TW569221B - Chip having on-system programmable nonvolatile memory and off-system programmable nonvolatile memory, and forming method and programming method of the same - Google Patents

Description

569221 五、發明說明（1) 發明領域 本發明係有關一種可程式化晶片，特別是關於一種具 有在系統上可程式化非揮發性記憶體（〇 η - s y s t e m programmable nonvolatile memory)及離系統可程式化非 揮發性記憶體（off-system programmable nonvolatile memory )之晶片以及其形成方法與程式化方法。 發明背景 使用電性可程式化的非揮發性記憶體，例如快閃 (flash)記憶體及可電抹寫可程式化（eiectrically erasable programmable) it *lt It，必須配置升壓 (pumping)電路在記憶體陣列（array)旁，俾在程式化或抹 寫（erase)記憶體期間供應所需的高電壓，此高電壓為電 源電壓的數倍，與升壓的級數有關。此外，一次寫錄較多 位元可以縮短寫入時間，提高程式化速度，因此升壓電路 同時也是大電流裝置。由於高電壓及大電流，升壓電路佔 據相當大的晶片面積，其製作成本也較高，然而，這些電 路只有在進行程式化或抹寫時才有作用，因此浪費大的晶 片面積給它們並不經濟。除了升壓電路之外，有些記憶體 陣列-更被提供為了程式化或抹寫的額外的辅助電路，例 如’在某些快閃記憶禮中的狀態機（s t a t e m a c h i n e )被用 來防止快閃記憶胞（c e 1 1 )被過度抹寫，這些電路更進一步 消耗晶片面積及產生製造成本。 就標準型記憶體裝置而言，由於記憶容量龐大，其記

569221 五、發明說明（2) 憶體陣列的面積因此相當巨大，因而升壓電路及狀態機所 佔的面積比例不會很高，但是對於其他類型的晶片而言， 例如微控制器（micro control ler)及數位訊號處理器 (Digital Signal Processer; DSP)，其配備的記憶容量 不是很大，但是為了維持高的寫入效率，升壓電路及狀態 機所佔的面積比例將變得非常高。第一圖係一典型的微控 制器的f意圖’在微控制器10中，中央處理單元（Central Processing Unit; CPU)12連接靜態隨機存取記憶體 (Static Random Acess Memory ; SRAM) 14、輸入/ 輸出 (I/O)皁元 15 及可多次燒錄（Multi - Time Programmable; MTP)記憶體16，後者被燒錄CPU 12的程式碼及許多微控制 器1 0所應用的裝置的資料碼。為了程式化MTP1 6，利用升 壓電路18從電源電壓VDD及接地電壓GND產生燒錄電壓VPP 及VNN供應給MTP 16。如果MTP16係使用快閃記憶體，則更 包括狀態機20在抹寫時防止MTP 16被過度抹寫，這些升壓 電路1 8及狀態機2 0佔用相當比例的晶片面積。為縮小晶片 面積及降低成本’ Yu等人在讓渡給本申請人的美國專利第 6 3 8 5 0 7 3號中，將升壓電路及共享的控制電路從個別的晶 片中移出成為共用電路，而在個別的晶片中僅保留記憶體 陣列·及少許的控制電路。 一般而言，微控制器10在出廠後，其CPU 12的程式甚 少被更動，但是在許多應用上，MTP 16中的資料碼可能需 要被更新或修改。換言之，存在一種需求係MTP 16的内容 有少部份能夠被方便地修改。然而，.不論在晶片1 〇上製作

569221 五、發明說明（3) 完整的記憶體2 2，或是為了縮減面積及降低成本而移除升 壓電路18及狀態機20，皆無法讓使用者進行在系統上程式 化晶片10，這是因為MTP 16中儲存CPU 12的程式碼，使得 微控制器10不能程式化其自身的MTP 16。 在本文中的可程式化非揮發性記憶體係指一完整的記 憶體除了升壓電路及狀態機以外的部份，或是記憶體陣列 及其少許必要的控制電路，例如解碼器及感測放大器等 等。為了不使本發明被模糊，某些細節在實施例的敘述中 被省略，而不影響對本發明之原理的說明及瞭解。為了使 本文中的可程式化非揮發性記憶體與一般所稱的可程式化 非揮發性記憶體有區別，在第一圖中以虛線方塊22表示一 般所稱的可程式化非揮發性記憶體，因此讀者可以明白此 處根據本發明的原理所設計的實施例。 發明目的及概述 产 本發明之目的在於揭露一種具有在系統上可程式化非 揮發性記憶體及離系統可程式化非揮發性記憶體之晶片以 及其形成方法與程式化方法。 根據本發明，在一晶片中，控制電路連接在系統上可 程式-化非揮發性記憶體及離系統可程式化非揮發性記憶 體，升壓電路連接該在系統上可程式化非揮發性記憶體， 以及揮發性記憶體連接該控制電路。該離系統可程式化非 揮發性記憶體被燒錄有該控制電路的程式碼，該在系統上 可程式化非揮發性記憶體可以被該控制電路進行在系統上

569221 五、發明說明（4) 5式：：以：$二入資料。該晶片包括繞錄模式及操作模 ΐ以ί:η: ’該離系統可程式化非揮發性記憶趙 供；而在該操作模式下，嗲在糸絲由該日曰片外祁耠 憶體可以被該控制直上：：式化非揮發性記 係由該升壓電路：：路直接私式化而其所需的燒錄電壓 詳細說明 ” φ第^ ί根據本發明的第_實施例的*意圖。在晶片 π y ^電路3 2連接離系統可程式化非揮發性記憶體3 6 及在f統上可程式化非揮發性記憶體42，SRAM 34及輸入/ ，=單元35連接控制電路32，升壓電路38及狀態機4〇連接 t系統上可程式化非揮發性記憶體42，後者包括快閃記憶 2 。晶片30包括燒錄模式及操作模式，在燒錄模式下， :統可程式化非揮發性記憶體3 6可以被程式化，在操作 ^式下’在系統上可程式化非揮發性記憶體42可以被程式 / λ ΐ而’在燒錄離系統可程式化非揮發性記憶體3 6時， ^由晶片30外部供應燒錄電壓VPP及VNN給離系統可程式化 f =發性記憶體3 6 ;而在燒錄在系統上可程式化非揮發性 H體42時，升壓電路38從晶片30的電源電壓VDD及接地 ί ir 1 avpp ^VNN ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 性記Ϊ i抹寫❶典型地，離系統可程式化非揮發 β心·體的谷量大於在系統上可程式化非揮發性記憶體

569221 五 發明說明（5) 4』：ί ί; i m路32的程式碼在晶片3〇出廠前被燒錄 式式非揮發性記憶趙36中，而在系統上可程 趙42則被燒錄資料碼，例如應用端密 能夠讓使用去ή /員通道數等等，並且在晶片3 〇出廠後仍然 揮發性自新或修改其内容。不同KSRAM 34為 = =可程式化非揮發性…36及在系 j”:子：内"系統可程式化非揮發性記憶想36可以 MTP 燒T ( _Tlme Programmable; OTP)記憶體或 憶艎陣列使用可電抹寫可程式化記憶鱧陣列或快閃記 30批Ϊ Ϊ =上可程式化非揮發性記憶體42的燒錄係由晶片 J :及操作’與習知技藝不同土也，燒錄在系統 =發性記憶趙42係在晶片3〇的操作模式而 二，了。控制電路32對在系統上可程式化非揮發性記=二 $仃燒錄的控制程序可以被預先燒錄在離系統可程2 非揮發性記憶體3 6中，或是在燒錄在系統上可程式化^ 發性記憶體4 2時經由輸入/輸出單元3 5從晶片3 〇外 並儲存在SRAM 34中，必要時，晶片30提供SRAM 34° § 其他-揮發性記憶體儲存該燒錄控制程序。在一實施卜的 在系統上可程式化非揮發性記憶體4 2的儲存内容的二於 欲被修改，控制電路32先將在系統上可程式化非揮=伤 憶體42的内容讀出並儲存至SRAM 34，然後修改要更新义 部份，，再將修改後的内容燒錄至在系統上可程式化非的

