TWI226054B - Method and device for recording marks in an information layer of an optical record carrier - Google Patents

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TWI226054B
TWI226054B TW091115697A TW91115697A TWI226054B TW I226054 B TWI226054 B TW I226054B TW 091115697 A TW091115697 A TW 091115697A TW 91115697 A TW91115697 A TW 91115697A TW I226054 B TWI226054 B TW I226054B
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Meulen Jan Matthijs Ter
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Description

1226054 A7 B7
吾人得知，自資訊層堆疊中除去金屬鏡層不僅造成資訊 層之光學行為之後果’並且其熱特性亦有影響。金屬具有 較干涉層及相位改變層為高之熱傳導率。金屬鏡層熱傳導 率對非晶記號之實際寫入方法上為一優點。在窝入方法期 間，相位改變材料由寫入脈波加熱至數百攝氏度。結果， 相位改變材料被迅速冷卻以防熔化（即非晶）材料之再晶體 化。欲使此方法成功，冷卻時間必須較再晶化時間為短。 金屬鏡層之大熱傳導率及熱容量可協助自熔化之相位改變 材料迅速移除熱量。但，在一（半）透明資訊層，具有或無 降低量之此種冷卻金屬鏡層，冷卻時間似乎較使相位改變 材料再晶化之時間為長。因此導致標記之低品質。 本發明之方法可使在窝入脈波順序中之二連續寫入脈 波間之冷卻期間較長。此舉可增加冷卻時間因而導致良好 品質之標記。 以此知名方法，具有時間長度為nT之標記由包含n_2及 η-1寫入脈波之窝入脈波順序予以記錄。特別為較長標記而 言’此舉可導致一大量數目之窝入脈波，結果，大量之熱 被積聚在相位改變層，在寫入脈波之間無冷卻之可能。但 ，在本發明方法之實施例中，其中之寫入脈波（m)設定於最 接近η/ α (m21)之接近整數，寫入脈波之數目可降低，導致 寫入脈波間之冷卻時間大幅增加。 在此方法另一實施例中，寫入脈波（m)之數目設定等於最 接近整數，其大於或等於n/a(m2l)。 設定α為2之值可獲得良好之結果。在本發明方法之較 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公复) 1226054 A7 —---- B7 五、發明説明（4 ) 佳實施例中可獲得近一步之改進，其中之α設定之值為3 ’導致在寫入脈波順序中之寫入脈波間之冷卻間隔較長。 在本方法之此實施例中，一 6丁標記利用寫入脈波順序記錄 該寫入脈波順序僅含二寫入脈波，而在已知方法中，脈波 順序將包含4(η_2)至^心丨）寫入脈波。 當一^標記由m寫入脈波順序記錄時，m為大於或等於 Π/α<最近整數，“不同標記長度由寫人脈波順序中之相 同數目寫入脈波加以記錄。例如，當α設定為3，4Τ，5丁 及6Τ標記均由2寫人脈波之順序加以記錄。因&，必須有 寫入脈波之額外精細調譜。在本發明方法之實施例中，在 順序中”少一窝入脈波之位置之設定與η有關。在本發明 方法另-實施例中，順序中至少一寫入脈波之期間之設定 與η有關。 上述之與η相關調整參數（即，脈波位置，脈波功率，脈 波寬度）僅能應用於單-參數或此等參數之任何組合。此外 ’此等參數可為窝人脈波順序中之單—脈波調整，亦可為 脈波順序中之數個脈波調整。 當毕值寫人功率位準受到限制時（由於輕射源或記錄載 體所加之限制），調整脈波寬度以獲得較長之寫入脈波，因 而增加總寫入功率實為-優點。使用較長脈波寬度之能力 通常可利用較低輕射功率β 應注意’本發明方法可優異地使用於任何高速光學記錄 系統，其使用相位改變型單資訊層或多資訊層之記錄載體 而冷卻時間甚重要時尤甚。在此系統中，記錄期間之冷卻 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐)----------

Claims (1)

  1. * 一種記錄具有ηΤ之時間長度之標記之方法，在記綠載 體之時脈脈波，η代表一大於1之整數，Τ代表參考時脈 之一週期之長度，該記錄載體包含一資訊層，該層具有 在曰曰相與非晶相間之可逆相位變化’以脈波輕射光束和 照資訊層，每一標記被㈤脈波之順序寫入，㈤代表一整 數大於或等於1，及低於或等於η，其特徵為㈤之設定與 n/α有關，α為大於1之整數。 2，如申請專利範圍第1項之方法，其特徵為瓜設定為最接 近一整數，其大於或等於丨而接近η/α。 3·如申請專利範圍第1項之方法，其特徵為α設定為3。 4. 一種記錄具有ηΤ之時間長度之標記之方法，在記錄載 體之時脈脈波，η代表一大於1之整數，τ代表參考時脈 之一週期之長度，該記錄載體包含一資訊層，該層具有 在晶相與非晶相間之可逆相位變化，以脈波輕射光束H 照資説層，每一標記被m脈波之順序寫入，m代表一整 數大於或等於1，及低於或等於η，其特徵為m之設定為 最接近一整數，其大於或等於1而接近n/3。 5·如申請專利範圍第1，2，3或4項之方法，其特徵為脈波 順序中至少一脈波之位置之設定與η有關。 6. 如申請專利範圍第1，2，3或4項之方法，其特徵為脈波 順序中至少一脈波之功率之設定與η有關。 7. 如申請專利範圍第1，2，3或4項之方法，其特徵為脈波 順序中至少一脈波之期間之設定與η有關。 8. 一種記錄裝置’用以^己錄具有ηΤ時間長度之標記，在 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐）
    六、申請專利範圍 記錄載體之參考時脈中，η代表大於1之整數，T代表參 考時脈之期間，該記載體包含一資訊層，其在晶相與非 晶相間有一可逆之相位改變，以脈波輻射光束輻照資訊 層時，每一標記被m脈波順序所寫入，m代表大於或等 於1之整數，及低於或等於η，其特徵為其包含一用以實 施如申請專利範圍第1，2，3，4，5，6或7項之方法之 裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)
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