TWI237517B - Display device - Google Patents
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Description
1237517 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於使用Electroluminescent(EL:電致發光）顯 示器面板等的平面顯示器面板之顯示裝置。 【先前技術】 近年來平面顯示器面板的硏究、開發被熱烈地進行。平 面顯示器面板有利用讓光透射的液晶顯示器面板、利用放電 現象的電漿顯示器面板、場發射顯示器面板、利用電場發光 現象的EL顯示器面板等。藉由點矩陣方式進行顯示的情 形，在任一個顯示器面板中像素都排列成矩陣狀。 爲了提局平面顯不器面板的目視確認性，有在平面顯示 器面板的顯示面實施光學的加工。例如爲了抑制在平面顯示 器面板的顯示面之外光的反射，進行在平面顯示器面板的顯 示面實施AR(Anti Re flection:抗反射）塗佈。而且，在日本特 開2000-3 2 2000號公報顯示有爲了提高平面顯示器面板的光 的射出率，在平面顯示器面板的顯示面形成微透鏡陣列。而 且，爲了提高平面顯示器面板的正面指向性，以更P高亮 度，也進行將形成有多數個剖面三角形狀的稜鏡之稜鏡片接 著於平面顯示器面板的顯示面。 【發明內容】 但是，配設微透鏡陣列、稜鏡片等的光學手段於平面顯 示器面板的顯示面的情形，朝正面的光的射出率提高，相反 地例如由發光的紅像素（R)輻射成放射狀的光之中到達接鄰 於紅像素（R)的綠像素（G)的上方的光被面對綠像素（G)的光 1237517 學手段折射或反射而射出到正面方向的話，則由紅像素（R) 射出的光會來到綠像素（G)的本來的發光像素上，有僅能看 到綠像素（G)的顏色之面積小這種問題。 因此，本發明具有降低來自預定的像素的光在接鄰的像 素上射出之優點。 爲了得到以上的優點，本發明的顯示裝置，包含： 平面顯示器面板，複數個像素隔著間隔排列成矩陣狀， 前述複數個像素被透光性材料被覆；以及 光學片，用以賦予前述平面顯示器面板的正面指向性， 其中 由前述複數個像素之中的預定的像素射出，由位於該像 素以外的區域上的前述光學片的表面射出到外側正面方向 的光與配置於該像素週邊的週邊像素重疊的寬度爲前述週 邊像素的像素寬的20%以下。 在本發明中，因由位於預定的像素以外的區域上的前述 光學片的表面射出到外側正面方向的光僅與週邊像素的寬 度之最大20%重疊，故可抑制因混色使週邊像素的顯示色被 打消的部分，可得到良好的顯示。 而且，在其他觀點中的顯示裝置中， 前述光學片具有稜角成α的複數個稜鏡， 令由該像素到前述光學片的表面的光的射出位置之縱 方向的高度d滿足以下的公式（1)而設定的話， 1237517 (公式中，η爲由該像素到前述光學片的表面的光的 射出位置的光程的折射率，ρ爲由該像素到前述光學片 面的光的前述射出位置的橫方向的寬度） 配合適用的光學片的稜角α或藉由光學片設定的 像素到前述光學片的表面的光的前述射出位置的橫方 寬度Ρ，可容易算出由該像素到光學片的表面的光的射 置之縱方向的高度d，藉由設這種高度d，使良好的顯 可會g 。 在其他的顯示裝置中，包含： 平面顯示器面板，複數個像素隔著間隔排列成矩陣 前述複數個像素被透光性材料被覆；以及 複數個預定形狀的光學元件，以賦予前述平面顯示 板的正面指向性的方式，排列於前述透光性材料的表面 中 令前述複數個光學元件的間距比前述複數個像素 距還小也可以。 因此，因複數個光學元件的間距比複數個像素的間 小，故每一像素係一個以上的光學元件相對。因此，由 光學元件射出的光變成由一像素發出的，可防止在接鄰 素間引起混色的顯示畫面。 再者，在其他的顯示裝置中，因包含： 平面顯示器面板，具有：隔著間隔排列成矩陣狀 素；劃分成矩陣狀的複數個晶胞，俾使前述複數個像素 域對應前述複數個像素之網眼狀的隔壁；被塡充於藉由 前述 的表 由該 向的 出位 示爲 狀， 器面 ，其 的間 距還 各個 的像 的像 的區 前述 1237517 隔壁劃分的前述複數個晶胞之透光性材料；以及 複數個預定形狀的光學元件，以賦予前述平面顯示器面 板的正面指向性的方式，排列於前述透光性材料以及前述隔 壁的表面， 故由像素發出的光藉由被隔壁遮蔽而不會入射到對應 接鄰的像素的晶胞。因此，可抑制在接鄰的像素間引起混色 的顯示畫面。 再者，其他的顯示裝置，包含： k 平面顯示器面板，複數個像素隔著間隔排列成矩陣狀， 前述複數個像素被透光性材料被覆；以及 光學構件，以賦予光學的特性給前述平面顯示器面板的 方式配設於前述透光性材料的表面，其中 各個前述像素具有由前述透光性材料側依次疊層有：讓 光透射的透光性電極、電場發光的EL層、抑制在與前述EL 層的界面的光的反射用的反射抑制層之構造。 若在平面顯示器面板的顯示面，即透光性材料的表面配 設光學構件，則在由某像素的EL層發出的光通過透光性電 極、透光性材料，入射到光學構件的情形下，藉由光學構件 的遞迴反射效應而入射到其他像素的反射抑制層。其中因藉 由反射抑制層使反射被抑制，故可抑制由某像素的EL層發 出的光在其他像素反射。因此，像素間的混色降低，鮮明的 像被顯示。 【實施方式】 以下針對實施本發明用的較佳形態，使用圖面來說明。 1237517 但是，在以下所述的實施形態中爲了實施本發明雖然附有技 術上較佳的種種限定，但並非將發明的範圍限定於以下的實 施形態以及圖示例。而且，在以下的說明中，[俯視]係[對顯 示面朝垂直的方向看]的意思。 [第一實施形態] 第1圖係適用本發明的顯示裝置1的分解斜視圖。如第 1圖所示，此顯示裝置1具備：像素排列成在列方向m(2以上 的自然數）個，在行方向n(n爲2以上的自然數）個的矩陣狀 而成的平面顯示器面板2 ;以賦予正面指向性給平面顯示器 面板2的顯示光的方式貼附於平面顯示器面板2的光射出面 (顯示面）2a的光學片（稜鏡片）3。 首先使用第2圖針對平面顯示器面板2來說明。第2A 圖係顯示排列成矩陣狀的複數個像素之中接鄰於橫方向的 三個像素的俯視圖，第2B圖係沿著第2A圖所示的Π B - Π B 線的剖面圖。 在此平面顯示器面板2的像素使用當作自發光元件的 EL元件1 1，每一構成一個像素的EL元件1 1配設有兩個電 晶體21、21，平面顯示器面板2係藉由主動矩陣驅動（active matrix drive)方式進行點矩陣顯示，也可以爲藉由流過電晶 體21、21的任一個之電流的電流値控制色調（tone)的電流色 調顯示型，也可以爲藉由施加於電晶體21、2 1的任一個的 電壓的電壓値控制色調的電壓色調顯示型。而且，每一像素 的電晶體的數目不限於兩個，三個以上也可以。 此平面顯示器面板2具備基板1 2，基板1 2係硼矽玻璃 -10- 1237517 (boro sili cate glass)、石英玻璃、其他的玻璃、pMMA、聚碳 酸酯、以其他的樹脂形成平板狀者。 在基板1 2的表面1 2a，於行方向成長條，形成帶狀的 複數條掃描線（省略圖示）係互相平行排列。此等掃描線被絕 緣膜（省略圖示）被覆，在此絕緣膜上，於列方向成長條，形 成帶狀的複數條信號線係互相平行排列，俾與掃描線正交。 再者，電晶體21、21…係形成於基板12的表面12a。此等 電曰η體21、21…係MOS型場效薄膜電晶體。一像素中的兩 個電晶體2 1、2 1之中的一方的電晶體2 1的閘電極與掃描線 連接，他方的電晶體2 1的汲電極與信號線共通。電晶體2 1、 21爲反交錯構造或共面型均可，而且，η通道型電晶體或ρ 通道型電晶體均可，爲非晶矽TFT或多晶矽TFT均可。 兩個電晶體21、21係由資料驅動器、掃描驅動器經由 信號線以及掃描線輸入信號，藉由依照輸入的信號保持流到 EL元件1 1的電流的電流値到下一個周期，以構成保持EL 元件1 1的發光亮度於一定的像素電路。 所有的電晶體2 1、2 1…均被絕緣被覆膜1 8被覆。絕緣 被覆膜1 8係形成於基板1 2的大致全面，在基板1 2的表面 12a與電晶體21、21...之間所產生的層差被此絕緣被覆膜18 緩和，絕緣被覆膜1 8的表面成略平坦的面。此絕緣被覆膜 U係由有機樹脂（例如丙烯酸系樹脂（包含甲基丙烯酸系樹 脂）、環氧樹脂）或氧化矽、氮化矽等的無機化合物構成者。 此外，爲了防止電晶體2 1、2 1…的光劣化，例如混雜炭黑等 的顏料以作爲遮光性的絕緣被覆膜1 8較佳。 -11- 1237517 在絕緣被覆膜18上形成有EL元件1 1。EL元件1 1係 成依次疊層作爲陽極的像素電極1 6、進行電場發光用的EL 層15、作爲陰極的共通電極13的疊層構造。