΙΠ)所表示的化合物。一 7一 1239786 式（III)

Qv Ν〜·

：MV 4l3)

R 37

R 36

R 34 35

R 在式（III)中，Q3代表一形成含氮的6員雜瓌所需之原子團；X3代表氧原子、硫原子、-C(R31)r32_—-Nr33-; R31、 R32及R33每個代表氫原子或一取代基；R34、r35、R36及R37 每個代表氫原子或一取代基；μ3代表金屬離子；Π3代表整數1或更大；L3代表配位基；及m3代表整數〇或更大。 (5)如在上述（1)至（4)中的任何一項所提出之有機電致發光裝置，其中由式（I)所表示之化合物爲由下列式（IV)所表示的化合物。一8- I239786 式（IV) R41 R42

N

-R 43

R 48 〇一

R 45

n

在式（IV)中，R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47 及 RU 句1個可代表氫原子或一取代基；M4代表二價或三價的金屬離子；η4代表從1至3的整數；L4代表配位基；及m4代表從〇至2的整數。 (6)—種有機電致發光裝置，其包含一對電極及至少一 H 層有機層（其之間包含一發光層），該發光層包括至少一種磷光物質及至少一種由下列式（V)所表示之化合物： -9 一 1239786 式（V)

在式（V)中，X51代表氮原子或C-R51;x52代表氮原子或C-R52 ; R51及R52每個代表氫原子或一取代基；代表氫原子或一取代基；Z5代表一形成5員或6員所需之原子團；M5代表金屬離子；及η5代表整數1或更大；L5代表配位基；及m5代表整數0或更大。 (7)如在（1)至（5)中的任何一項所提出之有機電致發光裝置，其中除了由式（I)所表示之化合物與磷光物質外，在該發光層中包含至少另一種物質。 (8 )在（1 )至（5 )中的任何一項所提出之有機電致發光裝置，其中除了由一般式（V)所表示之化合物及磷光物質外，在該發光層中包含至少另一種物質。本發明之有機E L裝置將詳細描述在下列。本發明之有機EL裝置爲一種有機電致發光裝置，其包含一對電極及至少一層有機層（其之間包含一發光層），該發光層包括至少 —種磷光物質及至少一種由式⑴或式（V)所表示的化合物。 1239786 同樣地’除了發光層外，在該電極對間可配置有一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子傳輸層、一電子注入層、一保護層及其類似物。這些各別的層可同時具有其它功能。在本發明之有機EL裝置中，較佳的是該由式⑴或式（V) 所表示之化合物作爲一宿主材料。該宿主材料非爲在形成發光層材料的材料當中之發光材料（其在本發明中爲磷光物質）’而是意指爲一種具有下列功能的至少一種功能之材料：一可分散一發光材料（在本發明中爲磷光物質）且包住其之 t 層的功能；一接收來自陽極的電洞之功能，一電洞傳輸層等等；一接收來自陰極的電子之功能，一電子傳輸層等等；一傳輸電洞及/或電子之功能；一提供電洞及電子重組範圍的功能；一將由重組所形成之激子的能量傳遞進入一發光材料的功能；及一將電洞及/或電子傳輸進入一發光材料的功能。 β 該宿主材料較佳爲一種具有下列至少一種功能的材料：可傳輸電洞及/或電子的功能與可傳遞由重組所形成之激子的能量之功能；及更佳爲一種具有至少二種在前述不同功能當中之功能的材料。再者，除了前述之傳輸電洞或電子的功能與傳遞由重組同時所形成之激子的能量之功能外，由式（I)或式（V)所表示之化合物可具有的不同功能。較佳的是由式（I)或式（V)所表示之化合物爲該發光層中 -11- 1239786 的主要組分。對該化合物作爲一宿主材料之理由來說，更佳的是由式（I)或式（V )所表示之化合物爲主要組分。更具體來說’由式（I)或式（V)所表示之化合物的含量較佳爲從50% 至9 9 · 9重量％，更佳爲6 0 %至9 9重量％。因爲該宿主材料在達成前述功能時會被電化學氧化或還原’較佳的是該宿主材料對電化學氧化及還原非常穩定。換句話說’較佳的是該氧化物種（諸如陽離子物種基團）及還原物種（諸如陰離子物種基團）非常穩定。同樣地，在由該宿主材料進行重組之實例中，因爲首先會形成該宿主材料的激子’較佳的是該宿主材料之激發狀態穩定而不會造成分解或加熱去活性。亦即，此意謂著對光亦穩定的宿主材料較佳。再者，在有機EL裝置中，因爲在驅動期間由所產生的熱而造成之薄膜破損或材料分解爲降解的一大因素’亦較佳的是該宿主材料爲一甚至在高溫下亦能保持穩定且不會因加熱而造成分解的非晶相薄膜材料。至於前述的宿主材料，對光、熱及電化學氧化與還原極穩定的那些較佳。在使用能滿足這些需求的宿主材料之實例中，可預計能極度改善該發光裝置的耐久性。在考慮到該發光裝置的耐久性之實例中，在本發明中，式U)或式（V)的化合物較佳地具有130 °C至400 °C的玻璃轉換溫度（Tg)，更佳爲13 5°C至400°C，進一步較佳爲140°C至400 °C ’特別佳爲150°C至400°C，最佳爲16〇t至400°C。Tg可藉由熱測量法（諸如差示掃描量熱法（DSC)及微分熱分析 (DTA))、X射線繞射法（xrd)、偏光顯微鏡觀察等等來証實。 1239786 在本發明中’式（I)或式（V)的化合物爲一金屬錯合物（其與本發明之金屬錯合物同義），且較佳爲一宿主材料。雖然該金屬錯合物的金屬物種無特別限制，較佳爲一屬於週期表第2至4族之金屬；更佳爲Li、Be、Na、Mg、A1、K、 Ca、Sc、Ti、V、Cr、Μη、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga 或 Ge; 更佳爲 Li、Be、Na、Mg、A1、Ti、Fe、Co、Li、Cu、Zn 或 Ga;進一步較佳爲 Be、Mg、Al、Fe' Ni、Cu、Ga 或 Zn; 甚至進一步較佳爲Be、Mg、A1、Cu、Ga或Zn ;及特別佳爲 A1、Ga 或 Zn。本發明之金屬錯合物可爲一在相同分子中具有眾多金屬離子之多核錯合物。同樣地，該金屬錯合物可爲一包含眾多金屬的多核錯合物。同樣地，該金屬錯合物可具有眾多配位基。較佳的是本發明之金屬錯合物爲一種中性的金屬錯合物。本發明的有機EL裝置之較佳第一具體實施例爲一在該發光層中包含由式（I)所表示之化合物的具體實施例，其可較佳地作爲一宿主材料。在式（1)中，χΙ1代表氮原子或c_ R11。X12代表氮原子或C-R12。Rll及R!2每個可代表一芳基基團或可彼此連接而形成一雜環。χ!3代表氧原子、硫原子、 -C(R )R -或- NR15^Ri3、R!4及Rl5每個可代表氫原子或取代基。Z1代表一形成5員或6員環所需之原子團。Ml 代表金屬離子。η1代表整數1或更大。l1代表一配位基。 m1代表整數〇或更大。下列將δ羊細描述由式⑴所表示之化合物。X! i代表氮原 1239786 子或CNR11;及X"代表氮原子或C_RI2。rm及r,2每個可代表一芳基基團或一在R11與Ru間連接後形成一雜環所需之原子團。在R11及R12每個代表芳基基團的實例中，該芳基基團的實例包括苯基基團 '萘基基團 '吡啶基基團、嚼啶基基團、嗒哄基基團、吡阱基基團、噻吩基基團、呋喃基基團及吡咯基基團。适些基團當中，苯基基團及吡啶基基團較佳，而苯基基團更佳。在R11及R12彼此連接而形成〜雜環之實例中，該欲形成的雜環實例包括吡啶環、吡畊環、嘴、D定環、_明：環、三口井環、塞吩環、呋喃、tt略環、咪I]坐環、喂唑環、瞎哩環及三哇環。這些環當中’ Ift D定環、吡畊環及嘧啶環較佳；吡啶環及吡畊環更佳；及吡啶環進一步較佳。在R, i及R i2 彼此連接而形成一雜環的實例中，該雜環可與其它環形成一稠環。由R11及R12所表不之芳基基團與在反^與Rl2間連接後所形成之雜環每個可進一步具有一取代基，其實例包括下列取代基基團A之一種。 (取代基基團A) 實例包括烷基基團（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至1 2個碳原子及特別佳爲1至8個碳原子，諸如甲基基團、乙基基團、異丙基基團 '三級丁基基團、正辛基基團、正癸基基團、正十六烷基基團、環丙基基團、環戊基基團及環己基基團）、烯基基團（較佳爲具有2至20個碳一 1 4一 1239786 原子，更佳爲2至1 2個碳原子及特別佳爲2至8個碳原子，諸如乙烯基基團、烯丙基基團、2-丁烯基基團及3-戊烯基基團）、炔基基團（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2 至1 2個碳原子及特別佳爲2至8個碳原子，諸如炔丙基基團及3-戊炔基基團）、芳基基團（較佳爲具有6至30個碳原子，更佳爲6至2 0個碳原子及特別佳爲6至1 2個碳原子，諸如苯基基團、對-甲基苯基基團及萘基基團）、經取代的羰基基團（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子及特別佳爲1至12個碳原子，諸如乙醯基基團、苯甲醯基基團、甲氧基羰基基團、苯氧基羰基基團、二甲基胺基羰基基團及苯基胺基羰基基團）、胺基基團（較佳爲具有〇至20個碳原子，更佳爲1至1 6個碳原子及特別佳爲1 至12個碳原子，諸如二甲基胺基基團、甲基羰基胺基基團、乙基碾基胺基基團、二甲基胺基羰基胺基基團及酞醯亞胺基團）、碉基基團（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1 至1 6個碳原子及特別佳爲1至1 2個碳原子，諸如甲磺醯基基團及甲苯磺醯基基團）、磺基、羧基基團、雜環基團（包括脂肪族雜環基團及芳香族雜環基團，其較佳地包含氧原子、硫原子及氮原子之任何一種；較佳爲具有1至5 0個碳原子，更佳爲1至3 0個碳原子及特別佳爲2至1 2個碳原子，諸如咪唑醯基基團、吡啶基基團、呋喃基基團、哌啶基基團、嗎福啉基基團、苯并噚唑基基團及三唑基基團）、羥基基團、烷氧基基團（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至1 6個碳原子及特別佳爲1至1 2個碳原子，諸如 -15- 1239786 甲氧基基團及苄氧基基團）、芳氧基基團（較佳爲具有6至2〇個碳原子，更佳爲6至1 6個碳原子及特別佳爲6至1 2個碳原子，諸如苯氧基基團及萘氧基基團）、鹵素原子（較佳爲氟原子、氯原子、溴原子及碘原子）、硫醇基團、烷硫基基團（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲丨至1 6個碳原子及特別佳爲1至1 2個碳原子，諸如甲硫基基團）、芳硫基基團（較佳爲具有6至20個碳原子，更佳爲6至16個碳原子及特別佳爲6至1 2個碳原子，諸如苯硫基基團）、氰基基團及矽烷基基團（較佳爲具有0至40個碳原子，更佳爲3至3 0個碳原子及特別佳爲3至1 8個碳原子，諸如三甲基矽基基團、三苯基矽烷基基團及三級丁基二苯基矽烷基基團）。 X13代表氧原子、硫原子、-C(R13)R14-或-NR15-。R13、 R14及R15每個可代表氫原子或一取代基。至於由R13及R14 所表示之取代基，可適用所舉出之在由R11及R12所表示的芳基基團上或在R11與R12間連接後所形成之雜環上的經取代之那些取代基。R13及R14每個較佳爲氫原子、烷基基團或芳基基團；更佳爲氫原子或院基基團；及進一步較佳爲院基基團。由R 15所表示之取代基實例包括下列取代基基團B之一種。 (取代基基團B) 實例包括烷基基團（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至12個碳原子及特別佳爲1至8個碳原子，諸如甲 -16- 1239786 基基團、乙基基團、異丙基基團、三級丁基基團、正辛基基團、正癸基基團、正十六烷基基團、環丙基基團、環戊基基團及環己基基團）、烯基基團（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2至12個碳原子及特別佳爲2至8個碳原子， S者如乙燃基基團、烯丙基基團、2 -丁烯基基團及3-戊基基團）、炔基基團（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲2 至12個碳原子及特別佳爲2至8個碳原子，諸如炔丙基基團及3-戊炔基基團）、芳基基團（較佳爲具有6至30個碳原子，更佳爲6至20個碳原子及特別佳爲6至12個碳原子，諸如苯基基團、對-甲基苯基基團及萘基基團）、經取代的羰基基團（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子及特別佳爲1至12個碳原子，諸如乙醯基基團、苯甲醯基基團、甲氧基羰基基團、苯氧基羰基基團、二甲基胺基羰基基團及苯基胺基羰基基團）、經取代的碾基基團（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲1至16個碳原子及特別佳爲1至1 2個碳原子，諸如甲磺醯基基團及甲苯磺醯基基團）及雜環基團（包括脂肪族雜環基團及芳香族雜環基團，其較佳地包含氧原子、硫原子及氮原子之任何一種；較佳爲具有1至50個碳原子，更佳爲1至30個碳原子及特別佳爲2至1 2個碳原子，諸如咪唑醯基基團、吡啶基基團、呋喃基基團、哌啶基基團、嗎福啉基基團、苯并噚唑基基團及三唑基基團）。R15較佳爲烷基基團、芳基基團或芳香族雜環基團；更佳爲烷基基團或芳基基團；及進一步較佳爲芳基基團。 -17- 1239786 Z1代表一形成5員或6員環所需之原子團，其包括一在式中由虛線所鍵結的原子。該含Z1的環可包括一取代基 (至於取代基，可適用所舉出之在由R11及Ri2所表示的芳基基團上或在R1 1與R12間連接後所形成的雜環上之經取代的那些取代基）或可與其它環并合。含Z1的環之實例包括環戊烯、環己烯、苯、萘、蒽、菲、芘、二苯并蒽、吡啶、喹啉、呋喃、噻吩、吡畊、嘧啶、噻唑、苯并噻唑、萘并噻唑、噚唑、苯并噚唑、萘并噚唑、異噚唑、硒唑、苯并硒唑、萘并硒唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、異喹啉、吡唑及三唑。該含Z1的環較佳爲一芳香族基團。實例包括苯、萘、蒽、吡啶、噻吩、吡阱及嘧啶。這些當中，苯及萘更佳’苯一步較佳。 Μ 1代表一金屬離子。雖然該金屬離子無特別限制，其較佳爲一屬於週期表（週期表的長形式）弟2至4族的金屬離子；更佳爲二價或三價的金屬離子；進一步較佳爲Be2+、 Mg2+、Al3+、Zn2+、Ga3 +或 Cu2+;及特 SU 佳爲 Al3 +或 Zn2 + 或 Ga3+。

Li代表單螯基、二螯基或多螯基配位基。該配位基的實例包括鹵素離子（諸如C1_、Γ)、過氯酸根離子、烷氧基離子（較佳爲具有1至20個碳原子’更佳爲1至10個碳原子及進一步較佳爲1至5個碳原子，諸如甲氧基離子、乙氧基離子、異丙氧基離子及乙醯丙酮根離子）' 芳氧基離子（較佳爲具有從6至20個碳原子’更佳爲6至12個碳原子及進一步較佳爲6至8個碳原子’旨者如苯氧基離子 - 1 8- 1239786 _醇離子及2-(2 -羥基苯基）苯并以11坐離子）、砂院基氧基離子（較佳爲具有3至20個碳原子及更佳爲Η至20個碳原子，諸如三苯基矽院氧基離子）、含氮的雜環（較佳爲具有1 至20個碳原子，更佳爲2至10個碳原子及進一步較佳爲3 至8個碳原子，諸如菲及雙® n定基）、醯基離子（較佳爲具有1至20個碳原子，更佳爲2至10個碳原子及進一步較佳爲3至8個碳原子’諸如乙酸基離子）、醚化合物（較佳爲具有2至20個碳原子，更佳爲3至10個碳原子及進一步較佳爲3至8個碳原子’諸如四氫呋喃）及經基離子。這些當中，烷氧基離子、芳氧基離子及矽烷基氧基基團更佳，且芳氧基離子特別佳。 η1代表整數1或更大；及m1代表整數0或更大。雖然 η1及m1每個的較佳範圍依金屬離子而變化且無特別限制，但η1較佳爲1至4，更佳爲1至3及特別佳爲2或3 ;及m1 較佳爲〇至2，更佳爲0或1及特別佳爲〇。至於數目ηι 及m1之組合，則能讓由式（I)所表示之化合物變成中性錯合物的數目之組合較佳。 Φ 由式（I)所表示之化合物較佳爲一由式（II)所表示之化合物。在式（Π)中，Q2代表一形成一雜環所需之原子團，包括一在式中由虛線所鍵結的原子。X2代表氧原子、硫原子、-(3(1121)1122-或41123-。1121、1^2及1123每個代表氫原子或一取代基。Z2代表一形成5員或6員環所需之原子團，包括一在式中由虛線所鍵結之原子。M2代表一金屬離子。η2代表整數1或更大。L2代表配位基，及m2代表整數〇或更大。 -19- 1239786 Q2代表一形成一雜環所需之原子團。Q2較佳爲一形成 5員或6員雜環所需之原子團，更佳爲一形成5昌或6昌含氮雜環所需之原子團。至於由Q2所形成之雜環，包含氮原子、氧原子或硫原子的雜環較佳。實例包括啦陡環、啦畊環、嘧啶環、噠畊環、三哄環' 噻吩環、呋喃環、壯略環、咪唑環、噚唑環、噻唑環及三唑環。這些環當中，啦淀環、吡畊環及嘧啶環較佳；吡啶環及吡畊環更佳；及批D定環進一步較佳。Q2可具有一取代基（至於取代基，可適用所舉出的在由R11及R12所表示之芳基基團上或在&11與間連接後所形成之雜環上經取代的那些取代基）或可與其它環并合。 χ2、R21、R”、R23、z2、M2、L2、y 及…各別與在式 (I)中的X丨3、R】3、R】4、R】5、M1、L】、n1及同義，及其較佳範圍亦相同。由式（II)所表示之化合物較佳爲由式（III)所表示之化合物。在式（ΠΙ)中，Q3代表一形成6員含氮的雜環所需之原子團，包括一在式中由虛線所鍵結的原子。該6員含氮的雜環較佳爲吡啶環、吡哄環、嘧啶環、噠哄環或三畊環；更佳爲吡啶環、吡畊環或嘧啶環；進一步較佳爲吡啶環或吡畊環；及特別佳爲吡啶環。X3代表氧原子、硫原子、-0化31)1132-或41133-。&31、^”及化33每個代表氫原子或一取代基。R34、R35、R36及R37每個代表氫或一取代基。M3 代表一金屬離子。η3代表整數1或更大。L3代表配位基及 m3代表整數〇或更大。 -20 一 1239786 Q3、X3、R”、R”、R”、M3、ρ及 m3 各別與在式 (II)中的 Q2 及在式（I)中的 X13、R13、r14、R15、Ml、L1、η1 及m 1同義，且其較佳範圍亦相同。 R34、R35、R36及R37每個代表氫或一取代基。這些取代基可彼此鍵結以形成一稠環。至於取代基，可適用在式（I) 中所舉出之在由R11及R12所表示之芳基基團上或在與 R 12間連接後所形成之雜環上經取代的那些取代基。rH、 R ' &36及R37每個較佳爲氫原子、院基基團、芳基基團、氰基基團、氟基團、經全氟取代的烷基基團、雜環基團、胺基基團、烷氧基基團、芳氧基基團或當R3 4至R36彼此鍵結時所形成之稠環；更佳爲氫原子、烷基基團、氟基團或經全氟取代的烷基基團；進一步較佳爲氫原子、烷基基團或氟基團；及特別佳爲氫原子。由式（III)所表示之化合物較佳爲由式（IV)所表示之化合物。在式（IV)中，R41、R42、r43、r44、r45、r46、r47 及 R48每個代表氫原子或一取代基。m4代表二價或三價的金屬離子。η4代表1至3的整數。L4代表配位基；及m4代表〇至2的整數。 R41、R42及R43每個代表氫原子或一取代基。這些取代基可彼此鍵結以形成一稠環。至於取代基，可適用在式（ι) 中所舉出之於由R11及R12所表示之芳基基團上或於R11與 R1間連接後所形成之雜環上經取代的那些取代基。r4 i、R42 及R4 3每個較佳爲氫原子、烷基基團、芳基基團、氰基基團、氟基團、經全氟取代的烷基基團、雜環基團、胺基基團、一 21 - 1239786 院氧基基團、之稠環；更佳ί 子。 R45、R46、式（III)中的R34 η1及m1同義，下列將提ί: 應該不解釋爲才氧基基團或當R41至R4 3彼此鍵結時所形成氫原子或烷基基團；及進一步較佳爲氫原 R47、H48、R44、Μ4、L·4、η4 及各別與在、：^^^^及尺”和在式⑴中的！^、…、！^1、且其較佳範圍亦相同。择由式（I)至（IV)所表示的特定實例，但是其 :發明限制於此。

