TWD218016S - 半導體製造裝置用反應管(三) - Google Patents
半導體製造裝置用反應管(三) Download PDFInfo
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本物品係在半導體製造之成膜過程中，如顯示使用狀態之參考剖面圖所示般地設置於成膜裝置內來讓製品晶圓與氣體反應之管體。具體來說，雖是在層積有製品晶圓之狀態下，來讓氣體流入本物品內而於製品晶圓的表面進行成膜，但此時，必須使本物品內之上下部分的氣體濃度為均勻。欲申請部分設計專利之部分為用以將流入後的氣體排氣之氣體的排出口，係具有能夠使本物品內部整體的氣體濃度為均勻之功能。
實線所表示之部分為欲申請部分設計專利之部分，包含「A-A線剖面圖」、「上半部之A-A線部分放大剖面圖」及「下半部之A-A線部分放大剖面圖」，係特定出欲申請部分設計專利之部分。虛線所表示之部分為申請部分設計專利所不欲主張之部分。
由於左側視圖與右側視圖對稱，故省略左側視圖。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020-010738 | 2020-05-29 | ||
| JPD2020-10738F JP1678335S (zh) | 2020-05-29 | 2020-05-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWD218016S true TWD218016S (zh) | 2022-04-01 |
Family
ID=74312496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110303747F TWD218016S (zh) | 2020-05-29 | 2020-11-19 | 半導體製造裝置用反應管(三) |
Country Status (2)
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| JP (1) | JP1678335S (zh) |
| TW (1) | TWD218016S (zh) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD800080S1 (en) | 2016-03-30 | 2017-10-17 | Tokyo Electron Limited | Reactor tube for semiconductor production devices |
-
2020
- 2020-05-29 JP JPD2020-10738F patent/JP1678335S/ja active Active
- 2020-11-19 TW TW110303747F patent/TWD218016S/zh unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USD800080S1 (en) | 2016-03-30 | 2017-10-17 | Tokyo Electron Limited | Reactor tube for semiconductor production devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP1678335S (zh) | 2021-02-01 |
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