其中，像素電 極16以及EL層15係每一 EL元件1 1獨立形成，複數個像 素電極1 6以及複數個EL層1 5俯視係成矩陣狀而排列，而 共通電極13係跨越複數個EL元件1 1、1 1…共通形成，俯視 係形成於基板1 2的大致全面。 像素電極16係由金屬、金屬氧化物、合金等的具有導 電性的材料形成，爲功函數較高者。像素電極1 6例如可舉 出由氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含此等化合物之中的至少 一個的混合物（例如摻雜錫的氧化銦（ITO:銦錫氧化物）、摻雜 鋅的氧化銦、鎘-錫氧化物（CTO))形成者。 像素電極1 6係透過形成於絕緣被覆膜1 8的接觸孔電性 連接於一方的電晶體2 1的源電極。 在像素電極16上形成有EL層15。EL層15係由發光 材料形成的層，藉由使由像素電極16植入的電洞與由共通 電極13植入的電子再結合而發光的層。此外，在第i圖中 附在EL元件11的R(紅）、G(綠）、B(藍）係表示在EL層15 發出的光的顏色。 在EL層1 5適宜混合有電子輸送性的物質也可以，且 適宜混合有電洞輸送性的物質也可以，且適宜混合有電子輸 送性的物質以及電洞輸送性的物質均可。也就是說EL層1 5 爲由像素電極16依次疊層電洞輸送層、發光層、電子輸送 層的三層構造也可以，且爲依次疊層電洞輸送層、發光層的 -12- 1237517 兩層構造也可以，且爲依次疊層發光層、電子輸送層的兩層 構造也可以，且爲由發光層構成的單層構造也可以，爲在此 等層構造中於適當的層間中介存在電子或電洞的注入層之 多層構造均可。而且，構成EL層1 5的層均由有機化合物構 成者也可以，且構成EL層1 5的層均由無機化合物（例如硫 化鋅）構成者也可以，且EL層15爲疊層由無機化合物構成 的層與由有機化合物構成的層者均可。此外，對於構成EL 層1 5的層均由無機化合物構成的情形，E L元件1 1爲無機 EL元件，對於構成EL層15的層有由有機化合物構成的層 的情形，EL元件1 1爲有機EL元件。 EL層1 5由低分子有機材料或無機物構成的情形，可藉 由蒸鍍法、濺鍍法等的氣相成長法形成EL層1 5。另一方面， EL層15由高分子有機材料或低分子有機材料構成的情形， 可藉由塗佈有機化合物含有液（即濕式塗佈法）形成EL層 1 5。有機化合物含有液係指含有構成EL層1 5的有機化合物 或其前驅體的液體，爲構成EL層1 5的有機化合物或其前驅 體當作溶質溶解在溶媒的溶液也可以，爲構成EL層1 5的有 機化合物或其前驅體分散於分散劑的分散液也可以。 此處，EL層1 5係藉由濕式塗佈法形成的層，爲依次疊 層由導電性高分子之PEDOT(聚噻吩）以及摻質之PSS(聚苯 乙烯磺酸）構成的電洞輸送層15a'由聚芴系發光材料構成的 發光層15b之兩層構造。此外’ EL層15藉由濕式塗佈法形 成的情形，在形成具有對液體親和，液體在40°以下的接觸 角潤濕的性質（以下稱爲[親液性])之親液性膜於像素電極1 6 -13- 1237517 上的狀態下，將有機化合物含有液塗佈於該親液性膜較佳。 在EL層15的周圍形成有由聚醯亞胺（polyimide)等的 感光性樹脂、氧化矽、氮化矽等選擇的絕緣膜1 4。俯視藉由 絕緣膜1 4形成網眼狀，使被絕緣膜1 4圍繞的複數個圍繞區 域排列成矩陣狀，在圍繞區域內形成有EL層1 5。絕緣膜1 4 的一部分係重疊於像素電極1 6的外緣的一部分。此外，對 於藉由濕式塗佈法形成EL層1 5的情形，在絕緣膜1 4的表 面形成有具有排斥液體，液體以50°以上的接觸角潤濕的性 質（以下稱爲[撥液性])之撥液性膜（例如氟樹脂膜、反應性矽 膜）也可以。 在EL層15上形成有共通電極13。共通電極13係形成 於基板1 2的大致全面。共通電極1 3係由EL層1 5側依次疊 層電子注入層13a、輔助電極13b的疊層構造。電子注入層 1 3 a係非常薄地形成讓光透射的程度，由功函數較低的材料 (例如由鎂、鈣、鋰、鋇或稀土類構成的單體金屬或至少包 含一種此等單體的合金）構成，其厚度比可視光波段還薄， 爲10〜200nm。輔助電極13b係由對可視光具有透射性，並 且具有導電性例如氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含此等化合 物之中的至少一個的混合物（例如摻雜錫的氧化銦（IT0 :銦錫 氧化物）、摻雜鋅的氧化銦、鎘-錫氧化物（CT0))形成。 共通電極1 3係被密封膜1 7被覆。密封膜1 7係水或氧 不浸入EL元件11用的遮蔽膜，密封膜17的表面大致成平 坦的面。此密封膜1 7具有讓光透射的性質，由透明的樹脂（例 如丙烯酸系樹脂（也包含甲基丙烯酸系樹脂）、環氧樹脂）構成 -14- 1237517 者。密封膜17的表面17a係成爲第1圖中的平面顯示器面 板2的光射出面2 a。 其次，針對光學片3來說明。 在光學片3的表面形成有光學元件之多數個微稜鏡 3a ’在微稜鏡3a的背面配設有兩面爲平滑的薄片材3b。微 稜鏡3a以及薄片材3b係折射率大致相等較佳。如微稜鏡3a 以及薄片材3b分割成複數個的光學片3的情形，後述的[光 學片3的折射率]若無其他註解，則爲考慮成爲光學片3內 的光程之複數個構件的折射率而設的値。光學片3的厚度因 遠比密封膜1 7的厚度還薄，故即使複數個構件的折射率多 少不同，光程也不會大大地改變，其影響小。任何微稜鏡3 a 都是在縱方向爲長條，在正交於其縱向的面斷裂的剖面形 狀’也就是說在B - B線斷裂的剖面形狀係形成形成三角形 狀’更佳爲形成兩等邊三角形狀。此等複數個微稜鏡3 a係 縱向互相平行，大致排列成等間隔。任何微稜鏡3 a的棱角 α都互相相等。 光學片3係隔著透光性的透明的光學接著劑4接著於密 封膜17的表面17a。光學接著劑4有加拿大欉樹香脂（Canada balsam)、紫外線硬化性環氧系光學接著劑、紫外線硬化性 丙嫌酸系光學接著劑等，爲光學片3的折射率與密封膜17 的折射率之間的折射率較佳。光學接著劑4的厚度越厚，e L 兀件11的發光區域中的接鄰的元件11的光混色的寬度 越寬’透射光學接著劑4的光的比例越減少，故盡可能薄的 較佳。 -15- 1237517 一例爲光學片3的薄片材3b由聚酯（折射率1.58〜1.68) 或聚對苯二甲酸乙二醇酯構成，微稜鏡3 a由丙烯酸系樹脂 (折射率1.49〜1.51)或紫外線硬化樹脂構成。微稜鏡3a以及 薄片材3b由同一材料一體化形成也可以，取代將光學片3 接著於密封膜1 7的表面1 7 a，藉由微影法直接形成多數個微 稜鏡3 a於密封膜i 7的表面1 7 a也可以。 藉由將這種光學片3接著於平面顯示器面板2的光射出 面2a，使顯示裝置丨的射出光的正面指向性變高，對於對顯 示裝置1的顯示畫面垂直地看顯示裝置1的情形，其顯示畫 面看到亮，對顯示畫面具有預定的傾斜角看顯示裝置1的情 形，顯示畫面看到暗。在稜角α爲70度的光學片3(商品名： ctraf，住友3Μ公司製（※公司名稱的英文譯名爲SUMITOMO 3M Limited))，與無光學片3的情形比較，正面的亮度提高 到1 · 1 1倍，在20度、30度下的光通量分別提高到1. 1 3倍、 1.13倍。在棱角α爲90度的光學片3(商品名：befhp，住友 3M公司製），與無光學片3的情形比較，正面的亮度提高到 1.18倍，在20度、30度下的光通量分別提高到1.20倍、1.20 倍。在棱角α爲95度的光學片3(商品名：h210，三菱鉛筆 公司製（※公司名稱的英文譯名爲 Mitsubishi Rayon Co·， Ltd.))，與無光學片3的情形比較，正面的亮度提高到1·24 倍，在20.度、30度下的光通量分別提高到1.27倍、1·26 倍。在稜角α爲100度的光學片3(商品名：befl00,住友3Μ 公司製），與無光學片3的情形比較，正面的亮度提高到1.30 倍，在20度、30度下的光通量分別提高到ι·3〇倍、1.28 -16- 1237517 倍。在稜角α爲110度的光學片3(商品名：pv7，大日本印 刷公司製（※公司名稱的英文譯名爲Dai Nippon Printing Co.，Ltd·))，與無光學片3的情形比較，正面的亮度提高到 1.24倍’在20度、3〇度下的光通量分別提高到128倍、127 倍。如此’對於微稜鏡3a的稜角〇爲7〇〜;[! 〇。的情形，射出 光的正面指向性更局’對於稜角α爲丨〇〇。的情形，變成在射 出光的正面的指向性爲最高的結果。比較例係在稜角〇爲j 〇 度的光學片3中，與無光學片3的情形比較，正面的亮度變 成0.97倍’在20度、30度下的光通量分別爲〇·98倍、〇.99 倍。 而且’藉由光學片3的遞迴反射效應，由光學片3朝外 部的光的取出效率提高。 但是，若配設光學片3，則來自光學片3的表面的某一 點係由接鄰的幾個E L元件1 i發出的光會射出。因此，對於 使用者而言，在接鄰的像素間會看到引起混色的顯示畫面。 密封膜1 7係使用折射率1 · 5 2、厚度700 // m的玻璃基板， 設定光學接著劑4的折射率爲1.5 2，折射率1.5 8、厚度 1 2 5 // m的薄片材3 b、折射率1 · 5 1、頂點的高度爲5 0 // m的 微稜鏡3a的情形，在1000//m混色區域的寬度達400//m 左右，在150//m混色區域的寬度達600//m附近。 因此，在本實施形態中設定微稜鏡3 a的間距a以及像 素的間距b，俾微稜鏡3 a的間距a(例如定義接鄰的微稜鏡 3 a的稜角之頂點間的距離）爲像素（EL元件1 1)的間距b以 下。也就是說每一個像素係一個以上的微稜鏡3 a相對。此 -17- 1237517 乃因如第3 A圖所示，若微稜鏡3 a的間距a比像素的間距b 大’則來自一個微稜鏡3 a係由接鄰的EL元件1 1發出的光 射出，但如第3 B圖所示，若微稜鏡3 a的間距a爲像素的間 距b以下，則由接鄰的EL元件1 1射出的光減少，來自一個 微稜鏡3a係由一個EL元件11發出的光射出。因此，可降 低在接鄰的像素間引起混色的顯示畫面。其中，間距b係橫 方向中的像素的寬與位於接鄰於橫方向的像素間的非發光 區域的寬的和。 此外，取代微稜鏡3 a，形成有剖面半圓形的圓柱形透 鏡也可以。即使是形成有剖面半圓形的圓柱形透鏡的情形， 若圓柱形透鏡的間距a比像素的間距b小，則成爲正面指向 性高且無混色的顯示畫面。
而且，在光學片3形成有剖面三角形狀的微稜鏡3a的 情形，某像素的EL層1 5發出的光在該像素上以外，由從光 學片3的外側表面射出到正面方向的位置中的該像素（EL元 件Μ )到該射出位置之縱方向的高度d(也就是說該射出位置 中的微稜鏡3a的膜厚與密封膜17的膜厚與光學接著劑4的 膜厚的和），與由該某像素到該射出位置的橫方向的寬度P 與微稜鏡3 a的折射率η與稜角α的關係係如以下的公式（1 )。 —$ tan(^ 十 sin-1 (丄 (1) p 2 η 2 滿足公式（1)，藉由設定寬度Ρ爲互相接鄰的像素間的 寬度，僅在對應絕緣膜14的區域，由接鄰的EL元件1 1射 出的光混合，由微稜鏡3 a的表面射出，在對應EL元件1 1 的區域中由接鄰的EL元件11發出的光不由微稜鏡3a的表 -18- 1237517 面射出。因此，可降低引起混色的顯示畫面。 其中，針對公式（1)使用第4圖來說明。此外，在以下 的說明中角度的單位係以弧度（radian)値表示。 令由EL元件1 1到達微稜鏡3 a的外側表面時的光的入 射角爲，令該光由微稜鏡3a的界面射出的射出角爲02, 令微稜鏡3a的折射率爲n，則由司乃耳定律（Snell，s law)， 以下的公式（2)成立。其中，令接觸到微稜鏡3a表面的空氣 的折射率爲1。
nsin0i = sin02-.-.(2) 因微稜鏡3a爲兩等邊三角形狀的剖面形狀，故底角点 與稜角α的關係係以下的公式（3)成立。 /3 =( 7Γ - a )/2 .... (3 ) 而且，因由微稜鏡3a射出的光對顯示畫面垂直，故以 下的公式（4)成立。 Θ 2=/3 .... (4) 由公式（2)〜公式（4)，以下的公式（5)成立。
Θ i^sin'1 [(l/n)xsin(( 7Γ -a )/2)] ....(5) 因由EL元件1 1的端射出的光在對應接鄰的EL元件i i 的端的微稜鏡3a的表面中以角度02射出，故公式（6)、公 式（7)成立。但是令光學片3的膜厚遠比厚度d還小。 tan Θ 3 = d/p... .(6) Θ 3 = ( π /2)- β + θ ι /2)+ θ ! ....(7) 由公式（5)〜公式（7)，以下的公式（8)成立。 -19- 1237517 tan{y + ) = tan{y + sin (— sin
(8)
如此，某像素的EL層1 5發出的光在該像素上以外，由 從光學片3的外側表面射出到正面方向的位置中的該像素到 光學片3的外側射出面之縱方向的高度d(也就是說該射出位 置中的微稜鏡3 a的膜厚與密封膜1 7的膜厚與光學接著劑4 的膜厚的和）除以由該像素到該射出位置橫方向的寬度p的 値係由光學片3的折射率n、稜角α —義地決定。而且，藉 由採用任一個光學片3以決定折射率η、稜角α。也就是說 如果依照面板的設計設定寬度ρ以決定折射率η、稜角α的 話，則某像素的EL層1 5發出的光在該像素上以外，由從光 學片3的外側表面射出到正面方向的位置中的EL元件1 1 到光學片3的外側表面的高度d可自動地算出。
高度d變成光學接著劑4的厚度以及密封膜17的厚度 的和之高度6與僅由像素偏移寬度ρ的位置的光學片3的 高度d2的和。其中，光學片3的高度d2若適用的光學片3 的構造預先決定，則藉由光學片3與平面顯示器面板2的相 對的位置可自動地算出。因此，爲了滿足公式（8)，藉由控 制高度d!即光學接著劑4的厚度以及密封膜1 7的厚度的至 少任一方的厚度，可抑制像素的混色。 而且，某像素的EL層15發出的光之中由光學片3的外 側表面射出到正面方向的光爲了不由對應接鄰於該像素的 像素的位置之光學片3射出，也就是說在像素上完全不配設 混色部分而設計，若設定爲以下的公式的話佳。 -20- 1237517 爹 S 0) = tan{| + sin-1 (丄sin...... (9) 而且，若顯示特性未顯著地劣化，則即使多少有像素上 的混色面積的比例也可以，也就是說寬度P比接鄰於橫方向 的像素間的距離還長也可以。例如若使用1 // m厚的氧化 矽、氧化鋅等的密封膜1 7以及2 0 // m的高度的光學片3， 則在1 2 8行、1 6 0列的RGB條排列的2英吋四方形的平面顯 示器面板2中，EL像素的發光面積對平面顯示器面板2的 面板面積的比例爲20%、60%的情形之像素的橫方向的混色 區域的寬度分別爲67//m以下、34//m以下，在320行、240 列的RGB條排列的2英吋四方形的平面顯示器面板2中， EL像素的發光面積對平面顯示器面板2的面板面積的比例 爲20%、60%的情形之像素的橫方向的混色區域的寬度分別 爲27//m以下、13//m以下，在1365行、768列的RGB條 排列的3 7英吋四方形的平面顯示器面板2中，EL像素的發 光面積對平面顯示器面板2的面板面積的比例爲20%、60% 的情形之像素的橫方向的混色區域的寬度分別爲1 6 0 // m以 下、8 0 // m以下。由色純度的觀點，某發光的像素的顏色混 色於接鄰於橫方向的像素上時的混色寬爲接鄰像素的橫方 向寬的2 0 %以內較佳。 [變形例一] 以下使用第5 A圖、第5 B圖針對變形例一來說明。 在變形例一的顯示裝置中密封膜1 7係被隔壁5劃分。 也就是說俯視形成有形成網眼狀的隔壁5，俾在共通電極13 上對應絕緣膜1 4。藉由俯視隔壁5形成網眼狀，使被隔壁5 -21- 1237517 圍繞的複數個晶胞排列成矩陣狀。而且，俯視在各個晶胞內 配置有EL層1 5。密封膜1 7係塡充於被隔壁5圍繞的各晶 胞內。隔壁5的膜厚與密封膜丨7的膜厚相同，在由密封膜 1 7以及隔壁5形成的平坦的表面2a，光學片3係隔著光學 接著劑4接著。隔壁對EL層15發出的光顯示遮光性者較 佳，顯示反射性者最佳。此變形例一的顯示裝置除了以上 外，其餘係成與第2圖所不的顯示裝置1 一樣的構成。 藉由由EL元件11發出的光被隔壁5遮蔽，使其不會由 對應接鄰的EL元件1 1的區域射出。因此，可降低引起混色 的顯示晝面。其中，隔壁5以鋁等的金屬或合金形成也可以， 且在隔壁5的框（frame)表面形成有鋁等的金屬或合金的膜 也可以。據此，隔壁5成高反射率的鏡狀，藉由由EL元件 1 1發出的光被隔壁5反射，使由光學片3朝外部的光的取出 效率提高。 [變形例二] 以下使用第6A圖、第6B圖針對變形例二來說明。 在變形例一的顯示裝置中雖然在平面顯示器面板2的 表面2a接著光學片3，但在變形例二的顯示裝置中係如第 6A圖、第6B圖所示，藉由微影法直接形成多數個微棱鏡3a 於平面顯示器面板2的表面2a。其中，在接鄰的微稜鏡3a 之間有間隔，該間隔係與橫向接鄰的像素之間的非發光區域 的寬度相同。而且，每一像素的縱一列，一個微稜鏡3a係 相對配置。此變形例二的顯示裝置除了以上外，其餘係成與 第5A圖、第5B圖所示的變形例一的顯示裝置一樣的構成。 -22- 1237517 [變形例三] 以下使用第7 A圖、第7 B圖針對變形例三來說明。 