TW593833B - Method for plating a film to a non-ionized radiation fibrous fabric - Google Patents

Description

坎、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種抗非 ^射纖維布的1，_ 種抗非游離韓射纖維布之鍍膜製程。 【先前技術】 靜電離輻射纖維布的設計，是為了防止電磁波、 構造，.見㈣㈣對人體及環境的干擾，其較常見之 10 獨、·戴、准抽絲法、導電性樹脂塗佈法、& 鑛法所製成之纖維布，此外，本申請人所； 型專Α 口弟532396 $「抗非游離輕射之纖維織布」新 專㈣’㈣用之製造方式便有別於前述各種習知製法。 15 一 /亥公告前案抗非游離輻射纖維布的構造，大致如圖μ 3 以、、哉物製成而具有多數經線2丨丨與緯線212之 广布層21、一被覆在該基布層21上的界面層η、一錢著在 j界面層上的金屬層23，及一鑛著在該金屬層23上的保 ^ 4界面層22可由聚氨基甲酸酯（PU)材料所形成， 20 並在曰遠離該基布層21之—側形成_平坦的界面。該金屬層 23是一層導電性佳的金屬薄膜。該保護層24是-層抗氧化 ^的金屬薄膜。能藉由均勻被覆之金屬層23，構成一連續 、V電面而此具有抗靜電、抗微波及電磁波遮蔽效益等功效 並兼具有高結合強度、合金多功能設計、高產品品質、潔 /尹=生產壞境，以及無環保污染問題等優點。而該保護層24 所提供之抗氧化效果，可保護該導電性佳之金屬層Μ，避免 金屬層23的抗非游_射效果因金屬氧化而衰減。 5 由於前述金屬層23俘噌風l如 右 、保4層24的附著屬於鍍膜製程， 在t k過程中之各項工作合 特#，^ 条件曰直接關係到所製成產品的 .σ 之配置0又疋才能製造出所需求特性之 屋口口，而本發明便是針對該抗非 *俘η子離季田射纖維布中之金屬層 一保5隻層的形成，所研發出之鍍膜製程。 【發明内容】 ，射::二本Τ目的，即在提供一種控制形成抗非游離 准布之金屬層與保護層的鑛膜製程，使所製成之抗非 子料射纖維布能具有甚佳的電磁波遮蔽率。 於是，本發明抗非游離輕射纖維布之㈣製程，是先 -由-織物製成之基布層與一被覆在該基布層表面之界面 層所構成㈣射材送人__裝置内，並使科電奸之 金屬為乾材，且在背景壓…·0x 10.w、製㈣： 3·〇〜5_5x 1(rw、鍵膜功率4期〜咖w、傳送速 2〜15職/sec、制時間為35.2〜5〇〇sec等環境條件下進二 鍍，而在該界面層上鍍著—金屬層，接著在下_次_丁: 使用抗氧化性佳之金屬為乾材，且在背景屢力為 1〇_6输r、製程墨力為3.0〜5.5x 10-3t〇rr、鍍膜功率: 300〜l〇〇〇W、傳送速度為2〜15mm/sec、鍍膜時間為$ ^ :

等環境條件下進行賤鑛，而在該金屬$上錢著_保護層:SeC 藉此，可製成電磁波遮蔽率高於99·9%以上 、 輻射纖維布。 凡非游離 【實施方式】 有關本發明之前述及其他技術内容、特點盥 ν、刀攻，在以 =配°參考圖式之較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的明 =明抗非游離輻射纖維布之鑛膜製程的較佳實施例 侧，伊Γ在如圖2所示等待_之—片狀待射材31的一 ^被覆一金屬層32與-保護層33。該待鍍素材31是 、’β•物製成之基布層311及_被覆在該基布層阳之一表 界面層312所構成。該金屬層32與保護層33便是先 後鑛者在該界面層312上。 10 於該待鐘素材31之界面層312上鐘著該金屬層32與保 -曰33,皆須在—真空_設傷中進行，本實施例是以在如 ® 3所示之濺鍍裝詈4 φ & Ρ & a ρ。 、、， 進仃5亥金屬層32與保護層w等兩 道錄膜製程為例作說明。 15 一錢鍍裝置4包含：—内部形成有—前後方向延伸之真 工:至4U的狹長狀基座41，及多數組裝在該基座41之濺 、又單π 42 4基座41在前、後端各別安裝在有一閥門412 、，可供用來載送待鍍素材31之直立承載板5由前往後輸 运通過該等閥門412,並在進入真空容室411内時進行鏡膜 。該承載板5是前後延伸地在真空容室4ΐι内被輸送前進， 20 可將所欲進行㈣之待鍍料31固定在該承餘5的兩相 反側面上。 4等濺鍍單7〇 42是前後對應地架設在該基座41兩側， 每-濺鍍單元42皆具有一安裝在基座41上之難定座 以及木5又在该靶材固定座421上且朝向真空容室411 的乾材422。該革巴材422所使用之材料，是隨鍵製金屬層μ 7 或保濩層3 3而有；^ π 同勺選擇，在鍵製金屬層32時可採用導 電性較佳之金屬- ^ 層33時可採用^銅心）、銀_、銘⑽等。鍍製保護 几虱化性佳之金屬，如鎳（Ni)、鎳鉻合金 ⑼-Cr)、鉻（Cr)、鈦㈤等。 承載有待錄請31之承《5送置4的直 二4U内時，藉兩側閥門“2來封閉該真空容室4n， 二口二關的抽真空設備使真空容室4ιι内達到—預定的直 一般稱該真空值為「背景壓力」，然後加入製程所需 之氣體如氬氣，使直允―― 才{所而 一工谷至411内達到另一預定真空值，一 般％遠另一預定直空佰制 . -預定之「鍍膜功率$ ，力」’接著施以電壓提供 材422衝向待鍍素材」錄材似，使被電離的離子由乾 Ί、 ，同時待鍍素材以預定之「傳送 速度」沿著輪送方向行進 、 過一财之「鑛膜時間1 Α材31在_環境内經 w 9 、 S」後，再將待鍍素材31送至下一個 域衣置2進行另—道鍍膜製程。 材Μ上先後鑛製該金屬層32與該保 I;二：了所採用之乾材不同以外，在鑛膜製程中之 有：力、裝程塵力、鍍膜功率、傳送速度、鑛膜時間也必 須有所_，以下料對分職製該金 之鍍膜製程詳加說明。 -佧口隻層33 下之中该金屬層32與保護層33之鍍膜製程採用以 1，所製成之抗非游離㈣纖維布可獲得99.9% 乂上的電磁波遮蔽率（EMl_shieldingeffeetiveness): (一）金屬層32的鍍膜製程 593833 使用革巴材：Cu、Ag、A1等金屬。 背景壓力：1·〇χ 10-6t〇rr。 製程壓力：3.G〜5·5χ ΐα·3_ ’製程氣體為氬氣，較佳為 3.8〜4. lx l〇-3t〇rr。 鍍膜功率：300W〜l〇〇〇W，功率過小時鍍率會太小，功 率過大時溫升會過快，進而導致待鍍素材3 i 受熱萎縮。較佳鍍膜功率為5〇〇w。 傳运速度·· 2mm/Sec〜I5mm/sec，速度太慢時易使待鍍素 材31受熱之積蓄而萎縮，速度太快會導致 鍵率太小。較佳之傳送速度為5lnrn/sec。 錢膜日守間· 35.2sec〜500sec，鍍膜時間越久，所得金屬層 32之膜厚會越厚，電磁波遮蔽效果會越佳。 一般金屬層32厚度達91〇A時抗非游離輻射 平均遮蔽效果可達30dB以上，厚度大於 4500A時可達50dB以上，厚度大於1〇〇〇〇A 時可達60dB以上。 (二）保護層33的鍍膜製程 使用革巴材：Ni、‘ Ni-Cr、Cr、丁丨等金屬。 月景壓力：同前述金屬層32的鍍膜製程。 製程壓力：同前述金屬層32.的鍍膜製程。 鍍膜功率：300W〜1000W，較佳為8〇〇w。 傳送速度：同前述金屬層32的鍍膜製程。 鑛料間：5〜44sec，鑛膜時間越久，保護效果會越佳。 在本實施例上述金屬層32與保護層33鑛膜製程之限定 9 593833 範圍内所製成之抗非游離輻射纖維布， 電磁波遮蔽率，如表一所示之樣品二 定範圍内，而可達99.9%以上之電磁波 則不是。 ίο 上述樣品I、π、m、iv所設定的數據中，其金屬層κ 鑛膜製程的鍍膜功率皆為400〜600W，鍍膜時間分別為 、35.2sec、176sec、352sec，其中僅樣品工的錢膜時間= 不在本實施例所限定金屬層32鍍膜製程的範圍 (35.2〜50〇sec)内。至於保護層33皆採相同的限定條件，使保 濩層33的鍍膜功率為500〜800W、鍍膜時間為35 2sec。如 此樣I、Π、Π、IV所製成抗非游離輻射纖維布中的金屬 層32厚度分別為80〇Α、910Α、4570Α、1〇〇7〇Α，而保護層 33的厚度皆約400〜500Α。 15 參閱圖4與表一，對前述樣品j、η、也、w進行電磁 波遮蔽率檢測，皆分別以30、101、499、9〇〇、12〇〇、15〇() 、1800、1901、2451、300MHz的電磁波進行檢測，所獲得

結果為樣品I的響度低於3〇dB，樣品n的dB值約在40dB 附近’樣品ΠΙ的dB值皆在50dB以上，樣品IV的dB值皆在 6〇dB以上。 20

可達到99.9%以上的 二、四皆是在上述限 遮蔽率，至於樣品I 由以上結果並配合對照表二，可知僅樣品I的電·磁遮蔽 率低於99.9%，樣品π、Π、IV的電磁波遮蔽率皆高於99.9% 歸納上述，本發明所提供抗非游離輻射纖維布之金屬層 32與保護層33的鍍膜製程，可使所製成之抗非游離輻射纖 10 593833 、、隹布月b具有99.9%以上的電磁波遮蔽率，故確實能達到發明 之目的。 ' 准以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能 以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明中請專利範圍 及發明說明書内容所作之簡單的等效變 本發明專制蓋之範_。 【圖式簡單說明】 圖1疋公告第532396號案的抗非游離輻射纖維布之剖 面示意圖； " 圖2疋本發明抗非游離輻射纖維布之鍍膜製程在一待鍍 ，丁、材的表面上依序被覆一金屬層與一保護層的製程示咅 圖； 心、 十圖3疋一濺鍍裝置的簡略俯視示意圖，說明本發明抗非 游離輻射纖維布之鍍膜製程；及 ^圖4疋多數不同厚度之抗非游離輻射纖維布樣品對不同 甩磁波頻率的響應圖。 表一是圖4中各不同厚度之抗非游離輻射纖維布樣品對 不同電磁波頻率的dB值。 表一疋不同dB值之電磁波遮蔽效果與評價對照表。 11 593833 【圖式之主要元件代表符號說明】 31…·…待鍍素材 411*……真空容室 · 311……基布層 412.......閥門 3 12 ......界面層 42 ---------錢鍛單元 3 2........金屬層 42 L·…羊巴材固定座 33 ……保護層 422……·革巴材 4 —……錢鐘裝置 5..........承載板 41 ........基座 12 593833 莽 7Π^ / 和 HH / ㈢ Η / CD •① cn OO IND OO OO o OO 〇〇 cn OO ◦ CJl w N 巨 巨 2 CJl an CO CD CsO CJl 一 H-a CO 云 CD — N PL· 00 PL Od in* TO a- ro OD CO CJl CD GO CO l>0 •cn CO 〇 s CO Ol ① N Ci- Od ρ ω P- TO PL· 0d CD GO cn cn GO OO DO 产 CO CD 1»«* -<1 OO 臣 i4^ cn CJT CD K PL w pL· W a- td N CD 产 cn •① CO OO CvO CJl U1 巨 OO 臣 OO OO 臣 H-* 臣 ◦ § N CD r° ΟΊ CD CO CO CsD cn OO 私 云 ◦ cn CD ◦ § N P- OT P- TO PL· ro P- w CD •OO CJl cn to CJTI 1—* OO Ol H—» a- TO g pL· TO OO 臣 03 OT 臣 o CD 戔 N CD 产 CJl CT> CO •CJl H-* CO >—a Cv〇 OO CO OO CO OO H-^ 圉 N 臣 P- td 巨 Q- OT ① ai • cn •OT CO CJD • to c n S OO ΟΊ W 1 h-* M N a- w Cu w i PL· dd ① cn OD OO CO Λ to •cn 兰 r-^ CO OO DO OO ① ◦ N 臣 臣 CL td

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Claims (1)

1. &、申請專利範圍·· L:種抗非游離㈣纖維布之㈣製程，是先將—由& '成之基布層與一被覆在該基布層表面之界面層所構 的待鑛素材达入-錢鑛裝置内，並使用導電性 ' x 10 ton·、鍍膜功率為3〇〇〜i〇〇〇w、傳送速户 ^_/Sec、鑛膜時間為35 2〜5〇〇_等環境條 ^ _，而在該界面層上鍵著一金屬層，接著在下-次J 過程中使用抗氧化性佳之金屬為乾材，且力： ;.。？〜製„力為3.〇〜5一^^ 5〇: 1_W、傳送速度為w—、·膜時間為 〜咖寻核境條件下進行賤鑛，而在該金屬層上鍵著一 保護層。 又 2·請：利範圍第1項所述抗非游離輕射纖維布之鑛 1 、中，該導電性佳之乾材可選自由金、銀、銘所 、.且成的群體’該抗氧化性佳之乾材可選自由鎳、錄鉻合金 、鉻、鈦所組成的群體。 15