TW583330B - Vacuum deposition system - Google Patents
Vacuum deposition system Download PDFInfo
- Publication number
- TW583330B TW583330B TW091103368A TW91103368A TW583330B TW 583330 B TW583330 B TW 583330B TW 091103368 A TW091103368 A TW 091103368A TW 91103368 A TW91103368 A TW 91103368A TW 583330 B TW583330 B TW 583330B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- substrate
- light
- vacuum
- film
- Prior art date
Links
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 title abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 132
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 8
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 28
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 26
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 9
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 239000011553 magnetic fluid Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/547—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using optical methods
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/541—Heating or cooling of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
583330 A7 ____B7_______ 五、發明說明（1 ) 【發明領域】 本發明係有關真空成膜裝置。 【習知技術】 一般說來，真空成膜裝置，係於真空室內配置蒸發源 ，被蒸發源蒸發之膜原料析離成爲膜，在支持於真空室內 之基板表面上進行成膜。並且，配置前述蒸發源，支持基 板之真空室之內部空間藉真空泵等排氣裝置形成預定壓力 之真空環境氣氛，俾蒸發膜原料，於基板上形成膜。 又，形成膜之基板藉安裝於真空室之基板保持具支持 。並且，該基板保持具通過設於真空室之稱爲出入口之開 口，安裝於前述真空室，結果，前述基板爲基板保持具支 持於真空室內之空間中。 如此，於真空室固然設置蒸發器、基板保持具，惟， 此外進一步設置用來光學檢測形成於基板之膜厚之光監測 器（膜厚感測器）、用來調整膜厚之膜厚調整板（下稱修 正板）以及用來檢測成膜時之基板溫度之溫度感測器等， 於真空室內進行成膜之際所使用之種種輔助器具。 且，前述光監測器係自光監測器投射部向基板投射光 ，以光監測器受光部檢測通過基板之光或被基板反射之光 ，藉此，測定形成於基板之膜厚，檢測作爲目標之膜可否 成膜之裝置。 由於其若藉排氣裝置對前述真空室內部空間進行排氣 ，降低降力，即會於內部與外部之間發生壓力差，因此壓 力差而於真空室發生應變。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 583330 A7 ____B7___________ 五、發明說明（Y ) 並且由於在真空室發生應變情形下，安裝於真空室之 基板保持具、光監測器投射部與光監測器受光部之相對位 置關係會發生偏移，且光監測器之光軸會發生偏移，故無 法利用光監測器以高精度來進行膜測定。 同樣地，於真空室發生應變情形下，亦會發生蒸發源 、修正板、溫度感測器等相對於基板之相對位置關係偏移 。於蒸發源與基板間發生相對位置關係偏移時，被蒸發源 蒸發之膜原料之膜厚分布會變化。同樣地，於修正板與基 板之間發生相對位置關係偏移時，會在膜厚均一化方面發 生障礙。又，於溫度感測器與基板間發生相對位置關係偏 移時，無法測定重要成膜條件之一之基板溫度。 如此，因真空室應變而於種種輔助器具間發生之相對 位置偏移會在成膜之際發生種種障礙，有礙於高精度成膜 〇 因此，習知真空成膜裝置藉由於真空室中基板保持具 、光監測器投射部及光監測器受光部設置處以及其他輔助 器具安裝處。將室壁厚度作得特別厚，或者配設特別補強 構件等，作成不會發生應變之構造。 不過，真空室採用上述特別構造會導致真空室構造之 複雜化以及真空室之大型化，進一步導致成膜裝置之製造 成本增加。 【發明槪要】 因此，本發明目的在於提供一種不會出現利用光監測 之膜測定精度降低等、因真空室發生應變而造成成膜障礙 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
583330 A7 ____Β7_______ 五、發明說明（”） ，復不會導致真空室之構造複雜化等之真空成膜裝置。 本發明係有鑑於上述情形而完成者，本發明真空成膜 裝置，具備：成膜用真空室，用來保持內部空間之真空環 境氣氛；及輔助器具，用於前述真空室內以輔助成膜；前 述輔助器具，係通過設於前述真空室之開口部，跨設於前 述真空室內外之間，固定於設在前述真空室外之靜止構造 體，並且，藉由連接構件來安裝於前述真空室，該連接構 件由可維持前述真空室內之真空環境氣氛之材質形成並具 有彈性。 藉由作成此種構造，就前述輔助器具而言，即使在真 空室發生應變情形下，該應變的前述輔助器具之絕對位置 (例如以靜止構造體爲基準之位置）造成影響之位移亦會 爲前述連接構件吸收，前述輔助器具之絕對位置不會位移 ，可高精度進行使用膜厚感測器、膜厚調整板、蒸發源、 溫度感測器等輔助器具之成膜。 又，本發明之前述連接構件係波紋構件，設成密封前 述輔助器具與前述開口部之間。 如此，藉由使用波紋構件作爲前述連接構件，可使供 連接輔助器具與真空室之構造變得簡便’復可確實維持真 空室內之真空環境氣氛。 又，本發明之前述輔助器具係基板保持具、用來檢測 膜厚之膜厚感測器、用來調整前述膜厚之膜厚調整板、用 來檢測成膜之基板溫度之溫度感測器中任一個或複數個。 如此，藉由就前述輔助器具以基板保持具、膜厚感測 ________ 紙張尺度適用中i國家標準（CNS)A4規格（210 xi公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 ------------線· 州330
五、發明說明（屮） 器、膜厚調整板（修正板）、蒸發源、溫度感測器中任一 數個|作爲對象，例如於使用光監測器作爲膜厚感測 器情形下’不會發生基板保持具、光監測器投射部與光監 測器受光部之相對位置關係之偏移，可進行高精度進行膜 厚測定°又’不會發生基板保持具與蒸發源之相對位置關 係之偏移’所形成膜之膜厚分布達到均一化。同樣地，不 會發生基板保持具與修正板之相對位置關係之偏移，可高 精度使膜厚均一化。更且，不發發生基板保持具與溫度感 測器之相對位置關係之偏移，可正確測定成膜條件之一之 基板溫度。總而言之，藉由使種種輔助器具之絕對位置不 會發生位移，可相較於習知者極高精度進行成膜。 又’本發明真空成膜裝置具備：真空室，其內部空間 形成真空環境氣氛；蒸發源，用來蒸發配置於真空室內之 膜原料；基板保持具，使在表面形成膜之基板以前述表面 面對真空室之中心的方式，通過真空室之開口，支持於真 空室內之空間中；光監測器投射部，固定於真空室外部之 靜止構造體，自真空室外部朝前述基板照射光線；以及光 監測器受光部，固定於真空室外部之靜止構造體，接受來 自前述基板之光；前述基板保持具固定於真空室外部之靜 止構造體，並且，透過緩衝機構而安裝於真空室，該緩衝 機構由具備彈性且以可保持內側之真空環境氣氛之材質形 成。 藉由作成此種構造，基板保持具固定，支持於真空室 外部之靜止構造體，並且，透過緩衝機構而安裝於真空室 __-- -------------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 *----- f I f i ,Jase απαβ *Ei EC ana 一 大紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱） 583330 A7 __________B7____________ 五、發明說明（< ) 。由於即使於真空室發生應變，此應變伴生之位移亦爲前 述緩衝機構吸收，故基板保持具之位置不會因前述應變伴 生之位移而造成位移。 復由於除了前述基板保持具，光監測器投射部及光監 測器受光部固定，支持於真空室外部之靜止構造體，故其 間之相對位置不會偏移，用來檢測基板上膜厚之光軸不會 發生偏移。藉此，可用光監測器高精度檢測形成於基板之 膜之膜厚。 又，本發明就前述真空成膜裝置，前述光監測器受光 部係一體組裝在包覆前述基板保持具之殻體內側，並且， 相對於被基板保持具支持之前述基板表面而配置在裡面側 ;前述光監測器投射部與光監測器受光部，係隔著真空室 之中心呈對向設置。 由於藉由作成此種構造，光監測器受光部一體裝入基 板保持具，於基板裡面側檢測自光監測器投射部(與該光監 測器受光部對向設置)射出之光，檢測形成於基板之膜之膜 厚，故可高精度檢測膜厚，並且可使設置光監測器於真空 室之構造變得簡便。 又，本發明就以上真空成膜裝置，使用波紋構件作爲 | 前述緩衝機構，將前述基板保持具與前述波紋構件之一端 | 側一起固定於前述真空室外部之靜止構造體’並且’安裝 前述波紋構件之另一端側於前述真空室之開口周緣。 藉由如此使用波紋構件作爲緩衝機構’可使用來安裝 基板保持具於真空室之構造變得簡便。 _______7______ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —tr----- 線- 583330 A7 _B7_______ 五、發明說明（G ) 【圖式之簡單說明】 圖1係本發明之真空成膜裝置之前視截面圖。 圖2係顯示圖1所示真空成膜裝置上部之部份放大圖 〇 圖3係顯示用來防止因在真空室發生變形而於蒸發源 發生位置偏移之其他構造之部份截面圖。 【符號說明】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1 真空室 la 、 lb 、 lc 開口 2 基板旋轉裝置 3 殼體 3a 安裝凸緣 4 基板支持體 5 基板安裝部 6 圓筒覆套 7 感測器支持體 8 感測器安裝部 9 圓筒部 10 基板 11 光監測器受光部 11a 受光頭 12 光監測器投射部 12a 投射頭 13 支柱 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 583330 A7 B7 五、發明說明（ 14 蒸發源 14a 坩堝 14b 旋轉軸 14c 波紋構件 14d 軸承構件 14e 凸緣 15 遮蔽板 16 室用支座 17 光監測器投射部用支座 18 基板旋轉裝置用支座 19 縱型支架 20 設置用支座 21 波紋構件 22 直接驅動馬達 23 磁性流體密封件 24 信號線 25 修正板 26 修正板支持軸 27 冷卻部 30 真空成膜裝置 C 中心軸 M 馬達 【較佳實施形態】 以下根據圖1及圖2,就本發明之實施形態加以說明 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 583330 A7 ---—__ B7 五、發明說明（J ) 圖1係顯示本發明實施形態之真空成膜裝置30之構成 圖’其爲成膜裝置30之前視圖。又，圖2係放大顯示圖1 示成膜裝置30上部之部份放大圖。 圖1、圖2所示成膜裝置30，就成膜方式而言，可藉 由所謂真空蒸鍍，在配置於真空室1內之基板10上成膜。 真空室1可藉未特別圖示內部空間之真空泵排氣，形成所 需真空環境氣氛。 於室1內部下方配置用來於室1內部空間蒸發膜之原 料物質之二蒸發源14、14。蒸發源14具備保持膜原料之 坩堝14a，以及用來照射電子束，對膜原料加熱之電子槍 〇 又，於此成膜裝置30設有用來包覆各蒸發源14、14 上方之遮蔽板15、15。驅動此遮蔽板15，使其以支柱13 爲旋轉中心公轉。於照射電子束，對膜原料加熱情形下， 穩定蒸發前述原料需要某一程度之時間。因此，在藉蒸發 源14對膜原料加熱’不過卻無膜附著於基板1〇情形下， 驅動遮蔽板15，使其包覆蒸發源14上方。另一方面，在 藉蒸發源14蒸發膜原料而有膜附著於基板10情形下，驅 動遮蔽板15，使其自蒸發源μ上退避。 基板10於真空室1內部上方藉下部具有基板保持具之 基板旋轉裝置2支持，該基板旋轉裝置2設置於真空室1 之基板旋轉裝置用開口（出入口）la。該基板旋轉裝置2 具備殼體3、基板支持體4以及感測器支持體7。殻體3 適用中國國家標準（CNS)A4規^mo X 29^公f ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
583330 A7 ___B7__________ 五、發明說明（1 ) 包覆基板旋轉裝置2之外側，形成繞中心軸C旋轉對稱。 基板支持片4具備基板安裝部5，以及以下端支持該 基板安裝部5之圓筒覆套6。基板安裝部5形成繞中心軸C 旋轉對稱，藉同樣形成繞中心軸C旋轉對稱之中空圓筒覆 套6之下端支持，使彼此之中心軸C 一致。由於該圓筒覆 套6通過真空室1之開口 la，跨設於前述真空室1之內外 之間。又，基板10固然安裝於基板安裝部5之下部，惟基 板10安裝成，形成膜之表面朝向室1之中心（亦即下方） 〇 並且，圓筒覆套6配置成其外周摩擦接觸直接驅動馬 達22之驅動部，藉直接驅動馬達22，繞中心軸C，將其與 基板安裝部5 —起旋轉驅動。藉此，可一面旋轉基板10， 一面成膜。 由於藉以上說明之基板安裝部5和圓筒覆套6支持基 板10，故可一面安裝基板旋轉裝置2於真空室1外部，一 面使基板10通過開口 la，支持於真空室1內之空間中。 於圓筒覆套6與殼體3之間，沿圓筒覆套6之縱長方 向配設複數個磁性流體密封件23,俾可保持內側之真空狀 態。 j 感測器支持體7具備感測器安裝部8，以及下端安裝 該感測器安裝部8之圓筒部9。又，該圓筒部9配設於圓 筒覆套6之內側，感測器安裝部8配設於基板安裝部5之 內側。前述圓筒部9形成繞中心軸C旋轉對稱，復且中空 。並且，藉自圓筒部9之上端，與前述圓筒部9 一體橫向 -— ___11 _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 * ϋ 131 I SI Gsi n *、I i n n B— Β3ί ϋΗ 96 s 線」 583330 A7 __B7__________ 五、發明說明（/〇) 延設之部份構成殻體3上部之一部份。 又，於感測器安裝部8之下端安裝光監測器受光部11 ，使其受光頭11a向下。結果，光監測器受光部Η自真空 室1之中心看來，設成位在面對基板10之上側，面對基板 10裡面側安裝受光頭11a。 自後文說明之光監測器投射部12投射光線於此光監測 器受光部11，形成接收透過基板10之光所產生之光信號 〇 此光監測器受光器11所檢出之光信號包含有關成膜於 基板10上之膜厚之資料，藉該光信號，可檢測形成於基板 10上之膜厚。 且，光監測器受光部11所檢出之光信號作爲電氣信號 ，通過圓筒部9內側之信號配線24，導引至外部，輸入未 特別圖示之成膜裝置30之控制裝置。並且，藉此控制裝置 ，可檢測利用成膜裝置30成膜之膜厚。 且，前述感測器支持體7固定於基板旋轉裝置2之殻 體3，組裝成構造上與旋轉感測器7外側之基板支持體4 不同之形體。 光監測器投射部12自投射頭12a射出可藉光監測器受 光部11檢測之波長之光。於此成膜裝置30之例子中，光 監測器投射部12設置於真空室1外部’此投射頭12a隔真 空室之中心，對向光監測器受光部11之受光頭11a設置。 亦即，於此成膜裝置30中，光監測器投射部12設置 成，自相對於真空管1之中心設置基板旋轉裝置2之開口 _____ 12______ 本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----1----線丨· i n iB 1 n ϋ _ 583330 A7 _______Β7__________ 五、發明說明（、工） 態，安裝一開口部於室1內之頂部。該冷卻器27吸收自前 述加熱器放射之熱，減低磁性流體密封件23受到加熱，藉 此，防止損及該磁性流體密封件23於室1內之氣密性。 如上述，本實施形態之成膜裝置30作成將光監測器受 光部11 一體裝入基板旋轉裝置2內之構造，採用藉配設於 面對基板10之裡面側之光監測器受光部11檢測膜厚之配 置。藉此，高精度進行膜厚之檢測，並且，可使供安裝光 監測器受光部11於真空室1之構造很簡便。 又，此成膜裝置30藉真空室1外部之靜止構造體之設 置用支座20支持。該支用支座20具有室用支座16、光監 測器投射部用支座17、基板旋轉裝置用支座18以及縱型 支架19，作爲這些部件組裝而成之構造。並且，此設置用 支座20固定、支持於設置成膜裝置30之實驗室之地板等 上。 室用支座16沿真空室1下端水平配設，自下側支持真 室室1。又，光監測器投射部用支座17水平配設於面對室 用支座16之下側，自下側支持光監測器投射部12。又， 基板旋轉裝置用支座18水平配設於面對真空座1之上側， 自下側支持基板旋轉裝置2。又，縱型支架19沿垂直方向 配設於前述基板旋轉裝置用支座18、室用支座16與光監 測器投射部用支座17之間，與前述支座16、17、18連結 ° 且’具有上述室用支座16、光監測器投射部用支座17 、基板旋轉裝置用支座18和縱型支架19所構成之設置用 _____14_ 本紙張尺度適闬中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------線」 583330 A7 _____B7_ 五、發明說明（θ) 支座20作成可支持具有相當重量之上述真空室丨或基板旋 轉裝置2等之堅固構造。 並且，基板旋轉裝置2透過作爲緩衝機構（連接構件 )之波紋構件21安裝於基板旋轉裝置用支座18及真空室 1。更詳細言之，基板旋轉裝置2如以下安裝。 亦即，基板旋轉裝置2之安裝凸緣3a安裝於波紋構件 21之縱長方向之一端側，並且安裝於基板旋轉裝置用支座 18上。藉此，基板旋轉裝置2固定，支持於基板旋轉裝置 用支座18上。 又，波紋構件21之縱長方向之另一端側安裝於真空室 1之開口 la周緣。如此，基板旋轉裝置2透過波紋構件21 安裝於真空室1。 上述波紋構件21係金屬材料製，側面成形成蛇腹狀之 筒狀，具有彈力特性之構造構件。並且，波紋構件21之一 開口端與另一開口端可軸向伸縮，並且，亦可相對於一開 口端，使另一開口端沿與軸正交之方向挪動而變形。 並且，波紋構件21以具有耐得住真空室1內部與外部 間之壓力差之強度之材質形成，可保持室1內部之真空狀 態。 根據此種成膜裝置30,由於一體裝入光監測器受光部 11之基板旋轉裝置2以及光監測器投射部12安裝於靜止 構造體之設置用支座20上，故於光監測器12、光監測器 受光部11與基板10之間不會發生相對位置偏移。 並且，即使因真空室1內部藉真空泵等排氣，形成低 ^_ _ _15___ 度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 ϋ i_l si Is 1 n n 一-^· 81 fli i>i n n * 583330 A7 ____B7 _ ____ 五、發明說明（、Λ) 壓，而於真空室1發生機械性應變，亦可由波紋構件21吸 收其伴生之位移，基板旋轉裝置2不會因前述室1應變而 受到位移等影響。 又，由於在本實施形態之成膜裝置30中，如前述，加 熱器、電源線及作爲溫度感測器之熱電偶配設於基板旋轉 裝置2之內部，故如同光監測器受光部11，這些輔助器具 與基板10之間不會發生相對位置偏移。 以上說明固然以具有基板保持具之基板旋轉裝置2 & 及光監測器投射部12爲對象，就防止因真空室1應變而 發生位置偏移之情形加以說明，惟亦可以其他輔助器具{乍 爲對象。 例如，圖3係顯示本發明另一實施形態之部份剖視圖 ，其顯示用來防止因真空室1應變而於蒸發源14發生f立 置偏移之構造。如圖所示，蒸發源14透過波紋構件14c安 裝於真空室1及室用支座16。 茲進一步詳述，蒸發源14由用來載置膜原料之；t甘堝 14a以及以上部支持該坩堝14a並且將馬達Μ所產生旋轉 驅動力傳輸至前述坩堝14a之旋轉軸14b構成。又，下端 與圓盤狀凸緣14e接合，形成圓筒狀之軸承構件I4d垂直 於此軸設在室用支座16上，該軸承構件14d之上端通過真 空室1所具有開口 1c，位於真空室1內。 前述凸緣14e具有與前述軸承構件14之內徑相同徑長 之孔。前述旋轉軸14b插通前述軸承構件14d及凸緣14e， 設成貫通室用支座16之狀態，馬達Μ連接於其下端。 ___________16____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
583330 A7 __ __B7________ 五、發明說明（、s ) 又，波紋構件14c之一開口側與前述凸緣14e 一起安 裝於室用支座16，另一開口側安裝於真空室1之前述開口 周緣。 藉由作成此種構造，蒸發源14與波紋構件14c之一開 口側一起固定，安裝於室用支座16，即使在真空室1發生 應變情形下，影響蒸發源14之位移亦爲波紋構件14c吸收 。復由於真空室1與室設置用支座16之間以波紋構件14c 封住，故可維持真空室1內部之真空環境氣氛。 進而，藉由本使用波紋構件於修正板25 ’作成相同構 造，即使在真空室1發生應變情形下’亦可獲得吸收造成 基板10與修正板25間之相對位置偏移之位移之效果。又 ，在加熱器、電源線及熱電偶不與基板旋轉裝置2成爲一 體，另外自真空室1所具有開口設於內部情形下，可藉由 使用波紋構件，作成相同構造，獲得相同效果。 亦即，用在真空成膜裝置30之輔助器具中，通過真空 室1所具有開口，設於內部之所有輔助器具藉由使用波紋 構件，作成與基板旋轉裝置2或蒸發源14相同之構造，可 不受真空室1所發生應變之影響，實現高精度成膜。 且，於以上說明中固然就緩衝機構舉出藉波紋構件構 成之例子，惟除了波紋構件外，可由具有耐得住通過真空 室內之內部空間與大氣壓力下之外部空間之間之壓力差之 強度，並且具有彈性之構造構件構成。復由於是透過緩衝 機構設置基板旋轉裝置於真空室，故只要作成可將一開口 側和基板旋轉裝置一起固定於設置用支座、將另一開口側 ___1Z-__— 本紙張尺度適甩中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） !!!!1!# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 甘---)---- 583330 A7 ___B7 __ 五、發明說明（山） 安裝於真空室之開口之構造即可。 又，固然就以上說明之成膜裝置30舉出隔室1之中心 設置光監測器投射部12與光監測器受光部11，使其位於 相對向側之例子，惟，無需使光監測器投射部和光監測器 受光部相對於室1之中心位於相反側。 亦即，光監測器投射部與光監測器受光部只要固定且 支持於室1外部之靜止構造體即可，無需相對於室1之中 心位於相對向側。例如，將光監測器投射部和光監測器受 光部一起相對於基板設置於裡面側，於相對基板之裡面側 接受來自基板之反射光，檢測形成於基板表面之膜之膜厚 〇 且，不管將固定於室1外部之靜止構造體之光監測器 受光部及光監測器投射部配置於哪一位置，用來支持基板 之基板旋轉裝置均固定、支持於室1外部之靜止構造體， 並且，透過緩衝機構安裝於真空室。藉此，可安裝基板夾 持器於真空室，並且，可防止基板保持具及基板旋轉裝置 因真空室發生應變而位移等。 又，於以上說明中固然就成膜裝置30舉出藉由真空蒸 鍍成膜之真空蒸鍍裝置之例子，惟，即使是在成膜方式方 面採用其他方式之裝置，亦可實施本發明。 例如，即使是藉由離子沉積(ion plating)等成膜之裝置 ，亦可將用來支持基板之基板保持具固定，支持於真空室 外部之靜止構造體，並且，透過緩衝機構安裝於真空室， 將用來檢測形成於基板之膜之膜厚之光監測器投射器及光 ____18 —___________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
583330 A7 __B7___________ 五、發明說明（、Ί ) 監測器受光部固定，支持於靜止構造體。 如此，根據本發明，可提供一種不會因在真空室發生 應變而於成膜方面出現障礙，復不會造成真空室大型化及 其構造複雜化等之真空成膜裝置。 ______19 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
Claims (1)
- 058899 ABCD 583330 六、申請專利範圍 (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 光監測器受光部，固定於真空室外部之靜止構造體， 接受來自前述基板之光； 前述基板保持具係固定於真空室外部之靜止構造體， 並且，透過緩衝機構而安裝於真空室，該緩衝機構由具備 彈性且以可保持內側之真空環境氣氛之材質形成。 5. 如申請專利範圍第4項之真空成膜裝置，其中前述 光監測器受光部係一體組裝在包覆前述基板保持具之殻體 內側，並且，相對於被基板保持具支持之前述基板表面而 配設在裡面側； 前述光監測器投射部與光監測器受光部，係隔著真空 室之中心呈對向設置。 6. 如申請專利範圍第4或5項之真空成膜裝置，其中 前述緩衝機構係波紋構件； 前述基板保持具與前述波紋構件之一端側一起固定於 前述真空室外部之靜止構造體，且，前述波紋構件之另一 端側安裝於前述真空室之開口周緣。 2 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001078281 | 2001-03-19 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW583330B true TW583330B (en) | 2004-04-11 |
Family
ID=18934918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW091103368A TW583330B (en) | 2001-03-19 | 2002-02-26 | Vacuum deposition system |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020129770A1 (zh) |
| JP (1) | JP4072889B2 (zh) |
| KR (1) | KR100831527B1 (zh) |
| CN (1) | CN1385554A (zh) |
| HK (1) | HK1050033A1 (zh) |
| TW (1) | TW583330B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI400345B (zh) * | 2008-04-09 | 2013-07-01 | Ulvac Inc | 蒸發源及成膜裝置 |
| TWI593817B (zh) * | 2012-12-18 | 2017-08-01 | Canon Tokki Corp | Coating device |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100622223B1 (ko) * | 2005-01-06 | 2006-09-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 잡음 제거기를 이용한 증착 시스템 및 그 제어방법 |
| KR100622224B1 (ko) * | 2005-01-06 | 2006-09-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 저대역 통과 필터를 이용한 증착 시스템 |
| US8135560B2 (en) | 2009-01-30 | 2012-03-13 | Applied Materials, Inc. | Sensor system for semiconductor manufacturing apparatus |
| JP5456711B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2014-04-02 | 住友重機械工業株式会社 | 成膜装置 |
| WO2012143840A1 (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Measurement device and method for vapour deposition applications |
| CN105084780B (zh) * | 2014-05-05 | 2017-11-24 | 福州新福兴玻璃有限公司 | 一种遮阳型双银低辐射镀膜玻璃及其制备方法 |
| JP6455480B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2019-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| CN109280898A (zh) * | 2017-07-23 | 2019-01-29 | 杰莱特（苏州）精密仪器有限公司 | 一种真空用工件高速旋转装置 |
| CN107764523A (zh) * | 2017-11-30 | 2018-03-06 | 盛禛真空技术丹阳有限公司 | 镜片镀膜视觉监控系统及其使用方法 |
| KR102304434B1 (ko) * | 2018-04-03 | 2021-09-17 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 진공 챔버 내에서의 캐리어 정렬을 위한 장치 및 진공 시스템, 및 캐리어를 정렬하는 방법 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4681773A (en) * | 1981-03-27 | 1987-07-21 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Apparatus for simultaneous molecular beam deposition on a plurality of substrates |
| DE3421538A1 (de) * | 1984-06-08 | 1985-12-12 | ATOMIKA Technische Physik GmbH, 8000 München | Vakuumaufdampfeinrichtung |
| JPS62159300A (ja) * | 1986-01-07 | 1987-07-15 | 株式会社日立製作所 | 回転センサからの電気的出力信号検出装置 |
| US6481369B1 (en) * | 1999-10-14 | 2002-11-19 | Hoya Corporation | Thin film forming method and apparatus |
-
2002
- 2002-02-22 JP JP2002046237A patent/JP4072889B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-26 TW TW091103368A patent/TW583330B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-03-15 US US10/099,502 patent/US20020129770A1/en not_active Abandoned
- 2002-03-15 KR KR1020020014047A patent/KR100831527B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-03-19 CN CN02107382A patent/CN1385554A/zh active Pending
-
2003
- 2003-03-26 HK HK03102187.6A patent/HK1050033A1/zh unknown
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI400345B (zh) * | 2008-04-09 | 2013-07-01 | Ulvac Inc | 蒸發源及成膜裝置 |
| TWI593817B (zh) * | 2012-12-18 | 2017-08-01 | Canon Tokki Corp | Coating device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020074398A (ko) | 2002-09-30 |
| JP2002348657A (ja) | 2002-12-04 |
| US20020129770A1 (en) | 2002-09-19 |
| CN1385554A (zh) | 2002-12-18 |
| KR100831527B1 (ko) | 2008-05-22 |
| JP4072889B2 (ja) | 2008-04-09 |
| HK1050033A1 (zh) | 2003-06-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW583330B (en) | Vacuum deposition system | |
| JP5747940B2 (ja) | レンズ鏡筒及び電子機器 | |
| WO2020248080A1 (en) | Fiber optic temperature sensor | |
| JP5043318B2 (ja) | 光学機器 | |
| US20200393307A1 (en) | Fiber Optic Temperature Sensor | |
| JP2007220910A (ja) | 真空用位置決め装置 | |
| JP2008203015A (ja) | 光軸偏向型レーザ干渉計 | |
| US12104932B2 (en) | Encoder and drive device | |
| JP2003322611A (ja) | 光学窓を備える測定室 | |
| US8749837B2 (en) | Image forming apparatus equipped with light scanning device | |
| JP6274732B2 (ja) | 面形状測定装置及び面形状測定方法 | |
| KR100400583B1 (ko) | 직선 혹은 원형 경로에서 움직이는 기계부품의 위치결정을위한 장치 | |
| JP4814841B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP3971617B2 (ja) | 真空処理装置用の被処理体温度検出装置、及び該被処理体温度検出装置を備える真空処理装置 | |
| JP6274733B2 (ja) | 面形状測定装置及び面形状測定方法 | |
| KR102402963B1 (ko) | 정전척의 척킹력 측정 장치 | |
| JP2588742Y2 (ja) | 傾斜角測定装置 | |
| JP4069514B2 (ja) | 分析装置 | |
| JP2009088401A (ja) | ウェハ位置検出装置と、これを有する半導体製造装置 | |
| JP2006284501A (ja) | トルク測定装置 | |
| JP2004311843A (ja) | 光学装置 | |
| JP5541722B2 (ja) | 測長装置、及び工作機械 | |
| KR101266165B1 (ko) | 가느다란 튜브의 레이저가공을 위한 위치보정장치 | |
| JP3613101B2 (ja) | 電子デバイスハンドラ及び電子デバイス検査装置 | |
| JP2001091362A (ja) | 表面温度測定方法および装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |