TWI223976B - Land grid array fabrication using elastomer core and conducting metal shell or mesh - Google Patents

Description

1223976 五、發明說明（1) 相關申請案的對照 ;200 2 年二申張美國臨時專利申請號6°/421，4δ0 一、【發明所屬之技術領域.】 本發明是關於用來製作呈邕+ σ ^ 个衣作具^電性及彈性的岸面柵袼陣 列（land grid array，LGA )中介 干

认w^ r "層（interposer )接觸 的獨特的新方法。此外，太祺 文J 岸面柵格陣列中介層接觸有‘。人以創造性方法製造的 一、【先前技術】 岸：柵格陣列中介層一般用於 C=T e，MCM)及印刷線路版間的互聯。』式二干 厗面栅格陣列位在模组及印f飧 α λ τ ,，肩不 面柵格陣列可以容匕 用在最鬲階的伺服器和超級電腦等產品中。且i以被運 有一種在商業上廣泛應用的岸面 觸，每則妾觸是由充滿4艮質_的石夕氧;:陣列使用知狀接 膠組成，如圖1所示。此種結構是用來兀Sll0xane )橡 modulus)及高彈性（elasticity)的♦、數（^、ast = 應用，但疋充滿顆粒的石夕氧烧橡膠、 非$適a這毛 擔之下，冑失了报大部分合適的特求導電性的負 儘官彈性模數增

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1223976 五、發明說明（2) 加，但大體上還是保持在低點，只需要約每接觸三十到八 十公克（grams per contact)就可以有很妤的電性可靠 度。然而’損失的彈性在持續荷重下，會造成嚴重的潛變 變形（creep deformation)，持續的應變（strain)則會 造成應力鬆弛（stress relaxation)。這些性質使得導電 彈性體的岸面柵格陣列被運用在需要維持長時間高穩定性 的同階產品上時並不可靠。事實上，現代的高階伺服器中 央處理器要求在岸面柵格陣列中每個接觸的失敗率必須限 制在十彳思分之一（ppb )的等級，因為每個訊號接觸都合 響到整個系統。 曰 因為在前文介紹過的填充式莫雷山 合、止a、、、既辟技f 97具兄式寺私彈性體序面栅格陣列 :TrarTd:，、'力鬆弛’業界現在喜歡使用以隨機線圈彈 ς" C0U springs)製造的岸面栅格陣列，例如

Synapse公司製造的Cinch連結器。」2 = 導電彈性體具有更高㈣力錄，而且—= :f的壓力來確保整個陣列有可靠的電氣 克 有夕於七千個輪出輸入的多晶片模組：：於： 面積是四英口編四英叶的模組上；會在：個 用力。這些強大的力量會使陶竞單元產乂；二嘴的連f作赠 的平面性並導致裂模、C4連钍 /又減少匕們 用的埶渴黏土“h , 的斫裂，以及因為在一般使 用日J…说‘土（thermal paste )產生 的熱導性降低。 、卩曰而&成散熱I置

1223976 五、發明說明（3) 的鲜'錫 技術性 係數 所引起 型式的 )的系 方式叫 柱狀栅 接合型 使用岸面柵格陣列來取代堅固徑直（direct ) 妾1物以連接模組和印刷線路板是基於一個強列的 動機：由於陶瓷模組和有機印刷線路板之間熱膨脹 (thermal coefficient 〇f expansion)的不匹配 2側向壓力非常大，常常會破壞徑直球狀柵格陣列 、接、。因此有内建橫向順度（lateral c⑽ 統較常被採用。一種可以解決這些問題的直接接合 做柱狀柵格陣列（c 〇 1 u m n g Η ^ a r r a y，◦ g A )"。 才°陣列疋一種會產生形變但不會發生破壞的固定性 式’使系統可以承受強加的側向應力。 I =有一些強烈經濟上的誘因讓人傾向用岸面 代直接接合方式。這是因為晶片組的修護4 、及不此在直接接合方式下實行。帶有壓力的（pressure mounted) #面栅格陣列可以更換，因此可 卸、運輸、重新加工的部分省下可觀的成本。 在拆 ，施以魔力的（pressure appUed)岸面栅袼 ill層同時擁有技術上以及經濟上的優勢。現有的解決福 更υίί供可靠的連接以適用於更大量的輸入/輸出或’ 更脆弱的有機晶片單元系統。 乂 方、疋，本發明意欲提供裝置型式或 足夠長時間可靠度，低接觸力（c〇ntac 構方法，用以滿 force )，以可更

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換性等的需求。 二、L發明内容】 釦狀t :i : t本上在描述—種岸面柵格陣列，是利用-個 下it 性體知狀體核，在知狀結構自上表面至 卜录曲運、，覆盍著導電材料。 的技見有以導電性中介層接觸製造岸面柵格陣列 造成帶有預金屬化—⑷的· ::::列的薄板’並運用表面金屬化的方式將非導電 的弹性肢釦狀體轉化成具導電性的接觸。 依據前文所 中介層承載薄板 塑性材料或聚亞 其可藉光阻之顯 製造出來。然後 性體知狀體由一 材料組成。然後 遮罩（phy s i ca 1 來聯繫在承载薄 述，依照本發明的一個面向提供了形成於 =的通孔陣列之金屬化。承載薄板最好是 胺（po 1 y i m i de )的岸面柵格陣列載體， 影，由遮罩（masking )過程的中間產 將彈性體釦狀體塑造成金屬化通孔，此彈 本質上非傳導性或介電彈性（resiUe 彈性體釦狀體被金屬化，最好是經由每歸 maSklng)作用以便提供導電性表面二= 板上的電路或電子元件或薄板本身。 依據本發明其他特點，還提供以前述填充彈性體或根

1223976 發明說明 據特疋需求用不同的金屬化樣式進行金屬化所產生的接觸 孔陣列。也提供垂直的未金屬化孔，以代替通孔之金屬化 作為垂直月工田射（vertical cavity laser)之光通道。 同日守描达一種結構，其包含實體遮罩可用來使中介層 在口狀胆乂夕種的樣式實行金屬化，以符合特定的物理應用 和產業需求。 · 帝口匕 本务明的目的之一是提供一種岸面栅格陣列的 製造方法’運用一介電彈性體核及導電性的金屬殼或網結鲁 構製造出供作電氣連接的中介層。 本务月的另一目的是提供一種製造岸面栅格陣列中介 層接觸的方法’使之同時具有導電性以及彈性（elastic ) 或恢復力（Rsilient)之物理性質。 本I月的再一目的是要提供一種岸面柵格陣列形式的 =構’運用純介電彈性體釦狀體核覆蓋上傳導性材料，以 提供 P 刷、、泉路板（printed wiring board，PWB)及電子 件間的導電通道。 四、【實施方式】 較佳實施例的詳細說明 現在麥照圖1，其更詳細地顯示一個用來將岸面栅格陣

1223976 五、發明說明（6) 持在多晶片模組14與印刷線路板16 置的模組化排列1 0。 4適▲位 依剖面圖所示，其模組組件j 〇 中介層20，其中以矽氧烷組成 ：：：：:冊格陣列 先前技術中有被運用到。在這個例子釦及接觸22在 氧W口狀體22利W氧燒材料混合 @ 電性超過穿入深度（perc〇lati〇n)的門充^物，使導 相比，目前的應用偏向於使用由不含埴松跟則述的方式 性體組成的釦狀體形式。但是袪二，物的非導電性彈 於中介層釦狀體22的外表面，‘鈇一 1是將導電材料玫置· 描述的岸面柵格陣列中介； =一般的模組組件與於此 層形式的運用一致。 如圖1 B所示，運用在印 由Kapton或許多其他材料組、、、，反16的承載薄板24可以 以銀質填充且由矽氧烷組成。而中介層接觸釦狀體22是 雖然圖例中只有兩個釦狀娜， 40個或以上的導電釦狀體22組:，但承載薄板24通常是由 及印刷電路板。 、’用以接觸多晶片模組以| 圖2A至2E說明在中介声承 # 基本流程。 9载溥板30中，通孔金屬化的

