573235 A7 ------— _ B7___ 一 五、發明說明（I) 【技術領域】 本發明係有關X射線投影曝光裝置、使用該X射線投 影曝光裝置之曝光方法、及用該X射線投影曝光裝置而製 成之半導體元件，例如，使用波長1〜30nm之X射線，藉 由X射線光學系統等反射鏡投影方式，透過反射型之成像 光學系統，將光罩(光罩或標線片）上之電路圖案轉印在晶 圓等基板上時，適宜之裝置。 【習知技術】 習知之半導體製造用之曝光裝置係透過成像裝置，將 光罩（當作物體面）面上所形成之電路圖案投影轉印在晶圓 等基板上。 在前述曝光裝置中，例如，其曝光光源，有使用高壓 水銀燈之i線之曝光裝置等。圖5係表示習知曝光裝置之 槪念圖。該曝光裝置係包含有：光源（未圖示）、照明光學 系統(未圖示）、投影光學系統51、光罩載台53(保持光罩 52)、晶圓載台55(保持晶圓54)、表面位置檢測機構(未圖 示）、晶圓標記位置檢測機構56、及光罩標記位置檢測機 構(未圖示）。 前述表面位置檢測機構，例如，係將光束斜照射在晶 圓上，用光檢測器來檢測其反射光束。藉由本機構可瞭解 前述晶圓光軸方向之表面位置。 前述標記位置檢測機構係藉由光學裝置，來檢測晶圓 及光罩上所形成之標記位置。 又，在光罩上，形成晶圓所描畫圖案之等倍或放大圖 _____4_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---I -丨丨丨訂-------· 573235 A7 ---- -B7___ 五、發明說明（/) 案。 投影光學系統通常係由複數透鏡等所構成，將前述光 罩上之圖案成像在前述晶圓上，以使能夠整批轉印，因具 有約20mm見方之曝光視野，故能整批曝光所欲之領域(例 如’半導體2晶片份之領域）。 又，因半導體元件之電路係經過複數層來形成，故當 用投影曝光裝置來製作半導體元件時，在晶圓上業已形成 之電路上，進行高精度之重疊曝光。因此，至少必須要有 精密檢測曝光中之光罩及晶圓位置之機構。在本機構中， 係使用標記位置檢測機構。該標記位置檢測機構係用光學 裝置來檢測晶圓及光罩上所形成之標記。 在習知之投影曝光裝置中，係在標記位置檢測機構中 ，使用光學檢測裝置。例如，標記位置檢測機構係當作光 學顯微鏡之構成，用CCD等影像檢測器來檢測標記之放大 像。標記位置檢測機構，因受到配置上之限制，故大多鄰 接投影光學系統來配置。 第6圖係表示曝光面上之曝光視野及標記位置檢測機 構檢測中心之關係。習知之曝光裝置係投影光學系統之中 心軸與正方形或長方形之曝光視野62之中心點61 —致。 當檢測中心使用第5圖所示之光學檢測機構來作爲標記位 置檢測機構時，檢測中心係配置在偏離前述曝光視野中心 點61之一定距離位置，以避免標記位置檢測機構與投影光 學系統之干涉。又，若把與晶圓載台之驅動軸一致之方向 設定爲第6圖所示之軸64及65之方向的話，則檢測中心 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -·丨....丨—----訂-丨----——· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 573235 B7 五、發明說明（） 大多配置在這些軸上之位置63a、6313、63C、63C1之4點中 任1點位置。 當曝光時，事先測定曝光視野中心位置與標記位置檢 測機構之檢測中心位置之間隔（以下，稱此間隔爲基線）。 又，用標記位置檢測機構來檢測晶圓上之標記位置’從基 線驅動晶圓載台，在事前明確之標記位置與擬曝光晶圓上 位置之關係，驅動晶圓載台，以使欲曝光晶圓上之位置與 曝光視野之中心位置一致。 藉由以上之方法，能在晶圓上所欲之位置，形成投影 像。 又，近年來，由於半導體曝光電路之積體化、高性能 化之更進步，必須更提高解析度。一般而言，曝光裝置之 解析度W係主要由曝光波長λ及成像光學系統之數値孔徑 ΝΑ來設定，能用下式來表示。 W=kiA/NA :常數 因此，爲了提高解析度，必須縮短波長或增大數値孔 徑。現在，在製造半導體所使用之曝光裝置之曝光光源中 ，係如前述，主要係使用波長365nm之i線，數値孔徑約 爲0.5，能得到0.5//m之解析度。在光學設計上，因增大 數値孔徑有其困難，故今後，曝光用光必須短波化。 因此，近年來，例如，使用準分子雷射，來作爲比i 線短波長之曝光用光。例如，用KrF，其波長爲248nm， 用ArF，其波長爲193nm，故用KrF，能得到〇.25//m之解 析度，用ArF，能得到0.18//m之解析度。 -----6_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --1 丨 I I I I I · I--I I I I I · A7 573235 B7_ 五、發明說明（f) 又，若使用更短波長之X射線來作爲曝光用光的話’ 例如，若波長爲13nm的話’則能得到ο·1 # m以下之解析 度。 當使用這種X射線之X射線投影曝光裝置時’因必須 全部用反射鏡來構成投影成像光學系統’故不易設計視野 廣之光學系統。另一方面，在偏離中心軸之位置形成投影 光學系統之曝光視野(所謂的偏軸光學系統），例如，若形 成輪帶狀的話’則在細長之曝光視野內’能得到尚的解析 度。 又，在曝光時，掃描光罩與晶圓’藉此掃描’用小視 野之成像光學系統’能曝光20mm角以上之半導體晶片。 若依使用這種方法之X射線投影曝光裝置的話’就能曝光 所欲之曝光領域。 第7圖係表示現在所使用之X射線投影曝光裝置之部 分槪念圖。該裝置係主要包含有：X射線光源77、X射線 照明光學系統78、X射線投影光學系統71、光罩72、光覃 載台73、晶圓74、及晶圓載台75 ° X射線投影光學系統71係由複數之反射鏡等所構成’ 將光罩72上之圖案成像在晶圓74上。在各反射鏡之表面 ，設置多層膜。該多層膜係用來提高X射線之反射率。X 射線投影光學系統71係具有輪帶狀之曝光視野’將光覃 72之部分輪帶狀領域之圖案轉印在晶圓74之表面。 光覃72係反射型，在光罩72之反射面，形成電路圖 案。因光罩係反射型，故X射線投影光學系統之光罩側成 _ ____—--；—-----Z- -------— 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -----------------------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 573235 A7 -------B7___ 五、發明說明（c) 爲非遠心的光學系統。 因波長1〜30nm之X射線被空氣之吸收很大，故至少 X射線曝光裝置之X射線光程較佳係保持在減壓環境、氦 (He)氣環境、或真空環境中。最佳係保持在真空環境中， 因此’ X射線投影曝光裝置之光學系統係配置在真空腔體( 未圖示)內。 因半導體元件之電路係經過複數層來形成，故當用X 射線投影曝光裝置來製作半導體元件時，也在晶圓上業已 形成之電路上，進行高精度之重疊曝光。因此，至少必須 要有精密檢測曝光中之光罩及晶圓位置之機構。在本機構 中，係使用標記位置檢測機構。該標記位置檢測機構係用 光學裝置來檢測晶圓及光罩上所形成之標記。 【發明所要解決的課題】 又，當製作半導體元件時，必須將投影像形成在晶圓 上之所欲位置。此時之位置精度係至少比所形成之圖案之 最小線寬小，較佳係要求在圖案之最小線寬之1/4以下。 因此，隨著曝光裝置之解析度之提高，圖案之位置精度(即 ，重疊精度)也必須提高。 因X射線投影曝光裝置之投影圖案之最小線寬比習知 之投影曝光裝置小，故重疊精度也必須提高。爲了提高重 疊精度，要求提高標記之檢測精度、提高晶圓載台之驅動 精度、提高基線之穩定性。所謂基線之穩定性係指測定基 線後，在進行曝光前之間，其値保持一定之程度。若此値 不穩定的話，就不能把晶圓所欲之位置對準曝光位置，造 _ R______ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 573235 A7 __B7 _— 五、發明說明（(：） 成重疊誤差。 因標記位置檢測機構之檢測中心係偏離曝光視野，故 必須只能在該距離份之餘裕中，驅動晶圓載台。若基線變 長，晶圓之驅動距離變長的話，則重疊精度變差。又，基 線之穩定性係由鏡筒與標記位置檢測機構及支撐這些之支 撐機構之穩定性來設定。 習知之X射線投影曝光裝置不易確保充份的基線穩定 性，其結果，有重疊精度變差之問題點。其結果，所製造 之半導體元件之良率也變差。 本發明之目的係針對這些問題點，提供X射線投影曝 光裝置，該X射線投影曝光裝置係能將所欲之微細圖案高 精度地重疊曝光在晶圓上之電路圖案上。 【用以解決課題的手段】 因此，本發明之第1目的係提供「X射線投影曝光裝 置，係至少具備：X射線源；X射線照明光學系統，將該 X射線源所產生之X射線照射到具有既定圖案之光罩上； X射線投影光學系統，接受來自該光罩之X射線，將該圖 案像投影在塗敷有光阻之晶圓上；晶圓載台，保持該晶圓 ;光罩載台，保持該光罩；及標記位置檢測機構，檢測該 晶圓或該晶圓載台所形成之標記位置；該X射線投影光學 系統之曝光視野係位於偏離中心軸位置，其特徵在於： 在該X射線投影光學系統之像面上，當以該X射線投 影光學系統之中心軸與該像面之交點爲原點，曝光視野之 中心在X軸上且成爲位於x<0之位置的方式來設定xy座 I-—--- Q___ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再瓖寫本頁) --I----訂---------—座 ir A7 573235 _B7___ 五、發明說明（1 )
I 標系統時，該標記位置檢測機構之檢測中心係位於X$0之 領域（申請專利範圍第1項）」。 又，本發明之第2目的係提供「如申請專利範圍第1 項之X射線投影曝光裝置，其中，前述檢測中心係配置在 前述X軸上、或通過前述X射線投影光學系統之曝光視野 之中心點且與該X軸正交之直線上（申請專利範圍第2項) J ° 又，本發明之第3目的係提供「如申請專利範圍第1 或2項之X射線投影曝光裝置，其中，前述標記位置檢測 機構係在前述標記中照射可視光、紅外光或紫外光後，檢 測其反射光、散射光或繞射光（申請專利範圍第3項）」。 又，本發明之第4目的係提供「如申請專利範圍第1 項〜第3項之X射線投影曝光裝置裝置，其中，前述標記 位置檢測機構係至少由光學系統所構成，該光學系統具有 補正因光程之媒體折射率變化而產生之焦點位置變化之功 能。（申請專利範圍第4、5項）」。 又，本發明之第5目的係提供「X射線投影曝光方法 ，其特徵在於：使用申請專利範圍第1項〜第5項之X射 線投影曝光裝置，並根據前述標記位置檢測機構之檢測信 號，來驅動前述晶圓載台，在前述晶圓之所欲位置，形成 前述光罩所形成之電路圖案之投影像（申請專利範圍第6項 )J ° 又’本發明之第6目的係提供「如申請專利範圍第6 項之X射線投影曝光方法，係測定前述xy座標系統之原 —________10 _____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---I I---^ ·111111--- 573235 A7 _________B7_______ 五、發明說明（P ) 點與前述X射線投影光學系統之曝光視野中心點之間隔， 根據其測定値，來設定前述晶圓載台之驅動量（申請專利範 圍第7項）」。 又，本發明之第7目的係提供「一種半導體元件，其 特徵在於：使用申請專利範圍第1項〜第5項之X射線投 影曝光裝置，藉由申請專利範圍第6項〜第7項之曝光方 法’進行曝光來製成（申請專利範圍第8項）」。 【發明之實施形態】 第1圖係有關本發明之X射線投影曝光裝置之槪略圖 〇 本發明係主要具備有X射線源(未圖示）、X射線照明 光學系統(未圖示）、X射線投影光學系統1、光罩載台3(保 持光罩2)、晶圓載台5(保持晶圓4)、晶圓標記位置檢測機 構6、及光罩標記位置檢測機構(未圖示）。 在光罩2中，形成晶圓4上所描畫圖案之等倍或放大 圖案。透過X射線投影光學系統1，前述圖案係成像在晶 圓4之表面。 X射線投影光學系統1係具有輪帶狀之曝光視野，將 光罩2之部分領域圖案轉印在晶圓4之表面。曝光時，能 用一定速度，同步掃描光罩與晶圓，將所欲之領域進行曝 光。 前述晶圓標記位置檢測機構6，例如，係藉由光學裝 置等，來檢測晶圓上標記及晶圓載台上標記位置之裝置。 以從這種機構所得到之晶圓位置資訊爲基準，來驅動晶圓 _ 1 1_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - 訂---------線. 573235 A7 ^___B7 _ 五、發明說明（γ ) 載台，將光罩上之圖案曝光在晶圓上之所欲位置。 例如，如第2圖所示，係在晶圓標記位置檢測機構， 使用光學顯微鏡。用CCD等檢測器21來檢測標記之放大 像，藉由影像處理來檢測標記之位置。這種情形，晶圓標 記位置檢測機構也可包含有，光源(發出不易使光阻感光之 光，未圖示）、照明光學系統(將從光源射出之光照射在標 記上，未圖示）、及檢測光學系統22、23(將標記像放大投 影在檢測器上）、及CCD等之檢測器21。擴大檢測光學系 統之數値孔徑，能得到高對比之標記像，藉此能檢測高精 度之標記位置。 第3圖係表示前述曝光視野與晶圓標記位置檢測機構 檢測中心之位置關係。 第3圖係表示曝光視野係輪帶狀之情形，從上看包含 曝光視野31之平面(X射線投影光學系統之像面)之圖。例 如，曝光視野31係被挾持在以X射線投影光學系統之中 心軸與該像面之交點32爲中心，具有某半徑與張開角之2 個圓弧33、34之領域。因檢測中心受到標記位置檢測機構 與X射線投影光學系統之機械性干涉之限制，故配置在偏 離X射線投影光學系統中心軸一定距離之場所。 在本發明中，係在前述像面上，以X射線投影光學系 統之中心軸與該像面之交點32爲原點，當設定曝光視野之 中心點36在X軸上，成爲位於χ< 〇位置之Xy座標系統時 ，係在χ^ο之領域(圖中斜線所示之領域），配置晶圓標記 位置檢測機構之檢測中心。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---------------------訂---------線-^^- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 573235 __ B7_ 五、發明說明（I 0)
V (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將檢測中心配置在前述領域，藉此比配置在其他場所 能縮小基線。其結果，能縮短晶圓載台之驅動距離，能提 高基線之穩定性。若特別將檢測中心配置在X軸上之點 35a的話，則能提高基線之穩定性。 又，當把檢測中心配置在點35b及35c(在通過曝光視 野之中心點36，與X軸正交之直線37上)上時，也能特別 提局基線之穩定性。 X軸之方向係與晶圓之掃描方向一樣，與晶圓載台之 驅動軸一致。 前述標記位置檢測機構較佳係在前述標記上照射可視 光、紅外光或紫外光後，來檢測其反射光、散射光或繞射 光。採用光學的檢測方法，能得到高的檢測精度。特別是 ，若廣取波長頻帶寬的話，光阻內部之光干涉效應就會變 小’能提局檢測精度。 又’用光學裝置來構成標記位置檢測機構，當把該光 學系統之部分配置在真空中（係曝光環境）時，較佳係設計 環境媒體與光學元件之折射率差當作真空與玻璃之折射率 差。藉此’能製作高解析度之光學系統，也能提高標記位 置檢測精度。 另一方面’當調整標記位置檢測機構時，若能在大氣 中e周整的s舌’則谷易g周整。此時，在真空中，將像差設言十 成最佳之光學系統係不一定能得到大氣中相同之像差特性 。特別是焦點距離大多變大。此處，較佳係在標記位置檢 測機構中，設置焦點位置之補正機構。藉由本功能之設置 ：__________ο____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 573235 A7 __B7_ 五、發明說明（U ) ，即使在大氣中，也能檢測標記位置，能容易調整標記位 置檢測機構。 例如，前述補正機構係能使構成光學系統之透鏡部分 向光軸方向移動。標記位置檢測機構之光學系統係考慮將 其全體系統配置在真空腔體內，或將其一部分配置在真空 腔體內，將其剩餘之部分配置在真空腔體外之形態。前者 之情形，因必須在真空中進行透鏡等之位置調整，故如第 2圖所示，若在真空中配置能驅動之馬達等致動器24的話 ，較佳係能用遙控操作真空中之透鏡。在後者中，雖也可 與前者同樣，將調整機構配置在真空中，但較佳係配置在 真空腔體以外。這種方式係能價廉地製作調整機構。 標記位置檢測機構係不限定在光學式檢測機構。也可 係在標記上，照射電子線、X射線、粒子線，檢測其反射 、散射、繞射、透射或激發之電子線、X射線、粒子線之 機構。因X射線投影曝光裝置之曝光環境係真空，故在前 述電子線、X射線、粒子線之中，容易被空氣吸收，利用 習知之曝光裝置不易檢測者，能進行檢測。利用這種特徵 ’用與習知之曝光裝置相異之裝置，能達成高的檢測精度 〇 以下，藉由實施例，更進一步具體說明本發明，但本 發明不被限定在這些例中。 (第1實施例） 第4圖係表示有關本發明之第1實施形態之X射線投 影曝光裝置。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---I----訂--------- 573235 A7 __B7___ , 五、發明說明（f l_) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本裝置主要係由：X射線光源(未圖示）、X射線照明 光學系統(未圖示）、X射線投影光學系統1、光罩載台3(保 持光罩2)、晶圓載台5(保持晶圓4)、晶圓標記位置檢測機 構6、光罩標記位置檢測機構(未圖示）、真空室7、底座構 件8(支撐鏡筒）、及除振台9(支撐底座構件8)所構成。 本裝置係使用雷射電漿X射線源，來作爲X射線光源 ，由雷射電漿X射線光源所發出之X射線係透過X射線照 明光學系統，照射在光罩2。此時，曝光波長爲13.5nm， 光罩2係使用反射型之光罩。被光罩2反射之X射線lla 係通過X射線投影光學系統1，到達晶圓4上，光罩圖案 被縮小轉印在晶圓4上。 X射線投影光學系統1係由6面反射鏡來構成，其倍 率爲1/4，具有寬2mm長度30mm之環帶狀曝光視野。6 片反射鏡係被支撐在鏡筒內。因鏡筒係殷鋼(invar)製，故 不易發生熱變形。 反射鏡之反射面形狀係非球面，在反射鏡表面上，塗 上Mo/Si多層膜(用來提高X射線之反射率）。詳細而言， Mo層係交互積層Mo層與Ru層來形成，使用多層膜之內 部應力爲30MPa以下者。 曝光時，光罩2及晶圓4係分別藉由光罩載台3及晶 圓載台5來進行掃描。晶圓之掃描速度係與通常光罩之掃 描速度之1M同步。其結果，能將光罩上之圖案縮小1/4， 轉印在晶圓上。 晶圓標記位置檢測機構6係使用特殊之光學顯微鏡。 --------- __ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 公釐) " A7 573235 ___B7_ 五、發明說明（I ^ ) 用CCD拍攝晶圓上之標記放大像，藉由影像處理，來檢測 晶圓之位置。 晶圓標記位置檢測機構6之檢測中心係如第3圖所示 ，配置在X軸上之點35a之位置。也就是說，配置晶圓標 記位置檢測機構’以使能觀察這種位置之標記像。此時’ 配置晶圓標記位置檢測機構，以使基線(係曝光視野之中心 點36與檢測中心35a之間隔)極力變小。 晶圓標記位置檢測機構6係固定在底座構件8上。又 ，底座構件8係配置在除振台9之上，使振動不易傳送到 X射線投影光學系統及晶圓標記位置檢測機構。又，爲了 避免將來自光罩載台3、晶圓載台5等之振動傳送給底座 構件8，在真空腔體7與底座構件8之間，形成挾持風箱 (bellows)等之緩衝構件10之構造。藉由以上之構成，使X 射線投影光學系統1及晶圓標記位置檢測機構6之位置關 係保持一定。 藉由以上機構’能用l〇nm以下之局精度來檢測晶圓 之標記位置。又，基線也能得到10nm以下之穩定性。有 關本發明之曝光裝置係根據這種檢測結果，將曝光圖案高 精度重疊在晶圓表面所形成之電路圖案上，進行曝光，在 所欲之領域之晶圓上之半導體晶片1個份之全面領域，能 用所欲形狀來得到最小尺寸0.07/zm之光阻圖案。又，能 用高良率及高產能來製作元件。 (第2實施例） 用第1實施例所示之X射線投影曝光裝置，在塗敷光 1____________Ιβ_____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線· 573235 A7 ____B7_____ 五、發明說明（ff) 阻之晶圓上，進行曝光。 在進行曝光時，事先用標記位置檢測機構來檢測晶圓 表面之標記，測定標記之間隔。然後，根據測定値與設計 値之差，算出曝光最佳之倍率補正量。然後，使光罩及晶 圓分別向X射線投影光學系統之光軸方向移動，來補正投 影倍率。 其次，測定基線(曝光視野中心與檢測中心之距離）。 又，用晶圓標記位置檢測機構及光罩標記位置檢測機 構來檢測晶圓表面及光罩表面之標記。然後，根據業已測 定之基線値，驅動晶圓載台及光罩載台，來調整晶圓位置 ，用所欲之重疊精度以下，以使投影圖案形成在電路圖案( 業已形成在晶圓表面)上。 藉由以上之曝光方法，能在所欲之領域之晶圓上之半 導體晶片1個份之全面領域，用所欲形狀來得到最小尺寸 〇_〇7//m之光阻圖案。此時之重疊精度係在10nm以下。 (第3實施例） 使用第1實施例所示之X射線投影曝光裝置，藉由第 2實施例所示之曝光方法，來製作半導體元件。元件係 16GB之DRAM。本元件係形成22層之電路，係使用有關 本發明之X射線投影曝光裝置，將元件內之15層進行曝 光。剩下之7層，因其最小圖案尺寸爲〇.15//m以上，故 用準分子雷射曝光裝置來進行曝光。在各曝光間，進行塗 敷光阻、摻雜、退火、蝕刻、沉積等處理，來製作元件電 路。最後，切斷砂晶圓，分割成晶片狀，將各晶片封裝成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -
^OJ* H ϋ ϋ ϋ ϋ ϋ ^1 I ! n —Λ I n —-Ρ ^1 ϋ H ϋ ϋ H ^1 I -ϋ H ϋ n I ϋ I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 573235 A7 -------- -B7___ 五、發明說明（ftf) / 陶瓷製之封裝體。 以上所製作之半導體元件係具有16GB之大容量，且 表現所欲之電氣特性。 【發明效果】 如以上所述，依本發明之X射線投影曝光裝置，能穩 定保持基線。其結果，即使對變形量大之製程晶圓，也能 用高重疊精度及高產能來進行曝光。 【圖式之簡單說明】 第1圖係有關本發明之X射線投影曝光裝置之槪略圖 〇 第2圖係有關本發明之X射線投影曝光裝置之標記位 置檢測機構之部分放大圖。 第3圖係表示有關本發明之X射線投影曝光裝置之曝 光視野與標記位置檢測機構檢測中心關係之說明圖。 第4圖係有關本發明之X射線投影曝光裝置之槪略圖 〇 第5圖係習知之曝光裝置之槪略圖。 第6圖係表示習知曝光裝置之曝光視野與標記位置檢 測機構檢測中心關係之說明圖。 第7圖係習知之X射線投影曝光裝置之槪略圖。 【符號說明】 1 X射線投影光學系統(鏡筒） 2 光罩 3 光罩載台 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線. 573235 A7 B7 五、發明說明（ 4 5 6 7 8 9 10 11a、lib 12 21 22、23 24 31 32 33、34 35a、35b 36 37 51 52 53 54 晶圓 晶圓載台 晶圓標記位置檢測機構 真空腔體 底座構件 除振台 緩衝構件 X射線 光束 檢測器 檢測光學系統(透鏡） 致動器 曝光視野 X射線投影光學系統之中心軸與像面之 交點(原點） 圓弧 35c檢測中心 曝光視野之中心點 通過曝光視野之中心點且與X軸正交 之直線 投影光學系統 光罩 光罩載台 晶圓 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---— II--訂·--------. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 573235 A7 B7 五 、發明說明 Λ 55 晶圓載台 56 晶圓標記位置檢測機構 57a、57b 曝光用光 61 曝光視野之中心點 62 曝光視野 63a、63b、 63c、63d 檢測中心 64 通過曝光視野中心點61 之驅動軸平行之直線 65 通過曝光視野中心點61 正交之直線 71 X射線投影光學系統(鏡 72 光罩 73 光罩載台 74 晶圓 75 晶圓載台 77 X射線光源 78 X射線照明光學系統 79a、79b、79c、79d X 射線 70 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----I----訂--------I . 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐）