TWI297253B - - Google Patents

Description

1297253 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明乃有關有機EL裝置、電子榜 本案乃對於2004年6月2日申請 2004-1 6493號及2004年6月2日申請 2004-1 6495號主張優先權，沿用該內容 φ 【先前技術】 近年以來，於筆記型電腦、攜帶型 等之電子機器中，做爲顯示資訊之手段 具備複數之有機EL裝置。一般而言， 有在對向之一對之電極間，配置含有機 之有機機能層之構成。 做爲如此有機EL裝置，例如對於 縮小該發光光譜之半値寬度，具備光共 φ利文獻（日本特開平8-213174號公報） 揭示於上述專利文獻之有機EL元 挾持做爲發光層之有機EL層的半透明 構成光共振器，從該發光層所發出之光 度之縮小，或發光效率的提升，可干涉 ，對於各色之畫素，製作各同一構造之 m 所有顏色，難以最佳化之情形爲多。此 _ 光波長，最佳化光共振器之時，於各色 機EL層之膜厚大爲不同。尤其，紅色 I器者。 之曰本國特許出願 之日本國特許出願 者0 電話、電子筆記本 ，提案有訴每畫素 有機EL元件乃具 EL層（發光層） 各畫素之發光色， 振器者則揭示於專 〇 件中，可實現經由 反射層和反射層’ 線之光譜之半値寬 光之產生等。在此 光共振器時，對於 乃對於最佳化之發 之各畫素，需使有 (R)之畫素之有 -4- (3) 1297253 電激發光層之形狀爲特徵。 根據如此有機EL裝置時，半透過反射層乃於與光反 射性電極間，構成光共振器時，即，從有機EL層朝向光 反射性電極側發射之光線乃向該光反射性電極反射，結果 ，於光反射性電極和半透過反射層間加以共振。然後，共 振的結果，可透過該半透過反射層之波長時，反射光乃透 過此。另一方面，從有機EL層朝向半透過反射層發射之 φ 光線乃該一部分，透過該半透過反射層，另一部分於半透 過反射層加以反射，結果，於光反射性電極和半透過反射 層間加以共振。然後，共振的結果，可透過該半透過反射 層之波長時，反射光乃透過此。如以上，透過半透過反射 層之光線乃從該有機EL裝置射出，供予顯示等，本發明 中，反射光於共振後透過半透過反射層之故，可提升從該 有機EL裝置射出之光之色純度。 更且，本發明中，僅對於特定之顏色，選擇形成半透 φ過反射層，例如使用之有機EL層中，對於相對性色純度 低之有機EL層，可選擇性形成半透過反射層，此時，爲 補正色純度之不同’無需將有機EL層之膜厚，於每顏色 有所不同等之特別之構成。即，根據本發明之構成，將有 機EL層之膜厚，可於各畫素共通薄膜化，結果，可抑制 乃至防止如以往之有機EL層之厚膜化所成驅動電壓之上 昇、驅動效率之下降等之不妥的產生。又，可防止有機 4 EL層之薄膜化所造成之短壽命化。當然，對於正孔植入 層之膜厚，於各色素無需變化。如以上，根據本發明，可 -6 - (4) 1297253 提供以簡便之構成，得色純度高，IVL特性優異之有機 EL裝置。 本發明之有機電激發光裝置中，前述有機電激發光層 乃由高分子有機電激發光材料所構成，且可發光紅、綠、 藍之各色地加以構成，另一方面前述半透過反射層對於綠 和藍之畫素而言，選擇性加以形成者。如此，於有機EL 裝置，適用高分子有機EL材料時，紅之色純度則相對性 φ 爲高，綠和藍之色純度相對性爲低之故，如上述，令有機 EL層，對於綠和藍之畫素，選擇性形成，令各色之色純 度，可整體性提升。然後，此時，對於如上述特定之顏色 (此時爲紅色）有機EL層，無需特別之薄膜化、厚膜化 之故，可抑制乃至防止薄膜化所造成之短壽命化、或厚膜 化所造成之驅動電壓之上昇、驅動效率之下降等之不妥的 產生。 又，於上述構成中，對於前述綠和藍之畫素而言，吸 φ 收紅色之紅吸收濾光片較前述半透過反射層，選擇性形成 於光射出側。此時，於該有機EL裝置之光射出側（顯示 面側），無需配設偏光板等，於半透過反射層，反射之外 光則可解除從該有機EL裝置射出之不妥。因此，可提供 高對比、色純度高、IVL特性優異之有機EL裝置。 又，前述光透過性電極形成於特定之透光性基板內的 同時，前述紅吸收濾光片則形成於該透光性基板內面。由 ' 此構成，如以往例，於基板外側，形成濾光片時，無視角 所成濾光片和畫素之偏移，無法充分發揮濾光片之效果。 -7- (5) 1297253 又，經由紅色吸收濾光片之導入，於該有機EL裝置 面，解除凹凸等所產生之不妥的同時，經由透光性基 可保護紅色吸收濾光片。 更且，前述半透過反射層兼做爲電極的同時，相 前述半透過反射層，於光射出側形成透光性之補助電 更且前述紅吸收濾光片則於前述補助電極混入紅色吸 分。此時，經由此構成，如以往例，於基板外側，形 φ 光片時，無視角所成濾光片和畫素之偏移，無法充分 濾光片之效果。又，解除紅色吸收濾光片之導入所造 凹凸生成的同時，經由透光性基板，可保護紅色吸收 片。又，非另外形成紅色吸收濾光片之故，可賦予該 EL裝置之小型化。 或者，本發明之有機電激發光裝置，其特徵乃具 成於光反射電極和光透過性電極間之有機EL層之有彳 裝置中，前述有機EL層乃令複數色呈可發光地加以 馨的同時，於每畫素，可發光一個發光色而構成，透過 反射從前述有機EL層之光線之半透過反射層，則經 半透過反射層和前述光反射性電極，挾入前述有機電 光層之形式加以形成，另一方面，前述畫素內之前述 過反射層之反射率則於前述發光色之不同畫素間而有 同爲特徵。 根據如此有機電激發光裝置，半透過反射層乃於 反射性電極間，構成光共振器，即，從有機EL層朝 反射性電極側發射之光線乃向該光反射性電極反射， 之外 板， 較於 極， 收成 成濾 發揮 成之 濾光 有機 備形 i EL 構成 乃至 由該 激發 半透 所不 與光 向光 結果 (6) 1297253 ，於光反射性電極和半透過反射層間加以共 振的結果，可透過該半透過反射層之波長時 過此。另一方面，從有機EL層朝向半透過 光線乃該一部分，透過該半透過反射層，另 過反射層加以反射，結果，於光反射性電極 層間加以共振。然後，共振的結果，可透過 層之波長時，反射光乃透過此。如以上，透 φ 層之光線乃從該有機EL裝置射出，供予顯 中，反射光於共振後透過半透過反射層之故 有機EL裝置射出之光之色純度。 更且，本發明中，使半透過反射層之反 顏色畫素間有所不同地加以構成之故，例: EL層中，包含相對色純度低之有機EL層之 透過反射層之反射率相對性爲高地加以構成 包含相對色純度高之有機EL層之畫素中， •層之反射率相對性爲低地加以構成。採用如 經由半透過反射層之導入所產生之發光效率 該半透過反射層之導入所造成之色純度的提 抑制於最小。 令本發明之有機電激發光裝置，使前述 高分子有機電激發光材料加以構成，且可發 之各色地加以構成，另一方面，前述畫素內 反射層之反射率乃具有（紅色之畫素之反射 之畫素之反射率）<(藍色之畫素之反射率 振。然後，共 ，反射光乃透 反射層發射之 一部分於半透 和半透過反射 該半透過反射 過半透過反射 示等，本發明 ，可提升從該 射率於不同之 扣使用之有機 畫素中，使半 。另一方面， 使半透過反射 此構成，可將 的減低，保持 升效果下，可 有機EL層以 光紅、綠、藍 之前述半透過 率）< (綠色 )之關係。 -9 - (7) 1297253 做爲有機EL層使用高分子有機EL材料時，一般而 言，紅之色純度乃對於綠和藍爲高，另一方面，綠和藍（ 尤其是藍）之色純度乃對於紅而言爲低。在此，於上述， 令藍之畫素之反射率，對於紅而高爲大，令各色之畫素之 色純度，一律可呈爲高。然後，如此，一律地提高色純度 ’原本色純度高之紅之畫素中，可使反射率變低，可適切 抑制發光效率之減低。 然而，做爲令半透過反射層之反射率，於每畫素有所 不同之方法，例如可令畫素內之半透過反射層之平面內占 有面積，於每發光色之不同每畫素間，有所不同者。此時 ，令有機電激發光層以高分子有機電激發光材料構成，且 可發光紅、綠、藍之各色地加以構成時，畫素內之前述半 透過反射層之平面內占有面積乃具有（紅色之畫素之平面 內占有面積）<(綠色之畫素之平面內占有面積）<(藍 色之畫素之平面內占有面積）之關係。 如上所述，本發明之有機電激發光裝置中，令半透過 反射層之反射層（例如平面內佔有面積），以紅、綠、藍 之順序之高度加以構成爲特徵，例如於紅之畫素，不形成 半透過反射層亦可。即本發明之有機EL裝置中，前述半 透過反射層乃可對於綠和藍之畫素，選擇性形成者。 又，對於前述綠和藍之畫素而言，吸收紅色之紅吸收 濾光片較半透過反射層，選擇性設於光射出側。此時，於 該有機EL裝置之光射出側（顯示面側），即使不配設偏 光板等，可解決於半透過反射層反射之外光，從該有機 -10· (8) 1297253 EL裝置射出之不妥。因此，可提供高對比、色純度高、 IVL (電流-電壓-亮度）特性優異之有機EL裝置。然而， 前述光透過性電極形成於特定之透光性基板內面的同時， 前述紅色吸收濾光片可形成於該透光性基板內面。此時， 經由紅色吸收濾光片之導入，於該有機EL裝置之外面， 可解除產生凹凸等之不妥的同時，可經由透光性基板保護 紅色吸收濾光片。 接著，本發明之電子機器乃將本發明之有機EL裝置 ，例如做爲顯示部備有者爲特徵。根據此電子機器，可實 現色純度高、高對比之顯示。 【實施方式】 以下，對於本發明之實施形態，參照圖面加以說明。 然而，參照之各圖中，爲使圖面上可被辦識，比例尺乃在 於各層或各構件上有所不同。 (第1實施形態） 圖1乃對於本發明之有機EL裝置之實施形態，尤其 模式顯示主動矩陣型之有機EL裝置1之主要部分的說明 圖。然而，有機EL裝置1乃採用使用薄膜電晶體之主動 型之驅動方式。 有機EL裝置1乃於基板2上，順序層積含做爲電路 元件之薄膜電晶體的電路元件部1 4、畫素電極（陽極） Π 1、含有機EL層（有機EL元件）之機能層1 10、陰極 -11 - (10) 1297253 器、視訊線及類比開關之資料側驅動電路1 03。又，於掃 瞄線1 3 1中，連接含偏移暫存器及位準偏移器之掃瞄線側 驅動電路104。 於畫素範圍A中，設有藉由掃瞄線1 3 1，掃瞄信號供 予閘極電極之開關用之第1之薄膜電晶體123、藉由此薄 膜電晶體123，保持號線132供給之畫像信號之保持容量 1 3 5、和經由保持容量1 3 5保持之畫像信號，供予閘極電 φ 極之驅動用之第2之薄膜電晶體124、和藉由此薄膜電晶 體1 24電性連接於電源線1 3 3時，從電源線1 3 3流入驅動 電流之畫素電極111 (陽極）、挾於畫素電極111和對向 電極12間之機能層110。機能層110乃包含做爲有機EL 元件之有機EL層。 於畫素範圍A，驅動掃瞄線13 1，開啓第1之薄膜電 晶體123時，此時信號線132之電位，則保持於保持容量 1 3 5，對應於此保持容量1 3 5之狀態，決定第2之薄膜電 肇晶體124之導通狀態。又，藉由第2之薄膜電晶體124之 通道，從電源線1 3 3流入電流至畫素電極1 1 1，更透過機 能層Π 0，於對向電極12 (陰極）流入電流。然後，對應 於此時之電流量，機能層1 1 0則發光。 圖3乃擴大上述有機EL裝置1之顯示範圍之剖面構 造。於此圖3中，顯示對應於紅色（R )、綠色（G )、 藍色（B)之各色之3個畫素範圍之剖面構造。如前所述 ，有機EL裝置1乃順序層積於基板2上，形成TFT等之 電路等之電路元件部14、畫素電極（陽極）1Π、形成機 -13- (12) 1297253 然後，於第2層間絕緣膜144b上’ ITO等所成透明 之畫素電極1 Π則形成呈島狀，上述連接孔1 4 5則連接於 此畫素電極1 1 1。然而，另一方之連接孔1 4 6則連接於電 源線1 3 3。如此，於電路元件部14中，形成包含連接於 畫素電極111之半導體膜141的驅動用之薄膜薄膜電晶體 1 2 3。然而，於電路元件部1 4，雖形成前述保持容量1 3 5 及開關用之薄膜電晶體124，但圖3中省略了此等之圖不 • ° 如此，於第2層間絕緣膜144b上，層積畫素電極 1 1 1，更層積機能層1 1 〇等，但本實施形態中，在於紅色 (R)、綠色（G)、藍色（B)之各畫素具有不同之層積 構造。具體而言，紅色（R)、綠色（G)、藍色（B)之 畫素中，於各第2層間絕緣膜1 44b和畫素電極1 1 1間， 形成紅色吸收濾光片125及半透過反射層126 ’於此等紅 色吸收濾光片125及半透過反射層126上側，形成機能層 φ 1 1 0。另一方面，於紅色（R )之畫素中，未形成此等紅色 吸收濾光片及半透過反射層。 詳述之下，於紅色（R )之畫素中，於第2層間絕緣 膜144b上，圖案化形成畫素電極1 1 1，於此上，形成發 光元件部11。發光元件部11乃令層積於畫素電極111上 之機能層Π 〇，和分割配置於機能層Π 〇之間的各機能層 1 1 〇之間隔壁部1 1 2爲主體而構成。於機能層1 1 0上，配 置鋁等之反射性金屬膜所成。 另一方面，於綠色（G )之畫素，於第2層間絕緣膜 -15- (15) 1297253 11 Ob之機能的同時，具有將正孔於正孔植入/ 1 1 〇a內部輸送的機能。將如此正孔植入/輸送層 經由設於畫素電極111和有機EL層110b間，可 機EL層1 l〇b之發光效率、壽命等之元件特性。 有機EL層ll〇b中，從正孔植入/輸送層ll〇a植 孔，和從陰極12植入之電子，於有機EL層再結 得發光。 p 然而，正孔植入/輸送層110a乃將聚二氧乙 (PEDOT)等之聚噻吩衍生物和聚對苯乙烯磺酸< 之混合物（PEDOT/PSS)，以噴墨法而成膜者，於 B)之畫素中，調整成4 0nm之厚度，紅色（R)和 G)之畫素中，則調整呈70nm之厚度。正孔植入 層ll〇a之膜厚乃在各色畫素有所不同亦可，經由 其上之EL層11 Ob之膜厚的調整，可使全畫素爲 。由此，可簡化正孔植入/輸送層ll〇a之形成程 φ如將正孔植入/輸送層110a之厚度統一呈50nm。 做爲有機EL層1 10b之厚度，經由於藍色之畫素 有機EL層110b3之厚度爲70nm、綠色畫素中呈# 層ll〇b2之厚度爲90nm，同時改善藍和綠之畫素 〇 有機EL層1 1 Ob乃於紅色（R )之畫素中，於 糸工色（R)之高分子材料所成紅色有機EL層110b, 成’於綠色（G)之畫素中，於發光呈綠色（G) 子材料所成綠色有機EL層110b2加以構成，更且 輸送層 110a， 提升有 又，於 入之正 合，而 基噻吩 ；PSS ) 藍色（ 綠色（ /輸送 形成於 同一者 序。例 此時， 中，呈 I* 機 EL 之色度 發光呈 加以構 之局分 於藍色 -18- (16) 1297253 (B)之畫素中，於發光呈藍色（B)之高分子材料所成 藍色有機EL層1 10b3加以構成。然後，各色畫素乃以特 定之排列（例如條紋狀）加以配置。然而，各有機EL層 1101M、110b2、ll〇b3乃將各發光材料（高分子材料）， 以噴墨法成膜者，所有以厚度80nm程度進行成膜。 做爲形成紅色有機E L層1 1 0 b 1之發光材料，例如可 使用若丹明及該衍生物等之有機EL材料所成者，做爲形 鲁成綠色有機EL層110b2之發光材料，例如可使用喹υ丫酮 及該衍生物等之有機EL材料所成者。做爲形成藍色有機 EL層1101>3之發光材料，例如可使用二苯乙烯聯苯及該 衍生物、香豆素及該衍生物、四苯基丁二烯及該衍生物等 之有機EL材料所成者。 另一方面，間隔壁部1 1 2乃圖案形成畫素電極丨】〗後 ’首先’將Si02等之無機材料所成無機物間隔壁層i 12a ’以備有畫素開口之形式，形成呈厚50nm程度，之後， #將聚醯亞胺等之有機材料所成有機物間隔壁層11 2b，同 樣以備有畫素開口之形式，形成呈厚2 μιη程度而得者。 接著，陰極（對向電極）12乃形成於發光元件部1 1 之整面，與畫素電極111成對，達成於機能層110流入電 流之工作效果。此陰極12乃在本例中，層積鈣層12a和 鋁層12b而構成。鋁層12b乃將由有機EL層1 10b所發 出之光線，反射至基板2側者，除了 A1膜之外，可採用 A1和Ag之層積膜等。又，該厚度乃例如可爲lOOnm〜 lOOOnm之範圍。 -19- (17) 1297253 然而，做爲將紅色吸收濾光片1 25，對於綠色（G ) 和藍色（B )之畫素，選擇性配設之方法，例如可採用噴 墨或微影法等。具體而言，經由噴墨法時，首先於第2層 間絕緣膜144b上之整面，施以CF4電漿，於綠色（G) 和藍色（B )之畫素上，照射紫外線使表面改性時，可得 均勻之成膜。 如此構成之有機EL裝置1中，半透過反射層126乃 φ 伴隨陰極1 2，構成光共振器，即從機能層1 1 0朝向陰極 1 2發出之光線乃向該陰極1 2反射，結果，於陰極1 2和 半透過反射層1 26間共振。然後，共振結果，成爲可透過 半透過反射層126之波長時，反射光則可透過此。 另一方面，從機能層110朝向半透過反射層126發射 之光線乃該一部分透過該半透過反射層126，其他部分於 半透過反射層126反射，結果，於陰極12和半透過反射 層126間共振。然後，共振的結果，成爲可透過半透過反 φ射層126之波長時，反射光則可透過此。 如以上，透過半透過反射層1 26之光線乃從該有機 EL裝置1射出，供予顯示等，但本實施形態中，反射光 於共振後，透過半透過反射層126之故，射出至該有機 EL裝置1之光線的色純度則提升，將此做爲顯示裝置使 用之時，可得高亮度、高對比化顯示。本實施形態中，藍 色可得色度（x，y = 〇.i4,o.i )，綠色可得色度（ X，y = 0.35,0.61)，紅色可得色度（x，y = 0.66,0.3 3 )。又， 可實現表面反射率4%。然而，未具有光共振構造（即半 -20- (18) 1297253 透過反射層126)、紅色吸收濾光片125及遮光層 有機EL裝置中，藍色色度爲（x，y = 0.15,0.2)，綠 爲（x，y = 0.42,0.55 )，表面反射率 70%。 更且，本實施形態中，對於綠色（G )及藍f 之畫素，選擇性形成半透過反射層126,做爲有機 1 1 〇使用高分子材料構成時，綠色和藍色較紅色而 純度相對爲低。 因此，如本實施形態，對於相對色純度低之系 )及藍色（B)之畫素，形成半透過反射層，爲補 純度之不同，無需使有機EL層110之膜厚按每個 所不同等之特別構成。 即，根據本實施形態之構成時，可使有機EL 之膜厚，於各畫素共通而薄膜化，結果，可抑制以 止有機EL層之厚膜化所造成之驅動電壓之上昇、 率下降等之不妥的產生。 然而，於紅色（R )之畫素之光取出側，設置 長600nm以下之光線的第2濾光片，可更提升對 使表面反射率減低至3 %。如此之第2濾光片乃在 G )和藍色（B )之畫素，令紅色吸收濾光片以噴 形成時，可於紅色（R )之畫素，以噴墨法加以形 ，非令2濾光片另外加以設置，對於透明之畫素電 ，吸收波長600nm以下之光線的材料，具體而言 爲混入紅色染料或紅色顏料之色素，發現可有與上 之效果。 BM之 色色度 1(B) EL層 言，色 ^色（G 正該色 顏色有 層 110 至於防 驅動效 吸收波 比。可 綠色（ 墨加以 成。又 極111 ，即使 述同樣 -21 - (19) 1297253 以下，對於第1實施形態之有機EL裝置1之製造方 法加以說明。 首先，於基板2上，將遮光層BM，經由公知之微影 技術加以形成後，形成基材保護膜2c及TFT1 23的同時 ，形成層間絕緣膜144a、144b，作成EL裝置之基體。然 後，於層間絕緣膜1 44b上，形成吸收紅色之光線之樹脂 層，將此經由微影技術，選擇形成於綠色（G )和藍色（ φ B )之畫素，得紅色吸收濾光片1 25。於此濾光片形成工 程中，採用噴墨法或微影法之任一者亦可。於噴墨法時， 首先於第2層間絕緣膜144b上之整面，施以CF4電漿， 於綠色（G )和藍色（B )之畫素上，選擇照射紫外線， 改性該表面，得一層均勻之膜。 接著，於紅色吸收濾光片上，做爲半透過反射層126 ，令A1對於綠色（G )和藍色（B )之畫素，選擇性形成 。此時膜厚乃l〇nm程度。接著，於所有畫素，將做爲透 φ 明陽極之ITO，呈厚度70nm程度，加以圖案形成，更且 做爲畫素開口膜之無機物間隔層112a，將8102圖案化呈 厚5 Onm程度，更且做爲畫素開口膜之有機物間隔層112b ，將聚醯亞胺圖案化呈厚2 μηι程度。然後，於形成之間 隔壁內，以噴墨法，塗佈做爲形成正孔/輸送層之材料包 含PEDOT/PSS材料的液狀組成物，於藍色（Β)之畫素， 圖案化形成呈厚40nm程度，於紅色（R)和綠色（G)之 畫素，圖案化形成呈厚7〇nm程度。此時之膜厚乃於所有 發光層成爲約80nm。接著，形成陰極12的同時，進行封 -22- (20) 1297253 閉工程，得第1實施形態之有機EL裝置1。 (第2實施形態） 接著，對於有機EL裝置之第2實施形態，使用 加以說明。於本第2實施形態中，與第1實施形態不 將具備吸收紅色之機能之畫素電極1 1 1，配設於綠仓 )和藍色（B)之各畫素爲特徵，其他之構成乃與第 φ 施形態略相同。因此，於本實施形態，對於與第1實 態不同之部分，特別加以說明。 第2實施形態之有機EL裝置100乃對於紅色 之畫素，具有與第1實施形態之有機EL裝置1同樣 成。另一方面，對於綠色（G)和藍色（B)之畫素 設有兼備於第2層間絕緣膜144b上吸收波長5 5 0nm 之光線（相當於紅色）之濾光片機能和電極（陽極） 的畫素電極127。具體而言，於ITO等之導電性透明 φ材料之中，成爲分散Sn酞菁化合物之構成。如此之 時，未形成紅色吸收濾光片的結果，可達薄層化，簡 造工程。 做爲如此有機EL裝置100之製造方法，與第1 形態同樣，首先，於基板2上，形成遮光層B Μ後， 基材保護膜2c及TFT 123的同時，形成層間絕緣膜 、144b，作成EL裝置之基體。然後，於層間絕緣膜 上，全面形成Si02等之無機材料後，經由公知之微 術，形成具有畫素開口膜之無機物間隔層1 1 2 a，另 圖4 同， .(G 1實 施形 (R) 之構 ，配 以上 機能 金屬 構成 化製 實施 形成 144a 144b 影技 一方 -23- (21) 1297253 面，於該無機物間隔層1 1 2a上’形成具有畫素開口膜之 有機物間隔層112b。 接著，於綠色（G)及藍色（B)之各畫素之間隔膜 內，將ITO及Sn酞菁化合物分散於溶媒之液狀組成物， 以分配器塗佈，於紅色（R )之畫素之間隔膜內，將IT0 分散於溶媒之液狀組成物，加以塗佈。接著，燒成此塗佈 膜之後，將銀電鍍溶液，於綠色（G )及藍色（B )之畫 φ 素，形成透過率50%程度之半透過反射層。之後，與第1 實施形態同樣，形成正孔植入/輸送層/輸送層、有機 EL裝置、陰極等，更且進行封閉工程，得第2實施形態 之有機EL裝置100。 (第3實施形態） 接著，對於有機EL裝置之第3實施形態，使用圖5 加以說明。於本第3實施形態中，與第1及第2實施形態 Φ不同，於綠色（G)和藍色（B)之各畫素，在一畫素中 形成2個畫素電極，對應於此，形成2個TFT。然而，對 於紅色（R )之畫素，具備與第1及第2實施形態相同之 構成，以下，對於與第1及第2實施形態不同之構成部分 加以說明。 如圖5所示之有機EL裝置101中，綠色（G)及藍 色（B)之畫素各分割成爲2個之點，於一畫素中，形成 2個之畫素電極。於該一畫素中分割形成之2個畫素電極 乃各具備紅色吸收濾光片機能之畫素電極1 2 7 (以下亦稱 -24- (22) 1297253 著色畫素電極127)，和未具備該濾光片機能之畫素電極 111，於各畫素電極127、111，各連接薄膜電晶體123。 具有著色畫素電極127之點，和具有畫素電極111之點乃 經由間隔壁部1 1 2分割，於具有著色畫素電極1 27之點， 於該著色畫素電極1 27上，形成與第2實施形態同樣之半 透過反射層126，更且，形成正孔植入/輸送層1 10a、及 發光層11 〇b。然而，於畫素電極111上，未形成半透過 φ 反射層，正孔植入/輸送層1 1 〇a、發光層1 1 Ob則與紅色 (R )之畫素同樣形成。 除此之外，陰極12等之構成乃與第1及第2實施形 態相同，於本第3實施形態中，可發現與第2實施形態同 樣之效果。又，根據第3本實施形態中，於綠色（G )及 藍色（B)之畫素全域，較形成半透過反射層126之構成 ，可提升顯示之明亮度。然而，如本第3實施形態，將1 個畫素分割成複數之點之構成乃如第1實施形態，可採用 鲁於紅色吸收濾光片125之構成之有機EL裝置。又，分割 畫素時，不一定需要將點間經由間隔壁層1 1 2加以分割， 例如如圖6所示之有機EL裝置1 02，於無間隔壁層之形 態，可構成各點。更且，做爲驅動方法，例如顯出鮮明顏 色之時，僅驅動具備綠色（G)及藍色（B)之畫素中之 半透過反射層126之點爲佳。另一方面，於顯示淡色、中 間色之時，可驅動具備綠色（G)及藍色（B)之畫素中 之半透過反射層126之點，和未具備該半透過反射層126 之點之兩者。 -25- (23) 1297253 (第4實施形態） 圖7乃對於本發明之有機EL裝置之一實施形態，尤 其爲模式性顯示主動矩陣型之有機EL裝置201之主要部 的說明圖。然而，有機EL裝置201乃採用使用薄膜電晶 體之主動矩陣型之驅動方式。 與第1實施形態同樣，有機EL裝置201乃於基板 φ 202上，順序層積包含做爲電路元件之薄膜電晶體的電路 元件部214、畫素電極（陽極）311、包含有機EL裝置（ 有機EL元件）310b之機能層310、陰極212、及封閉部 203 等。 與第1實施形態同樣，做爲基板202，本例中，使用 玻璃基板。除了玻璃基板之外，適用使用於矽基板、石英 基板、陶瓷基板、金屬基板、塑膠基板、塑膠薄膜基板等 、光電裝置或電路基板之公知之各種基板。於基板202內 Φ ，與第1實施形態同樣，做爲發光範圍之複數之畫素範圍 A則排列呈矩陣狀，進行彩色顯示時，例如對應於紅色（ R)、綠色（G)、藍色（B)之各色之畫素範圍A，則以 特定之排列加以構成。於各畫素範圍A中，配置畫素電 極31 1，於該附近，配置信號線3 32、電源線3 3 3、掃猫 線3 3 1及未圖示之其他之畫素電極用之掃瞄線等。 又，與第1實施形態同樣，封閉部203乃防止水或氧 之入侵，防止陰極212或機能層310之氧化者，包含塗佈 於基板202之封閉樹脂、及貼合於基板202之封閉基板 -26- (24) 1297253 2 03b (封閉罐）等。做爲封閉樹脂之材料，乃例如使用熱 硬化樹脂或紫外線硬化樹脂等，尤其，較佳爲使用熱硬化 樹脂之一種之環氧樹脂。封閉樹脂乃於基板202之周緣塗 佈呈環狀，例如經由微分配器等加以塗佈。封閉基板 203b乃由玻璃或金屬等所成，基板202和封閉基板203 b 乃藉由封閉樹脂張貼。 圖8乃顯示上述有機EL裝置201之電路構造。 p 於圖8中，於基板202上，與第1實施形態同樣，配 線複數之掃瞄線3 3 1、和向對於掃瞄線3 3 1之交叉之方向 延伸之複數之信號線3 32、和並列延伸於信號線3 32之複 數之電源線3 3 3。又，於掃瞄線3 3 1及信號線3 3 2之各交 點，形成上述畫素範圍A。 於信號線3 3 2中，例如連接含偏移暫存器、位準偏移 器、視訊線及類比開關之資料側驅動電路3 03。又，於掃 瞄線3 3 1中，連接含偏移暫存器及位準偏移器之掃瞄線側 _驅動電路3 04。 與第1實施形態同樣，於畫素範圍A中，設有藉由 掃瞄線3 3 1，掃瞄信號供予閘極電極之開關用之第1之薄 膜電晶體323、藉由此薄膜電晶體3 23，保持號線3 3 2供 給之畫像信號之保持容量3 3 5、和經由保持容量3 3 5保持 之畫像信號，供予閘極電極之驅動用之第2之薄膜電晶體 3 24、和藉由此薄膜電晶體3 24電性連接於電源線3 3 3時 ，從電源線3 3 3流入驅動電流之畫素電極3 1 1 (陽極）、 挾於畫素電極3 1 1和對向電極2 1 2 (陰極）間之機能層 -27- (25) 1297253 310。 機能層310乃包含做爲有機EL元件之有機EL層。 與第1實施形態同樣，於畫素範圍A，驅動掃瞄線 3 3 1，開啓第1之薄膜電晶體3 2 3時，此時信號線3 3 2之 電位，則保持於保持容量3 3 5，對應於此保持容量3 3 5之 狀態，決定第2之薄膜電晶體324之導通狀態。又，藉由 第2之薄膜電晶體324之通道，從電源線3 3 3流入電流至 畫素電極311，更透過機能層310，於對向電極212(陰 φ 極）流入電流。然後，對應於此時之電流量，機能層3 1 0 則發光。 圖9乃獷大上述有機EL裝置201之顯示範圍之剖面 構造。於此圖9中，顯示對應於紅色（R )、綠色（G ) 、藍色（B )之各色之3個畫素範圍之剖面構造。如前所 述，有機EL裝置201乃順序層積於基板202上，形成 TFT等之電路等之電路元件部214、畫素電極（陽極） 311、 形成機能層310之發光元件部211、及陰極212加 _以構成。 於此有機EL裝置201中，從機能層310朝向基板 2〇2發出光線，透過電路元件部214及基板202，向基板 2 02之下側（觀察者側）射出的同時，從機能層3 1 0朝向 基板202之相反側發出之光線，經由陰極2 1 2加以反射， 透過電路元件部214及基板202，向基板202之下側（觀 察者側）射出。 與第1實施形態同樣，於電路元件部2 1 4中，於基板 2〇2上，遮光性材料所成遮層BM則形成呈島狀，更且， -28- (26) 1297253 於被覆此之形式，形成矽氧化膜所成基材保護膜202c。 於此基材保護膜202c上，對於與遮層BM平面重疊之位 置’形成多結晶矽所成之島狀之半導體膜341。然而，於 半導體膜341，經由高濃度P離子植入源極範圍341a及 汲極範圍341b加以形成。然而，導入P之部分則成爲通 道範圍3 4 1 c。 更且，於電路元件部21 4中，與第1實施形態同樣， 馨形成被覆基材保護膜2 02c及半導體膜341之透明之閘極 絕緣膜342，於該閘極絕緣膜342上，形成Al、Mo、Ta 、Ti、W等所成之閘極電極（掃瞄線）3 43。又，於閘極 電極3 43及閘極絕緣膜342上，形成透明之第1層間絕緣 膜3 44a和第2層間絕緣膜344b。做爲各層間絕緣膜，例 如採用將Si02或SiN所成透光性絕緣膜，呈適切之膜厚 者（例如200nm程度）。 與第1實施形態同樣，閘極電極343乃設於對應於半 馨導體膜341之通道範圍341c之位置。又，形成貫通第1 、第2層間絕緣膜344a、344b，各連接於半導體膜341 之源極、汲極範圍341a、341b的連接孔345、346。 然後，與第1實施形態不同，於第2層間絕緣膜 3 4 4b上，於第2層間絕緣膜344b上，A1等之光反射性材 料所成半透過反射層326則形成呈特定圖案之島狀’更且 被覆此形狀下’ IT0等所成透明之畫素電極1 1 1則形成呈 島狀。 畫素電極311乃藉由上述連接孔345，連接於 -29- (27) 1297253 TFT3 23。然而，另一方之連接孔346則連接於電源線333 。如此，於電路元件部2 1 4中，形成包含連接於畫素電極 311之半導體膜341的驅動用之薄膜薄膜電晶體323。然 而，於電路元件部214，雖形成前述保持容量33 5及開關 用之薄膜電晶體324，但圖9中省略了此等之圖示。 如此，於第2層間絕緣膜344b上，雖形成半透過反 射層326及畫素電極311，半透過反射層326乃在於紅色 φ ( R)、綠色（G)、藍色（B)之各畫素具有不同之反射 率。具體而言，不等號關係乃呈（紅色之畫素之反射率） <(綠色之畫素之反射率）<(藍色之畫素之反射率）， 形成各畫素之半透過反射層326,在此爲使反射率不同， 令半透過反射層326之各畫素內之面內佔有面積比，成爲 (紅色之畫素之佔有面積）：（綠色之畫素之佔有面積） :(藍色之畫素之佔有面積）=〇 : 50 : 50。由此，本實施 形態之半透過反射層3 26之反射率比成爲（紅色之畫素之 0半透過反射層之反射率）：（綠色之畫素之半透過反射層 之反射率）：（藍色之畫素之半透過反射層之反射率）=0 ：50 ： 50 〇 半透過反射層326乃反射以機能層310中之有機EL 層（發光層）3 1 Ob發光之光線之一部分，具有透過一部 分之機能，與畫素開口重疊，或呈較畫素開口若干爲大之 平面形狀地加以形成。然而，半透過反射層326乃將鋁等 所成反射性金屬膜，形成呈l〇nm程度之薄膜。 畫素電極3 Π乃圖案化呈平面視之略矩形而形成。此 -30- (28) 1297253 畫素電極111之厚度乃50nm〜20 0nm (例如70nm )之範 圍爲佳。發光元件部211乃以層積於畫素電極311上之機 能層3 1 0，和配設於機能層3 1 0間之間的各機能層3 1 0加 以分割之間隔壁層3 1 2爲主體而構成。於機能層3 1 0上， 配置鋁等之反射性金屬膜所成陰極212。然而，半透過反 射層326和陰極2 1 2間之光學性距離乃與該畫素之發光波 長相同，或呈該整數倍地被設計，結果，半透過反射層 φ 3 26和陰極212則對於從該畫素取出之光線，構成光共振 器。 間隔壁部3 1 2乃與第1實施形態相同，如圖9所示， 層積位於基板202側之無機物間隔壁層（第1間隔壁層） 3 12a，和離開基板202之位置的有機物間隔壁層（第2間 隔壁層）3 1 2b而構成。無機物間隔壁層3 1 2a乃例如由 Si02、Ti02等之無機材料所成。又，有機物間隔壁層 112b乃由丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂等之有耐熱性、耐 (§溶媒性之之光阻劑所形成者。 又，與第1實施形態同樣，機能層3 1 0乃由層積於畫 素電極311上之正孔植入/輸送層310a、和鄰接於正孔 植入/輸送層310&上>斤形成之有機EL層（發光層）310b 所構成。 正孔植入/輸送層31〇a乃具有將正孔植入有機EL層 31〇b之機能的同時，具有將正孔於正孔植入/輸送層 3 1 0a內部輸送的機能。將如此正孔植入/輸送層3丨0a， 經由設於畫素電極3 1 1和有機e L層3 1 0 b間，可提升有 -31 - (29) 1297253 機EL層3 10b之發光效率、壽命等之元件特性。 有機EL層310b中，從正孔植入/輸送層310a植 孔，和從陰極212植入之電子，於有機EL層再結 得發光。 然而，正孔植入/輸送層310a乃將聚二氧乙 (PEDOT )等之聚噻吩衍生物和聚對苯乙烯磺酸< 之混合物（PEDOT/PSS)，以噴墨法而成膜者，與 φ 施形態不同，各畫素共通下，調整至50nm之厚度 與第1實施形態相同，有機EL層3 1 Ob乃於糸: )之畫素中，於發光呈紅色（R)之高分子材料所 有機EL層3 10M加以構成，同樣於綠色（G)之 ’於發光呈綠色（G)之高分子材料所成綠色有機 3 1〇b2加以構成，更且於藍色（b )之畫素中，於 藍色（B)之高分子材料所成藍色有機EL層310b3 成。然後，各色畫素乃以特定之排列（例如條紋狀 孀|配置。然而，各有機EL層3 1 Ob!、3 1 0b2、3 1 0b3 發光材料（高分子材料），以噴墨法成膜者，與第 开不同’厚度在紅色之畫素爲80nm，綠色之 8 0nm，藍色之畫素爲70nm程度。 做爲形成紅色有機EL層310b!之發光材料， 使用添加若丹明之PPV或MEH_PPV或聚苟系等 EL材料所成者，做爲形成綠色有機EL層3 10b2之 料’例如可使用PPV衍生物或F8BT +聚二辛基荀 衍生物等之有機EL材料所成者。做爲形成藍色有

又，於 入之正 合，而 基噻吩 ：PSS ) 第1實 〇 1：色（R 成紅色 畫素中 EL層 發光呈 加以構 )加以 乃將各 1實施 畫素爲 例如可 之有機 發光材 等之芴 •機EL -32- (30) 1297253 層3 1 0b3之發光材料，例如可使用聚二辛基芴衍生物 有機EL材料所成者。 另一方面，間隔壁部3 1 2乃與第1實施形態同樣 案形成畫素電極311後，首先，將Si02等之無機材 成無機物間隔壁層3 1 2a，以備有畫素開口之形式， 呈厚50nm程度，之後，將聚醯亞胺等之有機材料所 機物間隔壁層312b，同樣以備有畫素開口之形式， φ 呈厚2 μπι程度而得者。 接著，陰極（對向電極）212乃與第1實施形態 ，形成於發光元件部211之整面，與畫素電極311成 達成於機能層3 1 0流入電流之工作效果。此陰極2 1 2 本例中，層積鈣層212a和鋁層212b而構成。鋁層 乃將由有機EL層310b所發出之光線，反射至基板 側者，除了 A1膜之外，可採用A1和Ag之層積膜等 ，該厚度乃例如可爲l〇〇nm〜lOOOnm之範圍。 φ 如此構成之有機EL裝置201中，與第1實施形 樣，半透過反射層3 26乃與陰極212之間，構成光共 ，即從有機EL層3 1 0朝向陰極2 1 2發出之光線乃向 極212反射，結果，於陰極212和半透過反射層326 振。然後，共振結果，成爲可透過半透過反射層326 長時，反射光則可透過此。 另一方面，從有機EL層310朝向半透過反射層 發射之光線乃該一部分透過該半透過反射層32 6，其 分於半透過反射層3 26反射，結果，於陰極212和半 等之 ，圖 料所 形成 成有 形成 同樣 對， 乃在 212b 202 。又 態同 振器 該陰 間共 之波 326 他部 透過 -33· (31) 1297253 反射層3 26間共振。然後，共振的結果，成爲可透過半透 過反射層3 26之波長時，反射光則可透過此。 如以上，透過半透過反射層326之光線乃與第1實施 形態同樣，從該有機EL裝置201射出，供予顯示等，但 本實施形態中，反射光於共振後，透過半透過反射層326 之故，射出自該有機EL裝置201之光線的色純度則提升 ，將此做爲顯示裝置使用之時，可得高亮度、高對比化顯 φ 示。本實施形態中，與第1實施形態不同，藍色可得色度 (x,y = 0.14,0.16)，綠色可得色度（x，y = 〇.4,0.59)，紅 色可得色度（x，y = 〇.66,0.33 )。然而，未具有光共振構造 (即半透過反射層326 )之有機EL裝置中，藍色色度爲 (x?y = 0.15,0.2)，綠色色度爲（x，y = 〇.42,0.5 5 )。 更且，本實施形態中，做爲有機EL層310使用高分 子材料構成時，綠色和藍色較紅色而言，色純度相對爲低 。尤其，藍色之色純度亦變爲低者。因此，如本實施形態 Φ ，對於相對色純度低之綠色（G )及藍色（B )之畫素， 使半透過反射層326之反射率變大，相對性對於色純度之 高之紅色（R)之畫素，令半透過反射層326之反射率（ 面內佔有面積）變小，於各色之畫素，可令色純度平衡佳 地加以提升。 又，一般而言，採用光共振構造時，有減低提升色純 度之發光效率之傾向。然而本實施形態中，於每使半透過 反射層326之反射率（面內佔有面積）不同之色之畫素， 有所不同而構成之故，可抑制半透過反射層326之導入所 -34- (32) 1297253 產生而得之發光效率之減低於最小的狀態。具體而言，於 本實施形態之有機EL裝置2 0 1中，於全畫素驅動所成白 顯示之時，得亮度250Cd/m2、發光時光量爲31m/W。另 一方面，未具備光共振器構造（即半透過反射層3 26 )之 有機EL裝置中，以同250Cd/m2、3·5 1 lm/W，未產生發光 效率之大的減低。 然而，於本實施形態中，對於紅色（R )之畫素，雖 φ 形成相對反射率（面內佔有面積）小之半透過反射層326 ，對於紅色（R)之畫素，未形成該半透過反射層326者 亦可。即，僅於綠色（G )和藍色（B )之畫素，選擇形 成半透過反射層326亦可。 更且，於每畫素，爲使半透過反射層326之反射率有 所不同，令該半透過反射層3 26之厚度，於每畫素有所不 同地加以構成亦可。具體而言，半透過反射層326之層厚 關係成（紅色之畫素之層厚）<(綠色之畫素之層厚）< φ (藍色之畫素之層厚）而構成爲佳。 以下，對於第4實施形態之有機EL裝置201之製造 方法加以說明。 首先，於基板202上，將厚3 00nm程度之遮光層BM ，經由公知之微影技術加以形成後，形成基材保護膜 202c及TFT3 2 3的同時，形成層間絕緣膜344a、3 44b，作 成EL裝置之基體。然後，於層間絕緣膜344b上，做爲 半透過反射層3 26令A1形成呈厚10nm程度，將此圖案 化，令各畫素之面內佔有面積，設定呈上述範圍。 -35- (33) 1297253 接著，於所有畫素，將做爲透明陽極之I τ Ο，呈厚度 7〇nm程度，加以圖案形成，更且做爲畫素開口膜之無機 物間隔層312a，將Si02圖案化呈厚50nm程度，更且做 爲有機物間隔層3 1 2b，將聚醯亞胺圖案化呈厚2 μιη程度 〇 然後，於形成之間隔壁內，以噴墨法，塗佈做爲形成 正孔/輸送層之材料包含PEDOT/PSS材料的液狀組成物 φ ，於各色之畫素共通，呈厚50nm程度。 更且，令高分子型發光材料，於各色畫素，以噴墨法 形成，此時之膜厚乃紅色之畫素爲80nm，綠色之畫素爲 8〇nm、藍色之畫素爲7 Onm。接著，形成陰極212的同時 ，進行封閉工程，得第1實施形態之有機EL裝置201。 (第5實施形態） 接著，對於有機EL裝置之第5實施形態，使用圖1 〇 φ 加以說明。於本第5實施形態之有機EL裝置3 00中，除 了第4實施形態之構成，於綠色（G )和藍色（B )之畫 素，於半透過反射層3 2 6之光射出側，形成具備吸收紅色 之機能之紅色吸收濾光片3 2 5。然而，除了形成紅色吸收 濾光片325之外，與第4實施形態同樣，省略說明。 經由導入如此紅色吸收濾光片325，色純度之提升的 同時，可減低外光反射，結果，可令該有機EL裝置300 ，做爲更優異辨識性之顯示裝置之構成。然而，爲防止如 此外光反射，於基板202之光射出側，配設公知之圓偏光 -36- (35) 1297253 附加、省略、置換及其他之變更。本發明乃非經由前述說 明而限定，僅經由申請專利範圍限定。 【圖式簡單說明】 圖1乃模式顯示第1實施形態之有機EL裝置之構成 的說明圖。 圖2乃顯示主動矩陣型有機EL裝置之電路構成的電 g 路圖。 圖3乃對於第1實施形態之有機EL裝置，揭示顯示 範圍之剖面構造的擴大圖。 圖4乃對於第2實施形態之有機EL裝置，揭示顯示 範圍之剖面構造的擴大圖。 圖5乃對於第3實施形態之有機EL裝置，揭示顯示 範圍之剖面構造的擴大圖。 圖6乃對於第3實施形態之一變形例，揭示顯示範圍 •之剖面構造的擴大圖。 圖7乃將第4實施形態之有機EL裝置，模示性揭示 之說明圖。 圖8乃顯示主動矩陣型有機EL裝置之電路構成的電 路圖。 圖9乃對於第4實施形態之有機EL裝置，揭示顯示 範圍之剖面構造的擴大圖。 圖1 〇乃對於第5實施形態之有機EL裝置’揭示顯 示箪⑮圍之剖面構造的擴大圖。 -38- (36) 1297253 圖1 1乃顯示本發明之電子機器之實施形態的斜視圖 【主要元件符號說明】 1 :有機EL裝置 2 :基板 2c :基材保護膜

3 :封閉部 3b :封閉基板 1 1 :發光元件部 1 2 :陰極 1 2 a :鈣層 1 2 b :鋁層 1 4 :電路元件部 100 :有機EL裝置 103 :資料側驅動電路 104 :掃瞄線側驅動電路 1 10 :有機EL層 110a :正孔植入/輸送層 1 l〇b :發光層 1 1 Ob】、1 1 0b2、1 1 0b3 :有機 EL 層 1 1 1 :畫素電極 1 1 2 :間隔壁部 1 1 2 a :無機物間隔壁層 -39- (37) (37)1297253 112b :有機物間隔壁層 123 :第1之薄膜電晶體 124 :第2之薄膜電晶體 1 2 5 :紅色吸收濾光片 126:半透過反射層 127 :畫素電極 1 3 2 :信號線 1 3 3 :電源線 1 3 5 :保持容量 1 4 1 :半導體膜 141a·源極範圍 1 4 1 b :汲極範圍 1 4 1 c :通道範圍 142 :閘極絕緣膜 1 4 3 :閘極電極 144a :第1層間絕緣膜 144b :第2層間絕緣膜 145 :連接孔 146 :連接孔 201 :有機EL裝置 202 :基板 2 0 3 :封閉部 203 b :封閉基板 2 1 1 :發光元件部 -40- (38) 1297253 2 1 2 :陰極 2 1 2 a :鈣層 212b:鋁層 2 1 4 :電路元件部 3 03 :資料側驅動電路

3 04 :掃瞄線側驅動電路 310 :有機EL層 3 10a :正孔植入/輸送層 310b :發光層 3101m、310b2、3 1 0b3 ·有機 EL 層 3 1 1 :畫素電極 3 1 2 :間隔壁層 3 1 2 a :無機物間隔壁層 3 12b :有機物間隔壁層 3 23 :第1之薄膜電晶體 324 :第2之薄膜電晶體 3 2 5 :紅色吸收濾光片 326 :半透過反射層 3 2 7 :畫素電極 3 3 1 :掃猫線 3 3 2 :信號線 3 3 3 :電源線 3 3 5 :保持容量 341 :半導體膜 -41 - (39) (39)1297253 3 4 1 a :源極範圍 3 4 1 b :汲極範圍 3 4 1 c :通道範圍 3 42 :閘極絕緣膜 3 4 3 :鬧極電極 3 4 4 a :第1層間絕緣膜 3 44b :第2層間絕緣膜 3 4 5 :連接孔 3 4 6 :連接孔 1 000 :攜帶電話本體 1001 :顯示部 BM :遮光層 -42-

Claims (1)

1297253 (1) 十、申請專利範圍 1. 一種有機電激發光裝置，其特徵乃具備 光反射性電極， 和光透過性電極， 和形成於前述光反射電極和前述光透過性電極間，令 複數色呈可發光地加以構成的同時，於每畫素，可發光一 個發光色而構成之有機電激發光層， JI 和於與前述光反射性電極間，挾入前述有機電激發光 層，對於前述畫素中被選擇之特定顏色之畫素，透過乃至 反射來自前述有機電激發光層之光線的半透過反射層。 2. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其中 ，伴隨前述光反射性電極，構成光共振器者。 3 ·如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其中 ，前述有機電激發光層乃於各畫素具有共通之厚度者。 4.如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其中 Φ ，做爲前述有機電激發光層之基材而形成之正孔植入/輸 送層乃於各畫素具有共通之厚度者。 5 ·如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置，其中 ，前述有機電激發光層乃由高分子有機電激發光材料所構 成，且可發光紅、綠、藍之各色地加以構成， 另一方面前述半透過反射層對於綠和藍之畫素而言， 選擇性加以形成者。 6.如申請專利範圍第5項之有機電激發光裝置，其中 ，對於前述綠和藍之畫素而言，吸收紅色之紅吸收濾光片 -43- (2) 1297253 較前述半透過反射層，選擇性形成於光射出側。 7 ·如申請專利範圍第6項之有機電激發光裝置 ，前述光透過性電極形成於特定之透光性基板內的 前述紅吸收濾光片則形成於該透光性基板內面。 8. 如申請專利範圍第1項之有機電激發光裝置 ，前述半透過反射層兼做爲電極的同時，相較於前 過反射層，於光射出側形成透光性之補助電極，更 φ 紅吸收濾光片則於前述補助電極混入紅色吸收成分 9. 一種電子機器，其特徵乃具備如申請專利範 項記載之有機電激發光裝置。 10. —種有機電激發光裝置，其特徵乃具備 光反射性電極， 和光透過性電極， 和形成於前述光反射電極和前述光透過性電極 複數色呈可發光地加以構成的同時，於每畫素，可 φ 個發光色而構成之有機電激發光層， 和於與前述光反射性電極間，挾入前述有機電 層，透過乃至反射來自前述有機電激發光層之光線 過反/層； 前述畫素內之前述半透過反射層之反射率則於 光色之不同畫素間而有所不同者。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之有機電激發光裝 中，前述半透過反射層乃於與隨前述光反射性電極 爲光共振器加以作用者。 ，其中 同時， ，其中 述半透 且前述 〇 圍第1 間，令 發光一 激發光 的半透 前述發 置，其 間，做 -44- (3) 1297253 12. 如申請專利範圍第ίο項之有機電激發光裝置，其 中，前述有機電激發光層乃由高分子有機電激發光材料所 構成，且可發光紅、綠、藍之各色地加以構成， 另一方面，前述畫素內之前述半透過反射層之反射率 乃具有（紅色之畫素之反射率）<(綠色之畫素之反射率 )<(藍色之畫素之反射率）之關係。 13. 如申請專利範圍第10項之有機電激發光裝置，其 φ 中，前述畫素內之前述半透過反射層之平面內占有面積乃 於前述發光色之不同每畫素間而有所不同者。 14. 如申請專利範圍第13項之有機電激發光裝置，其 中’前述有機電激發光層乃由高分子有機電激發光材料所 構成，且可發光紅、綠、藍之各色地加以構成， 另一方面，前述畫素內之前述半透過反射層之平面內 占有面積乃具有（紅色之畫素之平面內占有面積）<(綠 色之畫素之平面內占有面積）<(藍色之畫素之平面內占 φ有面積）之關係。 15. 如申請專利範圍第12項之有機電激發光裝置，其 中’前述半透過反射層乃設於前述綠和藍之畫素。 16·如申請專利範圍第14項之有機電激發光裝置，其 中’前述半透過反射層乃設於前述綠和藍之畫素。 17.如申請專利範圍第12項之有機電激發光裝置，其 中’對於前述綠和藍之畫素而言，吸收紅色之紅吸收濾光 片較前述半透過反射層，選擇性設於光射出側。 1 8 ·如申請專利範圍第1 4項之有機電激發光裝置，其 -45- (4) 1297253 中，對於前述綠和藍之畫素而言，吸收紅色之紅吸收濾光 片較前述半透過反射層，選擇性設於光射出側。 19. 一種電子機器，其特徵乃具備如申請專利範圍第 1 〇項記載之有機電激發光裝置。

-46-