TW574413B - Thin film forming method and forming apparatus - Google Patents

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574413 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域一 本發明係為薄膜形成方法、薄 者’尤其是關於在大面積基板上形成且二=陽電池 ，的a-Si等的薄膜的薄膜形成方法及使^版厚均質 【習知之技術】 吏用该方法的裝置。

了： 保能源受到廣泛地注目與期待，卜A 『此音及此等太陽電池，成本的下:仁疋為 因此，在大型基板上可高生產量地忐=所η*夕的條件， 的薄膜形成裝置已成為迫切之需要；Φ貝膜厚的a'Si膜 有關類似之a-Si膜的形成，已實用化 (電容性耦合型）的電漿CVD裝置，但 .仃、二板型 ^處理！片的基板，因而其生產性差，另置;;般只 :j:多片的基板的話，又有裝置趨向極為大右要同 J厚均質性也會顯著下降，❿ 需：】的：的 電池的問題。 又竹尸吓而特性的太陽 體ί : ΐ: J:的薄膜製作，有必要在基板全 要开订平板型電極方式中，隨著基板的大型化 j:成均貝役度的電漿並不容易，作為其之理由 出如下的原理上的問題。 換言之，在平行平板電極中，要形成均質密度的電漿， 有精度良好地維持及配置渡過基板全體 距離的必要’但這並不容易，而隨著基板的大型 WKii 第5頁 c： \2D-mDE\90-07\90108871 .ptd 574413 五、發明說明（2) 更為困難。 地電：的5:容性耦合型中’藉由投入高頻的電極與在接 偏壓雷2 電極及成膜室壁間的放電’|電極產生自行 (日太I 因此，對電漿密度而言有產生所謂分布的問題 〔 本專利特開羊-7-9442J號公報）。 、隹ί L ΐ電極增大時，在其表面會產生駐波，因此有電t 楣Ϊ:::的問題。而當這形成比VHF帶等的頻率要高的高 頻率日^則分布情況更為顯著。 在此s，提出了使用電感耦合型電極的電漿CVD法的方案 乂電水CVD法的電漿維持機構與電容性麵合型完全不^ ，不會產生上述電容性耦合型固有的電極間距 =;V等行二等的問題 曰 ▼寺的问頻，並可產生高電漿密度。具體地而言， 提出了電感J馬合型雷極方式的電漿CVD法裝置的方案，誃 電漿CVD法裝置，例如可使見梯子形狀的電極（日本專利； 開平4-23 6 78 1號公報）與多次地來回彎折導電性線材成鋸 齒狀的電極（日本專利第2785442號公裉）寻的電極。 【發明所欲解決之問題】

但是，本發明者等在檢討了包含上述構造的電極在内的 種種電感耦合型電極之後，發現例如梯子形狀及彎折成鋸 *狀之電感耦合型電極，當對應於基板的大型化而增加 時，不易使電流路徑形成均質，此外，也會在無法^期的 區域部分產生駐波。換言之，發現在習知之電極構造中不 易使電漿密度均質化，因而較難對應於大面積基板。

574413 五、發明說明（3) 此外’電容性耦合型電極的情況， 古 也進行了種種檢討，例如，作為解決起因於厚均質性 的電漿密度的分布的方半 Z ’、 ；上述自行偏壓 電的成臈方法（日本專利特^/7 =變高頻功率’且斷續放 j 專利特開平7 —9 442 1號公報）笪y w ，在電感輕合沒與電裏性趣会型中，其電浆、。但疋 電子放出及外殼的扭如也^ ^ 吗电極的二次 則是利用自電極輪送的電磁場：：動：電=合型的情況 =合j為有效的方法，但將該電容性 就電容 質二基:::者::义:=電極，以=均 反二利用成為問題的駐波：電°極==以中，也對 ，例如，、在棒狀或ϋ字型雷 了榀时。該電極 分之-高頻的整數倍猎與供電部間的距離為二 ，利用產生的電聚密度分布^產生於電極上的規定位置 板上。 度刀布可將均質膜厚的薄膜形成於i 藉由如此之電極構造，雖盥习 性，即使為該新型的電極構造：：才目比較可改善膜厚均質 增加時，在電極的供電二，板大型化而電極長度 異，隨著越接近接地部電裝密度產生差 膜厚變薄的新問題產生。*又逆漸下降，其結果會有 这疋因為高頻在傳搬， 達電極W端部時不斷地衰減，電 C:\2D-CODE\90-07\9010887Lptd $ 7頁 1 i 574413

五、發明說明（4) 漿密度在供電侧與接地部侧 檢討了可解消被認為是造成 布，以及膜厚分布，而在更 結構以及成膜條件。其中， 電容性耦合型的情況完全不 粁AM調變，電漿的狀態產生 電聚形狀產生變化，且可使^ 又’當將薄膜形成於寬幅 置多個上述電極，但是，利 相位’發現電極長度方向的 此專的發現是在檢討了使 後所得之結果，並以此等發 的結果，又明確了供電方法 等’從而完成了本發明。 換言之，本發明之目的在 成具優良膜厚均質性的薄膜 法的裝置。又，提供一種可 膜厚均質性的薄膜的薄膜形 置。 產生士布。，此，本發明者等 上述南頻的衣減的電漿密度分 大型基板形成均質薄膜的妒置 發現即使電浆維持機構與i述 同也無關，藉由對氤頻功率進 變化，而且，根據調'變方法其 此等的變化呈現再現性。 之基板上時，有必要平行地配 用輸送至各電極的高頻功率的 膜厚分布也產生變化。 用電感搞合型電極的成膜方法 現為基礎作進一步研究而進展 、調變方法與薄膜分布的關係 於提供一種可在大型基板上形 的薄膜形成方法以及使用該方 向生產量地形成具優良特性與 成方法以及使用該方法的裝 此外，本發明之目的在於裎也 ^ ^ 牡％知供一種使用上述薄膜形成方 法及使用該方法的裝置來形成士阻+ ^ ^ + A成太陽電池，尤苴是提供一種 特性優良且低成本的太陽電池。 匕，、疋捉 【解決問題之手段】 本發明之薄膜形成方法，复牲外* 上 ^ /、特敛為：在成膜室内部配置

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感耦合型電極，輸送AM調變 產生電漿’並在與上述電感 上形成薄膜。 極的高頻功率進行AM調變， 所需密度分布的電漿，而可 膜厚的薄膜。此外在種種的 調變方法，因為可獲得均質 成膜尚品質膜的條件下，也 形成均質膜厚的薄膜。 t味著含有脈衝週變。 地遽斷高腹功率的措入，並 的期間按比例變化，此外， 頻率產生變化。 好使用在中央具有折返形狀 感輕合型電極的供電部與折 間’最好產生有駐波，藉以 形狀的電感耦合型電極平行 鄰接之供電部使輸送革上述 互為相反。 具有折返形狀的電感耦合型 極的供電部的高頻的袓位_儘_ 厂向而且在長度方向的膜厚 為大型的基板上形成均質膜 兩端設有供電部與接地部的電 後的南頻功率至上述供電部以 耦合型電極面向而配置的基板 如此地對投入電感_合型電 措由调郎該調變，可形成呈有 在更為大型的基板上形成均質 成膜條件中，利用選擇合適的 之電漿密度分布，即使在高速 可使電漿密度均質化，從而可 又，在本發明中，A.M調嬖係.. 例如，上述AM調蠻係周齟性 且最好是使投入上述高頻功率 最好使上述變化AM調變的調變 上述電感耦合型電極，係最 的電極或棒狀電極。在上述電 遲部風，或在供電部與接地部 ^化南頻的頻率。 又’將多個在中央具有折返 地配置於同一平面内，最好在 供電部的高頻功率的相位呈現 如上述般地配置多個在中央 電極，藉由使輸送至鄰接之電 轉1 8 0厚，不僅在基板的寬度〕 分布皆可獲得提高，而可在更

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五、發明說明（7) 支，可構築於多片基板上 地提高了其生產性，例如、可成膜的裝置。其結果，大幅 的貢獻。 °對太陽電池的低成本化也有具大 ★本發明之太陽電池，1 溥膜形成方法或薄膜形成梦试為：包括藉由上述本發明之 一種的薄膜。 y 、置所形成此種構成薄膜的至少 如上所述’根據本發 * 岣質膜厚形成種種膜質=膜形成裝置以及方法，可以 質膜條件，維持高品質间二，而且，可選擇高速、高品 成本。又，藉由使用多F A :，又可削減太陽電池的製造 ，，也可達成太陽電以：；方得高生產性的同 【發明之實施形態】 不的進-步削減。 γ下，說明本發明之實施形態。 :二：說明ί發明之薄膜开，成裝置以及方法。 圖1所不，薄膜形成裝 6之成膜官1配罟雷式▲人置任^有亂脰導入口 5與排氣口

:二“遍部〗。與成膜室的壁連結而接地型= :電孔經由同軸電纜Μ與高頻電源3連接。此夕:另：：: ::3與浪形產生器4連接，可對從電源 ； 加：需的Μ調變。又，7為基板、δ為基板力出 (η Λ間^離L換^好是為高頻功率的激勵波長λ的n / 2倍 為正數）。換吕之’將供電部、接地部以及激勵波長設

c-\2D-CX)de\9〇_〇7\9〇i〇8871 . ptd 第11頁 電感耦合型電極2的兩端部，設有投入高頻功率的供 J部9與作為接地電位的接地部"。該供電部…妾羊地。 574413 五、發明說明（8) ^成滿足Ui λ/2的關係式，可穩定地產生.維持放 在此，並不一定φ 膜室配置電感輕合型=電部設於成膜室内’亦可貫通成 的位置設置供電邱：極’在成膜室外的形成L = n ·又/2 率為可變頻率，夕卜，相反地可使高頻電源的發振頻 式來變化頻率。規定的1值亦可使滿足上述關係 二裝置 只要將高頻功率供電:每對一 電2 ί 5 3月所之-薄膜成形裝置，係將配列於基板寬度的 構1f # I 乂不地再按規定的間隔隔開配置成多層之 < & # ά #成4 t電極層的兩侧配置基板的多區域成膜方 ί "Λ ^Λ( ^^ ^ ，由於電極與基板間距離可而為^大巾S地提南生產性。而且 小空間同時成膜於多片λ柘，π 一曰Z圓才J用T在 籍^4 #胃 基板可貫現相對於裝置設置面 積的具優良生產1比的薄膜形成裝置。 又，在圖1〜3中，使用棒狀電極，但是，本發明之電 不僅侷限於此’例如，可使用如圖8所示‘ 在中央具穹折形狀的電極。 在該種情況’在電極的兩端部設有輸送至高頻功率的供 電部9以及作為接地電位的接地部丨〇。在狀、 是指所例示之U字形狀與口字形狀，但這並；指二=

\\3l2\2d-code\90-07\90108871.ptd 第12頁 574413 曰 修正 五 M號9_邮1 發明說明（9) — — ^ = 1根棒材且形成為一體化者，例如，亦可為以金屬板 S f · 3定2根直線狀電極的構造。 田^夕日卜古ί、電部9以及接地部1 0分別與折返部1 5的距離L·， : : Ϊ :率的激勵波長又的η/2倍(η為整數）。藉此， 了 ％疋地產生·維持放電。 在此七、電部與接地部並不一定要今於忐歧宕肉，f 棒狀電極的情況相π勺4疋要叹於成膜至内，其與 情況稱為具有曲率=二二仙折返部是指例如在U字形狀的 為2根長度u t @丰囫狀的部分，該〕字形狀的情況稱 作Λ上線部間的短邊方向的直線部。 高』===源最好使用2°〜6〇_Ζ的-帶的 波的情況，將變換“ J :f此，例如可使用微波。在微 轴電境連接至電規連接至導波管，再將同

又’在本發明中，或 A ί器4。亦即，自高頻電調變，設有波形產 生器4而進行ΑΜ調變，例如，罔出的间頻功率，係由波形產 輸送至電感耦合型電極的供圖^所=的波形的高頻功率被 1，例如，除sin(正弦）波（圖° °在此，作為調變之信號 外，如脈衝狀地在規定细門$ )、矩形波、三角形波 (b))、以及將上述此等波遮：輪出的波形者（圖4 可為任何之波形者。 定之波形（圖4 (c ))等，總之 ，次，說明本發明之薄膜形 :解’-併說明在完成本發：二為了使本發明容易 驗。 &個過程中所進行的實

574413 曰 修正 1 號 9ηι 嫩7i 五、發明說明（10) 、〇八工後，由加熱器加熱基板7至規定溫度。接# :)規定的量將沉積用的反應氣體導入成膜室，並：二 排乳口部的主閥門設定反應氣體為規定的壓力。接菩&、t =頻電源3與波形產生器4，當以規定的信號波_調： ί將功率投入電感搞合型電極2時，在電極周圍產生欠 徉^t f性氣體被分解、活性化，而可於基板7上形成 優良之膜厚均質性的薄膜。 ^成 將SiH4氣體導入圖5的成膜室’以種種的條件 ί冋頻功率進行AM調變，以使沿著電極產生電衆， ^板上=成a-Si膜的實驗。在該實驗中，電極使用 、長度為丨.61„的棒狀電極，將此等8根電極以每一為 極間之中心軸間之距離為32 5_進行配 與基板間的距離為50mm。 使電極 在成膜室1配置基板（長度5〇〇mm)7，加熱至2〇〇C， 3〇〇sCCm的Sit氣體，並設定壓力為5pa。輸送種種條件下 調$後的高頻功率至電極以產生電漿，在基板上形 Si溥膜。又，高頻的頻率為8〇MHz、投入電力為31界（每丨根 7極)使各電極的供電部的高頻功率的相位呈現同相 以目視觀察根據調變條件的電漿形狀的變化的同時，測 定形成a-Si膜的膜厚分布。由圖6、7顯示其結果的一例。 圖a)為顯示不進行任何調變將高頻供電（連續放電）而 形成薄膜時的電極方向的膜厚分布的曲線圖。又，電極中 1 (：:\專利案件總檔案\90\90108871\90108871(替換 w.ptc 第 14 574413 五、發明說明（11) 心點為對應於曲線的2 5 0_的位置。圖6 (b)、（ c)為八| AM調變的調變率與頻率變化而形成a-Si薄膜時的膜& =使 布。圖7(a)、（b)為使工作比（脈衝調變）變化而形成a — 薄膜時的膜厚分布。 1 在不進行AM調變將高頻功率供電給電極的情況，可 到電極的供電部側明亮’而接地部則暗黑的電漿形狀，2 膜厚分布也如圖6(a)所示，在供電側較厚而在前端側ς 地變薄。相對於此，將AM調變後的高頻進行供電的;;4 其電漿形狀產生變化，膜厚分布也如圖6(b)、（c)及^ (a)、（b)所示進行變化。例如，已發現將調變率、 變頻率1kHz的高頻進行供電的情況時（圖6(b))，i雷却 側的電漿與連續放電的情況相比較變暗，膜厚分布也 於該電漿的狀態進行變化。 f尤 從如圖所示之結果發現，當增加錢 供電側電漿密度下降，者捭，％ c *二义]力又丰日守’在 —命τ政 田日加调變頻率時，在供電側雷將 岔度下卩牛’同時在接地部侧電喈 電水 發現藉由適戶m"ΐ 1 密度增加。換言之， 並且，形成的膜厚分布產生變 认窀=山^刀布， 此等參數，以產生所兩八布ή6 ，叙現藉由調節 性膜厚的薄膜，而可；：本發明了’可形成具有所需岣質 圖7(c)係為了沿電極使電將密度均質化，調節 ’如圖4(c)所不，周期性地遮斷高頻成件 Si膜時的膜厚分布。換言之， 技入形成a〜 」^現在圖I之裝置構成中 Η 第15頁 C:\2D-CODE\90-07\90108871 .ptd 574413 五、發明說明（12) — ’藉由在1 kHz迪AM調變再重疊脈衝調變，可獲得極盔 之均質性的a-Sl膜。 卞極為優良 、另+ 一方面，電漿密度的分布係根據高頻功率、壓力等 成膜條件而變動已為所知。因此，在習知之裝置中，在草 二條件下可獲得膜厚均質性高的膜，例如，在獲得高品二 膜的成膜條件下，則無法獲得均質之膜厚。但 貝 明中，士 μ 4 & 在本發 上述，精由適正化AM調變，無論在怎樣的成 ，即可修正起因於此之電漿密度分布變忐很 良均質性膜厚的薄膜。 ϋ 而形成優 當為了高速成膜而增加高頻功 笔水禮、度與接地部侧比較相對地擗 七、笔部侧之 由AM調變率的增加、調變頻率的^ 况，例如藉 作=的了降的任一者或此等=組I 脈，調變的情況工 漿铪度。此外，從膜質、成二可沿著電極均質化電 力，由於供電側的電將、I又的觀點出發，若捭古 可。 電桌始、度相對地降低，口 | g =日回壓 /、要反向操作即 如上所述，藉由錢

下降的任一者或此等：二“周；，、調變頻率 形成均質膜厚的薄膜。因：，，J:怎樣之成膜條件乍巧 質且均質膜厚的薄臈。 错由本發明可高逮形成高Z 又在以上之薄膜形 〇 於成膜條件之調變條 預先以最合適 調變 ，來形成薄膜亦可，：調變後之高頻功率= 條件亦可。 邊硯察電毁之狀態一以電極

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此外，即使電漿密度處於分布狀離 全體之均質之膜厚’在薄膜形成途；變=終獲得基板 在該情況，最好變化AM調變的調變=，调受條件亦可。 根據如此之成膜方法，例如 =或脈衝的工作比。 的膜。 、子 向开）成不同膜質等 其次’夢照圖8說明本發明之其他實施开” 如圖8所示，本實施形態之薄膜形成署悲； 導入口5與排氣口 6之成膜室1，多個配署'」在具有氣體 型電極2 ’將各電感輕合型電極2 ::,電感•合 室1的壁連、结而接地，將另一端的供 與成膜 與高頻電源3連接。在此，& °卩涇由冋軸電纜14 之電極的膽，在二相位之高頻給相鄰 。此外’使尚頻電源3與波形產生器 3 輸出的高頻功率施加所需的AM調變。 叮子攸電源3 雪：2用在斤返形狀的u字形狀電極作為電感耦合型 ,:’在6亥電極的兩端部，設有投入高頻功率的供電部9 與作^妾地電位的接地部丨〇。該供電部9及接地部丨〇分 與折返α[Μ 5之距離L，最好是為高頻功率的激勵波 η/2倍（η為整數）。 λ的 圖8中’作為將相互之逆相位的高頻供給多個的電 φ 合型迅極的相鄰的電極的供電部用的機構，配設控制高 之相位的移相器13。移相器適用於圖8所示之配置之外/、 也可在如圖3之情況所示之電極根數多之情況時適用於圖9 之配置。在圖8之配置中，隨著電極根數之增多，移相器

574413 五、發明說明（14) 數也增加，並且，右μ杜 — 相器的必要，但是，：二所有控制相鄰電極之相位的各移 ，由於σ需1個梦如°之配置中，則與電極根數盔艮气 田趴而1個移相器j 3即 I数無關 外，相位調整也只要針H 了獲侍糸統的簡略化。此 此外，也可不使==二進,行即可。 相位相互為逆相位。在唁A ^ *之電極之供電部的 個電極1長約高頻：;亥=的；J =個電極之每隔— 部的長度’並將供電部設於：膜折返 度等效的同軸電缓以補足供電部即可。或將與+波長的長 其次，參照圖裝置說明薄膜形成方法。 =先’將成膜室"非氣成高真空後，由純 加熱，板7至規定溫度。接|，以規定的流量：沉未積圖:） 定為規定的壓力。 以…非-口6部的主闕門設

接著，導通高頻電源3與波形產生器4的開關，以 信號波將AM調變的同時，一邊觀察設於供電部等波二γ 視器（未圖示），-邊以移相器調整相鄰之電極的供電:: 相位使之偏離180度。如此，當將高頻功率投入 合型電極2時，在電極周圍產生均質性密度的電t 性氣體被分解、活性化，而可於機板7上形 厚 = 優良的薄膜。 子J貝庄 在此，根據高頻的AM調變條件與相位，列舉呈體 膜厚分布變化的情形。圖10為顯示利用以下所;之膜 件形成a-Si膜’測定電極長度方向的膜厚分布.的曲線圖=

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=(:)之〜高(c頻)：：：同之:"進行脈衝調變’且，將 一方 =:、率供給相鄰之電極時獲得的膜厚分布 將相互 另 在 3 0 0H r\〇(d)、（e)為將同相位之電力供給各電極 1〇(^ ΓΓ周變（圖10(d))與無調變的連續放電（圖 (e))的^況所獲得的膜厚分布。 (成膜條件） 電極：ϋ字形電極（直徑為10mm) 8根 供電部（接地部）-折返部距離1. 3 5 m 基板·· 1. 0 m X 〇 β 5 m 高頻：81MHz 25W(每1根） AM調變··脈衝高頻i〇〇,3〇〇,5〇〇Hz 工作比：50% 氣體·8ίΗ4 3 0 0 seem 壓力：5Pa 主如圖10(d)、（e)所示，在將同相位之高頻投入各電極之 情況’形成在供電部側之大膜厚，隨著經過折返部減少之 後’又增加到取得極大值後再減少之膜厚分布。如此1膜 厚分布是在使用接近於電極長度（1· 35m)的大型基板（lm)' 而提供同相位的高頻的情況所觀察到的。相對於此，發現 在相鄰之電極間提供相互逆相位的高頻的情況，與同/目位 的情況相比較，可獲得全體呈現平坦化的分布。此外，發 現藉由進行脈衝調變以變化該高頻時，可看出電極的供^ 部側與前端側的相對膜厚比有變化之傾向。 由上述可明確瞭一解，配置多個U字1^ ^ ^ ^ ^ ^

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:的馬頻供電給相鄰的電極的供電部，又利用正確地選擇 ::變’以種種的條件使電漿密度均質化，即使為化 腺或較其更大的大型基板，也可形成膜厚均質性優良的薄 膜0 在圖1 0之例中，使用脈衝 該頻率時之效果，但是，即 、工作比等的其他的調變參 與前述之理由相同。因此， 無論在怎樣的成膜條件下， 化。 調變作為AM調變，以顯示變化 使在調變頻率以外使用調變率 數也可獲得相同的效果之情況 利用組合AM調變與相位控制， 皆可達成大型基板的膜厚均質 以上’主要針對適用於a — S i膜的情況陳述了本發明之薄 膜形成裝置與形成方法，然而，本發明並不僅侷限於&一3 i 膜’利用適宜選擇反應性氣體，當然也可以形成種種適用 的薄膜。

此外，使用上述薄膜形成方法與薄膜形成裝置，藉由對 向頻功率進行AM調變，又利用在相鄰之電極使供給各電極 之高頻功率呈現相互之逆相位，可形成高品質半導體薄膜 之高速成膜，而且，由於膜厚均質性優良，而可適用於大 型基板的太陽電池的製造。此外，藉由採用上述多區域成 膜方式，不會招致裝置的大型化，由於在多片基板上同時 成膜，可高生產性地成膜，因而可實現作為太陽電池之普 及之最大障礙的成本下降。 在本發明中，太陽電池之構造為p i η構造、pn構造、或 將此等構造積層之串聯構造中之任一構造皆可，在此等p

574413 五、發明說明（17) 層、i層、η層的形成時，使用本發明之薄膜形成方法與使 用該方法之形成裝置。 【發明之效果】 正如上述之說明，藉由本發明之薄膜形成方法與薄膜形 成裝置，在大型基板可形成膜厚均質性優良的薄膜。而 且，可提供對於裝置設置面積具高生產量比的薄膜形成裝 置。 【元件編號之說明】 1 成 膜 室 2 電 感 搞 合型電極 3 高 頻 電 源 4 波 形 產 生器 5 氣 體 導 入口 6 排 氣 σ 7 基 板 8 基 板 加 熱用加熱器 9 供 電 部 10 接 地 部 11 電 漿 12 基 板 13 移 相 器 14 同 轴 電 纜 15 折 返 部 L 供 電 部9與接地部1 0之2點間距離

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C:\2D-CODE\90-07\90108871.ptd 第21頁 574413 五、發明說明（18)λ 激勵波長 i i

C:\2D-CQDE\90-07\90108871.ptd 第22頁 574413 圖式簡單說明 圖1為顯示本發明之薄膜形成裝置的一例的模式圖。 圖2為顯示本發明之電感耦合型電極的一例的模式圖。 圖3為顯示本發明之高生產量薄膜形成裝置的一例的模 式圖。 圖4 ( a )〜（c )為顯示A Μ調變後之高頻的波形的概念圖。 圖5為顯示高頻功率的AM調變可能實驗裝置的模式圖。 圖6 ( a )〜（c )為顯示調變條件與膜厚分布之關係的曲線 圖。 圖7 ( a )〜（c)為顯示調變條件與膜厚分布之關係的曲線 圖。 圖8為顯示本發明之薄膜形成裝置之另一例的模式圖。 圖9為顯示本發明之高頻功率之供給系之另一例的模式 圖。 圖1 0 ( a )〜（e )為顯示調變條件及高頻功率的相位與膜厚 分布之關係的曲線圖。

\\八326\總檔\90\90108871\90108871(原始）.ptd 第 23 頁

Claims (1)

1. 574413— 告 ^〜肀請争利範圍… 1 · 一種薄膜形成方 在成膜室内部配置兩 電極，輸送AM調變後 桌，同時，在上述供 波，藉以調節高頻的 而配置的基板上形成 、2 ·如申請專利範圍 感耗合型電極係為棒 3·如申請專利範圍 平面内配置多個上述 4 ·如申請專利範圍 平面内配置多個上述 5 · 一種薄膜形成方 地部，在成膜室内部 型電極，輸送AM調變 漿’同時，在上述供 波，藉以調節高頻的 而配置的基板上形成 6 ·如申請專利範圍 平面内平行地設置多 供電部使輸送至上述 反。 7 ·如申請專利範圍 其中上述AM調變係周

   其中上述電 其中在同一 其中在同一 以· 5· -1 替換本 法，其特徵為： 端设有供電部與接地部的電感耦合型 的高頻功率至上述供電部以產生電 電部與^述接地部之間，使產生有駐 頻率，並在面向上述電感耦合型電極 薄膜。 第1項之薄膜形成方法 狀電極。 第1項之薄膜形成方法 電感耗合型電極。 第2項之薄膜形成方法 電感耗合型電極。 法其特彳政為：兩端具有供電部與接 配置中央具有折返的形狀的電感耦合 後的高頻功率至上述供電部以產生電 電部與上述折返部之間，使產生有駐 頻率’且於面向上述電感耦合型電極 薄膜。 第5項之薄膜形成方法，其中在同一 個上述電感搞合型電極，並在鄰接之 供電部的高頻功率的相位呈現互為相 第1至6項中任一項之薄膜形成方法， 期性地遮斷高頻功率的投入。

   C:\專利案件總檔案\9〇\90108871\90108871(替換)-].ptc 第 24 頁 574413 年 一月 曰 案號 9010887j_ 六、申請專利範圍 8. 如申請專利範圍第丨至6項 其中在薄膜形成中’使上述AM調變的:二f膜形成方法’ 9. 如申請專利範圍第7項之薄膜 ^頻率產生變化。 'V ’由使上細調變的調變頻率產生變法化其中在薄膜 10. 如申請專利範圍第！至6項中任 匕“。 去’其中上述薄膜為構成太陽電池之薄膜之缚膜形成方 1. -一種薄膜形成裝置’其特徵為包括 、膜至（1 )，係配置兩端設有供 棒狀電感耦合型電極（2);高頻電源I9)與接地部（10)的 J上述供電部(9);及波形產生器(4()，)2輪送高頻功率 電源（3)輸出的高頻功率的AM調變，尔執仃自上述高頻 :接地部⑽的距離為上述高頻 ，上述供電部⑻ 倍， /反長的一半的整數 輪送AM調變後的高頻功率至上述電 J生電漿，並在與上述電感搞合型電極&型電極(2)以 基板（7 )上形成薄膜。 、~面向而配置的 1 2·如申請專利範圍第丨丨項之薄膜形 —平面内配置多個上述電感耦合型電極。、置，其中在同 1 3 · —種薄膜形成裝置，其特徵為包括： 兩端具有供電部（9 )與接地部（丨〇 )，且配膜室（1 )，係 形狀的電感耦合型電極（2);高頻電源（3)，央具有折返 率至上述供電部（9);及波形產生器（4)，送高頻功 頻電源（3)輸出的高頻功率的AM調變，並且’、，仃自上述高 上述供電部（9 )與折返部（1 5 )間的距離， 1东為上述高頻

   c:、專利案件總檔案職9〇娜7ι\9〇ι〇887ΐ(替換H.ptc第25 頁 574413

   修正 日、j溉勵疚長的一半 上述電感耦合别雷托二數倍，輸送am調變後的高頻功率至 耦合型tfeCh A (以產生電漿，並在面向上述電感 14.如申的基板⑺上形成薄膜。 一平面内伞月專利犯圍第13項之薄膜形成裝置’其中在同 控制上述供；多個上述電感搞合型電極’以及設置 述多個電感轉的高頻功率的相位的機·’並在上 互為相反。耦s型電極之鄰接之供電部使高頻的相位呈現 f ，J Φ申崎專利範圍第11至14項中任一項之薄膜形成裂 ’、 配置多層上述電感麵合型電極，並於每一雷打a 的兩側配置基板，而同時於多片基板上形成薄膜。冤極層

   C: \專利案件總檔案\%\9〇1〇8871 \90108871 (替換）-1 .ptc