在變形例一的顯示裝置中在光學片3的接鄰的微稜鏡 3 a之間無間隔，微稜鏡3 a的一方的斜面與接鄰的微稜鏡3 a 的他方的斜面交叉。相對於此，在變形例三的顯示裝置中， 如第7A圖、第7B圖所示在光學片3的接鄰的微稜鏡3a之 間有間隔，在接鄰的微稜鏡3 a之間形成有與光學片3的背 面略平行的底面3b，微稜鏡3a的一方的斜面與底面3b交 叉，接鄰的微稜鏡3a的他方的斜面與底面3b交叉。而且， 每一像素的縱一列，一個微稜鏡3 a係相對配置，底面3b相 對於隔壁5。此變形例三的顯示裝置除了以上外，其餘係成 與第5A圖、第5B圖所示的變形例一的顯示裝置一樣的構成。 [變形例四] 以下使用第8圖針對變形例四來說明。 在第2圖所示的顯示裝置1中平面顯示器面板2係光由 密封膜17側射出到外部之所謂的頂部發射（top emission)型 的面板。相對於此，在變形例四的顯示裝置中，顯示器面板 2爲光由基板12側射出到外部之所謂的底部發射（bottom emission)型的面板。也就是說如第8圖所示，基板12是由 玻璃等構成的透明基板，在此基板1 2上排列成矩陣狀的像 素電極16也是由ITO等構成的透明電極。絕緣被覆膜18未 形成，電晶體2 1係被絕緣膜1 4被覆。而且，電子注入層1 3 a 無須形成讓光透射程度的薄膜，再者，若輔助電極13b也由 如金屬、金屬氧化物、合金等的導電性材料形成’則特別是 -23- 1237517 無須透明。 在變形例四的顯示裝置中，因平面顯示器面板2的光射 出面2a爲基板12的背面12b，故光學片3隔著透明的光學 接者劑4接者於基板1 2的背面1 2 b。 此變形例四的顯示裝置除了以上外，其餘係成與第2圖 所示的顯示裝置1 一樣的構成。也就是說設定微稜鏡3a的 間距a以及像素的間距b，俾微稜鏡3 a的間距a爲像素（EL 元件1 1)的間距b以下。而且，若適用的光學片3決定的話， 也就是說若光學片3的折射率n與稜角α決定的話，藉由以 預先被設定的位於接鄰於橫方向的像素之間的非發光區域 的寬e爲上述的公式（8)或公式（9)的寬度ρ代入，距離以某 像素的EL層1 5發出的光由光學片3的外側表面射出的位置 不重疊於接鄰的像素的方式所需的EL元件11的高度d可被 自動地算出。而且，因僅由某像素偏移寬度e的位置的光學 片3的高度d2若光學片3與平面顯示器面板2的相對位置 決定的話，則可自動地算出，故爲了滿足公式（8)或公式（9)， 藉由控制光學接著劑4的厚度與基板1 2的厚度的和之高度 d!，也就是光學接著劑4的厚度以及基板1 2的厚度的至少 任一方的厚度，可防止混色。 如此，因在像素上完全不配設混色部分而設計，令位於 接鄰於橫方向的像素之間的非發光區域的寬度e爲由光學片 3射出到外部的光的像素端部的寬度ρ，令間距b爲橫方向 中的像素的寬與寬度ρ的和的話佳。 而且，若顯示特性未顯著地劣化的話，即使多少有像素 -24- 1237517 上的混色面積的比例也可以，也就是說公式（8)或公式（9)的 寬度P比接鄰於橫方向的像素間的寬度e還長也可以。由像 素的度的觀點，某發光的像素的顏色混色於接鄰於橫方向的 像素上時的混色寬爲接鄰像素的橫方向寬的20 %以內較佳。 [變形例五] 以下使用第9圖針對變形例五來說明。 在第2圖所示的顯示裝置1中平面顯示器面板2係EL 顯示器面板，但在變形例五的顯示裝置中如第9圖所示，平 面顯示器面板2爲交流電壓驅動型的平面顯示器面板。 此平面顯示器面板2具備：隔著預定間隔面對面配置的 前面基板101、背面基板102，在背面基板102的前面基板 101側的面形成有複數個位址電極103。此等位址電極103 係形成帶狀，隔著預定間隔互相平行排列。 在形成有背面基板102的位址電極103的面全體形成有 絕緣體（介電質）層104，此等位址電極1〇3係彙集被絕緣體 層104被覆。在絕緣體層104的表面立設有複數個隔壁105。 此等隔壁105係配置於位址電極103之間，俾與位址電極103 平行，劃分基板1 〇 1、1 02間的空間，形成條狀的放電胞1 〇6。 隔壁105係由絕緣體形成。 由面向放電胞1 06的絕緣體層1 04到隔壁1 05的側面形 成有藉由紫外線發光的螢光體層107。附在螢光體層107的 R(紅）、G(綠）、B(藍）係表示發光的顏色，螢光體層107係依 R、G、B的順序規則正確地排列。 前面基板1 0 1係由玻璃等的透明材料形成。在朝前面基 -25- 1237517 板101的背面基板102的面，複數個顯示電極108係 電極103正交而形成帶狀。各顯示電極101係鉻等的 電極與由ITO等構成的透明電極成對。 在形成有前面基板101的顯示電極108的面全體 透明的絕緣體層1 10，此等顯示電極108係彙集被絕 110覆蓋。再者，絕緣體層110被薄膜的保護層整體 也可以。 形成有前面基板101的顯示電極108的面，在形 面基板102的位址電極103的面夾著隔壁105的狀態 合，形成有被隔壁105、前面基板101以及背面基板 圍的放電胞106。在放電胞106封入有氙與氖的混合 顯示電極1 08係以接鄰的兩條分別組成一對‘ 109，此等電極對109與複數個位址電極103俯視係 其中，俯視電極對109與位址電極103的交叉部係排 陣狀，一個交叉部成爲一個像素。若在位址電極1 03 對109的交叉部選擇地放電，則螢光體層105會因放 激勵發出可視光。發出的可視光透射絕緣體層1 1 〇、 極108、前面基板101，由形成有前面基板101的顯 1 08的面的相反面射出。因此，平面顯示器面板2的 面2a係形成有前面基板101的顯示電極108的面的柯 此外，爲了維持預定亮度，在電極對109之中的一方 電極108與他方的顯示電極108之間施加有交流電壓 其中，與第2圖所示的顯示裝置1的情形一樣， 有前面基板101的顯示電極108的面的相反面，隔 與位址 匯流排 形成有 緣體層 地覆蓋 成有背 下被貼 102包 氣體。 電極對 正交。 列成矩 與電極 電而被 顯不電 示電極 光射出 目反面。 的顯示 〇 在形成 著透明 -26- 1237517 的光學接著劑4接著有光學片3。光學片3係與第2圖所示 的顯示裝置1所具備的光學片3 —樣。也就是說設定微稜鏡 3 a的間距a以及像素的間距b，俾微稜鏡3 a的間距a爲像 素的間距b(隔壁105的間隔b)以下。而且，某像素的螢光 體層1 07發出的光在該像素上以外，由從光學片3的外側表 面射出到正面方向的位置中的該像素到光學片3的外側射出 面之縱方向的高度d，與由該某像素到該位置的橫方向的寬 度p(在像素上不混色於接鄰的像素的光的情形係隔壁105的 寬度P)與微稜鏡3a的折射率n與微棱鏡3a的稜角α的關係 係如上述的公式（1)。 [變形例六] 以下使用第1 〇圖針對變形例六來說明。 在第2圖所示的顯示裝置1中平面顯示器面板2係EL 顯示器面板，但在變形例六的顯示裝置中如第1 0圖所示， 平面顯示器面板2爲主動矩陣驅動方式的透射型液·晶顯示器 面板。 此平面顯示器面板2具備：隔著預定間隔面對面配置的 前面基板201、背面基板202，此等基板201、202都是由玻 璃等的透明的材料形成。在背面基板202的前面基板201側 的面形成有複數條掃描線203。此等掃描線203係隔著預定 間隔互相平行排列。而且，在形成有背面基板202的掃描線 203的面形成有複數條信號線204。此等信號線204俯視係 與掃描線203正交而隔著預定間隔互相平行排列。此外，俯 視在掃描線203與信號線204交叉的位置，掃描線203對信 -27- 1237517 號線204係被絕緣。 在掃描線203與信號線204的交叉部形成有MOS型場 效型的薄膜電晶體205。而且，在形成有背面基板202的掃 描線203的面形成有由ITO等構成的透明的複數個像素電極 206。此等像素電極206俯視係排列成矩陣狀，一個像素電 極206成爲一個像素。 在形成有背面基板202的像素電極206的面的相反面， 面對面配置有偏光板207，夾著偏光板207面對面配置有背 光（省略圖示）。 在前面基板20 1的背面基板202側的面配設有彩色濾光 片2 08,在彩色濾光片208的表面全體形成有共通電極2 09。 彩色濾光片208係讓紅光透射的區域、讓藍光透射的區域、 讓綠光透射的區域與像素電極206對應而規則正確地排列。 共通電極209係由ITO等的透明的導電性材料形成。在形成 有前面基板201的共通電極209的面的相反面配設有偏光板 210 〇 形成有前面基板201的共通電極209的面係在形成有背 面基板202的像素電極206的面夾著間隔物（spacer)(省略圖 示）的狀態下被貼合。在前面基板201與背面基板202之間 挾持有液晶211。