TW583450B - Liquid crystal display device - Google Patents

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583450 A7 B7 五、發明說明（i) 發明背景 本發明與一種液晶顯示裝置有關，尤其是與至少可做 為反射型之主動矩陣型液晶顯示裝置有關。 在一主動矩陣型液晶顯示裝置中，在彼此相對配置俾 將液晶夾於其間之各基板之_之液晶側表面上，由延伸於 X軸方向並與y轴方向平行配置之閘極信號線以及延伸於 y轴方向並與X軸方向平行配置之汲極信號線所環繞區域 即構成像素區。在各像素區巾具有_薄膜電晶體及一像素 電極’其巾賴電晶體為來自—則極信麟之掃描信號 (電壓）所驅動，自一側汲極信號線經薄膜電晶體供應之 影像彳έ號（電壓）則係供至像素電極。 計 像素電極在像素電極與為各像素區共用之其它基板側 上形成之相對電極間產生電場，俾控制配置於其間之液晶 之光穿透率。 而後，已知之液晶顯示裝置使得部份或全部由金屬層

形成之像素電極具高光反射率。此液晶顯示裝置至少可做 為反射型之用。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 貝 X 消 费 合 作 社 由於此液晶顯示裝置使得觀察者可藉由諸如太陽光束 等外來光線觀得影像，故可節省電源。 但由於液晶顯示裝置係供做反射型之用，故無法確保 充分之外來光線，需視液晶顯示裝置所處環境而定。因此 與其它類型的液晶顯示裝置相較，可增強數值孔徑之構造 相形之下益為重要。 本發明已將此類環境列入考量，故本發明之一目的即

I 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇χ297公釐） 91023a 583450 A7 一 B7 五、發明說明（2) 在提供一種具有可增強數值孔徑之構造之液晶顯示裝置。 此外，本發明之另一目的在提供一種可消弭自信號線 竹生之光反射之液晶顯不裝置。 本發明尚有之另一目的在於提供一種液晶顯示裝置， 其在液晶顯示裝置係建構為部分反射型（具背光）時，可 避免來自背光之光外漏。 發明概述 茲將說明書中揭示之發明典型示例概述於後。 亦即例如依本發明之液晶顯示裝置包含：在一絕緣基 板上形成之複數條閘極信號線；在絕緣基板上形成之複數 條没極k號線’其形成方式使得沒極信號線與閘極信號線 相交；與閘極信號線及汲極信號線相連之薄膜電晶體以及 與薄膜電晶體相連之反射電極，該薄膜電晶體及反射電極 係形成於為各信號線環繞之像素區上；以及連續薄片體， 各連續薄片體係由至少一光遮蔽膜及一半導體層所組成， 各連續薄片體係形成於反射電極與其它相鄰像素區之反射 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 電極間’其形成方式使得連續薄片體疊合於反射電極側 邊。 在具此一結構之液晶顯示裝置中，光遮蔽膜係形成於 各像素區之反射電極間，因此無須提供功能與光遮蔽膜對 其它絕緣基板之功能類似之黑矩陣。 意即可在無需考量絕緣基板與其它絕緣基板間之疊合 容忍度的情況下，窄化光遮蔽膜寬度，藉此增強數值孔 -4- 本紙張尺度適用中關家標準(CNS)A4規格（21〇 X 297公爱) " 一 A7

五、發明說明（3) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 583450 徑。 此外’半導體層係形成於光遮蔽膜上而覆蓋之，因此 可大幅降低在光遮蔽膜上之外來光線反射。 附圖之簡單說明 圖1係依本發明之一液晶顯示裝置之像素實施例平面 Γ5Π · 圃， 圖2係依本發明之該液晶顯示裝置實施例之整體等效電 路圖； 圖3係沿圖1線m-πι之橫剖圖； 圖4係沿圖1線IV-IV之橫剖圖； 圖5係依本發明之該液晶顯示裝置之彩色濾波器配置細 部平面圖； 圖6A至圖6D係依本發明之一液晶顯示裝置之製造方法 實施例步驟圖； 圖7係依本發明之另一液晶顯示裝置之像素實施例平面 圖； 圖8係沿圖7線VIII-VIII之橫剖圖； 圖9係依本發明之另一液晶顯示裝置之像素實施例平面 圖； 圖10係沿圖9線X-X之橫剖圖；以及 圖11係依本發明之液晶顯示裝置之另一實施例橫 圖。 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格（21〇 X 297公楚）