569221 五、發明說明（6) 性記憶體42。 第三圖係根據本發明的第二實施例的示意圖，其組成 和第二圖的實施例電路相同，但是狀態機4 0被移除，而改 用具有防止過度抹寫功能的在系統上可程式化非揮發性記 憶體4 4，其包含許多記憶胞，每一記憶胞如第四圖所示， 係由一快閃記憶胞46串聯一MOS電晶體48，後者的閘極連 接至前者的閘極及字元線WL。在不同的實施例中，MOS電 晶體48的閘極亦可連接至其他的控制信號而非字元線WL。 第五圖係根據本發明的第三實施例的示意圖，其組成 和第二圖的實施例電路相同，但是狀態機4 0被移除，而改 以控制電路3 2執行狀態機程式，以防止過度抹寫在系統上 可程式化非揮發性記憶體4 2。此狀態機程式可以被預先燒 錄在離系統可程式化非揮發性記憶體3 6中，或於燒錄在系 統上可程式化非揮發性記憶體4 2時，經由輸入/輸出單元 35從晶片30外部讀入並儲存在SRAM 34中，必要時，晶〃片 30提供SRAM 34以外的其他揮發性記憶體儲存該狀態機程 式。 在系統上可程式化非揮發性記憶體4 2 / 4 4可以被區分 為許多燒錄單位，例如記憶胞、位元、位元組或字元，在 其被-燒錄的過程中，係以燒錄單位為最小單位而逐單位地 寫入在系統上可程式化非揮發性記憶體。晶片3 0可以使用 快閃記憶體製程以降低成本，但是對於使用者而言，卻能 夠以位元組為單位修改其内容，如同使用可電抹寫可程式 化記憶體一般。此外，燒錄在系統上可程式化非揮發性記

569221 五、發明說明（7) 憶體係在晶片3 〇的操作模式下進行，與使用一般的應用軟 體一樣地方便且容易。若要燒錄離系統可程式化非揮發性 吞己憶體，如同習知技術一般，使〕用另外的燒錄器，而要燒 錄在系統上可程式化非揮發性記憶體，使用者可以自行燒 錄。 在 可程式 揮發性 化非揮 根據本 非揮發 可電抹 組，在 以採用 3 4中， 入可程 間經輪 式化非 雖 憶體3 6 中係以 二非揮 七圖係 性記憶 系統上可程式化非揮發性記憶體可以使用可電抹寫 化記憶體陣列、快閃記憶體陣列或其他可程式化非 記憶體元件，在前述的實施例中’在系統上可程式 發性記憶體係使用快閃記憶體’不同地，第六圖係 發明的第四實施例的示意圖，其在系統上可程式化 性記憶體4 9係使用可電抹寫可程式化記憶體陣列。 寫可程式化記憶體可以單獨地寫入一位元或一位元 燒錄可程式化非揮發性記憶體4 9時，有兩種方式可 ’ 一種方式係將欲修改的内容讀入並儲存在SRAM 在燒錄期間，從SRAM 34讀出該欲修改的内容並寫 式化非揮發性記憶體4 9中；另一種方式係在燒錄期 入/輸出單元35從晶片30外部讀入後直接寫入可程 揮發性記憶鱧49。 然在上述的實施例中，離系統可程式化非揮發性記 ^在系統上可程式化非揮發性記憶體42 = 體表示，但是在硬體的實現上此 " 可以被製作為在同一記憶體區塊中。第 m:個實施例的示意圖，在晶片3"，非揮發 趙5〇被分割成兩個區塊.分別作為離系統可程式化非

569221 發明說明（8) 1 發性^在系統上可程式化非揮發性記憶趙 升懕I牧qsT有在系統上可程式化非揮發性記憶體5 0b連搔 須連接S # 3’〇 = ^系統可程式化非揮發性記憶體36仍然必 頁m〇 t部的燒錄電壓VPP及VNN始能被程式化。 圖，割t揮發性記憶體的另-實施例的示意 非揮發性記憶體其選餘取的一則個作區^作/在Μ 化非揮發性記惊Ϊ查f性S己憶體52中的在系統上可程式 錄電壓VPP及VN&連線則壓電路38 ’而晶片30外部的燒 統可程式化非揮發性記至生記憶體52中的離系 或程式化電路來實現，開關54可以利用熔絲（fuse) 的連接配置即決定非揮^定f絲的燒斷與否或程式化電路 亦可由控制電路3 2操#發性記憶體52的區塊分配。開關54 控制電路32。 、1 ’惟此時其必須連線（圖中未示）至 在燒錄離系統可程々 VPP及VNN係從曰u ^武化非揮發性記憶體時，燒錄電壓 生，欲燒錄至離系統 、七供’而非在晶片30的内部產 以從-晶片3 0外郫古程式化非揮發性記憶體中的内容可 統可程式化非揮發性—幻接腳（Pln)VPP及VNN連接至離系 出單元3 5從外部讀入體’或是經過晶片3 0的輸入/輸 體。由於離系^ ^程=送至離系統可程式化非揮發性記憶 部的燒錄電壓，1工化非揮發性記憶體係利用晶片3 〇外 扭用咼速的抹寫及程式化，卻毋

第11頁 569221

表一 I ；------1—._______ 丨應用 丨:系統可程式T在系統 U-——一―—Π3!_)_ 丨―〜⑷二體 I儲存的物件 i 程式 ！〜 I |—______|_^ 丨晶片的狀態 |燒錄模式丨 操作 卜-------+ -— 一·___+ —二二式 丨儲存内容的意義I 程式碼 丨 洛#—〜 I---------μ — — —____I___二值 I儲存内容的用途I執行程序I 資粗 I____ __L 貧科暫存 | 從離系統可程式化非揮發性記憶體及在系 揮發性記憶想所儲存的物件來區別，控制電=t式化非 的程式或指令係燒錄在離系統可程式化非蛙，作所需 中，在系統上可程式化非揮發性記憶體則提供儲存2體 貫料，

569221 五、發明說明（ίο) -- --- :j,使用者進行直接在系統上程式化，w更新其内容。 ，晶片3 γ的狀態來看，離系統可程式化非揮發性記憶 糸在燒錄模式下始能被程式化，而在系統上可程式化^ 發性記憶體係在操作模式下，如同一般正常的模式，由 ，用^自行更新或修改。若從二者所儲存内容的意義來 ’程式碼係儲存在離系統可程式化非揮發性記憶體中， :在系統上可程式化非揮發性記憶體係儲存數值。再從二 A 1用途來分別’離系統可程式化非揮發性記憶體係供執 $，序之用’而在系統上可程式化非揮發性記憶體係當作 料暫存器，只是其為非揮發性記憶體，在電源關閉後仍 i能夠保存資料。這些實施例的說明並非限定，在不同的 ，用中，離系統可程式化非揮發性記憶體也可以儲存資 料’而在系統上可程式化非揮發性記憶體也可以儲存护 電路32的程式以外的程式。 ^ 從上述的實施例說明，熟習此項技藝之人士很容易修 改或經由該等實施例的學習而獲得各種應用，例如微控^ 器、數位訊號處理器或其他晶片。在微控制器及數位訊號 處理器中，上述實施例的控制電路3 2係CPU ;在電話I c ' 中，上述實施例的控制電路32係電話ic中被通稱為狀態 (與快閃記憶體的狀態機不同）的邏輯電路；在其他類^的 晶片中，上述實施例的控制電路32係主控該晶片操作程序 的邏輯電路。 以上對於本發明之較佳實施例所作的敘述係為閣明之 目約，而無意限定本發明精確地為所揭露的形式，基於以

569221 五、發明說明（11) 上的教導或從本發明的實施例學習而作修改或變化是可能 的，實施例係為解說本發明的原理以及讓熟習該項技術者 以各種實施例利用本發明在實際應用上而選擇及敘述，本 發明的技術思想企圖由以下的申請專利範圍及其均等來決 定0

第14頁 569221 圖式簡單說明 對於熟習本技藝之人士而言，從以下所作的詳細敘述 配合伴隨的圖式，本發明將能夠更清楚地被瞭解，其上述 及其他目的及優點將會變得更明顯，其中： 第一圖係習知的微控制器的示意圖； 第二圖係根據本發明的第一實施例的示意圖； 第三圖係根據本發明的第二實施例的示意圖； 第四圖係第三圖中的在系統上可程式化非揮發性記憶 體的實施例記憶胞； 第五圖係根據本發明的第三實施例的示意圖； 第六圖係根據本發明的第四實施例的示意圖； 第七圖係根據本發明的第五實施例的示意圖；及 第八圖係根據本發明的第六實施例的示意圖。 圖號對照表： 1 0 微控制器 . 1 2 中央處理單元 1 4 靜態隨機存取記憶體 15 輸入/輸出單元 1 6 可多次燒錄記憶體 1 8 升壓電路 2 0 狀態機 2 2 記憶體 30 晶片 3 2 控制電路

第15頁 569221 圖式簡單說明 3 4 靜態隨機存取記憶體 35 輸入/輸出單元 3 6 離系統可程式化非揮發性記憶體. 38 升壓電路 4 0 狀態機 42 在系統上可程式化非揮發性記憶體 44 在系統上可程式化非揮發性記憶體 4 6 快閃胞 48 MOS電晶體 4 9 在系統上可程式化非揮發性記憶體 5 0 非揮發性記憶體 5 2 a、b 非揮發性記憶體區塊 5 2 非揮發性記憶體 5 2 a - f 非揮發性記憶體區塊 54 開關

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Claims (1)

1. 569221 六、申請專利範圍 1. 一種在系統上可程式化及離系統可程式化之晶片， 包括： 控制電路； 離系統可程式化非揮發性記憶體，連接該控制電路， 該離系統可程式化非揮發性記憶體僅在連接該晶 片外部之燒錄電壓時始能被程式化； 在系統上可程式化非揮發性記憶體，連接該控制電 路，該在系統上可程式化非揮發性記憶體可在該 控制電路控制下被程式化； 升壓電路，連接該在系統上可程式化非揮發性記憶 體，俾在程式化該在系統上可程式化非揮發性記 憶體時供應燒錄電壓； 揮發性記憶體，連接該控制電路；及 輸入/輸出單元，連接該控制電路。 2. 如申請專利範圍第1項之晶片，其中該離系統可雀 式化非揮發性記憶體包括一次燒錄記憶體陣列。 3 ·如申請專利範圍第1項之晶片，其中該離系統可程 式化非揮發性記憶體包括可多次燒錄記憶體陣列。 4.如申請專利範圍第1項之晶片，其中該離系統可程 式化-非揮發性記憶體包括可電抹寫記憶體陣列。 5 ·如申請專利範圍第1項之晶片，其中該離系統可程 式化非揮發性記憶體包括快閃記憶體陣列。 6.如申請專利範圍第1項之晶片，其中該在系統上可 程式化非揮發性記憶體包括可電，抹寫記憶體陣列。

   第17頁 569221 .六、申請專利範圍 7 ·如申請專利範圍第1項之晶片，其中該在系統上可 程式化非揮發性記憶體包括快閃記憶體陣列。 8 ·如申請專利範圍策1項之晶片，其中該離系統可程 式化非揮發性記憶體及在系統上可程式化非揮發性記憶體 係彼此分離者。 9.如申請專利範圍第1項之晶片，其中該離系統可程 式化非揮發性記憶體及在系統上可程式化非揮發性記憶體 係從一記憶體區塊中分割形成者。 1 0.如申請專利範圍第9項之晶片，更包括一開關連接 該在系統上可程式化非揮發性記憶體至該升壓電路。 1 1.如申請專利範圍第1 0項之晶片，其中該開關係熔 絲0 1 2.如申請專利範圍第1 0項之晶片，其中該開關係程 式化電路。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項之晶片，其中該開關連4妾 至該控制電路，藉以決定該離系統可程式化非揮發性記憶 體及在系統上可程式化非揮發性記憶體之分配。 1 4.如申請專利範圍第1項之晶片，其中該揮發性記憶 體係靜態隨機存取記憶體。 1 5.如申請專利範圍第7項之晶片，更包括狀態機連接 該在系統上可程式化非揮發性記憶體以防止其被過度抹 寫。 1 6.如申請專利範圍第7項之晶片，其中該快閃記憶體 陣列含有許多記憶胞，，每一該記憶胞包含一快閃胞串聯一

   第18頁 569221 六、申請專利範圍 MOS電晶體，該MOS電晶體防止該快閃胞被過度抹寫。 1 7.如申請專利範圍第7項之晶片，其中該控制電路執 行一狀態機程式以防止該在系統上可程式化非揮發性記憶 體被過度抹寫。 1 8.如申請專利範圍第1 7項之晶片，其中該狀態機程 式係預先被燒錄在該離系統可程式，化非揮發性記憶體中。 1 9.如申請專利範圍第1 7項之晶片，其中該狀態機程 式係儲存在該揮發性記憶體中。 2 0 .如申請專利範圍第1項之晶片，其中該離系統可程 式化非揮發性記憶體具有第一容量，該在系統上可程式化 非揮發性記憶體具有第二容量小於該第一容量。 2 1 .如申請專利範圍第1項之晶片，其中該在系統上可 程式化非揮發性記憶體包含許多燒錄單位。 2 2.如申請專利範圍第2 1項之晶片，其中每一該燒錄 單位為一記憶胞。 ， 2 3 .如申請專利範圍第2 1項之晶片，其中每一該燒錄 單位為一位元。 2 4.如申請專利範圍第2 1項之晶片，其中每一該燒錄 單位為一位元組。 2 5 .如申請專利範圍第2 1項之晶片，其中每一該燒錄 單位為一字元。 2 6.如申請專利範圍第6項之晶片，其中該控制電路藉 該輸入/輸出單元讀入欲修改的内容燒錄至該在系統上可 程式化非揮發悻記憶體。

   第19頁 569221

   六、申請專利範圍 誃27.如申請專利範圍第7項之晶片，其中該控制電路 ^路卜*統上可程式化非揮發性記憶體讀取内容並储存至該 可程，體，修改該内容的一部份後燒錄至該在系統ΐ 式化非揮發性記憶體。 式化2非8捏如乂請專利範圍第1項之晶片，其中該離系統可程 化非揮發性記憶體包含該控制電路的程式。 式化2非9.捏如Λ請專利範圍第1項之晶片，其中該離系統可程 二=$揮發性記憶體包含該控制電路操作該在系統上可 式化非揮發性記憶體程式化之程序控制指令。 程請專利範圍第1項之晶片，其中該在系統上可 式=非揮發性記憶體係在操作模式下可被燒錄。 d 1 ·如申請專利範圍第1項之晶 程式化非揮發性記憶體包含資料螞。、以/、、’可 32· —種在系統上程式化晶 社日μ人士 α 制電路連接離系統可程式化非片的方法，該明片&有控 程式化非揮發性記憶體，升壓记憶體及在系統上可 化非揮發性記憶體，以及揮連接該在系統上可程式 連接該控制電路，該在系 ^生把憶體及輸入/輸出單元 有快閃記憶體陣列Ϊ該方法勺Z程式化非揮發性記憶艘含 -從該離系統可程式化非發^列步驟： 作該控制電路；車發性記憶體讀取程式碼以操 從該在系統上可程式化非撞 存至該揮發性記憶體揮發性記憶體讀取内容並儲 修：改該内容的一部份；及

   第20胃 569221 六、申請專利範圍 將修改後的内容燒錄至該在系統上可程式化非揮發性 記憶體。 3 3.如申請專利範圍第3 2項的方法，更包括操作一狀 態機以防止該在系統上可程式化非揮發性記憶體被過度抹 寫。 34.如申請專利範圍第32項的方法，更包括執行一狀 態機程式以防止該在系統上可程式化非揮發性記憶體被過 度抹寫。 3 5.如申請專利範圍第32項的方法，更包括從該離系 統可程式化非揮發性記憶體讀取燒錄程序以操作燒錄該在 系統上可程式化非揮發性記憶體。 3 6.如申請專利範圍第3 2項的方法，更包括切換該晶 片至操作模式。 3 7. —種在系統上程式化晶片的方法，該晶片含有控 制電路連接離系統可程式化非揮發性記憶體及在系統上可 程式化非揮發性記憶體，升壓電路連接該在系統上可程式 化非揮發性記憶體，以及揮發性記憶體及輸入/輸出單元 連接該控制電路，該在系統上可程式化非揮發性記憶體含 有可電抹寫記憶體陣列，該方法包括下列步驟： -從該離系統可程式化非揮發性記憶體讀取程式碼以操 作該控制電路； 藉該輸入/輸出單元讀入欲修改的内容；及 將該欲修改的内容燒錄至該在系統上可程式化非揮發 性記憶體。

   569221 六、申請專利範圍 3 8 .如申請專利範圍第3 7項的方法，更包括從該離系 統可程式化非揮發性記憶體讀取燒錄程序以操作燒錄該在 系統上可程式化非揮發性記憶體。 3 9.如申請專利範圍第3 7項的方法，更包括切換該晶 片至操作模式。 4 0 . —種形成在系統上可程式化及離系統可程式化晶 片的方法，包括下列步驟： 在該晶片中準備控制電路； 連接離系統可程式化非揮發性記憶體至該控制電路； 連接在系統上可程式化非揮發性記憶體至該控制電 路； 連接升壓電路至該在系統上可程式化非揮發性記憶 aA · 篮， 連接揮發性記憶體至該控制電路； 連接輸入/輸出單元至該控制電路； ， 其中，該離系統可程式化非揮發性記憶體的燒錄電壓 係從該晶片外部供應，而該在系統上可程式化非 揮發性記憶體的燒錄電壓係由該升壓電路供應。 41.如申請專利範圍第40項的方法，更包括燒錄該控 制電-路的程式至該離系統可程式化非揮發性記憶體。 4 2.如申請專利範圍第4 0項的方法，更包括連接狀態 機至該在系統上可程式化非揮發性記憶體，以防止該在系 統上可程式化非揮發性記憶體被過度抹寫。 4 3.如申請專利範圍第4 0項的方法，更包括燒錄資料

   569221 六、申請專利範圍 碼至該離系統可程式化非揮發性記憶體。 4 4.如申請專利範圍第4 0項的方法，更包括燒錄狀態 機程式至該離系統可程式化非揮發性記憶體a以防止該在 系統上可程式化非揮發性記憶體被過度抹寫。 4 5.如申請專利範圍第4 0項的方法，更包括分割一記 憶體區塊作為該離系統可程式化非揮發性記憶體及在系統 上可程式化非揮發性記憶體。 4 6.如申請專利範圍第4 0項的方法，更包括藉一開關 連接該在系統上可程式化非揮發性記憶體至該升壓電路。 4 7.如申請專利範圍第4 0項的方法，更包括燒錄該控 制電路操作該在系統上可程式化非揮發性記憶體程式化之 程序控制程式至該離系統可程式化非揮發性記憶體。 48.如申請專利範圍第4040項之方法，更包括燒錄資 料碼至該在系統上可程式化非揮發性記憶體。 4 9 .如申請專利範圍第4 0項之方法，更包括燒錄該，控 制電路的程式以外的程式至該在系統上可程式化非揮發性 記憶體。