TW595286B - A surface treatment procedures for a cooper film of soft PCB - Google Patents

Description

595286 _案號91120061_年月曰_^_ 五、發明說明（1) 本發明係關於一種軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處 理製程，其係為可將銅箔表面改質成具有低粗操度及高抗 撕強度之優質化之銅箔處理製程者。

壓延銅箔做為軟性印刷電路板用銅箔前，須要經過脫 脂、酸蝕、瘤化粗化處理、抗熱層處理、抗氧化處理及有 機矽烷處理，使銅箔能製成具有印刷電路板用銅箔的功能 及特性，印刷電路板用銅箔在處理時，各步驟須分別具有 下列特色：（1 )儲存搬運時須抗氧化抗皺折；（2 )壓合時抗 高溫氧化、抗基材化學添加劑侵蝕，不斷裂不變形的特性 及良好的抗撕強度；（3 )蝕刻時蝕刻性良好、介電性佳及 可用鹼製程；（4 )在酸洗及光阻製程中和光阻劑接合良 好、清洗容易、蝕刻線路不再受鹽酸侵蝕；（5 )軟焊及鍍 通孔時對熱衝擊（thermal shock)不產生粉紅圈（pink r i n g)等。因此，在銅箔的壓合面及光阻面的特性要求不 同，（1 )在壓合面：在高溫壓合、濕蝕刻處理後沒有鏽斑或 缺陷，蝕刻後沒有積塵（dust ing) ; (2)在光阻面：高溫壓 合時不會氧化變色，與光阻劑有良好的結合性，並有良好 的軟焊性。由於在壓合面與光阻面的特性要求各有不同， 其後製程略有不同，其中最大的差別在於壓合時須有增加 與基板接合強度之粗化瘤化處理，而粗化瘤化處理必須有 銅的打底層、瘤化銅粒及覆蓋層的處理，此外，抗熱層處 理也必須較厚以抵抗壓合過程中預浸材樹脂的侵蝕。 一般電化學脫脂不外乎陽極或陰極脫脂，銅箔必須與 導電輥直接接觸，因此難以達到上述之特性，具有脫脂所 須時間長、銅離子累積量多的缺點。而傳統壓延銅箔表面

第5頁 595286 _案號 91120061_年月日_修正_ 五、發明說明（2) 處理製程中其它方面之技術其所得的壓延銅箔，其表面粗 糙度高、抗撕強度不佳等問題。 因此，本發明人有鑑於習用之壓延銅箔表面處理製程 仍有缺失，而致力改良，以期減輕或消除上述習用製程之 缺點。

本發明之主要目的在於：提供一種軟性印刷電路板用 壓延銅箔表面處理製程，讓處理後之壓延銅箔其表面粗糙 度 Rz<2 · 3//m、抗撕裂強度 >1 · 3kg/cm (1 ο z )、抗鹽酸側蝕< 5 %、抗高溫老化性< 3 0 %、抗高溫氧化變色在2 7 0 °C下可持續1小時以上，可 符合銅羯細線化及高抗熱之發展趨勢。 為達上述目的，本發明之軟性印刷電路板用壓延銅箔表面 處理製程，其步驟包括有： 電化學脫脂、電化學酸微蝕、微瘤化、抗熱層處理、 抗氧化層處理、有機矽烷彼覆、烘乾處理； 其中，在電化學脫脂與電化學酸微蝕處理過程係以| 雙極方式處理。 為使 貴審查委員能更進一步瞭解本發明之特點與目 的， 茲配合圖式詳細說明如下：

壓延銅箔之處理如第一圖所示，包含有下列步驟： (1 )以電雙極進行電化學脫脂：銅箔以雙電極電雙 捶（bi-polar )方式進行電化學脫脂，其控制條件為含偏 矽酸鈉之鹼性脫脂劑1 0 %、電流密度1〜5 A / d m2、溫度50〜80 °C ，以不鏽鋼片為電極，其中入口 端兩片不鏽鋼片均為陽極，即入口端銅箔雙面均為陰極；

第6頁 595286 _案號 91120061_年月日_ 五、發明說明（3) 出 口 端 兩 片 不 鏽 鋼 片 均 為 陰 極 j 即 A 口 端 銅 々/r 泊 雙 面 均 為 陽 極 此 電 雙 極 法 之 優 點 為 銅 箔 不 須 與 導 電 輪 直 接 接 觸 且 出 Π 端 銅 箔 為 陽 極 J 可 避 免 銅 箔 表 面 有 銅 粒 附 著 j 出 α 端 銅 箔 經 壓 輪 擠 水 後 1 僅 需 以 献 水 清 洗 兩 次 即 可 〇 ( 2 ) 以電雙極進行酸蝕刻 :酸钱刻以電雙極方式進行電 化 學 酸 微 操 作 條 件 為 硫 酸 濃 度 3 0 9 8 g / L 、 電 流 密 度 為 2 1 0 A / d m 2 、溫度： 3 0 〜6 0 t ，以鈦 白 金 為 電 極 其 中 入 Ώ 端 兩 片 鈦 白 金 均 為 陽 極 j 即 入 α 端 銅 箔 雙 面 均 為 陰 極 ， 出 V 端 兩 片 鈦 白 金 均 為 陰 極 ， 即 α 銅 箔 雙 面 均 為 陽 極 此 電 雙 極 法 之 優 點 為 銅 箔 不 須 與 羞 電 輪 直 接 接 觸 7 鍍 液 中 銅 離 子 的 累 積 較 慢 且 出 α 端 銅 箔 為 陽 極 可 避 免 銅 箔 表 面 有 銅 粒 附 著 出 a 端 銅 箔 經 壓 輪 擠 水 後 7 僅 需 以 去 離 子 水 清 洗 即 可 〇 ( 3 ) 1 J 二段式微瘤化處理： :微瘤化 (粗化） 採直流電鑛' 為 了 避 免 產 生 木 紋 及 提 高 銅 箔 的 均 勻 採 二 段 式 處 理 j 第 一 階 段 採 入 α 端 用 密 度 短 暫 的 滯 流 時 間 J 在 極 短 的 時 間 内 成 核 J 第 二 階 段 在 較 低 的 電 流 密 度 下 持 續 成 長 配 合 含 有 石申 鎳 鶴 Λ 鈷 等 離 子 的 添 加 劑 進 行 微 瘤 化 y 操 作 條 件 為 電 解 液 中 銅 離 子 濃 度 1 0 2 5 g / L 、 電 流 密 度 為 2 0 〜1 ΟΟΑ/dm2、溫度2 0〜40°C，以鈦鍍氧化銥 為電極，添加劑濃度為2 — 2 Ο 0 0 p pm，為避免銅離 子鍍在導電輥上，與抗熱層共用導電輥，出口端經壓制輪 播水後以去離子水清洗。 (4 )抗熱層處理：抗熱層處理是以硼酸系統之鋅鎳合金 為鍵液進行銅箔之雙面處理，以糖精（sccharin)或苯甲

第7頁 595286 案號 91120061 _η 曰 修正 五、發明說明（4)

基三乙基漠匕銨(benzyl triethanol ammonium bromide,簡稱B 丁 A B r )為添加劑，酸濃度2〇〜1〇〇 g/L 、鋅濃度〇 · 5〜5 · Og/L 、鎳濃度〇 · 2E 2

〇g/L 、電流密度為〇 · 5〜2 · 0A d m m •溫度3 0〜6 0 °C，添加劑濃度5 0〜3 0 0 ρ p 出口端經壓制輪擠水後以去離子水清洗。 _抗氧化層處理：抗氧化層處理係以酸性系統之鉻一 鋅為鍍液對銅箔進行雙面處理，硫酸鈉濃度2〜2 0 g L、鋅濃度0 2 · Og/L、鉻酸濃度0 5 —

Og/L 、溫度30〜60°C、電流密度為0 · 5^ 0 A / d m 2，出口端經壓制輪擠水後以去離子水清 洗 (6 )披覆有機矽烷層：有機矽烷層以0 · 2〜2 · 0% 之r —環氧丙醇丙基三曱基矽烷 (3-glycidoxypropyltriraethoxysilane )水溶液進行批 覆，以避免影響亮面焊錫之沾濕性，僅於粗化面作處理， 銅箔批覆矽烷層後以陶磁電熱烘乾，捲曲收料。 以下以數個實施例具體說明操作本發明之軟性印刷電路板 用壓延銅箔表面處理製程： 例 施 實 ?·ι JI 處 脂\ 脫A 學2 化度 電密 行流 進電 式、 方P aro 017 -P度 b 1溫 經、 箔% 銅ο 延 ^· 壓劑 之脂 m脫 #性 一 5鹼 3 ( d 度 1—I、濃 2酸 m硫 秒 ο 以 蝕 酸 學 化 電 行 進 式 方 4 g

4 度 溫 f L A 2 度 密 流 電 d

第8頁 595286 _案號 91120061_年月日_ifi 五、發明說明（5) 秒 ο A、 L\ g ο 丄 9 乙酸 m硫 L ο \ 3 度 4溫 度L 濃\ 銅bo 理5 處4 段· 階1 一 5 第 化

+ S

°c間m2 L

2 A m ο d 2 \度 Α密 1流 3電 1鍍 度電 密段 流階 電二 鍍第 電化 流粗 直， 端秒 α ο 入· > IX 士守 日 度 電 d 秒 5 間 士守 β 度 電 η Ζ 面 粗 箔 銅 /(\ CtliJ ίι 處 層 熱 抗 〇 Β 電 〇 2 4 m u d \ 3 A H 5 、7 L · \ o bo度 5密 7流 • 電 ο α •1入 N、 、。c L o\ 5 g度 o溫 be 2 m 6 d \ 1 3 A〇 2 r • c o ( 度理 密處 流層 電化 口氧 出抗 面} 亮秒 •， 5 秒· ο 2 1—•間 間時 時鍍 鍍電 秒 5 間 1X 4時 ο鍍 S電 2 ' a 2 Nm 、d L / \ A g 2 5度 •密 o流 η電 ζ 、 、。c L 5 \ 3 g ο

L 度 處 面 雙 後刻 理# 處銅 覆化 批氯 %經 5品 • 樣 ο之 烷後 碎合 基壓 甲， 三合 基壓 丙行 醇進 丙材。 氧浸度 環預強 一 4撕 r _抗 、R其 } F 測 理與後 脂 脫 學 化 行 進 式 方 Γ a Γ—-*· ο P I • 1 b 經 箔 銅 延 壓 之 m :# 二 5 例3 施 實 PL il 處d 2 m \ A 2 度 密 流 電 Λ Ρ ο 7 度 溫 % ο 齊 脂 脫 性 鹼 秒 ο 1 蝕 酸 學 化 電 行 進 式 方 r a li ο ρ I • 1 b 以 bo 5 4 度 濃 酸 硫

L 4 度 5 A 2 度 密 流 電 d 2 m 秒 ο 1 第 化 粗 度 密 r S流 A電 、鍍 L電 \流 g直 ο端 9 口 酸入硫、 、°c L ο g 4 r—I 度 濃 銅 ttul ίι· 處1 段5 階 L\ bO 5 4 3 間 士"r 日 第 化 粗 秒 ο A密 1流 電 度 電 段 階 m d 3鐘 度電 A o 2 度 m d 秒 5 間 寺 日 電 2 η Ζ 面 粗 箔 銅 /IV 理 處 層 熱 抗

第9頁 595286 案號91120061_年月日_ 五、發明說明（6)

〇 B b〇 ο 24 m 3 d \ 3 A HLO 、7 L · \ o bo度 5密 7流 . 電 ο 口 i入 N、 、。c L ο \ 5 度 〇溫

L 士守 日 電 A〇 2 r • c o ( 度理 密處 流層 電化 :氧 面抗 亮’ •, \jx 秒秒 〇5 IX · 間2 m d 士f 日 度 電 g 6

L z s IX 5度 •密 o流 η電

4 〇 S g ο

L 秒 5 間 士守 日 度 電 2 2 m ad N / 、A L 8 3 度 5

P 處 面 雙 與後 後刻 理蝕 處銅 覆化 批氣 %經 5品 . 樣 ο之 烷後 碎合 基壓 甲， 三合 基壓 丙行 醇進 丙材。 氧浸度 環預強 I 4撕 r _抗 、R其 } F 測 施 實 ίι 處

b 經、 箔％ 銅ο 延 1· 壓劑 之脂 m脫 • · i 三5鹼 例3 C 脂/ 脫A 學2 化度 電密 行流 進電 式、 方P ο 7 度 溫 r a r-*· ο ρ 秒 ο bo 5 4 度 'I濃 g酸 m硫 蝕 酸 學 化 電 行 進 式 方 r a ο ρ I • 1 b 以

5 4 度 溫 L A 2 度 密 流 電 d 酸入 硫、、 、 •mΡ 1 2 0 2 mL ο 間 m 秒 ο 第 化 粗 A ο 9 度 密 流 Α電 、鍍 L電 \流 g直 ο端， 9 口秒 5

S 3時 \度鍍 g溫電 4 、 、 1 L 度\ 濃 b〇 銅5 (4 etui 理· 處1 段5 階 + m d ο 2 度 密 流 電 鍍 Θ3 段 階二 第 化 粗 d 秒 5 間 時 鍍 電 抗

Cttii ίι 處 層 銅 粗B 箔 面 η Ζ :A / Η 7 A 、8 2 L . · \ ο ο g度度 5密密 7流流 •電電 ο 口 ·· i入面 N 、亮 、。C ·， L ο# \ 5 ο g度 1 ο溫間 •、時 2 L鍍 3 〇 2 d m \ d bo ο 2 4 m 一1?·€λ 、 電

il 處a 層N 化、 氧L 抗\ ，g )5 秒· 5 0 .n 2 z 間、 時L s 2 1 g 3 〇ο Γ ^· c 4 〇

3 度 \溫 g、 6 L 第10頁 595286 案號91120061_年月曰_ί±^_ 五、發明說明（7) 5 °C 、電流密度2 A / d m 2、電鍍時間5秒，雙面處理 )、r 一環氧丙醇丙基三曱基矽烷0 · 5%批覆處理後與 F R — 4預浸材進行壓合，壓合後之樣品經氯化銅蝕刻後 測其抗撕強度。 施 實

Ctulίι 處

b 經、 箔％ 銅ο 延 ^-*_ 壓劑 之脂 m脫 ·· #性 四5鹼 例3 C 脂\ 脫A 學2 化度 電密 行流 進電 式、 方C 〇 r ) a ο 7 度 溫 〇 度 r—I、濃 J酸 m硫 d ( 秒 ο b 以 ο 行 進 式 方 g 5 4

5 4 度 溫 L 電 蝕 酸3 學度 匕密 彳流

A d 秒 ο 第 化 粗 3時 \度鍍 bO溫電 4 、 、 1 L 度\ 濃g 銅5 (4 ίι· 處1 段5 階+ m d\ A ο 9 度 - 密 S流 Α電 、鍍 L電 \流 bo直 ο端 9 口 酸入硫、 A ο 2 度 密 流 電 鍍 段 階 二 第 化 粗 秒 5 d 秒 5 間 時 電 η Ζ 面 粗 箔 銅 S 處 層 熱 抗

〇2 B m 3d Η \ 、A L 7 \ 8 b〇 · 5 0 7度 •密 ο流 .1電 N 、 、。C L ο \ 5 g度 ο溫 g ο 4 時 電 A〇 2 r .c o ( 度理 密處 流層 電化 :氧 面抗 亮， • > \ly 秒秒 0 5 rH · 間2 m d bo 6 間 時、 鍍L 電/

LA \ 2 b〇度 5密 •流 o電 η 、 ζ 3C 秒 5 間 時 IX 度 4旁 〇電 S 、 2 2 a m N d L\ g ο 5 3 度 溫 CBxlίι 處 面 雙 與後 後刻 理蝕 處銅 覆化 批氯 %經 5品 • 樣 ο之 烷後 矽合 基壓 曱， 三合 基壓 丙行 醇進 丙材。 氧浸度 環預強 I 4撕 r _抗 、R其 } F 測

第11頁 595286 _案號91120061_年月日 修正 五、發明說明（8) 施 實

Ctiil ίι 處

b 經、 箔％ 銅ο 延 ^< 壓劑 之脂 m脫 Ai性 五5鹼 例3 C 脂\ 脫A 學2 化度 電密 行流 進電 式、 方C 〇 ο 7 度 溫 r a lx 〇 p d 度 1濃 、 2 S m硫 秒 ο b 以 Γ a

L OC 5 4 度 PO溫 酸 學 化 電 行 進 式 方 A 2 2 度 密 流 電

秒 ο IX g ο 9 酸、硫 2m、 d L // 第 化 粗

L

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S 度L 濃\ 銅g (5 理4 處· 段1· 階5 1 + 2 A m o d 2 \度 A密 o流 9電 度鍍 密電 流段 電階 鍍二 電第 流化 直粗 端， 口秒 入5 ， 0 V 1 ο間 3時 g度艘 4溫電 m d 2 L η \ z g :ο 面4 粗/ m 銅3 d c Η \ 理、A 處L 5 層/了 熱g . 抗5 ο ，7度 )•密 秒ο流 5 i 電 間N 、 時、P 鍍L ο 電\ 5 、bO度 2 ο溫 3 〇2 間 士V 日 度 電 A〇 2 r • c o ( 度理 密處 流層 電化 :氧 面抗 亮’ 秒秒 0 5 m d s 6 2 間 時 鍍 電

η ζ L ο 烷、碎 2基 Nm甲 、d 三 L \基 \ A丙 g 2醇 5度丙 •密氧 ο流環 a 電 OC 5 3 ttul 度理後 Λ理 、雙處 L 覆 /、，批 秒 g % 5 ο 5 間 r—H , 4時 ο鍍 S電 7 4 I R F 與 撕 抗 其 測 後 刻 蝕 銅 化 氯 經 品 稽 之 後 合 壓 合 壓 行 進 材。 浸度 預強 強 撕 抗 受 接 箔 銅 延 壓 之 成 完： 理示 處所 所一 例表 施如 實果 個結 五其 述， 上試 測 度 表 試 測 度 強 撕 抗 其 箔 銅 延 壓 之 成 完 例 施 實 案 本

595286 修正 案號 9Π20061 五、發明說明（9) 編號 Ra Rz Rinax FeeKFR- 抗發酸 抗高盈 坑高孟氧 (μηι) (μηι) (μηι) 4 ) ( kg/CID) 側姓41 老化4 化雙色43 實施一 0.2343 1.757 2.478 1·310 4. 10 23. 45 通過 實施二 0.2087 1·524 1.934 1. 346 1. 23 26. 37 通過 實施三 0.2001 1-353 1.618 1. 326 3. 54 17. 04 通過 實施四 0.1997 1.321 1.552 1. 314 4387 23. 30 通過 實施五 0.2321 L616 2.225 L375 1. 83 25. 69 通過 1. 抗鹽酸側蝕（HC1 undercut)之宽線為0. 02_(10條）τ測試環境為 1895HC1室溫含浸1小時。 2. 抗高溫老化（thermal age)之測試條件為17Γ(：、48小時， 3.27(TC、1 小時。

本發明以電 箔不須要與導 積。酸#過程 箔雙面均為陽 均為陰極可預 銅離子的累 面產生木紋並 箔表面之粗糙 • 5 〜0 · 8 / c m ( F R 從上述之處理程序說明與實驗結果可知 雙極方式進行電化學脫脂及酸微蝕處理，銅 電輥接觸，且可避免酸蝕鍍液中銅離子的累 中以電雙極方式進行電化學酸蝕，入口端銅 極可降低軋延方向之流線，出口端銅箔雙面 鍍銅，有利於提高粗化之均勻性，同時減低 積。粗化過程採用兩段式處理，避免銅箔表 提高銅箔的均勻性，配合適當之添加劑，銅 度R z < 2 · 3 # m、瘤化粒子可控制在〇 ，且常態下之抗撕強度大於1 · 3 k g

第13頁 595286 _案號 91120061_年月日_ί±^_ 五、發明說明（10) 一 4 )。抗熱層採硼酸系統之鋅鎳合金鍍液，鍍液ρ Η值 容易控制且容易水洗。抗氧化層所採取酸性鉻鋅鍍液容易 水洗，因此以本發明製程所處理之銅箔不但表面粗糙度降 低，抗撕裂強度增強，同時抗鹽酸蝕測< 5 %、抗高溫老 化性< 3 0 %、抗高溫氧化變色在2 5 0 °C下可持續1小 時以上，在效果上有險著之提昇，可符合銅箔細線化及高 抗熱之發展趨勢。

本發明之軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程確 實可使銅箔優質化，達到習用製程所無法達到之效能，極 具產業上之利用性，同時為一未見於相關領域之新技術， 兼具新穎性，因此應符合發明專利之申請要件，乃依法具 文提出申請。

第14頁 595286 _案號 91120061_年月日_修正 圖式簡單說明 第1圖係為本發明之操作流程圖

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Claims (1)

1. 595286 _案號 91120061_年月日__ t、申請專利範圍 1 · 一種軟性印刷電路板用壓延銅箔表面處理製程， 其步驟包括： (1)先於壓延銅箔表面進行電化學脫脂； (2 )再對該壓延銅箔表面進行電化學酸微蝕； (3 )再對該壓延銅箔表面進行微瘤化處理； (4 )再對該壓延銅箔表面進行抗熱層處理； (5 )再對該壓延銅箔表面進行抗氧化層處理； (6) 再對該壓延銅箔表面進行有機石夕烧披覆； (7) 該壓延銅搭進行烘乾處理； 其特徵在於步驟（1 )先於壓延銅箔表面進行電化學脫脂 與步驟（2)再對該壓延銅箔表面進行電化學酸微蝕處理 過程係以電雙極方式處理。 2 ·如申請專利範圍第1項之軟性印刷電路板用壓延 銅箔表面處理製程，其中該步驟（1 )之該電化學脫脂係 以電雙極方式進行，其操作條件為：入口端兩片不銹鋼均 為陽極，出口端兩片不銹鋼均為陰極，電流密度為1〜5 A/dm 2 ，溫度範圍為50〜80 °C ，處理時間為1 0〜40秒。 3 ·如申請專利範圍第1項之軟性印刷電路板用壓延 銅箔表面處理製程，其中該步驟（2 )之該酸微蝕係以電 雙極方式進行，其操作條件為：入口端兩片鈦白金均為陽 極，出口端兩片鈦白金均為陰極，硫酸濃度30〜98g/L， 電流密度2〜1 OA/dm 2 ，溫度範圍為：30〜60 °C，處理時 間為：5〜2 0秒。 4 ·如申請專利範圍第1項之軟性印刷電路板用壓延

   第16頁 595286 _案號 91120061_年月日__ 六、申請專利範圍 銅箔表面處理製程，其中該步驟（3 )之該微瘤化分為兩 段式處理，操作條件為：電解液銅濃度範圍1 0〜2 5 g / L，硫 酸濃度為5 0〜1 5 0 g / L ;添加劑濃度為2〜2 0 0 0 p p m，溫度範 圍為2 0〜4 0 °C ，第一階段入口端處理時間為4〜1 0秒，其 電流密度範圍為4 0〜1 0 0 A / d m 2 ;第二階段出口端處理時 間4〜1 0秒，電流密度範圍為5〜1 OA/dm 2 。

   5 ·如申請專利範圍第4項之軟性印刷電路板用壓延 銅箔表面處理製程，其中該步驟（3 )之該微瘤化處理過 程之添加劑係選自As + 5、As + 3、Ni + 2、W + 6及Co + 2所構成 之族群。 6 ·如申請專利範圍第1項之軟性印刷電路板用壓延 銅箔表面處理製程，其中該步驟（4 )之該抗熱層處理之 操作條件為：侧酸濃度為2 0〜1 0 0 g / L，添加劑為糖精或苯 甲基三乙基溴化銨，其濃度範圍為50〜3 0 0 ppm，鋅濃度範 圍為0·5〜5.0g/L，鎳濃度範圍為0.25〜2. Og/L，溫度範 圍為30〜60°C ，電流密度0.5〜2.0A/dm2 。

   7 ·如申請專利範圍第1項之軟性印刷電路板用壓延 銅箔表面處理製程，其中該步驟（5 )之該抗氧化處理之 操作條件為：硫酸鈉濃度為2〜2 0 g/ L，鋅濃度範圍為0 . 2 〜2.0g/L，鉻酸濃度範圍為0.5〜5. Og/L，電流密度為0.5 ~5. OA/dm 2 ，溫度範圍為30〜60 °C 、PH範圍4.0〜6.0 。 8 ·如申請專利範圍第1項之軟性印刷電路板用壓延 銅箔表面處理製程，其中該步驟（6)之該有機矽烷坡覆 過程係以濃度為0.2〜2.0%之τ 一環氧丙基丙醇三曱基矽

   第17頁 595286 修正 案號 91120061 六、申請專利範圍 烧水溶液進行批覆。 9 ·如申請專利範圍第8項之軟性印刷電路板用壓延 銅箔表面處理製程，其中該步驟（6)之該有機矽烷彼覆 過程係僅在該壓延銅洛之粗面進行批覆。

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