583450 Α7 一 Β7 五、發明說明（4) 較佳實施例之詳細說明 依本發明之液晶顯示裝置實施例係併同隨附之圖式詳 示於後。 實施例1 «等效電路》 圖2係依本發明之一液晶顯示裝置實施例之整體等效 電路圖。雖然此圖式係一電路圖，所繪電路係與實際幾何 配置相符。 在此圖式中，配置一透明基板SUB1與其它透明基板 SUB2相對，俾將液晶夾於透明基板suBl、SUB2間。 在一透明基板SUB1之液晶侧表面上，形成延伸於X 轴方向並與y轴方向平行配置之閘極信號線GL，以及與 閘極信號線絕緣，延伸於y軸方向並與X轴方向平行配置 之汲極信號線DL。為各信號線GL、DL所環繞之矩形區 域構成像素區，大量的此類像素區即構成顯示部分AR。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 在各像素區中，形成一薄膜電晶體TFT及一像素電極 PX，其中薄膜電晶體TFT為來自一側閘極信號線gl之掃 描信號（電壓）所驅動，而自一侧汲極信號線DL經薄膜 電晶體TFT供應之影像信號（電壓）則係供至像素電極。 再者，在像素電極PX與和一閘極信號線（^^相鄰之另 一閘極信號線GL間形成一電容性構件Cadd。由於電容性 構件Cadd之存在，當薄膜電晶體TFT關閉時，供至像素 電極PX之影像信號即可長時間儲存。 在各像素區中之像素電極PX經配置產生像素電極ρχ •6·

五、發明說明〇) 與一相對電極CT (未示於圖中）間之電場，其中所形成 之相對電極CT係與一基板SUB1相對之另一透明基板 SUB2之液晶側表面上之各像素區共用，俾將液晶夾於其 間。由於此結構，得以控制各電極間液晶之光穿透率。 一各閘極信號線GL之一端均延伸至透明基板SUB1的 （圖式中左側）。在閘極信號線GL之延伸部形成一 端崢GTM ,其連結至半導體積體電路GDRC之凸塊，該 電路係由固接於透明基板SUB1上之縱向掃描電路所建 構。此外，各汲極信號線DL之一端亦延伸至透明基板 SUB1的—側（圖式中上方）。在汲極信號線〇乙之延伸部 形成一端部DTM,其連結至半導體積體電路DDRC之凸 塊，該電路係由固接於透明基板SUB1上之影像信號驅動 電路所建構。 各半導體積體電路GDRC、DDRC本身係完全固接於 透明基板SUB1上，因而形成所謂的c〇G (玻璃上晶片） 系統。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 在各半導體積體電路GDRC、DDRC輸入側之各凸塊 分別連結至在透明基板SUB1上形成之端部GTM2、 DTM2。各端部GTM2、DTM2均經各接線層連結至端部 GTM3、DTM3，其係分別配置於最接近透明基板sum週 邊端面處。 透明基板SUB2係配置與透明基板SUB1相對，以避 開半導體積體電路GDRC、DDRC固接區。透明基板 SUB2面積小於透明基板SUB卜 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 583450 A7 B7 五、發明說明（6) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 透明基板SUB2經由在透明基板SUB2週邊形成之密 封體SL固定於透明基板SUB1上。密封體SL亦具密封液 晶於透明基板SUB1、SUB2間之功能。 在上述闡釋中，已解釋採用COG系統之液晶顯示敦 置。但本發明亦適用於採用TCP系統之液晶顯示裝置。 此處之TCP系統中，半導體積體電路係形成於帶載體系 統中，該半導體積體電路之輸出端連結至在透明基板 SUB1上形成之端部，該半導體積體電路之輸入端則係連 結至與透明基板SUB1相鄰配置之印刷電路板上之端部。 «像素之建構》 圖1係在透明基板SUB1上之像素區構造平面圖，其 亦係與圖2虛線框A所標部分相對應。 此外，圖3係沿圖1線III-III之橫剖圖；圖4係沿圖1線 IV-IV之橫剖圖。 在圖1中，首先在透明基板SUB1之面向液晶之表面上 形成沿圖式中X轴方向延伸，並沿y軸方向平行配置之閘極 信號線GL。 以鋁製之閘極信號線GL為例，其具經陽極氧化表面。 接下來在此實施例中，在形成閘極信號線GL的同時， 在像素區中形成AL製之光遮蔽膜SHL。 所形成之光遮蔽膜SHL具一與像素區有關之反轉”l”型 圖樣，其中各光遮蔽膜SHL配置與下方閘極信號線gl以及 汲極信號線DL中之右側汲極信號線DL相鄰，稱後即將闡 釋之。光遮蔽膜SHL表面亦經與閘極信號線GL相同之陽極 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 裝 計