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4IBM0381TW.ptd mmm iiiii 111 $ 13頁 五、發明說明（7) 如圖2 A所示，承葡〆 成的岸面柵格陣列載體4 Π:二J =塑料或聚亞醯胺構 際上會有-個通孔陣列，作；ms-個通孔32。實 孔32。 仁為了清楚起見，只晝出一個通 麥見圖2B，孔32及承載續柘矣 上金屬材料36，而且從A: 表面的兩面都鍍上或塗 的。 向且攸其中一面通過通孔到另一面是連續 之後’如圖2 C所示，杏υ日q Q } 菩如FI 9 η π - 光阻Μ被鍍到所有的表面上。^ 者如圖2 D所不，一個圓泌ΑΑ —职 J π W工。接 ^ r丄 W形的遮罩40同心放置於孔μ上 耆一面在紫外夯下暖伞 AL、A 1 K札d Z上。接 ^ m 。後移去遮罩4 0，將整個έ胃& j： 面再把遮罩改放置在承養墙 肝正個、、且件翻 一面在紫外光下曝光。 取促丹將另 事實上，光阻38可以在載體的兩面同习 u圖2E所示的排列’塑料承載薄板 全：提供 阻延伸過通孔32的壁。 土上孟屬層，而光 圖3A顯不光阻38藉金屬化通孔32從承 離’·而在圖3B中成形的彈性體 ：=面制 載薄板的金屬孔32中。非知狀體或襯墊接到承 進行導電性金屬材料的濺鍍或蒗鍍，接以=、< ，然後 鍍法在彈性體釦狀體50上形成金屬殼。 处的無電電

1223976 五、發明說明（8) B---- 圖4A係圖3A與3B的變型。如圖4A所示，在承載薄板表 面上置放蒸鍍遮罩52。承載薄板包含一平面結構，具有通 孔32及以自對準（self-alignment)方式延伸穿過通孔的 釦狀體5 0。 ^如圖4β所示，蒸鍍，濺鍍或喷覆（sprayed )的金屬鍍 層54覆蓋在突出釦狀體5〇以及蒸鍍遮罩52的表面。此金屬 鍛層可以疋鍍鎳’銅質，或是彈性絕佳的鈦合金，雖然其 他彈性金屬，如金等等也都可以應用在上述的程序裡。_ ^ 园4 ◦所示，遮罩5 2隨後自承載薄板上移除’只在知 狀體表面留下塗層5 4經由通孔襯墊5 6保持接觸。 並進相：：：屬遮罩52被置放在Η 的全！程也顯示在圖5“5Β。在圖5Α中，藏鑛沉積 接著；板的另一面及遮罩52和彈性體知狀體50上。· 或釦’如圖5β所示’即顯露出包含金屬化中介層 Α知狀體的完成的岸面柵格陣列排列。 縛板之透視圖，此薄板具 陣列。圖6 B是一放大剖面 圖6 A為塑料或聚亞醯胺承載 有如前文所述的通孔3 2組成之_

第15頁 1223976 五 發明說明（9) 圖’顯不在空的中介展；^丧# |層承载溥板3°中的兩個接觸孔32。 =7為對應於圖2A之中介層承載薄⑽ 則疋其透視圖；而圖8B則是通過兩個内:輪廓圖；圖8A 放大剖面圖。 、又^的通孔32之 圖9A及9B為對應於圖3B，金屬化以前中介岸 3〇的透視圖，此薄板具有填充彈性體知狀體5〇白==板 3 2 ’而其中圖9 B顯示金屬化前的兩個接觸，中介声 ^孔 體材料形成。圖1 〇也一樣顯示對應於圖3B的二二由惮性編 圖11 A至11G說明最後製造後的金屬化矽氧烷釦狀^ 觸不同的樣式，基本上金屬化的樣式是非連續忸 版 只1王的。如圖 Π A至11H，不同樣式的金屬化片被鍍上矽氧烷或塑料知狀 接觸5 0的表面；而圖11G中一個完整金屬蓋罩（Γ ^ 政 士 v ^aP )60¾ 蓋在塑料釦狀體5 0或中介層結構的表面。 圖11 Η中提供一個具有未金屬化中心孔6 6的特殊宴罩役 計6 4，供促使光學通道的形成，例如垂直腔雷射可放置其 中，以取代BLM來改進電子信號的一光學通道。 ^ 圖12Α及12Β為具遮罩的完整金屬殼釦狀體之示意剖面 圖，其中圖1 2 Α顯示兩個知狀體的位置；而形成如圖11 Q知 狀體型式的遮罩，在圖1 2B中用來顯示一個部分金屬化的知

4IBM0381TW.ptd 第16頁 ίΖΖό^/b

狀體（兩個釦狀體的位置如圓）。复 示釦狀體的剖面。 /、中此遮罩對應於圖11 A所 圖1 3顯示一個讓未金屬化的 前與實體遮罩52發生接觸的方法。$釦狀體50在金屬化 遮罩，接著進行金屬化後再將遮覃^ =例令，先加上實體 化中介層釦狀體5 〇。此情況下‘，、疒二矛、以留下剩餘的金屬 中的-孔作為光學窗的方法，/=如圖11Η在金屬化樣式 腔表面發射雷射（VCSEL )的光現而可允許來1垂直 J尤通過到達偵測器。 β 種情形’遮罩52與中介層接觸。另一個例子 介層與純矽氧烷釦狀體接觸。全屬 除，金屬化中介層留下未金屬編之後遮罩移 [曰每^木至屬化的肋柱以纾解應力，並如 圖11H所不為了光學連接而留下未金屬化的中心孔。 圖14A及14B所示為一個依據圖UG的蓋罩樣式（cap pattern)，所有製造步驟都採用圖12八所示類型的遮罩。 其中圖14B則為具有兩個接觸的中介層的剖面圖，其中接觸 具有完整金屬殼作為蓋罩。 ^ 圖15A與15B顯示岸面柵個陣列釦狀體5〇組成的一未金 屬化陣列，此些知狀體對應圖11B的樣式被固接到實體遮罩 7 0中；圖1 5 B為其中兩個知狀體的剖面圖。

1223976 五、發明說明（11) 圖1 6中為矽氧烷岸面柵個陣列釦狀體組成的一未金屬 化陣列’此些知狀體對應圖1 1 E的樣式被固接到實體遮罩 t，而圖1 7顯示以類似圖丨丨η的樣式製造出的最終岸面栅格 陣列中；ί層陣列，其中包含供光學觀察（〇ρ t i ca 1 v i e w i n g ) 的中心孑l 。 ’ 最後在圖1 8A及1 8B說明金屬化彈性體釦狀體的方法 步^ ^其中運用無電電鍍法，使用事先去核的（pre- Γ用』i矽氧烷彈性體。如圖⑴所示完整的金屬殼不需t 罩，且貫施的無電電鍍法利用含核彈性體釦狀體 體或彈性塑料中介^ ^，用簡單的方式及排列將這些彈性 術的釦狀體内部“：狀體的表面金屬化’不同於先前技 製造方式說明

製造岸面栅格陳I 載平板，平板上有柵格;層使其具有非導電性聚合物承| 接觸釦狀體。接著γ σ狀排列的通孔。一個孔内放入一個 氣通道，從孔的上::孔開始進行金屬化以形成連續的電義 道…a)，直到孔的面周圍的-同心金屬環，延伸經過通·1 被彈性體射出成开，埴下表面周圍的一同心環。然後這些孔 知狀體。所有的接觸知狀= 狀f其他形狀的接觸 的彈性體化合物射狀脰取好同妗以如矽氧烷橡膠之類 成形。接著此釦狀體陣列可以任一種 4IBM0381TW.ptd 第18頁 1223976 五、發明說明（12) _ 方式進行金屬化。最直接的方法，即較佳奋 接觸遮罩讓岸面柵格陣列的非釦：用― 些知狀體上的選定區域也是一樣 =遮草保護，- 鍍的方式實行，然後再將遮罩移除。 :=例如真空濺 狀體上選定的部分區娀。岽而π 孟屬/、後蓋在接觸釦 品4 ^ = 域序面椰格陣列接著翻轉到另 面，加上遮罩，對這一面實行今 4 4 1另一 除。 Μ仃至屬化，然後再次將遮罩移 下方：：：ϊ”岸面柵袼陣列令介層自知狀體的上方到 τ==二的導電性’且具有高彈性，低恢復力* 夺统一 # #生jrce)，而且不會像先前技術的填充彈性體 糸、，死枚务生时厭的塑料變形及潛變。 的TEC ( 800ppm)式具純弹性體知狀體而會有大 命期間都維持在^ °要止因為恢復力在整個使用生 道岛# a上w、 έ。只有如先前技術中潛變及應力鬆弛 产，^ ^ ri ί，才會使TCE阻礙（pul lback )到達一定程 又以攸整氧§ (c〇mPression )變成開路（〇pen CirCU1t )的討厭轉變。 _ 錶机!^ Γ ^屬肋♦主接觸（ribbed metal contac1:)取代連 繽叙的好處是，太& …眉言入f 妾觸使用期間因壓縮而引發的應力可以 攸得¥金屬上分勒 他極端狀態下的:播而可以保持知狀體在高接觸負糾 、…構完整性。在傳導金屬肋柱間不受控制 4IBM0381TW.ptd 第19頁 1223976 五、發明說明（13) 的彈性體可能會膨脹但不會對導體造成損害或過度的應 力。 雖然本發明已經由前述較佳實施例做了詳盡的描述與 說明，熟習此技藝者可以了解，前述及其他形式和細節上 的改變，都包含在本發明的精神與範疇之内。

4IBM0381TW.ptd 第20頁 1223976 圖式簡單說明 五、【圖式簡單說明】 本發明的貫施例詳知1日日 y “ 闰H W ^ 明，係簽照以下圖例；苴中· 圖1 Α所不為依據务箭姑分 -、〒’ 闰！ R曰^ )的模組組件之輪廓剖面圖· 圖1B疋圖1 A中介層部分的放大細部圖； 圖2 A到2 E說明中介声军恭嚷 程序； T ;1層承载溥板中將通孔金屬化的基本 圖3Α及3Β分別說明由彈性體釦狀 面栅格陣列的基本步驟； 取木至屬化序 的步心㈣“化成為導電性接觸( 圖5Α到5Β分別說明如何對岸面柵 面實施金屬化； 干ν τ ;丨層的另— 圖6為圖2Α中塑料或聚亞酿胺承載薄板的透視圖； 圖7為圖2Α中承载薄板更進-步的透視圖； 圖8Α為圖2Ε中承载薄板的透視圖； 圖8 Β為形成於圖8 Α 7狄Φ& a & a π 輪廓剖面圖； A承載厚板中兩個金屬化通孔的放大 圖9A為類似圖3B所示的中介層承 圖9B為兩個填充彈性體釦壯贿斗山人 ^ ? ^ t 平Γ 知狀體或中介層的接觸孔之放 大剖面圖，此二接觸孔最終形成兩個接觸； 圖1 0為類似圖3 B的透視圖； 圖11 A到11 Η所示為前文所述在中 形成的不同金屬化樣式；、在中"層或塑料知狀體上

4IBM0381TW.ptd 第21頁 1223976 圖式簡單說明 圖12A與12B分別說明供金 實體接觸遮罩； 土 ；斗或彈性體知狀體的 圖13說明未金屬化的中介芦八 觸，接著完成金屬化，移除於;在f屬化前與實體遮罩接 體結構； * ‘罩，留下金屬化中介層釦狀 圖14A為依據圖11G之釦狀體蓋罩 圖1 4B為兩個具有完整金屬杏 ， 剖面圖； A双田作盍罩的中介接觸放大 b 圖1 5A說明矽氧烷岸面栅格陳 陣列以圖11B的樣式固接到實體遮罩狀體組成的未金屬 圖15B為圖15A中沿線15B的輪廓剖面圖； 圖1 6說明石夕氧烧岸面柵格陣列釦狀口’ 陣列以圖11E的樣式固接到實體遮罩；、，成勺未至屬化 圖1 7說明依圖11樣式製造的岸面柵格陣田 本；以及 干幻之取终版 圖1 8 A及1 8 B說明依照圖3的變化形式金屬化坪 體的步驟’並提供如圖11 G的金屬殼。 知狀

1 4多晶片模組 20中介層 2 4承載薄板 3 2通孔 3 6金屬材料 圖式元件符號說明 1 〇模組化排列 1 6印刷線路板 2 2知狀體 3 〇承載薄板 3 4承載薄板表面

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1223976 圖式簡單說明 38光阻 5 0彈性體釦狀體 54塗層 60蓋罩

6 6中心孑L 4 0遮罩 5 2蒸鐘遮罩 5 6通孔襯墊 6 4蓋罩設計 70實體遮罩

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Claims (1)

1223976 六、申請專利範圍 1 · 一種一岸面栅袼陣 層（interposer )，形 帝 -谷1 ϋ array，LGA )之中介 中介層包含至少一通當二子兀件間的電氣互聯結構，該 button )，以及一導 坪f生接觸知狀體（contact 接觸釦狀體的外部以扣 以¥包材料形成於該至少一 疋供該電氣互聯。 2 ·如申請專利範圍第1 ^ 、、 山 中形成該至少一接網△項所述之岸面栅格陣列中介層，其 (sUoxane)。〜口狀體之該介電彈性材料包含石夕氧烧 3 ·如申請專利範圍 籲 中該導電材料句人1項所述之岸面柵格陣列中介層，其 7s —金屬。 4 ·如申請專利範圍楚 中該金屬係選自鋅，項所迷之岸面概格陣列中介層，其 料族群。 、’、敎合金’銅或金及其他金屬組成之材 5 . 如申睛專利節圖 中該金屬包人_ W弟3項所述之岸面概格陣列中介層’其 一^性技一連續導電材料殼（sheli)，覆蓋於該至β 评『生接觸釦狀體6 零 月且的外表面。 6. 如申請衷奋I 阳 中詨金屬a八圍第3項所述之岸面概格陣列中介層’其 匕 3 —周期性样武（intermittent pattern)導 電材料，沉藉你— ^ ^ 牙貝於邊至少_彈性接觸釦狀體的外表面。

第24頁 1223976 六、申請專利範圍 7 ·如申明專利範圍第1項所述之岸面柵格陣列中介層，其 中 中7丨層承載溥板（interposer carrier sheet)置放 於該電子tl‘件間，該承載薄板包含至少一金屬化通孔，而 α亥中"層接觸固接（d 〇 c ^ e ^ i η )於該金屬化通孔内以提供 該電子元件間的一電氣接觸。 8 ·如申請專利範圍第7項所述之岸面栅格陣列中介層，其 中該中介層承載薄板包含該金屬化通孔之一陣列，該陣列 中每一該金屬化通孔個別具有該中介層接觸釦狀體之一。_ 9 ·如申請專利範圍第5或6項所述之岸面栅袼陣列中介層， 其中係當一實體遮罩接觸該岸面柵格陣列的表面時，以真 空蒸鍛（vacuum evaporation)或真空》賤鍍（vacuuni sputtering)金屬之方式，金屬化該接觸釦狀體之外表 面0 10. 如申請專利範圍第5或6項所述之岸面柵格陣列中介 層，其中該接觸釦狀體係於〆電鍍溶液中，以無電電鍍 _ (electroless plating)金屬之方式金屬化，該電鍍只實 施於該接觸釦狀體之外表面。 11. 如申請專利範圍第8項所述之岸面柵格陣列中介層，其 中每一該通孔會被預金屬化，因此可以與固接在该通孔中

25頁 4IBM0381TW.ptd 1223976 六、申請專利範圍 每一該個別接觸釦狀體的金屬化外表面作電氣接觸。 12·如申請專利範圍第11項所述之岸面柵格陣列中介層， 其中每一^亥通孔之預金屬化會在該承載、/專板之相對表面形 成一金屬環，該金屬環與每一該通孔同心地延伸，連接每 一個別相關通孔之金屬化壁面。 13·如申請專利範圍第6項所述之岸面栅格陣列中介層，其 中該金屬化樣式避開延伸通過該接觸釦狀體上的一中心洞 (center hole)，以提供一光學窗（optical window) # 光學信號經此傳遞。 14·如申請專利範圍第7項所述之岸面栅格陣列中介層，其 中该承载薄板由一塑性材料組成。 15·如申請專利範圍第1 4項所述之岸面栅格陣列中介層 其中該塑性材料包含聚亞醯胺（p〇lyimide )。 曰 之一中介層的 結構’包含I 純介電彈性接 形成一導電材 1 6 · 一種製造 層形成電子元 層，該中介層 在該至少一接 氣互聯。 一岸面柵袼陣列 件間的電氣互聯 包含至少一通常 觸知狀體的外部 方法，該中介· i I 一中介 觸釦狀體，並 料以提供該電

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上ί 觸釦狀體之該 方法，凊專利範圍第1 6項所 包含矽二其中形成該至少一换 各矽虱烷_ 造方I申凊專利範圍第1 6項所述之岸面柵格陣列中介層製 彳，其中該導電材料包含〆金屬。

造方=申睛專利範圍第1 8項所述之岸面柵格陣列中介層製 屬組 其中該金屬係選自鐃，鈦合金，銅或金及相似金 、、、成之材料族群。 2 〇 泛如申請專利範圍第1 8項所述之岸面柵格陣列中介層製 ,丨°、 去’其中該金屬包含一速續導電材料殼，覆蓋於該至 ^彈性接觸釦狀體的外表面。 2上·如申請專利範圍第18項所述之岸面柵格陣列中介層製 造方法，其中該金屬包含一、周期性樣式導電材料，沉積於 Λ至夕一彈性接觸釦狀體的外表面。

、2·如申請專利範圍第1 6項 Τ方士，其中一中介層承載 ^載薄板包含至少一金屬化 U亥金屬化通孔内以提供該電 戶斤述之岸®^ 各I1 車歹,j t H t 薄板置放於該電f S件間’言亥 ^ n ，而該中介層接觸固接於 通孑匕 元件間的一電氣接觸。

4IBM0381TW.ptd 第27貢 1223976

2 3. 如申請專 造方法，其中 列，該陣列中 狀體之一。 利範圍第22項 該中介層承载 每一該金屬化 所述之岸面栅 薄板包含該金 通孔個別具有 格陣列中介層製 屬化通孔之一陣 該中介層接觸釦 24·如申請專利範 層製造方法，其中 表面時，以真空蒸 觸釦狀體之外表面 圍第2 0或2 1項所述之 係當一實體遮罩接觸 鍍或真空濺鍍金屬之 岸面栅格陣列中介 該岸面柵格陣列的 方式，金屬化該接 :制士申明專利範圍第2 0或2 1項所述之岸面栅格陣列中介 1製造方法，其中該接觸釦狀體係於一電鍍溶液中，以無 電電鍍金屬之方式金屬化，該電鍍只實施於該接觸釦狀 之外表面。 2 6.如申睛專利範圍第2 3項所述之序面樹格陣列中介層製 造方法，其中每一該通孔會被預金屬化’因此可以與固接 在該通孔中每一該個別接觸釦狀體的金屬化外表面作電氣 接觸。 Q Γ7 . L . ^ , LT之岸面4冊格陣列中介層^制 27·如申凊專利範圍第26項所述之序八产兮¥ # 4 "衣 k方法，其中母一該通孔之預金7 ^ 相 d #邀每一邊通孔同心地延 對表面形成一金屬環，該金屬¥ /、 /V S化壁面。 伸，連接每一個別相關通孔之金屬

1223976 、申請專利範圍 ·如申請專利範圍第2 1項所述之岸面栅格陣列中介層製 仏方法’其中該金屬化樣式避開延伸通過該接觸釦狀體上 的 中、洞’以提供一光學窗讓光學信號經此傳遞。 2】.=中•專利範圍第η項所述之岸面柵格陣％ 化方法，其中該承栽薄板由一塑性材料組成。 s衣 3!.方m利範圍第29項所述之岸面柵格陣列中介声制 k方去，其中該塑性材料包含聚亞醯胺。 曰衣

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