TW582185B - Organic EL apparatus and manufacturing method therefor, electrooptic apparatus, and electronic device - Google Patents

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(1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機EL裝置的製造方法及其裝置、光電 裝置、以及電子機器。 【先前技術】 以有機電激發光元件（以後，稱爲有機EL裝置）爲發 光元件的光電裝置（有機EL顯示裝置），由於可以高亮度 地自己發光、可以直流低電壓驅動、回應速度高、藉由固體 有機膜而發光等，顯示性能優異，而且，顯示裝置可以薄型 化、輕量化、低消耗電力化、大型化，所以被期待爲次世代 的顯示裝置。 第28圖爲顯示有機EL顯示裝置的重要部位之剖面模 型圖。 有機EL顯示裝置是由在基板900上依序積層電路元件 部901、晝素電極（陽極）902、含發光層之有機機能層903 、相向電極（陰極）904、以及密封部905等之構造所形成 。其中，由畫素電極902、機能層903以及相向電極904等 構成發光元件（有機EL裝置）。 在此顯示裝置中，藉由電路元件部901之驅動控制，被 夾在畫素電極902以及相向電極904之機能層903發光，該 光通過電路元件部901以及基板900而被射出，同時由機能 層903發出基板900之相反側的光被相向電極904反射，而 通過電路元件部901以及基板900而被射出。 在製造上述有機EL裝置之裝置及該方法中’於上述機 -5- (2) 能層之形成上，是使用在特定圖案的遮罩上將形成材料蒸鍍 爲期望的區域（畫素區域）之蒸鍍法，而且，在相向電極（ 陰極）的形成上，一般也是使用蒸鍍法。 因此，在習知的有機EL裝置的製造方法中，是在使基 板的處理對象面朝下之狀態以進行各處理。 有機EL裝置的形成材料，特別是機能層的形成材料， 伴隨著謀求發光之效率化、長壽命化、穩定性、或者耐久性 之提升的技術開發，有多樣化之傾向，適合於此之有機EL 裝置的製造方法及製造裝置的開發正被期待著。 【發明內容】 本發明是有鑑於上述情形而完成者，其目的在於提供： 材料的選擇自由度高、容易謀求有機EL裝置構造的最適當 化之有機EL裝置的製造方法及其裝置。 另外，本發明之目的在於提供··具備性能提升的有機 EL裝置的光電裝置。 另外，本發明之目的在於提供：顯示手段之性能提升的 電子機器。 本發明之有機EL裝置的製造方法，特徵爲具有：在形 成於基板上的電極上形成機能層的機能層形成工程；和藉由 蒸鍍形成夾著上述機能層與上述電極相向的相向電極之相向 電極形成工程，在上述機能層形成工程和上述相向電極形成 工程之間，具有反轉上述基板之基板反轉工程。 如依據上述有機EL裝置的製造方法，由於在機能層形 成工程和相向電極形成工程之間，具有反轉基板之基板反轉 -6 - (3) 工程，所以在機能層形成工程中，使基板之處理對上面朝上 ，在進行蒸鍍之相向電極形成工程中，使基板朝下以進行處 理。在機能層形成工程中，藉由使基板的處理對象面朝上配 置，黏度低之材料等當成機能層的形成材料，可以適用各種 材料。另外，在機能層形成之際，可以利用自己平坦化機能 (self-leveling機能）等之重力作用。 具體爲，在上述機能層形成工程中，可以在上述基板上 吐出含形成上述機能層之材料的液滴，以形成機能層。藉由 吐出液滴以形成機能層，作爲其之形成材料，便可以適用各 種材料。 另外，在上述有機EL裝置的製造方法中，也可以於形 成上述機能層後，由裝置搬運上述基板的同時，反轉上述基 板；也可以搬運上述基板至蒸鍍上述相向電極的位置的同時 ，反轉上述基板。 伴隨裝置間的基板搬運而反轉該基板，因而得以抑制伴 隨反轉動作之產出率的降低。 本發'明之有機EL裝置的製造裝置，特徵爲具備：在形 成於基板上的電極上形成機能層的機能層形成裝置；和反轉 形成有上述機能層之上述基板的基板反轉裝置；和藉由蒸鍍 以形成夾著上述機能層與上述電極相向之相向電極的相向電 極形成裝置。 如依據上述有機EL裝置的製造裝置，藉由具備上述基 板反轉裝置’在機能層形成裝置中，進行使基板的處理對象 面朝上的處理。藉由處理對象面被朝上配置，黏度低之材料 等當成機能層的形成材料，可以適用各種材料。另外，在機 -7- (4) 能層形成之際’可以利用自己平坦化機能（self_leveling機 能）等之重力作用。 具體爲’在上述有機EL裝置的製造裝置中，可以使上 述機能層形成裝置具備：在上述基板上吐出上述機能層的形 成材料之液滴的液滴吐出裝置。藉由此，可以在上述基板上 吐出上述機能層的形成材料之液滴，藉由此，能夠形成機能 層。 在機能層的形成上，藉由使用液滴吐出，作爲其形成材 料，可以適用各種材料。 即使在上述機能層形成裝置爲旋轉塗布裝置時，也同樣 作爲機能層的形成材料，可以適用黏度低的材料等各種材料 〇 另外，在上述有機EL裝置的製造裝置中，上述基板反 轉裝置最好是將上述基板搬出搬入於蒸鍍上述相向電極之空 間的裝置。 藉由基板反轉裝置爲搬出搬入基板的裝置，在相向電極 形成.裝置的前後工程之裝置中，進行使基板的處理對象面朝 上的處理。另外，可以伴隨搬出搬入動作而進行基板的反轉 ，得以抑制伴隨反轉動作之產出率的降低。 另外，在上述接枝共聚物的製造裝置中，藉由在上述機 能層形成裝置和上述相向電極形成裝置之間配置上述基板反 轉裝置，可以伴隨機能層形成裝置和相向電極形成裝置之間 的基板的搬運而進行基板的反轉，得以抑制伴隨反轉動作之 產出率的降低。 本發明之光電裝置其特徵爲具備：利用上述有機EL裝 -8- (5) 置的製造裝置而所製作的有機EL裝置。 如依據上述光電裝置，由於利用上述製造裝置而製造有 機EL裝置，所以有機EL裝置的構造被最適當化，得以謀 求其性能之提升。 本發明之電子機器其特徵爲：具備上述光電裝置以作爲 顯示手段。 如依據上述電子機器，能夠謀求顯示手段的性能提升。 而且，本發明之有機EL裝置的製造方法，其特徵爲具 備：藉由蒸鍍形成被形成在基板上的有機EL裝置之陰極的 陰極形成工程；和密封上述有機EL裝置的密封工程，在上 述陰極形成工程和上述密封工程之間，使上述基板反轉。 如依據上述有機EL裝置的製造方法，由於在上述陰極 形成工程和密封工程之間，使基板的上下反轉，所以在進行 蒸鍍之陰極形成工程中，進行使基板的處理對象面朝下、在 密封工程中，使基板朝上之處理。在密封工程中，藉由使基 板的處理對象面朝上配置，作爲密封材料，可以使用黏度低 的材料等各種材料。另外，在密封之際，可以利用自己平坦 化機能（self-leveling機能）等之重力作用。 具體爲，上述密封工程可以包含在上述陰極上塗布密封 材料之工程。在此情形下，利用重力作用，可以容易進行其 之塗布作業。 另外，在上述有機EL裝置的製造方法中，以在蒸鍍上 述陰極之位置，伴隨搬運上述基板以使上述基板反轉爲佳。 藉由在基板搬運於蒸鍍空間時，使基板反轉，得以抑制 伴隨反轉動作之產出率的降低。 -9- (6) (6)582185 本發明之有機EL裝置的製造裝置，其特徵爲具備··藉 由蒸鍍形成被形成在基板上之有機EL裝置的陰極的陰極形 成裝置；和使上述基板反轉的基板反轉裝置；和密封上述有 機EL裝置的密封裝置。 如依據上述有機EL裝置的製造裝置，藉由具備上述基 板反轉裝置，在密封裝置中，進行使基板朝上之處理。藉由 基板的處理對象面被配置爲朝向，作爲密封材料，可以適用 黏度低的材料等各種材料。在密封之際，可以利用自己zp坦 化機能（self-leveling機能）等之重力作用。 具體爲’在上述有機EL裝置的製造裝置中，上述密封 裝置可以具有在上述陰極上塗布密封材料之手段。在此情形 下，利用重力作用，可以容易進行其之塗布作業。 另外，在上述有機EL裝置的製造裝置中，上述基板反 轉裝置以由形成再將上述基板搬運於蒸鍍上述陰極之位置的 裝置而成爲佳。 藉由在搬運基板的裝置形成基板反轉裝置，可以伴隨基 板的搬運而反轉該基板，得以抑制伴隨反轉動作之產出率的 降低。 本發明之光電裝置，藉由具備利用上述有機EL裝置的 製造裝置而所製造的有機EL裝置，可以謀求有機EL裝置 構造的最適當化，可以提升性能。 本發明之電子機器，其特徵爲··具備上述光電裝置以作 爲顯示手段。 如依據上述電子機器，可以謀求顯示手段的性能提升。 如依據本發明之有機EL裝置的製造方法及其裝置，藉 -10- (7) (7)582185 由在機能層形成工程和相向電極形成工程之間，使基板的上 下反轉，作爲機能層之形成材料，可以適用各種材料。因此 ’材料的選擇自由度提高，能夠容易謀求有機El裝置構造 的最適當化。 另外’如依據本發明之有機EL裝置的製造方法及其裝 置’藉由在陰極形成工程和密封工程之間，使基板的上下反 轉’作爲密封材料，可以適用各種材料。因此，可以容易在 密封部附加各種機能，可以謀求有機裝置的性能提升。 如依據本發明之光電裝置，可以使有機EL裝置構造最 適當化，能夠謀求其性能提升。 另外’如依據本發明之電子機器，由於具備上述光電裝 置以作爲顯示手段，所以可以提升顯示手段的性能。 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。 第1圖係說明本發明之有機EL裝置的製造方法之槪念 用圖。 有機EL裝置係藉由在形成有TFT等電路元件的基板 3 00上，依序積層電極301 (陽極）、含發光層（有機EL層 )之機能層302、以及相向電極303 (陰極）等而製造成。 本發明者著眼於形成機能層302之材料有多樣化之傾向 ，乃藉由在形成機能層302之工程，和形成相向電極303之 工程之間，使基板300的上下反轉，在機能層302的形成工 程中，進行使基板300的處理對象面朝向之處理，在相向電 極303的形成工程中，進行使基板300朝下之處理。 -11 - (8) •即在本發明的製造方法中，藉由上述基板300的反轉， 在機能層302的形成工程中，進行使基板300處理對象面朝 上之處理，在相向電極303的形成工程中，進行使基板300 朝下之處理。在機能層302的形成工程中，藉由使基板300 的處理對象面朝上配置，作爲機能層302的形成材料，可以 適用黏度低的材料等各種材料。另外，在機能層302的形成 之際，可以利用自己平坦化機能（self-leveling機能）等之 重力作用。另外，在相向電極303的形成工程中，使用蒸鍍 法。 使基板300朝上以形成機能層302之方法，可以適用旋 轉塗布法和液滴吐出法（所謂之噴墨法）、分配塗布法等各 種塗布法。在這些方法中，藉由使材料分散於溶液中等，作 爲機能層的形成材料，可以適用各種材料。另外，在上述塗 布法中’液滴吐出法具有材料之使用無浪費，而且，可以在 所期望之位置確實配置所期望之量的材料之優點。另外，在 利用黏度低的材料以形成機能層302時，雖然以設置堤防 3 05以免鄰接之多數的機能層彼此之材料相混爲佳，但是本 發明並不限定於此。 液滴吐出技術（噴墨法）可舉：帶電控制方式、加壓振 動方式、電氣機械轉換式、電熱轉換方式、靜電吸引方式等 。帶電控制方式係以帶電電極對材料賦予電荷，以偏向電極 控制材料的飛翔方向，使其由噴嘴吐出之方式。另外，加壓 振動方式係對材料施加超高壓，使材料吐出於噴嘴前端側之 方式，在不施加控制電壓時，材料前進而由噴嘴被吐出，如 施加控制電壓，在材料間引起靜電互斥力，材料飛散而不由 -12- (9) 噴嘴被吐出。另外，電氣機械方式（壓電方式）係利用壓電元 件接受脈衝電氣信號而變形之性質，藉由壓電元件變形，藉 由可撓物質對儲存材料之空間給予壓力，由此空間將材料壓 出而由噴嘴被吐出之方式。另外，電熱轉換方式係藉由設置 在儲存材料之空間內的加熱器，使材料急遽汽化，以產生氣 泡（泡泡），藉由氣泡的壓力，以使空間內的材料吐出之方 式。靜電吸引方式係對儲存材料之空間內施加微小壓力，在 噴嘴形成材料的凹凸，在此狀態下，施加靜電引力後而拉出 材料之方式。另外，其他也可以適用利用藉由電場所致的流 體黏性的變化之方式，和以放電火花使之飛濺之方式等技術 〇 第2圖係說明藉由壓電方式之液體材料的吐出原理用之 圖。在第2圖中，鄰接收容液體材料之液體室3 20而設置壓 電元件321。介由包含收容液體材料之材料筒的液體材料供 給系統322以對液體室320供給液體材料。壓電元件321連 接在驅動電路3 23，介由此驅動電路323，對壓電元件321 施加電壓，使壓電元件321變形，液體室3 20變形，液體材 料由噴嘴324被吐出。在此情形，介由使施加電壓的値變化 ，壓電元件321之變形量受到控制。另外，藉由使施加電壓 的頻率變化，壓電元件321的變形速度受到控制。 藉由壓電方式之液滴吐出，由於不對材料施加熱，所以 具有不易對材料的組成造成影響之優點。 另外，在藉由第29圖所說明的方法中，有機EL裝置 係藉由在形成有TFT等之基板300上，依序積層電極301 ( 陽極）、含發光層（有機EL層）之機能層302、以及相向 -13- (10) 電極303 (陰極）等而所製造，藉由被配置在陰極303上之 密封部304而被密封。 本發明者著眼於對密封部304所要求的機能有增加之傾 向的事實，藉由在形成陰極303之工程和密封工程之間，使 基板300的上下反轉，在陰極303的形成工程中，進行使基 板3 00的處理對象面朝下之處理，在密封工程中，進行使基 板300朝上之處理。 即在本發明的製造方法中，藉由上述基板300的反轉， 在陰極303的形成工程中，進行使基板300朝下之處理，在 密封工程中，進行使基板300朝上之處理。在密封工程中， 藉由使基板300的處理對象面配置爲朝上，作爲密封部3 04 之材料，可以適用黏度低的材料等各種材料。另外，在密封 部304的材料配置之際，可以利用自己平坦化機能（seif_ leveling機能）等之重力作用。另外，在陰極303的形成工 程中，使用蒸鍍法。 作爲使基板300朝上以形成密封部304之方法，可以適 用旋轉塗布法和液滴吐出法（所謂的噴墨法）、分配塗布法 等之各種塗布法。在這些塗布法中，藉由將材料分散於溶液 等’作爲4材料’可以使用各種材料。另外，在上述塗布 法中，液滴吐出法具有材料之使用無浪費，而且，可以在所 期望之位置確實配置所期望之量的材料之優點。 第30圖、第31圖、以及第32圖係模型地顯示密封部 304的構造例。 在第30圖之例子中，於基板3〇〇之周緣配置密封樹脂 306，以密封樹脂306爲黏著材料，覆蓋陰極3〇3地配置由 -14- (11) 玻璃和金屬等形成之密封基板（密封罐）307。 在密封工程中，使形成有陰極303之基板300朝上地支 持在特定的面上，在該基板300之周緣部塗布密封樹脂306 。接著，在基板300上配置密封基板307，貼合基板300和 密封基板307。在此例中，由於支持基板300之面係被配置 在基板300之下，所以具有容易簡單構成密封用之裝置的優 點。 在第31圖之例子中，幾乎完全覆蓋陰極12地塗布密封 材料308，在該密封材料308之上配置密封基板（密封罐） 309。作爲密封材料308，例如可以使用由熱硬化性樹脂或 者紫外線硬化樹脂等形成之樹脂。最好使用在硬化時，不會 產生溶煤等之樹脂。此密封材料例如具有防止水或者氧氣侵 入陰極303，得以防止陰極氧化之機能。 在密封工程中，覆蓋被朝上配置的基板300之陰極303 全體地予以塗布密封材料308，另外在其上配置密封基板 3 09。此時，藉由重力作用之自己平坦化機能，密封材料 3 08的表面被平坦化。即如本例般地，即使在基板3〇〇上形 成堤防305之情形，藉由利用平坦化機能之密封材料308的 塗布，可以平坦化元件表面。另外，藉由平坦化膜表面，具 有可以抑制透過或者反射光的散亂之優點。 在第32圖之例子中，覆蓋陰極1 2全體地配置第1密封 材料310，在該第1密封材料310之上配置第2密封材料 3 11，在該第2密封材料3 11之上配置密封基板3 1 2。第1 密封材料3 1 0例如具有強化防止水和氧氣或者金屬的侵入之 密封作用的機能’和提升光的取出效率的光學機能（改善折 -15- (12) (12)582185 射率等）等的特定機能。 在密封工程中，覆蓋被朝上配置的基板300之陰極303 全體地塗布第1密封材料310，另外，在其上塗布第2密封 材料3 11，最後配置密封基板3 1 2。在第1密封材料3 1 0的 塗布中，例如，在陰極303上形成比較薄的膜，在第2密封 材料3 11的塗布中，形成比較厚的薄以掩埋由於堤防305所 致之凹凸。在密封工程中，藉由基板300被朝上配置，可以 進行對應由薄膜至厚膜等各種膜厚的塗布。因此，容易在在 抬封用之膜附加特定的機能。 第3圖係模型地顯示本發明之有機EL裝置的製造裝置 之實施形態例。以下，關於此製造裝置，以搬運系統爲主體 而做說明。關於詳細之處理工程，在之後加以敘述。 在第3圖中，本例之有機EL裝置的製造裝置20係具 備：機能層形成裝置21、相向電極（陰極）形成裝置22、 以及密封裝置23而構成。 機能層形成裝置21係具備：進行形成有機EL裝置之 機能層之際的前處理之電漿處理裝置25、形成機能層之一 部份的電洞植入/輸送層之電洞植入/輸送層形成裝置26、 以及形成同樣爲機能層之一部份的發光層之發光層形成裝置 27而構成。另外，包含於這些多數的裝置之搬運系統，爲 略直線狀而連續配置，處理系統係被分開配置在該搬運系統 的兩側。 如第4圖所示般地，在搬運系統中，具備多關節型的搬 運臂之多數的分配裝置30、3 1.....36相互留有間隔而呈 直線狀配置，在該多數的分配裝置30、31.....36間配置 -16- (13) 有進行基板的收付的收付裝置40、4 1.....46。即多數的 分配裝置30、31.....36和多數的收付裝置40、41..... 46爲幾乎交互直列連接。 第5A圖以及第5B圖係槪略顯示包含上述分配裝置、 以及收付裝置的搬運系統的構成例。在第5A圖和第5B圖 中，分配裝置具有可在水平方向、垂直方向以及垂直軸周圍 之尋轉方向自由移動之多關節型的機械臂（搬運臂37A)， 在搬運臂37A設置有保持基板2用之多數的吸附孔38。吸 附孔38係連接在未圖示出的真空泵，利用壓力差以吸附保 持基板。 另外，收付裝置具有支持基板2用之多數的銷47，此 多數的銷47之高度爲在多數的銷47上搭載基板2之際，形 成可在基板2之下插入搬運臂37A之空間的高度。 在基板2之收付之際，首先，第1搬運臂37A移動， 將基板2搬運於多數的銷47的上方，之後，搬運臂37A下 降，使基板2搭載在多數的銷47上。第1搬運臂37A如完 成基板2的搭載，便由多數的銷47離開。接著，第2搬運 臂37B移動於基板2之下，之後，上升，由多數的銷47承 接基板2。 另外，本發明之搬運系統的構成並不限定於上述構成。 