若使位於掃描線203與信號線204的交叉 部之薄膜電晶體205接通（on)，則在連接於該薄膜電晶體205 的像素電極2 0 5與共通電極2 0 9之間，液晶2 1 1的配向性變 化’自背光發出的光由偏光板210射出。因此，平面顯示器 面板2的光射出面2a爲偏光板210的表面。 -28- 1237517 其中，與第2圖所示的顯示裝置1的情形一樣，在偏光 板2 1 0的表面隔著透明的光學接著劑接著有光學片3。光學 片3係與第2圖所示的顯示裝置1所具備的光學片3 —樣。 也就是說設定微稜鏡3 a的間距a以及像素的間距b，俾微稜 鏡3a的間距a爲像素（像素電極206)的間距b以下。而且， 在某像素所透射的光在該像素上以外，由從光學片3的外側 表面射出到正面方向的位置中的該像素到光學片3的射出位 置之縱方向的高度d(即前面基板201的厚度與偏光板210與 光學接著劑4的膜厚與在該位置的光學片3的厚度的和）， 與由該像素到該射出位置的橫方向的寬度p，與微稜鏡3 a 的折射率η、稜角α的關係係如上述的公式（1)。 此外，在變形例一〜七的任一個顯示裝置中取代微稜鏡 3 a，形成有剖面半圓形的圓柱形透鏡也可以，但對於此情形 無須滿足公式（1)。而且，平面顯示器面板2雖然爲EL顯示 器面板、電漿顯示器面板、液晶顯示器面板的任一個，但爲 場發射顯示器面板也可以。 以下舉實施例，針對本發明來說明。 在如第2圖所示的顯示裝置1中針對光學片3，特別是 微稜鏡3a的折射率n爲1.65或1.50的情形，顯示依照公式 (1)的d/p與稜角α的關係於圖形者係第丨丨圖。光學片3的 折射率η爲1.65且稜角α爲90°的情形，由第1 1圖，d/p 爲2.8。p = 357/zm的情形，d = 1000//m，由於高度d2藉由 適用的光學片3與配置來決定，故設定高度d2 ，俾滿足公 式⑴。 -29- 1237517 而且，光學片3的折射率η=1·51〜1.58、稜角α=90。、 間距a = 50 // m，到山頂的高度爲175 // m，在山谷的高度爲 125//m，設定密封膜17的厚度爲700//m，折射率爲1.52, 使折射率爲1 · 5 2的光學接著劑4的厚度k變化，在使某像 素的EL層1 5發出的光在該像素上以外，由從光學片3的外 側表面射出到正面方向的位置中的該像素到該射出位置之 縱方向的高度d調變的情形下，藉由實驗測定由該某像素到 該射出位置的橫方向的寬度p。顯示其結果於第1 2圖。由第 12圖k與寬度p的關係大致爲k = 2.7p。由此得知，公式（8) 或公式（9)的厚度k與密封膜17的厚度的和d與p的關係大 致適合，若令寬度p爲像素間的非發光區域的寬度e，則不 會變成在接鄰的像素間引起混色的顯示畫面。 [第二實施形態] 第13圖係適用本發明的EL顯示裝置301的分解斜視 圖。如第1 3圖所示，此E L顯示裝置3 0 1具備：像素排列成 在列方向i(i爲2以上的自然數）個，在行方向j(j爲2以上 的自然數）個的矩陣狀而成的EL顯示器面板2 ;以賦予正面 指向性給EL顯示器面板2的顯示光的方式貼附於EL顯示 器面板2的光射出面（顯示面）302a之作爲光學構件的稜鏡片 303。此外，在第13圖中雖然棱鏡片303的厚度比實際還厚 而圖示，但實際上係遠比EL顯示器面板2還薄。伴隨於此， 誇張地加大稜鏡片303的微稜鏡303a而圖示。 使用第MA圖、第MB圖針對EL顯示器面板2來說明。 第14A圖係顯示排列成矩陣狀的複數個像素之中接鄰於橫 -30- 1237517 方向的三個像素的俯視圖，第14B圖係沿著第14A圖所示的 (X IV B ) - ( X IV B )線的剖面圖。此外，實際上基板3 1 2、密封 膜319與其他層比較十分厚，惟在第14B圖中係薄薄地圖示 基板3 1 2、密封膜3 1 9。 在此EL顯示器面板2的像素使用當作自發光元件的EL 元件3〗i，每一構成一個像素的EL元件3 1 1配設有兩個電 晶體331、331，EL顯示器面板2係藉由主動矩陣驅動方式 進行點矩陣顯示，也可以爲藉由流過電晶體3 3 1、3 3 1的任 一個的電流的電流値控制色調的電流色調顯示型，也可以爲 藉由施加於電晶體3 3 1、3 3 1的任一個的電壓的電壓値控制 色調的電壓色調顯示型。而且，每一像素的電晶體的數目不 限於兩個，三個以上也可以。 此E L顯示器面板2具備基板3 1 2，此基板3 1 2係硼矽 玻璃、石英玻璃、其他的玻璃、PMMA、聚碳酸酯、以其他 的樹脂形成平板狀者。 在基板3 1 2的表面3 1 2a上，於行方向成長條，形成帶 狀的複數條掃描線（省略圖示）係互相平行排列。此等掃描線 係被絕緣膜（省略圖示）被覆，在此絕緣膜上，於列方向成長 條，形成帶狀的複數條信號線係互相平行排列，俾與掃描線 正交。再者，電晶體331、331…係形成於基板312的表面 3 12a。此等電晶體331、331…係MOS型場效薄膜電晶體。 一像素中的兩個電晶體3 3 1、3 3 1之中的一方的電晶體3 3 1 的閘電極與掃描線連接，他方的電晶體3 3 1的汲電極與信號 線共通。電晶體331、331爲反交錯構造或共面型均可，而 -31- 1237517 且，η通道型電晶體或p通道型電晶體均可，爲非晶矽TFT 或多晶矽TFT均可。 兩個電晶體3 3 1、3 3 1係由資料驅動器、掃描驅動器經 由信號線以及掃描線輸入信號，藉由依照輸入的信號保持流 到EL元件3 1 1的電流的電流値到下一個周期，以構成保持 EL元件3 1 1的發光亮度於一定的像素電路。 所有的電晶體3 3 1、3 3 1…均被絕緣被覆膜3 1 3被覆。絕 緣被覆膜3 1 3係形成於基板3 1 2的大致全面，在基板3 1 2的 表面312a與電晶體331、331…之間所產生的層差被此絕緣 被覆膜3 1 3緩和，絕緣被覆膜3 1 3的表面係成略平坦的面。 此絕緣被覆膜3 1 3係由有機樹脂（例如丙烯酸系樹脂（包含甲 基丙烯酸系樹脂）、環氧樹脂）或氧化矽、氮化矽等的無機化 合物構成者。此外，爲了防止電晶體331、331…的光劣化， 例如混雜炭黑等的顏料，遮光性的絕緣被覆膜3 1 3爲遮光性 較佳。 在絕緣被覆膜313上形成有EL元件31 1。EL元件31 1 係成爲由絕緣被覆膜3 1 3側依次疊層使光反射的鏡狀的反射 層314、作爲陽極的像素電極315、進行電場發光用的EL層 316、作爲陰極的對向電極317的疊層構造。其中，反射層 314、像素電極315以及EL層316係每一 EL元件311獨立 形成，複數個反射層314、複數個像素電極315以及複數個 EL層3 1 6俯視係成矩陣狀而排列，而對向電極3 1 7係所有 的EL元件3 1 1、3 1 1…共通形成，俯視係形成於基板3 1 2的 全面。 -32- 1237517 反射層3 1 4係由對金屬、合金等的EL元件3 1 1的光高 反射率的材料形成。反射層3 1 4例如有鋁。反射層3 1 4因由 導電性材料形成，故即使是像素電極3 i 5自身的薄片電阻高 的情形’反射層3 1 4也會輔助像素電極3 1 5的電性傳導，而 低電阻化。此外，對於反射層3 1 4由絕緣體材料形成的情形， 反射層3 14係所有的EL元件31 1、31 1…共通形成也可以。 像素電極3 1 5係由金屬氧化物、合金等的具有導電性的 透明材料形成，植入電洞於EL層3 1 6者。像素電極3 1 5例 如可舉出由氧化銦、氧化鋅或氧化錫或包含此等化合物之中 的至少一個的混合物（例如摻雜錫的氧化銦（ITO:銦錫氧化 物）、摻雜鋅的氧化銦、鎘-錫氧化物（CTO))形成者。即使在 透明的像素電極3 1 5的表面，可視光區域的光也會反射，但 像素電:極3 1 5自身的光反射率比反射層3 14自身的光反射率 還低。 反射層3 1 4以及像素電極3 1 5係透過形成於絕緣被覆膜 3 1 3的接觸孔電性連接於一方的電晶體33 1的源電極。 在像素電極315上形成有EL層316。EL層316係由發 光材料形成的層，藉由使由像素電極3 1 5植入的電洞與由對 向電極317植入的電子再結合而發光的層。此外，在第13 圖中附在EL元件311的R(紅）、G(綠）、B(藍）係表示在EL 層316發出的光的顏色。 在EL層316適宜混合有電子輸送性的物質也可以，且 適宜混合有電洞輸送性的物質也可以，且適宜混合有電子輸 送性的物質以及電洞輸送性的物質均可。即EL層3 1 6爲由 -33 - 1237517 像素電極315依次疊層電洞輸送層、發光層、電子輸送層的 三層構造也可以，且爲依次疊層電洞輸送層、發光層的兩層 構造也可以，且爲依次疊層發光層、電子輸送層的兩層構造 也可以，且爲由發光層構成的單層構造也可以，爲在此等層 構造中於適當的層間中介存在電子或電洞的注入層之多層 構造均可。