TWD218017S - 半導體製造裝置用反應管(四) - Google Patents

半導體製造裝置用反應管(四) Download PDF

Info

Publication number
TWD218017S
TWD218017S TW110303748F TW110303748F TWD218017S TW D218017 S TWD218017 S TW D218017S TW 110303748 F TW110303748 F TW 110303748F TW 110303748 F TW110303748 F TW 110303748F TW D218017 S TWD218017 S TW D218017S
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor manufacturing
manufacturing equipment
reaction tubes
view
gas
Prior art date
Application number
TW110303748F
Other languages
English (en)
Inventor
永田朋幸
池內俊之
木鎌英司
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司
Publication of TWD218017S publication Critical patent/TWD218017S/zh

Links

Images

Description

半導體製造裝置用反應管(四)
本物品係在半導體製造之成膜過程中,如顯示使用狀態之參考剖面圖所示般地設置於成膜裝置內來讓製品晶圓與氣體反應之管體。具體來說,雖是在層積有製品晶圓之狀態下,來讓氣體流入本物品內而於製品晶圓的表面進行成膜,但此時,必須使本物品內之上下部分的氣體濃度為均勻。欲申請部分設計專利之部分為用以將流入後的氣體排氣之氣體的排出口,係具有能夠使本物品內部整體的氣體濃度為均勻之功能。
實線所表示之部分為欲申請部分設計專利之部分,包含「A-A線剖面圖」、「上半部之A-A線部分放大剖面圖」及「下半部之A-A線部分放大剖面圖」,係特定出欲申請部分設計專利之部分。虛線所表示之部分為申請部分設計專利所不欲主張之部分。
由於左側視圖係與右側視圖對稱,故予以省略。
TW110303748F 2020-05-29 2020-11-19 半導體製造裝置用反應管(四) TWD218017S (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-010739 2020-05-29
JPD2020-10739F JP1678336S (zh) 2020-05-29 2020-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWD218017S true TWD218017S (zh) 2022-04-01

Family

ID=74312518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110303748F TWD218017S (zh) 2020-05-29 2020-11-19 半導體製造裝置用反應管(四)

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP1678336S (zh)
TW (1) TWD218017S (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD800080S1 (en) 2016-03-30 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Reactor tube for semiconductor production devices

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD800080S1 (en) 2016-03-30 2017-10-17 Tokyo Electron Limited Reactor tube for semiconductor production devices

Also Published As

Publication number Publication date
JP1678336S (zh) 2021-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102356451B (zh) 处理装置
JP6405958B2 (ja) エッチング方法、記憶媒体及びエッチング装置
JP6763274B2 (ja) 成膜装置、成膜装置のクリーニング方法及び記憶媒体
TWI668749B (zh) Etching method, etching device and memory medium
TWD182751S (zh) 半導體製造裝置用反應管
JP6139986B2 (ja) エッチング方法
CN105964192A (zh) 气相反应器和气相反应器系统
JP2016023324A5 (zh)
JP6073172B2 (ja) エッチング方法
JP2011192872A5 (zh)
JP2011521453A5 (zh)
TWD213081S (zh) 半導體製造裝置用反應管(一)
CN102317501A (zh) 热处理装置及其控制方法
TW201327664A (zh) 等離子體處理裝置及聚焦環元件
JPWO2013179936A1 (ja) 流路部材ならびにこれを用いた吸着装置および冷却装置
CN110504165B (zh) 含硅膜的蚀刻方法、计算机存储介质及含硅膜的蚀刻装置
TWD218017S (zh) 半導體製造裝置用反應管(四)
TWD218015S (zh) 半導體製造裝置用反應管(二)
TWD218016S (zh) 半導體製造裝置用反應管(三)
JP4645616B2 (ja) 成膜装置
TWI805603B (zh) 內壁及基板處理裝置
TWD213065S (zh) 半導體製造裝置用反應管(一)
CN109300808B (zh) 一种用于湿法处理晶圆边缘的半导体装置
CN107251194B (zh) 外延硅晶片的制造方法及气相沉积装置
JP5219382B2 (ja) 処理容器の大気開放方法および記憶媒体