TWI229442B - Capacitor in a pixel structure - Google Patents
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Description
1229442 五、發明說明（1) 本發明是有關於一種電容器（Capacitor)結構，且特 別是有關於一種用於薄膜電晶體液晶顯示器（Th i n F i 1 m
Transistor-Liquid Crystal Display ， TFT-LCD)之畫素 儲存電容器結構。 一” 一薄膜電晶體液晶顯示器主要由薄膜電晶體元件和液晶 ，示元件所構成，其中薄膜電晶體元件是由多個薄膜電晶 =^成，並以矩陣的方式排列，且每個薄膜電晶體都有一 二=電極（Pixei Electrode)。而上述之薄膜電晶體係在 上形成間極、通道層、源極/沒極層堆疊而成，而 潯臈：晶體係用來作為液晶顯示單元的開關元件。 相類:膜Ϊ ^體元件的操作原理與傳統的半導體M0S元件 Γ ί常三個端子(閉極、源極…極)的元 其中非…夕與多晶石夕材質兩類，而 電容器用： = 程中，㈣會同時製作畫素儲存 川Λ徑制畫素的売暗狀態。 第1圖所示，1洽千炎 視圖請r:參為 ^^^ t ^ ® ^ ^ ^ t ^ 12 τ ^ 極104以及位於下電極1〇1:構包括一下電極102、一上電 108。形成此晝素儲存^上電極104之間之一介電層 100上形成一下電極丨谷裔結構之方法係首先於一基板 層108，接著，於介後於下電極102上形成一介電 於η電層ι〇δ上形成一上電極1〇4，其中所
7640twf.ptd 第5頁 IHl 1229442 •五、發明說明（2) 形成之上電極1 0 4係對應於下電極丨〇 2，以使下電極1 〇 2與 上電極1 0 4之間形成一耦合區。然後，形成一保護層丨丨〇以 覆蓋住上電極104與介電層丨〇8，之後，圖案化保護層丨1〇 以形成一開口 1 0 6，暴露出部分上電極丨〇 4，再於保護層 110上與開口 106中形成一晝素電極112，以使畫素電極112 與上電極104耦接。由於開口1〇6係用來使上電極104與晝 素電ζ1上2九V Λ此。’開口106之處係、定義成-接觸區。 # r ^ 2 。I各器發生短路之現象時，會造成有亮點 線：除，：合::2 ’如果直接將具有缺陷的電容器之電極 其他畫素，將造成淡 缺陷發生時，無法對其進行；：以,设什’將使得此種 因此，本發明的目的日 結構，以在儲存電容$辂4疋在槌供一種畫素儲存電容器 作。 電谷益發生短路時，可對其進行修補之動 本發 畫素電極 上電極以 上電極具 極，以使 延伸超出 層，且此 保護層之 上電極電 明提出一種全去 下方，此佥；2:電容器結構，其係配置於- 及配置構包括一下電極、- 有一輕合部極之間之-介電層。其中 下電極與輕：部成輕：：係對應於下電 此耦合區。在上雷搞:成耦〇區，而凸出部係 保護層具有—開口；^方更包括覆蓋有一保護 上方係配置一蚩音;、露上電極之凸出部。而在 性接觸。a φ ^!並於保護層之開口處盥 -中位於開口處與耦合部之間上方：：
1229442 •五、發明說明（3) 素電極具有一切割開口暴露保護層。 本發明藉由將晝素儲存電容器中用以與晝素電極耦接 之開口處移至晝素儲存電容器耦合區之外部，因此，當儲 存電容器發生短路時，可切除用來與晝素電極接觸之開口 處，進而進行修補，因此，可改善習知對於儲存電容器發 生短路所造成之亮點缺陷無法修補之問題。 為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明 顯易懂，下文特舉一較佳實施例，並配合所附圖式，作詳 細說明如下： 圖式之標示說明： 100、30 0 :基板 102、30 2 :下電極 104、304 ··上電極 I 0 6、3 0 6 :開口 108、30 8 :介電層 II 0、3 1 0 :保護層 1 1 2、3 1 2 :晝素電極 3 0 1 :凸出部 3 0 5 :耦合部 3 1 4 :切割道開口 實施例 第3圖，其繪示為依照本發明一較佳實施例之畫素儲 存電容器結構之上視圖；第4圖，其繪示為第3圖由II-ΙΓ 之剖面示意圖。