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58 59

-28- 1239786 本發明Z有機EL裝置的較佳第二具體實施例爲一在該發光層中包含一由式（V)所表示的化合物之具體實施例，其可較ί土地作爲一佰主材料。在式（v)中，R 5 3代表氫原子或一取代基。X51代表氮原子或C_R5、X52代表氮原子或 R52。R51及R52每個代表氫原子或一取代基。y代表一形成 5員或6員環所需之原子團，其包括一在式中由虛線所鍵結之原子。M5代表金屬離子。n5代表整數丨或更大。15代表配位基及m5代表整數〇或更大。 R53代表氫原子或一取代基。至於取代基，可適用在式 (I)中所舉出之在由rii& R!2所表示的芳基基團上或在r11 與R12間連接後所形成的雜環上之經取代的那些取代基。R53 較佳爲氫原子、院基基團、芳基基團或芳香族雜環基團；更佳爲烷基基團、芳基基團或芳香族雜環基團；及進一步較佳爲方基基團。 X代表氮原子或C-R51，及X52代表氮原子或C_R52。 R51及R52每個可代表氫原子或一取代基。rm及R52可彼此鍵結以形成一 5員或6員雜環、芳基基團或雜芳基基團。至於取代基’可適用在式（I)中所舉出之在由R11及Ri2所表示的芳基基團上或在Rii與間連接後所形成的雜環之經取代的那些取代基。R5 1及R5 2每個可較佳爲氫原子、烷基基團、芳基基團、芳香族雜環基團、能在彼此鍵結後形成一芳香烴環的基團或能在彼此鍵結後形成一芳香族雜環的基團；更佳爲氫原子、烷基基團、芳基基團、能在彼此鍵結後形成芳香烴環之基團或能在彼此鍵結後形成芳香族雜 -29 - 1239786 環之基團；及進一步較佳爲氫原子、芳基基團或能在彼此鍵結後形成芳香族雜環之基團。 Z5、M5、L5、II5 及 m5 各別與在式（I)中的 Z1、M1、L1、 η 1及m 1同義，且其較佳的實例亦相同。下列將提供由式（V)所表示的特定實例，但是其應該不解釋爲本發明限制於此。

-30- 1239786

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76 77

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- 33- 1239786 94 95

一 34- 1239786 本發明之有機EL裝置使用來自三重激發狀態的發光，其在該發光層中使用一磷光物質作爲客宿材料。來自三重激發狀態的發光與磷光同義。能發射磷光的材料於此之後將指爲”磷光物質"。本發明之發光材料包括至少一種磷光物質。雖然欲使用在本發明中的磷光物質無特別限制，其較佳爲一過渡金屬錯合物。雖然該過渡金屬錯合物的中心金屬無特別限制，其較佳爲銥、鋁、銶或釕；更佳爲銥或鉑；及特別佳爲銥。在該些過渡金屬錯合物當中，鄰金屬化錯合物較佳及鄰碳金屬化錯合物更佳。如於本文所指出的’’鄰金屬化錯合物”爲一化合物基團的共通名稱，其描述在明夫山本（Akio Yamamoto)，Yukikinzoku : Kiso To Oy〇(有機金屬：基礎及應用），第150頁及第 232頁裳華房 (Shokabo)( 1 9 8 2);及H·耶爾贊（Yersin)，配位化合物的光化學及光物理，第71至77頁及第135至146頁，史普林爵·伏雷格,（Springer-Verlag)(1 987)等等。本發明之發光裝置的特徵爲該發光層包括一磷光物質作爲該發光材料及一金屬錯合物材料作爲該宿主材料。該磷光物質可單獨使用或以其二種或更多種之混合物使用，且該宿主材料可單獨使用或以其二種或更多種之混合物使用。在本發明之有機EL裝置中，較佳的是該發光層僅由該磷光物質與由式⑴或式（V)所表示之化合物所組成。在該發光層中由式⑴或式（V)所表示之化合物與該磷光物質的含量比率（重量比率）較佳爲5 0/5 0至99.99/0.0 1，更佳爲70/30 - 3 5 - 1239786 至99.9/0.1，及進一步較佳爲8〇/20至99/1。該磷光物質在2 0 °C或較高下較佳地具有7 〇 %或更多的磷光量子產率’更佳爲8 0 %或更多，及進一步較佳爲8 5 % 或更多。本發明之碟光物質的磷光壽命（在室溫下）無特別限制，較佳爲1毫秒或較短，更佳爲1 00微秒或較短，仍然更佳爲1 0微秒或較短。至於憐光物資’可合適地使用描述在下列專利文件中的那些··諸如美國專利案號6，3 0 3，2 3 1 B 1、美國專利案號 6,097，147、WO 00/57676、WO 00/70655、WO 01/08230、 WO 01/39234 A2、WO 01/41512 Al、WO 02/02714 A2、WO 02/15645 Al、JP-A-200 1-247859、日本專利申請案號 2000-33561、2001-189539、2001-248165、2001-33684、2001-239281 及 200 1-219909、歐洲專利案號1，211，257、：[?-人-2002-226495、JP-A-2002-234894、JP-A-2001-247859、JP-A-2001-298470 、 JP-A-2002-173674 、 JP-A-2002-203678 及 JP-A-2002-203679，及非專利文件：諸如自然（Nature)，vol. 395 ’ 151(1998);應用物理快迅（Applied Physics Letters)， vol. 75，4(1999);聚合物硏究發表（Polymer Preprints)，vol. 41’ 770(2000)’ 美國化學協會期刊（Journal of American Chemical Society)，v〇l. 123，4304(2001);及應用物理快迅，vol. 79，20 8 2 ( 1 99 0)。關於本發明之發光裝置的系統、驅動方法及使用具體實施例並無特別限制。 - 36 - 1239786 在本發明之發光裝置中的有機化合物層之形成方法無特別限制。實例包括電阻加熱氣相沉積方法、電子照相術 (electrophotography)方法、電子束方法、濺鍍方法、分子積層方法、塗佈方法（諸如噴塗法、浸塗法、浸漬、輥塗法、凹槽輥塗敷法（gravure coating)、反式塗佈法（reverse coating) 滚動電刷塗佈法（ι· ο 11 b r u s h c o a t i n g)、空氣刮發刀塗佈法（air knife coating)、簾塗法、旋轉塗佈法、繞塗法、桿式塗佈法、微凹槽輥塗敷法、空氣刮刀塗佈法（air doctor coating)、刮刀塗佈法、壓印塗佈法、轉移輥塗法 (transfer roll coating)、吻合塗佈法（kiss coating)、鑄塗法、擠壓塗敷法、金屬棒塗佈法（wire bar coating)及絹網塗佈法 (screen coating))、噴墨方法、印刷方法及傳移方法（trailsfer method)。尤其是，考慮到裝置特徵、容易製造、成本等等， ®阻加熱氣相沉積方法、塗佈方法及傳移方法較佳。在該發光層具有二層或更多層之多層化結構的實例中，.該裝置可藉由組合前述方法來製造。在塗佈方法的實例中，該有機化合物可與一樹脂組分一起溶解或分散。該樹脂組分的實例包括聚（氯乙烯）類、聚碳酸酯類、聚苯乙烯類、聚甲基丙烯酸甲酯類、聚酯類、聚楓類、聚苯醚類、聚丁二烯類、聚（N -乙烯基咔唑）類、烴樹脂類、酮樹脂類、苯氧基樹脂類、聚醯胺類、乙基纖維素類、聚（醋酸乙烯酯）類、AB S樹脂類、聚胺甲酸酯類、馬來胺樹脂類、不飽和聚酯樹脂類、醇酸樹脂類、環氣樹脂類及聚矽氧樹脂類。 -37 - 1239786 雖然本發明之發光裝置包含至少該發光層，其其它有機層，諸如電洞注入層、電洞傳輸層、電子注電子傳輸層及保護層。同樣地，這些層每層可同時它功能。下列將詳細地.描述每層。至於電洞注入層及電洞傳輸層的材料，可使用有下列任何一種功能之材料：從陽極注入電洞之功輸電洞的功能或阻礙從陰極注入的電子之功能。特例包括咔唑類、咪唑類、三唑類、噚唑類、噂二唑芳基烷類、吡唑啉類、吡唑酮類、苯二胺類、芳基經胺基取代的查耳酮類、苯乙烯蒽類、莽酮類、腙苯乙烯類、矽氮烷類、芳香族三級胺化合物類、苯胺類、芳香族二次甲基化合物類、以吓啉爲基礎的類、導電聚合物及寡聚物（諸如以聚矽烷爲基礎的類、聚（N-乙烯基咔唑）、以苯胺爲基礎的共聚物、聚物及聚噻吩類）、有機金屬錯合物類、過渡金屬錯及前述化合物的衍生物。雖然該電洞注入層及電洞傳輸層之薄膜厚度無制，通常來說，其較佳的範圍爲1奈米至5微米，範圍爲5奈米至1微米，及進一步較佳的範圍爲1〇 5 0 0奈米。電洞注入層及電洞傳輸層每層可爲由一種或更多種的前述材料所製得之單層結構；或可包含同形式或彼此不同組分的多層化結構。至於電子注入層及電子傳輸層的材料，可使用有下列任何一種功能之材料：從陰極注入電子的功可包含入層、具有其任何具能、傳定的實類、聚胺類、類、二乙烯甲化合物化合物噻吩寡合物類特別限更佳的奈米至或二種多層相任何具能、傳 -38 - 1239786 輸電子的功能或阻礙從陽極所注入的電洞之功能。特定的實例包括三唑類、三畊類、噚唑類、噚二唑類、莽酮類、蒽醒二甲院、蒽酮、二苯基醒、二氧化_喃（thiopyran d i ο X： i d e)、碳化—亞胺、亞荞甲院、二苯乙嫌帳畊、$夕魯、芳香環化合物（諸如萘及二苯并蒽）的四羧酸酐類、多種金屬錯合物（由諸如酞花青及8 -喹啉醇衍生物所表示的金屬錯合物，及包含金屬酞菁、苯并噚唑或苯并噻唑作爲配位基的金屬錯合物）及前述化合物的衍生物。雖然該電子注入層及電子傳輸層的薄膜厚度無特別限制，通常來說，其較佳的範圍爲1奈米至5微米，更佳的範圍爲5奈米至1微米，及進一步較佳的範圍爲1〇奈米至 5 00奈米。電子注入層及電子傳輸層每層可爲由一種或二種或更多種前述材料所製得之單層結構；或可爲包含多層相同配方或彼此不同形式的多層化結構。在本發明中，雖然該發光層包括至少一種磷光物質及至少一種金屬錯合物，但可聯合地使用眾多其它材料。可使用在發光層中的材料實例包括苯并曙唑、苯并咪唑、苯并噻唑、苯乙烯苯、聚苯基、二苯基丁二烯、四苯基丁二烯、苯二甲醯亞胺、香豆素、二苯并蒽、茈酮、噚二唑、醛連氮、哌畊、環戊二烯、雙苯乙烯蒽、喹吖酮、吡咯并吡啶、噻二噚唑并吡啶、苯乙烯胺、芳香族二次甲基化合物類、聚合物化合物類（諸如聚噻吩、聚亞苯基及聚亞苯基亞乙烯基）及前述衍生物的衍生物。該發光層可爲單層結構或二層或更多層的多層化結一 3 9 - 1239786 構。在該發光層爲多層化結構的實例中，各別層可彼此具有不同的發光顏色。甚至在該發光層爲多層化結構的實例中，較佳的是該各別層僅由一磷光物質及一金屬錯合物所組成。雖然該發光層的薄膜厚度無特別限制，通常來說’ 其較佳的範圍爲1奈米至5微米，更佳的範圍爲5奈米至1 微米，及進一步較佳的範圍爲10奈米至500奈米。至於保護層的材料，可使用任何具有能阻止會促進裝置老化的物質（諸如水及氧）進入該裝置之事件的功能之材料。特定的實例包括金屬（諸如In、Sn、Pb、Au、Cu、Ag、 Al、Ti 及 Ni)、金屬氧化物（諸如 MgO、SiO、Si02、A1203、 GeO、NiO、CaO、Ba〇、Fe2〇3、γ2〇3 及 Ti〇2)、金屬氟化物（諸如MgF2、LiF、A1F3及CaF2)、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醯亞胺類、聚脲類、聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯與二氯二氟乙嫌之共聚物、藉由共聚合一乙嫌與至少一種共單體的單體混合物而獲得之共聚物、在共聚合主鏈中具有一環狀結構的含氟共聚物、具有1 %或更大的吸水係數之吸水物質及具有吸水係數不多於ο」％的防水物質。該保護層的形成方法無特別限制。實例包括真空氣相沉積方法、濺鍍方法、反應濺鍍方法、ΜΒΕ(分子束磊晶）方法、離子簇束（cluster i〇n be am)方法、離子鍍方法、電漿聚合方法（高頻離子鍍方法）、電漿CVD方法、雷射CVD方法、_ CVD方法、氣體來源 CVD方法、塗佈方法、噴墨方法、印刷方法、傳移方法及電子照相術方法。 -40 - 1239786 陽極可將電洞輸入該電洞注入層、電洞傳輸層、發光層等等。至於陽極，可使用金屬、合金、金屬氧化物、導電化合物或其混合物。這些當中，具有功函數4eV或更大的材料較佳。特定的實例包括導電金屬氧化物，諸如氧化錫、氧化鋅、氧化銦及氧化銦錫（IT0);金屬，諸如黃金、銀、鉻及鎳；前述金屬及導電金屬氧化物的混合物或積層物；無機導電物質，諸如碘化銅及硫化銅；有機導電材料，諸如聚苯胺、聚噻吩及聚吡咯；及其與ΙΤ0的混合物或積層物。這些當中，導電金屬氧化物較佳，且從產率、高導電度及透明度的觀點來看，ΙΤ0特別佳。雖然可根據材料合適地選擇陽極的薄膜厚度，通常來說，其較佳範圍爲1〇奈米至5微米，更佳爲50奈米至1微米，進一步較佳爲1〇〇奈米至500奈米。至於陽極，可使用一在基材（諸如鈉錦玻璃、無驗玻璃及透明樹脂）上形成的層。在使用玻璃的實例中，與該材料品質有關’爲了減低從玻璃沖提出離子之目的，較佳爲使用無鹼玻璃。同樣地，在使用鈉鈣玻璃的實例中，較佳爲使用在其上面提供一阻障塗層（諸如二氧化矽）的玻璃。基材的厚度無特別限制，只要其足以保持一機械強度。在使用玻璃的實例中，通常來說，可使用厚度0.2毫米或更厚的玻璃及較佳爲〇 . 7毫米或更厚。對陽極之製備來說，可根據材料而使用不同的方法。例如’在ITO的實例中，可利用電子束方法、濺鍍方法、電阻加熱氣相沉積方法、離子鍍方法、化學反應方法（諸如溶膠-凝膠方法）、噴灑方法、 -4 1 ~ 1239786 浸泡方法、熱CVD方法、電漿CVD方法、塗佈ITO分散液等等來進行該薄膜形成。在陽極中，可藉由沖洗或其它處理來降低裝置的驅動電壓及提高發光效率。例如，在IT 0 的實例中，UV-臭氧處理、電漿處理等等有效。陰極可將電子輸入該電子注入層、電子傳輸層、發光層等等’且可考慮到峨連層（諸如電子注入層、電子傳輸層及發光層）對陰極之黏著性、游離電位、穩定性等等來選擇陰極材料。至於陰極材料，可使用金屬、合金、金屬氧化物、導電化合物或其混合物。特定的實例包括鹼金屬（諸如 Li、Na、K及Cs)或其氟化物、鹼土金屬（諸如Mg及Ca)或其氟化物、黃金、銀、鉛、鋁、鈉-鉀合金或其混合的金屬、鋰-鋁合金或其混合的金屬、鎂-銀合金或其混合的金屬及稀土金屬（諸如銦及鏡）。這些當中，具有功函數不多於4 e V 的材料較佳；且鋁、鋰-鋁合金或其混合的金屬及鎂-銀合金或其混合的金屬更佳。雖然可根據材料合適地選擇陰極的薄膜厚度，通常來說，其較佳範圍爲10奈米至5微米，更佳爲50奈米至1微米’及進一步較佳爲10〇奈米至1微米。對陰極之形成來說，可使用電子束方法、濺鍍方法、電阻加熱氣相沉積方法、塗佈方法等等。可讓單一金屬接受氣相沉積，或可讓二種或更多種組分同時接受氣相沉積。再者，可讓眾多金屬同時接受氣相沉積以形成一合金電極。同樣地，可讓已預先製備的合金接受氣相沉積。較佳的是該陽極及陰極的薄片電阻低，且其較佳爲少於數百Ω/[Ι)(Ω/ 平方）。 -42- 1239786 本發明之發光裝置的有機層較佳爲三層結構（電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層）或四層結構（電洞傳輸層、發光層、電洞阻障層及電子傳輸層）。本發明之發光裝置可以多種已公開熟知的方法來提高光引出效率（light extraction efficiency)。可例如利用下列方法藉由改善光引出效率來提高外部量子效率：處理該基材的表面組態（例如，形成細微的凹凸圖案）；控制基材、I τ 0 層及有機層的折射率；調整基材、ITO層及有機層的厚度

本發明之發光裝置亦可爲所謂的頂端發射型式，其中將所發射出的光從陰極邊帶出。可使用於本發明之發光裝置的基材材料無特別限制，包括：無機材料，諸如經氧化鉻安定的釔、玻璃等等；聚合物材料，諸如聚酯類（例如，聚（對酞酸乙二酯）、聚（對酞酸丁二酯）、聚（萘酸乙二酯）等等）、聚乙烯、聚碳酸酯、聚醚碾I、聚烯丙酯、碳酸烯丙基二甘醇酯、聚醯亞胺、聚環烯烴、降冰片烯樹脂、聚（氯三氟乙烯）、鐵弗龍（teflon)、 # 聚四氟乙烯-聚乙烯共聚物等等。根據本發明之有機電致發光裝置的發光層可包括至少一種堆疊層結構。該堆疊層的數目可較佳爲2至5 0，更佳爲4至30，仍然更佳爲6至20。組成該堆疊層結構之每層的厚度無特別限制，較佳爲〇·2奈米至20奈米，更佳爲0.4奈米至15奈米，仍然更佳爲0.5奈米至10奈米，特別佳爲1奈米至5奈米。 -43 - 1239786 在本發明之有機電致發光裝置中的發光層可具有眾多的區段結構。該發光層可進一步包括另一種型式的區段結構。此些各別區段的尺寸較佳爲0.2奈米至1 0奈米，更佳爲〇. 3奈米至5奈米，仍然更佳爲0.5奈米至3奈米，特別佳爲0.7奈米至2奈米。本發明之有機EL裝置可合適地使用於顯示裝置、顯示器、背光、電子照相術、照明光源、錄製光源、曝光光源、讀取光源、標誌、招牌、室內、光學通訊等等。【實施方式】實例本發明將參考下列實例而更詳細地描述’但是其應該不解釋爲本發明限制於此。 (比較例1) 將一經沖洗的IT Ο基材放置在一氣相沉積單元中，並如下連續地接受氣相沉積：50奈米的TPD(N，N’-二苯基-N，N，-二（間-甲苯基）對二胺基聯苯）、36奈米的 Alq與 Ir(ppy)3 (重量比率：1 7/1 )之混合物及36奈米之下列化合物將一有圖案的遮罩（發光面積：4毫米x5毫米）放置在所產生的有機薄膜上，且如下連續地接受氣相沉積：3奈米的氟化鋰及60奈米的鋁。因此可製備一比較例1的有機EL 裝置。 1239786

使用由東洋股份（有限）公司（TO Y〇 Corporation)所製造的光源測量單元2400，對所產生的有機EL裝置施加一直流電固定電壓，以讓其發光。使用由托普康股份（有限）公司（Topcon Corporation)所製造之亮度計量器BM-8來測量売度；且使用由濱松光子學（Hamamatsu Photonics)K.K·所製造之光譜分析器PMA-11來測量發光波長及CIE色度座標。結果’可獲得一具有CIE色度（x，y) = (0.324,0.557)及發光波峰波長530奈米的綠色發光。最大亮度爲ι,3〇〇燭光/ 平方公尺及外部量子效率爲〇 . 2 2 %。 (比較例2 ) 以與比較例1相同的方式來製備比較例2之有機EL裝置，除了使用下列化合物C B P來取代A1 q外。以與比較例一 45 - 1239786 1相同的方式來評估比較例2之有機EL裝置。結果，可獲 ^ —具有（：1£色度卜，7) = (0.276,0.6 3 0)及發光波峰波長516 奈米的綠色發光。最大亮度爲27，〇〇〇燭光/平方公尺及外部量子效率爲12.7%。

(比較例3) 以與比較例1相同的方式來製備比較例3之有機EL裝置，除了使用下列化合物H-4(化合物（H-4)描述在JP-A-2002-3 05083的第[0034]段中）來取代Alq外。以與比較例1 相同的方式來評估比較例3之有機EL裝置。結果，可獲得一具有CIE色度（χ，>〇 = (〇·286,0·624)及發光波峰波長522奈米的綠色發光。最大亮度爲21，000燭光/平方公尺及外部量子效率爲1 1 · 4 %。

(實例1) 以與比較例1相同的方式來製備實例1之有機EL裝一 4 6 一 1239786 置，除了使用作例證的化合物1來取代Alq外。以與比較例1相同的方式來評估實例1之有機EL裝置。結果，可獲得一具有CIE色度（x，y) = (0.320,0.615)及發光波峰波長524 奈米的綠色發光。最大亮度爲83,0〇〇燭光/平方公尺及外部量子效率爲1 9 · 7 %。 (實例2) 以與比較例1相同的方式來製備實例2之有機EL裝置，除了使用作例證的化合物2來取代Alq外。以與比較例1相同的方式來評估實例2之有機EL裝置。結果，可獲得一具有（：1£色度（1，7) = (0.3 00,0.62 1 )及發光波峰波長517 奈米的綠色發光。最大亮度爲53,000燭光/平方公尺及外部量子效率爲2 3 . 1 %。 (實例3) 以與前述比較例1相同的方式來製造在實例2中所提出之型式的有機EL裝置，除了使用作例證的化合物4來取代Alq外。以與比較例1相同的方式來評估實例3之有機 EL裝置，.可提供一具有CIE色度卜，7) = (〇.30,0.631)及具有發光波峰波長517奈米的綠色發光。再者，最大亮度爲64,000 燭光/平方公尺及外部量子效率爲23.9%。 (實例4) 以與前述比較例1相同的方式來製造在實例2中所提出之型式的有機EL裝置，除了使用作例證的化合物21來取代Alq外。以與比較例1相同的方式來評估實例4之有機EL裝置，所產生的綠色發光具有CIE色度 1239786 (x，y) = (0.299,0.619)及含有518奈米的發光波峰波長。再者，最大亮度爲46，000燭光/平方公尺及外部量子效率爲 18.8%。 (實例5) 在一安裝上經沖洗的I Τ Ο基材之氣相沉積裝置中，氣相沉積一厚度50奈米的TPD(N，N’-二苯基_N，N’_二（間-甲苯基）對二胺基聯苯）在該基材上。再者，在此沉積層上，以9 ·· 9 : 1的混合質量比率來氣相沉積一厚度3 6奈米之作例證的化合物1及2及Ir(ppy)3。仍然進一步的是，在上面氣相沉積一厚度3 6奈米的化合物a。在因此製造的有機薄膜結構上，放置一有圖案的遮罩（發光面積：4毫米χ5毫米），且氣相沉積厚度3奈米的氟化鋰接著氣相沉積厚度60奈米之鋁，因此可提供一在比較例1中所提出之有機EL裝置型式。以與比較例1相同的方式評估實例5之有機EL裝置，所產生的綠色發光含有（：1£色度&，7) = (0.3 04,0.63 0)且含有516 奈米的發光波峰波長。再者，最大亮度爲72,000燭光/平方公尺及外部量子效率爲20.5%。從前述的實例1至5之結果與比較例1至3 —起可明瞭，在發射磷光的有機EL裝置中，當使用本發明之金屬錯合物作爲宿主材料時，可獲得一具有比習知之有機EL裝置更優良的亮度及效率之有機EL裝置。 (實例6) 在實例1 -5及比較例2的有機EL裝置中，測量亮度半生期同時採用該起始亮度。結果，比較例2的有機EL裝置一 4 8 - 1239786 顯示出8小時。另一方面’實例！的有機el裝置顯示出85 小時’貫例2的有機E L裝置顯不出7 9小時；實例3的有機E L裝置顯示出1 1 1小時；實例4的有機e l裝置顯示出 59小時；及實例5的有機EL裝置顯示出小時。貫例6的果來看’應注思的是在磷光有機el裝置中’當使用本發明之金屬錯合物材料時，可獲得一亦具有優良的驅動耐久性之有機E L裝置。 (實例7) 在一經沖洗的IT 0基材上，利用旋轉塗佈法來塗佈貝聰（Baytron)P(PEDOT-PSS(聚乙烯二氧基噻吩 (polyethylenedioxythiophene) -聚苯乙烯磺酸摻雜材料）分散液，由拜耳（Bayer)AG製造），接著在i〇〇°c的真空中加熱乾燥一小時，因此可提供一電洞注入層（薄膜厚度··約50奈米）。利用旋轉塗佈法（2,000rpm，30秒），將溶解在3毫升二氯乙烷中之1 〇毫克的下列聚碳酸酯樹脂Z、2 5毫克之作例證的化合物1及3毫克的I r (p p y) 3溶液塗佈在上面。該有機層具有1 5 0奈米的總薄膜厚度。以與比較例1相同的方式來氣相沉積一陰極，而製備一實例7之有機EL裝置。以與比較例1相同的方式來評估實例7之有機EL裝置。結果，可獲得一具有CIE色度（x，y) = (0.3 04,0.63 0)及發光波峰波長516奈米的綠色發光。最大亮度爲23,500燭光/平方公尺及外部量子效率爲14·9%。 1239786

聚碳酸酯樹脂Z 從實例7的結果來看’應注意的是在使用本發明之金屬錯合物作爲宿主材料的磷光有機EL裝置中，甚至藉由塗 % 佈方法所製備之裝置可提供一具有高亮度及高效率的發光裝置。根據本發明，藉由使用具有本發明的特定結構之金屬錯合物作爲該發光層中的宿主材料，可提供一具有高亮度、高外部量子效率及具有優良耐久性的發光裝置。同樣地，因爲本發明之金屬錯合物可提供用於塗佈方法，因此可帶來能以簡單的製造方法來製造發光層之優點，且當與氣相沉積方法比較時可節省製造所需之能量及工時可變少。 ® 此申請案以2002年12月17日所主張之曰本專利申請案JP 2002-365280爲準，其全部內容藉此以參考方式倂入本文’ 如若詳細提出般。 -50_

Claims

1239786 拾、申請專利範圍： 1·種有機電致發光裝置，其包含：一對電極；及在該對電極間至少一層有機層，該至少一層有機層包括一發光層’其中該發光層包含至少一種磷光物質及至少一種由式（I)所表示之化合物：

其中X11代表氮原子或C-R11; X12代表氮原子或C-R12; R11及R12各代表芳基或一在與r!2間連接後形成一雜環所需之原子團；X13代表氧原子、硫原子、-C(Ri3)Ri、或-NR15- ; R13、R“及r15各代表氫原子或取代基；zl代表一形成5員或6員環所需之原子團；M1代表金屬離子 ;η1代表整數1或更大；L1代表配位基；及m1代表整數 0或更大。 2·如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中式（I) 化合物在該發光層中的含量爲50至99.9重量％。 - 5 1 - 1239786 . 3 .如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝®，其中式⑴ 化合物在發光層中的含量爲6 0 %至9 9重量。4。 4·如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝®，其中式⑴ 化合物爲由式（11)所表示之化合物：

(11> 其中Q2代表一形成雜環所需之原子團；X2代表氧胃+、硫原子、-〇(1121)&22-或41123-;1121、1122及1^3各代表氨原子或取代基；Z2代表一形成5員或6員環所需之原子團；M2代表金屬離子；η2代表整數1或更大；l2代表配位基；及m2代表整數0或更大。 5.如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置，其中式（υ 之化合物爲式（III)所表示之化合物： -52- 1239786

其中Q3代表一形成6員含氮雜環所需之原子氧原子、硫原子、-C(R31)R32-或-NR33- ; R31 各代表氫原子或取代基；R34、R35、R36及F 原子或取代基；M3代表金屬離子；η3代表整 ;L3代表配位基；及m3代表整數〇或更大。 6 ·如申請專利範圍第1項之有機電致發光裝置化合物爲式（IV)所表示之化合物： (III) 團；X3代表、R32 及 R33 各代表氫數1或更大，其中式⑴ 53 1239786

:M4-fL4 m4

(IV) 其中 R4〗、R42、R43、R44、R45、R46、R47 及 R48 各代表氫原子或取代基；M4代表二價或三價的金屬離子；n4代表從1至3的整數；L4代表配位基；及m4代表從0至2的整數。

7.—種有機電致發光裝置，其包含：一對電極；及在該對電極間至少一層有機層，該至少一層有機層包括一發光層，其中該發光層包括至少一種磷光物質及至少一種由式（V)所表示之化合物： -54- 1239786

(V) 其中X51代表氮原子或C-R51 ; X52代表氮原子或C-R52 ; R51及R52各代表氫原子或取代基；R53代表氫原子或取代基；Z5代表一形成5員或6員環所需之原子團；M5代表金屬離子；及η5代表整數1或更大；L5代表配位基；及m5代表整數0或更大。