而且，構成EL層316的層均由有機化合物構成 者也可以，且構成EL層3 1 6的層均由無機化合物（例如硫化 鋅）構成者也可以，且EL層3 1 6爲疊層由無機化合物構成的 層與由有機化合物構成的層者均可。此外，對於構成EL層 3 1 6的層均由無機化合物構成的情形，EL元件3 1 1爲無機 EL元件，對於構成EL層316的層有由有機化合物構成的層 的情形，EL元件3 1 1爲有機EL元件。 EL層3 1 6由低分子有機材料或無機物構成的情形，可 藉由蒸鍍法、濺鍍法等的氣相成長法形成EL層3 1 6。另一 方面，EL層316由高分子有機材料或低分子有機材料構成 的情形，可藉由塗佈有機化合物含有液（即濕式塗佈法）形成 EL層3 16。有機化合物含有液係指含有構成EL層316的有 機化合物或其前驅體的液體，爲構成EL層3 1 6的有機化合 物或其前驅體當作溶質溶解在溶媒的溶液也可以，且爲構成 EL層3 1 6的有機化合物或其前驅體分散於分散劑的分散液 也可以。 此處，EL層3 1 6係藉由濕式塗佈法形成的層，爲依次 疊層由導電性高分子之PEDOT(聚噻吩）以及摻質之PSS(聚 苯乙烯磺酸）構成的電洞輸送層316a、由聚芴系發光材料構 -34- 1237517 成的發光層316b之兩層構造。其中，發光層316b爲每一發 光色成分不同也可以，惟電洞輸送層3 1 6 a爲任何顏色其成 分均相同佳。此外，E L層3 1 6藉由濕式塗佈法形成的情形， 在形成具有對液體親和，液體在40 °以下的接觸角潤濕的性 質（以下稱爲[親液性])之親液性膜於像素電極315上的狀態 下，將有機化合物含有液塗佈於該親液性膜較佳。 在EL層3 16的周圍形成有由聚醯亞胺等的感光性樹 月旨、氧化矽、氮化矽等選擇的絕緣膜3 1 8。俯視藉由絕緣膜 3 1 8形成網眼狀，使被絕緣膜3 1 8圍繞的複數個圍繞區域排 列成矩陣狀，在圍繞區域內形成有EL層3 1 6。絕緣膜3 1 8 的一部分係重疊於像素電極3 1 5的外緣的一部分。此外，對 於藉由濕式塗佈法形成EL層3 1 6的情形，在絕緣膜3 1 8的 表面形成有具有排斥液體，液體以50 °以上的接觸角潤濕的 性質（以下稱爲[撥液性])之撥液性膜（例如氟樹脂膜、反應性 矽膜）也可以。 在EL層3 16上形成有對向電極317。對向電極317係 形成於基板312的大致全面。對向電極317係由EL層316 側依次疊層電子注入層3 1 7 a、輔助電極3 1 7 b的疊層構造。 電子注入層3 1 7 a係非常薄地形成讓光透射的程度，由功函 數較低的材料（例如由鎂、鈣、鋰、鋇或稀土類構成的單體 金屬或至少包含一種此等單體的合金）構成，其厚度比可視 光波段還薄，爲10〜200nm。輔助電極317b係由對可視光具 有透射性，並且具有導電性例如氧化銦、氧化鋅或氧化錫或 包含此等化合物之中的至少一個的混合物（例如摻雜錫的氧 -35- 1237517 化銦（IT〇:銦錫氧化物）、摻雜鋅的氧化銦、鎘-錫氧化物 (C TO))形成。因此，對向電極317爲讓光透射的透光性電極。 其中，像素電極3 1 5係藉由干涉作用以減弱預定波長的 光，當作防止表面中的光的反射光的光學干涉膜而發揮功 能。因此，像素電極3 1 5爲防止預定波長的光的反射光之反 射抑制電極。若詳細說明的話，預定波長的光由EL層3 1 6 入射到像素電極3 1 5的情形，因像素電極3丨5爲在El層3 1 6 內進行，再度透射像素電極315的光的相位，與在EL層內 進行的光的相位僅偏移7Γ的光學的膜厚，故此等光在像素電 極315藉由干涉作用而衰減。其中，在令EL層3 16(特別是 電洞輸送層316a)的折射率爲ηι，像素電極315的厚度爲d， 像素電極315的折射率爲n2的情形下，在以下的條件時， 波長λ的光在像素電極315的表面干涉。 對於條件（A): η !> η 2的情形，像素電極3 1 5與E L層3 1 6 的界面變成自由端，光在該界面反射，故滿足以下的公式 (10) 的波長λ的光在像素電極315的表面干涉。 λ =4n2d/2m....(10) 其中m爲自然數。 對於條件（B ): η 1 < η 2的情形，像素電極3 1 5與E L層3 1 6 的界面變成固定端，光在該界面反射，故滿足以下的公式 (11) 的波長λ的光在像素電極315的表面干涉。 λ =4n2d/(2m+ 1 ) ... .(1 1) 其中m爲自然數。 因此，對於像素電極3 1 5由一層透明導電層構成的情 -36- 1237517 形，爲了藉由干涉反射抑制以波長λ爲中心波長的光’如公 式（10)或公式（11)，若光學設計像素電極315的厚度d與像 素電極3 1 5的折射率n2的話佳。另一方面，對於像素電極 3 15由複數層透明導電層構成的情形（但是接鄰的透明導電 層的折射率不同），因在各個界面發生干涉作用，故被干涉 的中心波長爲複數個，可視光區域全體的光被反射抑制。 特別是因藉由光的干涉而有效地打消光，故光學地設計 像素電極315以及EL層316，俾ηι = 3η2的話佳。 此關係如以下而求得。 即令由EL層3 1 6入射到像素電極3 1 5的光的振幅爲Wi 的情形，在該界面的反射光的振幅W 2爲W! X (η 1 - η 2) / (η 1 + η 2)， 折射光的振幅”3爲1x2112/(1^+112)。若折射光在反射層314 反射，則入射到像素電極3 1 5與EL層3 1 6的界面，該折射 光與振幅W2的反射光干涉，完全打消的話變成W3 = W2。因 此，η 1 = 3 η 2 ° 對向電極3 1 7係被密封膜3 1 9被覆。密封膜3 1 9係形成 於基板312的全面，在對向電極317產生的層差係藉由密封 膜3 1 9解消，密封膜3 1 9的表面大致成平坦的面。此密封膜 3 1 9具有讓光透射的性質，由透明的樹脂（例如丙烯酸系樹脂 (也包含甲基丙烯酸系樹脂）、環氧樹脂）構成者。密封膜319 爲透光性構件，密封膜3 1 9的表面3 1 9 a係成爲第1 3圖中的 EL顯示器面板2的光射出面302a。 其次，針對稜鏡片3 03來說明。 在稜鏡片303的表面形成有光學元件之多數個微稜鏡 -37- 1237517 3 03 a，在微稜鏡3 03 a的背面配設有兩面爲平滑的薄片材 303b。微稜鏡303a以及薄片材303b係折射率大致相等較 佳。如微稜鏡303a以及薄片材303b分割成複數個的稜鏡片 3 03的情形，後述的[稜鏡片303的折射率]若無其他註解， 則爲考慮成爲稜鏡片3 0 3內的光程之複數個構件的折射率而 設的値。稜鏡片3 0 3的厚度因遠比密封膜3 1 9的厚度還薄， 故即使複數個構件的折射率多少不同，光程也不會大大地改 變，其影響小。稜鏡片303的背面係平滑地形成。任何微稜 鏡3 0 3 a都是在縱方向爲長條，在其縱向正交的面斷裂的剖 面形狀’也就是說在（X IV B )-(X IVB)線斷裂的剖面形狀形成 三角形狀，更佳爲形成兩等邊三角形狀。此等複數個微稜鏡 3〇3a係縱向互相平行，大致排列成等間隔，微稜鏡303 a的 間距a爲像素（EL像素3 1 1)的間距b以下。任何微稜鏡303a 的稜角α都互相相等。 稜鏡片3 0 3係隔著透光性的光學接著劑3 04接著於密封 膜319的表面319a。光學接著劑304有加拿大欉樹香脂、紫 外線硬化性環氧系光學接著劑、紫外線硬化性丙烯酸系光學 接著劑等。稜鏡片303的折射率、光學接著劑3〇4的折射率、 密封膜3 1 9的折射率彼此近似較佳。因光學接著劑3 〇4越 厚，由於來自EL元件311的發光區域中的接鄰的EL元件 3 1 1的光混色的寬度越寬，而且，透射光學接著劑304的光 的比例越減少，故盡可能薄的較佳。 一例爲稜鏡片303的薄片材303b由聚酯（折射率 1·58〜1.68)或聚對苯二甲酸乙二醇酯構成，微稜鏡303a由丙 -38- 1237517 烯酸系樹脂（折射率1.49〜1.51)或紫外線硬化樹脂構成。微稜 鏡3 03a以及薄片材303b由同一材料一體化形成也可以，取 代將稜鏡片3 03接著於密封膜319的表面319a，藉由微影法 直接形成多數個微稜鏡303a於密封膜319的表面319a也可 以。 藉由將這種稜鏡片303接著於EL顯示器面板2的光射 出面302a，使EL顯示裝置301的射出光的正面指向性變高， 對於對EL顯示裝置301的顯示畫面，由正面看EL顯示裝 置30 1的情形，其顯示畫面看到亮，對顯示畫面具有預定的 傾斜角看EL顯示裝置3 0 1的情形，顯示畫面看到暗。特別 是對於微稜鏡3 03 a的稜角α爲70〜1 10°的情形，射出光的正 面指向性更高，對於稜角α爲1 00 °的情形，正面指向性最高。 因微稜鏡303 a的間距a爲像素的間距b以下，故可防 止在接鄰的像素間引起混色的顯示畫面或引起影像偏移的 顯示畫面。 而且，藉由稜鏡片303的遞迴反射效應，由某EL元件 31 1的EL層316發出的光在微稜鏡303a的表面反射，入射 到另一 EL元件3 1 1，入射到另一 EL元件3 1 1的光係入射到 該EL元件3 1 1的像素電極3 1 5。但是，如上述因在像素電 極315的表面發生干涉作用，故光在像素電極315不反射， 藉由稜鏡片303的遞迴反射效應入射到其他EL元件3 1 1的 光與其周圍的EL元件3 1 1的EL層316發出的光不成混色 的狀態。因此，不引起混色，可實現不會損及各像素的色調 之鮮明的像。 -39 - 1237517 此外，本發明並非限定於上述實施形態，在不脫離本發 明的旨趣的範圍中進行種種的改良以及設計的變更也可以。 例如在上述實施形態中雖然像素電極3 1 5係藉由干涉 來防止表面反射，惟藉由氧化鉻、鉻、碳纖維等的黑色體（光 吸收體）形成像素電極3 1 5，以在像素電極3 1 5防止表面反射 也可以。對於此情形，不形成鏡狀的反射層3 1 4也可以。 而且，雖然稜鏡片303係排列多數個剖面三角形狀的微 稜鏡303a，但取代微稜鏡303a，排列多數個剖面半圓形的 圓柱形透鏡也可以。即使是形成有剖面半圓形的圓柱形透鏡 的情形，也成爲正面指向性高且無混色的顯示畫面。 而且，在上述實施形態中雖然以賦予射出光的正面指向 性的方式將稜鏡片303接著於EL顯示器面板2的光射出面 302a，但取代稜鏡片303，配設其他的光學構件於EL顯示 器面板2的光射出面302a也可以。例如爲了防止EL顯示器 面板2的表面反射（映入），將偏光膜、抗眩光膜、抗反射膜 接著於EL顯示器面板2的光射出面302a也可以，且將具有 同等的光學作用的偏光塗佈、抗眩光塗佈、抗反射塗佈直接 施加於EL顯示器面板2的光射出面302a也可以。在任何情 形都能藉由像素電極3 1 5的干涉作用來實現無混色的鮮明的 像。 而且，在上述實施形態中雖然對向電極317爲陰極，像 素電極315爲陽極，但相反地對向電極317爲陽極，像素電 極315爲陰極也可以。也就是說，對向電極317由ITO等的 透明導電層構成，像素電極315爲由反射層314依次疊層透 -40- 1237517 明的輔助電極、電子注入層之疊層構造也可以。在此情形 中，電洞輸送層316a與發光層316b的疊層順序也改變，EL 層316成爲由像素電極315依次疊層發光層、電洞輸送層的 疊層構造’再者，輔助電極係當作光干涉膜，干涉來自發光 層的光而發揮功能。 而且’在上述實施形態中雖然E L元件3 1 1的疊層順序 係由基板3 1 2側依序爲像素電極3 1 5、EL層3 1 6、對向電極 3 1 7的順序，但相反地由基板3 1 2側依序爲對向電極、E L層、 像素電極的順序也可以。在此情形下，當對向電極爲陰極 時’ EL元件3 1 1成爲由基板3 1 2側依次疊層反射層（共通或 獨立）、透明的輔助電極（共通）、電子注入層（共通）、發光層 (獨立）、電洞輸送層（獨立）、作爲陽極的透明的像素電極（獨 立）的疊層構造，輔助電極係當作光干涉膜而發揮功能。相 反地當對向電極爲陽極時，EL元件3 1 1成爲由基板3 1 2側 依次疊層反射層（共通或獨立）、作爲陽極的透明的對向電極 (共通）、電洞輸送層（獨立）、發光層（獨立）、電子注入層（獨 立）、輔助電極（獨立）的疊層構造，對向電極係當作光干涉膜 而發揮功能。其中，括弧係表示每一 EL元件3 1 1獨立形成 或所有的EL元件3 1 1共通形成。 即使是任何情形，EL元件的兩個電極之中位於光射出 面302a側的電極爲透光性電極，位於反射層側的電極係當 作光干涉膜的反射抑制電極。 [第三實施形態] 其次，針對適用本發明的第三實施形態來說明。 -41- 1237517 在第二實施形態的EL顯不裝置301中，EL顯示器面板 2係光由密封膜3 1 9側射出到外部之所謂的頂部發射型的面 板。相對於此，如第1 5 A圖、第1 5 B圖所示，在第三實施形 態的EL顯示裝置401中，EL顯示器面板2爲光由基板312 側射出到外部之所謂的底部發射型的面板。因此，基板3 1 2 的背面312b變成光射出面302a。以下，針對第二實施形態 的EL顯示裝置301與第三實施形態的EL顯示裝置401的 不同點詳細地說明。此外，在第三實施形態的EL顯示裝置 401與第二實施形態的EL顯示裝置301互相對應的部分附 加相同的符號來說明。 基板3 1 2係玻璃，由丙烯酸系樹脂等構成的透明基板。 在基板3 1 2側未形成有絕緣被覆膜3 1 3以及反射層3 1 4，複 數個像素電極315係在基板312上排列成矩陣狀。在第三實 施形態中，基板3 1 2成透光性構件。 EL元件3 1 1與第二實施形態的情形一樣，係由基板3 1 2 側依次疊層像素電極3 1 5、EL層3 1 6、對向電極3 1 7之疊層 構造，其中像素電極315與EL層3 16係每一 EL元件3 1 1 獨立形成，對向電極3 1 7係所有的EL元件3 1 1共通形成。 但是，在第三實施形態中像素電極3 1 5爲透光性電極，對向 電極3 1 7爲反射抑制電極。 若詳細說明的話，像素電極315係由ITO等構成的透明 電極，而因在像素電極315之下未形成有反射層314，故像 素電極315不當作光干涉膜而發揮功能。EL316與第二實施 形態的情形一樣成爲由像素電極3 1 5側依次疊層電洞輸送層 -42- 1237517 316a、發光層316b之疊層構造。對向電極317係成爲由EL 層316側依次疊層電子注入層317a、輔助電極317b之疊層 構造。電子注入層3 1 7a係非常薄地形成讓光透射的程度， 由功函數較低的材料構成。輔助電極3 1 7 b係ITO等的透明 電極。即使是透明的輔助電極317b的表面，可視光區域的 光也會反射，輔助電極317b自身的光反射率比反射層314 自身的光反射率還低。 在輔助電極317b上，反射層314係形成於整面，所有 的EL元件311共通形成。反射層314係由金屬、合金等的 高反射率材料（例如鋁）形成。在反射層314上，密封膜319 係形成於整面。 在以上的構成中，對向電極317特別是輔助電極317b 係藉由干涉作用以減弱預定波長的光，當作防止光的反射光 的光學干涉膜而發揮功能。也就是說，在令EL層3 16(特別 是發光層316b)的折射率爲ΓΜ，輔助電極317b的厚度爲d， 輔助電極3 1 7b的折射率爲n2的情形下，在以下的條件時， 波長λ的光在輔助電極317b與電子注入層317a的界面干 涉。 對於條件（A): η 1 > η 2的情形’滿足以下的公式（1 2)的波長 λ的光干涉。 λ =4n2d/2m....(12) 對於條件（B ): n i < η 2的情形，滿足以下的公式（1 3 )的波長 λ的光干涉。 λ =4n2d/(2m+l)"..(13) -43- 1237517 其中m爲自然數。 而且，因藉由光的干涉而有效地打消光，故光學地設計 輔助電極3 17b以及EL層3 16，俾ηι=3η2的話佳。 此外，對於輔助電極3 1 7b不由一層透明導電層構成而 是由複數層透明導電層構成的話，被反射抑制的光的波段變 成廣域。 在第三實施形態的EL顯示裝置401中因EL顯示器面 板2的光射出面302a爲基板312的背面312b，故稜鏡片303 隔著透明的光學接著劑304接著於基板312的背面312b。此 外，取代稜鏡片303，將偏光膜、抗眩光膜、抗反射膜接著 於EL顯示器面板2的光射出面302 a也可以，且將具有同等 的光學作用的偏光塗佈、抗眩光塗佈、抗反射塗佈直接施加 於EL顯示器面板2的光射出面302a也可以。EL元件31 1 的兩個電極之中位於光射出面3 02a側的像素電極315爲第 一電極，位於反射層側的對向電極317(特別是輔助電極 3 17b)係當作光干涉膜的第二電極。 而且，在第三實施形態的EL顯示裝置401中因基板312 的背面312b爲光射出面302a，故密封膜319無須透明。 此EL顯示裝置401除了以上外係成與第14A圖、第14B 圖所示的EL顯示裝置301 —樣的構成。即使在此EL顯示 裝置401中也能實現不引起混色的鮮明的像。 此外，在上述的說明中雖然輔助電極3 1 7b係藉由干涉 來防止表面反射，惟藉由氧化鉻、鉻、碳纖維等的黑色體形 成輔助電極317b，以在像素電極315防止表面反射也可以。 -44- 1237517 對於此情形，不形成鏡狀的反射層3 1 4也可以。 以下舉實施例，針對本發明更具體地說明。 第16圖係顯示在第MA圖、第14B圖所示的EL顯示 裝置30 1中，當作干涉膜發揮功能的像素電極3 1 5的折射率 n2與波長的關係，底面接觸像素電極315的膜之電洞輸送 層3 16a的折射率ηι與波長的關係之圖。第17圖係顯示使 用這種折射率的像素電極315與50nm厚的電洞輸送層 316a，在像素電極315的厚度d爲50nm、lOOnm、150nm的 各種情形下，像素電極3 1 5的表面中的反射率與波長的關係 之圖。由第17圖得知，像素電極315與電洞輸送層316a的 折射率如第16圖所示的情形，像素電極3 15的厚度d爲 lOOnm的 EL顯示裝置 301係對相對可見度（relative \^以1^川7)高的可視光波段（主要爲40〇11111〜6 5〇11111)爲低的反 射率，即有效地發生干涉作用。 【圖式簡單說明】 第1圖係適用本發明的顯示裝置的分解斜視圖。 第2A圖係第1圖所示的EL顯示裝置的俯視圖，第2B 圖係沿著第2A圖的（Π Β)-( Π B)線的剖面圖。 第3圖係用以說明本實施形態的作用的圖面。 第4圖係用以說明公式（1)的圖面。 第5A圖係與第1圖所示的EL顯示裝置不同的EL顯不 裝置的俯視圖，第5B圖係沿著第5A圖的（V B)-( V B)線的 剖面圖。 第6A圖係與第2A圖、第5A圖所示的EL顯示裝置不 -45- 1237517 同的EL顯示裝置的俯視圖，第6B圖係沿著第6A圖的 (VI B ) - ( VI B )線的剖面圖。 第7 A圖係與第2A圖、第5A圖、第6A圖所示的EL 顯示裝置不同的EL顯示裝置的俯視圖，第7B圖係沿著第 7 A圖的（VH B ) - ( W B )線的剖面圖。 第8圖係與第2Α圖、第5Α圖、第6Α圖、第7Α圖所 示的顯示裝置不同的顯示裝置的剖面圖。 第9圖係與第2Α圖、第5Α圖、第6Α圖、第7Α圖、 第8圖所示的顯示裝置不同的顯示裝置的斜視圖。 第10圖係與第2Α圖、第5Α圖、第6Α圖、第7Α圖、 第8圖、第9圖所示的顯示裝置不同的顯示裝置的斜視圖。 第1 1圖係顯示稜鏡的稜角α與d/p的關係之圖。 第12圖係顯示光學接著劑的厚度k與寬度p的關係之 圖。 第1 3圖係適用本發明的EL顯示裝置的分解斜視圖。 第14A圖係第13圖所示的EL顯示裝置的俯視圖，第 14B圖係沿著第μα圖的（X IV B)-(X IV B)線的剖面圖。 第15A圖係與第14A圖所示的EL顯示裝置不同的EL 顯示裝置的俯視圖，第15B圖係沿著第15A圖的（又又8)-(X V B )線的剖面圖。 第1 6圖係顯示像素電極的折射率與波長的關係，電洞 輸送層的折射率與波長的關係之圖。 第1 7圖係顯示在使用如第1 6圖所示的像素電極與電洞 輸送層的情形下，像素電極中的反射率與波長的關係之圖。 -46- 1237517 元件符號說明 1 顯 示 裝 置 2 顯 示 器 面 板 3 光 學 片 3a、 303 a 微 稜 鏡 3b、 3 03b 薄 片 材 4、 304 光 學 接 著 劑 5、 105 隔 壁 1 1 > 3 11 EL元件 12、 3 12 基 板 12a 表 面 12b 背 面 13、 209 共 通 電 極 13a 、3 17a 電 子 注 入 層 13b 輔 助 電 極 14 絕 緣 膜 15、 3 16 EL層 15a 、3 16a 電 洞 輸 送 層 15b 、3 1 6b 發 光 層 16、 206 '315 像 素 電 極 17、 3 19 密 封 膜 17a 表 面 18、 3 13 絕 緣 被 覆 膜 21、 33 1 電 晶 體 -47- 1237517 101 前面基板 102 背面基板 103 位址電極 104 絕緣體層 106 放電胞 107 螢光體層 108 顯不電極 109 電極對 203 掃描線 204 信號線 205 薄膜電晶體 207 、 210 偏光板 208 彩色濾光片 301 EL顯示裝置 302a 光射出面 303 稜鏡片 3 14 反射層 3 17 對向電極 3 17a 電子注入層 3 17b 輔助電極 3 18 絕緣膜 a 稜角 a、b 間距 B 藍像素 -48- 1237517 d l N d2 高度 e、 p 寬度 G 綠像素 R 紅像素 -49-
Claims (1)
1237517 拾、申請專利範圍： 1· 一種顯示裝置，包含： 平面顯示器面板’複數個像素隔著間隔排列成矩陣 狀’該複數個像素以透光性材料被覆；以及 光學片’用以賦予該平面顯示器面板的正面指向性， 其中 由該複數個像素之中的預定的像素射出，由位於該像 素以外的區域上的該光學片的表面射出到外側正面方向 的光與配置於該像素週邊的週邊像素重疊的寬度爲該週 邊像素的像素寬的2 0 %以下。 2.—種顯示裝置，包含： 平面顯示器面板，複數個像素隔著間隔排列成矩陣 狀，該複數個像素以透光性材料被覆；以及 光學片，用以賦予該平面顯示器面板的正面指向性， 其中 該光學片具有稜角成α的複數個稜鏡， 使由該像素到該光學片的表面的光的射出位置之縱 方向的高度d滿足以下的公式（1)而設定， —^ tan{—+ sin^(—sin—~—)} (l) P 2 η 2 (公式中，n爲由該像素到該光學片的表面的光的該射 出位置之光程的折射率，Ρ爲由該像素到該光學片的表面 的光的該射出位置之橫方向的寬度）。 3 ·如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該寬度ρ係 由該像素到該週邊像素的寬度以下。 -50- 1237517 4·如申請專利範圍第2項所述之顯示裝置，其中該平面顯示 器面板係像素使用電致發光元件的電致發光顯示器面板， 該像素的寬度係該電致發光元件發光的部分的寬 度’由該像素到該週邊像素的寬度係在互相接鄰的電致發 光元件之間不發光的非發光區域的寬度。 5·—種顯示裝置，包含： 平面顯示器面板，複數個像素隔著間隔排列成矩陣 狀’該複數個像素以透光性材料被覆；以及 複數個預定形狀的光學元件，以賦予該平面顯示器面 板的正面指向性的方式，排列於該透光性材料的表面，其 中 使該複數個光學兀件的間距比該複數個像素的間距 小。 6·如申請專利範圍第5項所述之顯示裝置，其中該複數個光 學元件係該透光性材料的表面互相平行排列的剖面三角 形狀的稜鏡。 7·—種顯示裝置，包含： 平面顯示器面板，具有：隔著間隔排列成矩陣狀的像 素；網眼狀的隔壁劃分成矩陣狀的複數個晶胞，俾使該複 數個像素的區域對應該複數個像素；透光性材料，塡充於 藉由該隔壁劃分的該複數個晶胞；以及 複數個預定形狀的光學元件，以賦予該平面顯示器面 板的正面指向性的方式，排列於該透光性材料以及該隔壁 -51- 1237517 的表面。 8 .如申請專利範圍第7項所述之顯示裝置，其中該複數個光 學元件係該透光性材料的表面互相平行排列的剖面三角 形狀的棱鏡。 9· 一種顯示裝置，包含： 平面顯示器面板，複數個像素隔著間隔排列成矩陣 狀’該複數個像素以透光性材料被覆；以及 光學構件，以賦予光學的特性給該平面顯示器面板的 方式配設於該透光性材料的表面，其中 該各個像素具有由該透光性材料側依次疊層有：讓光 透射的透光性電極；電場發光的EL層；抑制在與該EL層 的界面的光的反射用的反射抑制層之構造。 1 〇·如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該反射抑制 層具有電極。 1 1 ·如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中反射光的反 射層係疊層於與該反射抑制層的該透光性電極相反側，該 反射抑制層爲透明電極。 12·如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該反射抑制 層爲 50nm〜150nmo 13·如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該反射抑制 層具有由該EL層進入該反射抑制層內後，再度在該EL層 內進行的光，與在該EL層內進行的光反相位的光學的膜厚。 14·如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該反射抑制 層具有吸收光的黑色體。 -52- 1237517 1 5 .如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該光學構件 係使複數個剖面三角形狀的稜鏡互相平行於該透光性材 料的表面而排列。 -53-
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