在上述例子中，係藉由搬運臂在垂直方向移動，對於多數的 銷，進行基板的收付和承接而構成，當然也可以藉由多數的 銷的上下移動，以進行上述基板的收付和承接而構成。另外 ’也可以設置整頓基板位置之整列機構。另外，本發明之搬 運系統隨然藉由具備多關節型之搬運臂，而具有可以容易分 -17- (14) 配基板於搬運系統兩側的裝置之優點，但是並不限定於此， 也可以具備滾輪輸送帶等其他形態的搬運手段。 回到第4圖，電漿處理裝置25係具備：預備加熱處理 室51'第1電漿處理室52、第2電漿處理室53、以及冷卻 處理室54。預備加熱處理室51和冷卻處理室54係在同一 處所多段地配置。另外，預備加熱處理室5 1 /冷卻處理室 54、第1電漿處理室52、以及第2電漿處理室53係以分配 裝置30爲中心而呈放射狀配置。 處理對象基板介由基板投入部48而被投入，被交付給 分配裝置30。分配裝置30依序將基板搬入堤防305 1、第 1電漿處理室52、第2電漿處理室53、以及冷卻處理室54 ，同時將處理後的基板由各處理室搬出。在電漿處理裝置 25被處理的基板介由分配裝置30以及收付裝置40而被送 往電洞植入/輸送層形成裝置26。 電洞植入/輸送層形成裝置26在將含電洞植入/輸送 層的形成材料之組成物塗布於基板上之塗布處理室70外， 具備：密封基板307 1、加熱處理室72、以及冷卻處理室 73。加熱處理室72和冷卻處理室73係在同一處所多段地配 置。另外，朝向進行方向，在分配裝置31、32之一方側（ 此處，爲右側）配置塗布處理室70，在另一側（此處，爲 左側）配置預備加熱處理室7 1、以及加熱處理室72/冷卻 處理室73。 分配裝置3 1 —由收付裝置40承接基板，依序將基板搬 入塗布處理室70、以及預備加熱處理室71，同時將處理後 的基板由各處理室搬出，交付收付裝置41。另外，分配裝 -18- (15) ® 32 —由收付裝置41承接基板，將該基板搬入加熱處理室 72/冷卻處理室73，搬出處理後之基板。在電洞植入/輸 送層形成裝置26中被處理的基板介由分配裝置32、以及收 付裝置42、43而被送往發光層形成裝置27。 此處，收付裝置42具有暫時保持多數基板的緩衝器部 °保持在緩衝器部的基板則藉由未圖示出的搬運裝置而隨時 被取出，而被交付給收付裝置43。收付裝置43也相同，具 有暫時保持多數基板的緩衝器部，保持在緩衝器部的基板則 藉由分配裝置34而隨時被取出。在本例中，於收付裝置42 中，在卡匣收容基板，將該卡匣搬運於收付裝置43。 發光層形成裝置27係具備對應紅（R )、綠（G )、藍 (B)之其中任何一種顏色，將包含發光層之形成材料的組 成物塗布於基板上的塗布處理室75、76、77。另外，各塗 布處理室75、76、77係具備加熱處理室78、79、80、以及 冷卻處理室8 1、82、83。各加熱處理室和各冷卻處理室係 在同一處所多段地配置。另外，朝向進行方向，在分配裝置 34、35、36之右側配置塗布處理室75、76、77，在同上之 左側，配置加熱處理室78、79、80/冷卻處理室81、82、 83 0 分配裝置34 —由收付裝置43承接基板，依序將基板搬 入塗布處理室75、76、77、加熱處理室78、79、80/冷卻 處理室81、82、83，同時將處理後基板由各處理室搬出， 交付收付裝置44。同樣地，在分配裝置35、分配裝置36中 ，也對於各處理室，依序進行基板的搬出搬入。在發光層形 成裝置27所處理之基板介由分配裝置36、以及收付裝置46 •19- (16) 而被送往相向電極（陰極）形成裝置。 另外，在上述機能層形成裝置21中，朝向進行方向， 在搬運系統21之右側彙整配置塗布處理室70、75、76、77 ，在同上左側彙整配置加熱裝置以及冷卻裝置78〜83。因此 ，在多數的處理裝置間，即使產生熱和振動等之相互影響， 由於機能上爲同列之彼此關係，不易產生由於其影響所致的 不當狀況。而且，具有熱源之加熱處理室78、79、80，和 塗布處理室70、75、76、77被分開配置在搬運系統21之兩 側，所以加熱處理室之熱的影響不易及於塗布處理室。因此 ，不易引起由於熱所致之塗布材料的黏度變化，和塗布機構 的熱變化，具有容易謀求品質之提升的優點。 第6圖係顯示相向電極（陰極）形成裝置22、以及密 封裝置23。 第6圖中，相向電極形成裝置22係具備：第1蒸鍍處 理室84、第2蒸鍍處理室85、以及基板搬出搬入用搬運系 統。在相向電極形成時，選擇性使用第1蒸鍍處理室84、 第2蒸鍍處理室85中的至少一方。搬運系統則由：收付裝 置60、61、基板反轉裝置62、以及分配裝置63所形成。 第7A〜第7C圖係以基板反轉裝置62爲主體顯示相向電 極形成裝置22的搬運系統之構成例。 在第7A〜第7C圖中，基板反轉裝置62係具有可在水平 方向、垂直方向、水平軸周緣之旋轉方向、以及垂直軸周圍 之旋轉方向自由移動的多關節型機械臂（搬運臂64)，在 搬運臂64中設置保持基板2用的多數吸附孔65。吸附孔65 則連接在未圖示出的真空泵，利用壓力差以吸附保持基板。 -20- (17) 在基板搬出搬入之際，首先，由發光層形成裝置搬運來 之基板2被交付給收付裝置60、61 (第7 A圖）。基板反轉 裝置62由收付裝置60、61 —承接基板2，使基板2的上下 反轉’以使基板2的處理對象面（元件面）朝下（第7B圖 )。此反轉時，基板2被真空吸附在吸附孔65，得以防止 由搬運臂64落下。接著，基板反轉裝置62將上下反轉的基 板2交付給收付裝置61 (第7C圖）。分配裝置63 —由收 付裝置61承接基板2，在上下反轉狀態下，將基板2搬入 在先前第6圖所示之第1蒸鍍處理室84、以及第2蒸鑛處 理室85之中的任一處理室。 另外’基板反轉裝置62的構成並不限定於上述，可以 適用各種形態。另外，也可以代替基板反轉裝置62而在分 配裝置63設置反轉機構。 第8圖係模型地顯示蒸鍍處理室84、85。 蒸鍍處理室84、85係具有··控制處理室內成爲真空狀 態的真空控制部86、保持蒸鍍處理用基板的基板保持部87 、以及加熱材料的加熱部88，在蒸鍍時，室內係藉由真空 控制部86而被控制爲真空壓力。 基板保持部87係包含支持基板2之邊緣部的構件（遮 罩），在此構件設置有對應蒸鍍用圖案之開口。基板2被配 置在加熱部88的上方而且處理對象面朝下之狀態。在被控 制爲真空壓力之處理室內，材料源藉由加熱部8 8而被加熱 ，蒸發之材料附著在基板2,而形成相向電極（陰極）。 回到第6圖，分配裝置63在上下反轉狀態下，將基板 搬入第1蒸鏟處理室84、以及第2蒸鍍處理室85中任一處 -21 - (18) 理室，同時由各處理室搬出處理後的基板，交付給收付裝置 61 〇 被交付給收付裝置61之蒸鍍處理後的基板維持在上下 反轉狀態下。基板反轉裝置62以與先前的搬入步驟相反的 步驟，一面使基板上下反轉，一面進行基板的搬出動作。即 基板反轉裝置62 —由收付裝置61承接基板，使基板的上下 反轉，而將基板的處理對象面（元件面）朝上。而且，將該 基板2交付給收付裝置60。被交付給收付裝置60之基板則 被送往密封裝置23。 密封裝置23係具備：塗布黏著用密封樹脂的樹脂塗布 處理室86、接合基板和密封基板的貼合處理室87、以及基 板搬出搬入用之搬運系統。搬運系統則由收付裝置64、65 、以及分配裝置66所構成。 分配裝置66 —由收付裝置64承接基板，依序將基板搬 入樹脂塗布處理室86、以及貼合處理室87，同時，由各處 理室搬出處理後基板，交付收付裝置6 5。 如此，在本例的製造裝置20中，具備在機能層形成裝 置2 1和相向電極（陰極）形成裝置22之間使基板上下反轉 的基板反轉裝置62，藉由此基板反轉裝置62，伴隨將基板 搬入搬出蒸鍍相向電極（陰極）之空間的動作，使基板上下 反轉。藉由此，在機能層形成裝置21 (電洞植入/輸送層 形成裝置26、發光層形成裝置27 )中，進行使基板朝上之 處理，作爲機能層之形成材料，可以使用黏度低之材料等各 種材料。另外，在機能層形成時，可以利用自己平坦化機能 (self-leveling機能）等之重力作用。特別是在機能層之形 -22- (19) 成上’藉由使用液滴吐出法，可以在所期望的位置確實配置 各種材料。 另外，在密封裝置23中，進行使基板朝上之處理，可 以使用各種之密封材料等，能夠獲得上述之各種優點。 另外，在本例的製造裝置20中，由於伴隨搬出搬入動 作而進行基板反轉，所以動作上沒有浪費，得以防止伴隨反 轉動作之產出率的降低。而且，在相向電極形成裝置22具 備基板反轉裝置62，在相向電極形成裝置22的前後工程之 各工程中，進行使基板的處理對象面朝上之處理。設置基板 反轉機構之場所雖不限定於相向電極形成裝置22，例如， 也可以在機能層形成裝置21 (發光層形成裝置27)之出口 ，和密封裝置23的入口，但是，如本例般地，在多數的工 程中，使基板朝上後才進行處理時，藉由在對於朝下的基板 進行處理之裝置（相向電極形成裝置22)設置基板反轉機 構，可以彙整進行基板對前後裝置的反轉，可以謀求裝置的 省空間化。 另外，在上述製造裝置20中，以設處理對象基板所被 配置之空間爲排除了水、氧氣之環境中爲佳。例如，以在氮 氣環境中、氬氣環境等之惰性氣體環境中進行爲佳。藉由此 ，可以防止形成在基板上的氧化層等的劣化。 第9圖爲將本發明之光電裝置適用在使用有機EL裝置 的主動矩陣型之顯示裝置（有機EL顯示裝置）之實施形態 例，爲具備利用上述製造裝置20所被製造的有機EL裝置 以當成發光元件之實施形態。另外，此顯示裝置1係採用利 用薄膜電晶體之主動型驅動方式。 -23- (20) 顯示裝置1係由：在基板2上依序積層含作爲電路元件 之薄膜電晶體的1密封部304、含發光層的機能層110、陰 極12、以及密封部3等之構造所形成。 作爲基板2在本例中，爲使用玻璃基板。本發明之基板 在玻璃基板之外，也可以適用矽基板、石英基板、陶瓷基板 、金屬基板、塑膠基板、塑膠薄膜基板等使用在光電裝置和 電路基板之周知的各種基板。 在基板2上，當成發光區域之多數的晝素區域A被呈 矩陣狀排列，在進行彩色顯示時，例如，對應紅（R )、綠 (G )、藍（B )之各色的畫素區域A係排列成特定的排列 〇 在畫素區域A配置晝素電極111，在其附近配置信號線 132、電源線133、掃描線131以及未圖示出的其他畫素電 極用掃描線等。畫素區域A之平面形狀在圖示之矩形外， 也可以適用圓形、長圓形等任意之形狀。 另外，密封部3係防止水和氧氣之侵入，以防止陰極 12或者機能層110之氧化者，包含被塗佈在基板2上的密 封樹脂、以及被貼合在2之密封基板3b(密封罐）等。密封樹 脂之材料例如使用熱硬化樹脂或者紫外線硬化樹脂等，特別 是以使用熱硬化樹脂之一的環氧樹脂爲佳。密封樹脂爲被環 狀塗佈在基板2之周緣，例如，藉由微型分配器等進行塗佈 。密封基板3b是由玻璃和金屬等構成，基板2和密封基板 3b係介由密封樹脂而被貼合。 第1 0圖係顯不上述顯示裝置1之電路構造。 在第10圖中，於基板2上配置多數的掃描線131，和 -24- (21) 延伸於與掃描線1 3 1交叉方向之多數的信號線1 32，和與信 號線1 3 2並排延伸之多數的電源線1 3 3。另外，在掃描線 1 3 1以及信號線1 32之各交叉點形成上述晝素區域A。 在信號線1 32連接例如包含移位暫存器、位準移位器、 視頻線以及類比開關之資料側驅動電路103。另外，在掃描 線1 3 1則連接包含移位暫存器以及位準移位器之掃描側驅動 電路104。 在畫素區域A設置：掃描信號介由掃描線13 ί而被供 應給閘極之開關用第1薄膜電晶體1 23，和介由此薄膜電晶 體123以保持由信號線132所供給之畫像信號的保持電容 1 35，和藉由保持電容1 35所保持的畫像信號被供應給閘極 的驅動用第2薄膜電晶體1 24，和在介由此薄膜電晶體1 24 而導電連接於電源線1 33時，驅動電流由電源線1 33流入之 畫素電極111 (陽極），和被夾在畫素電極111和相向電極 I 2 (陰極）之間的機能層1 1 〇。機能層1 1 〇係包含當成發光 層之有機EL層。 在晝素區域Α中，掃描線131被驅動，第1薄膜電晶 體1 23導通時，那時的信號線1 32之電位則被保持在保持電 容1 35，因應此保持電容1 35之狀態，決定了第2薄膜電晶 體1 24之導通狀態。另外，介由第2薄膜電晶體124之通道 ，電流由電源線133流入畫素電極m，另外，通過機能層 II 0，電流流入相向電極1 2 (陰極）。而且，因應此時的電 流量，機能層110發光。 第11圖係放大顯示裝置1之顯示區域的剖面構造圖。 在此第11圖中’圖不出3個畫素區域A。顯示裝置1係由 -25- (22) :在基板2上形成有TFT等之電路等的電路元件部14、形 成積能層110之發光元件部11以及陰極12依序積層而構成 〇 在顯示裝置1中，由積能層110所發出於基板2側之光 透過電路元件部14以及基板2而被射出基板2的下側（觀 測者側）的同時，由積能層110發出於基板2之相反側之光 被陰極12反射，通過電路元件部14以及基板2而被射出基 板2之下側（觀測者側）。 另外，陰極12可以藉由使用透明材料而使由陰極側所 發出之光射出。透明材料可以使用IT〇、Pt、Ir、Ni、或者 Pd。膜厚則以做成75nm程度之膜厚爲佳，以比此膜厚還薄 更好。 在電路元件部14中，由氧化矽膜形成之基底保護膜2c 形成在基板2上，在此基底保護膜2c上形成由多晶矽形成 之島狀的半導體膜141。另外，藉由高濃度P離子植入而在 半導體膜141形成源極區域141a以及汲極區域141b。另外 ，沒有被導入P(磷）之部份則成爲通道區域141c。 另外，在電路元件部14中，形成覆蓋基底保護膜2c以 及半導體膜141之透明的閘極絕緣膜142，在閘極絕緣膜 142上形成由Al、Mo、Ta、Ti、W等形成之閘極143 (掃描 線），在閘極143以及閘極絕緣膜142上形成透明之第1層 間絕緣膜144a和第2層間絕緣膜144b。閘極143係被設置 在對應半導體膜141之通道區域141c的位置。另外，貫穿 第1、第2層間絕緣膜144a、144b形成分別連接半導體膜 141之源極、汲極區域141a、141b之觸孔145、146。 -26- (23) 而且，由IT〇等形成之透明畫素電極111被圖案化爲特 定形狀而形成在第2層間絕緣膜144b上，觸孔之一的觸孔 145被連接在此畫素電極111。 另外，另一觸孔14 6被連接在電源線1 3 3。 如此，在電路元件部14形成被連接在各畫素電極111 之驅動用薄膜電晶體123。另外，在電路元件部14雖也形 成上述之保持電容135以及開關用之薄膜電晶體124,但是 在第11圖中，省略這些的圖示。 發光元件部11係以被積層在多數的畫素電極111...上之 晝素電極的積能層110,和存在於各畫素電極111以及積能 層11 0之間，用於區分各積能層11 0之堤防部1 1 2爲主體而 構成。在積能層110上配置陰極12。發光元件的有機EL裝 置係含畫素電極111、陰極12以及積能層110而構成。 此處，畫素電極111例如由ITO所形成，被圖案化爲由 平面觀看爲略矩形。此畫素電極111的厚度已在50〜200nm 之範圍爲佳，特別是最好爲150nm之程度。在各畫素電極 111·..之間具備堤防部112。 如第11圖所示般地，堤防部11 2係由積層位於基板2 側之無機物堤防層11 2a (第1堤防層）和位於偏離基板2 之位置的有機物堤防層11 2b (第2堤防層）而構成。 無機物堤防層、有機物堤防層（11 2a、11 2b )係形成爲 靠在畫素電極111之周緣部上。平面上爲畫素電極111的周 圍和無機物堤防層112a平面地重疊而配置之構造。另外， 有機物堤防層11 2b也相同，配置爲與晝素電極1 11之一部 份平面地重疊。另外，無機物堤防層11 2a被形成爲比有機 -27- (24) 物堤防層1 1 2b更位於畫素電極1 1 1的中央側。如此，藉由 無機物堤防層112a之各第1積層部112e被形成在畫素電極 H1的內側，設置對應晝素電極111的形成位置之下部開口 部 1 12c。 另外，在有機物堤防層11 2b形成上部開口部1 1 2d。此 上部開口部1 1 2d係設置爲對應畫素電極1 1 1的形成位置以 及下部開口部1 1 2c。如第11圖所示般地，上部開口部112d 形成爲比下部開口部1 1 2c大，比畫素電極1 1 1窄。另外， 上部開口部11 2d之上部位置和畫素電極11 1的端部也有形 成在幾乎相同位置之情形。在此情形下，如第1 1圖所示般 地，有機物堤防層11 2b之上部開口部11 2d的剖面成爲傾斜 形狀。 而且，在堤防部1 1 2藉由下部開口部11 2c以及上部開 口部11 2d連通，形成貫穿無機物堤防層11 2a以及有機物堤 防層112b之開口部112g。 另外，無機物堤防層l12a例如以由Si〇2、Ti〇2等之無 機材料形成爲佳。此無機物堤防層11 2a之膜厚以50〜 200nm之範圍爲佳，特別以150nm最好。在膜厚未滿50nm 時，無機物堤防層112a變得比後述之電洞植入/輸送層薄 ，由於無法確保電洞植入/輸送層之平坦性，所以並不理想 。另外，膜厚如超過200nm，由於下部開口部112c所致之 段差變大，在電洞植入/輸送層上無法確保積層之後述的發 光層之平坦性，所以並不理想。 另外，有機物堤防層11 2b係由丙烯樹脂、聚亞醯胺等 之耐熱性、耐溶媒性之抗蝕劑形成。此有機物堤防層11 2b -28- (25) 之厚度以0.1〜3.5// m之範圍爲佳，特別是以2/zm之程度 最好。在厚度低於〇· 1 # m時，有機物堤防層11 2b比後述之 電洞植入/輸送層以及發光層之合計厚度薄，發光層有由上 部開口部11 2d溢出之虞，所以並不理想。另外，厚度如超 過3.5// m，由於上部開口部112d所致之段差變大，無法確 保形成在有機物堤防層11 2b上之陰極1 2的階梯覆蓋率，所 以並不理想。另外，如設有機物堤防層11 2b之厚度在2 // m 以上，可以提高驅動用之薄膜電晶體1 23之絕緣，所以更爲 理想。 另外，在堤防部11 2形成顯示親液性之區域，和顯示撥 液性之區域。 顯示親液性之區域爲無機物堤防層112a之第1積層部 11 2e以及畫素電極111的電極面111a，這些區域係藉由以 氧氣爲處理器體之電漿處理而被表面處理爲親液性。另外， 顯示撥液性之區域爲上部開口部11 2d之壁面以及有機物堤 防層112b之上面112f，這些區域係藉由以四氟化甲烷、四 氟甲烷、或者四氟化碳微處理器體之電漿處理，表面被氟化 處理（撥液性處理）。 如第11圖所示般地，積能層110係由：被積層在畫素 電極111上之電洞植入/輸送層1 1 0a，和鄰接電洞植入/ 輸送層110a上而形成之發光層ll〇b所構成。另外，也可以 鄰接發光層1 1 Ob另外形成具有其他機能之其他的積層層。 例如，也可以形成電子輸送層。 電洞植入/輸送層110a係具有將電洞植入發光層ll〇b 之機能的同時，也具有在電洞植入/輸送層1 1 〇a內部輸送 -29- (26) 電洞之機能。藉由將此種電洞植入/輸送層11 Oa設置在畫 素電極111和發光層110b之間，可以提升發光層110b之發 光效率、壽命等之元件特性。另外，在發光層11 Ob中，由 發光層110b所植入之電洞和由陰極12所植入之電子在發光 層再度結合，可以獲得發光。 電洞植入/輸送層11 0a係由：位於下部開口部11 2c內 而形成在晝素電極面1 11 a之平坦部11 0a 1，和位於上部開口 部112d內而形成在無機物堤防層之第1積層部112e上的周 緣部110a2所構成。另外，電洞植入/輸送層ll〇a依據構 造，只被形成在晝素電極111上，而且無機物堤防層112a 之間（下部開口部11 2c )(也有只形成在上述記載之平坦 部之形態）。 此平坦部llOal其厚度爲一定，例如形成爲50〜70n m 之範圍。 在形成周緣部110a2之情形時，周緣部110a2位於第1 積層部1 1 2e上的同時，與上部開口部11 2d之壁面，即有機 物堤防層112b密接。另外，周緣部110a2之厚度在接近電 極面1 1 1 a側薄，沿著遠離電極面1 11 a之方向而增加，在接 近下部開口部11 2c之壁面變成最厚。 周緣部1 1 0a2顯示上述之形狀的理由爲：電洞植入/輸 送層1 1 0a爲將包含電洞植入/輸送層形成材料以及極性溶 媒之第1組成物吐出開口部11 2內後，去除極性溶媒後所形 成的，極性溶媒之揮發主要在無機物堤防層之第1積層部 11 2e上引起，電洞植入/輸送層形成材料在此第1積層部 112e上集中被濃縮、析出之故。另外，發光層1 i〇b爲橫跨 -30- (27) 電洞植入/輸送層110a之平坦部llOal以及周緣部110a2 上而形成，在平坦部llOal上之厚度被設爲50〜80nm之範 圍。 發光層110b係具有發出紅色（R)之紅色發光層110b 1 、綠色（G)之綠色發光層110b2、以及藍色（B)之綠色發 光層110b3之3種類，各發光層llObl〜110b3呈條紋狀配置 〇 如上述般地，電洞植入/輸送層ll〇a之周緣部110a2 密接上部開口部11 2d之壁面（有機物堤防層11 2b )之故， 所以發光層ll〇b沒有直接接觸有機物堤防層112b。因此， 可以藉由周緣部11 0a2防止以不純物形式含在有機物堤防層 112b之水移往發光層110b側，可以防止由於水所致之發光 層11 0 b的氧化。 另外，在無機物堤防層之第1積層部112e上形成不均 勻厚度的周緣部110a2，所以變成周緣部110a2藉由第1積 層部112e而與畫素電極111絕緣之狀態，不會由周緣部 110a2對發光層110b植入電洞。藉由此，由畫素電極111來 之電流只流入平坦部11 〇a 1，可以將電洞由平坦部11 〇a 1均 勻輸送於發光層ll〇b，能夠只使發光層ll〇b之中央部份發 光的同時，也可以使發光層ll〇b之發光量一定。 另外，無機物堤防層11 2a比有機物堤防層11 2b更延伸 於畫素電極1 11的中央側，所以可以藉由此無機物堤防層 11 2a，以修整畫素電極111和平坦部11 〇a 1之接合部份的形 狀，可以抑制各發光層1 l〇b間之發光強度的偏差。 另外，畫素電極111的電極面Ilia以及無機物堤防層 -31 - (28) (28)582185 之第1積層部11 2e顯示親液性，所以積能層π 0均勻密接 於畫素電極111以及無機物堤防層112a’在無機物堤防層 112a上，積能層110不會變得極端薄’可以防止晝素電極 111和陰極1 2之短路。 另外，有機物堤防層11 2b之上面11 2f以及上部開口部 I 1 2d壁面顯示撥液性，所以積能層11 〇和有機物堤防層 II 2b之密接性低，不會有積能層110由開口部11 2g溢出而 形成。 另外，作爲電洞植入/輸送層形成材料例如可以使用聚 乙烯二氧硫茂等之聚硫茂衍生物和聚苯乙烯釩酸等之混合物 〇 另外，作爲發光層110b之材料例如可以使用[化1]〜[化 5]之聚芴衍生物、其他（聚）對次苯基乙烯衍生物、聚次苯 基衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、聚硫茂衍生物、 或者在這些高分子材料摻雜：芘系色素、香豆素系色素、丹 寧系色素、紅螢烯、芘、9,10-二苯蒽、四苯丁間二烯、尼 羅紅、香豆素6、卩奎吖啶酮（quinacridone )等。 -32- 582185 (29) 【化1】

C8Hl7 化合物1 【化2】

化合物2

【化3】

普X普 0CH3 0CH3 【化4】

化合物3 化合物4

【化5】

CR CR

-33- (30) 陰極12係形成在發光元件部11之整面，與畫素電極 I 11成對，達成對機能層11 0流通電流之功能。此陰極1 2 例如由鈣層和鋁層積層所構成。此時，在接近發光層側之陰 極以設置功率函數低者爲佳，特別是在此形態中，直接接觸 發光層110b，達成對發光層ll〇b植入電子之功能。另外， 氟化鋰依據發光層之材料，可以有效使之發光，所以也有在 發光層11 Ob和陰極1 2之間形成LiF之情形。 另外，紅色以及綠色之發光層llObl、110b2並不限定 於氟化鋰，也可以使用其他材料。因此，在此情形下，也可 以只在藍色（B)發光層110b3形成由氟化鋰所構成之層， 在其他之紅色以及綠色之發光層llObl、110b2積層氟化鋰 以外者。另外，也可以不在紅色以及綠色之發光層11 Ob 1、 II 0b2形成氟化鋰，而只形成鈣。 另外，氟化鋰之厚度例如最好爲2〜5nm之範圍，特別 是以2nm程度最好。另外，鈣之厚度例如最好爲2〜50nm 之範圍。 另外，形成陰極1 2之鋁係使由發光層11 Ob所發出的光 反射於基板2側者，在A1膜之外，最好爲由Ag膜、A1和 Ag之積層膜等形成。另外，其厚度例如最好爲1 〇〇〜 lOOOnrn之範圍，特別是以200nm程度最好。 另外，也可以在鋁上設置由SiO、Si〇2、SiN等形成之 氧化防止用保護層。 接著，參考第12圖〜第26圖，詳細說明利用先前第3 圖所示之有機EL裝置的製造裝置20以製造有機EL裝置以 及有機EL顯示裝置1之方法。 -34- (31) (31)582185 本例之有機EL裝置的製造方法係包含：（1 )電漿處 理工程、（2 )電洞植入/輸送層形成工程、（3 )發光層形 成工程、（4 )相向電極（陰極）形成工程、以及（7 )密封 工程。另外，製造方法並不限定於此，因應需要也有排除其 他工程之情形，也有追加其他工程之情形。 另外’在形成有作爲電路元件之薄膜電晶體的基板2上 形成有畫素電極111、以及堤防部112者被投入製造裝置20 (1 )電漿處理工程 在電漿處理工程中，目的在於進行活化畫素電極111之 表面’另外表面處理堤防部11 2之表面。特別是在活化工程 中，主要目的在於進行畫素電極111 ( ITO)上之洗淨、另 外功率函數之調整。另外，進行畫素電極丨丨丨之表面的親液 化處理、堤防部11 2表面之撥液化處理。 電漿處理工程被大略分爲：（1 ) -1預備加熱工程、（ 1 ) -2活化處理工程（做成親液性之親液化工程）、（1 ) -3 撥 液 化 處 理 工 程 以及（ 1 ) -4冷卻工程。另外 ，並不限 定 於 此 種 工 程 可 以 因應需 要而削減工程，也可以另外追加 工 程 0 首 先 5 說 明 利 用第4 圖所示之電漿處理裝置 25之槪 略 工 程 〇 預 備 加 熱 工 程 係在第 4圖所示之預備加熱處: 理室51 中 進 行 0 而 且 藉 由 此處理 .室5 1，將由堤防部形成工程所 搬 運 來 之 基 板 2 加 熱 至特定 的溫度。 -35- (32) (32)582185 在預備加熱工程後，進行親液化工程以及撥液化處理工 程。即基板依序被搬運於第1、第2電漿處理室52、53 ’在 個別之處理室52、53中，對堤防部112進行電漿處理以使 之親液化。在此親液化處理後，進行撥液化處理。在撥液化 處理後，將基板搬運於冷卻處理室，在冷卻處理室54中， 將基板冷卻至室溫。此冷卻工程後，藉由搬運裝置將基板搬 運於下一工程之電洞植入/輸送層形成工程。 以下，詳細說明個別之工程。 (1 ) -1預備加熱工程 預備加熱工程係藉由預備加熱處理室51進行。在此處 理室5 1中，將包含堤防部11 2之基板2加熱至特定的溫度 〇 基板2之加熱方法例如採用：在處理室51內，對載置 基板2之工作台安裝加熱器，每一工作台地以此加熱器加熱 基板2之手段。另外，也可以採用此以外之方法。 在預備加熱處理室5 1中，例如將基板2加熱至70度〜 80度之範圍。此溫度係下一工程的電漿處理之處理溫度， 配合下一工程而事前加熱基板2，其目的在於解除基板2之 溫度偏差。 假如不加上預備加熱工程，基板2變成要由室溫而被加 熱至如上述之溫度，在工程開始至工程結束之電漿處理工程 中，成爲溫度經常一面變動一面被進行處理。因此，一面改 變基板溫度一面進行電漿處理有導致特性不均勻之可能性。 因此’將處理條件保持爲一定，以便獲得均勻特性，所以進 -36- (33) (33)582185 行預備加熱。 因此，在電漿處理工程中，於第1、第2電漿處理裝置 52、53內之試料工作台上載置基板2之狀態下，進行親液 化工程或者撥液化工程時，以使預備加熱溫度與連續進行親 液化工程或者撥液化工程之試料工作台56的溫度幾乎一致 爲佳。 因此，藉由預先預備加熱基板2至第1、第2電漿處理 裝置52、53內之試料工作台上升之溫度，例如7〇〜80度， 即使在對多數基板連續進行電漿處理時，也可以使處理開始 後和處理結束前之電漿處理條件幾乎爲一定。藉由此，可以 使基板2之表面處理條件相同，能使對於堤防部11 2之組成 物的濡濕性均勻化，可以製造具有一定品質之顯示裝置。 另外’藉由預先預備加熱基板2，可以縮短之後的電漿 處理的處理時間。 (1) -2活化處理 接著，在第1電漿處理室5 2中，進行活化處理。活化 處理係包含：畫素電極111之功率函數的調整、控制、畫素 電極表面的洗淨、畫素電極表面的親液化處理。 親液化處理爲在大氣環境中進行以氧氣爲處理氣體之電 漿處理（02電漿處理）。第12圖係模型顯示第1電漿處理 之圖。如第12圖所示般地，包含堤防部丨丨2之基板2被載 置於加熱器內臟之試料工作台5 6上，電漿放電電極5 6在基 板2之上側留有空隙間隔〇·5〜2mm程度之距離而與基板2 相向配置。基板2藉由試料工作台56被一面加熱，試料工 -37- (34) 作台56 —面朝向圖示箭頭方向以特定之搬運速度被搬運， 在其間，電漿狀態之氧氣被照射於基板2。 〇2電漿處理之條件，例如以電漿功率1〇〇〜8〇〇kw、氧 氣氣體流量50〜100ml/min、板搬運速度〇.5〜i〇mm/sec、基 板溫度70〜90度之條件進行。另外，藉由試料工作台56之 加熱，主要是爲了被預備加熱之基板2的保溫而進行。 藉由此02電漿處理，如第13圖所示般地，晝素電極 I 1 1之電極面11 la、無機物堤防層n2a之第1積層部112e 以及有機物堤防層112b之上部開口部ii2d的壁面以及上面 II 被親液處理。藉由此親液處理，羥基被導入這些各面 而被賦予親液性。 在第14圖中，以一點虛線顯示被親液處理之部份。 另外，此0 2電漿處理不單賦予親液性，如上述般地， 也兼爲畫素電極之ITO上的洗淨、功率函數之調整。 (1 ) -3撥液處理工程 接著，在第2電駿處理室5 3中，作爲撥液化工程，係 在大氣環境中進行以四氟甲烷微處理氣體之電漿處理（CF4 電漿處理）。第2電漿處理室53之內部構造係與第12圖所 示之第1電漿處理室52的內部構造相同。即基板2藉由試 料工作台被一面加熱，以面每一試料工作台地以特定的搬運 速度被搬運，在其間對於基板2照射電漿狀態之四氟甲烷（ 四氟化碳）。 CF4電漿處理之條件例如以電漿功率1〇〇〜8〇〇kW、四 氟化甲烷氣體流量50〜100ml/min '基板搬運速度〇.5〜 -38- (35) lOmm/sec、基板溫度70〜90度之條件進行。另外，藉由試 料工作台之加熱，與第1電漿處理室52之情形相同，主要 是爲了被預備加熱之基板2的保溫而進行。 另外，處理氣體並不限定於四氟甲烷（四氟化碳），也 可以使用其他之氟碳系之氣體。 藉由CF4電漿處理，如第14圖所示般地，上部開口部 1 1 2d壁面以及有機物堤防層之上面112f被撥液處理。藉由 此撥液處理，氟基被導入這些之各面而被賦予撥液性。在第 14圖中，以二點虛線表示顯示撥液性之區域。構成有機物 堤防層112b之丙烯樹脂、聚亞醯胺樹脂等之有機物，藉由 電漿狀態之氟碳照射，可以使之容易撥液化。另外，藉由 〇2電漿處理進行前處理者具有容易氟化之特徵，在本實施 形態中特別有效。 另外，畫素電極111之電極面Ilia以及無機物堤防層 112a之第1積層部112e雖也多少受到此CF4電漿處理之影 響，但是很少對濡濕性造成影響。在第14圖中，以一點虛 線表示顯示親液性之區域。 (1 ) -4冷卻工程 接著，冷卻工程係使用冷卻處理室54將爲了電漿處理 而被加熱的基板2冷卻至管理溫度。此係爲了冷卻至在此以 後之工程的噴墨工程（液滴吐出工程）的管理溫度而所進行 的工程。 此冷卻處理室54具有配置基板2用之平板，該平板爲 內藏有冷卻基板2之水冷裝置之構造。 -39- (36) 另外，藉由將電漿處理後之基板2冷卻至室溫或者特定 的溫度（例如，進行噴墨工程之管理溫度），在接著的電洞 植入/輸送層形成工程中，基板2之溫度成爲一定，可以以 沒有基板2之溫度變化的均勻溫度進行下一工程。因此，藉 由加上此種冷卻工程，可以均勻形成由噴墨法等之吐出手段 所吐出的材料。 例如，在吐出包含形成電洞植入/輸送層用之材料的第 1組成物之際，可以以一定之容積連續吐出第1組成物，能 夠均勻形成電洞植入/輸送層。 在上述之電漿處理工程中，藉由對於材質不同之有機物 堤防層112b以及無機物堤防層112a依序進行02電漿處理 和CF4電漿處理，可以容易在堤防部112設置親液性區域 和撥液性區域。 另外，上述電漿裝置也可以爲不在大氣壓下之裝置，可 以使用真空下之電漿裝置。 (2 )電洞植入/輸送層形成工程 接著，在電洞植入/輸送層形成工程中，利用先前第4 圖所示之電洞植入/輸送層形成裝置26以在電極（此處， 爲晝素電極111)上形成電洞植入/輸送層。 在電洞植入/輸送層形成工程中，藉由使用液滴吐出法 (噴墨法），在電極面111 a上吐出包含電洞植入/輸送層 形成材料之第1組成物（組成物）。之後，進行乾燥處理以 及熱處理，在畫素電極111上以及無機物堤防層112a上形 成電洞植入/輸送層110a。另外，此處，稱形成有電洞植 -40- (37) 入/輸送層110a之無機物堤防層112a爲第1積層部112e。 包含此電洞植入/輸送層形成工程，此以後之工程最好 在沒有水、氧氣之環境中。例如，以在氮氣環境中、氬氣環 境中等之惰性氣體環境中進行爲佳。 另外，電洞植入/輸送層110a也有不被形成在第1積 層部11 2e上。即也有只在畫素電極111上形成電洞植入/ 輸送層之形態。 藉由噴墨法之層的形成方法，如下： 如第15圖所示般地，由形成在噴墨頭H1之多數的噴 嘴吐出包含電洞植入/輸送層形成材料之第1組成物。此處 ，藉由掃描噴墨頭，對每一畫素塡充組成物，當然也可以藉 由掃描基板2。另外，藉由使噴墨頭和基板2相對地移動， 也可以塡充組成物。另外，在此以後之利用噴墨頭所進行的 工程中，上述之點相同。 藉由噴墨頭之吐出，如下：即將由形成在噴墨頭H1而 成之吐出噴嘴H2與電極面111a相向配置，由噴嘴H2吐出 第1組成物。在畫素電極1 Π之周圍形成區分下部開口部 1 1 2c之堤防部11 2，使噴墨頭Η 1面向位於此下部開口部 112c內之畫素電極面111a，一面使此噴墨頭Η1和基板2相 對移動，由噴嘴H2對電極面Ilia上吐出每一滴之液量受到 控制之第1組成物ll〇c。 此處所使用之第1組成物例如可以使用將聚乙烯二氧硫 茂等之聚硫茂衍生物和聚苯乙烯磺酸等之混合物溶解在極性 溶媒之組成物。極性溶媒例如可舉：異丙醇（IPA )、正丁 醇、T -丁內酯、N-甲基吡咯烷酮（NMP ) 、1，3-二甲基- 2- -41 - (38) (38)582185 咪唑酮（DMI )以及其之衍生物、二甘醇-乙醚醋酸鹽、丁 基二甘醇-乙醚醋酸鹽等之乙二醇乙醚類等。 更具體之第1組成物可以以：PEDOT/PSS混合物（ PEDOT/PSS 二 1 ·· 20 ) ·· 12· 5 2 重量 ％、PSS : 1.44 重量 ％、 IPA : 10 重量 ％、NMP : 27.48 重量 ％、DMI : 50 重量 ％之例 。另外，第1組成物之黏度最好爲2〜20Ps之程度，4〜 15cPs之程度特別好。 藉由使用上述之第1組成物，吐出噴嘴H2不會產生堵 塞，可以穩定吐出。 另外，電洞植入/輸送層形成材料可以對於紅（R )、 綠（G)、藍（B )之各發光層ll〇bl〜110b3，使用相同材料， 也可以每一發光層做改變。 如第1 5圖所不般地，被吐出的第1組成物滴11 q c擴展 於被親液處理之電極面111 a以及第1積層部1 1 2e，而被塡 充在下部、上部開口部112c、112d內。假如，地1組成物 滴110c由特定的吐出位置偏離而即使被吐出在上面112f上 ，上面112f不會被第丨組成物滴hoc所濡濕，被排開之第 1組成物滴11 0c滾入下部、上部開口部丨丨2c、11 2d內。 吐出在電極面111a上之第1組成物量係由下部、上部 開口部1 1 2c、11 2d之大小、想要形成之電洞植入/輸送層 之厚度、第1組成物中的電洞植入/輸送層形成材料的濃度 等所決定。 另外’第1組成物滴1 1 〇c不限於1次，也可以分成數 次而吐出於同一電極面丨丨丨a上。在此情形，各次之第1組 成物的量可以相同，也可以每次改變第1組成物。另外，不 -42- (39) 限於電極面111a之同一處，也可以每次在電極面111a內之 不同處吐出第1組成物。 關於噴墨頭之構造，可以使用第16圖之噴墨頭Η。另 外，關於基板和噴墨頭之配置，以如第1 7圖之配置最好。 第17圖中，圖號Η7係支持上述之噴墨頭Η1之支持基板， 在此支持基板Η7上具備有多數的噴墨頭Η1。 沿著噴墨頭之長度方向呈列狀，而且，在噴墨頭之寬度 方向留有間隔，以2列設置多數（例如，1歹!J 1 80個噴嘴， 合計360個噴嘴）於噴墨頭Η1之油墨吐出面（面對基板之 面）。另外，此噴墨頭Η 1爲使吐出噴嘴面對基板側的同時 ，對於X軸（或者Υ軸）以特定角度傾斜之狀態，沿著略 X軸方向呈列狀，而且在Υ方向留有特定間隔，排列爲2列 之狀態下，多數（在第17圖中，1列6個，合計12個）被 定位支持在平面視圖略矩形狀之支持板2上。 另外，在第17圖所示之噴墨裝置中，圖號1115爲載置 基板2之工作台，圖號1116爲在圖中X軸方向（主掃描方 向）導引工作台1115之導軌。另外，噴墨頭Η係介由支持 構件1 1 11而藉由導軌11 3可以在圖中y軸方向（副主掃描 方向）移動，另外，噴墨頭Η可以在圖中Θ軸方向旋轉， 成爲能夠對於主掃描方向使噴墨頭Η1傾斜特定角度。如此 ，藉由將噴墨頭對於掃描方向傾斜配置，可以使噴嘴間距對 應畫素間距。另外，藉由調整傾斜角度，對於任何畫素間距 都可以對應。 另外，第17圖所示之基板2係在主基板配置多數之晶 片的構造。即1晶片之區域相當於1個顯示裝置。此處，雖 -43- (40) (40)582185 形成3個顯示區域2 a，但是並不限定於此。例如，對於基 板2上之左側的顯示區域2a塗布組成物時，介由導軌11 1 3 使噴墨頭Η往圖中左側移動的同時，介由導軌111 6使基板 2往圖中上側移動，一面使基板2掃描一面進行塗布。接著 ，使噴墨頭Η往圖中右側移動，對於基板中央的顯示區域 2a塗布組成物。對於爲在右端之顯示區域2a，也與上述相 同。 另外，第16圖所示之噴墨頭Η以及第17圖所示之噴 墨裝置並不限定於電洞植入/輸送層形成工程，也可以使用 在發光層形成工程。 接著，進行第1 8圖所示之乾燥工程。藉由進行乾燥工 程，乾燥處理吐出後之第1組成物，使含在第1組成物之極 性溶媒蒸發，形成電洞植入/輸送層110a。 一進行乾燥處理，含在第1組成物滴110c之極性溶媒 之蒸發主要在無機物堤防層112a以及有機物堤防層112b附 近引起，倂同極性溶媒之蒸發，電洞植入/輸送層形成材料 被濃縮、析出。 藉由此，如第19圖所示般地，在第1積層部112e上形 成了由電洞植入/輸送層形成材料所形成之周緣部110a2。 此周緣部110a2與上部開口部112d之壁面（有機物堤防層 112b)密接，其厚度，在接近電極面111a側薄，在遠離電 極面111 a側，即接近有機物堤防層11 2b側變厚。 另外與此同時，藉由乾燥處理，在電極面111a上也引 起極性溶媒之蒸發，藉由此，在電極面111 a上形成由電洞 植入/輸送層形成材料所形成之平坦部1 1 Oa 1。極性溶媒的 -44- (41) (41)582185 蒸發速度在電極面Ilia上幾乎均勻，所以電洞植入/輸送 層之形成材料在電極面111a上被均勻濃縮，由此形成了均 勻厚度的平坦部110a 1。 如此’形成了由周緣部1 1 0a2以及平坦部11 〇a 1所形成 之電洞植入/輸送層110a。 另外，即使爲不形成在周緣部1 10a2，而只在電極面 111 a上形成電洞植入/輸送層之形態亦可。 上述之乾燥處理例如在氮氣環境中、室溫、壓力例如在 133.3Pa(lT〇r〇之程度下進行。壓力若太低，第1組成物 11 0c沸騰，並不理想。另外，溫度若在室溫以上，極性溶 媒的蒸發速度變快，無法形成平坦之膜。 乾燥處理後，最好藉由在真空中、以200度進行10分 鐘程度之加熱熱處理，以去除殘留在電洞植入/輸送層 I 10a內之極性溶媒和水。 在上述之電洞植入/輸送層形成工程中，所被吐出的第 1組成物滴11 0c被塡滿於下部、上部開口部1 1 2c、1 1 2d內 ，另一方面，第1組成物由被撥液處理之有機物堤防層 II 2b所排開而滾入下部、上部開口部11 2c、11 2d內。藉由 此，一定可將吐出的第1組成物滴1 1 0c塡充在下部、上部 開口部1 1 2c、11 2d內，可以在電極面11 1 a上形成電洞植入 /輸送層110a。 (3 )發光層形成工程 接著，發光層形成工程是由發光層形成材料吐出工程、 以及乾燥工程形成，利用先前第4圖所示之發光層形成裝置 -45- (42) 27進行。 發光層形成工程是藉由噴墨法（液滴吐出法）在電洞植 入/輸送層110a上吐出含發光層形成材料之第2組成物後 予以乾燥處理，在電洞植入/輸送層11 0a上形成發光層 110b。 第20圖係顯示藉由噴墨之吐出方法。如第20圖所示般 地，使噴墨頭H5和基板2相對移動，由形成在噴墨頭之吐 出噴嘴H6吐出含各色（例如，此處爲藍色（B))發光層 形成材料之第2組成物。 在吐出之際，使吐出噴嘴面對位於下部、上部開口部 112c、112d內之電洞植入/輸送層110a，一面使噴墨頭H5 和基板2相對移動，一面吐出第2組成物。由吐出噴嘴H6 所吐出的液量的每一滴的液量受到控制。如此，液量受到控 制之液滴（第2組成物滴110e)被由吐出噴嘴吐出，將此 第2組成物滴ll〇e吐出在電洞植入/輸送層110a上。 發光層形成材料可以使用[化1]〜[化5]所示之聚芴系高 分子衍生物、和（聚）對次苯基乙烯衍生物、聚次苯基衍生 物、聚乙烯咔唑、聚硫茂衍生物、芘系色素、香豆素系色素 、丹寧系色素、或者在上述高分子摻雜有機EL材料。例如 藉由摻雜：紅螢烯、芘、9,10-二苯蒽、四苯丁間二烯、尼 羅紅、香豆素6、D奎吖卩定酮（quinacridone )等而加以使用。 非極性溶媒則以不溶於電洞植入/輸送層110a者爲佳 ，例如可以使用：環己苯、二氫苯並呋喃、三甲基苯、四甲 基苯等。 藉由將此種非極性溶媒使用於發光層110b之第2組成 -46- (43) 物，能夠不使電洞植入/輸送層11 Oa再度溶解而塗布第2 組成物。 如第20圖所示般地，所被吐出之第2組成物11 Oe擴展 於電洞植入/輸送層11 0a上而被塡滿下部、上部開口部 112c、112d內。另一方面，在被撥液處理之上面112f中， 第1組成物滴ll〇e即使由特定之吐出位置偏離而被吐出在 上面112f上，上面112f也不會被第2組成物滴110e濡濕， 第2組成物滴110e滾入下部、上部開口部112c、112d內。 吐出於個電洞植入/輸送層11 0a上之第2組成物量由 下部、上部開口部11 2c、11 2d之大小、想要形成之發光層 11 〇b的厚度、第2組成物中的發光層材料的濃度等而決定 〇 另外，第2組成物110e不單是一次，也可以分成數次 而吐出在同一電洞植入/輸送層110 a上。在此情形，各次 之第2組成物的量可以相同，也可以各次改變第2組成物之 液量。另外，不單是在電洞植入/輸送層110a之同一處， 也可以每次對電洞植入/輸送層110a內之不同處吐出配置 第2組成物。 接著，在將第2組成物吐出在特定位置結束後，藉由乾 燥處理吐出後的第2組成物滴110e，形成了發光層ll〇b3。 即藉由乾燥，含在第2組成物之非極性溶媒蒸發，形成如第 21圖所示之藍色（B)發光層110b3。另外，在第21圖中， 雖只圖示1個發出藍色光之發光層，但是由第9圖和其他圖 可以明白，本來發光元件爲被形成呈矩陣狀者，所以形成有 未圖示出的多數之發光層（對應藍色）。 -47- (44) 接著’如第22圖所示般地，利用與上述藍色（B)發 光層1 10b3時相同之工程，形成紅色（r )發光層n〇bl， 最後形成綠色（G)發光層110b2。 另外’發光層ll〇b之形成順序並不限定於上述順序， 可以任何順序形成。例如，也可以因應發光層形成材料以決 定形成之順序。 另外’在藍色1 10b3時，例如發光層之第2組成物的乾 燥條件可以設爲：氮氣環境中、室溫下、壓力 133.3Pa(lT〇rr)之程度，進行5〜10分鐘。壓力如太低，第2 組成物沸騰，並不理想。另外，如使溫度超過室溫以上，非 極性溶媒的蒸發速度快，發光層形成材料很多附著於上部開 口部11 2 d壁面，並不理想。 另外，在綠色發光層110b2、以及紅色發光層ll〇b 1時 ，發光層形成材料的成份數多，最好使之早一點乾燥，例如 ，可以設條件爲在40度、吹氮氣5〜10分鐘之條件。 其他之乾燥手段可以遠紅外線照射法、高溫氮氣氣體吹 拂法等。 如此，在畫素電極111上形成電洞植入/輸送層ll〇a 以及發光層110b。 (4 )相向電極（陰極）形成工程 接著，在相向電極形成工程中，如第23圖所示般地， 在發光層110b以及有機物堤防層112b之全面形成陰極12 (相向電極）。 陰極1 2可以積層多數材料而形成。例如，在接近發光 -48- (45) (45)582185 層側，以形成功率函數小的材料爲佳，例如，可以使用Ca 、：Ba等，另外，依據材料，也有在下層薄薄形成LiF等爲 佳之情形。另外，也可以在上部側（密封側）使用功率函數 比下部側高之材料，例如A1。 氟化鋰可以只形成在發光層ll〇b上，另外，也可以對 應特定的顏色而形成。例如，可以只形成在藍色（B )發光 層110b3上，在此情形，變成由鈣形成之上部陰極層接觸其 他之紅色（R)發光層以及綠色（G)發光層ll〇bl、110b2 ο 這些陰極1 2例如雖可以利用蒸鍍法、濺鍍法、CVD法 等形成，但是爲了防止由於熱所引起之發光層11 〇b的損傷 ，所以在本例中，使用蒸鍍法。即將基板2朝下配置在先前 第6圖所示之第1蒸鍍處理室84、以及第2蒸鍍處理室85 ，加熱材料使之蒸發，以形成陰極12。此時，第1蒸鍍處 理室84和第2蒸鍍處理室85使用不同材料，將基板依序搬 入雙方之處理室以進行蒸鍍，可以形成積層膜。 另外’在陰極12的上部以使用A1膜、A g膜等爲佳。 另外，其厚度例如以100〜l〇〇〇nm之範圍爲佳，特別是200 〜500nm之程度爲佳。 另外，爲了防止氧化，也可以在陰極12上設置Si〇2、 SiN等之保護膜。 (5 )密封工程 最後，密封工程爲利用先前第6圖所示之密封裝置23 ，介由密封材料（密封樹脂等）密封形成發光元件之基板2 -49- (46) (46)582185 和密封基板3 b。 在本例中，利用先前第6圖所示之密封樹脂塗布處理室 86，在基板2之周緣部塗布由熱硬化樹脂或者紫外線硬化樹 脂形成之密封樹脂，利用貼合處理室87，在密封樹脂上配 置密封基板3b。 藉由此工程，形成先前第2圖所示構造之密封部。 密封工程以在氮氣、氬氣、氨氣等之惰性氣體環境中進 行爲佳。如在大氣中進行，於陰極1 2產生針孔等之缺陷時 ，水和氧氣等由此缺陷部份侵入陰極1 2，陰極1 2有被氧化 之虞，並不理想。 第2 4圖、第2 5圖、以及第2 6圖係模型地顯示密封部 的構造例。 在第24圖之例中，密封樹脂3〇6被配置在基板2之周 緣，將密封樹脂306當成黏著材料，配置由玻璃和金屬等形 成之密封基板（密封罐）307以覆蓋陰極303。 在第25圖之例中’塗布密封材料3〇8以幾乎覆蓋陰極 12全體’在該密封材料3()8之上配置密封基板（密封罐） 309。密封材料308例如可以使用由熱硬化樹脂或者紫外線 硬化樹脂等形成之樹脂，以硬化時不產生氣體、溶媒等爲佳 。此％、封材料例如具有防止水或者氧氣侵入陰極3〇3，防止 陰極之氧化的機能。 在第26圖之例中，配置第丨密封材料31〇以幾乎覆蓋 陰極1 2全體，在該第1密封材料3 1 0之上配置第2密封材 料3 11在该第2始封材料3 11之上配置密封基板3〗2。第 1密封材料310例如具有強化防止水或者氧氣或者金屬之侵 -50- (47) (47)582185 入的密封作用的機能，和提升光的取出效率之光學機能（折 射率的改善等）等特定的機能。 密封工程以在氮氣、氬氣、氦氣等之惰性氣體環境中進 行爲佳。如在大氣中進行，於陰極12產生針孔等之缺陷時 ，水和氧氣等由此缺陷部份侵入陰極12，陰極12有被氧化 之虞，並不理想。 藉由以上之製程，完成有機EL裝置。 此後，在基板2之配置連接陰極12的同時，藉由在設 置於基板2上或者外部的驅動1C(驅動電路）連接電路元件部 14 (參考第9圖）之配線，完成本例之有機EL顯示裝置1 〇 第27A圖〜第27C圖係顯示本發明之電子機器的實施 形態例。 本例之電子機器係具備上述之有機EL顯示裝置等之本 發明的光電裝置以作爲顯示手段。 第27A圖係顯示行動電話之一例的斜視圖。在第27A 圖中，圖號600係顯示行動電話本體，圖號601係顯示使用 上述之顯示裝置的顯示部。 第27B圖係顯示文字處理器、個人電腦等之攜帶型資 訊處理裝置的一例之斜視圖。在第27B圖中，圖號7〇〇係顯 示資訊處理裝置，圖號701係顯示鍵盤等之輸入部，圖號 7 03係顯示資訊處理裝置本體，圖號702係顯示利用上述之 顯示裝置的顯示部。 第27C圖係顯示手錶型電子機器之一例的斜視圖。在 第27C圖中，圖號800爲顯示手錶本體，圖號801爲顯示利 -51 - (48) (48)582185 用上述之顯示裝置的顯示部。 第27A圖〜第27C圖所示之各種的電子機器，由於具 備本發明之光電裝置以作爲顯示手段，所以可以實現品質優 異之顯示。 以上，雖一面參考所附圖面以面說明本發明之合適的實 施例，但是不用說本發明並不限定於此。在上述例中所示之 各構成構件的諸形狀和組合等，不過爲其一例而已，在不脫 離本發明之主旨的範圍中，依據設置要求等，可以有種種變 更0 【圖式簡單說明】 第1圖係說明本發明之有機EL裝置的製造方法的槪念 用之圖。 第2圖係說明藉由壓電方式之液滴吐出原理用之圖。 第3圖係模型地顯示本發明之有機EL裝置的製造裝置 的實施形態例。 第4圖係模型地顯示機能層形成裝置的構造圖。 第5A以及第5B圖係槪略顯示含分配裝置以及收付裝 置之搬運系統的構成例圖，第5A圖爲平面圖，第5B圖爲 側面圖。 第6圖係模型地顯示相向電極（陰極）形成裝置、以及 密封裝置圖。 第7A〜第7C圖係顯示相向電極形成裝置的搬運系統的 構成例圖。 第8圖係模型地顯示蒸鍍處理室之構成例圖。 -52- (49) (49)582185 第9圖係模型地顯示本發明之光電裝置的實施形態例之 有機EL顯示裝置的構成圖。 第10圖係顯示主動矩陣型有機EL顯示裝置的電路之 一例的電路圖。 第U圖係放大有機EL顯示裝置的顯示區域的剖面構 造圖。 第12圖係顯示電漿處理裝置的第1電漿處理室之內部 構造模型圖。 第1 3圖係說明有機EL裝置的製造方法的工程圖。 第14圖係說明有機EL裝置的製造方法的工程圖。 第1 5圖係說明有機EL裝置的製造方法的工程圖。 第1 6圖係顯示液滴吐出用之噴頭（噴墨頭）的平面圖 〇 第17圖係顯示液滴吐出裝置（噴墨裝置）的平面圖。 第1 8圖係說明有機EL裝置的製造方法的工程圖。 第19圖係說明有機EL裝置的製造方法的工程圖。 第20圖係說明有機EL裝置的製造方法的工程圖。 第2 1圖係說明有機EL裝置的製造方法的工程圖。 第22圖係說明有機EL裝置的製造方法的工程圖。 第23圖係說明有機EL裝置的製造方法的工程圖。 第24圖係模型地顯示密封部的構造例圖。 第2 5圖係模型地顯示密封部的構造例圖。 第26圖係模型地顯示密封部的構造例圖。 第27A〜第27C圖係顯示發明之電子機器的實施形態例 圖0 -53 - (50) (50)582185 第28圖係具備當作電子元件的一例之有機EL裝置的 有機EL顯示裝置的剖面模型圖。 第29圖係說明本發明之有機EL裝置的製造方法之槪 念用圖。 第30圖係模型地顯示密封部的構造例圖。 第3 1圖係模型地顯示密封部的構造例圖。 第32圖係模型地顯示密封部的構造例圖。 主要元件對照表 20 製造裝置 21 機能層形成裝置 22 相向電極形成裝置 23 密封裝置 25 電漿處理裝置 26 電洞植入/輸送層形成裝置 27 發光層形成裝置 3 0 分配裝置 40 收付裝置 51 預備加熱處理室 52 第1電漿處理室 53 第2電漿處理室 54 冷卻處理室 62 基板反轉裝置 70 塗布處理室 71 預備加熱處理室 -54- (51) 加熱處理室 冷卻處理室 第1蒸鍍處理室 第2蒸鍍處理室 基板 電極 機能層 相向電極 密封部 密封樹脂 密封基板 密封材料 密封基板 第1密封材料 第2密封材料 密封基板 液體室 壓電元件 液體材料供給系統 驅動電路 -55-

Claims (1)

1. (1) (1)582185 拾、申請專利範圍 1· 一種有機EL裝置的製造方法，特徵爲具有： 在形成於基板上的電極上形成機能層的機能層形成工程 ;和藉由蒸鍍形成夾著上述機能層與上述電極相向的相向電 極之相向電極形成工程， 在上述機能層形成工程和上述相向電極形成工程之間， 具有反轉上述基板之基板反轉工程。 2·如申請專利範圍第1項記載之有機EL裝置的製造 方法，其中，在上述機能層形成工程中，於上述基板上吐出 含形成上述機能層之材料的液滴。 3.如申請專利範圍第1項記載之有機EL裝置的製造 方法，其中，在形成上述機能層後，由裝置搬運上述基板的 同時，反轉上述基板。 4·如申請專利範圍第1項記載之有機EL裝置的製造 方法，其中，將上述基板搬運於蒸鍍上述相向電極的位置的 同時，反轉上述基板。 5· —種有機EL裝置的製造裝置，特徵爲具備： 在形成於基板上的電極上形成機能層的機能層形成裝置 ;和反轉形成有上述機能層之上述基板的基板反轉裝置；和 藉由蒸鍍以形成夾著上述機能層與上述電極相向之相向電極 的相向電極形成裝置。 6·如申請專利範圍第5項記載之有機EL裝置的製造 裝置，其中，上述機能層形成裝置具備：在上述基板上吐出 上述機能層的形成材料之液滴的液滴吐出裝置。 7·如申請專利範圍第5項記載之有機EL裝置的製造 -56- (2) (2)582185 裝置，其中，上述機能層形成裝置爲旋轉塗布裝置。 8. 如申請專利範圍第5項記載之有機EL裝置的製造 裝置，其中，上述基板反轉裝置爲將上述基板搬出搬入蒸鍍 上述相向電極之位置的裝置。 9. 如申請專利範圍第5項記載之有機EL裝置的製造 裝置，其中，上述基板反轉裝置係被配置在上述機能層形成 裝置和上述相向電極形成裝置之間。 t 10. —種光電裝置’其特徵爲具備： 利用申請專利範圍第9項記載之有機EL裝置的製造裝 置而所製造的有機EL裝置。 11. 一種電子機器，其特徵爲： 具備如申請專利範圍第10項記載之光電裝置以作爲顯 示手段。 12. —種有機EL裝置的製造方法，其特徵爲具有： 藉由蒸鍍形成被形成在基板上的有機EL裝置之陰極的 陰極形成工程；和密封上述有機EL裝置的密封工程， φ 在上述陰極形成工程和上述密封工程之間，使上述基板 反轉。 ， 13. 如申請專利範圍第12項記載之有機EL裝置的製造 方法，其中，上述密封工程包含在上述陰極上塗布密封材料 之工程。 14. 如申請專利範圍第1項或者申請專利範圍第1 3項 中任一項所記載之有機EL裝置的製造方法，其中，伴隨將 上述基板搬運於蒸鍍上述陰極之位置的動作，使上述基板反 轉。 -57- (3) (3)582185 15· ~種有機EL裝置的製造裝置，其特徵爲具備： 藉由蒸鍍形成被形成在基板上之有機EL裝置的陰極的 陰極形成裝置；和使上述基板反轉的基板反轉裝置；和密封 上述有機EL裝置的密封裝置。 16·如申請專利範圍第15項記載之有機EL裝置的製造 裝置’其中，上述密封裝置具有在上述陰極上塗布密封材料 之手段。 17 ·如申請專利範圍第1 5項記載之有機EL裝置的製造 裝置’其中，上述基板反轉裝置爲由形成在將上述基板搬運 於蒸鍍上述陰極之位置的裝置而成。 18· —種光電裝置，其特徵爲具備： 利用申請專利範圍第丨7項記載之有機EL裝置的製造 裝置而所製造的有機EL裝置。 19· 一種電子機器，其特徵爲： 具備申請專利範圍第i 8項記載之光電裝置以作爲顯示 手段。