7640twf.ptd 第7頁 1229442 •五、發明說明（4) 本發明之書辛儲在雷 ·— -資料配線之間：儲；；(谷//構係形成在1極配锼虚 位於晝：;af 薄膜電晶體配置之::ί包括有 極係鱼門朽下方之晝素儲存電容器。薄膜ί ΐ電極以及 接，：薄膜電晶體…係係與資料配線輪 方法參照第3圖與第4圖電一 302 ^ ////3〇0 " ^ # ^ 了馬於形成薄膜電晶體 共中下電極 份，其材質例如為金屬之\問極時形成的一部 形成-介電層30 8，其中介電層3〇8:、】3:0與'電極302上 之閘絕緣層時所同時形成的，其質例；薄膜電晶體 诒，—入 丹何貝例如為氮化石々 ，丨電層308上形成一上電極304 ,其中上雷搞q。之 為於形成薄膜電晶體之源極盥汲極砗主 、極304係 其材質例如為金屬。 …及極時同時形成的-部份， 其中，本發明所形成之上電極3〇4具有一搞合部3〇5盘 凸出部301。上電極30 4之耦合部3 05係對應於下電極" 302 ’以使下電極302與上電極3〇4之耦合部3〇5之間形成一 搞合區（儲存電容區）。而上電極304之凸出部305係延伸赶 出下方之下電極3 02，而位於耦合區之外。 σ 之後，在上電極3 0 4上形成一保護層31 〇，其中保護層 3 1 0係於形成薄膜電晶體之保護層時所同時形成的，其材 質例如為氣化石夕。接著’圖案化保護層3 1 0，以形成一開 口 30 6而暴露出部分上電極304。之後，在保護層31 〇與開 7640twf.ptd 第8頁 1229442 五、發明說明（5) 口 306中形成一畫素電極312，以使畫素電極312盥上電極 304耗接，其中晝素電極312之材質例如為氧化銦錫。而開 口 =6係用來使晝素電極312與上電極3〇4輕接，故此處亦 可疋義為—接觸區。 之後，圖案化晝素電極312，以在開口3〇6盥 305之間的凸出部301上方之晝素電極312上形成、一切口 開口 314，以用來切除用來與書辛 ° 3〇6。 个，、息素電極312電性連接之開口 形成之畫素儲存電容器結構之上電極304之凸出 二Λ延伸素儲存電容器之耦合區之外，且此畫素 在麵合區外。因此，極312麵接之開口306係位 卜因此田畫素儲存電容器發生短路象 道:： 缺陷進行修補。 於因儲存電容器短路而引發之亮點 溫，書·^電3二1二Γ 5:防止進行雷射切割時，因其高 觸，使後又與上電極304又產生炼合接 來與畫素電素儲存電容器結#，因將用 此，用來盘；處向電極線-侧凸出延伸，因 而不影響以開口處可單獨與電極線切開， 改善習知對上的其他儲存電容。如此，可 法修補之缺，點。另夕卜n ^丑路時而造成之亮點缺陷無 一切割道開口 31 4於凸出延伸 1229442 五、發明說明（6) 部位，可有效避免切割失敗。 * 雖然本發明已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精 神和範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
7640twf.ptd 第10頁 1229442 圖式簡單說明 第1圖為習知一種畫素儲存電容器結構之上視圖； 第2圖是第1圖由Ι-Γ之剖面示意圖； 第3圖是依照本發明一較佳實施例之晝素儲存電容器 結構之上視圖，以及 第4圖是第3圖由11-11’之剖面示意圖。
7640twf.ptd 第11頁
Claims (1)
1229442 -六、申請專利範圍 1. 一種畫素儲存電容器結構，包括： 一下電極，位於一基板上； 一電容介電層，覆蓋於該下電極及該基板上； 一上電極，位於該電容介電層上，該上電極具有一耦 合部與一凸出部，其中該耦合部係對應於該下電極，以使 該下電極與該耦合部之間形成有一耦合區，而該凸出部係 延伸超出該耦合區； 一保護層，覆蓋過該上電極，其中該保護層具有一開 口以暴露該上電極之該凸出部；以及 一畫素電極，覆蓋過該保護層，並於該開口處與該上 電極電性接觸。 2. 如申請專利範圍第1項所述之晝素儲存電容器結構， 其中該下電極之材質包括一金屬。 3. 如申請專利範圍第1項所述之畫素儲存電容器結構， 其中該上電極之材質包括一金屬。 4. 如申請專利範圍第1項所述之畫素儲存電容器結構， 其中該晝素電極之材質包括氧化銦錫。 5. 如申請專利範圍第1項所述之晝素儲存電容器結構， 其中該電容介電層之材質包括氮化矽。 6. 如申請專利範圍第1項所述之畫素儲存電容器結構， 其中該保護層之材質包括氮化石夕。 7. —種儲存電容器結構，其對應於一晝素，該儲存電 容器結構包括： 一下電極位於一基板上；
7640twf.ptd 第12頁 1229442 .六、申請專利範圍 一介電層於該下電極之上； 一上電極對應於下電極，位於該介電層之上，其中該 上電極具有一耦合部與一凸出部，該耦合部係對應於該下 電極，形成一儲存電容區，而該凸出部係延伸超出該儲存 電容區； 一保護層，覆蓋過該上電極，且具有一開口以暴露該 上電極之該凸出部；以及 一晝素電極，覆蓋過該保護層，並於該開口處與該上 電極電性耦接，其中位於該開口與該耦合部之間上方的該 畫素電極具有一切割開口而暴露出該保護層。 · 8. 如申請專利範圍第7項所述之儲存電容器結構，其中 該下電極之材質包括一金屬。 9. 如申請專利範圍第7項所述之儲存電容器結構，其中 該上電極之材質包括一金屬。 1 0.如申請專利範圍第7項所述之儲存電容器結構，其 中該畫素電極之材質包括氧化銦錫。 11.如申請專利範圍第7項所述之儲存電容器結構，其 中該介電層之材質包括氮化矽。
7640twf.ptd 第13頁
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