線 I I I 583450 Α7 _____ Β7 五、發(7) ~"" - 氧化處理。 接著，在形成薄膜電晶體TFT之區域上、在形成稍後 即將闡釋之汲極信號線DL之區域上、以及在光遮蔽膜 SHL上表面上，形成由絕緣膜GI及半導體層As所建構 之連續薄片體，該絕緣膜GI由氮化矽膜（SiN)形成，該 半導體層AS由無晶系矽（a-Si)構成。 在薄膜電晶體TFT形成區域中，以部分閘極信號線 GL做為閘極電極，以絕緣膜gi做為閘極絕緣膜，並以半 導體層AS做為通道形成部。再者，在半導體層AS上表 面形成一没極電極SD1與一源極電極SD2。以此方式即可 形成具反轉交錯結構，由MIS型電晶體構成之薄膜電晶體 TFT ° 此處之汲極電極SD1與源極電極SD2係在形成稍後即 將闡釋之汲極信號線DL的同時形成。 配置於稍後即將闡釋之汲極信號線之區上之由絕緣膜 GI以及半導體層AS構成之連續薄片鱧，具有與閘極信號 線GL相接之層間絕緣膜功能。再者，連續薄片體之配置 使得並無沿没極信號線DL之進行方向上形成之陡峭梯 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 級。 配置於光遮蔽膜SHL上之由絕緣膜GI以及半導體層 AS構成之連續薄片體，至少具有利用半導體層AS而減弱 因光遮蔽膜SHL而起之外來光線反射光影響之功能。此 功能將於稍後述之。 接著形成延伸於y軸方向並沿χ軸方向平行配置之汲 •9· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公楚） 583450 A7

極信號線DL。在此之沒極信號、線DL係形成於由絕緣膜 GI及半導體層AS構成之連續薄片體上。 此外’沒極^號線DL之一部分在薄膜電晶體形 成之區中延伸至並形成於半導體層AS ±表面。此沒極信 號線DL之延伸部即構成薄膜電晶體TFT之汲極電極 SD卜 此外，於此同時，形成與上述沒極電極sm分開之源 極電極SD2，其間距與薄膜電晶體TFT之通道長度相對 應。源極電極SD2聯結至紐即將_之像素電極ρχ。 為確保此-與像素電極Ρχ之連結部，電極SD2採用一種 圖樣’其巾電極SD2具-朝像素區中央側些微延伸之延伸 部。 於此，在汲極電極SD1、源極SD2與半導體層As間 介面分別形成以雜質摻雜之半導體層。該等半導體層係充 作接點層之用。 在形成半導體層AS後，在半導體層AS表面上形成具 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 摻雜之雜質並具薄膜厚度之半導體層。接著在形成汲極電 極SD1與源極電極SD2後，以各電極為罩，蝕刻摻雜有 雜質之半導體層之暴露部，而具上述結構。 接著在汲極信號線DL (汲極電極SD1、源極電極 SD2)所由形成之透明基板suBl上，形成例如由SiN製 成之保護膜PSV1，使得保護膜pSVi亦覆蓋於汲極信號 線DL及類似線路。 保護膜PSV1係用以避免薄膜電晶體TFT直接與液晶 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 x 297公爱） 583450 Α7

接觸。在保護膜PSV1中形成接點孔CH，其露出薄膜電 日日體TFT之源極電極SD2延伸部之一部分。 再者，在保護膜PSV1上表面上形成像素電極ρχ，其 係由例如鉻（Cr)與鋁（Α1)形成之連續薄片體建構而 成，使得像素電極ρχ覆蓋於像素區。像素電極ρχ係充 做反射電極之用。亦即當外來光線自稍後即將闡釋之透明 基板SUB2通過光穿透較控之液晶Lc肖，外來光線為 像素電極ρχ所反射並再射至透明基板SUB2側（觀察者 側）。 像素電極PX係藉由避開薄膜電晶體TFT形成處形成 之。再者，像素電極ρχ之形成使得像素電極ρχ延伸於 例如配置於圖式左側及上方之各像素區部之部分。 換a之，形成於像素區與左側像素區間之汲極信號線 DL以及形成於像素區與上方像素區間之閘極信號線gL 均由上述之像素電極ρχ所覆蓋。意即此處所述像素區之 下方閘極“號線GL及右側汲極信號線DL係分別由下方 像素區與右側像素區之像素電極PX所覆蓋。 由於此一結構，閘極信號線及汲極信號線D]L均 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經覆以建構像素電極PX之不透光金制，使能避免外來 光線為各信號線所反射。 至於像素區中之像素電極pX，像素電極ρχ之下方及 右側位於像素區中，並位於光遮蔽膜SHL上。再者，像 素電極PX與其它相鄰像素區之像素電極ρχ鄰近，其間 在光遮蔽膜SHL上具一間隙。 __ -11- ^張尺度適时關家標準(CNS)A4 ϋ21() χ 297公楚)_ 583450 A7

五、發明說明（10) 此處所述之像素電極PX亦配置以覆蓋在保護膜PSV1 中形成之接點孔CH，使得像素電極ρχ連結至薄膜電晶 體TFT之源極電極SD2。 再者，在像素電極ρχ所由形成之透明基板SUB2表 面上，形成例如以氮化矽膜（SiN)構成之保護膜psv2， 使得保護膜（SiN)亦覆蓋於像素電極Ρχ。保護膜psv2 係用以避免像素電極ρχ直接與液晶接觸，並可避免因金 屬層導致之液晶特性退化。 接著，在保護膜PSV2之上表面上形成定向膜0RI1。 定向膜0RI1係由例如樹脂製成，且在定向膜〇RI1表面 施加固定方向之摩擦處理。定向膜ORH與液晶LC相接 觸’使得液晶LC之初始定向方向為定向膜〇Rii所決 定。 另方面，在透明基板SUB2之面向液晶之表面上，在 包含薄膜電晶體TFT形成區域之週邊形成黑矩陣bm (見 圖1 ) 〇 黑矩陣BM僅具避免外來光射至薄膜電晶體TFT之功 能，因此黑矩陣BM係如島狀圖樣。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 原本的黑矩陣BM常亦形成於閘極信號線GL與汲極 信號線DL上，俾增強顯示之對比。但在此實施例卞，像 素電極PX部亦具此功能，使得黑矩陣BM採用上述之島 狀圖樣。 彩色率波器FIL係形成於透明基板SUB2上，使得彩 色濾波器FIL亦覆蓋於黑矩陣BM。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇χ297公釐） 583450 A7 _ B7 五、發明說明（U) 彩色濾波器F1L之配置使得例如在沿y轴方向平行配 置之各像素區上採用相同色彩之共用濾波器，而對沿X方 向之各像素區而言，係配置例如紅（R )、綠（G)及藍 (B)之濾波器，且依序重複配置。 在此狀況下，各彩色濾波器FIL與其它相鄰之彩色濾 波器HL相接觸但互不重疊，而其接觸部分近乎與光遮蔽 膜SHL之中央軸對齊，其中光遮蔽膜SHL係與在透明基 板SUB1側上形成之光遮蔽膜SHL中的汲極信號線DL平 行。圖5顯示透明基板SUBi與彩色濾波器所由形成之透 明基板SUB2間之位置關係。彩色濾波器FIL與其它相鄰 彩色濾波器FIL間之邊界部係位於光遮蔽膜SHL上。 在透明基板SUB2表面上，以上述方式形成黑矩陣 BM與彩色濾波器nL後，以塗佈方式形成以樹脂製成之 平坦膜0C，使得平坦膜〇C亦覆蓋於彩色濾波器FIL。平 坦膜0C係形成，使得由黑矩陣BM所產生之步階部在其 表面並不明顯。 接著在平坦膜〇c表面上形成為各像素區所共用之例 如由ΙΤΟ製之相對電極CT。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 相對電極CT在相對電極CT與各像素區内之像素電極 ΡΧ間產生與影像信號（電壓）相對應之電場，並控制各 電極間液晶之光穿透率。 再者，在相對電極CT所由形成之透明基板SUB2表 面上，形成一定向膜0RI2，使得定向膜0RI2亦覆蓋於相 對電極CT。定向膜0RI2係由例如樹脂製得，且在定向膜 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' ' 583450

0RI2表面上施加固定方向之摩擦處理。定向膜〇Ri2與液 晶LC相接觸，使得液晶LC之初始定向方向為定向膜 0RI2所決定。 ' 在具此一結構之液晶顯示裝置中，各像素區之像素電 極PX在像素電極PX與其它相鄰像素電極PX間所界定之 區域構成光遮蔽膜SHL，因此無需功能（對比強化）與光 遮蔽膜SHL對其它透明基板SUB2側之功能類似之黑矩 陣。 思即可窄化光遮蔽膜SHL寬度，無需考量一透明基板 SUB1與其它透明基板SUB2間之重疊容許度，使得具改 善數值孔徑之液晶顯示裝置得以實現。 再者，由於半道體層AS係位於光遮蔽膜SHL上之薄 片，在光遮蔽膜SHL上之外來光線反射可為半導體層AS 大幅降低。 a-Si製之半導體層AS顯示暗紅棕色，且在光遮蔽膜 SHL上反射之光在通過半導體層AS後成為以紅色為底之 顏色。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而後形成由不透光金屬構成之像素電極ρχ，使得像素 電極PX延伸於相鄰像素區，越過圖式中像素區上方處形 成之閘極信號線GL，並越過圖式争在像素區左側巧成之 沒極信號線DL，而各信號線為各像素電極ρΧ所覆蓋。 據上述，可避免在閘極信號線GL與汲極信號線DL 上之外來光線反射。 在閘極信號線GL與覆蓋此閘極信號線gl之像素電 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐） 583450 A7 B7 五、發明說明（η) 極ΡΧ間形成以保護膜psvi為介電膜之電容性構件 Cadd。在此一結構中，因像素電極ρχ之形成使得像素電 極PX在寬度方向上覆蓋所有閘極信號線，可使重疊區 增加，進而得到電容性構件Cadd之電容值增加之優點。 «製造方法》 配合圖6A至圖6D闡釋上述液晶顯示裝置之製造方法 之一實施例。圖6A至圖6D顯示沿圖1線ιν-IV之橫剖 圖。 步驟1 (圖6A) 在透明基板SUB1上，以濺鍍方法堆疊A1 ,直到形成 A1製之餘阻膜厚度為3〇〇nm。在完成光製版 (photolithography)步驟後，利用磷酸、氫氣酸及破酸混合 液餘刻剝除蝕阻膜。同時形成光遮蔽膜SHL。 亦即在形成閘極信號線GL的同時，形成光遮蔽膜 SHL ’故而無需增加形成光遮蔽膜SHL之步驟數目。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖樣化之A1表面經於酒石酸中氧化形成厚度180ηιη 之氧化膜。形成氧化膜係屬必要，其原因如次。亦即A1 易於產生丘狀凸塊，故在後續步驟中，在夾於汲極信號線 DL與A1間之層間絕緣膜上形成汲極信號線dl時，將因 内層絕緣膜之穿透而短路。氧化膜可避免此現象發生。 步驟2 (圖6B) 在透明基板SUB1上，利用CVD法堆疊SiN製之絕緣 膜，直到其厚度為240nm，構成絕緣膜GI。接著堆疊非晶 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇χ297公釐） 583450 A7

形Si ’直到非晶形Si厚度為2〇〇nm。而後堆疊摻雜有磷 (P)之n+非晶形Si，直到n+非晶形si厚度為35nm，構 成半導體層AS。 在完成光製版步驟後，利用六氟磺酸氣同時對由上述 之絕緣膜GI及半導體層AS構成之薄片體實施乾蝕刻。 在此例中，形成半導體層AS以構成上層之非晶形別 之餘刻速度較形成絕緣膜GI以構成下層之氮化發之钱刻 速度快。據上述，半導體層AS及絕緣膜以大致上係以相 同圖樣形成，其中絕緣膜GI端部具有約4。之正交錐度 (normal taper)，半導體層AS端部則具有7〇。之正交錐度。 歸因於此一結構，由絕緣膜GI與半導體層As製之薄 片體可使其側壁表面平滑，並可避免側壁表面上存有陡峭 步階部，故可避免因陡峭步階部之存在而發生與步階部處 之接線層不連續現象。 步驟3 (圖6C) 在透明基板SUB1上，利用濺鍍法堆疊厚度3〇nm之 Cr，而後堆疊厚度200nm之A1。 經濟部智慧財產局員X消费合作社印製 在完成光製版步驟後，利用磷酸、氫氣酸及硝酸混合 液蝕刻A1，接著利用硝酸鈽二氨溶液蝕刻Cr,形成汲極 信號線DL、汲極電極SD1及源極電極SD2。 接者利用六氟績酸氣施行乾飯刻，並在移除構成半導 體層AS上層之n+非晶形Si後，剝除钱阻膜。 在透明基板SUB1上’利用CVD法堆疊厚600nm之 氣化碎膜。在完成光製版步驟後，利用六氟磺酸氣施行乾 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 583450 A7 、發明說明（15) 餘刻圖樣化。而後剝除餘阻膜，形成第一保護膜psvi及 其接點孔CH。 步驟4 (圖6D) 在透明基板SUB1上，利用濺鍍法堆疊厚度3〇nm之 Cr，而後堆疊厚度2〇〇nm之A卜 在完成光製版步驟後，利用磷酸、氫氣酸及硝酸混合 液#刻A1，接著利用硝酸鈽二氨溶液蝕刻Cr，形成像素 電極PX。 在透明基板SUB1上，利用CVD法堆疊厚300nm之 氮化矽膜。在完成光製版步驟後，利用六氟磺酸氣施行乾 钱刻圖樣化。而後剝除餘阻膜，形成第二保護膜pSV2。 實施例2 圖7係依本發明之液晶顯示裝置另一實施例平面圖。 圖7係與圖1相對應。再者，沿圖7線Vlll·VIII之橫剖圖 式如圖8。 此實施例之構造異於圖1所示構造處在於，在透明既 板SUB2側形成彩色濾波器FIL。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 界定於各彩色濾波器FIL及配置與各彩色濾波器FIL 相鄰之彩色濾波器FIL間之邊界部，係位於光遮蔽膜SHL 上方。再者，在光遮蔽膜SHL上方，以疊合方式在其它 彩色濾波器FIL上形成一彩色濾波器FIL。 在此例中下，至少一疊合之彩色濾波器FIL係由綠色 或藍色渡波器FIL所形成，亦即防止在疊合狀態中僅由紅 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 583450 Α7 Β7 五、發明說明（i6) 色滤波器FIL形成。 如前述，被半導體層AS覆蓋之光遮蔽膜SHL所反射 之外來光線，在通過半導體層AS後變成紅色，並照射於 前述之彩色濾波器FIL疊合部。在此例中，因構成堆疊部 上層之彩色濾波器FIL顏色為綠或藍色，此反射光即為其 吸收，故可降低反射光。 當構成上層（在液晶LC側之彩色濾波器）之彩色據 波器FIL係為紅色時，雖然反射之外來光線通過紅色彩色 渡波器’但在下層中存在有綠或藍色滤波器，故光線可為 綠或藍色渡波器所吸收。據上述，可以任何所欲順序叠合 彩色滤波器FIL之顏色。 根據上述可知，無需使配置於光遮蔽膜SHL上方之彩 色滤波器FIL形成與其它相鄰彩色濾波器FIL之疊合部， 僅配置綠或藍色彩色濾波器FIL即可獲得與實施例1效果 類似之優點。 實施例3 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圖9係依本發明之另一液晶顯示裝置之像素實施例平面 圖。圖9與圖7相對應。再者，圖10係沿圖9線χ_χ之橫剖圖 (僅為透明基板SUB1側）。 依此實施例之液晶顯示裝置採用部分穿透部分反射結 構。此液晶顯示裝置為於其背表面具有背光，背光之開關 與否係式顯示時間狀況而定。 此結構使得此實施例異於先前在圖7中所示實施例，首 • 18· 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X297公爱） A7

583450 A7 B7 五、發明說明（1! 成接點孔或類似者之步驟之優點。 實施例4 圖11係依本發明之液晶顯示裝置之另一實施例橫剖 圖，並與圖4、圖8及圖10相對應。 使此實施例之構造異於圖7先前實施例處在於絕緣膜 GI ’其係充作薄膜電晶體TFT之閘極絕緣膜之用。 亦即，在上述各實施例中，絕緣膜GI係與半導體層 AS —併形成於薄膜電晶體TFT形成處、汲極信號線DL 形成處，以及光遮蔽膜SHL形成處。但在此實施例中， 絕緣膜GI大致上係形成於透明基板SUB1之所有上表面 區域。 此一結構並無損於本發明之優點，故此實施例亦可獲 得與上述諸實施例類似優點。 如前之詳實闡釋，依本發明之液晶顯示裝置可消弭因 信號線導致之光反射現象。 再者’當液晶顯示裝置係建構為部分反射型裝置時 (包含背光之結構），可避免來自背光之光線外漏。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（21〇χ297公爱）

Claims (1)

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   A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 1 _ 一種液晶顯示裝置，其包含： 在一絕緣基板上形成之複數條閘極信號線； 在絕緣基板上形成之複數條汲極信號線，其形成 方式使得汲極信號線與閘極信號線相交； 與閘極信號線及汲極信號線相連之薄膜電晶體以 及與薄膜電晶體相連之反射電極，該薄膜電晶體及反 射電極係形成於為各信號線環繞之像素區上；以及 連續薄片體，各連續薄片體係由光遮蔽膜及半導 體層所組成，各連續薄片體係形成覆於反射電極與其 它相鄰像素區之反射電極間之區域，其形成方式使得 連續薄片體疊合於反射電極側邊。 2·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中反射電 極與其它相鄰像素區之反射電極間之區域係鄰近閘極 信號線形成區或鄰近汲極信號線形成區。 3·如申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置，其中光遮蔽 膜鄰近閘極信號線形成區或鄰近汲極信號線形成區。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中光遮蔽 膜係形成於閘極信號線所由形成層上，且半導體層係 形成於薄膜電晶體之半導體層所由形成層上。 5·如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中汲極信 號線之形成方式使得配置於反射電極下方之没極信號 線具充分寬度，並疊合於反射電極上。 6.如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中在反射 電極與其它相鄰像素區之反射電極間，置放由顏色相 -21 - 91023b 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） 583450 A8 B8 C8 _D8_ 六、申請專利範圍 異之彩色濾波器間界定之邊界部。 7. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中在反射 電極與其它相鄰像素區之反射電極間，形成一綠色濾 波器或一藍色渡波器。 8. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中在反射 電極與其它相鄰像素區之反射電極間，置放有顏色相 異之彩色濾波器之疊合部。 9. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置，其中在反射 電極與其它相鄰像素區之反射電極間，置放有顏色相 異之彩色濾波器之疊合部，且至少一彩色濾波器係綠 色濾波器或藍色濾波器。 10. 如申請專利範圍第6、7、8及9項中任一項之液晶顯示 裝置，其中彩色濾波器係形成於其它絕緣基板側上， 該其它絕緣基板側則係配置面向該絕緣基板，俾將液 晶夾於其間。 11. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之液晶顯示裝置， 其中光遮蔽膜及閘極信號線係同時形成，且半導體層 及薄膜電晶體之半導體層係同時形成。 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210x297公釐）