CN113594048A - 铜质引线框架及其表面处理方法、封装体及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是涉及一种铜质引线框架及其表面处理方法、封装体及其制备方法。本发明通过将铜质引线框架进行脱脂处理，使其被活化，使得能更好地进行微蚀处理，形成具有一定粗糙度和极高表面活性的外表面，然后进行电解氧化处理，并设定了电解氧化液的组成、电解氧化的电流密度以及处理温度，平衡了氧化反应和溶蚀反应，使得最终形成的氧化膜具有垂直交错的微观孔隙结构，较传统技术中棕化处理得到的相对平面化的微观粗化结构具备更好的表面粘合性能，从而使得表面处理后的铜质引线框架与塑料也能具备较好的结合力，能用于制备高气密性的塑料空腔封装体，在维持了良好气密性的前提下，有效降低了封装体的制造成本。

Description

铜质引线框架及其表面处理方法、封装体及其制备方法
技术领域
本发明涉及集成电路封装技术领域，特别是涉及一种铜质引线框架及其表面处理方法、封装体及其制备方法。
背景技术
随着半导体技术的发展，集成电路得以在各行各业发挥着重要作用，堪称现代信息社会的基石。集成电路芯片通常由封装体封装，封装体一方面避免芯片受到外部冲击，散发芯片热量，起到保护和稳定芯片的作用，另一方面通过引线框架和键合线连接外部电路，是电气回路的关键组件，因此，密封性是封装体的重要性能指标。
陶瓷封装体是一种密封性很好的封装体，然而，陶瓷封装体价格昂贵，当使用陶瓷封装体进行封装时，陶瓷封装体的成本将占据整个封装成本的大部分，不利于降低器件成本。若使用塑料代替陶瓷，封装成本将大幅降低，但是，塑料与常用的铜质引线框架表面的结合力一般较差，水汽或其他腐蚀气体可通过塑料与引线框架的界面进入封装体内部，与引线之间的密封性不能满足性能要求。为了解决这一问题，传统技术中通常对铜质引线框架表面进行棕色氧化处理，以获得一定微观粗糙的表面，但棕化处理得到的微观粗化表面比较平面化，对表面粘合性能的提升作用有限，因此这样的封装体密封性依旧不太好，当外部水汽或其他腐蚀性气体侵入内部芯片或键合线位置时，会污染器件，造成器件性能下降，甚至失效。
发明内容
基于此，有必要提供一种经特殊表面处理的铜质引线框架，该引线框架能用于制备成本低且密封性能好的塑料空腔封装体。
本发明的一个方面，提供了一种铜质引线框架的表面处理方法，其包括以下步骤：
将铜质引线框架依次进行脱脂处理、微蚀处理以及浸入电解氧化液中进行电解氧化处理；
所述铜质引线框架中，铜含量大于等于97％；所述电解氧化液中，电解氧化原液的体积分数为10％～15％，余量为水；所述电解氧化原液中包括质量浓度为200g/L～400g/L的碱和150g/L～250g/L的氧化剂；所述电解氧化处理的电流密度为0.05ASD～0.4ASD，所述电解氧化处理的温度为50℃～70℃。
本发明通过将铜质引线框架进行脱脂处理，以去除引线框架表面的油污或氧化物，使其被活化，使得能更好地进行微蚀处理，微蚀处理后形成具有一定粗糙度和极高表面活性的外表面，在此基础上，对铜质引线框架进行电解氧化处理，并设定了电解氧化液的组成、电解氧化的电流密度以及处理温度，从而将铜的电解氧化反应速度控制在合理范围内，平衡了氧化反应和溶蚀反应，使得最终形成的氧化膜具有垂直交错的微观孔隙结构，较传统技术中棕化处理得到的相对平面化的微观粗化结构具备更好的表面粘合性能，从而使得表面处理后的铜质引线框架与塑料也能具备较好的结合力，能用于制备高气密性的塑料空腔封装体，在维持了良好气密性的前提下，有效降低了封装体的制造成本。
在一些实施方式中，所述电解氧化处理的时间为15min～40min。
在一些实施方式中，所述碱为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢钠或碳酸氢钾中的一种或多种。
在一些实施方式中，所述氧化剂为过硫酸钠、氯酸钠或亚氯酸钠中的一种或多种。
在一些实施方式中，所述脱脂处理为化学脱脂和/或电解脱脂。
在一些实施方式中，所述微蚀处理采用过硫酸钠-硫酸体系、过硫酸铵-硫酸体系、双氧水-硫酸体系中的一种或多种微蚀液体系进行处理。
在一些实施方式中，所述脱脂处理后、所述微蚀处理前，对所述铜质引线框架进行酸洗；所述酸洗是指在常温下，采用体积浓度为5％～10％的硫酸或盐酸溶液将所述铜质引线框架浸泡1min～2min。
在一些实施方式中，所述微蚀处理后、所述电解氧化处理前，对所述铜质引线框架进行酸洗；所述酸洗是指在常温下，采用体积浓度为5％～10％的硫酸或盐酸溶液将所述铜质引线框架浸泡1min～2min。
在一些实施方式中，所述酸洗后、所述电解氧化处理前，将所述铜质引线框架在质量浓度为3％～5％的碱液中常温浸泡0.5min～1min，所述碱液中的碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾。
本发明的另一方面，提供了一种铜质引线框架，其由前述的表面处理方法处理得到。
本发明的又一方面，提供了一种封装体，其包括前述的铜质引线框架。
本发明还提供了一种封装体的制备方法，其包括以下步骤：
将前述的铜质引线框架放入模具内，与塑胶在120℃以上的温度下模内成型。
在一些实施方式中，所述塑胶为聚对苯二甲酸丁二醇脂、聚苯硫醚树脂、聚酰胺树脂、高分子液晶聚合物以及其玻纤增强塑料中的一种或多种。
附图说明
图1为2μm尺度下实施例1中铜质引线框架进行表面处理后表面微观结构的扫描电镜图；
图2为10μm尺度下实施例1中铜质引线框架进行表面处理后表面微观结构的扫描电镜图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本发明的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
本发明的一个方面，提供了一种铜质引线框架的表面处理方法，包括以下步骤：
将铜质引线框架依次进行脱脂处理、微蚀处理以及浸入电解氧化液中进行电解氧化处理；
其中，铜质引线框架中，铜含量大于等于97％；电解氧化液中，电解氧化原液的体积分数为10％～15％，余量为水；电解氧化原液中包括质量浓度为200g/L～400g/L的碱和150g/L～250g/L的氧化剂；电解氧化处理的电流密度为0.05ASD～0.4ASD，电解氧化处理的温度为50℃～70℃。
优选地，电解氧化处理的电流密度为0.1ASD～0.3ASD，电解氧化处理的温度为55℃～65℃。
金属铜的电解氧化是一个复杂而微妙的反应过程，总的来说，可以概括为两种趋势：1)在氧化剂的作用下生成氧化膜的氧化反应；2)在电解作用下发生的溶蚀反应；电解氧化处理过程中，可以根据需要通过对反应条件的调整以实现对氧化反应和溶蚀反应不同程度的控制。本发明中，通过设置电解氧化原液中碱的质量浓度为200g/L～400g/L，以及氧化剂的质量浓度为150g/L～250g/L，并按照体积分数为10％～15％将电解氧化原液配置成电解氧化液，在0.05ASD～0.5ASD的电流密度和50℃～70℃的温度下对铜含量大于等于97％的铜质引线框架进行电解氧化，能控制氧化反应的速度一定程度地大于溶蚀反应的速度，从而生具有垂直方向(指垂直于被处理表面所在的平面)主导的微观孔隙结构的致密度适中的氧化膜，与传统的棕化处理得到的相对平面化的微观粗化结构相比，具有更好的表面粘合性，从而使得表面处理后的铜质引线框架与塑料也能具备较好的结合力，能用于制备高气密性的塑料空腔封装体，在维持了良好气密性的前提下，有效降低了封装体的制造成本。
可以理解，本发明中电解氧化液中氧化剂和碱的浓度、电解氧化的温度和电流密度需互相搭配、同时满足预设的条件，才能较好地控制反应程度在合适的范围。例如，温度太高，将导致电解氧化液中的氧化剂分解，但温度太低，氧化反应速度就过慢，会影响氧化膜的生成；再例如，碱或氧化剂的浓度，或是电流密度过大，整个电解氧化反应的速度过快，则会导致氧化膜结构过于蓬松，容易掉粉，导致铜质引线框架经表面处理后品质下降。
随着电解氧化反应的进行，纵向氧化膜厚度增加，当厚度达到1μm左右时，氧化膜具有相对的整体致密性，内部的药剂被“封锁”，正常的浓度置换被抑制，氧化膜起到阻隔作用，铜表面的氧化反应和溶蚀反应都趋于停滞，电解氧化反应到达终点。整个电解氧化过程中，铜表面的颜色逐渐由红铜色变为棕色、褐色、深褐色直至黑色，此黑色膜层因为具有上述的特殊微观结构，所以表现出很强的吸光和表面自吸附特性。
在一些实施方式中，电解氧化原液中还包括络合剂、表面活性剂等助剂。
在一些实施方式中，电解氧化处理的时间为15min～40min。优选地，电解氧化处理的时间为20min～30min。在预设处理时间范围内，能使得生成的膜层厚度更适合于封装体的制备。
在一些实施方式中，碱为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢钠或碳酸氢钾中的一种或多种。
在一些实施方式中，氧化剂为过硫酸钠、氯酸钠或亚氯酸钠中的一种或多种。
在一些实施方式中，脱脂处理为化学脱脂和/或电解脱脂。
化学脱脂主要用于去除铜质引线框表面的油污，如冲压加工时残留在铜表面的冲压油等。化学脱脂可采用的试剂包括：氢氧化钠、碳酸钠、磷酸钠、硅酸钠等无机碱或无机盐，有机溶剂、表面活性剂。
在一些实施方式中，化学脱脂处理温度为60℃～70℃，处理时间为5min～10min，可采用超声波辅助。
电解脱脂能有效去除铜金属表面的氧化物，并有很好的表面活化作用。电解脱脂采用专门的铜合金电解除油剂。
在一些实施方式中，电解脱脂处理温度为50℃～60℃，处理时间为2min～4min，电流密度为1ASD～3ASD。
在一些实施方式中，微蚀处理采用过硫酸钠-硫酸体系、过硫酸铵-硫酸体系、双氧水-硫酸体系中的一种或多种微蚀液体系进行处理。微蚀液会对铜表面产生溶蚀作用，表层金属或金属氧化层会被溶解，形成具有一定粗糙度、极高表面活性的外表面。
优选地，采用过硫酸钠-硫酸体系，可以理解，过硫酸钠也可以采用商品化的微蚀盐代替。
在一些实施方式中，微蚀液中过硫酸钠的质量百分浓度为2％～5％，硫酸的体积百分浓度为1％～3％，微蚀处理的时间为2min～4min。
在一些实施方式中，脱脂处理后、微蚀处理前，对铜质引线框架进行酸洗；酸洗是指在常温下，采用体积浓度为5％～10％的硫酸或盐酸溶液将铜质引线框架浸泡1min～2min。这一步骤的酸洗作用一方面是为了中和脱脂处理后工件表面的碱性残留液，另一方面是作为微蚀处理的预浸。
在一些实施方式中，微蚀处理后、电解氧化处理前，对铜质引线框架进行酸洗；酸洗是指在常温下，采用体积浓度为5％～10％的硫酸或盐酸溶液将铜质引线框架浸泡1min～2min。这一步骤的酸洗作用是增强活化铜表面，也避免微蚀液中的过硫酸钠或微蚀盐等氧化剂被带入电解氧化处理工序。
在一些实施方式中，酸洗后、电解氧化处理前，将铜质引线框架在质量浓度为3％～5％的碱液中常温浸泡0.5min～1min，碱液中的碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾。这一步骤的作用为中和酸洗后的酸性溶液残留，并作为后面电解氧化的预浸保护，避免酸性物质被带入电解氧化液中。
本发明的另一方面，提供了一种铜质引线框架，其由前述的表面处理方法处理得到。采用本发明的表面处理方法，只改变了引线框架的微观粗糙度，其宏观粗糙度并无明显增加，因此可满足产品最终的外观粗糙度要求。
本发明的又一方面，提供了一种封装体，其包括前述的铜质引线框架。
本发明还提供了一种封装体的制备方法，包括以下步骤：
将前述的铜质引线框架放入模具内，与塑胶在120℃以上的温度下模内成型。
常规注塑一般采用冷流道，模具温度受自然吸热作用通常在70℃左右，这种注塑方式热流塑胶结晶速度较快，不利于树脂填充进入铜金属表面的微孔中，无法形成嵌合结构，因此很难形成粘合力。120℃以上的温度下模内成型，能保证热流塑胶能快速而且充分进入经过纳米处理的铜金属表面微孔中，达到一体化结合的效果，制得具有可靠气密性的低成本塑料封装体。
在一些实施方式中，与塑胶模内成型的温度为120℃～160℃。
在一些实施方式中，注塑机为纳米注塑机。纳米注塑机台具有高射压、高射速的特点，且模具采用热流道和加热模板设计，能充分适应本发明对于注塑温度的需求。
在一些实施方式中，塑胶为聚对苯二甲酸丁二醇脂、聚苯硫醚树脂、聚酰胺树脂、高分子液晶聚合物以及其玻纤增强塑料中的一种或多种。
在一些实施方式中，塑胶为聚苯硫醚树脂时，与塑胶模内成型的温度为120℃～140℃。
合适的模内成型温度使得塑胶与本发明制备的铜质引线框架具备良好结合力的同时，脱模时不至于变形。
本发明制得的塑料封装体在铜塑结合位具有良好的气密性能，能达到IPX 8的密封效果，封装后腔体漏率小于5×10-10Pa·m3/s；且可承受电镀过程中药水的常规侵蚀作用，在电镀后依旧可保证结合位的气密性；此外，还能承受长期的高温作业，在200℃的极端条件下暴露8小时后依旧表现出良好的气密性。
以下结合具体实施例和对比例对本发明做进一步详细的说明。可理解，以下实施例所用的仪器和原料较为具体，在其他具体实施例中，可不限于此。
电解除油剂的配置：
将Tri-Max LSC 349浓缩液体洗涤剂加入水中配成50mL/L的组分A；将基础液LC-B加入水中配成350mL/L的组分B；将组分A和组分B按照体积比6:10混合，得到电解除油剂。
实施例1
将铜含量为98％的铜质引线框架浸于65℃的氢氧化钠溶液(80g/L)中超声处理5min进行表面脱脂，然后转移到55℃的电解除油剂中继续进行电解脱脂，电流密度为2ASD，脱脂3min；
将脱脂处理后的引线框架置于7％体积浓度的硫酸溶液中，常温下浸泡2min，完成第一次酸洗；
将第一次酸洗后的引线框架置于2％体积百分比的硫酸-3％质量百分比的过硫酸钠微蚀液中常温浸泡3min，进行微蚀处理；
将微蚀处理后的引线框架进行第二次酸洗，参数设置与第一次酸洗保持一致；
将第二次酸洗后的引线框架置于4％质量百分比的氢氧化钠溶液中，常温下浸泡1min，完成碱预浸；
将碱预浸后的引线框架浸入电解氧化液中，在0.2ASD的电流密度以及60℃的温度下电解氧化处理25min；电解氧化液中电解氧化原液的体积百分比为12％，其余为水；电解氧化原液中，氢氧化钠的质量浓度为300g/L，过硫酸钠的质量浓度为200g/L；
将电解氧化处理后的引线框架和聚苯硫醚树脂放入模具内，采用纳米注塑机在120℃下进行注塑，得到塑料封装体。
实施例2
将铜含量为98％的铜质引线框架浸于65℃的氢氧化钠溶液(80g/L)中超声处理5min进行表面脱脂，然后转移到55℃的电解除油剂中继续进行电解脱脂，电流密度为2ASD，脱脂3min；
将脱脂处理后的引线框架置于7％体积浓度的硫酸溶液中，常温下浸泡2min，完成第一次酸洗；
将第一次酸洗后的引线框架置于2％体积百分比的硫酸-3％质量百分比的过硫酸钠微蚀液中常温浸泡3min，进行微蚀处理；
将微蚀处理后的引线框架进行第二次酸洗，参数设置与第一次酸洗保持一致；
将第二次酸洗后的引线框架置于4％质量百分比的氢氧化钠溶液中，常温下浸泡1min，完成碱预浸；
将碱预浸后的引线框架浸入电解氧化液中，在0.35ASD的电流密度以及50℃的温度下电解氧化处理15min；电解氧化液中电解氧化原液的体积百分比为12％，其余为水；电解氧化原液中，氢氧化钠的质量浓度为300g/L，过硫酸钠的质量浓度为200g/L；
将电解氧化处理后的引线框架和聚苯硫醚树脂放入模具内，采用纳米注塑机在120℃下进行注塑，得到塑料封装体。
实施例3
将铜含量为98％的铜质引线框架浸于65℃的氢氧化钠溶液(80g/L)中超声处理5min进行表面脱脂，然后转移到55℃的电解除油剂中继续进行电解脱脂，电流密度为2ASD，脱脂3min；
将脱脂处理后的引线框架置于7％体积浓度的硫酸溶液中，常温下浸泡2min，完成第一次酸洗；
将第一次酸洗后的引线框架置于2％体积百分比的硫酸-3％质量百分比的过硫酸钠微蚀液中常温浸泡3min，进行微蚀处理；
将微蚀处理后的引线框架进行第二次酸洗，参数设置与第一次酸洗保持一致；
将第二次酸洗后的引线框架置于4％质量百分比的氢氧化钠溶液中，常温下浸泡1min，完成碱预浸；
将碱预浸后的引线框架浸入电解氧化液中，在0.3ASD的电流密度以及65℃的温度下电解氧化处理20min；电解氧化液中电解氧化原液的体积百分比为15％，其余为水；电解氧化原液中，碳酸氢钾的质量浓度为350g/L，氯酸钠的质量浓度为250g/L；
将电解氧化处理后的引线框架和聚对苯二甲酸丁二醇脂放入模具内，采用纳米注塑机在130℃下进行注塑，得到塑料封装体。
对比例1
对比例1与实施例1基本保持一致，不同之处在于采用铜含量为95％的铜质引线框架。
对比例2
对比例2与实施例1基本保持一致，不同之处在于电解氧化处理时，电流密度为0.45ASD。
对比例3
对比例3与实施例1基本保持一致，不同之处在于电解氧化处理时，温度为75℃。
对比例4
对比例4与实施例1基本保持一致，不同之处在于注塑时采用常规的注塑工艺，使用冷流道，模具温度维持在70℃左右。
氦检测试步骤(封装后腔体漏率检测)：
1.将塑料封装体置于烘箱中，220℃下烘烤4小时，模拟封装过程中银胶贴芯片的条件；
2.把管壳倒放于夹具内，启动氦检按钮，使塑胶框架与垫片密封，显示抽空状态；
3.当绿屏且数值≦5×10-9Pa·m3/s时，使用氦气枪环顾管壳四周吹气3秒，记录读数。
将各实施例和对比例中制得的塑料封装体按照上述氦检测试步骤进行腔体漏率检测(记作测试1)；将制得的塑料封装体分别进行电镀，然后进行氦检测试(记作测试2)；将制得的塑料封装体在200℃下暴露8小时后，进行氦检测试(记作测试3)。各测试结果见表1(表1中所有数值的单位均为Pa·m3/s)：
表1
Figure BDA0003133295870000121
Figure BDA0003133295870000131
从表1中可知，本申请各实施例制得的塑料封装体均具备良好的气密性，远高于国家标准(根据GJB 548B-2005中的规定，氦检测试中吹气3秒后的读数为5×10-9Pa·m3/s以下为符合要求)。实施例1中，各项参数设定均位于优选范围，因此制得的封装体气密性较好；实施例2中，电流密度稍大，即使相应地降低了反应温度和处理时间，制得的封装体气密性还是有一定程度的下降，但仍然符合国家标准；对比例1中，引线框架中铜的含量低于预设范围，由于电解氧化的条件是针对铜设置的，其他杂质的引入同样会较大程度地影响氧化膜的生成，因此气密性有所下降；对比例2中，电解氧化的电流密度过高，导致反应速度过快，生成的氧化膜结构疏松，容易掉粉，气密性不符合要求；对比例3中，由于电解氧化的温度过高，氧化剂大幅度分解，极大影响了氧化膜的生成，表面处理的效果很差，制得的封装体气密性非常差；对比例4中，采用常规注塑工艺，冷流道的采用使得塑胶的结晶速度过快，不利于塑胶填充进入微孔中，嵌合结构形成过少，也很大程度上影响了结合位的气密性。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (13)

1.一种铜质引线框架的表面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
将铜质引线框架依次进行脱脂处理、微蚀处理以及浸入电解氧化液中进行电解氧化处理；
所述铜质引线框架中，铜含量大于等于97％；所述电解氧化液中，电解氧化原液的体积分数为10％～15％，余量为水；所述电解氧化原液中包括质量浓度为200g/L～400g/L的碱和150g/L～250g/L的氧化剂；所述电解氧化处理的电流密度为0.05ASD～0.4ASD，所述电解氧化处理的温度为50℃～70℃。
2.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述电解氧化处理的时间为15min～40min。
3.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述碱为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢钠或碳酸氢钾中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，所述氧化剂为过硫酸钠、氯酸钠或亚氯酸钠中的一种或多种。
5.根据权利要求1～4任一项所述的表面处理方法，其特征在于，所述脱脂处理为化学脱脂和/或电解脱脂。
6.根据权利要求1～4任一项所述的表面处理方法，其特征在于，所述微蚀处理采用过硫酸钠-硫酸体系、过硫酸铵-硫酸体系、双氧水-硫酸体系中的一种或多种微蚀液体系进行处理。
7.根据权利要求1～4任一项所述的表面处理方法，其特征在于，所述脱脂处理后、所述微蚀处理前，对所述铜质引线框架进行酸洗；所述酸洗是指在常温下，采用体积浓度为5％～10％的硫酸或盐酸溶液将所述铜质引线框架浸泡1min～2min。
8.根据权利要求1～4任一项所述的表面处理方法，其特征在于，所述微蚀处理后、所述电解氧化处理前，对所述铜质引线框架进行酸洗；所述酸洗是指在常温下，采用体积浓度为5％～10％的硫酸或盐酸溶液将所述铜质引线框架浸泡1min～2min。
9.根据权利要求8所述的表面处理方法，其特征在于，所述酸洗后、所述电解氧化处理前，将所述铜质引线框架在质量浓度为3％～5％的碱液中常温浸泡0.5min～1min，所述碱液中的碱为氢氧化钠和/或氢氧化钾。
10.一种铜质引线框架，其特征在于，由权利要求1～9任一项所述的表面处理方法处理得到。
11.一种封装体，其特征在于，包括权利要求10所述的铜质引线框架。
12.一种封装体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将权利要求10所述的铜质引线框架放入模具内，与塑胶在120℃以上的温度下模内成型。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述塑胶为聚对苯二甲酸丁二醇脂、聚苯硫醚树脂、聚酰胺树脂、高分子液晶聚合物以及其玻纤增强塑料中的一种或多种。
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