TWI228751B - Method and apparatus for multilayer photoresist dry development - Google Patents

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Description

1228751 五、發明說明（1) 一、【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種基板t雷f _ 於一種$屌# 4^ 處方法與設備，尤關 、 種夕層光阻乾式顯影用之方法。
一1 =案與西元2003年3月31日申請之美國臨時專利 t =案第60/458, 430號及西元2〇〇3年5月5日 專J 時專利申請案第60/484, 225號有關並主張其2先權日； 此將其所有内容列為參考資料。，♦ a Φ ^ ^ ^本申鮰案與西元20 02年12 月23日申印之第60 /435, 286號申請 用之方法與設備」有關；在此蔣1 % 士雙層九阻乾式顯影 # 另丨荆，在此將其所有内容列為參考資 二、【先 在半 除或餘刻 介層孔或 全面圖案 處理室之 預設流量 中，同時 在之一定 前技術】 導體處理期 掉沿著微細 接觸孔中的 化之保護層 中。一旦基 之可離子化 節流真空泵 比例的氣體 其中上述電 變而加熱、 器（ECR ) 成電漿， 功率的轉 迴旋共振 氣體物種中的某些物 間，（乾式）電漿蝕刻處理可用於去 線路的材料或圖案化在矽基板之上的 材料、。電漿蝕刻處理通常包括將具有 的半導體基板，例如光阻層，定位在 板定位在處理室之中後，立即將具有 且分離的氣體混合物導入處理室之 :達到大氣處理壓力。之後，當所存 物種被已加熱之電子離子化時，即形 子係藉由電感型或電容型射頻（RF ) 或利用微波功率而加熱，例如，電子 >又，已加熱之電子用以分離大氣之 種且產生適用於露出表面的蝕刻化學
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二、【發明内容】 本發明係關於一種基板之雷將卢 於-種多芦朵旦,二電水處理方法與設備，且齡
-種多層遮罩本身。 7法一備。本發明亦關來 在本發明之一實施樣態之中，係說明一種電漿處理系 統中之基板上的抗反射塗佈（ARC )層之蝕刻方法與設 備。通入含有一種或更多之共同含有氨（NH3)的氣體且含 有鈍化氣體的一處理氣體。由電漿處理系統之中的處理氣 體形成電漿。使基板曝露於電漿。
在本發明之另一實施樣態之中，係說明一種用以蝕刻 基板上之薄膜的雙層遮罩之形成方法。在基板之上形成薄 膜。在薄膜之上形成抗反射塗佈（ARC )層。在ARC層之上 形成光阻圖案。使用含有一種或更多之共同含有氨（nh3) 的氣體與鈍化氣體的處理氣體蝕刻ARC層，俾將光阻圖案 轉移到ARC層。 此外，一種電漿處理系統中之基板上的多層遮罩之側 壁的平滑化方法，包含以下步驟：一處理氣體通入步驟，
第9頁 1228751 五、發明說明（3) ΪΪ理ΐ體具有一種或更多之共同含有氨（nh3)的氣體 中的該處理氣體形成ΐ形成步驟，由該電漿處理系統之 於該電漿，盆中續純2漿；及一曝露步驟，使該基板曝露 上形成一鈍&膜了俾ΐ氣體係有助於在該多層遮罩的側壁 兹將參照附隨的Γ吏該侧壁之表面粗链部平滑化。 似的參考符號指示類：：，以說明本發明。在圖示中’相 从的元件。 四、【實施方式】 在材料處理方法Φ 塗佈薄層的感光的材料，圖案蝕刻係包含在基板的上表面 阵，俾能提供蝕刻期4用例如光阻，並接著圖案化此光 罩❶感光材料的圖案彳用s以將此圖案轉移到覆蓋薄膜的遮 的標線板（及相關光學_二，括以穿過所使用之感光材料 光刻系統，接著使用_二）之輻射源加以曝光，例如微 (在正型光阻的情況it;谷劑去除照射區域之感光材料 贺光阻的情況下）。客爲:或非照射區域之感光材料（負 部。例如，如圖1A至圖；CJ罩=蝕刻薄膜中的特徵 所形成之圖案2的感光芦3 有具備由習知光刻技術 (AKC )層7係當作用二 曰遮罩6f有機抗反射塗佈 使用在薄膜4的主要蝕巧/土反&上之薄膜4的遮罩，其中 雜而將感光層3之中的的獨立之敍刻步 在-實施例中含遮有罩氨圖^ =到道層7。 係用於雙層光阻乾式顯影用與鈍化氣體的處理氣體 貝&用之方法之中。例如，鈍化氣體 第10頁 1228751 五 、發明說明（4) 包括碳氫氣體，例如c2h4、ch4、c2h2、c2h6 H8、c4h6、c4h8、c4h10、c5h8、c5h10、c η、r H B r u6 °3 中的至少其一。 5 10 CA、c6H10、及C6H12等等 雖然上述實施例說明對基板5上的薄膜4的餘刻，但 可對具有或不具薄膜4的基板5進行餘刻。 依據-貫施例’圖2所不之電漿處理系統】係包含 ^理室10、連接至電聚處理室10的診斷系統12、及至 :斷系統12與電漿處理室10的控制器“。控制器 執行具有上列化學物中的至少其一的製程配方，俾餘 機ARC層。此外，控制器14係用以從診斷系統12接收至少 一終點信號且後處理至少一終點信號，俾能準確地確定處 理的終點。在所示的實施例中，圖2所示之電漿處理系统i 係利用電漿進行材料處理。電漿處理系統丨係包含蝕刻 室0 依據圖3所示之實施例，電漿處理系統1&係包含電聚 處理室10、基板夾具20，供待處理之基板25固定在其上、 及抽真空系統3 0。基板2 5為，例如，半導體基板、晶圓或 液晶顯示面板。電聚處理室1 0為，例如，用以促進與基板 25之表面相鄰之處理區15之中產生電漿。經由氣體注入系 統（未圖示）通入可離子化的氣體或氣體混合物且調整^ 理壓力。例如，控制機構（未圖示）可用以節流抽真空系 統3 0。電漿可用以產生預定之材料處理所需的特定材料， 及/或幫助從基板25的外露表面去除材料。電聚處理系統 la係用以處理200mm基板、300mm基板、或更大者。
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基板25為，例如，藉由靜電夾鉗系統而固定於 具20。又，基板夾具20 ,例如，更包括具有再循環媒流 體的冷卻系統，其可從基板夾具2〇吸收熱量並將熱量傳遞 至熱交換器系統（未圖示）、或當加熱時，將熱量從熱交 換器系統傳遞到基板夾具2〇。此外，可藉由背側氣體系統 將氣體，例如，傳送到基板2 5的背側，俾能提高基板2 5與 基板夾具20之間的氣體一間隙的熱傳導性。當提高或降^ 基板，度而需要進行溫度控制時，就可使用此種系統。例 如二背側氣體系統包括兩區段的氣體分佈系統，其中氦氣 的氣隙壓力在基板2 5的中央與邊緣之間可獨立地產生變 化。在其它實施例中，不僅基板夾具2〇之中可具有加埶/ 冷卻元件，例如電阻式加熱元件、或電熱式加熱器/冷卻 器，且電漿處理室10與電漿處理系統卜之中的任一元件的 壁面中亦可具有加熱/冷卻元件。 在圖3所示的實施例中，基板夾具2〇包括電極，而評 功率可經由此電極連接至處理空間丨5之中的處理電漿。例 如’藉由從RF產生器4〇通過阻抗匹配網路5〇而傳遞至基板 夾具20的RF功率而使基板夾具2〇在”電壓時為電性偏壓。 RF偏壓係用以加熱電子而形成並保持電漿。在此結構中，
=統係如同反應性離子蝕刻（RIE)反應器之操作，其中 處理*室與上氣體注入電極係當作接地面。通常，RF偏壓的 ，率範圍從〇· 1MHz到100MHz。電漿處理所需的RF系統已為 晃、悉本項技藝人士所熟知。 又，在多個頻率下對基板夾具電極施以叮功率。又，
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阻抗匹配網路5 0可藉a膝# e > a t 雷確卢功率而用以提高轉移到 電漿處理至10之中的電漿之RF功率。匹配網路型 L型、N型、T型等等）盥白翻批也丨古、土 & 4 &丄 』如 所熟余 寸；興自動控制方法為熟悉本項技藝者 抽真空系統30， 5000公升（及更大） 節流處理室壓力的閘 漿處理裝置中，通常 適用於低壓處理，通 大於lOOmTorr)的情 泵。又，將監視處理 聚處理室1 0。壓力測 里蘭州安德瓦市）所 力計。 例如，包括抽真空速度能夠到達每秒 的渦輪式分子真空泵（TMP )與用以 閥2 5 4。在乾式電漿姓刻用之習知電 採用每秒1 0 00至300 0公升的TMP。TMP 常低於50mTorr的情況。在高壓（即 況時’則使用機械增壓泵及乾式概略 至壓力用之裝置（未圖示）連接至電 量裝置為，例如，MKS儀器公司（馬 販售的628B型巴拉德龍電容式絕對壓 控制器1 4係包含微處理器、記憶體、及數位I/O埠， 二不僅能夠產生足以傳達並引起輸入到電漿處理系統la的 =制電壓、、更能夠監視電漿處理系統1&的輸出。又，控制 ^14不僅連接至rF產生器4〇、阻抗匹配網路5〇、氣體注入 ^統（未圖二）、抽真空系統3〇，更連接至背側氣體輸送 '、統（未圖不）、基板/基板夾具溫度測量系統（未圖示 及/或靜電夾钳系統（未圖示），並與其交換資訊。 儲存於記憶體之中的程式係根據製程配方而引起到 沾’處理系統la之前述元件的輸入，俾能進行有機ARC層 、蝕刻方法。控制器1 4的一實例為美國德州奥斯汀市之戴
1228751 五、發明說明（Ό 爾公司的戴爾精密工作站6 1 〇τμ。 診斷系統1 2具有光學診斷子系統（未圖示）。光學珍 斷子系統係包括例如（矽）光電二極體或光電倍增管 (ΡΜΤ )等用以測量電漿所發出之光線強度的偵測器。診 斷系統1 2更具有濾光器’例如窄頻干涉濾光器。在另一實 施例中，診斷系統1 2具有中的至少其一直線型ccd (電荷 耦合裝置）、CI D (電荷注入裝置）陣列、及光柵或稜鏡 等分光裝置。此外，診斷系統1 2具有用以測量特定波長之 光線的單色儀（例如光柵/偵測器系統）、或用以測量光 譜的分光計（例如旋轉式光柵），例如美國專利第5, 888, 337號所揭露之裝置。 診斷系統1 2具有例如尖峰感測系統或維樂帝儀器公司 的面解析度發射光譜（OES )感測器。此種〇ES感測器具有 跨越紫外光（UV)、可見A(VIS)、及近紅外光（NIR) 光譜的寬譜。解析度約14埃’亦即此種感測器能夠收集 2一40至^〇〇〇nm之間的555〇種波長。例如，〇Es感測器可配備 命，，的小型光纖UV-VIS_NIR分光計，並接 48 之直線型CCD陣列整合成一體。 ^計係接收經由單一且成拥之光纖傳遞而來的光 型二广纖所輸出之光線係跨越具有固定之光柵的直線 1CCD陣列而色散。類似於上述結 的光線係對凸球面鏡聚隹在朵纏的趴λ山過先子真工由孔 4 Κ兄歎焦在光纖的輪入端之上。三個各用 理(UV、VIS_R)的分光計係構成處 至斤治的感測盗。各分光計具有獨立的A/D轉換器。近
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五、發明說明（8) 年來’依據感測器的用途，每〇 1至1 n 的發射頻譜。 .1至丨·0秒可記錄一個完整 於圖2如Λ4Γ示之實施例，電聚處理系統1b，例如，類似 固=或圖3之實施例且除了圖2及圖3的元件之外，更包含 械性或電性旋轉的磁場系統6〇，俾能潛在地提 俦ίί 或改善電漿處理均勻#。此外，控制器5 磁場系統60 ’#能調整旋轉速度及磁場強度：旋 轉磁％的設計與實施為熟悉本項技藝者所孰知。 於圈2如Λ5Γ示，實施例’電漿處理系統1C，例如，類似 於圖2或圖3的實施例，且更包含上電極7〇，而來自RF產生 盗72的RF功率係通過阻抗匹配網路74連接至上電極π。施 加於上電極之RF功率所需的典型頻率範圍為〇 "“至 200MHz ^此外，施加於上電極之以功率所需的典型頻率範 圍為〇· 1MHz至100MHz。此外，控制器14係連接至以產生器 72與阻抗匹配網路74，俾能控制施加於上電極7〇的評功β 率。上電極的設計與實施為熟悉本項技藝者所熟知。 如圖6所示之實施例，電漿處理系統^，例“如，類似 於圖2及圖3之實施例，且更包含感應線圈8〇，而來自“產 生器8 2的R F功率係通過阻抗匹配網路8 4連接至感應線圈 8〇。來自感應線圈80的RF功率係通過介電窗孔（未圖示） 而感應性連接至電衆處理區1 5。施加於感應線圈8 〇 F功 率所需的典型頻率範圍為10MHz至100MHz。相同地，施加 於失具電極之RF功率所需的典型頻率範圍為01MHz至 100MHz。此外’可採用有槽的法拉第屏障（未圖示）降低
第15頁 1228751 五、發明說明（9) 感應線圈8 0與電漿之間的電容耦合。此外，控制器丨4係連 接至RF產生器82與阻抗匹配網路84，俾能控制施加於感應 線圈80的功率。在另一實施例中，感應線圈8〇為「螺旋」 線圈或「盤狀」線圈，俾能與變壓器耦合電漿（Tcp )反 應器之中的電漿處理區15相通。電感耦合電漿（icp) 源、或變壓器耦合電漿（TCp )源的設計與實施為熟悉本 項技藝者所熟知。 又，可利用電子迴旋共振器（ECR )形成電漿。在又 一實施例中’電漿可隨著赫利康波的射出而形成。在又一 實施例中’電漿可隨著傳播表面波而形成。上述各電漿源 為熟悉本項技藝者所熟知。 在以下說明中，將揭露利用電漿處理裝置的有機ARC 層之i虫刻方法。例如，電漿處理裝置係包含例如圖2至圖6 所示之各種元件，及其組合。 在一實施例中，有機arc層的蝕刻方法係包含nh3與碳 氫氣體，例如c2h4、ch4、c2h2、c2h6、c3h4、c3h6、c3h8、c4h 6、c4h8、c4h1()、c5h8、c5h10、c6h6、c6h10、及c6h12 等等中的至 少其一。例如，處理參數空間包括20至lOOOmTorr的處理 室壓力、流量範圍從50至^⑽％』2ΝΗ3處理氣體、流量範 圍從5至l〇〇sccm之碳氫處理氣體、範圍從50 0至2〇〇〇w的上 電極（例如圖5之元件70 ) RF偏壓、及範圍從10至5 0 0W的 下電極（例如圖5之元件2 0 ) RF偏壓。又，上電極偏壓頻 率的範圍從0· 1MHz至20 0MHz，例如，60MHz。此外，下電 極偏壓頻率的範圍從〇. 1MHz至100〇2，例如，2MHz。
第16頁 1228751 五、發明說明（10) 在貝例中，揭露利用如圖5之電漿處理裝置的有機 ARC層之蝕刻方法。鈇而，太放DO _ ^ ^ …、而本發明之範圍並不僅限於所述 表，1顯示利用下列之例示性製程配方敍刻出有 機ARC層之中的特徵部之關鍵尺寸：處理室壓力= lOOmTorr ;上電極RF功率=l2〇〇w ;下電極rf功率= i〇〇w ;處理氣體流量NH3/C2H4=45〇/5〇sccm ;電極7〇之下表 面（如圖5)與基板夾具20上的基板25之上表面之間的電 極間隔為55;下電極溫度（例如圖5之基板夾具2〇) =2〇 f，上電極溫度（例如圖5之電極7〇 ) = 6〇它；處理室壁 ’皿5〇 C，者侧乱壓力中央/邊緣= i〇/35T〇rr ;及180秒 的蝕刻時間。 NH3/C2H4 中央 邊緣 頂部光阻殘留 478 nm 493 nm 底部CD/偏差一MC 154/6nm 147/-3 nm 底部CD/偏差一CA 138/-5 nm 134/-9 nm 表格1 (光阻一PR ;關鍵尺寸一CD)。
表格1呈現（金屬接觸（MC)與接觸（CA)兩者之） 結果，例如ARC層蝕刻之後的殘留光阻厚度、ARC特徵部的 頂部與底部之關鍵尺寸、及關鍵尺寸的偏差，其中關鍵尺 寸的偏差顯示出CD從頂部到底部之變化（即負偏差代表CD 端小，及正偏差代表CD變大）。此外，顯示中央及邊緣處
第17頁 1228751 五、發明說明（11) 的資料。此種資料代表保持CD之處理的成功及縮小CD之可 能性。 在另一實施例中，處理化學物更含有氦（He 理過程通入氦將減小特徵部之側壁粗糙度 一般而言，利用設計實驗（DOE )技術決定蝕刻時 間；然而，亦可利用終點偵測加以決定。終點偵測之一可 行方法為監視電漿區之一部份的發光光譜，其顯示：由於 ARC層的蝕刻已實質接近完成且接觸底層材料臈，故電漿 化學物質已發生變化。例如，顯示出此種變化之局部光譜 ’括38 7.2nm的波長（氮化碳（CN))，並可使用°^ : 4 ( OES )加以測量。在對應於所有特定閾值之 光位準之後（例如降低到實質為零或增大到高於牲、―的發 )，即可視為達到終點。亦可使用其它具有終點次，位準 長。又，可將蝕刻時間延長到包括過蝕期間，其2矾的波 間為開始蝕刻處理與終點偵測相關之時間點之門過蝕期 一部份（即1至1 〇 〇 % ) 。 1曰的期間之 圖7代表本發明之一實施例的電漿處理系统 上的抗反射塗佈（ARC )層之蝕刻方法的流程=基板 法400開始於步驟41〇，其將處理氣體通入電漿声餘刻方 中，其中處理氣體具有含氨（NH3 )的氣體，與二^統之 例如，鈍化氣體包括碳氫氣體，如c 、c H 、 氣體。 c3h4 > c3h6 ^ c3h8 . c4H6 > c4h8 ^ c4h10 . c5h8 ^ c45h10 ' c Η〇2Ηβ '
10、及C^2中的至少其一。又，處理氣體更含有氦6 (^、CeH
第18頁 1228751
統 漿 在步驟420中，使用，例如 或其組合使處理氣體形成為 圖2至圖6所示之任一系 電聚處理糸統之中的電 在步=430中，使具有咖層的基 如，在使具有肌層的基板曝露於電浆 ;^ ^ ㈣MC層所需的時間所決定、或由光阻圖案心：:由 所需的時，所決定。一般而言，穿過整個ARC層：而層 使光阻圖案轉移所需的第一期間為預定的。又又 二期間或過蝕期間進一步捭#J稭田弟 如Η Μ - ^ ^ 第—期Μ。如上所述，過餘 期間係_』間的的-部# ’例如i Si则 間包括終點偵測之外的延長_。 圖8代表本發明之另一實施例的用以蝕刻電漿處理系 統中之基板上的薄膜之雙層遮罩的形成方法。此 如流程，〇〇所示，開始於步驟51。，其在基板之上J成； 膜。此薄膜係、包含氧化層，例如二氧化石夕（Si〇2 )，且其 由包括化學氣相沉積（CVD) #各種處理所形成。 、 在步驟5 2 0中，在基板之上形成覆蓋薄膜的抗反射塗 佈（A R C )層。A R C層為，例如，使用如旋轉塗佈系統等習 知技術所形成的有機ARC層。 在步驟5 3 0中，在基板之上形成覆蓋ARC層的光阻圖 案使用如光阻旋轉塗佈系統等習知技術形成光阻膜b e。 使用如步進式微光刻系統等習知技術、與顯影劑在光阻膜 之中形成圖案。 ' 1228751 五、發明說明（13) 在步驟5 40中，將光阻圖案轉移到ARC層，俾能形成雙 層遮罩。使用乾式餘刻技術而達成圖案轉移，其中在使用 具有含氨（NH3)的氣體，與鈍化氣體之處理氣體的電漿處 理系統之中進行蝕刻處理。例如，鈍化氣體包括碳氫氣 體，例如C2H4、CH4、C2H2、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、C4H6、C 4H8、c4h1q、C5H8、C5H1Q、C6H6、C6H1Q、及 C6H12 等等中的至少 形2的電漿。使具有ARC層的基板曝露於電漿的第一期間 通常由颠刻ARC層所需的時間所決定、或由光阻圖案轉移 到ARC層所需的時間所決定。一般而言，穿過整個ARC層的 2度而，光阻圖案轉移所需的第一期間為預定的。然而， /、型可藉由第二期間或過蝕期間進一步增長第一期間。如 上所述’過姓期間係第一期間的一部份，例如1至1 0 0 % ， 且此過蝕期間包括終點偵測之外的延長蝕刻。 其一。又’處理氣體，如上所述，更含有氦（He)。使 用’例如，圖2至圖6所示之任一系統使處理氣體形成為電 衆處理系統之中的電漿，並使具有ARC層的基板曝露於所 圖9A及圖9B分別代表蝕刻後的多層遮罩之側視圖及上 。特徵部60 0具有穿過感光層64 0與ARC層65 0的側壁 圖9B所而干側，表面粗糙部62 0則在蝕刻期_ 刻後的多、有助於形成鈍化膜630，俾能減小餘 7 =巡卓之表面粗糙部6 2 0。 下，可获士 〃 要在不脫離本發明之精神的情況 曰 壬一變化型式據以實施本發明。故本發明之矿
第20頁 之人ί 3 :由上述各實施例說明本發明，❻熟悉本項枯黏 之人士應清楚瞭缺· 、技藝 1228751 五、發明說明（14) 圍係包括上述各實施例及其變化型態。 uni 1228751 圖式簡單說明 五 [ 圖示簡單說明】 圖 1A、圖1B及圖1C顯示薄膜之圖案蝕刻的典型步驟示 意 圖 〇 圖 2顯示本發明之一 實施例的電 漿 處 理 系 統 之 簡 化 示 意 圖 〇 圖 3顯示本發明之另 一實施例的 電 漿 處 理 系 統 之 示 意 圖 〇 圖 4顯示本發明之另 一實施例的 電 漿 處 理 系 統 之 示 意 圖 〇 圖 5顯示本發明之另 一實施例的 電 漿 處 理 系 統 之 示 意 圖 〇 圖 6顯示本發明之另 一實施例的 電 漿 處 理 系 統 之 示 意 圖 〇 圖 7代表本發明之一 實施例的電 漿 處 理 系 統 中 之 基 板 上 的 抗 反射塗佈（ARC ) 層之蝕刻方 法 〇 圖 8代表本發明之另 一實施例的 用 以 名虫 刻 基 板 上 的 薄 膜 之 雙 層遮罩的形成方法。 圖 9A及圖9B顯示多層遮罩之示意圖· 0 [ 元 件 符號簡單說明】 1， ‘ 1 a 、：1 b、1 c、1 d 電漿處理系統 10 電 漿處理室 12 診 斷系統 14 控 制器
第22頁
1228751 圖式簡單說明 1 5 處理空間（或處理區） 2 圖案 20 基板夾具（或下電極） 2 5、5 基板 3、640 感光層 30 抽真空系統 4 薄膜 40、72、82 RF 產生器 400 蝕刻方法
410 至4 30、510 至5 40 步驟 5 0、7 4、8 4 阻抗匹配網路 5 0 0 遮罩形成方法 6雙層遮罩 60 磁場系統 6 0 0 特徵部 610 側壁 6 2 0 表面粗链部 6 3 0鈍化膜 650、7 抗反射塗佈（ARC )層
7 0 上電極 80 感應線圈
第23頁

Claims (1)

1228751
六、申請專利範圍 1 · 一種抗反射塗佈層之蝕刻方法，用以蝕刻一電聚處理系 統中之一基板上的抗反射塗佈（ARC )層，包含以下步 驟： 一處理氣體通入步驟，該處理氣體具有一種或更多之 共同含有氨（nh3)的氣體，並含有一鈍化氣體； 一電漿形成步驟，由該電漿處理系統中的該處理氣體 形成電漿；及 ” ' 曝路步驟’使该基板曝露於該電聚。 2 ·如申請專利範圍第1項之抗反射塗佈層之餘刻方法，其 中該鈍化氣體包括一碳氫氣體。 / 、 3·如申請專利範圍第1項之抗反射塗佈層之蝕刻方法，盆 中該鈍化氣體包括C2H4、（:H4、C2H2、（:2h6、（:3h4、（:3H6、（： i ：Μδ ' C4iil° '〇5Ηδ 'CsH- ' CeH« ' ' ^C6H12 t 如申請專利範圍第1、2 A 丁明号列耗圓乐1、2或3項之抗反射塗 法，其中該處理氣體更含有氦。 《I蝕刻方 5中：：請專利範圍第4之抗反射塗佈層之餘刻方 垓基板曝露於該電漿的曝露步驟進行達一第一期門 .如申請專利範圍第5項之抗反射塗佈層之餘刻方法，其
第24頁 1228751 六'申請專利範圍 中該第一期間由終點偵測所決定 ^ $申請專利範si第6項之抗反射塗 中該終點偵測包含發光光譜分析。β㈣方法’其 8由如申請專利範圍第5項之抗反射 Π:;期間係相當於層的其— 反二？層…方法，其 ίο. —種雙層遮罩之形成方法，該雙層遮罩用以蝕刻一基 板上之薄膜，該雙層遮罩之形成方法包含以下步驟：土 薄膜形成步驟’在該基板上形成該薄膜； 一抗反射塗佈（ARC )層形成步驟，在該薄膜上形成 一抗反射塗佈（ARC )層； 一光阻圖案形成步驟，在該ARC層上形成一光阻圖 案；及 一轉移步驟’使用含有一種或更多之共同含有氨（nh3 )的氣體且含有一鈍化氣體的一處理氣體蝕刻該arc層， 俾將該光阻圖案轉移到該ARC層。 11.如申請專利範圍第1 0項之雙層遮罩之形成方法，其中
第25頁 1228751 六、申請專利範圍 該鈍化氣體包括一碳氫氣體。 1 2.如申請專利範圍第1 0項之雙層遮罩之形成方法，其中 該鈍化氣體包括 C2H4、CH4、C2H2、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、C 4H6、C4H8、C4H10、C5H8、C5H10、C6H6、C6H10、及 C6H12 中的至少 其一。 1 3.如申請專利範圍第1 Ο、1 1或1 2項之雙層遮罩之形成方 法，其中該處理氣體更含有氦。 1 4.如申請專利範圍第1 0項之雙層遮罩之形成方法，其中 使對該基板的蝕刻進行達一第一期間。 1 5.如申請專利範圍第1 4項之雙層遮罩之形成方法，其中 該第一期間由終點偵測所決定。 1 6.如申請專利範圍第1 5項之雙層遮罩之形成方法，其中 該終點偵測包含發光光譜分析。 1 7.如申請專利範圍第1 4項之雙層遮罩之形成方法，其中 該第一期間係相當於該ARC層的蝕刻時間且被延長了一第 二期間。 1 8.如申請專利範圍第1 7項之雙層遮罩之形成方法，其中
第26頁 1228751 六、申請專利範圍 該第二期間為該第一期間的一部份。 1 9. 一種電漿處理系統，用以蝕刻基板上之抗反射塗佈 (ARC )層，包含： 一電漿處理室，用以將一處理氣體形成為一電漿；及 一控制器，連接至該電漿處理室，且用以藉由該處理 氣體執行一製程配方，其中該處理氣體具有一種或更多之 共同含有氨（NH3)的氣體，並含有一鈍化氣體。 2 0.如申請專利範圍第1 9項之電漿處理系統，其中該電漿 處理系統更包含一診斷系統，其連接至該電漿處理室，並 連接至該控制器。 2 1.如申請專利範圍第2 0項之電漿處理系統，其中該診斷 系統用以接收與自該電漿發出之光線有關的信號。 2 2.如申請專利範圍第1 9項之電漿處理系統，其中該鈍化 氣體包括一碳氫氣體。 2 3.如申請專利範圍第1 9項之電漿處理系統，其中該鈍化 氣體包括C2H4、CH4、C2H2、C2H6、C3H4、C3H6、C3H8、C4H6、C 4H8、C4H1()、C5H8、C5H10、C6H6、C6H1Q、及 C6H12 中的至少其
1228751 六、申請專利範圍 2 4.如申請專利範圍第19、22或23項之電漿處理系統，其 中該處理氣體更含有氦。 2 5.如申請專利範圍第2 0項之電漿處理系統，其中該控制 器使該基板曝露於該電漿達一第一期間。 2 6.如申請專利範圍第2 5項之電漿處理系統，其中該第一 期間由終點偵測所決定，而該終點偵測則由該診斷系統所 決定。
2 7.如申請專利範圍第2 6項之電漿處理系統，其中該診斷 系統含有一發光光譜分析裝置。 2 8.如申請專利範圍第25項之電漿處理系統，其中該第一 期間係相當於該ARC層的蝕刻時間且被延長了一第二期 2 9.如申請專利範圍第28項之電漿處理系統，其中該第二 期間為該第一期間的一部份。
3 0. —種多層遮罩之側壁的平滑化方法，用以使電漿處理 系統中之基板上的多層遮罩之側壁平滑化，包含以下步 一處理氣體通入步驟，該處理氣體具有一種或更多之
第28頁 六、申請專利範圍 共同含有氨（NH3)的氣體且含有一鈍化氣體； 一電漿形成步驟，由該電漿處理系統之中的該處理氣 體形成電漿；及 一曝露步驟，使該基板曝露於該電漿，其中該鈍化氣 體係有助於在該多層遮罩的側壁上形成一鈍化膜，俾能使 該側壁之表面粗糙部平滑化。 3 1 ·如申請專利範圍第30項之多層遮罩之側壁的平滑化方 法，其中該鈍化氣體包括一碳氫氣體。
32. 法， 丨、C: 中的王六一。
33·如申請專利炫®松一 平滑化方法， 34· —種雙層遮罩，包含·· 一抗反射塗佈層；
形成在該特徵部 一感光層， 一特徵部，·及 之側壁之上。 該抗反射塗佈層形成貫穿 一純化層’形成a童女 1228751 六、申請專利範圍 3 5.如申請專利範圍第34項之雙層遮罩，其中鈍化層係形 成為該特徵部之一平滑側壁。
第30頁 1
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