TWD230581S - 半導體製造裝置用反應管(二) - Google Patents

半導體製造裝置用反應管(二) Download PDF

Info

Publication number
TWD230581S
TWD230581S TW109306838F TW109306838F TWD230581S TW D230581 S TWD230581 S TW D230581S TW 109306838 F TW109306838 F TW 109306838F TW 109306838 F TW109306838 F TW 109306838F TW D230581 S TWD230581 S TW D230581S
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
design
article
gas
view
advocated
Prior art date
Application number
TW109306838F
Other languages
English (en)
Inventor
城俊彥
坂下訓康
Original Assignee
日商東京威力科創股份有限公司 (日本)
日商東京威力科創股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商東京威力科創股份有限公司 (日本), 日商東京威力科創股份有限公司 filed Critical 日商東京威力科創股份有限公司 (日本)
Publication of TWD230581S publication Critical patent/TWD230581S/zh

Links

Images

Abstract

【物品用途】;本設計物品如表示使用狀態的參考剖面圖所示,係在半導體製造之成膜過程中設置在成膜裝置內,會使製品晶圓與氣體反應的管。具體而言,在本設計物品內積層有製品晶圓的狀態下使氣體流入,以在製品晶圓的表面成膜,但此時,必須使本設計物品內的上下部分之氣體濃度成為均勻。主張設計之部分的多個大小孔部分,皆為用以將流入之氣體排出的氣體通道,而具有使本設計物品內部整體氣體濃度均勻的功能。;【設計說明】;圖式所揭露之實線部分為本案「主張設計之部分」,圖式所揭露之虛線部分為本案「不主張設計之部分」。;包含「立體圖」、「A-A線剖面圖」、「B-B部分放大圖」、「C-C部分放大圖」而共同界定出本案「主張設計之部分」。;左側視圖和右側視圖對稱,故省略左側視圖。

Description

半導體製造裝置用反應管(二)
本設計物品如表示使用狀態的參考剖面圖所示,係在半導體製造之成膜過程中設置在成膜裝置內,會使製品晶圓與氣體反應的管。具體而言,在本設計物品內積層有製品晶圓的狀態下使氣體流入,以在製品晶圓的表面成膜,但此時,必須使本設計物品內的上下部分之氣體濃度成為均勻。主張設計之部分的多個大小孔部分,皆為用以將流入之氣體排出的氣體通道,而具有使本設計物品內部整體氣體濃度均勻的功能。
圖式所揭露之實線部分為本案「主張設計之部分」,圖式所揭露之虛線部分為本案「不主張設計之部分」。
包含「立體圖」、「A-A線剖面圖」、「B-B部分放大圖」、「C-C部分放大圖」而共同界定出本案「主張設計之部分」。
左側視圖和右側視圖對稱,故省略左側視圖。
TW109306838F 2020-06-15 2020-12-04 半導體製造裝置用反應管(二) TWD230581S (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-011849 2020-06-15
JPD2020-11849F JP1679855S (zh) 2020-06-15 2020-06-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWD230581S true TWD230581S (zh) 2024-04-01

Family

ID=74665462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109306838F TWD230581S (zh) 2020-06-15 2020-12-04 半導體製造裝置用反應管(二)

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP1679855S (zh)
TW (1) TWD230581S (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD175118S (zh) 2015-02-25 2016-04-21 日立國際電氣股份有限公司 反應管之部分

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWD175118S (zh) 2015-02-25 2016-04-21 日立國際電氣股份有限公司 反應管之部分

Also Published As

Publication number Publication date
JP1679855S (zh) 2021-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI681072B (zh) 進氣系統、原子層沉積設備和方法
TWD213081S (zh) 半導體製造裝置用反應管(一)
CN108091587A (zh) 一种工艺腔室
TWD196110S (zh) 晶舟之部分
CN207097785U (zh) 一种密封加强的均匀喷淋光伏硅片石英扩散炉
TWD230581S (zh) 半導體製造裝置用反應管(二)
CN208776871U (zh) 一种采用氢化物气相外延方法生长氮化镓材料的镓舟结构
TW201137941A (en) Epitaxial growth device, and method of manufacturing the same
CN113265646A (zh) 一种用于制备大尺寸c/c复合材料的cvd沉积炉装置
CN107301964A (zh) 伯努利基座装置及沉积设备
CN115206845B (zh) 一种用于半导体反应设备的进气装置及半导体反应设备
TWI495510B (zh) Fibrous membrane reaction device
CN205635862U (zh) 一种晶圆氧化用高温扩散炉管
CN105070783B (zh) 一种用于高温扩散炉的喷淋管及其应用
TWD218015S (zh) 半導體製造裝置用反應管(二)
CN217378022U (zh) 基于改向结构的封装容器
TWD213065S (zh) 半導體製造裝置用反應管(一)
TWD218016S (zh) 半導體製造裝置用反應管(三)
CN109554685A (zh) 气体注入装置及高温炉管
TWD213083S (zh) 半導體製造裝置用反應管(四)
CN215586014U (zh) 一种气体混合装置
TWD218017S (zh) 半導體製造裝置用反應管(四)
TWD213082S (zh) 半導體製造裝置用反應管(三)
CN107020301A (zh) 一种层流冷却集管
CN223047587U (zh) 一种带冷却结构的气相沉积设备