TW552834B - Circuit substrate production method - Google Patents

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552834 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___B7五、發明説明（1 ) (技術領域） 本發明係關於一種實裝電子零件加以使用，具可撓性 且帶狀之電路基板，例如C〇F ( Chip〇n Film )或τ A B (Tope Automated Bonding)等之製造方法。 (背景技術） 習知電路基板係如第3圖及第4圖所示地製造（習知 之製造方法①）。 首先，在絕緣薄膜1上黏貼銅箔，蝕刻該銅箔之所期 望部位而形成電路圖案2。然後，藉由印刷將例如銲錫光 阻劑塗布於除了該電路圖案2之端子部分以外的位置之後 ，施以熱處理使之硬化，形成銲錫光阻層3。然後，施以 酸處理，除去附著於電路圖案2之端子部分的有機物質及 進行氧化膜之鈾刻後，經水洗之後，以無電解鍍在該端子 部分形成鍍錫層4，然後施以熱處理，在鍍錫層4之一部 分擴散電路圖案2之銅，將鍍錫層4之一部分作爲觸鬚抑 制層5而得到電路基板。 但是，形成銲錫光阻層3之後才進行無電解鍍時，則 在銲錫光阻層3之周緣部有滞留鍍溶液，有溶出電路圖案 2之端子部分的銅箔之一部分。該電路圖案2之溶出個所 係稱爲「挖出」，該挖出部位之強度變弱之故，因而成爲 電路圖案2損壞之原因而形成問題。於是，作爲解決該問 題的電路基板之製造方法，有例如以下所列舉者。 在曰本特開平6 - 3 4 2 9 6 9號公報，記載著在習 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - * tah mt hi.

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P 552834 A7 _____B7 五、發明説明（2 ) 知之製造方法①中，更換銲錫光阻層與鍍錫層之形成順序 ’並且在形成銲錫光阻層之後，僅進行一次熱處理的製造 方法（習知之製造方法②）。 又，在曰本特開2000 - 36521號公報，記載 著在習知之製造方法①中，在形成銲錫光阻層形成之前後 分兩次進行鍍錫層之形成的製造方法（習知之製造方法③ )° 上述習知之製造方法②或③，均解決了「挖出」之問 題。但是，在習知之製造方法②中，在用以將鍍錫層之一 部分作爲觸鬚抑制層的熱處理，及用以硬化銲錫光阻劑之 熱處理，其條件（例如溫度等）並不一定一致之故，有觸 鬚發生於鍍錫層之問題。又在習知之製造方法③中，形成 第一鍍錫層之後，分別需要用以將該第1鍍錫層作爲觸鬚 抑制層之熱處理，及形成第2鍍錫層後之乾燥過程。此外 ，在習知之製造方法③中，分成兩次形成鍍錫層，而在各 個之前進行酸處理之故，因而有增加酸處理之次數等，過 程成爲複雜之問題。 於是，本發明之第1項目的，係在於提供一種防止發 生「挖出」，能抑制發生觸鬚並且將過程成爲簡單的電路 基板之製造方法。 又，近年來隨著電子機器成爲小型化，電路基板之大 小也盼望成爲小型化。爲了滿足該盼望’成爲必須將電路 基板之電路圖案作成微細化或高積體化。若將電路圖案作 成微細化或高積體化，則電路圖案之引線間隔及引線寬度 ---------f, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T ^_w! 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -5 - 552834 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 變窄，黏接面積變少之故，因而有鍍錫層從電路圖案剝離 之情形而成爲問題。 於是，本發明之第2項目的，係在於提供一種即使微 細化或高積體化電路圖案，也不會有鍍錫層從電路圖案剝 的電路基板之製造方法。 (發明之槪要） 所以，第一項發明係在電路基板之製造方法中，在絕 緣薄膜之表面的銅箔形成電路圖案之後，除了該電路圖案 之端子部分之位置形成銲錫光阻層，然後，浸漬於使用酸 之溶液施以酸處理之後，浸漬使用比上述酸較弱酸之溶液 施以預浸漬，在該溶液仍濕潤之狀態下，浸漬於溶解使用 於預浸漬的酸之酸基與錫所構成之鹽的鍍溶液，以不會發 生挖出之條件下在電路圖案之端子部分形成預鍍鍚層1 4 之後，浸漬於與上述鍍溶液相同成分之鍍溶液，在上述預 鍍錫層之表面形成所期望厚度之鍍錫層，爲其特徵者。 於是，以不會發生挖出之條件下在電路圖案之端子部 分形成預鍍錫層，比溶出電路圖案之銅更快地完成預鍍錫 層之形成之故，因而可防止挖出之發生。 又，形成預鍍錫層之後才形成鍍錫層之故，因而形成 該鍍錫層之際，即使鍍溶液滯留於銲錫光阻層之周緣端部 也以預鍍錫層被保護而不會溶出電路圖案之一部分，可防 止挖出之發生。 又，將使用於預浸漬的酸之酸基與錫所構成之鹽溶解 本紙張尺度適财關緖準（CNS ) A4規格（21GX297公羞)~Q . " (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 552834 A7 B7 五、發明説明U ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於形成預鍍錫層之鍍溶液，在形成預鍍錫層之鍍溶液與預 浸漬之溶液使得酸基成爲共通之故，因而在施以預浸漬之 後仍以該預浸漬之溶液濕潤之狀態下也可浸漬於形成預鍍 錫層之鍍溶液。又，藉由預浸漬之酸，將電路圖案之端子 部分作成酸活性之狀態下，形成預鍍錫層時，一面使得電 路圖案之銅擴散，一面形成預鍍錫層，使得該預鍍錫層成 爲觸鬚抑制層之故，因而可抑制發生於鍍錫層之觸鬚。 又，如上述地將預鍍錫層作爲觸鬚抑制層之故，因而 可以不需要用以作爲觸鬚抑制層之熱處理。又，連續地形 成預鍍錫層與鍍錫層之故，因而將在其前面所進行之酸處 理作爲一次，可將過程成爲簡單。 故，可提供一種一面防止「挖出」之發生，一面抑制 觸鬚之發生，又可將過程成爲簡單的電路基板之製造方法 〇 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又，以酸處理之酸進行氧化膜之蝕刻等之後，使用比 該酸較弱之酸施以預浸漬，使溶解速度變慢並微細地蝕刻 電路圖案之端子部分之故，因而可提高電路圖案與預鍍錫 層之密接。因此，可提供一種即使將電路圖案成爲微細化 ，高密度化也不會有預鍍錫層從電路圖案剝離的電路基板 之製造方法。 第二項發明係在如上述第一項發明的電路基板之製造 方法中，將形成上述預鍍錫層時的鍍溶液之溫度，比形成 上述鍍錫層時的鍍溶液之溫度較低，爲其特徵者。 如此，減低形成預鍍錫層時的鍍溶液之溫度，將錫之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 552834 A7 B7 五、發明説明（5 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 析出速度變慢，而形成預鍍層，可將結晶成爲緻密又細之 故，因而可更提高電路圖案之密接。因此，即使將電路圖 案作成微細化或高密度化，也不會有預鍍錫層從電路圖案 更剝離之虞的電路基板之製造方法。 (實施發明所用之最佳形態） 以下，參照圖式說明本發明之實施形態。 在第1圖表示依本發明所得到之電路基板的部分放大 斷面圖；在第2圖表示本發明之製造方法之過程的說明圖 〇 首先，將在例如聚醯亞胺系樹脂，環氧系樹脂或液晶 聚合物等之具撓性且帶狀絕緣薄膜1 1之表面具有銅箔者 作爲材料。 爲了得到該材料，有例如在絕緣薄膜1 1黏貼黏接後 張貼銅箔之方法。其他還有在銅箔上面流進熔融之絕緣性 之樹脂以形成絕緣薄膜1 1之方法，或是在絕緣薄膜1 1 之表面藉由濺鍍形成銅箔之方法等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 使用藉由其方法所得到材料，首先在絕緣薄膜1 1之 表面的銅箔形成所期望之電路圖案1 2。 擬形成該電路圖案1 2，首先在銅箔之表面塗布光阻 之後’藉由微影成像法將所期望之電路圖案烤在該光阻而 作爲罩幕材之後，除去該罩幕材以外之部位的光阻。然後 ’浸漬於蝕刻溶液，溶出沒有罩幕材之部位的銅箔。於是 ’在絕緣薄膜1 1上之表面，留下有罩幕材之部位的銅箔 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） · 8 - 552834 A7 B7 五、發明説明（6 ) ，若從銅箔剝離該罩幕材，則可得到電路圖案1 2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後，在除了該電路圖案1 2之端子部分之位置，塗 布保護電路圖案1 2之銲錫光阻之後，施以熱處理使之硬 化，形成銲錫光阻層1 3。 之後，爲了除去附著於電路圖案1 2之端子部分之有 機物質，及蝕刻氧化膜而浸漬於使用酸之溶液，施以酸處 理之後，進行洗掉該酸處理之酸所用之水洗。作爲在該酸 處理所使用之酸之一例，有硫酸。 然後，將溶解速度變慢，爲了微細地鈾刻電路圖案 1 2之端子部分，浸漬於使用比酸處理之酸較弱之酸的溶 液施以預浸漬。作爲該溶液有溶解例如硼氟酸或烷醇磺酸 者。預浸漬係例如將溶液溫度作爲2 0 °C至4 0 °C之範圍 ，浸漬1 5秒至6 0秒。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 仍以該預浸漬之溶液濕潤之狀態下，浸漬於溶解使用 於預浸漬的酸之酸基及錫所構成之鹽的鍍溶液，而在電路 圖案1 2之端子部分不會發生挖出之條件下，以無電解鍍 形成預鍍錫層1 4。在形成該預鍍錫層1 4之鍍溶液與預 浸漬之溶液中，酸基爲共通之故，因而在仍以預浸漬溶液 濕潤之狀態下可浸漬於形成預鍍錫層1 4之鍍溶液。於是 ，藉由預浸漬之酸，將電路圖案1 2之端子部分作成酸活 性之狀態下形成預鍍錫層1 4時，則一面擴散電路圖案 1 2之銅，一面形成預鍍錫層1 4，使得該預鍍錫層1 4 成爲觸鬚抑制層。該觸鬚抑制層係例如C u 6 S η 5等之銅 與錫之合金。又，作爲形成預鍍錫層1 4之鍍溶液，例如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） -9 - 552834 A7 B7 五、發明説明（7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在預浸漬使用硼氟酸之溶液時，則爲溶解硼氟化錫者；而 在預浸漬使用烷醇磺酸之溶液時，則爲溶解烷醇磺酸錫者 。又，形成預鍍錫層1 4時的鍍溶液之溫度，係比形成下 述之鍍錫層1 5時的鍍溶液之溫度較低較理想。如此，使 得形成預鍍錫層1 4時的錫之析出速度變慢之故，因而可 將結晶成爲緻密又細者。例如，將該鍍溶液之溫度作爲 2 0 °C至4 0 °C進行1 5秒至6 0秒之浸漬時，則可形成 大約0 · 〇 5 // m之預鍍錫層1 4。 最後，浸漬於上述之鍍溶液，在預鍍錫層1 4之表面 以無電解鍍形成鍍錫層1 5。此時，將鍍溶液之溫度作爲 例如5 5 °C至7 0 °C之範圍，進行至成爲所期望之鍍錫厚 度爲止，得到電路基板。 (產業上之利用可能性） 本發明係可利用於實裝電子零件所使用之具可撓性帶 狀的電路基板之製造方法。特別是，可利用於將電路圖案 成爲微細化，高積體化的電路基板之製造方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (圖式之簡單說明） 第1圖係表示依本發明所得到之電路基板之部分放大 斷面圖。 第2圖係表示依本發明的電路基板之製造方法之過程 的說明圖。 第3圖係表示依習知的電路基板之製造方法所得到之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ΓΤ〇Ί 一 552834 A7 B7 五、發明説明（8 ) 電路基板的部分放大斷面圖。 第4圖係表示習知的電路基板之製造方法之過程的說 明圖。 (符號說明） 1，1 1 絕緣薄膜 2，1 2 電路圖案 3，1 3 銲錫光阻層 4，1 5 鍍錫層 5 觸鬚抑制層 14 預鍍錫層 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -11 -

Claims (1)

1. 552834 Α8 Β8 C8 D8 、申請專利範圍 1 1 · 一種電路基板之製造方法，其特徵爲：在絕緣薄 膜之表面的銅箔形成電路圖案之後，除了該電路圖案之端 子部分之位置形成銲錫光阻層，然後，浸漬於使用酸之溶 液施以酸處理之後，浸漬使用比上述酸較弱酸之溶液施以 預浸漬，在該溶液仍濕潤之狀態下，浸漬於溶解使用於預 浸漬的酸之酸基與錫所構成之鹽的鍍溶液，以不會發生挖 出之條件下在電路圖案之端子部分形成預鍍錫層之後，浸 漬於與上述鍍溶液相同成分之鍍溶液，在上述預鍍錫層之 表面形成所期望厚度之鍍錫層。 2 .如申請專利範圍第1項所述的電路基板之製造方 法，其中，將形成上述預鍍錫層時的鍍溶液之溫度，比形 成上述鍍錫層時的鍍溶液之溫度較低者。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐）