TWI224482B - Light emitting apparatus and electronic device - Google Patents
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Description
1224482 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關作爲行動電話等之攜帶機器，個人電腦 或電視等之顯示器所採用之發光裝置及電子機器。 【先前技術】
以往，在作爲顯示器所採用之有機電致發光（EL ) 裝置之中係外光反射在顯示部位，所謂產生映射狀況而招 致顯示品質惡化。
爲了降低此映射狀況，即，作爲降低在顯示部位之反 射係針對（Lux ell:加拿大）公司，開發有稱爲黑色佈局 (BlackLayer )之技術，而此以往之技術係爲設置透明電 極，EL層，半透過電極，透明導電層，反射電極於有機 EL裝置單側之基板上之構成，而減低反射之原理係透過 透明導電層，EL層的光之中，一部份的光則在半透過電 極所反射成爲第1反射光，並殘餘的光係透過半透過電 極’再通過透明導電層在反射電極所反射，並越過半透過 電極射出成爲第2反射光，並第1反射光與第2反射光則 相互干涉來減弱在顯示部位之反射強度。 【發明內容】 〔欲解決發明之課題〕 但，在上述以往顯示部位之反射削減方法之中係爲了 調整干涉的程度有必要有透明導電層，而作爲此透明導電 -5- (2) (2)1224482 層係因由銦錫氧化物ITO ( Indium Tin Oxide )等來構 成，故於透明導電層之製膜時將需要氧，並針對有機EL 裝置之製造工程係必須在活性鈣等之金屬上將ITO製膜， 因此在上述以往顯示部位之反射削減方法之中係針對製膜 ITO之處理，活性鈣等之金屬則幾乎被氧化，而實現有 機EL裝置之情況則非常困難。 本發明之目的係提供可抑制針對在有機EL裝置之顯 示部的反射，進而可使顯示品質提升之發光裝置及電子機 器，。 〔爲解決課題之手段〕 本發明之光電裝置的特徵係由具備基板與，第1電 極，第2電極，以及包含夾合在這些之發光層之有機電 致發光元件而成，並有機電致發光元件則至少具備反射光 的一部份之半反射膜之情況，而如根據如此構成，將可使 射入至發光裝置的光之中在半反射膜反射，然後從該發光 裝置射出的反射光（第1反射光）與，該射入光之中透過 半反射膜之後，在陰極等反射，然後從該發光裝置射出的 反射光（第2反射光）進行干涉來相互削弱之情況。 隨之，如根據本裝置，例如將可降低射入至發光裝置 畫素開口部之外光的反射光，並可防止針對在發光裝置畫 素開口部之「映射狀況」，進而可顯示對比高之高品質之 情況，而第1電極及第2電極係各自成爲陰極及陽極。 在此，第2電極則成爲基板側地構成著，並且，第 -6 - (3)1224482 2電極具有光透過性，且當第1電極具有光反射性地構成 時，將從透明之陽極及棊板射出光，即實現所謂基板側發 光型之有機EL裝置，而對於此情況係作爲基板係有必要 採用光透過性之基板，另外，半反射膜係配置在發光層之 基板側之情況則爲理想。
另一方面，第2電極則成爲基板側地構成著，並且， 第2電極具有光反射性，且當第1電極具有光透過性地構 成時，將從透明之陰極及封合基板側射出光，即實現所謂 封合側發光型之有機EL裝置，而對於此情況係作爲封合 基板係有必要採用光透過性之基板，另外，半反射膜係配 置在發光層之陰極側之情況則爲理想。
另外，前述第1電極及前述第2電極之中至少其中一 方則具備有光反射性，並射入至發光裝置的光之中在半反 射膜反射之第1反射光與，在具備反射性之電極所反射之 第2反射光則對於相互千涉成爲相互削弱之厚度，設定成 發光層之厚度則爲理想，而根據如此構成，因可調整發光 層之厚度來使在半反射膜反射之第1反射光與，透過半反 射膜及發光層之後，在陰極反射的第2反射光進行干涉， 故例如可大幅降低射入至畫素開口部之外光的反射，此情 況，半反射膜係第1反射光與第2反射光的強度則成略相 同地設定其反射率即可。 另外，其特徵爲前述第1電極及前述第2電極之中至 少其中一方則具備有光反射性，並射入至發光裝置的光之 中在半反射膜反射之第1反射光的相位與，在具備反射性 (4)1224482
之電極所反射之第2反射光的相位則如約1 8 0度偏移設定 前述發光層厚度而成.之情況，如根據如此之構成，在半反 射膜反射之第1反射光與，透過半反射膜及發光層之後， 在陰極反射的第2反射光則進行干涉，然後相互削弱可將 光強度幾乎成爲「0」，並例如可將射入至畫素開口部之 外光的反射降低至幾乎爲「0」爲止，此情況，半反射膜 係第1反射光與第2反射光的強度則亦成爲略相同地設定 其反射率即可。
另外，本發明之發光裝置之特徵係更具備配置發光層 之複數畫素開口部與，無配置形成於畫素開口部之發光層 的畫素間部與，設置在畫素間部之透明層及反射層，並射 入至發光裝置的光之中在半反射膜反射，然後從畫素間部 射出的第3反射光與，透過半反射膜及透明層，在反射層 所反射的第4反射光則成爲相互干涉來相互削弱地來設定 前述透明層厚度之情況，此情況，半反射膜係設置在畫素 間部而成則爲理想，更爲理想則是第3反射光與第4反射 光的強度則成爲略相同地設定其反射率而成之情況，而根 據如此構成，將不止發光裝置之畫素開口部亦可大幅降低 射入至畫素開口部之外光的反射，進而可防止針對在發光 裝置之「映射狀況」，更可作爲對比高之高品質之顯示。 另外，其特徵爲更具備配置發光層之複數畫素開口部 與，無配置形成於畫素開口部之發光層的畫素間部與，設 置在畫素間部之透明層及反射層，並射入至發光裝置的光 之中在半反射膜反射，然後從畫素間部射出的第3反射光 -8- (5)1224482 的相位與，透過半反射膜及透明層，在反射層所反射的第 4反射光的相位則如約1 8 0度偏移設定前述透明層厚度而 成之情況，而對於此情況亦與上述相同，半反射膜係設置 在畫素間部而成則爲理想，更爲理想則是第3反射光與第 4反射光的強度則成爲略相同地設定半反射膜之反射率而 成之情況。
另外，在本發明之發光裝置之中係理想之半反射膜係 由使射入至該半反射膜的光之中的約50%透過，並將該射 入之光之中的約50 %進行反射之構成而成。 另外，本發明之發光裝置係具有薄膜電晶體，且前述 反射層係作爲針對在前述薄膜電晶體構造之電極來發揮機 能則爲理想，而如根據如此構造，因針對在薄膜電晶體構 造之電極則作爲反射層來發揮機能，故製造工程則被簡易 化，進而可降低製造成本。
作爲半反射膜之形成位置係亦可形成在第1電極及第 2電極之中任何一方的電極附近，另外，透明之第1電極 則電極亦可如兼具半反射膜之構成，對於將兼具半反射膜 之第1電極作爲陰極之情況係作爲第1電極係例如可採用 將鈣（Ca )，鋰（Li )，鎂（Mg )等進行薄蒸鍍之情 況，另外，對於將兼具半反射膜之第1電極作爲陽極之情 況係作爲第1電極係例如可由將功函數高之金屬的銀 (A g )，金（A u )等進行薄蒸鍍之情況來形成成爲透明 電極之同時亦成爲半反射膜之陽極。 另外如根據本發明之發光裝置，發光裝置之特徵係具 -9- (7)1224482 基板2側發光之基板側發光型之有機EL裝置。
有機EL裝置10係具有爲透明可透過光之基板2 與，由設置在基板2 —方面側且夾合在一對之陰極（反射 電極）7及陽極（透明電極）8之有機電致發光材料而成 之發光層（EL層）5與正孔輸送層（正孔注入層）6而成 之有機EL元件（發光元件）9與，封合發光元件之封合 基板20，而在此，陽極（透明電極）8係被配置於發光層 5之基板2側（發光側），另陰極（反射電極）7係被配 置於發光層5之封合基板20側（反射側）。 另外、具備有堆積於基板2與有機EL元件9之間的 封合層（保護層），而低折射率層係由封合層設置於基板 2側，另此低折射率層極封合層係不設置也可以，另外， 封合基板20與基板2係由接著層所接著，並由封合基板 2〇及接著層來封合有機EL元件9。
另外、在本實施型態之有機EL裝置1 0之中係於基 板2與陽極8之間設置有半反射膜，而半反射膜1係爲使 射入光之一部份（例如：射入光之5 0 % )透過，再將剩餘 的光（例如：射入光之50% )進行反射之構成。 在此，半反射膜1之反射率係從基板2側射入至有機 EL裝置10的外光R。之中，在半反射膜丨反射然後從有 機EL裝置1〇射出之第1反射光L的強度與，從外光R〇 之中’透過半反射膜1之後在陰極7反射，然後從有機 EL裝置〗〇射出之第2反射光R2的強度則成爲略相同之 反射率（或透過率）之情況則爲理想。 -11 - (11) (11)1224482 置有半反射膜，透明層及反射層，而在此，半反射膜係相 當於在上述第1實施型態所述之半反射膜1之構成，即， 半反射膜係與半反射膜1相同，形成在基板2與陽極8之 間，使射入光之一部份（例如：射入光之5 0 % )透過，再 將剩餘的光（例如：射入光之5 0% )進行反射之構成，而 透明層係爲配置在半反射膜之封合基板2 0側之透明的 層，例如亦可使樹酯間隔壁3作爲透明層發揮機能，而亦 可使形成在樹酯間隔壁3之基板2側之Si〇2作爲透明層 發揮機能，而另外設置透明層也可以，而反射層係爲配置 在透明層之基板2側之反射率高的層，此反射層係亦可採 用作爲針對在有機 EL裝置 10之 TFT ( Thin Film Trans is ter:薄膜電晶體）構造之電極發揮機能的層。 在此，半反射膜之反射率係從基板2側射入至有機 EL裝置10的外光（相當於外光Ro )之中，在半反射膜1 反射然後從有機EL裝置10射出之第3反射光（無圖 示，相當於第1反射光Ri )的強度與，從外光（Ro )之 中，透過半反射膜之後在反射層反射，然後從有機EL裝 置10射出之第4反射光（無圖示，相當於第1反射光 R2 )的強度則成爲略相同之反射率（或透過率）之情況則 爲理想。 另外、透明層的厚度係第3反射光（相當於第1反射 光R i )的相位與，第4反射光（相當於第1反射光112) 的相位則成爲約1 8 0度偏移之情況的厚度則爲理想。 透明層的厚度之具體直係根據形成其透明層之構件成 -15- (12) (12)1224482 份等而有所差異，但，例如將外光（R Q ) 5 2 Ο [ n m ]之波長 成份作爲中心之構成的情況，作爲透明層之厚度d，= R〇 之波長 / 4 = 5 20/4= 1 3 0 [nm]。 根據這些，第3反射光與第4反射光之關係與圖3所 示之第1反射光Ri與第2反射光R2之關係相同，即，第 3反射光與第4反射光之關係光強度（振幅）則爲相同， 且相互相位則成爲1 8 0偏移之構成，隨之，第3反射光與 第4反射光係相互干涉來相互減弱，並對於射入至有機 EL裝置1 0的畫素間部之外光，從有機EL裝置1 〇之畫素 間部所放射之反射光係結果成爲「0」。 然而’代替設置半反射膜’透明層及反射層於有機 EL裝置之畫素間部，只對於畫素間部設置黑色佈局 (BlackLayer)也可以。 另外，在上述第3實施型態之中係關於減低針對在基 板側發光型有機EL裝置之晝素間部的反射構成已說明 過，但，減低針對在封合側發光型有機E L裝置之畫素間 部的反射構成亦可與基板側發光型有機E L裝置作相同之 構成來實現。 (有機EL裝置之其他構成例） 接著，關於圖1或圖2所示之有機el裝置1，1，之 上述以外之具體構成例來進行敘述。 作爲從針對在圖1之基板2側取出發光之基板側發光 型有機EL裝置之基板2的形成材料係爲可透過光之透明 -16- (13)1224482 或半透明材料，例如可舉出，玻璃，石英，藍 酯’聚丙烯酸酯，聚碳酸酯，聚醚酮等之透 等’特別是，作爲基板5 2之形成材料係廉價 則被適當地所採用。 另一方面，對於如圖2所示之有機EL裝 板2 ’之相反側（封合基板0，側）取出發光之 型的情況係基板2 ’亦可爲不透明，而此情況 化鋁等之陶瓷，不銹鋼等之金屬薄膜施以表面 緣處理構成，採用熱硬化性樹酯，熱可塑術性; 針對圖1之陽極8係爲由ITO銦錫氧化 Tin Oxide:)等而成之透明電極，可透過光， 層（正孔注入層）6係例如由三苯基胺衍生物 吡唑青霉素鈉衍生物，烯丙胺衍生物，二苯乙 三苯二基胺衍生物而成，具體來說係例示有在 63 - 7 02 5 7 號，同 63 - 1 7 5 8 60 號公報，日本 135359 號，同 2-135361 號，同 2-209988 號， 號，同3 - 1 5 2 1 84號公報所記載之構成，但理 二基胺衍生物，而更爲適合的則是4，4 ’ -雙（ 苯）-N-苯胺）聯苯。 然而，代替於正孔輸送層來形成正孔注入 另亦可形成正孔輸送層與正孔注入層之兩者’ 作爲正孔注入層之形成材料係可舉出例如銅酞 或，爲聚四氫苯硫基亞苯基之聚亞苯基乙烯撐 (4-N，N -聯甲苯氨基苯基）環已院，三（： 寶石，或聚 明合成樹酯 之鈉鈣玻璃 置1 ’從基 封合側發光 ，將可於氧 氧化等之絕 樹酯等。 物（I n d i u m 而正孔輸送 (TPD )， 烯衍生物， 曰本特開昭 特開平 2-同 3-37992 想則是二苯 :N ( 3-甲基 層也可以， 而此情況， 菁（CuPc ) ，1，1 -雙- 8 -羥基喹啉 -17- (14) @分）鋁等，特別是可採用銅酞菁（Cupc )則爲理想。 作爲發光層5，5 ’之材料係可使用低分子之有機發光 色素或高分子發光體，即，各種螢光物質或燐光物質等之 發光物質，Alg3 (鋁螯核配位化合物）等之有機電致發光 材料’而成爲發光物質之共役系高分子之中係包含丙炔乙 燒撐或聚芴構造之構成等則特別理想，而在低分子發光體 之中係可使用例如萘衍生物，蒽衍生物，茈衍生物，聚甲 炔系’咕噸系，香豆素系，賽安寧系等色素類，8 _羥基喹 啉及其衍生物之金屬配位化合物，芳香族胺，四苯基環戊 二烯衍生物等，或是記載於日本特開昭5 7- 5 1 7 8 1，同59-1 943 93號公報等之公知之構成，另，陰極7係爲鋁 (A1 )或鋰（L i )，鈣（C a )，鎂（M g )，緦（S 〇 ， 鋇（B a )等臟土類，鏡（Y b )，衫（S m )等之稀土類， 金（Au)，銀（Ag)等之功函數金屬電極。 然而，可於陰極7，7’與發光層5，5’之間設置電子 輸送層或電子注入層’而作爲電子輸送層之形成材料係無 特別限定，而例示有噁二唑衍生物，蒽醌二甲烷及其衍生 物，蒽醌及其衍生物，萘醌及其衍生物，芴酮衍生物，二 苯基二氫基乙烯及其衍生物，聯對苯醌衍生物，8 -羥基喧 啉酚及其衍生物之金屬配位化合物，而具體而言係例示有 在日本特開昭63-70257號，同63-175860號公報，日本 特開平 2-135359 號，同 2-135361 號，同 2-209988 號， 同3 -3 7992號，同3 - 1 5 2 1 8 4號公報所記載之構成等，而 特別作爲適合的則是2- (4 -聯苯基）-5-( 4-t -丁基苯 -18- (15) (15)1224482 基）-1，3，4 -噁二唑，對苯醌，蒽醌，三（8 -鸣啉酚） 鋁。 雖無圖示，但本實施型態之有機EL裝置10，1〇,係 爲有源矩陣型’而實際上複數之資料線與複數之掃描線則 格子狀地配置在基板2，2，，並且於每個配置成矩陣狀區 劃於資料線與掃描線之各畫素，以往係藉由開關電晶體或 驅動電晶體等之驅動用T F T來接續上述之有機e L元件 9 ’ 9 ’並且當藉由資料線或掃描線來供給驅動信號時， 電流將流動於電極間，而有機E L元件9，9，之發光層5 , 5 ’則發光，將光射出至基板2，2 ’或封合基板2 0，之外面 側，其畫素則亮起。 本實施型態之有機EL裝置10，1〇,係根據作爲上述 第1乃至第3實施型態之構成的情況，因可將射入至畫素 開口部或畫素間部之外光的反射光幾乎成爲「〇」，故可 防止針對在有機EL裝置1〇，10’之顯示部之「映射狀 況」，並在野外使用也可顯示對比高之高品質顯示。 另外，本實施型態之有機EL裝置1 〇，1 〇 ’係作爲爲 了抑制外光之反射光之構成構件，因不必形成透明導電 層，故比較於採用以往之黑色佈局方法，製造上將變爲極 爲容易，進而可大幅降低製造成本。 圖4係爲表示適用有關本實施型態之有機EL裝置在 ，採用有機電致發光元素之有源矩陣型顯示裝置（光電裝 置）之情況的一例構成。 此有機EL裝置S 1係相當於形成在針對圖1或圖2 -19- (16)1224482 之基板2，2’上之有機EL元件層9 ’ 9’，並 4所示，由各自配線複數掃描線1 3 1與，對 1 3 1 ·延伸於交差之方向之複數信號線1 3 2與 於這些信號線1 3 2之複數共通供給電線1 3 3 成，在每個掃描線1 3 1及信號線1 3 2之各 (畫素範圍素）AR所構成。 對於信號線1 3 2係設置有具備移位儲存 器，影像綫路，類比開關之資料線驅動電路 另一方面，對於掃描線1 3 1係設置有 器，電平移相器之掃描線驅動電路3 8 0，另 畫素範圍A R係設置有藉由掃描線1 3 1來供 閘道電極之第1電晶體322與，藉由此第1 維持從信號線1 3 2所供給之畫像信號之維持 將根據維持容量c ap所維持之畫像信號供給 第2電晶體324與，藉由此第2電晶體324 共通供給電線1 3 3時，從共通供給電線1 3 3 之畫素電極323與，夾合於此畫素電極（陽 向電極（陰極）222之間的發光部（發光層〕 與如此構成之同時，驅動掃描線1 3 1，; 體3 2 2成開啓狀態時，此時之信號線1 3 2之 維持容量cap ’並因應該維持容量cap之狀 電晶體3 2 4之導通狀態，並且藉由第2電晶 來從共通供給電線1 3 3流動電流至畫素電極 再根據經由發光層3 6 0來流動電流至對向| 如電路圖之圖 於這些掃描線 ，並聯地延伸 於基板上之構 交點設置畫素 器，電平移相 3 90 〇 具備移位儲存 ，對於各自之 給掃描信號至 電晶體322來 容量cap與， 至閘道電極之 來以電接續至 流入驅動電流 極）323與對 | 3 60 〇 然後第1電晶 電位則維持在 態來決定第2 體324之通道 3 2 3，更加地 I極222之情 -20- (17)1224482 況’發光層3 6 0係因應流動此之電流量來進行發光。 (電子機器） 關於具備上述實施型態之光電裝置的電子機器例來進 行說明。
圖5係表示行動電話之一例斜視圖，而針對圖5，符 號1000係表示行動電話主體，而符號1001係表示採用上 述光電裝置之顯示部。 圖6係表示手錶型之電子機器一例斜視圖，而針對圖 6，符號1 1 00係表示行手錶主體，而符號1 i 0丨係表示採 用上述光電裝置之顯示部。
圖7係表示文字處理機，電腦等之攜帶型資訊處理裝 置一例斜視圖，而針對圖7，符號1 200係表示資訊處理 裝置，而符號1 202係表示鍵盤等之輸入部，符號1 2 04係 表示資訊處理裝置主體，符號1 206係表示採用上述光電 裝置之顯示部。 從圖5至圖7所示之電子機器係因具備上述實施型 之先電裝置’故可將之對在顯不部之外光的反射光幾乎 成爲「〇」’並在野外使用也可顯示對比高之高品質顯 不 ° 另外’因可大幅降低顯示部之製造成本，故將可降 抵比以往構成之成本。 然而’本發明之技術範圍係並不限定於上述實施型態 之構成，而只要不脫離本發明之主旨範圍可加上各種變 -21 - (18) (18)1224482 更，並在實施型態所舉出之具體之材料或層構成等係並不 只有一例，而可做適宜變更。 上述實施型態之有機EL裝置1，1 ’之中係作爲在接 著層封合有機EL元件9，9 ’之型態，但本發明係並不限 疋适些’亦可不設置接者層於陰極7’ 7’’而於陰極7， 7 ’上設置空洞之封合形態之所謂罐封合也可以，而此罐封 合構造之情況係亦可配置乾燥劑於畫素範圍以外的部位。
〔發明效果〕 如在以上說明可了解到，如根據本發明，針對在發光 裝置’因於陽極或陰極附近設置半反射膜，故可抑制針對 _ 在發光裝置之顯示部位的反射，進而可使顯示品質提升。 【圖式簡單說明】 [圖1]表示有關本發明之第1實施型態之有機EL裝 置剖面圖。 n [圖2]表示有關本發明之第2實施型態之有機EL裝 置剖面圖。 [圖3]表示第1反射光Ri與第2反射光R2之關係 波形圖。 [圖4]表示有源矩陣型之顯示裝置之電路圖。 [圖5 ]表示具備本實施型態之光電裝置之電子機器 —例圖。 [圖6]表示具備本實施型態之光電裝置之電子機器 -22- (19) (19)1224482 一例圖。 [圖7]表示具備本實施型態之光電裝置之電子機器 一例圖。 【符號說明】 1，1， 半反射膜 2，2， 基板 5，5， 發光層（EL層） 6，6， 正孔輸送層（正孔注入層） 7，7， 陰極 8，8， 陽極 9，9， 有機EL元件 10 ， 10’ 有機EL裝置 20，2(Γ 封合基板 Ro，Ro ’ 外光 Ri，Ri， 第1反射光 R2，R2， 第2反射光 -23-
Claims (1)
1224482 圍範利 專請 \)/ ο 申 拾 1、 一種發光裝置，其特徵係具備包含基板，和第1 電極、第2電極及挾於此等之發光層的有機電激發光元 件； 前述有機電激發光元件具備反射至少光線之一部分的 的半反射膜。 2、 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述 第1及第2電極各爲陰極及陽極。 3、 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，伴隨 前述第1電極具有光透過性，前述第2電極具有光反射 性。 4、 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前半 反射膜係配置於前述發光層之前述基板側。 5、 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述 第1電極及前述第2電極中至少一方具備光反射性； 入射於前述發光裝置之光線中，以前述半反射膜所反 射之第1反射光，和以具備前述反射性之前述電極反射的 第2反射光，成爲相互干涉而減弱之厚度，設定前述發光 層之厚度。 6、 如申請專利範圍第5項之發光裝置，其中，前述 半反射膜係前述第1反射光和前述第2反射光之強度略爲 相同地，設定該反射率。 7、 如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述 第1電極及前述第2電極中至少一方具備光反射性； -24- (2) (2)1224482 入射於前述發光裝置之光線中以前述半反射膜所反射 之第1反射光之相位，和以具備前述光反射性之前述電極 反射的第2反射光之相位，偏移約1 8度地，設定前述發 光層之厚度。 8、 如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中，前述 半反射膜係前述第1反射光和前述第2反射光之強度略爲 相同地，設定該反射率。 9、 如申請專利範圍第7項之發光裝置，其中，前述 半反射膜係透過入射於該半反射膜之光線中的約50%，反 射該入射之光線中的5 0 %。 1 0、如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，更具 備 配置前述發光層之複數之畫素開口部， 和形成於前述畫素開口部間，未配置前述發光層之畫 素間部， 和設於前述畫素間部之透明層及反射層； 以入射於前述畫素間部之光線中的前述半反射膜加以 反射，由前述畫素間部射出之第3反射光，和透過前述半 反射膜及前述透明層，以前述反射層加以反射之第4反射 光，設定相互干涉而減弱之前述透明層之厚度。 1 1、如申請專利範圍第1 0項之發光裝置，其中，前 述半反射膜係設於前述晝素間部。 1 2、如申請專利範圍第1 0項之發光裝置’其中，前 述第3反射光和前述第4反射光之強度略爲相同地，設定 -25- (3) (3)1224482 前述半反射膜之反射率。 i 3、如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，更具 備 配置前述發光層之複數之畫素開口部’ 和形成於前述畫素開口部間’未配置前述發光層之畫 素間部， 和設於前述畫素間部之透明層及反射層； 以入射於前述畫素間部之光線中的前述半反射膜加以 反射，由前述畫素間部射出之第3反射光之相位，和透過 前述半反射膜及前述透明層，以前述反射層加以反射之第 4反射光之相位，約1 8 0度偏移地設定前述透明層之厚 度。 1 4、如申請專利範圍第1 3項之發光裝置，其中，前 述半反射膜係設於前述畫素間部。 1 5、如申請專利範圍第1 3項之發光裝置，其中，前 述第3反射光和前述第4反射光之強度略爲相同地，設定 前述半反射膜之反射率。 1 6、如申請專利範圍第13項之發光裝置，其中，前 述發光裝置係具有薄膜電晶體，前述反射層係做爲前述薄 膜電晶體構造之電極加以工作者。 17、如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述 半反射膜形成於前述第1電極和前述第2電極中之至少一 方之電極附近。 1 8、如申請專利範圍第3項之發光裝置，其中，前述 -26- (4) (4)1224482 第1電極兼做爲前述半反射膜。 1 9、如申請專利範圍第1項之發光裝置，其中，前述 發光裝置係具有形成成爲矩陣狀之複數之掃瞄線及複數之 掃瞄線，和連接於前述掃瞄線和前述資料線之開關手段， 和連接於前述開關手段之畫素電極。 2 0、一種電子機器，其特徵係具備如申請專利範圍第 1項之發光裝置。
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