TW573042B - Titanium target assembly for sputtering and method for preparing the same - Google Patents

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573042 A7 ____ B7 五、發明説明（1) 發明的背景 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關一種供濺射用之鈦靶裝置，其具有固相 擴散接合（結合）面，和一種製造彼之方法且特別是有關 一種可根據固相擴散接合（結合）技術塗佈金屬薄膜藉由 積層欽（T i )靶獲得的供濺射用之鈦靶裝置，其構成使 用於薄膜形成濺射裝置之陰極，和作爲靶撐體之背襯板， 以及製造彼之方法。 濺射靶在製備各種包括半導體裝置之薄膜裝置中可作 爲一種在基材上形成薄膜之濺射源。在半導體裝置的情形 中，大部份靶爲各具有盤狀之板。目前所使用之濺射靶爲 其中靶與稱謂背襯板之用於支撐和冷卻靶的支撐構件積層 之靶裝置。當靶裝置安裝在濺射陰極上及然後電力供應至 陰極時，由於熱的施用靶表面的溫度升高，但藉由將冷卻 水通過背襯板的背面除去熱，因此控制任何靶表面溫度的 增加。通常所使用之背襯板的材料爲例如金屬和其合金， 例如無氧銅，銅合金，鋁，鋁合金，鈦和鈦合金。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 習知上，靶和背襯板主要藉由使用低熔硬焊料（ brazing filler metal )例如I η或Sn合金接合。然而，當 爲了改進通過料量而施用高電力時，在欲接合之界面的溫 度不可避免地增加，雖然冷卻背襯板和各種的問題或麻煩 產生致使結合強度由於溫度的增加而減少和靶材由於硬焊 料熔化而隨後剝落。爲此理由，接合方法已轉換成積層接 合方法，其中不使用任何的硬焊料，視濺射靶而定。然而 ，當爲了進一步改進通過料量而將較高電力施用至陰極時 -—---—..........=-4-=____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 573042 A7 B7 五、發明説明（9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ’由於熱’祀之特性性質產生改變。而且，祀裝置的大小 已隨晶圓的大小增加而增加。當該高電力施用時，因爲這 些革G裝置的材料之間的熱膨脹係數之不同，此導致不同材 料的接合體之祀裝置的顯著翹曲發生和此隨後變成不便的 原因例如薄膜厚度的不平和薄膜品質的改變。因此，需要 適當選擇用於背襯板之材料，同時考慮冷卻效率和翹曲的 控制。 另一方面，除了前述冷卻效率和翹曲的控制之外，需 要靶/背襯板裝置符合在接合這些裝置的材料時，”耙材 料的結晶結構及結晶取向應被保持及背襯板材料的強度應 被確定”和”任何靶材料和背襯板材料之變形應藉由減少 接合負載而控制”之要求。 關於接合方法，其中不使用任何的硬焊料和其用以製 造靶/背襯板裝置，已申請很多專利申請案。例如，日本 未審查專利公開（以下稱爲” j · P _公開，’）平i — 283367 (曰本專利第2，831 ，356號）揭示 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 靶和背襯板直接在壓力下焊接而沒有任何黏接材料的插入 和列出爆炸壓力焊接技術和線焊技術作爲具體實施例。此 專利也揭不藉由熱軋和擴散接合或結合技術獲得的結果及 陳述良好結合強度能夠藉由這些技術達成。 作爲另一直接接合方法，j . P ·公開號平6一 6 5 7 3 3揭不一種擴散結合方法，其包括預熱一支撐構 件和祀構件，一個放置在另一個上層和藉由加壓施用負載 到該等構件的步驟。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公着） 573042 A7 _B7 五、發明説明（：$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 仍作爲另一直接接合方法，J · p .公開號平9 -1 4 3 7 0 4揭示一種擴散接合方法，其包括使鈦靶材料 與鋁背襯板材料接觸及然後使這些材料在3 〇 〇到4 5〇 °C範圍之溫度及從5 0到2 0 0 Μ P a範圍之壓力下施加 水壓的步驟。此公開也在實例中揭示可4 5 0 °C和1 2 0 Μ P a條件下獲得9 1 Μ P a ( 9 . 3 k g /m m 2 )等級 的結合強度和可在4 5 0 °C和4 5 Μ P a條件下獲得3 5 Μ P a ( 3 · 6 k g / m m 2 )等級上的結合強度。 如上述所討論，已申請很多有關直接結合方法的專利 申請案，但多數其限制於T i / A 1之組合和藉由廣泛地 改變這些方法達成之裝置的結合強度。 本發明的發明人應用在揭示J . P .公開號平1 - 283367 (日本專利第2，831 ，356號）之擴 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 散結合方法，其不嚴利地限制在用於其他技術之中的靶裝 置之材料，至T i (靶）/ C u (背襯板）的組合和進行 結合測試。結果，發現結合方法提供缺乏結合穩定性和可 {§度且顯不局散射之結果和更詳而言之，發現結合強度在 5 0 0 °C或4 5 0 t的結合溫度和4 0 Μ P a的壓力之條 件下落於6到1 1 k g /m m 2範圍內。 本發明的發明人也嘗試在4 0 0 °C和1 0 0 Μ P a條 件下直接化學結合T i / C u之組合，其根據該等揭示在 另一有關T i / A 1結合之習知技術選擇。然而，無論如 何所達到的結合強度低如1 . 5 k g /m m 2的等級和因此 ，這個方法完全不確定所希望或所要之結合穩定性和可信 -----_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇χ：297公釐） 573042 A7 B7 五、發明説明（4 度。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 另一方面’作爲結合方法，爲了減少欲施用之負載或 減少結合溫度使用插入材料，在j · p .公開號平6 - 108246和平6 - 172993已揭示用於獲得，，各 包括一祀材料、插入材料和背襯板材料之靶裝置，在各相 鄰二個材料之間具有固相擴散結合界面，，之方法。詳而言 之’這些公開揭示一種所要的裝置可藉由插入物材料落在 2 0 0到6 0 0 °C之溫度及落在〇 · 1到2 〇 k g / m m 2 範圍內之施用負載經由A g，c u及/或N i所組成的插 入材料將靶和背襯板材料固相擴散結合。在這些公開的例 子中，6 k g / m m 2的結合強度（或剪切強度）可藉由結 合一種T i靶材料和一種無氧銅背襯板材料（J · p .公 開號平6 — 1 〇 8 2 4 6 )或一種A 1合金靶材料和一種 無氧銅背襯板材料（j P ·公開號平6〜1 7 2 9 9 3 ) ’在2 5 0 t：之溫度和8 k g / m m 2之施用負載下使用具 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 有1 0 0 // m厚度之A g箔作爲插入材料而完成。然而， 當本發明的發明人根據前述方法使用A g箔當做插入材料 進行結合T i和C u的測試時，所得結合強度缺乏黏合穩 定性和可信度。更詳而言之，強度於5 0 〇 t的溫度和4 k g / m m 2的負載下在從3到7 k g / m m 2範圍內廣泛 地改變及在4 5 0 t之溫度和4 k g /m m 2的負載之結合 操作簡單達成該種評估樣品在其製造期間破損的結合強度 之強度。 如上述已詳細描述的，已知道很多關於靶和背襯板的 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 573042 A7 ______B7__ 五、發明説明（$ 結合之習知技術。然而，如果本發明的發明人依照在這些 習知技術所揭示的條件進行黏合T i (靶）和C u (背襯 板）的測試，發現所得裝置沒有顯示任何的高結合強度， 他們顯示廣泛的結合強度分佈和他們在結合穩定性和可信 度上是不足夠的。 本發明的發明人因此有各種調查結果和已結論獲得一 種顯示高黏合強和高黏合穩定性以及可信度之靶裝置應符 合下列二個要求： (i )應在不同金屬的材料之間形成連續區或連續體 ;和 (i i )應該控制金屬化合物在不同金屬材料之間的 形成。 關於前述（i )項，這些不同金屬從不進行任何相互 擴散或其間之相互擴散，如果金屬各不具有相互固態溶解 度，任何連續區不可能形成，除非他們產生任何之相互擴 散及且他們簡單和機械性結合。另一方面，關於前述（ i i )項，如果金屬化合物在他們之間形成，化合物本身 作爲應力集中點，因爲其天生相當硬和脆且因此所得裝置 的結合穩定性和可信度被顯著減少。 事實上，根據所要的條件進行之結合測試中觀察破損 段所獲得的結果指示在習知技術中金屬不進行任何充份之 相互擴散或形成金屬化合物。 從前述可知，結論應符合下列獨立且互惠的要求以便 獲得具有高結合強度和高結合穩定性以及可信度之靶裝置 —----- -只-__ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

573042 A7 ___B7__ 五、發明説明（弓 (a )選擇各具有相互固態溶解度之材料； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (b )藉由界面的淸潔處理加速相互擴散；和 (c )藉由處理的溫度和時間之控制抑制金屬化合物 的形成。 特別地，相互擴散（b )的加速爲減輕抗金屬之間的 黏合和擴散之表面障礙層的基本要求。 另一方面，在靶/背襯板裝置中，本質上要求應維持 靶材料的結晶結構和結晶取向及背襯板材料的強度應同樣 被確定和進一步要求靶材料及背襯板材料的任何變形應藉 由減少這些材料接合時的接合負載來控制。因此，爲了獲 得所要的靶裝置，需要發展一種新穎接合或結合方法，其 可同時符合這些要求。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在前述習知技術之中，揭示在J · P ·公開號平1 -283367 (日本專利第2 ，831 ，356號）的發 明遭遇一種當結合溫度降低時所得之靶裝置的結合強度快 速減少之問題，揭示在J · P ·公開號平6 -108246和平6 — 172993之發明遭遇一種由於 合倂插入材料，所得裝置的結合強度廣泛改變的問題及在 揭示J . P ·公開號平9 一 1 4 3 7 0 4之發明遭遇一種 因施用高負載而材料變形和所得之結合強度不足夠高的問 題。 而且，前述習知技術只揭示所得裝置的結合強度，且 這些技術從未提及在邊界的擴散對材料之間的黏合或接合 _ ___________ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 573042 A7 ____B7__ 五、發明説明（1) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 之貢獻程度。希望在高溫進行擴散以便誘發破損邊界的改 變（由於在邊界擴散），致使所得裝置顯示黏合穩定性和 可信度，但是結合溫度應該減少以便符合前述的要求：“ 抑制金屬化合物之形成”和”靶材料的結晶結構及結晶取 向應被維持以及背襯板材料的強度應同樣地被確定”。換 句話說，應該符合互惠的二個要求。 發明槪述 因此’本發明的目的是解決前述與廣泛知識之習知技 術有關的問題且更詳而言之提供一種具有高結合強度和高 黏合穩定性以及可信度的供濺射用之鈦靶裝置以及一種於 低溫度和低施用負載下根據固相擴散結合於短時間製備該 裝置之方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明的發明人已完成一種結合方法，其可確定在結 合界面之充份固相擴散，甚至在下列條件下：在真空下， 於低溫度和低黏合負載和短時段，根據物理蒸汽沈積技術 藉由將活性金屬薄膜沈積到欲結合側之靶材料的表面上， 因此覆蓋表面且申請一專利申請案：日本專利申請案序號 2000 — 72380 號（申請日：平 12 (2 〇 00) ，3月1 5曰）。 根據本發明的供濺射用之鈦靶裝置和製造彼之方法已 藉由長期發展揭示在前述早期申請之專利申請案的發明而 完成。 根據本發明的一觀點，提供一種鈦靶裝置，其包括一 --------- m.___ 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 573042 A7 ____B7_ 五、發明説明（參 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 種由尚純度鈦組成的濺射耙，一種由銅或銅合金組成和作 爲靶的支撐構件之背襯板和由銀或銀合金組成且形成及夾 層於該祀和該背襯板之間的塗料薄膜，其中該塗料薄膜根 據物理蒸汽沈積技術在該靶的結合側或在該靶及該背襯板 的結合側等之進行淸潔處理的表面上形成及該靶和該背襯 板被固相擴散結合，而備有該塗料薄膜之面（等）作爲結 合面。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明的另一觀點，提供一種製備供濺射用之鈦 靶裝置之方法，其係藉由結合由高純度之鈦組成的濺射靶 和由銅或銅合金組成及作爲該靶的支撐構件之背襯板，如 此產生一種供濺射用之鈦靶裝置及該方法包括步驟：（1 )根據濺射蝕刻技術或離子轟擊技術以惰性氣體電漿處理 該靶及/或該背襯板之其結合側的表面，如此使結合表面 (等）淸潔；（2 )在淸潔步驟（1 )完成之後，立刻以 物理蒸汽沈積技術而沒有打開到大氣壓下在該淸潔之結合 表面（等）上形成由銀或銀合金所組成的塗料薄膜及（3 )經由備有該塗料薄膜之表面（等）固相擴散結合該靶及 該背襯板’如此形成具有固相擴散結合面之鈦靶裝置。 圖式簡要說明 圖1爲一顯示根據本發明黏合T i / C u之溫度和所 得裝置之結合強度之間的關係之曲線圖，所得數據與觀察 習知裝置所得數據比較。 圖2爲顯示在根據本發明所得裝置之中央，中間和週 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公餐） '一 573042 A7 ----------B7_ 邊部分所観察之當接合T i和c U材料之結合強度分佈或 結合強度的曲線圖，所得數據與觀察習知裝置所得數據比 較。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 較佳具體實施例的說明 本發明’一般較佳銀或銀合金的塗料薄膜之厚度不小 於0 . 5 # m的和不超過1 q # ηι之厚度和前述固相擴散 結合步驟在不大於0 · 1巴真空氣壓下，於不小於4 〇 〇 C和不大於4 5 0 °C的結合溫度和在黏合他們時施用不小 於4 0 Μ P a和不大於1 〇 〇 μ P a的負載至材料2個小 時內的黏合時間。本發明的方法允許製造一種濺射靶裝置 ’即使在該溫和的黏合條件之下。所得裝置包含高純度 T i靶和C u或C u合金背襯板，其在不小於；[〇 k g / m m 2剪切強度下堅固地擴散結合和在這些材料之間的界面 不破損。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 關於A g薄膜之厚度，如果其小於〇 . 5 // m，所得 薄膜時常具有不平的厚度或厚度的分佈，當如果其大時 1 0 // m，所得薄膜內的應力減輕。因此，希望其厚度不 小於0 · 5 // m和不大於1 〇 // m。而且，如果使用高於 〇·1巴之真空氣壓，銀或銀合金塗料薄膜在其表面上被 氧化，且此造成在結合界面形成擴散障壁。如果結合溫度 小於4 0 0 °C，所得濺射靶裝置具有減少的結合強度，而 如果溫度超過4 5 0 t，裝置之材料在黏合操作期間容易 產生變形。此外，如果黏合時施用之負載小於4 0 Μ P a _;____ -1? -____ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 573042 A7 B7 五、發明説明（负 ’裝置之材料不易產生所要擴散結合。而負載大於1 〇 0 M p a ，背襯板容易產生變形。再者，如果黏合時間超過 2個小時，則擴散有時過度進展。此隨後造成形成金屬化 合物之可能性增加及生產率之減少。 在本發明中非常重要之步驟如下：根據例如濺射蝕刻 技術使用惰性氣體例如A r之電漿在靶之結合側的表面或 靶和背襯板之結合側的表面進行淸潔處理之步驟及在淸潔 步驟完成之後，立刻根據物理蒸汽沈積（P V D )技術在 該結合側的淸潔表面（等）上形成由銀或銀合金所組成的 塗料薄膜之步驟。結果，材料之相互擴散可容易地發生， 甚至在低溫，在低負載下於短時間內，且所得裝置顯現足 夠高的結合強度。該物理蒸汽沈積技術之典型例子爲真空 蒸發沈積，濺射和離子電鍍技術。根據該等薄膜形成技術 ’薄膜本身黏合至欲在高淸潔條件下塗佈之材料且因此裝 置之黏著強度也是高的。特別地，如果靶材料之表面或靶 材料和背襯板之表面在形成所要薄膜之前以離子先淸潔， 則獲得一淸潔的表面，該等表面至A g或A g合金薄膜之 黏著顯著改良及T i 、A g及C u材料之間的相互擴散於 結合溫度下容易地進行。 該根據本發明施用於結合表面（等）上之薄膜A g或 Ag合金包括其中高內應變且因此在T i 一 Ag和Ag -C u界面之相互擴散啓始溫度被實質上減少。原則上，這 種現象相同於再結晶溫度之減少，視塑膠形成的程度而定 。爲此理由，該如此沈積或塗佈之銀或銀合金薄膜的使用 ---· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 573042 A7 ____B7 五、發明説明（1)1 將允許結合溫度的減少，如與觀察當使用箔插入物比較和 結果，任何的金屬化合物的形成同樣被抑制。 本發明以下將參考下列實例和比較例更詳細地描述， 但是本發明完全不限制於這些特殊實例中。 實例1 鈦（T i :純度9 9 · 9 9 5 % )鈀材料（具有 3 0 〇毫米直徑（ό )之盤狀片）和具有相同大小的銅背襯 板材料在丙酮中進行超音波除脂和洗滌。完成洗滌之後， 靶材料的表面在其結合側或靶背和襯板材料的表面在他們 的結合側上在A r氣壓下經由離子轟擊進行淸潔處理（淸 潔條件：0 · 7巴的A r氣壓；2千瓦之施用電力；和 3 0分鐘的淸潔時間），然後沒有打開他們至大氣壓下和 在淸潔處理之後，立刻根據物理蒸汽沈積技術在這些表面 上形成A g塗料薄膜（物理蒸汽沈積條件：〇 . 4巴的 A r大氣壓；3千瓦之施用電力；和〇 · //m/分鐘之薄 膜形成速度）。然後IE材料和背觀板材料在如圖1所顯示 的條件下固相擴散結合，同時使用備有塗料薄膜作爲結合 面之面（等）。結合條件之中，真空的程度，結合時間和 施用負載分別設定在0 . 0 1巴，2小時和4 0 Μ P a之 固定程度和在此處所選擇之結合方法爲下列三種方法：習 知直接結合方法，一種使用A g片（具有1 〇 μ m厚度的 A g箔）作爲插入物之方法，和根據本發明之方法，其使 用前述之塗佈薄膜。這些方法的不同從結合溫度（4 〇 〇 ------—--14 -_ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

573042 A7 B7 五、發明説明（1)2 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) °C，4 5 0 °C和5 0 0 °C )對所得靶裝置之結合強度的影 響之觀點檢查。如此獲得的結果作圖於圖1中和裝置的破 損模態上也顯示在圖1中。 同樣地從圖1作圖或所示之數據將淸楚可知，如果材 料的結合面藉由轟擊淸潔和其後立刻如本發明根據物理蒸 汽沈積技術以A g塗佈而沒有打開裝備至大氣壓，則所得 裝置的破損在全部檢查溫度下發生於A g塗佈薄膜內。此 事實指示該等用於裝置之材料在其界面進行滿意的擴散。 而且，也發現所得裝置的結合強度爲充份或可接受的小於 1 0 k g /m m 2的等級。與此相反，習知直接結合方法允 e午製ia具有於5 0 0 C的結合溫度之較局結合強度的裝置 ，但是黏合於低結合溫度例如4 0 0和4 5 0 °C之裝置顯 示低結合強度及在所有的檢查結合溫度下於T i / C u界 面發生裝置的破損。另一方面，根據使用A g片當做插入 物之結合方法製造的裝置在T i /A g和A g/C u界面 遭受破損及在所有的檢查結合溫度下其結合強度非常低或 不可測得地低。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除此之外，在前述二種方法，結合溫度，真空的程度 ’結合時間和施用負載分別設定在4 〇 〇 °C，0 . 0 1巴 ，2小時和1 0 〇 Μ P a之固定程度以便如此檢查不同的 結合方法對結合強度的影響。就此觀點，結合強度在中央 部分（具有3 〇 0毫米直徑之靶的中心：零毫米），中間 部分（存在於距離裝置的靶中心7 5毫米）和週邊部分（ 存在於距離裝置的靶中心1 5 0毫米）測定。如此獲得之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 573042 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7___五、發明説明（1)3 結果作圖於圖2上，及裝置的破損模態也被顯示在圖2中 〇 同樣地從圖2作圖或所示之數據將淸楚可知，如果欲 結合之材料的結合面藉由轟擊淸潔和其後立刻如本發明根 根據物理蒸汽沈積技術以A g塗佈而沒有打開裝備至大氣 壓’所得裝置的破損在全部檢查溫度下發生在A g塗佈薄 膜內。此事實指示該等用於裝置之材料在其界面進行滿意 的擴散。而且，也發現所得裝置的結合強度爲充份或可接 受的小於1 4 k g /m m 2的等級。與此相反，習知直接結 合方法允許製造具有顯著低之結合強度的裝置及於T i / C u界面發生裝置的破損。另一方面，根據使^ a g片當 做插入物之結合方法所製造的裝置在T i / A g和A g / C u界面遭受破損及在各測量點其結合強度顯奢地低或顯 示散射。 根據本發明，下列效果可藉由在靶和背襯板的擴散結 合中將Ag或Ag合金的PVD塗佈薄膜施用在由T i組 成之靶及上由C u或C u合金組成之背襯板上而完成： 1 )塗布薄膜材料具有高熔點，如與習用的硬焊料之 材料比較，因此薄膜材料在製造方法例如其熔出上從不具 有任何壞的影響。 2 )在界面之擴散啓始溫度藉由將具有局應變之A g 或A g合金薄膜施用至結合面上來減少，結合面以使用惰 性氣體例如A r的電漿之濺射鈾刻或離子轟擊技術淸潔， 且因此於低負載在和低結合溫度經一短時間所得裝置的高 -—_______- 1R - _ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}

Claims (1)

1. 573042

   A8 B8 C8 D8 1 1 · 一種鈦靶裝置，其包括鈦的濺射靶，由銅或銅合 金組成和作爲該靶的支撐構件之背襯板和由銀或銀合金組 成且形成於該祀和該背襯板之間的塗料薄膜，其中該塗料 薄膜根據物理蒸汽沈積技術在該靶的結合側或在該靶及該 背襯板的結合側等之進行淸潔處理的表面上形成及該靶和 該背襯板被固相擴散結合，而備有該塗料薄膜之面（等） 作爲結合面。 2 · —種製備供濺射用之鈦靶裝置之方法，其係藉由 黏合鈦的濺射靶和由銅或銅合金組成及作爲該靶的支撐構 件之背襯板，如此產生一種供濺射用之鈦靶裝置，其包括 步驟： (1 )依照濺射蝕刻技術或離子轟擊技術以惰性氣體 電漿處理該靶及/或該背襯板在其結合側的表面，如此使 結合表面（等）淸潔； (2 )在淸潔步驟（1 )完成之後，立刻以物理蒸 汽沈積技術而沒有打開到大氣下在該淸潔之結合表面（等 )上形成由銀或銀合金所組成的塗料薄膜及 (3 )經由備有該塗料薄膜之表面（等）固相擴散結 合該靶及該背襯板，如此形成具有固相擴散平之鈦靶裝置 〇 3 ·如申請專利範圍第2項所述之製備供濺射用之鈦 靶裝置之方法’其中該銀或銀合金之塗佈薄膜具有不小於 〇 · 5 // m和不大於1 〇 # m之厚度。 4 ·如申請專利範圍第2項所述之製備供濺射用之鈦 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 573042 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 一六、申請專利範圍 2 靶裝置之方法，其中該固相擴散結合步驟在不大於0 · 1 巴真空氣壓下，於不小於4 0 0 °C和不大於4 5 〇 的結 合溫度和在黏合步驟期間不小於4 0 Μ P a和不大於 1 0 0 Μ P a的負載應用進行2個小時內的黏合時間。 5 ·如申請專利範圍第3項所述之製備供濺射用之隹太 靶裝置之方法，其中該固相擴散結合步驟在不大於0 · 1 巴真空氣壓下，於不小於4 0 0 °C和不大於4 5 0 °C的結 合溫度和在黏合步驟期間不小於4 0 Μ P a和不大於 1 0 0 Μ P a的負載應用進行2個小時內的黏合時間。 6 ·如申請專利範圍第2項所述之製備供濺射用之鈦 靶裝置之方法，其中該物理蒸汽沈積技術選自真空蒸發沈 積，濺射和離子電鍍技術。 7 ·如申請專利範圍第3項所述之製備供濺射用之鈦 靶裝置之方法，其中該物理蒸汽沈積技術選自真空蒸發沈 積，濺射和離子電鑛技術。 8 ·如申請專利範圍第4項所述之製備供濺射用之鈦 靶裝置之方法，其中該物理蒸汽沈積技術選自真空蒸發沈 積，濺射和離子電鍍技術。 9 ·如申請專利範圍第5項所述之製備供濺射用之鈦 靶裝置之方法，其中該物理蒸汽沈積技術選自真空蒸發沈 積，濺射和離子電鍍技術。 !Γ —— ^----f (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -19-