TWI227219B - Quartz glass blank for an optical component, and manufacturing procedure and use thereof - Google Patents
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 193
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 62
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 41
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 11
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 claims description 43
- 239000004071 soot Substances 0.000 claims description 40
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 claims description 27
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 22
- 210000002257 embryonic structure Anatomy 0.000 claims description 21
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 18
- 239000011491 glass wool Substances 0.000 claims description 15
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 5
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 125000001475 halogen functional group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 claims 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 abstract description 29
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 abstract description 9
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 abstract 1
- 210000004209 hair Anatomy 0.000 description 50
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 13
- 238000000265 homogenisation Methods 0.000 description 12
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 7
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 7
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 3
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000005305 interferometry Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003910 SiCl4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000000254 damaging effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000008267 milk Substances 0.000 description 1
- 210000004080 milk Anatomy 0.000 description 1
- 235000013336 milk Nutrition 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052704 radon Inorganic materials 0.000 description 1
- SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N radon atom Chemical compound [Rn] SYUHGPGVQRZVTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 siloxanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
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- C03B19/1469—Means for changing or stabilising the shape or form of the shaped article or deposit
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1227219 A7 B7 五、發明説明(1 ) 本發明與一種用於光學元件,供傳輸波長小或等於 2 5 Gnm之紫外線輻射之石英玻璃毛胚有關。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 而且,本發明與如說明之石英玻璃毛胚之製造方法有 關’該製造方法包含以含矽化合物之火焰水解作用加以製 造第一和第二石英玻璃,其中,第一和第二石英玻璃之 〇H含量不同。 而且,本發明是與在製造一元件,供使用在與波長小 或等於2 5 0 n m之紫外線輻射之微蝕刻術中之一石英玻璃 毛胚之使用有關。 由石英玻璃所做成之光學元件特別用於,例如,以光 纖形式或如在製造半導體晶片中高度積體電路所使用之微 蝕刻術裝置中之照明光學元件加以傳輸高能量之超紫外雷 射輻射線。現代微蝕刻術裝置之照明系統備有準分子雷射 ’該準分子雷射產生波長爲248nm (KrF雷射)或l93nm (A r F雷射)之高能量脈衝式u V輻射。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 短波長UV輻射可引起光學元件之缺陷。該光學元件 是由導致吸收度影響之合成石英玻璃所製成。除照射條件 外’缺陷產生之型式和程度以及如此所引起之吸收度影響 依所使用石英玻璃之品質而定,該石英玻璃之主要功能爲 其結構特性,如密度,折射率數據圖表和同質性以及化學 組成。 一方面,照射條件和特定材料因素間關係及另一方面 所引起之吸收度a in可以下列模式方程式表示: G呑紙張尺度適用中國國家標率(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4- 1227219 A7 B7 五、發明説明(2 )
a in = ax ε bx P 其中,a和b爲特有材料之因子,而ε和P分別爲代 表能量密度和脈衝數。 因此,所引起之結構缺陷數,且因此由這些缺陷所引 起之吸收度依撞撃雷射脈衝,這些脈衝之能量密度,和特 有材料因子而定。 以前例如在EP-A1 401以5中已經說明在高能量UV 線照射後,石英玻璃化學組成對傷害作用之影響。根據這 來源,在具有尚純度,Ο Η含量在1 〇 〇和大槪1,〇 〇 〇 w t -PPm之間,(相對於石英玻璃體積)每cm3不小於5x 16分子之相當高氫濃度之特徵之石英玻璃中達成對輻射 傷害之高度阻抗。而且,已知之合成石英玻璃之張力雙折 射度小於5mm/cm且幾乎無氧缺陷位置。 E P - A 1 4 0 1 8 4 5亦說明利用含矽化合物之火焰水解之 合成石英玻璃製造方法。這些方法之特性因子爲所沈積 Si 〇2粒子之啓動物質和玻璃化型式。SiCl4爲利用火焰水 解加以製造成石英玻璃之普通啓動物質。然而,亦共同 使用其它物質,例如,爲矽烷或矽氧烷之無氯含矽有機化 合物。在任何情況下,這方法涉及在一旋轉基底上沈積 Si〇2粒子層。如基底表面溫度夠高,Si02粒子在一沈積 後即直接玻璃化( > 直接玻璃化〃)。對照之下,在所 謂的 '煙灰方法〃中,在沈積Si02粒子期間,保持溫度 夠低加以形成一多孔性煙灰體,其中,一點也不將S i02 紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5 - 1227219 A7 B7 五、發明説明(3 ) r!-----I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 粒子加以玻璃化或玻璃化成小程度。依煙灰體之後續燒結 ’在煙灰方法中達成在石英玻璃形成下之玻璃化。以上所 指之兩製造方法導致產生高純度之不透明和透明石英玻 璃。煙灰方法之生產成本與直接玻璃化方法比較爲較低。 通常,爲了要減低機械應力並達成假定度之同質分佈 ,使毛胚受到淬硬步驟。EP-A 1 40 1 845提議一種淬硬計 劃,其中,使毛胚受到大槪爲1 1 〇 〇 °C之毛胚達5 0小時, 且隨後以冷卻率2°C /h慢慢冷卻至90(TC,且最後允許冷 卻至封閉式火爐內部之室溫。在所提議之溫度支配中,從 毛胚之成份擴散,尤其是氫,可造成化學組成中之局部變 化並在表面區域和毛胚之更多內部區域之間形成濃度梯度 。同時,爲了利用有利之氫的復原特性加以增進石英玻璃 之輻射阻抗,EP-A 1 40 1 845建議石英玻璃毛胚在含氫大 氣中,在提高溫度下行後續之氫處理。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 文獻包含有關不同傷害組態之許多報告,在長期持續 曝光在UV輻射後,該組態使吸收度增加。例如,所引起 之吸收度可爲線性增加或在起初增加後表現爲飽和。另一 項發現爲起初所觀察之吸收帶在雷射解除觸動後數分鐘內 即消失,並只在一解除觸動雷射後以先前之位準快速重現 。這種動作已被稱爲 '"快速傷害程序〃 (RDP)並根據氫 分子,使石英玻璃中之網路缺陷位置飽和,儘管在缺陷位 置之連結強度爲低,使得一旦元件重新曝露在輻射下時, 連結即破裂。在另一已知之傷害組態中,顯然結構性缺陷 累積,使得吸收度突然強烈增加時使其達到極點。在後者 5鋒紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!0><297公釐) -6 - 1227219 A7 B7 五、發明説明(5 ) 问時予以最佳化。本發明也有一項任務在提供一種上述型 式光學元件之成本有效製造方法,及這種元件適當使用 〇 關於要提供之毛胚,在本發明中以具有下列組合特性 一毛胚實施例加以解決這任務: •基本上未具氧缺陷位置之玻璃結構, • H2含量範圍在O.lx 1〇16分子/cm3至4.0χ 1016分 子 /cm3, • OH 含量範圍在 125wt-ppm 至 450wt-ppm, • SiH族含量小於5x 1016分子/cm3’ •折射率異質性:△ η,小於2ppm,以及 •張力雙折射度小於2nm/cm 關於此點,基本上未具氧缺陷位置之玻璃結構意爲一 玻璃結構,該結構中之氧匱乏缺陷和氧過剩缺陷之濃度低 於歇爾畢 (Shelby )方法之檢測極限。已公佈有這種檢 測方法: > 未具氫氧根之玻璃矽土之氫的作用〃(應用物 理期刊,5 1 冊,第 5 號( 1 98 0 年 5 月),p. 25 89-2 5 93 ) 。根據定量,這意爲在每克石英玻璃之玻璃結構中不超過 大槪1〇17氧匱乏缺陷和氧過剩缺陷。 在理想狀況下,所敘述之參數是同質地分佈在整個光 學元件體上。以上所敘述之濃度指的是光學元件之傳輸量 。OH含量之判定是根據道得(D. M. Dodd )等人方法 加以測量IR之吸收度。所引起道得等人之參考資料(> 紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) I 裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 1227219 Α7 Β7 五、發明説明(6) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 熔合矽土中0H之光學判定〃 :I%6,p39l 1)是發表在 應用物理期刊上。Η。含量之判定是藉由考提姆錢科( Khotimchenko ) 等人首先提出之雷門 (Raman ) 方法。 (>使用雷門散射及質譜學方法加以判定分解在石英玻璃 中之氫含量",Zhurmal Prikladnoi Spektroskopii, 4 6 冊,第6號 (1987年6月),p. 987-991) °SiH族含量 之判定是靠使用下列供校正用之化學反應之雷門光譜學: 如歇爾畢所說明之Si-O-Si + l—Si-H + Si-OH (、、未具氫氧 根玻璃砂土之氫氣的反應〃,應用物理期刊:5 1冊,第5 號(1980 年 5 月),p.2589-2593)。 折射率異質性,An,是藉波長63 3 nm ( He-Ne雷射) 之干涉學加以判定的,△ η爲在供傳輸用之整個光學元件 部所測量之折射率分佈之最大値和最小値間差値,它亦稱 爲〜淸晰光圏〃區(CA區)。淸晰光圈區是藉由將傳輸 量投射在一垂直於傳輸方向之平面上加以判定的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 張力雙折射度是根據 > 以橫齊門(Zeeman )雷射測 量玻璃雷射碟片中之殘餘雙折射度分佈〃中之說明方法, 以波長63 3 nm (He-Ne雷射)之干涉學加以判定的(日本 電子與通訊,第2卷,74冊,第5號,1991年;譯自 Denshi Joho Tsushin Gakkai Ronbunshi 5 73-C-I 冊,第 1 0 號,1 990 年,p6 5 2-6 5 7)。 對照目前在文獻中所說明之石英玻璃品質,它主要著 重在對短波長UV輻射之高度阻抗’根據本發明之毛胚是 由石英玻璃材料做成’其特徵爲具相當低之氫含量和中位 ,皋紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇χ297公釐) -9- 1227219 A7 _B7__ 五、發明説明(7 ) 階0H含量。從上述〜煙灰方法〃或''直接玻璃化〃方法 不輕易具有顯示這些特性之石英玻璃。通常’直接玻璃化 產生 0H含量爲450至 1200wt-ppm且 H2含量大槪 lx 1018分子/ cm3之石英玻璃,而根據煙灰方法所製造之石 英玻璃形成之品質一向具介於數wt-ppm和2〇〇wt-ppm之 間之低OH含量及低於檢測極限之H2含量。 已經顯示的是由具有上述特性之一石英玻璃毛胚所製 成之光學元件中廢棄或至少急遽降低導致壓實和解壓實之 傷害機構。而且,完全廢棄或大量避免在適當使用這種元 件期間之折射率變化大意爲所說明之傷害機構未限制從根 據本發明所製造之光學元件的使用壽命。 上述有關對短波長UV輻射傷害之磁化率之特性組 合的這種影響已經由經驗加以證明,這將詳細說明如下 。實驗亦顯示低於1 2 5 w t - P P m之低Ο Η含量,即,根據 煙灰方法所製造之典型石英玻璃〇Η含量導致壓實,但 是,高於450wt-ppm之較高ΟΗ含量之石英玻璃品質顯示 有增加解壓實之趨勢。 假如OH含量低 (<450wt-ppm)時,導致RDP之傷 害機構大半斷定H2含量超出4·0χ 1016分子/cm3。此外, 此型之石英玻璃顯示有增強解壓實之趨勢,而H2含量低 於O.lx 1〇16分子/cm3,(上述)氫之缺陷復原效果是那 麼小,使得在適當使用光學元件期間有不可容許之傳輸損 漏。 對照之下,對於壓實和解壓實,使根據本發明之毛胚 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)~" (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -批4· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 1227219 A7 B7 五、發明説明(8 ) 達最佳化並顯示短波長U V輻射幾乎不致引起之吸收度。 甚至在迫切需求於光學特性同質性之光學元件中,這種最 佳化有助於使用根據煙灰方法所製造之石英玻璃。 因一方面0H含量代表解壓實和壓實之間一較佳折衷 而另一方面爲快速傷害程序,故已證明毛胚之0H含量範 圍爲20 0wt-ppm至35〇wt-ppm是特別有利的。 有利的是H2含量範圍在lx 1〇16分子/cm3至3x 1016 分子/cm3 ° H2含量在所述範圍內之石英玻璃毛胚不只特別以高 位階提供有利之氫缺陷復原效果,而且能提供延伸之解壓 實預防。此外,這種最佳化供在應用上根據煙灰方法所 製造之石英玻璃使用,其中,壓實和解壓實包含限制使 用壽命之關鍵效果。 有關一石英玻璃毛胚之製造方法,根據藉混合第一 石英玻璃和第二石英玻璃產生一平均 0H含量範圍爲 125wt-ppm至45〇wt-ppm之混合石英玻璃之導入中所引用 之方法,在本發明中解決上述之任務。 以上已經提到,從'^煙灰方法〃或a直接玻璃化〃未 輕易有具根據以上所列出之本發明毛胚特性之石英玻璃。 這些製造方法之難度主要在建立平均範圍在125 wt-ppm 至45 0wt-ppm之OH含量。由於在煙灰體玻璃化期間形成 氣泡,故在煙灰方法中建立〇H含量在大槪3 00wt-ppm之 上是個問題,但是,要以直接玻璃化建立低於大槪 450wt-ppm之OH含量實際上是不可能的。 57束紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(21〇Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -批4·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -11 - 1227219 A7 B7 五、發明説明(9 ) 因此,在根據本發明之方法中,藉混合至少具不同 〇H含量之兩石英玻璃品質而取得毛胚。這些石英玻璃品 質是應用煙灰方法及/或直接玻璃化方法取得的。與要建 立之平均Ο Η含量比較,第一石英玻璃之Ο Η含量較低, 且與要建立之平均0Η含量比較,第二石英玻璃之0Η含 量較高,且兩石英玻璃之混合產生一種混合之石英玻璃, 其中,根據第一石英玻璃對第二石英玻璃之現有質量比, 建立第一石英玻璃和第二石英玻璃0Η含量之間之0Η含 量。這方法提供有效成本加以製造 0Η含量範圍爲 125wt-ppm至450wt-ppm之混合石英玻璃。 藉由軟化玻璃和在鑄模中隨後之同質化,或彼此扭絞 由不同石英玻璃品質所製成之形體,以及藉由轉動隨後之 同質化而混合第一和第二石英玻璃。藉由扭絞和轉動之單 品質石英玻璃之同質化在DE 42 04 406 C2和 EP-A1 673 8 8 8中有說明。 石英玻璃品質之混合亦提供建立根據本發明毛胚之其 它成份之對應平均濃度-這特別關注的是H2和SiH族之含 量。 混合石英玻璃所形成之特性相當於根據本發明之那些 毛胚;讀者可參見以上所提供之說明得知細節。 在一特別較佳方法中,具有第一 〇H含量之第一石英 玻璃之製造在產生一多孔煙灰體和隨後煙灰體之玻璃化 下涉及Si02粒子之形成及這些Si02粒子在旋轉載體上 層膜之沈積層,且與第一石英玻璃比較,具不同〇H含 S7束紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 _12_ 1227219 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(10) 量之第二石英玻璃之製造在產生一玻璃化前形下,涉及 Si〇2粒子之形成和這些Si02粒子在一旋轉載體上之沈 積,第一石英玻璃爲由煙灰方法所製成之石英玻璃,但 是,第二石英玻璃爲由直接玻璃化方去所製成之石英玻璃 。這些石英玻璃品質尤其適於建立根據本發明之平均OH 含量。爲防止在根據煙灰方所製造之煙灰體玻璃化期間 形成氣泡,必要使OH含量建立在最大300wt-ppm之位 準。爲此目的,煙灰體在乾大氣下普通受到脫水處理, 這允許OH含量下降至只有數ppm。在玻璃化和隨後同 質化後,根據煙灰方法所製造之石英玻璃之H2含量通 常低於檢測極限。對照之下,根據直接玻璃化方法,以火 焰水解所製造之石英玻璃由於詳細之方法,通常具有數 百wt-ppm之相當高OH含量及超出107分子/cm3之高H2 含量。藉由混合適量之這兩種石英玻璃品質,可以一有效 成本之方法得到針對要建立之H2含量達最佳化,但最好 針對OH含量達最佳化之混合石英玻璃。 如以上說明,特別是有關由煙灰方法對直接玻璃化方 法所製造之石英玻璃化學組成中之典型差異,最好有一 種方法,在該方法中,第一石英玻璃之OH含量範圍爲 10wt-ppm至3 00wt-ppm而第二石英玻璃之OH含量範圍 爲400wt-ppm至l3〇Owt-ppm。關於這點,已證明藉由圍 繞第二石英玻璃之一石英玻璃體扭絞第一石英玻璃之一石 英玻璃體,以及後續轉動所得到之佈置加以混合石英玻璃 品質是特別有利的。在最簡單之案例綱要中,石英玻璃體 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -批4· 訂 .加 S7:表紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -13- 1227219 A7 B7 五、發明説明(11) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 包含延長圓柱體(管及/或棒),該圓柱體在方法之第一 步驟中變軟而彼此相鄰佈置成並列,且圍繞平行於縱軸延 伸之一旋轉軸彼此相繞扭絞。然後藉由轉動佈置一次或數 次之加以移除留在垂直於旋轉軸之平面上之任何溝紋。 有關石英玻璃毛胚之使用,在本發明中解決以上所指 定之任務’其中,對於在特定脈衝能量密度之至少爲 〇-4〇5mJ/cm2下使用波長小或等於250nm之紫外線輻射, 選取0H含量爲COH之石英玻璃,其中COH遵守下列尺度 化規則: C〇H [wt-ppm] = 1,700χ ε 0·4± 50 (2) 最好,選取OH含量爲COH之石英玻璃,其中,COH 遵守下列尺度化規則: C〇h [wt-ppm] =1,700χ ε 0 4± 25 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在理想情況下,不會發生壓實亦不會發生解壓實。然 而’在實際狀況下,依真正照射狀況及石英玻璃之特性而 定而觀察到壓實或解壓實。訝異的是,已發現其ΟΗ含量 遵從尺度化規則(2)之一石英玻璃近似上述之理想情況 ,即’當在0.005mJ/cm2和0.1mJ/cm2間之脈衝能量密度 ε下曝露於短波長小於25 0nm之UV輻射線時,未表現出 明顯之壓實或解壓實。 紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2!〇X297公釐) -14- 1227219 A7 _____B7 五、發明説明(12) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
對於接近所述較低極限ε =0.005 mJ/cm2之脈衝能量 密度,以尺度化規則 (2)計算範圍爲1 54wt-ppm至 254wt-ppm,最好爲 179wt-ppm 至 229wt-ppm 之平均 0H 含量。 在定義〇 Η含量,於脈衝能量密度小於〇 . 1 m J / c m2, 最好是小於〇.〇5mJ/cm2下加以提供低壓實和低壓實趨勢 上已證明尺度化規則(2)特別有用。 對於上限ε =0. lmJ/cm2,以尺度化規則 (2)計算範 圍爲 626wt-ppm 至 726wt-ppm 之 0H 含量。 一甚至更佳接近理想狀況之提供是指定一脈衝數P, 選取具最小氫含量CH2min之一石英玻璃和具最大氫含量 c Η 2 m a X之一'石央玻璃’兩者遵守下列尺度化規則: CH2min [分子/ cm3] =1.0χ 106ε 2P (3),以及 C H2max [分子/cm3 ] =2.0 x 1 Ο 18 ε (4) (ε =脈衝能量密度,單位爲mJ/cm2)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據尺度化規則 (3 )和 (4)建立氫含量,使基於 其短波長UV輻射傷害作用之石英玻璃達最佳化。尺度化 規則(3 )定義最小氫濃度爲照射條件(脈衝能量密度和 脈衝數)之函數,低於該濃度時氫之缺陷復原效果是那麼 小,以致在適當使用光元件期間沒有可容許之傳輸損漏。 對照之下’尺度化規則(4)定義氫含量之上限爲脈衝能 量密度之函數,高於該上限時,在較低 OH含量 57苯紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15- 1227219 A7 B7 五、發明説明(13) (MSOwt-ppm)下會增加RDP或發生解壓實。所述之氫濃 度指的是在從石英玻璃毛胚所製造之光學元件中曝露至 最高輻射負載之石英玻璃毛胚之部位。通常,這部位相 當於元件中心’即石英玻璃毛胚中心。 以下當中,利用實施例及一圖示加以詳述本發明。 以下當中: 第1圖 表示發生壓實或解壓實,作爲石英玻璃OH 含量和輻射脈衝能量密度之函數的說明圖; 以及 第2圖 表示發生壓實或解壓實,作爲石英玻璃OH 含量和在固定脈衝能量密度下脈衝數之函 數的說明圖。 主要元件對照表 1 毛胚 2 毛胚 3 毛胚 4 毛胚 5 毛胚 6 毛胚 7 毛胚 8 毛胚 第1圖表75 〇H含量,C〇h (圖中 OH含莖 單位爲 7未紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裴· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227219 A7 B7 五、發明説明(14) wt-ppm),對脈衝能量密度ε (圖中 '能量密度〃單位 爲mJ/cm2)之圖形。所示曲線是根據對不同 〇Η含量之 不同石英玻璃品質所測量之傷害。該量測是以波長1 93 nm 之雷射光及長度爲20至50奈秒之間之雷射脈衝加以測得 的。雷射脈衝長度之判定是根據利柏曼(V. L i b e r - m a n ) ,羅斯徹爾德 (Μ . R o t h s c h i 1 d ),沙德拉斯克 (J · Η . C. Sedlacek ),阿特羅(R. S. Uttaro ),格蘭威爾( A. Grenville ),在' 準分子雷射所引起之熔合砂土之熱 壓縮:對尺度化法則之 Laser-Fluence和材料等級影響〃 ,非結晶固態期刊,244, ( 1 999年),pi 59-171,中所 說明之方法。 所敘述條件下所判定之測量點以菱形點表示。曲線代 表表示非壓實,亦非解壓實之COH/ ε資料對。曲線上方 區域 (1)等於壓實區,而曲線下方區域 (2)等於觀察 到解壓實之區域。曲線可大槪以下列公式說明: C〇h [wt-ppm] =1,700χ ε [mJ/cm2] 0 4 因此,對於〇至〇 . 1 5 m J / c m2間之任何能量脈衝密度 可使使用曲線和這方程式加以選取要表示非壓實。亦非解 壓實之石英玻璃之所需OH含量。 第2圖表示發生壓實和解壓實,作爲在0.03mJ/cm2 固定脈衝能量密度下脈衝數(圖中X軸表示 > 脈衝數〃) 之函數的說明圖。在這特例中,Y以波長分數表示波長 ;朱紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐] " (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 批4· 、11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 1227219 A7 B7 五、發明説明(15) 63 3 nm之入射線之波前失真。波前失真爲折射率之空間異 質性所千擾之入射線,位準波前結果。因此’波前失真用 以測量壓實或解壓實之發生。第2圖中之菱形點等於根據 0H含量爲250wt-ppm和H2含量爲3X 1〇16分子/ cm3之石 英玻璃所測量之實驗値。壓實程序是明顯的。 第2圖中之圓圈等於根據0H含量爲l,2〇〇wt-ppm和 H2含量爲lx 1018分子/cm3之石英玻璃所測量之實驗値。 解壓實程序是明顯的。 以空方形表示之對一最佳化石英玻璃測量中,不管是 壓實或解壓實皆非明顯的。石英玻璃之0H含量爲425 wt- ppm 〇 表1中列出這些型式石英玻璃之實例及參考試樣。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
LP 裝_ 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3/來紙張尺度適用中國國家標準(〇奶)八4規格(210父297公釐) -18- 1227219 A7 ___B7 五、發明説明(17) 減去透纟見收谷窃所佔之數米邊緣之透鏡圓形面積,及厚 度加以決定等於由毛胚所製造之透鏡之淸晰光圈區的石英 玻璃體積。表1中之、〇-+ 〃欄位表示氧缺陷位置之濃度, A △ η 〃欄位表示跨淸晰光圏區所決定之折射率差,而 八〃欄位表示跨淸晰光圈區中之最大雙折射度。 對於照射實驗而言,從個別石英玻璃毛胚和用以調製 實驗試樣(2 5x 25 mm2之相對面之拋光)之相同方法得到 25x 25x 20 0mm3之棒形試樣。 對基於壓實或解壓實之試樣之傷害作用調查,如表1 第8欄中所示,在脈衝能量密度變動下,使試樣曝露至波 長1 93 nm之UV輻射中。在各個這些實驗中使用五十億脈 衝(脈衝數)。 '"所引起吸收度〃欄槪述造成吸收度增加,即,、、增 加線性吸收度〃及上述快速傷害程序之兩傷害機構。對於 有關所引起吸收度之試樣傷害作用之調查,該試樣亦曝露 至第8欄中所述脈衝能量密度下,波長爲1 9 3 n m之UV輻 射中。總共一百萬個脈衝(脈衝數)足以允許決定RDP ’但是至少需要十億脈衝(脈衝數)加以決定線性吸收 度之增加度。這是藉經由試樣,測量傳輸後所降低之雷射 光強度,經由試樣傳輸損漏之決定加以完成的。 使用波長6 3 3 nm之商用干涉計(Zygo GPI-XP), 藉測量照射區對非照射區中折射率之相對增加或降低,在 照射實驗後加以決定壓實和解壓實。 下列中以一種典範方式說明石英玻璃毛胚之製造方 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 良· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20- 1227219 A7 B7 五、發明説明(18) 法’其中,所調查之式樣1至9是源自該石英玻璃毛胚: 1 .毛胚1至4 這些石英玻璃是根據煙灰方法加以製造。 煙灰體之製造 使用氫氧燒焊機在外徑4 0 m m之氧化鋁載體管上沈 積Si〇2粒子層,形成多孔煙灰體。氫氧燒焊機構有在 各氫氧燒焊機之相應燃焰中轉換成S i 0 2粒子之玻璃啓 動材料和燃燒材料。在沈積程序期間,燒焊機沿縱軸 並以1 5 c m幅度之預定移動在兩固定空間之反逆點之間 連續移動,一完成移動即在載體管或這般形成之煙灰 體表面上沈積序向Si02層,直到煙灰體外徑達到大槪 爲 3 0 〇 m m 〇 在完成沈積步驟並移除載體管後,爲了移除由於製 造方法之技術細節所引進之氫氧族,使這般所得到之 煙灰體到脫水處理。 毛胚1至3之脫水處理 爲脫水起見,在溫度大槪 9 0 0 °C之真空室中將煙灰 管熱處理達大槪 8小時。這種處理在煙灰管整個體積 建立基本上大槪爲 250wt-ppm之同質性氫氧族濃度 (0H含量)。 S本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -21 - 1227219 A7 B7 五、發明説明(19) 毛胚4之脫水處理 爲脫水起見,以垂直方位將煙灰管導入一脫水爐中 ’並使煙灰管在900 °C之含氯大氣中受到初步處理。處 理期間大槪爲 8小時。這種熱處理建立氫氧族濃度 (OH含量)位準爲小於i〇wt-ppm。 供毛胚1和4所使用之玻璃化程序 隨後,使所處理之煙灰管在以垂直方位將煙灰管饋 入在當中加以依序加熱之環形加熱區中的真空玻璃化 爐中,於溫度大槪爲1,4 0 0 °C下加以燒結。完成玻璃化 程序後,在所燒結(玻璃化)之石英玻璃管中不再檢測 得到分子氫氣 (<lx 1〇15分子/ cm3) 。OH含量在表1中 所指定之範圍內。 供毛胚2和2a所使用之玻璃化程序 完成脫水程序後,使所處理之煙灰管在以垂直方位將 煙灰管饋入一在當中加以依序加熱之環形加熱區中的真空 玻璃化爐中,於溫度大槪爲1,40(TC下加以燒結。在這步 驟期間,在氫氣分壓爲l〇mb at*之玻璃化爐內部保持含氣 之大氣。在這處理後,所燒結(玻璃化)之石英玻璃管 在橫跨其管壁上顯示異質性之氫數據圖表,在該管壁中之 氫濃度從其管外表面及內表面之位準朝向其管壁中間位準 ,以徑向方式遞減。在這處理後,橫跨管壁厚度之平均 H2含量大槪爲4x 10 16分子/cm3。OH含量在表1中所指 53本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -22- 1227219 A7 B7 五、發明説明(20) 定之範圍中。 供毛胚3所使用之玻璃化程序 然後使所處理之毛胚3之煙灰管在以垂直方位將煙灰 管饋入一在當中加以依序加熱之環形加熱區中的真空玻璃 化爐中,於溫度大槪爲1,4 0 0 °C下加以燒結。在這步驟期 間,在氫氧分壓爲1 50mbar之玻璃化爐內部保持含氫之 大氣。在這處理後,所燒結(玻璃化)之石英玻璃管在 橫跨其管壁上顯示異質性之氫數據圖表,在該管壁中之氫 濃度從其管外表面及內表面之位準朝向其管壁中間位準, 以徑向方式遞減。在這處理後,橫跨管壁厚度之平均H2 含量大槪爲2x 1017分子/ cm3。OH含量在表1中所指定之 範圍中。 毛胚1至4之重新整形程序和同質化 藉重新整形和隨之形成之同質化(扭絞和轉動)使 所燒結(玻璃化)之石英玻璃管轉換成一外徑爲3 00mm 且長度爲100mm之粗大圓柱體。在一大氣壓力下之萍硬 步驟中將毛胚加熱至1, 1 〇 〇 °C,在這溫度保持達大槪10 小時且然後以1 °C /h之冷卻率向下加以冷卻。隨後,爲了 從毛胚移除由於氫氣擴散所形成之氫濃度梯度,而移除過 度量測量,即徑向3 0 m m及兩邊之軸向2 0 m m。毛胚之 OH含量和氫含量等於表1中所指定之位準。除毛胚3外 ,S iH族濃度小於(在所有情況中在淸晰光圈區內所決定 讓紙張尺度適财SS家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -23- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝.
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227219 Α7 _ Β7 五、發明说明(21) 之) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5χ 1〇16分子/ cm3。測量張力雙折射度爲小於2nm/cm,且 折射率分佈足夠爲同質性,其最大値和最小値間差小於 2x 1 (T6。對於毛胚1,2和3,判定氧缺陷位置之濃度小 於每克1 X 1 0 1 7,而毛胚4則表示較高之氧缺陷位置之濃 度。 然後,同質化步驟在橫跨整個僵柱體提供所述成份之 均勻分佈。關於毛胚2和2a之氫/舍量,這特別重要。 2.毛胚5和6 這些石英坡璃是根據直接玻璃化方法加以製造。 沈積程序 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用一氫氧燒焊機在圍繞其中心軸旋轉之碟形基底 上沈積物 Si02粒子。在形成棒狀石英玻璃毛胚下以氫 氧火焰之熱量使S i 0 2粒子直接玻璃化。所使用之啓動 物質使石英玻璃毛胚基本上未含氯(氯含量低於Iwt-ppm)。這步驟之方法之氫含量還高如lxlO18分子/cm3 〇 調整毛胚5和6 OH含量之方法 表1表示毛胚5和6只有一種特性不同,即〇 Η含 量。藉由增加或減低對氫氧燒焊機之氫和氧之供氣, 在沈積程序中調整基底溫度可調整0Η含量至一界定位 ^麥紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) -24- 1227219 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(22) 準。溫度之增加造成較高之Ο Η含量,但降低溫度取得 較低之0Η含量。 毛胚5和6之重新整形程序和同質化 爲同質化起見,在程序中然後將石英坡璃毛胚夾成 一石英玻璃轉動旋盤,依序加熱至溫度大槪爲2,〇 〇 〇 t並 加以扭絞。在EP-A1 673 8 8 8中說明爲此目的之適當同質 化方法。在重複扭絞後,提供在三個空間方向未具溝紋, 直徑80mm且長度大槪800mm之圓棒型石英玻璃毛胚。 在1 7 0 0 °C溫度下使用充溢氫氣之鑄模然後以加熱重新整 形將圓棒轉換成外徑3 0 0 m m且長度1 Q 0 m m之圓形石英玻 璃圓柱。在一大氣壓下淬硬步驟中將石英玻,璃圓柱加熱至 l,100°c,保持在這溫度達大槪100hf且然後以10c/h之 冷卻率加以冷卻。隨後,爲了從毛胚移除由於氫氣擴散所 形成之氫濃度梯度,而移除溢測量,即徑向3〇mm及兩邊 之軸向20mm。毛胚之氫含量大槪爲2xl016分子/ cm3而 OH含量大槪爲900wt-ppm (毛胚5)或600wt-ppm (毛胚 6)。測量張力雙折射度爲小於2nm/cm,且折射率分佈足 夠爲同質性,其最大値和最小値間之差小於2x 1 〇_6。 無進一步處理,這般得到之石英玻璃圓柱亦適用於在 製造一微蝕刻術裝置之光學透鏡之毛胚。 3 .毛胚7至9 毛胚7至9包含相同之石英玻璃。這種石英玻璃品 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25- 1227219 A7 B7 五、發明説明(23) 質是藉混合根據煙灰方法所製造之石英玻璃以及根據直接 玻璃化方法所產生之石英玻璃所得到的。 — II-----PCI — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲達此目的,分別製造且然後加以混合由毛胚2之 石英玻璃所製成之石英玻璃棒和由毛胚6之石英玻璃所製 成之另一石英棒。選取兩石英玻璃品質之相對量,使得以 脈衝能量ε = 0.0 3 m J / c m 2將混合石英玻璃曝露至波長 1 9 3 n m之U V輻射後,一使用與U V輻射相關之混合石英 玻璃,0H含之建立遵照以下尺度化規則: C〇H [wt-ppm] =1,700χ ε 0 4 ( ε 單位爲 mJ/cm2) 因此,在ε =0.03 mJ/cm2下,以尺度化規則加以計算 在混合石英玻璃中要建立之OH內容爲大槪425wt-ppm ( 正確計算產生418wt_ppm)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因毛胚2和毛胚6之石英玻璃OH含量分別爲25 Owt-ppm和6 OOwt-ppm,要調整混合之石英玻璃之OH含量至 42 5 wt-ppm之位準需要等量之兩石英玻璃品質。石英玻璃 形狀各爲-8kg之石英玻璃棒。爲圍繞彼此扭絞兩石英玻 璃,首先將該棒佈置成其縱向表面直接接觸,然將該棒溫 度加熱至大槪2,000 °C且因此軟化,使其能圍繞平行於縱 軸延伸之一相互旋轉軸加以旋轉,產生混合之石英玻璃。 如EP-A 1 6 73 8 8 8中所述之重複扭絞與轉動隨後加以移除 任何留下之溝紋。 在1 700 °C溫度下使用充溢氮氣之鑄模然後以隨後之 5S耒紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -26- 1227219 A7 B7 五、發明説明(24) 熱重新整形步驟產生外徑300mm且長度i〇〇mm2圓形混 合石英玻璃圓柱。在一大氣壓下之淬硬步驟中將石英玻璃 圓柱加熱至l,l〇〇°C,保持在這溫度達大槪50h,且然後 以1 °C /h之冷卻率加以冷卻。隨後,爲了從毛胚移除由於 氫氣擴散所形成之氫濃度梯度,而移除溢測量,即徑向 3〇mm及兩邊之軸向20mm。毛胚之氫含量和OH含量分 別爲大槪2xl016分子/ cm3和大槪425wt-ppm,其等於原 始毛胚2和6 OH含量之平均。測量張力雙折射度爲小於 2 n m/cm,且折射率分佈足夠爲同質性,其最大値和最小 値間之差小於2x 1(Τ6。 無進一步處理,這般得到之石英玻璃區塊亦適用於在 製造一微鈾刻術裝置之光學透鏡之毛胚。 用以選取Η2含量上下限之方法 選取Η2含量之上下限是根據使用典型脈衝能量密 度爲 0 · 0 3 m J / c m 2之尺度化規則 (3 )和 (4 )。預先界 定之Η 2含量是如上述在1,1 0 0 °C下淬硬毛胚所建立的 ,而說明了擴散之程序。 這形成H2含量爲1.4x 1018分子/ cm3 ,考慮到在淬 硬熱重新整形透鏡毛胚期間之擴散(見以上)(經由擴散 之H2損漏大槪爲30%),氫含量是在ε =〇.〇3mJ/cm2時 之尺度化規則(3 )和(4 )所指定之C η 2 m i η和C Η 2 m a X極 限內如下:
CH2min [分子/cm3] = 1.0x 1 06x (0.03 ) 2P 5S未紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) — I —-----— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 27- A227219 A7 B7 五、發明説明(25) C Η 2 m a X [分子 / C m3 ] = 2.0 X 1 0 1 8 X ( 〇 . 〇 3 ) 以e=0.03mJ/cm2且最大脈衝數爲1χ 1〇12,在石英玻 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 璃中要建立之最小Η2含量和最大Η2含量分別加以計算爲 9χ 1〇14 分子/ cm3 和 6χ 10 分子/ cm3。 預先界定之112含量是如上述在1,100°C下淬硬毛胚 所建立的,而說明了擴散之程序。 爲同質化起見,在程序中然後將石英玻璃毛胚夾成一 石英玻璃轉動旋盤,依序加熱至溫度大槪爲2,0 0 0 °C並加 以扭絞。在EP A 1 6 7 3 8 8 8中說明爲此目的之適當同質化 方法。在重複扭絞後,提供在三個空間方向未具溝紋,直 徑8 0mm且長度大槪800mm之圓柱型石英玻璃毛胚。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在1 700 °C溫度下使用一充溢氮氣之鑄模,然後以加 熱重新整形狀圓棒轉換成外徑240mm且長度80mm之圓 形石英玻璃圓柱。在一大氣壓下將石英玻璃圓柱加熱至 M〇〇°C並以2°C/h之冷卻率隨後冷卻至90(TC之一額外淬 硬步驟後,測量張力雙折射度爲小於2nm/cm,且折射率 分佈足夠爲同質性,其最大値和最小値間之差小於 2x 1 (Γ6。從毛胚中心部位得到H2和OH含量分別大槪爲 2χ 1〇16 分子 / cin3 和大槪 425wt-ppm 之 25x 25x 200mm3 之 棒狀式樣。 結果評估 有關壓實,解壓實,及所引起之吸收度之事件,表1 中所列資料表示毛胚2和7,分別以0.0 1和0.0 3mJ/cm2 E本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x 297公釐) -28- 1227219 A7 B7五、發明説明(26) 之能量密度產生最佳結果。與毛胚2比較,H2含量稍高 之毛胚2a —曝露至能量密度爲0.03mJ/cm2 (見第2圖) 之紫外輻射後即顯示壓實,依特定應用而定,這可容許至 某種程度。雖然只在〇.〇 75 m J/cm2之相當高能量密度下, 毛胚6基於壓實,解壓實和所引起吸收度,通常表現出良 好結果。雖然造成表現壓實之固有趨勢,毛胚6之相當高 OH含量使毛胚6特別適於與根據煙灰方法製造並具特別 低OH含量之一毛胚混合。這觀點爲以毛胚7所得到之 結果所確認。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 %紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29-
Claims (1)
1227219 : ι A8 B8 C8 D8 〒#專利範圍 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第9 1 1 247 92號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國93年6月11日修正 1 .—種用於光學元件供傳輸波長小或等於2 5 0nm之 紫外線輻射之石英玻璃毛胚,該石英玻璃毛胚之玻璃結構 特徵爲所具有氧缺陷位置之濃度爲小於含量 範圍爲0·1 x]0】6分子/cm3至4.0x10】6分子/ cm 3, oh含 量範圍爲125wt-ppm至450wt-ppin,SiH族含量小於5x 1〇]6分子/cm3,折射率異質性△ η小於2ppm,且張力雙 折射度小於2nm/cn:^ 2.如申請專利範圍第1項之石英玻璃毛胚,其中0H 含量範圍爲 2 0 0 w t - p p m 至 3 5 0 \v t - p p m。 3 .如申請專利範圍第1或2項之石英玻璃毛胚,其 中H2含量範圍爲lxlO】6分子/cm3至3xl〇】6分子/cm3。 4 . 一種石英玻璃毛胚製造方法,用以製造如申請專 利範圍第1至3項中任一項之石英玻璃毛胚,此方法包含 以下步驟:以含S i化合物之火焰水解作用加以製造第一和 第二石英玻璃,其中該第一和第二石英玻璃之OH含量不 同,其特徵爲藉由混合第一石英玻璃和第二石英玻璃產生 平均OH含量範圍爲1 25wt-ppn:i至450wt-ppm之混合石 英玻璃,其中製造具有一第一 OH含量之第一石英玻璃係 包含形成S i 0 2粒子,並在產生多孔煙灰體和煙灰體之隨 後玻璃化之情形下,沈積這些S i 02粒子層於一旋轉載體 請 先 閲 讀 背 τέ 之 注 意 事 旁 -裝 訂 本纸張尺度適用中國國家梂準(CNS ) Ad規格(21 Οχ 297公釐) Α8 Β8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1227219 夂、申請專利範圍 之情形下,沈積這些S i 02粒子層於一旋轉載體上;而且 ,與第一石英玻璃比較,製造具有一不同 QH含量之第 二石英玻璃包含在產生一玻璃化前膜下,在一旋轉載體 上形成Si〇2粒子並沈積這些Si〇2粒子;且 其中第一石英玻璃之0H含量範圍爲i〇wt_ppms 3〇〇wt_ PP如,且第二石英玻璃之〇H含量範圍爲4〇〇wt_ppm至 l53〇〇wt-ppm 〇 5 ·如申請專利範圍第4項之石英玻璃毛|不製造方法 ’其中混合步驟包含扭絞並轉動第一石英玻璃之一石英玻 璃體及第二石英玻璃之一石英玻璃體。 6. —種供用於在與波長小於或等於25〇nm之紫外 線輻射有關之微蝕刻術中之光學元件,其含有如申請專 利範圍第1至3項中任一項之石英玻璃毛胚,其特徵爲, 具有一 〇H含量之石英玻璃被選取與—至少爲 0.0 0 5 m:i/cm2之指定脈衝能量密度ε之紫外線輻射共用, 該〇Η含量遵照下列尺度化規則: Coh [wt·ppm] = 1,7X103X ε 0·4土50 (2) 。 7 ·如申請專利範圍第6項之光學元件,其中具有遵 從下列尺度化規則之0Η含量之石英玻璃被選取: C〇h ['vt-ppm] =1;7χ103χε 04 土 25。 8.如申請專利範圍第6或7項之光學元件,其中脈 衝能暈密度ε小於0 · 1 m ·! / c m2 13 9·如申請專利範圍第8項之光學元件,其中脈衝能 量社、度ε小於〇 . 〇 5 m J / c m 2 〇 本紙張尺度適用ϋΐ家標準(CNS ) A4規格(2】0Χ 297^ϊ! ~~~-----
1227219 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 0 ·如申請專利範圍第6至7項之光學元件,其中供 一特定脈衝數P用之石英玻璃被選取,該石英玻璃擁有 一最小氫含量C Η 2 m i n ,及一最大氫含量 C Η 2 m a x J 兩者遵照 下列尺度化規則: CH2niin [分子 / cm: 丨]=1 . 0 X 1 0 6 ε 2 Ρ (3) ,以及 CH2max [分子 / C ΓΠ · 3] =2.0χ1018ε (4) (S =脈衝能量密度, 單位爲m J / c m 2 ) o — N裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)_ 3
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DE10159962A DE10159962A1 (de) | 2001-12-06 | 2001-12-06 | Quarzglasrohling für ein optisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung und Verwendung desselben |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI227219B true TWI227219B (en) | 2005-02-01 |
Family
ID=7708267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091124792A TWI227219B (en) | 2001-12-06 | 2002-10-24 | Quartz glass blank for an optical component, and manufacturing procedure and use thereof |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7082790B2 (zh) |
EP (1) | EP1327612B1 (zh) |
JP (1) | JP2003246641A (zh) |
KR (1) | KR20030047753A (zh) |
AT (1) | ATE278641T1 (zh) |
DE (2) | DE10159962A1 (zh) |
TW (1) | TWI227219B (zh) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10159961C2 (de) * | 2001-12-06 | 2003-12-24 | Heraeus Quarzglas | Quarzglasrohling für ein optisches Bauteil sowie Verfahren zur Herstellung und Verwendung desselben |
CN100389085C (zh) * | 2002-04-23 | 2008-05-21 | 旭硝子株式会社 | 光学构件用合成石英玻璃、投影曝光装置及投影曝光方法 |
JP4470479B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2010-06-02 | 旭硝子株式会社 | 光学部材用合成石英ガラスおよびその製造方法 |
US6992753B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-01-31 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection optical system |
US7534733B2 (en) * | 2004-02-23 | 2009-05-19 | Corning Incorporated | Synthetic silica glass optical material having high resistance to laser induced damage |
DE102004017031B4 (de) * | 2004-04-02 | 2008-10-23 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Optisches Bauteil aus Quarzglas, Verfahren zur Herstellung des Bauteils und Verwendung desselben |
DE102004018887B4 (de) * | 2004-04-15 | 2009-04-16 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren für die Herstellung eines Bauteils aus Quarzglas zum Einsatz mit einer UV-Strahlenquelle und Verfahren für die Eignungsdiagnose eines derartigen Quarzglas-Bauteils |
DE102004056368B4 (de) * | 2004-11-22 | 2017-02-02 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines optischen Bauteils aus Quarzglas |
DE102005017752B4 (de) | 2005-04-15 | 2016-08-04 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Optisches Bauteil aus Quarzglas, Verfahren zur Herstellung des Bauteils und Verwendung desselben |
US20060281623A1 (en) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | General Electric Company | Free-formed quartz glass ingots and method for making the same |
US7928026B2 (en) * | 2005-06-30 | 2011-04-19 | Corning Incorporated | Synthetic silica material with low fluence-dependent-transmission and method of making the same |
US20070059533A1 (en) * | 2005-09-12 | 2007-03-15 | Burdette Steven R | Thermal reflow of glass and fused silica body |
DE102006061931B3 (de) * | 2006-12-21 | 2008-04-17 | Institut für Physikalische Hochtechnologie e.V. | Verfahren zur Herstellung von Quarzglas mit geringem OH-Gehalt |
DE102007017004A1 (de) | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Optisches Bauteil aus synthetischem Quarzglas mit erhöhter Strahlenbeständigkeit, sowie Verfahren zur Herstellung des Bauteils |
US8176752B2 (en) * | 2009-07-23 | 2012-05-15 | Corning Incorporated | Silica glass with saturated induced absorption and method of making |
DE102011078885A1 (de) | 2011-07-08 | 2013-01-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Bestimmen der Absorption in einem Rohling |
DE102013101687B3 (de) | 2013-02-20 | 2014-05-22 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Optisches Bauteil aus Quarzglas zur Verwendung in der ArF-Excimerlaser-Lithographie sowie Verfahren zur Herstellung des Bauteils |
DE102013215292A1 (de) | 2013-08-02 | 2015-02-05 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren zum Beladen eines Rohlings aus Quarzglas mit Wasserstoff, Linsenelement und Projektionsobjektiv |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ATE116448T1 (de) * | 1989-06-09 | 1995-01-15 | Heraeus Quarzglas | Optische teile und rohlinge aus synthetischem siliziumdioxidglas und verfahren zu ihrer herstellung. |
WO1993000307A1 (en) | 1991-06-29 | 1993-01-07 | Shin-Etsu Quartz Products Company Limited | Synthetic quartz glass optical member for excimer laser and production thereof |
US5326729A (en) | 1992-02-07 | 1994-07-05 | Asahi Glass Company Ltd. | Transparent quartz glass and process for its production |
DE4204406C2 (de) * | 1992-02-14 | 1995-04-06 | Heraeus Quarzglas | Verfahren zur Herstellung eines homogenen, schlierenfreien Körpers aus Quarzglas oder aus einem hochkieselsäurehaltigen Glas durch Umformen eines stabförmigen Ausgangskörpers |
JP3194667B2 (ja) * | 1994-03-26 | 2001-07-30 | 信越石英株式会社 | 光学用合成石英ガラス成形体及びその製造方法 |
US6087283A (en) | 1995-01-06 | 2000-07-11 | Nikon Corporation | Silica glass for photolithography |
US5707908A (en) | 1995-01-06 | 1998-01-13 | Nikon Corporation | Silica glass |
US5616159A (en) * | 1995-04-14 | 1997-04-01 | Corning Incorporated | Method of forming high purity fused silica having high resistance to optical damage |
US6415630B1 (en) * | 1997-05-15 | 2002-07-09 | Schott Glas | Method and device for producing a homogenous sheet of quartz glass without streaks |
US6143676A (en) | 1997-05-20 | 2000-11-07 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Synthetic silica glass used with uv-rays and method producing the same |
JP4193358B2 (ja) * | 1998-01-30 | 2008-12-10 | 旭硝子株式会社 | 合成石英ガラス光学部材およびその製造方法 |
-
2001
- 2001-12-06 DE DE10159962A patent/DE10159962A1/de not_active Withdrawn
-
2002
- 2002-10-24 TW TW091124792A patent/TWI227219B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-12-04 AT AT02027124T patent/ATE278641T1/de not_active IP Right Cessation
- 2002-12-04 KR KR1020020076625A patent/KR20030047753A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-12-04 EP EP02027124A patent/EP1327612B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-04 DE DE50201207T patent/DE50201207D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-05 US US10/310,279 patent/US7082790B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-05 JP JP2002353982A patent/JP2003246641A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7082790B2 (en) | 2006-08-01 |
KR20030047753A (ko) | 2003-06-18 |
US20030115904A1 (en) | 2003-06-26 |
DE50201207D1 (de) | 2004-11-11 |
DE10159962A1 (de) | 2003-07-03 |
EP1327612A1 (de) | 2003-07-16 |
JP2003246641A (ja) | 2003-09-02 |
EP1327612B1 (de) | 2004-10-06 |
ATE278641T1 (de) | 2004-10-15 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |