TW561314B

TW561314B - Resist material and pattern forming method

Info

Publication number: TW561314B
Application number: TW088116314A
Authority: TW
Inventors: Satoshi Watanabe; Toyohisa Sakurada; Yoshitaka Yanagi; Shigehiro Nagura; Toshinobu Ishihara
Original assignee: Shinetsu Chemical Co
Priority date: 1998-09-22
Filing date: 1999-09-22
Publication date: 2003-11-11
Also published as: US6818148B1; KR20000023292A

Description

561314 A7 ___ B7 五、發明說明（1 ) 〆〔發明所屬之技術領域〕本發明爲關於適於微細加工技術之新穎的光阻材料及形成圖型之方法。〔先前之技術及發明所欲解決之課題〕近年，隨著L S I之高集成化及高速度化，於追求圖型規則之微細化中，第二代之微細加工技術期望以遠紫外線、X射線、電子射線之平版印刷。遠紫外線之平版印刷亦可加工至0 . 2 5 // m以下，於使用光吸收低之光阻材料之情形中，亦形成相對於基板具有接近垂直側壁之圖型。又，近年，注目利用高輝度之K r F或A r F激元激光作爲遠紫外線光源之技術，爲了將其使用作爲量產技術’ 乃期望光吸收低，且高感度之光阻材料。又，隨著L S I之高集成化及高速度化、圖型規則之微細化，令基板演進成大口徑化，期望在現在主流之8吋基板上的膜厚均勻性良好，且無塗佈缺陷、與鹼性顯像液之塗覆性優良，更且不會增加於溶液中的顆粒且保存安定性良好之光阻材料。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製由此類觀點而言，雖然近年開發出以酸作爲觸媒之化學增幅型光阻材料，但隨著提高量產技術，則光阻材料之塗佈性、塗覆性、保存安定性等之不適當乃成爲問題。本發明爲以提供適用於量產技術之膜厚均勻性良好、且無塗佈缺陷、與鹼性顯像液之塗覆性優良，更且不會增加於溶液中的顆粒且保存安定性良好之光阻材料及形成圖本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 561314 A7 B7 五、發明說明（2 型之方法。〔解決課題之手段及發明之實施形態〕本發明者等人爲了達成上述目的，進行致力檢討，結果發現含有令基板上塗佈之光阻材料表面與水或鹼性顯像液界面之接觸面，隨著添加量增加而降低的氟系界面活性劑的光阻材料，可決定光阻材料之塗佈性、塗覆性、保存安定性等之不適當，並且達到完成本發明。以下，更詳細說明本發明。本發明之光阻材料爲含有令基板上塗佈之光阻材料表面與水或鹼性顯像液界面之接觸角，隨著添加量增加而降低的氟系界面活性劑。此類氣系界面活性劑可適當使用下述一般式（1 )所示之物質

Rf-[(CH2)aO]m-CH2CHRlCH2〇-(CH2CHR20)n-CH2CHRlCH2-[0(CH〇a]m-Rf, ......(1) (式中，，R1爲氫原子、羥基、碳數1〜6個之直鏈狀、分支狀或環狀烷氧基、或烷基之碳數1〜6個之烷羰氧基、R2爲氫原子或碳數1〜6個之直鏈狀、分支狀或環狀烷基、a爲〇〜6、 m爲0或1、 η爲1〜40之正整數。R f及R f >彼此爲相同或相異之碳數1〜1 2個之直鏈狀、分支狀或環狀氟烷基，此氟烷基爲結合至其碳原子之基可全部爲氟原子，且一部分爲氟原子且剩餘爲氫原本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱）請先閱讀背面之注意填本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -5- 561314 A7 B7 五、發明說明（3 ) 子亦可。）此處，R1爲氫原子、羥基、碳數1〜6個之直鏈狀、分支狀或環狀之烷氧基、或烷基之碳數爲1〜6個之烷羰氧基，較佳爲羥基、或烷基爲碳數1〜6個之直鏈狀、分支狀或環狀之烷羰氧基。上述碳數1〜6個之直鏈狀、分支狀或環狀烷基可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、乙基、環戊基、環乙基等，R1較佳爲羥基、甲氧基、乙醯氧基。又，R2爲氫原子或碳數1〜6個之直鏈狀、分支狀或環狀烷基，較佳爲氫原子、碳數1〜3個之直鏈狀、分支狀烷基，且特佳爲氫原子、碳數1〜2個之直鏈狀烷基。碳數1〜6個之直鏈狀、分支狀或環狀烷基可列舉甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第三丁基、正戊基、異戊基、己基、環戊基、環己基等，且R2較佳爲氫原子、甲基。 a‘-爲0〜6，較佳爲0〜4，更佳爲0〜2之正整數-。11爲.1〜40 ，較佳爲1〜2〇，更佳爲1〜1〇，再佳爲2〜8之正整數。m爲〇或1。

Rf及Rf /爲碳數1〜12個，較佳爲碳數1〜8 個，更佳爲碳數4〜8個之直鏈狀、分支狀或環狀氟烷基，全部亦可經氟原子所取代，且亦可一部分經氫原子所取代。又，Rf及Rf /可爲相同或相異，具體而言可列舉三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、正氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、全氟癸基、 (請先閱讀背面之注意事^再填寫本頁)

n n a·— I ϋ 1_ ϋ ϋ βϋ n 1· I 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -6 - Κ Η - 1 〇等市售品且以「Κ Η — 2 0 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 561314 A7 B7 五、發明說明（4 ) 〆全氟十一烷基、全氟十二烷基、全氟一 3 —甲基丁基、全氟一 5 —甲基己基、全氟一 7 —甲基辛基、全氟一9 一甲基癸基、2 Η —四氟乙基、4H —八·丁基、6 H —十二氟己基、8 Η -十六氟辛基、10Η —二十氟癸基、2Η 一六氟丙基、2 —氟乙基、1Η —六氟異丙基、1 ，1 一雙（三氟甲基）乙基等，且較佳爲全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、全氟癸基、全氟一 3 —甲基丁基、全氟- 5 -甲基己基、全氟一 7 —甲基辛基、全氟一 9 一甲基癸基、 2 Η —四氟乙基、4Η —八氟丁基、6 Η —十二氟己基、 8 Η -十六氟辛基等。上述一般式（1 )所示之氟系界面活性劑可使用 ΚΗ-20」、「ΚΗ— 3〇 ΚΗ - 40」（均爲「旭硝子（株）公司製 ΚΗ-30」爲較佳使用上述氟系界面活性劑之配合量，相對於光阻材料全量爲10〜2 ，〇〇〇ppm，且特別以5〇〜7〇0 P p m.爲佳。少於1 0 p p m時，則無法取得膜厚均勻性，並且有產生塗佈缺陷之情況，若多於2，0 〇〇 p p m 時，則有引起解像性降低之情況。本發明之光阻材料可爲正型、或負型亦可，且上述氟系界面活性劑以外之組成爲公知物質，且特別以可在波長 5〇0 n m以下之高能量射線、X射線、電子射線進行曝光之化學增幅型者爲佳，並以含具有經酸不安定基所保護之酸性官能基之鹼可溶性或難溶性樹脂，且該酸不安定基本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -7- 請先閱讀背面之注意填本頁 561314 A7 _____ B7 五、發明說明（5 ) 脫離時變成鹼可溶性之基底樹脂、及經由遠紫外線、X射線、電子射線等照射而發生酸之產酸劑，以及，通常溶解此些成分之有機溶劑，並視需要添加鹼性物質或酸性物質 ’溶解控制劑等添加劑之化學增幅型之正型光阻材料中，配合上述氟系界面活性劑之物質爲適於使用。又，亦可爲含有鹼可溶性樹脂，具有羥甲基等可在酸性條件下反應基之交聯劑及經由遠紫外線、X射線、電子射線等照射而發生酸之產酸劑’以及，通常溶解此些成分之有機溶劑之化學增幅負型光阻材料。更且，亦可使用酚醛淸漆樹脂與萘醌二疊氮基化合物作爲主成分之g射線、i射線用之常用的光阻材料。具體而言’特開平9 一 2 1 1 8 6 6號公報記載之經二種以上酸不定定基所保護之聚羥基苯乙烯作爲主成分之化學增幅型光阻材料，特開平1 1 一 1 9 0 9 0 4號公報記載之經二種以上酸不安定基及酸不安定交聯基所保護之聚羥基苯乙烯作爲主成分之化學增幅型光阻材料，特開平 6 -义6 δ 1 1 2號公報記載之經酸不安定基所保護之聚丙烯酸系樹脂與聚羥基苯乙烯之共聚物作爲主成分之化學增幅型光阻材料，聚丙烯酸系樹脂或聚環烯烴系樹脂作爲主成分之A r F激元激光用化學增幅型光阻材料之任何一種均可適用。當’於本發明中，上述光阻材料中所使用之有機溶劑並無特別限制，且可列舉環己酮、甲基- 2 -正戊酮等之酮類、3—甲氧基丁醇、3—甲基一3—甲氧基丁醇、1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）請先閱讀背面之注意填寫本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8- 561314 A7 B7 五、發明說明（6 一甲氧基一 2 —丙醇、1〜乙氧基—2 一丙醇等之醇類、丙一醇單甲醚、乙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、乙二醇單乙醚、丙二醇二甲醚、二甘醇二甲醚等之醚類、丙二醇單甲醚醋酸酯、丙二醇單乙醚醋酸酯、乳酸乙酯、丙酮酸乙酯、醋酸丁酯、甲基一3〜甲氧基丙酸酯、乙基一3一乙氧基丙酸酯等酯類，且可單獨使用一種或混合使用二種以上亦可。本發明爲提供使用上述之光阻材料，且包含 (i )將上述光阻材料於基板上塗佈之工程， (i i )其次於加熱處理後，透過光遮蔽物，以波長 5〇0 n m以下之咼能量射線、X射線或電子射線予以曝光之工程，及 (i i i )視需要於加熱處理後，使用顯像液進行顯像之工程之形成圖型之方法。若更具體說明’例如於使用本發明之化學增幅正型光阻材料、形成圖型中，可採用公知的平版照相技術進行，例如於·矽乾膠片等基板上，以旋轉塗覆等手法塗佈成膜厚爲〇· 3〜5 ·〇//m，並將其於熱板上，6〇〜15〇 °C預烘烤1〜1 0分鐘、較佳爲8 〇〜1 2 0 °C預烘烤1 〜5分鐘。其次，於上述之光阻膜上蓋以用以形成目的圖型之遮蔽物，且將波長5 0 0 nm以下，較佳爲3 〇〇 n m以下之遠紫外線、激元激光、X射線等之高能量射線或電子射線，以曝光量1〜2 0 〇 m j / c m 2左右，較佳爲1 0〜1 0 0 m J / c m 2左右予以照射後，於熱板上以本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公茇）請先閱讀背 © 之注意填本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9- 561314 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7 ) ^ 6 〇〜1 5 〇 °C 後曝露烘烤（ρ Ε β，P〇st Exposure Bake )1〜5分鐘，較佳爲80〜12〇°C，1〜3分鐘。並且，使用0 · 1〜5%，較佳爲2〜3%氫氧化四甲基銨 (T M A Η )等之鹼性水溶液顯像液’以浸漬（d 1 P ) 法、漿葉（puddle )法、噴灑（spray )等常法予以顯像〇 · 1〜3分鐘，較佳爲0 · 5〜2分鐘後’經過純水之沖淸工程則可在基板上形成目的圖型。尙’本發明之光阻材料特別以高能量射線中之2 5 4〜1 5 7 n m遠紫外線或激元激光、X射線及電子射線最適於微細圖型化。又’ 於上限及下限超出上述範圍時，則有無法取得目的圖型之情況。負型光阻材料之情況亦可經由上述（i )〜（1 i 1 )之工程，根據常法形成圖型。〔發明之效果〕本發明之光阻材料爲膜厚均勻性良好，且無塗佈缺陷、與鹼.性顯像液之塗覆性優，更且不會增加於溶液中的顆粒，保存安定性良好，且對於高能量射線感應，並且感度、解像性、再現性均爲優良。又，圖型難呈現過度懸垂狀、標度控制性優良。因此，本發明之光阻材料因爲此些特性’故特別適合作爲以K r F、A r F激元激光之曝光波長之超L S I製造用之形成微細圖型的材料。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210X 297公爱） ^1〇7 n n n n n ϋ 1_1 · n n n n ϋ- I^^* n n n n I— «i_l 1_1 I (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) 561314 五、發明說明（8 〔實施例〕以下’不出實施例及比較例發明不被下述實施例所限定。具體說明本發明’但本

C、 D 光阻材料組成正型化學增幅型光阻材料爲使用下述組成之A、B E之光阻材料。 (請先閱讀背面之注意:填寫本頁) 〔表1 ] 光阻材料A 重量份部分地羥基經1 4莫耳％之1 —乙氧基乙基及1 3莫耳％之第三丁氧羰基所保護之重量平均分子量11，000之聚羥基苯乙烯 8 0 雙（環己基磺醯基）重氮甲烷 5 三丁胺 0.125 丙二醇單甲醚醋酸酯 4 5 0 -------l·訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -11 - 561314 A7 B7 五、發明說明（9 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製〔表2〕光阻材料B 重量份部分地羥基經2 0莫耳％之1 -乙氧基乙基及 5莫耳％之第三丁氧羰基所保護，更且以4莫耳％之1 ，2 —丙二醇二乙烯醚交聯之重量平均分子量25，000之聚羥基苯乙烯 8〇三苯銃甲苯磺酸鹽 2 水楊酸 1 三丁胺 0.125 丙二醇單甲醚醋酸酯 4 5 0 〔表3〕光阻材料C 重量份聚〔（第三丁基丙烯酸酯）-（羥基苯乙烯）〕（莫耳比30: 70之重量平均分子量 1〇/〇0〇之共聚物） 8〇雙（環己基磺醯基）重氮甲烷 5 水楊酸 1 三丁胺 0.125 丙二醇單甲醚醋酸酯 4 5 0 (請先閱讀背面之注意再填寫本頁)

· I n tmt ·ϋ n I l·— 一 I N— n ϋ ϋ ϋ n —Bi I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） -12 - 561314 A7 Β7 五、發明說明（10 ) 〔表4〕光阻材料 D 重量份聚 [ ( 第二丁基甲基丙烯酸酯 ) — ( 甲基丙烯 8〇酸甲酯 ) — ( 聚甲基丙烯酸 ) ] ( 耳比 4 〇 4 〇 2 〇之重里平均分子量 1 2 〇〇〇之共聚物 ) 全氟丁基磺酸二苯銃 2 二丁胺〇· 12 5 丙二醇單甲醚醋酸酯與乳酸乙酯 7 ： 3 之混合 4 5 〇溶劑 (請先閱讀背面之注意W'V再填寫本頁)

卜訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製〔表5〕光阻材料Ε 重量份聚〔（5-原冰片烯一2—羧酸第三丁酯）一 (順丁烯二酸酐）一（5 -原冰片烯一 2，3 一二羧酸酐）〕（莫耳比30 : 50 : 20之重量平均分子量9，0 0 0之共聚物） 8 0 全氟丁基磺酸二苯銃 2 三丁胺 0.125 環己酮 4 5 0 2 .界面活性劑界面活性劑爲使用下述物質。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公爱） -13 - 561314 A7 B7 五、發明說明（11 ) 〔表6〕

No. 界面活性劑 ( 實施例） 1 添加量（p p m ) 1 K Η — 2 〇 ( 旭硝子 (株）公司製 ] 1〇0 2 K Η - 2 〇 [ 旭硝子 (株）公司製 ] 3 0 0 3 K Η - 2 〇 [ 旭硝子 (株）公司製 ] 5 0 0 4 K Η - 3 〇 [ 旭硝子 (株） _公司製 ] 3 0 0 5 K Η — 4 〇 [ 旭硝子 (株）公司製 ] 3 0 0 〔表7〕

No. 界面活性劑（實施例）添加量（ppm) 6 S-381[旭硝子（株）公司製] 300 7 FC-4 3 0 [住友只U —工厶（株）公司製1 300 3 .接觸角評價方法首先，於上述光阻材料A中改變界面活性劑之添加量並添Μ，且以0 . 1 V m之鐵弗龍製濾器予以過濾，將所得之光1且液於矽乾膠片上予以旋轉塗覆，並使用熱板於 1〇0 °C下烘烤9 0分鐘，將光阻膜之厚度作成0 . 5 5 // m之厚度。於此基板上，垂直滴入一滴使用作爲顯像液之 2 · 38wt%之TMAH (氫氧化四甲基銨水溶液），並以接觸角測定器測定基板與T M A Η界面之接觸角。結果示於圖1。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意再填寫本頁) 訂卜------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 561314 A7 B7 五、發明說明（12 ) 4 .塗佈性評價方法首先，將下述表之光阻材料以0 . 1 μ m之鐵弗龍製濾器予以過濾，並將所得之光阻液於8吋矽乾膠片上予以旋轉塗覆，且使用熱板於1 0 0 t下烘烤9 0秒鐘，將光阻膜之厚度作成0 . 5 5//m之厚度。將2 0枚塗佈時，以塗佈斑之發生頻率視爲塗佈性之指標，且以發生頻率愈小者，稱其爲塗佈性愈爲良好。更且，由乾膠片中心部至彎折部之水平方向上，以5 m m齒距進行測定3 5點的膜厚。膜厚之偏差範圍亦視爲塗佈性之指標，且以範圍愈小者，則稱其爲塗佈性愈爲良好。 5 .消泡性及保存安定性評價方法首先，將下述表之光阻材料以0 . 1 V m之鐵弗龍製濾器過濾，且將所得之光阻液，以液中顆粒計數器K L -2〇（‘· L I〇N (株）公司製）測定1毫升之〇 · 3 // m 以上之.顆粒數。以過濾後立即放置8小時後之顆粒數視爲初期値，並以計數目少者作爲消泡性之指標。計數數目愈少者，則稱其消泡性愈優良。又，以保存日數追查增加的顆粒數，並以呈現5 〇個 /毫升以上之日數作爲保存安定性之指標。呈現5 0個/ 毫升以上之日數愈多則稱其保存安定性愈優良。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事^再填寫本頁) · ϋ n ϋ n ϋ n 一St I ϋ ·ϋ ϋ ·ϋ 1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -15- 561314 A7 ____Β7___ 五、發明說明（13 ) 〆 6 ·曝光評價方法首先，將下述表之光阻材料以0 . 1 // m之鐵弗龍製濾器過濾，且將所得之光阻液於8吋矽乾膠片上予以旋轉塗覆，並使用熱板以1 0 0 t烘烤9 0秒鐘，將光阻膜之膜厚作成0 · 5 5//m之厚度。將其使用 K r F Eximer Laser Stepper ( Nikkon 公司製、NSR — 20〇5 EX8A、 NA=〇 · 5)並且改變曝光量及集距位置予以曝光，並於曝光後，以1 1〇 t烘烤9 0秒鐘，並以2 · 3 8 %之氫氧化四甲基銨之水溶液進行顯像6 0秒鐘，取得正型之圖型。此時，光阻物 D、E爲A r F激元激光用光阻物，並以K r F Eximer Laser Stepper 進行評價。求出所得之0 · 2 2 β m線和空間（L i n e a n d s p a c e ) 之光阻圖型之焦距邊緣及邊緣:粗糙度。焦距邊緣愈大者則解像性愈優良’且邊緣粗糙度愈小者則稱其形成光阻圖型. 之再現性愈爲優良。結果示於下述表中。尙，表8爲實施例之結果，表9 (請先閱讀背面之注意再填寫本頁) t 訂-------- 果結之例較比爲經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紐尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公« ) -16- 561314 A7 B7 五、發明說明（14 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製〔表8〕光阻材界面活塗佈斑之膜厚偏差顆粒初保存安焦距邊邊緣粗料性劑發生頻率之範圍期値定性緣糙度 (%) (A) (個/m£) (日） (β m) (nm) A No.2 0 10 <5 >120 0.8 5 B No.2 0 8 <5 >120 1.0 5 C No.2 0 12 <5 >120 0.8 7 D No.2 0 12 <5 >120 0.8 7 E No.2 0 15 <5 >120 0.8 6 B No.l 0 10 <5 >120 1.0 6 B No.3 0 10 <5 >120 1.2 4 B No.4 0 11 <5 >120 1.1 6 B No.5 0 13 <5 >120 1.1 6 (請先閱讀背面之注意再填寫本頁) 丨丨丨丨丨丨1- 丨丨丨丨丨丨丨

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -17- 561314 A7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明說明（15 ) 〔表9〕光阻材料界面活性劑塗佈斑之發生頻率 (%) 膜厚偏差之範圍 (A) 顆粒初期値 (個 ArvO 保存安定性 (日）焦距邊緣 (β m) 邊緣粗糙度 (nm) A No.6 20 20 20 90 0.6 10 B No.6 30 25 17 90 0.8 11 C No.6 25 23 15 90 0.6 14 D No.6 20 22 13 90 0.6 15 E No.6 30 30 16 90 0.6 15 A No.7 40 23 26 90 0.6 12 B No.7 30 25 20 100 0.8 11 C No.7 20 27 21 90 0.6 15 D No.7 35 22 21 70 0.6 17 E No.7 30 21 30 70 0.6 19 〔圖面之簡單說明〕 Γ圖1〕示出實施例及比較例之氟系界面活性劑之添加重與接觸角之關係圖。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） * - 18- .I I* I - I II I---· I__I I _ Γ T · .1__— — — — — (請先閱讀背面之注意再蓄本頁) β

Claims

561314 . — A8 / B8 六、申請專利範圍 tH=Z3l - ^~* 第88 1 1 63 1 4號專利申請案 ^ 中文申請專利範圍修正本 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國92年9月4日修正 1 · 一種光阻材料，其特徵爲含有令基板上塗佈之光阻材料表面與水或鹼性顯像液界面之接觸角，隨著添加量增加而降低的一般式（1 )所示氟系界面活性劑；< Rf-[(CH2)aO]m-CH2CHR1CH2〇.(CH2CHR20)n-CH2CHR1CH2. [0(CH2)a]m-Rf, ......(1) (式中，，R1爲氫原子、羥基、碳數1〜6個之直鏈狀、分支狀或環狀烷氧基、或烷基之碳數1〜6個之烷羰氧基、R2爲氫原子或碳數1〜6個之直鏈狀、分支狀或環狀院基、a爲〇〜6、 m爲0或1、 η爲1〜40之正整數；Rf及Rf >彼此爲相同或相異之碳數1〜1 2個之直鏈狀、分支狀或環狀氟烷基，此氟烷基爲結合至其碳原子之基可全部爲氟原子，或一部分爲氟原子且剩餘爲氫原子亦可。）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 .如申請專利範圍第1項之光阻材料，其中光阻材料爲以波長5 0 0 n m以下之高能量射線、X射線或電子射線予以曝光之化學增幅型。 3 . —種形成圖型之方法，其特徵爲含有 (1 )將如申請專利範圍第2項記載之光阻材料於基板上塗佈之步驟， (i i )其次於加熱處理後，透過光遮蔽物，以波長本纸張尺度適用中國國家榡準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）· 1 - ABCD 561314 、申請專利乾圍 5 Ο 0 n m以下之高能量射線、X射線或電子射線予以曝光之步驟，及 (i i i )視需要於加熱處理後，使用顯像液進行顯像之步驟。 --I---1 I I I---- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐）