TW575787B - Ester compounds having alicyclic structure and method for preparing same - Google Patents

Ester compounds having alicyclic structure and method for preparing same Download PDF

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Takeru Watanabe
Koji Hasegawa
Takeshi Kinsho
Mutsuo Nakashima
Seiichiro Tachibana
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Shinetsu Chemical Co
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Description

575787 A7 B7 五、發明説明(1 ) 本發明係有關作爲適於微細加工技術化學增幅型光阻 材料之基劑樹脂用單體有用之新穎酯化合物及其製造方法 者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 近來,伴隨L S I之高集成化與高速度化,力求模型 規格之微細化中,被視爲可期待作爲下世代微細加工技術 之遠紫外線光蝕刻術。其中又以K r F激元雷射,A r F 激元雷射作爲光源之。光蝕刻術被熱切期待作爲實現 〇 · 3 // m以下之超微細加工不可欠缺之技術者。 針k彳以激兀雷射’特別是波長1 9 3 π m之A r F激 元雷射作爲光源之光蝕刻術所使用之光阻材料,當然可確 保於該波長之高透明性,可對應薄膜化之高耐蝕刻性,高 價光學系材料爲無負擔之高感度,更被期待兼具可正確形 成微細模型之高顯像性能者。爲滿足此等要求,因而熱力 開發一種高透明性,高剛硬性,且爲高反應性之基劑樹脂 者。惟,目前公知之高分子化合物中並無法完全具備其特 性,仍處於實用性不足之光阻材料者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 作爲高透明性樹脂者公知者有丙烯酸或甲基丙烯酸衍 生物之共聚物,原於原菠烯衍生物之脂肪族環狀化合物含 於主鏈之高分子化合物等,惟,其均無法滿足者。例如, 丙烯酸或甲基丙烯酸衍生物之共聚物由於可自由導入高反 應性單體,增加酸不安定單位之量,因此,較易提高反應 性,卻極不易提高主鏈結構上之剛硬性。另外,針對脂肪 族環狀化合物含於主鏈之高分子化合物其剛硬性雖於容許 範圍內,惟,比主鏈結構上聚(甲基)丙烯酸酯對酸之反 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 A7 _______B7_ 五、發明説明() {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 應性較爲遲鈍,且,聚合自由度亦低,因此,不易提高反 應性。更,由於主鏈之疏水性高,因此,塗佈於基板時其 密合性不良之缺點出現。因此,調製以此等高分子化合物 作爲基劑樹脂之光阻材料時,即使感度與顯像性充足,其 耐蝕刻性卻不足,或即使具有可容許耐鈾刻性,其低感度 ’低顯像性呈不實用之缺陷結果者。 本發明係鑑於上述問題點以提供一種,於以3 0 0 n m以下之波長,特別是A r F激元雷射作爲光源之光蝕 刻術中,作爲具良好反應性與透明性之光阻材料製造用單 體有用之新穎酯化合物及其製造方法爲目的者。 本發明者爲遠成上述目的,經精密硏討結果發現,藉 由後述方法後,可以高收率且簡便方法取得下記一般式( 1 )所示之酯化合物者,更且,利用此酯化合物所取得之 樹脂於激元雷射之曝光波長下透明性高,以此作爲基劑樹 脂使用之光阻材料具有良好的感度,顯像性者。 亦即,本發明係提供下記之酯化合物者。 (I )下記一般式(1 )所示之酯化合物。
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中,R1代表氫原子,或碳數1〜6之直鏈狀,分 枝狀或環狀烷基。R 2代表酸不安定基。k爲〇或1,m爲 __ - -__ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX 297公釐) 575787 A7 B7 ---- 3 ^- 五、發明説明() 滿足〇 $ m ^ 5之整數者。) (I I )該一般式(1 )所示之醋化合物係以下記一 般式(2 )或(3 )所示者爲特徵之(1 )所載醋化合物 者。
(式中,^與上述相同者。R3代表氫原子或甲基。R 4〜R 7分別爲獨立之碳數1〜1 5之直鏈狀、分枝或環狀 院基,其中R4 , R5及R6之碳數和爲4以上者。Z代表 碳數4〜1 5之2價烴基’可與兩端結合之碳原子共同形 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝' 訂 環 成 者 法 方 造 製 之 記 下 供 提 係 明 發 本 又 ’ 反 中成 物加 合行 化進 基屬 羰金 之醇 示烯 所之 } 酯 4 酸 C醋 式之 般示 一 所 記 } 下 5 \Jy /IV I 式 I般 I - ( 己 11— 下 使 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 之 徵 特 爲 基 羥 。 應法 或 方 造 製 之 物 合 化 醋 載 所 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787
五、 發明説明( ΖΞΧ
(4)
R· M0-/ OR2 (5)
L (式中,k ,m,R 1,R 2爲與上述相同者。Μ代表 ,Na ,k,MgY或ΖηΥ者。Υ爲鹵原子。) 以下,針對本發明進行更詳細之說明。 本發明酯化合物爲下記一般式(1 )所示者。 暮 ⑴ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· ·〇Η 〇= OR」 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中,R1代表氫原子,或碳數1〜6之直鏈狀、分枝 或環狀烷基,作爲烷基者爲甲基,乙基’正一丙基’異丙 基,正一 丁基,異丁基,次一 丁基,第3 — 丁基,第二一 戊基,正—戊基,正一己基,環戊基,環己基等例者。R2 代表酸不安定基,k爲〇或1者。m爲滿足〇 ^ S 5之 整數者。更佳者爲〇^πι^3者。 作爲R 2酸不安定基者特別以下記式所示者宜。 /R4 —Ος-R5
—C Z R6 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 575787 A7 B7 五、發明説明() 該一般式(1 )所示之酯化合物例特別以下記一般式 (2 )或(3 )所示之酯化合物者宜。
式中,m爲與上述相同者。R3代表氫原子或甲基。R 4〜R 7分別爲獨立之碳數1〜1 5之直鏈狀,分枝或環狀 烷基者,其中R4、R5及R6之碳數和爲4以上者。碳數 1〜1 5之直鏈狀,分枝或環狀烷基之具體例如:甲基, 乙基,正一丙基,異丙基,正- 丁基,異丁基,次一丁基 ’第3 - 丁基,第3 —戊基,正—戊基,正一.己基,環戊 基,環己基,環戊基甲基,環戊基乙基,環己基甲基,環 己基乙基,雙環〔2 · 2 · 1〕庚基,雙環〔2 · 2 · 2 〕辛基,雙環〔3 · 3 · 1〕壬基,雙環〔4· 4. 〇〕 癸基,三環〔5 · 2 · 1 · 〇2·6〕癸基,四環〕4 . 4 • 0 · 1 2 · 5 1 7 · 1 °〕十二基,金剛基等例。Z化表碳數 4〜1 5之亞烷基,伸烯基等2價烴基,結合兩端之碳原 子共同形成環後,所形成環之具體例如··環戊烷,環戊烯 ,環己烷,環己烯,雙環〔2 · 2 · 1〕庚烷,雙環〔4 • 4· 0〕癸烷,三環〔5. 2· 1 ·02·6〕癸烷,四 環〔4 · 4 · 0 · 1 2 . 5,1 7 . 1 °〕十二烷,金剛烷等例 ° ) _____ _ ft _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) --------II (請先閲讀背面之注意事項存填寫本頁) ,ιτ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 575787 A7 B7 五、發明説明() 作爲該一般式(1 )及該一般式(2 )或(3 )所示 之酯化合物之具體例者如下記者。 c c 】
or^ob irrrH
9h<
½
示酸 所醋 式鹵 應或 反 記時 下子 如原 爲氫 作爲 係 X 物C 合酯 化酸 酯醋 之應 } 對 1 之 C示 式所 明 } 發 6 本C 式 於 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 子之 原得 鹵取 爲將 X , C 屬 酯金 後 |惟心 反 成 加 核 求 醇由 烯藉 之中 } 物 5 合 C化 式基 製羰 調之 \ly 作 4 行C 進式 基於 鹼屬 使金 } 醇 時烯^ 得 取 可 基 羥 爲 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 A7 _____ B7
五、發明説明() (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中,k,m,R1,R2爲與上述相同者。Μ代表L i ,1^&,1<;,“2¥或211丫者。¥代表鹵原子。又爲 氫原子或鹵原子者。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 鹼基加成作爲作爲烯醇金屬所使用之鹼基之具體.例如 :鈉醯胺,鉀醯胺,鋰二異丙醯胺,鉀二異丙醯胺,鋰二 異丙醯胺,鉀二氯己醯胺,鋰二環己醯胺,鋰2,2,6 ,6 —四甲基哌啶,鋰雙三甲基烯丙基醯胺,鈉雙三甲基 烯丙基醯胺,鉀雙三甲基烯丙基醯胺,鋰異丙基環己醯胺 ,溴化鎂二異丙醯胺等金屬醯胺,鈉甲氧基,鈉乙氧基, 鋰甲氧基,鋰乙氧基,鋰第3 — 丁氧基,鉀第3 — 丁氧基 等院氧基,氫氧化鈉,氫氧化鋰,氫氧化鉀,氫氧化鋇, 氫氧化四-正-丁銨等無機氫氧化物,碳酸鈉,碳酸氫鈉 ’碳酸鋰,碳酸鉀等無機碳酸鹽,硼,烷硼,氫化鈉,氫 化鋰,氫化鉀,氫化鈣等金屬氫化物,三苯甲基鋰,三苯 甲基鈉,三苯甲基鉀,甲基鋰,苯基鋰,次—丁鋰,第3 一丁鋰*乙基鎂溴化物等烷基金屬化合物,鋰,鈉,狎, 鎂’鋅爲金屬(使用鹵醋酸酯,及鋅之反應即Ref〇rmatsky 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -ίο-__ 575787 A7 B7 五、發明説明() 反應爲公知者。)之例示,惟,並不僅限於此者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,該式(4 )之羰化合物與式(5 )之烯醇金屬相 互之加成反應當前者爲1莫耳時,後者以〇 · 8〜1 . 5 莫耳之比例使用者宜。作爲溶媒之例者以四氫呋喃,二乙 醚,二一正一 丁醚,1 ,4 一二氧陸圜,乙二醇二甲醚, 乙二醇二乙醚等醚類,己烷,庚烷,苯,甲苯,二甲苯, 枯烯等烴基類者宜。此等溶媒可單獨或混合使用均可。該 反應溫度,時間依其所使用啓始原而異,一般如:使用作 爲原料之醋酸酯{或(6 )中,X爲氫原子時}及鋰二異 丙醯胺,鋰雙三甲基烯丙基醯胺等強鹼基時,其烯醇金屬 由於對熱不安定,因此,使反應溫度維持於一 8 〇〜 一 3 0 °C之低溫,反應時間爲〇 · 5〜3小時者宜。又, 於鹵醋酸酯{式(6 )中,X爲鹵原子時)及鋅,鎂等金 屬時,通常使反應溫度保持於2 0〜8 0 °C,反應時間爲 1〜2 0小時者爲較佳,惟,並非僅限於此。 羥基鹼基 以本發明酯化合物作爲單體使用後,製造其 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 聚合物時,通常混合該單體類與溶媒後,添加觸媒或聚合 啓發劑後,依不同情況,進行加熱或冷卻同時進行聚合反 應。此等聚合可依其常法進行之。 以該聚合所取得之聚合物作爲基劑聚合物之光阻材料 通常係於此中加入有機溶劑與酸產生劑後進行調製之方法 者。更於必要時,可添加交聯劑,鹼基性化合物,溶解阻 礙劑等。此等光阻材料之調製可依其常法進行之。 利用聚合本發明酯化合物所取得之聚合物所調製之光 —___-__> 11 > _ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 A7 -------B7 五、發明説明(9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 阻材料係感應於高能量線,具良好感度,顯像性,耐蝕亥IJ 性’藉由電子線,遠紫外線對於微細加工爲極有用者。特 別是於A r F激元雷射’ κ r F激元雷射之曝光波長之吸 收極小,因此,可容易形成微細且對於基板呈垂直之模型 者’作爲理想之超L S I製造用之微細模型形成材料者。 〔實施例〕 以下,以合成例、實施例及參考例進行本發明具體說 明,惟,本發明並不僅限於下記例者。 〔合成例〕 依以下所示處方進行合成本發明之酯化合物。 〔〔合成例1〕 3 —羥基—3 —(5 —原菠烯一 2 -基)丙酸1 一乙基環 戊基(單體1 )之合成 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 首先,氮氣環境下,lkg無水四氫咲喃中,一60 艺下,使1 84g鋰雙(三甲基烯丙基)醯胺與1 72g 之醋酸1 -乙基環戊基進行反應後調製鋰烯醇鹽。再緩慢 添加1 2 2 g之5 —原菠烯一 2 -卡巴醛,隨後以1個小 時昇溫至一 2 0 °C後,進行反應。再添加1 k g之飽和氯 化銨水溶液後,停止反應後以己烷萃取之。水洗有機層後 ,以無水硫酸鈉進行脫水,過濾後,進行減壓濃縮。藉由 矽膠柱體層析法進行精製後,取得2 6 4 g之3 —羥基一 3 —(5 —原菠烯一 2 —基)丙烯1—乙基環戊酯(收率 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2]0乂297公釐) 575787 A7 B7
TO 五、發明説明() 9 6%)。 IR (薄膜):u = 3〇25(br·) ,3〇57 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,2966,287〇,1713, 170 9, 1335 ,1284,1254,1167,1072cm-1 主要非對映異構物之iH-NMR (270MHz, i n C D C 1 3 ) : 5 = 0 . 44 (lH?m), 0.84(3H,t,卜 4·9Ηζ), 1 · 2 1 ( 1 Η,m ) ,1 · 4 1 ( 1 Η,m ), 1 · 5 0 — 1 · 8 0 ( 7 Η,m ), 1 . 8 0 — 2 · 2 0 ( 5 Η,m ), 2.26(lH,dd,J = 16.6,9.2Hz) , 2.44(lH,dd,J = 16.6,2.4Hz), 2 · 7 8 ( 1 H,m ) ,3 · 0 8 ( 1 H,m ), 3 . 2 7 ( 1 H,m ) ,3 · 5 〇(1 H,m ), 6 . 0 3 ( 1 H,m ) ,6 · 1 3 ( 1 H,m )。 〔合成例2〕 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3 —羥基一 3 -(5 —原菠烯—2 -基)丙酸2 —乙基一 2 —掛一原菠基(單體2)之合成 以醋酸2 —乙基一 2 —掛一原菠基取代醋酸1 一乙基 環戊酯使用之外,與合成例1同法取得3 —羥基一 3 -( 5 —原菠烯一 2 -基)丙烯2 —乙基一 2 —掛一原菠基( 收率9 5 % )。 IR (薄膜):u = 3502(br.) ,3057 _- 13 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 A7 B7 π 五、發明説明() ,2966,2870,1722,1711,133 0 ,1193 , 1173 , 1 132 ,1〇 74, 1032 c m — 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 主要非對映異構物之iH — NMR (270MHz , in C D C 1 3 ) : o = 0 . 4 5 ( 1 H,m ), 〇·8〇(3Η,ΐ,1=7·〇Ηζ), l.〇3(lH,m),l.l〇一 2·3〇{ 2.23 (lH,dd,J = 17.0,7.8Hz)所 含之 1 4 h H,m }, 2 .44(lH,dd,J = 17.〇,2.4Hz), 2.53(2H,m) ,2.78(lH,m), 3.〇8(lH,m) ,3.14(lH,m), 3 · 2 6 ( 1 H,m ) ,6 . 0 3 ( 1 H,m ), 6 . 1 3 ( 1 H,m )。 〔合成例3〕 3 —羥基一 3 — (5 -原菠烯一 2 —基)丙酸1—環己環 戊酯(單體3)之合成 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以醋酸1 一環己環戊酯取代醋酸1 一乙基環戊酯使用 之外,與合成例1同法取得3 —羥基一 3 -( 5 —原菠烯 一 2 —基)丙烯1 一環己環戊酯(收率9 4%)。 IR (薄膜):u = 3496(br.) ,3〇57 ,2931,2854,1711,1448,1335 ,1186,1155,1072,l〇34cm-1 _- 14 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明() 主要非對映異構物之"H — NMR (270MHz , 1 n C D C 1 a ) : 5 = 0 . 4 5 ( 1 H ^ m ), 〇.8〇一 2.15(23H,m), 2.25(lH,dd,J = 16.5,9.〇Hz), 2 . 3 3 ( 1 H,m ), 2.42(lH,dd,J = 16.5,2.4Hz), 2 · 7 8 ( 1 H,m ) ,3 · 0 7 ( 1 H,m ), 3 . 2 6 ( 1 H,m ) ,6 · 0 4 ( 1 H,m ), 6 . 1 3 ( 1 H,m )。 〔合成例4〕 3 -羥基一 3 —(5 -原菠烯一 2 —基)酪酸1 一乙基環 戊酯(單體4)之合成 以5 —乙醯基一2 —原菠烯取代5 —原菠烯一 2 —卡 巴醛使用之外,與合成例1同法取得3 —羥基一 3 -( 5 一原菠烯一 2 —基)酪酸1—乙基環戊酯(收率9 5%) 〇 IR (薄膜):u = 3502 (br·) ,3057 ,2968,2873,1722,1705,1459 ,1373,1336,1211,1171 nr1 主要非對映異構物之iH — NMR (270MHz, 1 n CDCls):(5 = 〇.86(3H,t,J = 7 · 3 Η z ) ,1 · 〇 5 ( 1 Η,m ), 1 · 2 1 ( 1 Η,s ),1 · 3 7 ( 1 Η,m ), _=-15-:_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575787 明發五 2 2 2 2 2 6
7 7 A B ζ ζ Η Η Η --*_ ) 7 7 , C m ) 1 , 4 4 0 0 LJ一 IX , . 3 II II Η 6 , 1—I _—- _—> CXI ?0 } c , } , c } } m5dmd5mm ? r—i ? ? 5 00 ? ? )Η · Η Η Η · Η H i—1 CV1 r-1 lx IX 〇0 IX IX /V /l\ I r\ r\ /l\ I /l\ /l\ ^95807017説 3 4 2 3 3 7 9 m (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〔合成例5〕 3 —羥基—3 — (5 —原菠烯一 2 -基)酪酸2-乙基― 2 -掛一原菠酯(單體5)之合成 以醋酸2 —乙基一 2 —外側一原菠酯取代醋酸1 一乙 基環戊酯使用之外,與合成例4同法取得3 —羥基- 3 -(5 -原菠烯一 2 —基)酪酸2 —乙基一 2 —掛—原菠酯 (收率9 4 % )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 IR(薄膜):u=3502(br.),3057 ,2966,2873,170 4,1702,1457 ,1373,1331,12〇3,1173,1132 ^ 110 5cm'1 主要非對映異構物之iH — NMR (270MHz , in C D C la) :0 = 0.82(3H,t,J = 7 . 6 H z ) ,1.0〇一 l.l〇(2H,m), 1.15 — 1.3 〇{1.21(3H,s)所含之( _- 1fi -_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 μ Β7五、發明説明() 5 Η,m ) } ,1 · 3 Ο - 1 · 6 〇(5 Η,m ), 1.65(lH,m) ,1·7〇 — 1.90(2H,m ),1 · 9 8 ( 1 Η,m ), 2.15 — 2.35{2.28(lH,d,J = 1 4 . 6 Η z )所含之(4 Η,m ) }, 2.37(lH,d,J = 14.6Hz), 2.58 (lH,m) ,2.75 — 2.90(2H,m ),2 · 9 2 ( 1 H,m ) ,6 · Ο 1 ( 1 H,m ), 6 · 1 7 ( 1 H,m )。 〔合成例6〕 3 —羥基一3 — (5 -原菠烯—2 —基)酪酸1 一環己基 環戊酯(單體6 )之合成 以醋酸1 -環己基環戊酯取代醋酸1 -乙基環戊酯使 用之外,與合成例1同法取得3 -羥基一 3 -(5 —原菠 烯一 2 -基)酪酸1 一環己基環戊酯(收率9 5 % )。 IR (薄膜):u = 35〇2(br·) ,3〇57 ,2933,2854,1701,1699,145 0 ,1371,1336,1209,1186,1157 cm"1 主要非對映異構物之iH — NMR (270MHz, 1 n C D C la) :5 =〇.90 — 2.〇5{1,19 (3 H,s )所含之(2 5 H,m ) }, 2.20 - 2.4〇{2.27(lH,d,J 二 ___- 17 >_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575787 A7 B7 --_- T5 — ~ 五、發明説明() 14.6Hz) ,2.37(lH,d,卜 14.6
Hz)所含之(4H,m)} ,2.79(lH,m), 2 · 9 1 ( 1 H,m ) ,3 . 1 1 ( 1 H,m ), 6 . 〇〇 ( 1 H j m ) ,6.16(lH’m)。 〔合成例7〕 3 —經基一3 — (5 -原疲燒一 2 —基)酪酸1 一(2- 原菠酯)環戊酯(單體7 )之合成 以醋酸1 一( 2 —原菠基)環戊酯取代醋酸1 一乙基 環戊酯使用之外’與合成例4同法取得3 -羥基—3 -( 5 —原疲;^希一 2 -基)酪酸1 — ( 2 —原菠基)環戊酯( 收率 9 2%)。 IR (薄膜):u = 3502 (br·) ,3057 ,2954,2870,1713,1454,1373 ,1338,1207,1157,1080cm-1 主要非對映異構物之ΐΗ — NMR (27〇MHz, in C D C 1 3 ) ·δ = 〇.9〇-3·〇5(32Η5 m ),5 · 8 0 - 6 · 3 5 ( 2 H ’ m ) ° 〔合成例8〕 3 —經基—3 — (8 —四環〔4.4·〇·1 · I7.1。〕十二烯一 3 —基)丙酸第3 —丁酯(單體8)之 合成 ___- > -------- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局S工消費合作社印製
575787 A7 B7 " --- T6 五、發明説明( ) 以醋酸3 - 丁酯取代醋酸1 一乙基環戊醋’以8 -四 環〔4 . 4 ·〇· I2·5· I7."〕十二烯一3 -卡巴醛 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,取代5 一原菠烯—2 —卡巴醛,使用之外,與合成例1 同法取得3 —經基一 3 —( 8 —四環〔4 * 4 ·〇· 12.5· I?. :◦〕十二烯—3 —基)丙酸第3 - 丁酯(收 率 9 3 % )。 I R ( K B r ) : ^~3434 (br .) ’ 3049,2958,1716,1394’ 136 7,1340’ 1313’ 1250’ 1217’ 1151,1 0 3 7 cm"1 主要非對映異構物之iH — NMR ( 2 7 0MHz, i π c D C 1 3 ) · (5 ~ 0 . 50 — 0-70 (2H’m ),〇 · 8 5 ( 1 H ’ m ) ’ 1 · 1〇一2·60 {1 ·44 (9H,s)所含之( 1 9 Η,m ) } ,2 · 7 5 — 3 · 2 0 ( 3 Η,m ), 3 . 5 2 ( 1 Η 5 m ) ,5·85 - 6·00(2Η,ηι 、° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔合成例9〕 3 —羥基—3-(8 —四環〔4 · 4 · 0 · I2.5· I7·1。〕十二烯—3 -基)丙酸1 一乙基環戊酯(單體9 )之合成 以醋酸1 -乙基環戊酯取代醋酸第3 丁酯使用之外’ 與合成例8同法取得3 —羥基一 3 _( 8 -四環〔4 · 4 -1Q - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) 575787 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明() •〇· I2·5· 171°〕十二烯一3 —基)丙酸1—乙基 環戊酯(收率9 2 % )。 IR (薄膜):u = 35〇2(br.) ,3〇49 ,2958,2879,1722,1713,1460 ,1452,1356,1313,1281,1165 ,:I〇8〇,l〇36,955cm-1 主要非對映異構物之iH — NMR (270MHz, in C D C 1 3 ) : o = 〇· 5 0 ——0 · 7 〇(2 H , m ), 0.80 — 0.95 (4H,m), 1·1〇一1·3〇(3Η’ιή)’ 1.30 — 2.65(17H,m), 2.75 — 3.2 〇(3H,m), 3 · 5 2 ( 1 H,m ), 5.85 - 6.0〇(2H,m)。 〔合成例1 0〕 3 —羥基—3 — (8 —四環〔4 · 4 · 0 · l2·5. 17_1Q〕十二烯一 3 —基)丙酸2 -乙基一 2 —掛—原波 酯(單體1 0 )之合成 以醋酸2 —乙基一 2 -掛一原菠酯取代醋酸第3 —丁 酯使用之外,與合成例8同法取得3 -羥基一 3 -( 8 — 四環〔4 · 4 · 0 · I2·5· I7·1。〕十二烯一3 —基) 丙酸2 -乙基一 2 —掛—原波醋(收率9 0 % )。 _η-_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 575787 A7 B7 五、發明説明() (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) IR(KBr) :u = 3483,3〇49, 2962,2879,1711,1466,1456, 1358,1313,117 0,1132,1038, 9 7 2 ^ 9 5 3 cm'1 主要非對映異構物之iH — NMR (270MHz, i η C D C 1 3 ) :δ : = 〇· 5 0-0 .7 0 (2 Η ,m ) 0 . 7 5-0 .9 5 (4 Η ,m ) 1 · 0 0 - 2 · 6 5 ( 2 2 Η,m ), 2.70 — 2.90 (2H,m), 3 ·〇 1 ( 1 Η,m ) ,3 · 5 2 ( 1 Η,m ), 5.85 — 5.95 (2H,m)。 〔合成例1 1〕 3 —羥基一3 — (8 —四環〔4 · 4 ·〇· I2·5· 1 7 · 1 Q〕十二烯一3 —基)酪酸1 一乙基環戊酯(單體 11)之合成 以8 —乙醯基一3 —四環〔4 · 4 ·〇· I2·5· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 · 1 °〕十二烯取代 8 —四環〔4 · 4 · 0 · 1 2 · 5 · l7·1。〕十二烯—3 —卡巴醛。 使用之外,與合成例9同法取得3 —羥基一 3 — ( 8 —四 環〔4 · 4 · 0 · 1 2 . 5 · 1 7 · 1 0〕十二烯一3 —基)酪 酸1 一乙基環戊酯(收率9 2 % )。 I R (薄膜):u = 3 5 〇 2 ( b r ·), 二 2±二 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 A7 B7 T9 五、發明説明() 3 0 49,2958,2877,1705,1713, 146 0,1 373,1354,1336,120 5, 1 1 6 9,9 5 8 c m - 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 主要非對映異構物之iH — NMR (270MHz, in C D C 1 3 ) :(5 = 〇.79(lH,m) 5 〇.87(3H,t,J = 7.3Hz), 1 · 1〇一1 · 5〇{ 1 · 17 (3H , s)所含之( 8H,m)} ,1·5〇— 1.80(6H,m), 1.8 5 — 2.25(9H,m), 2.26(lH,d,J = 15.1Hz), 2.41(lH,d,J = 15.1Hz), 2.75 - 2.85 (2H,m), 3 · 6 6 ( 1 H,m ), 5·9〇 — 5.95(2H,m)。 〔合成例1 2〕 3 —羥基—3 — (8 —四環〔4 · 4 · 0 · l2 5· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I7·1。〕十二烯一 3 —基)酪酸2 —乙基—2 —掛一原疲 酯(單體1 2 )之合成 以醋酸2 —乙基一 2 —掛一原菠酯取代醋酸1 一乙基 環戊酯使用之外,與合成例1 1同法取得3 -羥基一 3 -(8 —四環〔4 · 4 · 0 · I2·5· I7·1。〕十二烯一3 —基)酪酸2 —乙基—2 —掛—原菠酯(收率9 0%)。 IR (薄膜):u = 35〇〇(br.),3〇49 _- 9? -_ 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 A7 B7 2ϋ 五、發明説明() ,2962,2873,1705,1458,1373 ,1354,1331,1248,1201,1173 ,1 1 3 2,1 1 0 7,9 5 1 c m -1 主要非對映異構物之iH — NMR ( 2 7 0MHz, i η C D C 1 3 ): 5 = 0 . 8 0 ( 1 H ,m ) 〇·( 3 2 ( 3 H , t 5 1 = 7· 3Hz), l.〇0 — 2.3〇{1.18(3H,s), 2 · 26 (lH,d,J = 15. 1Hz)所含之( 2 5 H,m ) } ,2 · 4 1 ( 1 H,d,J = 15.1Hz) ,2.53(lH,m), 2.75 — 2.85 (2H,m), 3 · 7 3 ( 1 H,m ), 5.85-5.95 (2H,m)。 〔合成例1 3〕 3 —羥基一 4 — (5 —原菠烯一 2 -基)酪酸2 —乙基一 2 -掛一原菠酯(單體1 3 )之合成 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝·
、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以2 —( 5 —原菠烯一 2 —基)乙醛取代5 —原菠烯 一 2 -卡巴醛使用之外,與合成例2同法取得3 -羥基一 4 — (5 — 原 菠燒一 2 —基) 酪酸 2 — 乙 基 — 2 —掛― 原 菠 酯 (收 率 9 4 % ) 〇 I R ( 薄 膜): V -34 6 7 ( b Γ • ) ,3〇5 7 y 2 9 6 4 , 2 8 7 〇 ,17 2 4 5 1 4 5 7 ,1 4 4 1 1 3 3 3 , 12 6 5 ,11 9〇 1 1 1 7 1 ,1 1 3 2 _, 2^ ~ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 A7 B7 五、發明説明() ^1107^550 111-1 主要非對映異構物之iH - NMR (270MHz , in C D C 1 3 ) : 5 = 〇.· 53 (lH,m), (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 〇.82(3H,t,J=7.3Hz), l.〇0 — 2.〇5(14H,m), 2.15 — 2.5 0 (5H,m), 2 · 5 3 ( 1 H,m ), 2.7〇 — 2.85(2H,m), 3 · 0 4 ( 1 H,m ) ,3 · 9 5 ( 1 H,m ), 5 · 9 1 ( 1 H,m ) ,6 · 1 1 ( 1 H,m )。 〔合成例1 4〕 3 —羥基—3 —甲基一5 — (5 -原菠烯—2 —基)吉草 酸2 —乙基—2 —掛一原菠酯(單體1 4)之合成 以4 一(5 —原菠烯一 2 —基)丁酮取代5 —原菠烯 一 2 -卡巴醛使用之外,與合成例2同法取得3 —羥基一 3 —甲基一5 — (5 —原菠烯一 2 —基)吉草酸2 —乙基 —2 —掛一原菠酯(收率9 2 % )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 IR (薄膜):u = 35〇2(br.),3057 ,2966,2937,2870,1705,1458 ,1441,1348,1331,1200,1173 ,1132,11〇7 ,951cm-1 主要非對映異構物之iH-NMR ( 3 0 0MHz , in CDCl3):5 = 0.48(lH,m), _-_ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 22 575787 A7 B7 五、發明説明() 〇.82(3H,t,J=7.6Hz), 1 ·〇〇一2 · 05 ( { 1 · 17 (3H, s)所含之( 2 〇 Η,m ) } ,2 · 1 5 — 2 · 3 0 ( 2 Η,m ), (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 2.32(lH,d,J = 14.9Hz), 2.39 (lH,d,J 二 14.9Hz), 2 . 5 3 ( 1 H,m ), 2.70 — 2.8 0 (2H,m), 3.80(lH,t,J = 10.8Hz), 5 · 9 0 ( 1 H,m ) ,6 · 1 0 ( 1 H,m )。 〔合成例1 5〕 3 —羥基一3 —甲基—4 一 (5 —原菠烯一2 —基)酪酸 1 一乙基環己酯(單體1 5)之合成 以醋酸1 -乙基環己酯取代醋酸1 -乙基環戊酯,以 3 — (5 —原菠烯—2 —基)丙酮取代5 —原菠烯一 2 — 卡巴醛使用之外,與合成例1同法取得3 —羥基-3 -甲 基一 4 一(5 —原菠烯一2_基)酪酸1 一乙基_1 一環 己酯(收率9 2 % )。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔合成例1 6〕 3 —羥基一5 — (5 —原菠烯—2 -基)吉草酸8 -乙基 —8 —掛—三環〔5 · 2 · 1 · 0 2 · 6〕癸酯(單體1 6 )之合成 以醋酸8 —乙基—8 —掛一三環〔5 . 2 · 1 · _- -_ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 ~Z5" A7 B7 五、發明説明( 〇 〕癸酉曰取代醋酸1 一乙基環戊酯,以3 -( 5 -原 菠烯—2 —基)丙醛取代5 —原菠烯—2 一卡巴醛使用之 外,與合成例1同法取得3 —羥基一 5 一( 5 一原菠烯一 2 —基)吉早酸8 —乙基一8 一掛—三環〔5 · 2 ·丄· 〇 2 . 6 癸酯(收率 % ) 〔合成例1 7〕 3 —羥基一 5 —(5 —原菠烯一2 一基)吉草酸2_乙基 一 2 -金剛酯(單體1 7)之合成 以醋酸2 —乙基—2 一金剛酯取代醋酸8 _乙基一 8 外側-三環 0 癸酯使用之外,與 合成例1 6同法取得3〜羥基_ 5 —( 5 — ( 5 -原菠烯 —2 —基)吉草酸2 -乙基—2 -金剛酯(收率9 2%) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔合成例1 8〕 3 —羥基一 6 —(5 —原菠烯—2 —基)己酸2 —(1〜 金剛基)一 2 -丙酯(單體1 8)之合成 以醋酸2 —( 1 一金剛基)一 2 -丙酯取代醋酸1〜 乙基環戊酯,以4 一( 5 —原菠烯一 2 -基)丁醛取代5 一原菠烯- 2 —卡巴醛使用之外,與合成例1同法取得3 一羥基一6 —(5 —原菠烯一 2 —基)己酸2 —(1—金 剛基)一 2 —丙酯(收率9 3 % )。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210'乂 297公釐) 線 575787 A7 B7 五、發明説明( 〔合成例1 9〕 3 —羥基—6 —(5 —原菠烯一 2 —基)己酸2 —(2 — 原菠烯)一 2 —丙酯(單體1 9)之合成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 以醋酸2 —( 2 -原菠基)一 2 -丙酯取代醋酸1 一 乙基環戊酯使用之外,與合成例1 8同法取得3 -羥基-6 — (5 —原菠烯一2 -基)己酸2 —(2 -原菠基)— 2 —丙酯(收率92%)。 〔合成例2 0〕 3 —經基—3 —甲基—6 — (5 —原波稀—2 —基)己酸 3 —乙基一 3 —戊酯(單體20)之合成 以醋酸3 -乙基一 3 —戊酯取代醋酸1 一乙基環戊醋 ,以5 — (5 —原菠烯—2 —基)—2 -戊酮取代5 —原 菠烯- 2 —卡巴醛使用之外,與合成例1同法取得3 —經 基一 3 —甲基一 6 — (5 —原菠烯一 2 -基)己酸3 —乙 基一 3 -戊酯(收率9 1%)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 57 575787 A7 B7 -25- 五、發明説明() (單體1)(單體2) (單體3)(單體4) (單體5) (單體6)
(單體7)(單體8)(單體9) 渾體1〇)(單體11)(單體12)
r 虽體 u、 r 留赠19 f 罝體 17、 (單體 18)
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 、11 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔參考例〕 合成使用該合成例取得酯化合物後之高分子化合物後 ,做成基劑樹脂,配合於光阻材料時檢測其反應性。 將單體1與無水馬來酸同於和光製藥V 6 5之啓發劑 後進行聚合後,取得〔3 —羥基一 3 -( 5 —原菠烯一 2 _-28-_ 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 575787 a / B? 五、發明説明(/ ,丙酸1 -乙基環戊基〕、〔無水馬來酸〕交互共聚 物。利用此高分子化合物’以下記所示之組成調製光阻材 料。將此者旋轉塗佈於聚矽氧晶圓上,於丄〇 〇 t下,進 行熱處理9 0秒’形成厚度5 〇 〇 nm2光阻膜。於 A r F激元雷射使此進行曝光後,於ic下,進行熱 處理9 0秒,利用2 · 3 8 %之四氫銨水解物水溶液進行 6 0秒浸漬顯像,測定光阻膜完全溶解之曝光量(E t h )後,爲 8 · 0 m J / c m 2。 光阻材料之組成如下。 基劑樹脂:8 0重量份 酸產生劑:三氟甲磺酸三苯g 溶劑 :丙二醇單甲醚醋酸酯 其他 :三丁胺 1 . 0重量份 4 8 0重量份 〇.0 8重量份 ^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 〔比較參考例〕 爲了比較,利用〔5 —原菠烯一 2羧酸第3 — 丁酯〕 -〔無水馬來酸〕交互共聚物,與該實施例同組下調製光 阻材料。將此者於與上述相同條件下進行評定曝光後, E t h 爲 1 2 · 5 m J / c m 2 〇 由以上結果確定以本發明酯化合物作爲原料之高分子 化合物比先行技術品更具有極高之反應性者。 -9Q - 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 575787 公皆本 92.9. 1〇
    <·二、 π、申請專利範圍 種醋化合物,其特徵係如下記一般式(1 )所 示者,
    (式中,R 1代表氫原子,或碳數1〜6之直鏈狀,分 枝或環狀烷基,R2代表酸不安定基者,k爲0或1,m爲 滿足0 S m S 5之整數者)。 2 ·如申請專利範圍第1項之酯化合物,其中該化合 物爲下記一般式(2)或(3)所示者, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
    (式中,ηι與上述相同者,R 3代表氫原子或甲基,R 4〜 R 7分別爲獨立之碳數1〜1 5之直鏈狀、分枝或環狀烷基 ,其中r4、R 5及R6之碳數和爲4以上者,Z代表碳數 4〜1 5之2價烴基,可與兩端結合之碳原子同時形成環 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4说格(210 X 297公今丄 ---------^----I--、玎------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 575787 C8 D8 ^、申請專利範圍 3 ~彳重如申請專利範圍第1項或第2項之酯化合物 的製造方法’其特徵係於下記-般式(4 )所示羯基化合 物/ Ψ ’使T —般式(5 )所示之醋酸酯烯醇金屬進行加 成反應羥基者, ¥ ⑷ 0=Λ MO R1 OR2 L (式中,k,m,R i,R 2爲與上述相同者,M代表 ’ Na ’ k ’MgY或ZnY者,Y代表鹵原子)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 、1T 線 經濟部智慧財產笱員工消費合咋fi中sd 用 一適I j 尺 -紙 本 準 標 家 釐 公 7 9 2
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1132774B1 (en) * 2000-03-06 2009-01-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
KR100582630B1 (ko) * 2000-04-20 2006-05-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규한 에스테르 화합물, 고분자 화합물, 레지스트 재료및 패턴 형성 방법
US6492090B2 (en) * 2000-04-28 2002-12-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process
KR100562205B1 (ko) * 2004-09-13 2006-03-22 금호석유화학 주식회사 2차 히드록실기를 갖는 알킬 환상 올레핀과 아크릴화합물의 중합체 및 이를 포함하는 화학증폭형 레지스트조성물
US20110039206A1 (en) * 2009-05-20 2011-02-17 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Novel resins and photoresist compositions comprising same
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100195583B1 (ko) * 1997-04-08 1999-06-15 박찬구 양성 포토레지스트 제조용 공중합체 및 이를 함유하는 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
RU2199773C2 (ru) * 1997-09-12 2003-02-27 З Би. Эф. Гудрич Кампэни Фоторезистная композиция
KR100271419B1 (ko) * 1998-09-23 2001-03-02 박찬구 화학증폭형 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물
KR100271420B1 (ko) * 1998-09-23 2001-03-02 박찬구 화학증폭형 양성 포토레지스트 조성물
KR100274119B1 (ko) * 1998-10-08 2001-03-02 박찬구 감방사선성 레지스트 제조용 중합체 및 이를 함유하는 레지스트조성물
US6492090B2 (en) * 2000-04-28 2002-12-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymers, resist compositions and patterning process

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