TW552824B

TW552824B - Light-emitting device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: TW552824B
Application number: TW091115740A
Authority: TW
Inventors: Satoshi Seo; Satoko Shitagaki
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2001-07-13
Filing date: 2002-07-12
Publication date: 2003-09-11
Also published as: US7148076B2; US20050208697A1; US20070054428A1; US20030020088A1; US7413916B2; CN100416884C; US6908695B2; CN1398147A

Description

552824 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 i、發明説明（彳）發明領域本發明關於具有使用高分子量有機化合物（高分子量材料）的發光元件的發光裝置。特別是，本發明關於其中由相同重復單元組成的有機化合物（聚合體）包括磷光質 C phosphor )的發光裝置和其製造方法。注意，本說明書中發光裝置指圖像顯示裝置、發光裝置或光源。並且，其中連接器，例如FPC (可撓式印刷電路板）、TAB (帶自動接合）帶或TCP (載帶包裝）附連到發光元件上的模組 ’其中印刷線路板配備在TAB帶或TCP末端的模組，以及其中1C (積體電路）通過COG (玻璃上晶片）法直接安裝在發光元件上的模組都包括在發光裝置中。發明背景本發明的發光元件是藉由電場加至其上而發光的元件。關於發光機制，藉由施加電壓至夾住有機化合物層的電極，而使從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞在有機化合物層中相復合以産生激發態的分子（下文中稱作“分子激發”），當分子激發回到基態時會釋放能量發光。注意，關於有機化合物産生的分子激發種類，雖然單重激態和三重激態是可能的，但是，當任何激發態有助於發光時都包括在本說明書中。在這種發光元件中，有機化合物層通常由具有小於 1 μιη厚度的薄膜製造。此外，由於發光元件是自發光型元件，以致於有機化合物層本身發光，不需要使用傳統液晶 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝丨 ·_ —"*>訂--- 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -4- 552824 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（2 ) 顯示器中所使用的背光源。這樣，一個很大的優點是可製造非常薄和輕的發光元件。並且，當考慮到例如具有大約100nm-200nm厚度的有機化合物層的載子遷移率時，在載子從注入到複合的時間大約是幾十納秒。即使從載子複合到發光的過程所需的周期也包括在該周期中，發光也在毫秒的數量級內進行。另外，由於發光元件是載子注入型發光元件，它可由直流電壓驅動，很難産生噪音。關於驅動電壓，有機化合物層由具有大約l〇〇nm厚度的均勻超薄膜構成，選擇使得相對於有機化合物層之載子注入障壁減小的電極材料，並引入異質結構（兩層結構）。這樣達到5.5V100cd/m2的充足的亮度（參考文獻1: C.W.Tang and S.A.VanSlyke “ 有機電致發光一極體” Applied Physics Letters, vol.51， No.12，ρρ· 9 1 3-9 1 5( 1987))。從諸如薄型、輕質、高速回應、和直流低電壓驅動的性能看’這種發光元件作爲下一代平板顯示元件而著名。此外’由於發光元件是自發光型並有寬的視角，可見度相對的好°這樣’可以認爲發光元件作爲用於攜帶型裝置的絲頁不幕幕的兀件是有效的。現在’組成有機化合物層的材料主要分類成兩種材料 :低分子量材料和高分子量材料。如果從膜形成方面進行比較，這些在下面的點是不同的。即’雖然低分子量材料通過真空蒸鍍法在基底上作爲薄膜形成’高分子量材料通過諸如旋塗等濕製程而在基底 1-1. ^1.1 m Γϋ - i— ιϋ m Ij n . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) --Jr · ^訂 d 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公羡） -5- 552824 A7 ___________B7 五、發明説明（3 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 上由有機溶劑的溶液形成。注意，當通過真空蒸鍍法進行膜形成時’使用遮蔽掩罩（s h a d 〇 w m a s k )技術的傳統圖形形成是可行的。此外，有一個優勢是由於真空中的乾製程而可保留多種材料。另一方面，在旋塗法的情形中，有一個優勢是膜形成在大面積基底很容易並可以以低成本進行很短的時間。因而，已經發展了利用各性能的元件。然而’當從材料方面考慮時，優勢是使用具有物理性能從而機械強度高並很難産生凝聚和晶化的高分子量材料。當高分子量材料具有高機械強度時，可製造能夠拉伸並能受彎曲處理的可撓元件。當凝聚和晶化很難産生時，可預高溫條件下的使用。換言之，當使用高分子量材料時，製造元件的條件被放鬆，並可預期各種用途。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製並且’包括磷光質的發光區域在有機化合物層的部分中形成以設定載子的復合區域。這樣，防止了載子的擴散。複合區域可遠離電極，發光性能可提高兩倍（參考文獻 2 : C.W.Tang ， S.A.VanSlyke 和 C.H.Chen; Electro Luminescence of Doped Organic Thin Film; J. Appl.Phy s., vol.55, No.9, pp. 3 5 1 0- 35 1 5( 1 9 87)) ° 並且，儘管不同於磷光質包括在使用高分子量材料的發光元件的有機化合物層部分中且發光區域形成於其中的情形’但是，如圖11所示的疊層結構是衆所周知的。圖11中，陽極1102、有機化合物層1103、陰極11〇4 形成於基底1 1 0 1上。有機化合物層1 1 03變成電洞傳輸層 1105和發光層11〇6的疊層結構。這裏，電洞傳輸層1105 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） " . -6- 552824 A7 B7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 由作爲受體材料的PED〇T ((聚（3，4_亞乙基二氧基噻吩））和聚本乙烯磺酸酯（PSS)構成，發光層丨1〇6由聚對亞苯基亞乙烯基的共聚物構成。注意，由於對溶劑具有不同溶解性的材料用於這些層的各層，所以，可形成疊層結構。然而’在使用低分子量材料的情形中，有報告指出，包含磷光質的發光區域形成於有機化合物層部分中以設定載子複合區域。當使用高分子量材料時，有一個問題是，從材料性能上而言，難以形成部分地包括磷光質的發光區域。並且，在如圖1 1所示的疊層結構的情形中，能夠以使用高分子量材料的疊層結構達成功能分離。另一方面，還有一個問題，由於組成電洞傳輸層丨丨〇5的材料不同於組成發光層11 06的材料，所以，容易産生由於疊層介面中的能量傳遞引起的淬熄。發明槪述經濟部智慧財產局員工消費合作社印製因此，爲了解決上述問題，本發明的目的是在製造包含使用高分子量材料的有機化合物層的發光元件的情形中 ’不需要使用不同的尚分子量材料以用於有機化合物層，即可形成部分地包含磷光質的區域（發光區域），藉以産生具有較高發光性能的發光元件。並且’藉由使用追類發光兀件提供具有優於傳統裝置的元件性能的發光元件。另外，提供用該發光元件製造的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552824 A7 ___B7 五、發明説明（5 ) 電子設備。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的特徵在於包含磷光質的區域，即，發光區域形成於由高分子量材料構成的有機化合物層部分中。注意 ’對於本發明中的高分子量材料，在由同樣重復單元組成的聚合物（同樣主鏈結構滿足於此）中，具有2 - 5的聚合度的聚合物稱作低聚合物，具有50或以上的聚合度的聚合物稱作高聚合物。傳統上，高分子量材料溶於溶劑中以製得溶液，並用噴墨法或旋塗法形成形成膜。這樣，不可能在有機化合物層的部分中形成發光區，並且對於利用高分子量材料的溶解特性以得到疊層結構是有所限制的。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明的特徵在於其中具有50或更高聚合度的高聚合物溶於溶劑中的溶液藉由旋塗法塗敷，然後由與高聚合物同樣的重復單元組成並具有2-5的聚合度的低聚合物和磷光質共蒸鍍以形成發光區，只有低聚合物汽相沈積在發光區以形成有機化合物層。注意，根據本發明，由於高聚合物和低聚合物都由同樣的重復單元組成，疊層介面中的注入障壁可最小化。另外’形成於有機化合物層部分中的發光層可遠離陽極和陰極，不與之接觸。這樣，可防止由於到兩個電極的能量傳遞引起的淬熄。根據本說明書中揭示的發明的結構，提供包含發光元件的發光裝置’發光元件包括陽極、有機化合物層、和陰極’其中有機化合物層由尚分子量材料構成並部分地具有本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）'—— ---- -8 - 552824 A7 B7 五、發明説明（6 ) 包括低聚合物和磷光質的發光區。根據本發明的另一種結構，提供包含發光元件的發光裝置，發光元件包括陽極、有機化合物層、和陰極，其中有機化合物層由具有同樣重復單元的高分子量材料構成，並部分地具有包括磷光質的發光區。又根據本發明的另一種結構，提供發光裝置，發光裝置包含具有絕緣介面的基底、配備在基底絕緣表面上的 TFT、及發光元件，發光元件包括陽極、有機化合物層和陰極並與TFT電連接，其中有機化合物層由高分子量材料構成，並部分地具有包括低聚合物和磷光質的發光區。又根據本發明的另一種結構，提供發光裝置，發光裝置包括具有絕緣表面的基底、配備在基底絕緣表面上的 TFT、以及發光元件，發光元件包括陽極、有機化合物層和陰極並與TFT電連接的，其中有機化合物層由具有同樣重復單元的高分子量材料構成並部分地具有包括磷光質的發光區。在本發明的發光裝置中，有可能對有機化合物層的部分用低分子量材料，仍然根據本發明的另一種結構，提供有包含包括陽極、有機化合物層、和陰極的發光元件的發光裝置，其中：有機化合物層係被形成爲夾在陽極和陰極之間並包括由高分子量材料製成的第一有機化合物層和由低分子量製成的第二有機化合物層；第一有機化合物層部分地具有包括低聚合物和磷光質的發光區；第二有機化合物層形成爲與陰極接觸。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. ν^τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9 - 552824 A7 B7 五、發明説明（7 ) 仍然根據本發明的另一種結構，提供包含包括陽極、有機化合物層、和陰極的發光元件的發光裝置，其中：有機化合物層形成爲夾在陽極和陰極之間，並包括由高分子量材料構成的第一有機化合物層和由低分子量材料構成的第二有機化合物層；第一有機化合物層由具有同樣重復單元的高分子量材料構成並部分地具有包括磷光質的發光區 ;第二有機化合物層形成爲與陰極接觸。在上面的各個結構中，高分子量材料由具有2-5的聚合度的低聚合物和具有50或更高聚合度並具有同樣重復卓兀的局聚合物之一*構成。在上面的各個結構中，本發明的發光裝置的特徵在於高分子量材料包括N-乙烯基咔唑和芴之一作爲重復單元〇在上面的各個結構中，本發明的發光裝置的特徵在於磷光質是熒光材料或磷光材料，並且是選自包括1，1，4,4-四苯基-1，3-丁二烯（下文中稱作“ TPB” ）、4,4，-二（N-(1-萘基）-N-苯基-胺基）-聯苯基（下文中稱作“a-NPD” )、二萘嵌苣、香豆素6, 4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-(p-二曱基氨基-苯乙烯基）-4H-哌喃）（下文中稱作“ DCM Γ ) 、心二氰基亞甲基-2-甲基_6(久洛尼定-4-基-乙烯基）-4H-吡喃）（下文中稱作“ DCM 2” ）、紅熒烯、奈耳紅、 N，N’-二甲基奎吖（二）酮（下文中稱作二甲基[I奎吖（二）酮、蒽、芘、9，10-二苯基蒽、三（2-苯基吡啶）銥（下文中稱作 “lr(ppy)3” ）、和 2,3,7,8，12，13，17，18-八乙烷本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) I m - - - - i i I -I I— !-- - - eiL I —ii rn - -I is - - -- - - ^ -- Is irI i -- Is— « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 552824 A7 ________ B7 五、發明説明（8 ) 基_21H，23H-卟啉-鉑（下文中稱作“pt〇Ep” ）組成的群類中之一或更多成分。在上面的各個結構中，本發明的發光裝置的特徵在於第一有機化合物層由具有電子傳輸性能和電洞阻擋性能之一的低分子量材料構成。而且，在上面的各個結構中，本發明的發光裝置的特徵在於第二有機化合物層包含具有喹啉骨架的鋁錯合物，其具有電子傳輸性能，具體的有三（8-喹啉醇鋁（下文中稱作‘‘ Apq/’ )，三（4-甲基-8-喹啉醇）鋁（下稱 Almq)或二（2 -甲基-8-喹啉醇（4 -苯基-酣）-銘（下文中稱作“ BAlq” ），此外，還有具有苯並噁唑骨架或苯並噻唑骨架的鋅錯合物，具體的有二（2-(2-羥苯基）-苯並噁唑-鋅（下文中稱作“ Zn(PB〇）2” ）或二（2-(2 -羥苯基）-苯並噻唑）-鋅（下文中稱作“Zn(PBT)2” ）。更進一步，在上面的各個結構中，本發明的發光裝置的特徵在於第二有機化合物層包含（2- ( 4-聯苯基）_5_ ( 4-t-丁基苯基）-1，3，4-惡二唑）（下文中稱作“ PBD” 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 I I I I LI n —l I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) #1 )、浴桐靈（下文中稱作“ BCP” ）或紅菲繞啉，它是 1，3,4-U惡二哇（l，3,4-〇xadiazole)的衍生物，或 5-(4-聯苯基 )-3-(4-叔-丁基苯基）-4-苯基-1，2,4-三唑（下文中稱作“ TAZ” )，其作爲具有電洞阻擋性能的材料是1,2,4-三唑衍生物。並且，沒有上述各個結構中有機化合物層只由上述有機材料構成的情形。有機化合物層還可藉由將已知的無機本紙張用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公釐1 '~ -11 - —1 552824 A7 ----—_ 五、發明説明（9 ) 材料於其部分組合來形成。亦即，本發明的有機化合物層包括部分地具有無機材料的有機化合物層。傳統上，當用局分子量材料時，不能部分地設定發光區。然而根據如上所示本發明的結構，由於發光區可在高为子塁材料構成的有機化合物層中部分地形成，所以，可防止由於能量傳遞引起的淬熄。這樣，可改善發光元件的元件性能。注意，來自本發明的發光裝置的發光包括由於至少單重激發態和三重激發態之一引起的發光。並且’根據關於如本說明書中揭示的製造發光裝置的方法的結構，提供製造發光裝置的方法，所述發光裝置的特徵在於高聚合物通過塗敷法加到陽極上以形成第一有機化合物層，然後低聚合物和磷光質通過共蒸鍍法蒸鍍沈積在第一有機化合物層上以形成發光區，進一步低聚合物通過蒸鍍法蒸發沈積在發光區上以形成第二有機化合物層，從而得到由第一有機化合物層、發光區和第二有機化合物層組成的有機化合物層。並且，當製造本發明的發光裝置時，低分子量材料可用於有機化合物層的部分。根據本發明的另一種結構，提供製造發光裝置的方法，所述發光裝置的特徵在於高聚合物通過塗敷法加到陽極上以形成第一有機化合物層，然後低聚合物和磷光質通過共蒸鍍法蒸發沈積在第一有機化合物層上以形成發光區，進一步低分子量材料通過蒸鍍法蒸發沈積在發光區上以形成第二有機化合物層，從而得到由本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •1衣· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -12- 552824 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（10 ) 第一有機化合物層、發光區和第二有機化合物層組成的有機化合物層。注意，在上面的各個結構中，本發明的製造方法的特徵在於塗敷法是旋塗法、印刷法和噴墨法。注意，在上面的各個結構中，本發明的製造方法的特徵在於高聚合物對有機溶劑有溶解性，低聚合物和低分子量材料可通過蒸鍍法用於膜形成。並且，在上面的各個結構中，本發明的製造方法的特徵在於具有同樣重復單元的具有2-5的聚合度的低聚合物和具有50或更高聚合度的高聚合物之一用作高分子量材並且，在上面的各個結構中，本發明的製造方法的特徵在於包括N -乙烯基咔唑和芴之一作爲重復單元的材料用作高分子量材料。而且，在上面的各個結構中，本發明的製造方法的特徵在於選自包含TPB、α-NPD、二萘嵌苣、氧雜萘鄰酮6 、DCM1、DCM2、紅榮烯、奈耳紅、二甲基d奎吖（二）酮、蒽、芘、9，10 —聯苯蒽、Ir(ppy)3和Pt〇EP組成的群類中至少一種成分用作磷光質。更進一步，在上面的各個結構中，本發明的製造方法的特徵在於選自包含甲苯、苯、氯苯、二氯苯、氯仿、四氫化萘、二甲苯、二氯甲烷、環己烷、NMP(N -甲基-2-吡咯烷酮）（NMP )、二甲亞楓、環己酮、二氧六環和 THF (四氫呋喃）的組中的至少一種溶劑用作有機溶劑。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨_ 裝--- J—. 訂 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13- 552824 A7 B7 五、發明説明) 並且，在上面的各個結構中，本發明的製造方法的特徵在於具有電子傳輸性能和電洞阻擋性能之一的材料用作低分子量材料。並且，在上面的各個結構中，本發明的製造方法的特徵在於 Alq” Almq、BAlq、Zn(PB〇）2、或 Zn(PBT)2 用作具有電子傳輸性能的材料。並且，在上面的各個結構中，本發明的製造方法的特徵在於PBD、BCP、管菲羅啉、或TAZ用作具有電洞阻擋性能的材料。附圖簡要說明在隨附的圖中：圖1是示出根據本發明的發光裝置的元件結構的說明性視圖；圖2A至2D是示出根據本發明製造發光裝置的步驟的說明性視圖；圖3是示出蒸鍍室的說明性視圖；圖4是示出根據本發明的發光裝置的元件結構的說明性視圖；圖5 A和5 B是示出根據本發明的發光裝置的材料組成和元件結構的說明性視圖；圖6A和6B是示出根據本發明的發光裝置的材料組成和元件結構的說明性視圖；圖7 A和7 B是示出發光裝置的像素部分之俯視圖；本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) €衣.

•、1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 經濟部智慈財產局S工消費合作社印製 552824 A7 ___ B7 五、發明説明（12 ) 圖8A和8B是示出主動矩陣發光裝置的說明性視圖圖9是示出被動矩陣發光裝置的說明性視圖；圖10A-10H示出電子設備的實例；圖11 是示出發光裝置的傳統實例的說明性視圖；以及圖12A和12B是示出反轉交錯TFT的結構的說明性視圖。主要元件對照表 101 基底 102 陽極 103 有機化合物層 104 陰極 105 發光區 201 基底 202 陽極 203 絕緣層 204 第一有機化合物層 205 發光區 206 第二有機化合物層 207 陰極 208 發光元件 301 基底本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

-15- 552824 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（13 ) 302 支架 303a 蒸鍍源 303b 蒸鍍源 304a 有機化合物 304b 有機化合物 306a 擋板 306b 擋板 307 反沈積遮罩物 308 加熱導線 310 成膜室 401 基底 402 陽極 403 陰極 404 發光區 405a 第一有機化合物層 405b 第二有機化合物層 501 陽極 502 有機化合物層 503 陰極 504 發光區 505 重覆單元 506 高聚合物 507 低聚合物 508 磷光質本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) €衣. -16- 552824 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（ 14 ) 601 陽極 602 有機化合物層 603 陰極 604 電洞傳輸層 605 發光 606 電子傳輸層 607 重覆單元 608 局聚合物 609 低聚合物 610 磷光質 611 高分子量材料 613 低分子量材料 701 閘電極 702 切換 TFT 703 源極訊號線 704 汲極導線 705 電流控制 TFT 706 閘電極 707 電流供給線 708 汲極導線 709 陽極 710 閘極導線 711 抹拭 TFT 712 閘電極本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-17- 552824 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（ 15 ) 713 電容器 714 半導體膜 715 發光元件 716 計數器電極 801 源極信號線驅動器電路 802 像素部份 803 閘極信號線驅動器電路 804 密封基底 805 密封劑 807 空間 808 導線 809 可撓式印刷電路板 810 基底 811 電流控制 TFT 812 陽極 813 絕緣層 814 第一有機化合物層 815 發光區 816 第二有機化合物層 817 陰極 818 發光元件 901 玻璃基底 902 陽極 903 圍堤 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18- 552824 A7 B7 五、發明説明（16 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 904 有機化合物層 905 第一有機化合物層 906 發光丨品 907 第二有機化合物層 908 陰極 909 內部空間 910 密封基底 911 密封劑 912 可撓式印刷電路板 1101 基底 1102 陽極 1103 有機化合物層 1104 陰極 1105 電洞傳輸層 1106 發光層 1201 源極信號線馬區動器電路 1202 閘極信號線馬區動器電路 1203 像素部份 1204 像素部份中的區域 1211 基底 1212 基膜 1213 電流控制 TFT 1214 源極區 1215 汲極區 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -19- 552824 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（ 1216 通道 1217 閘絕 1218 閘電 1219 夾層 1220 源極 1221 汲極 1223 陽極 1224 絕緣 1225 第一 1226 發光 1227 第二 1228 陰極 2001 框架 2002 支架 2003 顯示 2004 揚聲 2005 視頻 2101 機體 2102 顯示 2103 影像 2104 操作 2105 外部 2106 快門 220 1 機體 17 ) 形成區緣膜極絕緣膜導線導線層有機化合物層區有機化合物層部分器部分輸入終端部分接收部分鍵連接埠本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨_ 裝--- 4 -20- 552824 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（18 ) 2202 框架 2203 顯示部分 2204 鍵盤 2205 外部連接埠 2206 滑鼠 230 1 機體 2302 顯示部分 2303 開關 2304 操作鍵 2305 紅外線捧 240 1 機體 2402 框架 2403 顯示部分 A 2404 顯示部分 B 2405 記錄介質讀入部分 2406 操作鍵 2407 揚聲器部分 250 1 機體 2502 顯示部分 2503 臂部分 2601 機體 2602 顯示部分 2603 框架 2604 外部連接埠 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -21 - 552824 A7 B7 五、發明説明（19 ) 2605 遙控接收埠 2606 影像接收埠 2607 電池 2608 聲輸入部分 2609 操作鍵 2701 機體 2702 框架 2703 顯示部分 2704 聲音輸入部分 2705 聲音輸出部分 2706 操作鍵 2707 外部連接 ί阜 2708 天線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製較佳實施例詳細說明本發明的實施例模式將用圖1和2 A - 2D說明。本發明的發光裝置包括具有圖1所示元件結構的發光元件。如圖1所示，基底101上形成陽極10 2，形成有機化合物層103以被陽極102和陰極104夾住。注意，本實施例模式中，有機化合物層103由其中多個同樣的重復單元聚合的聚合物構成。並且，可能變成發光中心的磷光質部分地被包括在有機化合物層103的部分中，發光區105形成於其中。

其次，製造圖1所示發光元件的方法將用圖2A - 2D 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） -22- 552824 A7 _B7 五、發明説明（2〇 ) 說明。如圖2A所示，陽極202形成於基底201上。注意在本發明中，玻璃或石央’其是透明的，用於基底201，透明導電材料用於陽極202。並且，由絕緣材料構成的絕緣膜在陽極202上形成。注意，當陽極2 0 2上形成的絕緣膜被部分地刻蝕時，可形成絕緣層203以覆蓋陽極202的末端部分。接著，如圖2B所示，第一有機化合物層204形成於陽極202和絕緣層203上。注意，在本實施例模式中，具有高功函數和電洞傳輸性能的材料作爲組成第一有機化合物層204的高分子量材料是較佳的，及使用具有50或更高聚合度（η)的高聚合物。注意，這裏，有高聚合物溶於有機溶劑中的溶液用旋塗法塗敷並在60°C — 80°C加熱20分鐘一 30分鐘以除去有機溶劑。這樣，得到第一有機化合物層204。注意，這時的處理氣氛可設爲真空。然後，發光區205形成於第一有機化合物層204上。注意，藉由用低聚合物，以共蒸鍍形成發光區205，此低聚合物係由同於用作第一有機化合物層204的材料之高聚合物具有同樣的重復單元所組成並具有2 - 5的聚合度（η )和變成發光中心的磷光質。注意，當形成發光區205時，在圖3所示的蒸鍍室中進行膜形成。如圖3所示，基底301架在支架302上，蒸鍍源303 ( 3 03a和303b )設於其下方。提供有機化合物 304 ( 304a 和 304b )用於蒸鍍源 303 ( 303a 和 303b )。本本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 552824 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（21 ) 實施例模式中，具體地，提供低聚合物用於蒸鍍源303a ，提供磷光質用於蒸鍍源303b。此外，分別提供擋板306 (306a和306b )用於蒸鍍源303 ( 303a和303b )。注意，爲了在成膜室3 1 0中均勻地形成膜，較佳地移動（轉動 )蒸鍍源303 ( 303a和3 03b)或要接受蒸鍍的基底301。並且，蒸鍍源303 ( 303a和303b )由導電金屬材料構成。當蒸鍍源303 ( 303a和303b )內部的有機化合物304 (3 04a和3 04b )由上面施加的電壓産生的電阻加熱時，它們蒸發並蒸發沈積在基底30 1的表面上。本說明書中基底301的表面包括基底和上面形成的薄膜。這裏，陽極形成於基底301上面。注意，擋板306 ( 306a和306b )用於控制蒸鍍的有機化合物304 ( 304a和304b )的蒸發沈積。換言之，當擋板打開時，通過加熱蒸發的有機化合物304 ( 304a和304b ) 可被蒸發沈積。並且，在成膜室310中設置反沈積遮罩物307，以致於在蒸鍍時沒有汽相沈積在基底上的有機化合物可以沈積。由於整個反沈積遮罩物307可通過配備在其周圍的加熱導線308加熱，所以，沈積的有機化合物可以被蒸發。這樣，沒有蒸發沈積的有機化合物可再次恢復。注意，當配備在第一蒸鍍源3 0 3 a中的低聚合物和配備在第二蒸鍍源303b中的磷光質藉由共蒸鍍而同時蒸發沈積在基底上時，形成圖2C所示的發光區205。其次，當只有第二蒸鍍源303b的擋板306b關閉時， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552824 A7 B7 五、發明説明（22 ) 第二有機化合物層206只由來自第一蒸鍍源303a的低聚合物構成（圖2C )。注意，當在這裏連續地進行膜形成時，可防止雜質污染介面。最後，由導電材料製成的陰極207形成於第二有機化合物層206上以製造發光元件208。通過上述步驟，具有發光區105的發光元件可如圖1 所示形成於有機化合物層103的部分中。根據本發明，由於包括磷光質的發光區105可在由同樣重復單元組成的有機化合物層103的部分形成以設定用於在此發光的區域，所以，發光元件的發光效率可進一步改善。此外，由於發光區105可在離開電極（陽極和陰極 )的一個距離形成，所以，可防止由於發光區105和電極 (陽極和陰極）之間的能量傳遞引起的淬熄。另外，根據本發明，不僅可用圖1所示的元件結構，而且可用圖4的結構。圖4中，陽極402形成於基底401 上，有機化合物層405 (第一有機化合物層405a和第二有機化合物層405b )形成於陽極402上，陰極403形成於第二有機化合物層405b上。第一有機化合物層405a和第一有機化合物層405b的疊層結構不同於圖1所示的結構。圖4中，高分子量材料的高聚合物通過旋塗法形成爲膜’低聚合物和磷光質共蒸鍍以形成部分包括發光區404 的第一有機化合物層405a。這之後，由低分子量材料構成的第二有機化合物層405b通過蒸鍍法形成。注意，具本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) '-- -25- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本百〇 .撤衣. 訂 552824 A7 B7 ----------- 五、發明説明（23 ) 有電子傳輸性能或電洞阻擋性能的材料可用作低# +胃# 料。注意，圖4所7K的發光兀件的第二有機化合物層L 405b不是由與組成第一有機化合物層405a的材料同樣的重復單元組成的有機化合物構成。然而，如圖1的情形，發光區可遠離電極。此外，可改善載子傳輸性能並選擇个生地阻擋載子。這樣，可提高載子的複合性能並可進一步改善元件性能。【實施例1】本實施例中，將用圖5A和5B說明具有圖1中所示結構的發光元件。如圖5A所示，根據本實施例的發光元件的元件結構，有機化合物層502形成於陽極501上，陰極503形成於有機化合物層502上，包括磷光質508的發光區504形成於有機化合物層502的部分。並且，圖5B詳細地示出組成有機化合物層502的材料的組成。注意包括N-乙烯基嗦唑作爲重復單元5〇5的高分子量材料用於本實施例中。此外，本實施例中N _乙烯基嘮唑用作重復單元505，具有50或更高聚合度（η)的聚合物稱作高聚合物506，具有2- 5的聚合度（η)的聚合物稱作低聚合物507。並且，在本實施例中，高聚合物506可溶於有機溶劑，低聚合物507是具有昇華性的材料。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -26- 552824 A7 ---^--___ _^_ 五、發^--— 並且’作爲本貫施例中用於溶解高聚合物的有機溶劑可用甲本、苯、氯苯、二氯苯、氯仿、四氫化萘、二甲某 — ♦、二氯甲烷、環己烷、ΝΜΡ ( Ν-甲基-2-吡咯烷酮）、一甲基亞碾、環己酮和THF (四氫呋喃）等。並且’本貫施例中榮光材料和磷光材料可用于磷光質 5 0 8 〇關於熒光材料，可以使用産生藍色發光的^，七扣四本基-1，3-丁二烯（TPB) 、a — NPD、二萘嵌苣，産生綠色發光的氧雜萘鄰酮6，産生紅（橘紅）色發光的DCM1、. 紅灸烯、和奈耳紅，産生黃綠色發光的二甲基喹吖（二）酮等。此外，可使用蒽、芘、9,10-二苯基蒽等，其是凝聚的多環熒光物質。並且，關於磷光材料，可使用産生綠光的Ir(ppy)3 、産生紅光的PtOEP和稀土金屬錯合物的Eu(TTA)3Phen。另外，Ii*(ppy)3和DCM2可共蒸鍍以産生紅色發光。此後，將說明製造本實施例中的發光元件的方法。首先’其中高分子量材料溶於有機溶劑中的溶液通過旋塗法塗敷於陽極501上以形成膜。注意，這裏，使用包括N-乙烯基嘮唑以作爲重復單元的高聚合物，並使用有高聚合物溶於甲苯的溶液。此外，本實施例中可用包括以芴爲基礎的化合物作爲重復單元的高聚合物。通過旋塗法的膜形成之後，在80°C進一步加熱3分鐘除去甲苯以形成由高聚合物506構成的膜。其次，包括N-乙烯基嘮唑作爲重復單元的低聚合物本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. • Hi In 1 ....... ‘ \^ •-" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27- 552824 A7 B7 五、發明説明（25 ) 507和磷光質508同時共蒸鍍以形成發光區5〇4。發光區5 0 4形成之後，只有包括N -乙烯基B弄哩的低聚合物507 (聚合度（η) = 2 - 5)通過蒸鍍法形成爲膜以形成由低聚合物507構成的膜。注意，這時所形成的膜的厚度優選的是30nm — 50nm。本實施例中，膜形成在 40nm的膜厚。此外，本實施例中，包括N-乙烯基嘮唑和 PBD的低聚合物可共蒸鍍以改善電子傳輸性能。藉由上述步驟’部分地包括發光區5 0 4的有機化合物層502可形成於陽極501上。其次，陰極503形成於有機化合物層502上。鋁可用作組成陰極503的材料。此外，可用鎂和銀的合金（下文中稱作Mg: Ag )、鎂和銦的合金（下文中稱作Mg:In )、或鎂和銅的合金（下文中稱作Mg:Cu )。另外，除了鎂以外可使用鈣作爲鹼金屬的合金。更進一步，可用鋁和鋰的合金（下文中稱作Al:Li)等。並且，由金屬氧化物或金屬氟化物構成的極薄膜絕緣層可形成於陰極503和有機化合物層502的介面中。Li2〇、MgO、Ah〇3等可用作金屬氧化物。LiF、MgF2、SrF2等用作金屬氟化物，由這類材料構成的膜較佳地形成〇.5nm —1.5nm的膜厚。藉由以上步驟，在所需位置包括磷光質508的發光區域504可形成於由同樣重復單元組成的高分子量材料構成的有機化合物層502中。這樣，有機化合物層502中的發光區域504可設定在特殊的位置。此外，本實施例中由於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) —*訂 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -28- 552824 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（26 ) 發光區504可離開電極一個距離而形成，可防止由於能量傳遞引起的萍煌。【實施例2】本實施例中，將使用圖6A和6B說明有機化合物層的結構不同於實施例1所示的結構的情形。如圖6A所示，根據本實施例的發光元件的元件結構，有機化合物層602形成於陽極601上，陰極603形成於有機化合物層602上，包括磷光質610的發光區605形成於有機化合物層602的部分中。此外，本實施例中，電洞傳輸層604形成於發光區605下面，由具有電子傳輸性能的低分子量材料構成的電子傳輸層606形成於發光區605 上。並且，圖6B詳細地示出有機化合物層602的材料的組成。注意包括N_乙烯基挵唑作爲重復單元607的高分子量材料6 11用於本實施例中。此外，本實施例中，n -乙烯基嘮唑用作重復單元607，具有50或更高聚合度（η ) 的聚合物稱作局聚合物608’具有2 - 5的聚合度（η)的聚合物稱作低聚合物609。並且，在本實施例中，高聚合物6 0 8可溶於有機溶劑 ’低聚合物609是具有昇華性的材料。並且，作爲本實施例中用於溶解高聚合物的有機溶劑，可用甲苯、苯、氯苯、二氯苯、氯仿、四氫化萘、二甲苯、二氯甲烷、環己烷、NMP ( Ν-甲基-2-吡咯烷酮）、本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐) -一-— ---- -29- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本覓) ^裝· 4 552824 A7 B7 五、發明説明（27 ) 二甲基亞碾、環己酮和THF (四氫呋喃）等。並且，類似於實施例1所示的熒光材料和磷光材料在本實施例中可用於磷光質610。這裏，使用Ir(ppy)3，其是三重態磷光質。此後，將說明製造本實施例中的發光元件的方法。首先，其中高分子量材料溶於有機溶劑中的溶液通過旋塗法塗敷於陽極601上以形成膜。注意，這裏，使用包括N-乙烯基嘮唑作爲重復單元的高聚合物，並使用其中高聚合物溶於甲苯的溶液。此外，本實施例中可用包括基於芴的化合物作爲重復單元的高聚合物。通過旋塗法的膜形成之後，在80°C進一步加熱30分鐘除去甲苯以形成由高聚合物608構成的膜。其次，包括N-乙烯基挵唑作爲重復單元的低聚合物 609和作爲磷光質610的Ir(ppy)3同時共蒸鍍以形成發光區 605 〇發光區605形成之後，電子傳輸層606由低分子量材料613通過蒸鍍法形成。注意，這裏形成的電子傳輸層 606的膜厚設爲30nm — 50nm。注意本實施例形成的電子傳輸層606包括電洞阻擋層。Alq3、Almq、BAlq、Zn(PB〇）2、Zn(PBT)2 等可用作具有電子傳輸性能的有機化合物，其組成電子傳輸層6 0 6。此外，由30?、管菲羅_〇&111(^1^1^111:111*〇11116)、？80或丁八2 構成的層可作爲電洞阻擋層形成以夾住它在發光區和電子傳輸層之間。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30- 552824 A7 B7 i、發明説明（28 ) 本實施例中，BCP和Alq3層疊以形成由低分子量材料613構成的電子傳輸層606。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 通過上述步驟，由尚分子量材料和低分子量材料構成並部分地包括發光區605的有機化合物層602形成於陽極 6〇1上，然後其上形成陰極603。鋁可用作組成陰極603 的材料。此外，可用鎂和銀的合金（下文中稱作Mg: Ag ) 、鎂和銦的合金（下文中稱作Mg:In)、或鎂和銅的合金 (下文中稱作Mg: Cu )。另外，可使用除了鎂以外用鈣作爲鹼金屬的合金。更進一步，可用鋁和鋰的合金（下文中稱作Al:Li ) 等。並且，由金屬氧化物或金屬氟化物構成的極薄膜絕緣層可形成於陰極603和有機化合物層602的介面中。Li2〇、Mg〇、Al2〇3等可用作金屬氧化物。LiF、MgF2、SrF2等用作金屬氟化物，由這類材料構成的膜較佳地形成爲 CL5nm — 1.5nm 的膜厚。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製通過以上步驟，在由同樣重復單元組成的高分子量材料611的所需位置包括磷光質610的發光區域605可形成於由高分子量材料和低分子量材料構成的有機化合物層 602中。這樣，有機化合物層602中的發光區域605可設定在特定的位置。此外，由於可形成使用低分子量材料 6 1 3的功能區，所以，發光元件的元件性能可進一步改善。此外，由於本實施例中發光區605可離開電極一個距離而形成，所以，可防止由於能量傳遞引起的淬熄。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X；297公釐） -31 - 552824 A7 B7_ 五、發明説明（29 ) 【實施例3】這裏，圖7A詳細地示出根據本發明形成的並在實施例1中說明的發光裝置的像素部分的俯視結構，圖7B是電路圖。由於共同的參考符號用在圖7A和7B中，這些符號較佳地互相指代。本實施例中，由代號702的區域所指的TFT稱作開關TFT，由代號706的區域所指的TFT稱作電流控制TFT ，二者都由本發明的有機TFT構成。注意，開關TFT 700 的源極與源極訊號線703連接，其汲極與汲極導線704連接。此外，汲極導線704與電流控制TFT 705的閘電極 706電連接。並且，形成開關TFT 700的通道區，與源極和汲極接觸並與同閘極導線702電連接的閘電極701 ( 701 a和701b )重疊。並且，電流控制TFT 705的源極與電流供給線707電連接，其汲極與汲極導線7 0 8電連接。此外，汲極導線與虛線所指的陽極（像素電極）709電連接。注意，本實施例的結構可通過與實施例1或實施例2 的結構組合實現。【實施例4】本實施例中，藉由本發明的製造方法製造的主動矩陣發光裝置的外觀將用圖8A和8B說明。注意’圖8A是表本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^衣· :訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -32- 552824 A7 _ B7 五、發明説明（30 ) 不發光裝置的俯視圖，圖8 B是沿著圖8 A的線A - A，得到的橫截面視圖。虛線所指的代號80 1代表源極信號線驅動器電路，802指像素部分，803代表閘極信號線驅動器電路。此外，代號804代表密封基底，805代表密封劑。空間8 07産生在密封劑805所圍繞的內部區域中。注意，代號808代表用於傳送輸入到源極側驅動器電路80 1和閘極側驅動器電路803的信號的導線，視頻信號和時鐘信號從作爲外部輸入終端的FPC (可撓式印刷電路板）809接收。儘管這裏只示出FPC 809，印刷電路板（ PWB )可附連到FPC 809。本說明書中的發光裝置不僅包括發光裝置的主體，而且包括FPC 809或PWB所附連的發光裝置。其次，將用圖8 B說明橫截面結構。儘管驅動器電路和像素部分形成於基底8 1 0上，這裏也標明了作爲驅動器電路的源極側驅動器電路80 1和像素部分802。注意，源極側驅動器電路801由其中η通道TFT 8 1 3 和P通道TFT 814組合的CMOS電路組成。組成驅動器電路的TFT可以組成已知的CMOS電路、PMOS電路或 NMOS電路。此外，儘管本實施例中指出其中驅動器電路形成於基底上的驅動器集成型，這種類型不是必須使用的，驅動器電路可以不形成於基底上而形成於外部。並且，像素部分802由多個像素組成，每個包括電流控制TFT 8 11和與其汲極電連接的陽極8 1 2。並且，絕緣層8 1 3形成於陽極8 1 2和第一有機化合物本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -33- 552824 A7 B7 五、發明説明（31 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 層814的兩個末端，發光區815和第二有機化合物層816 形成於陽極8 1 2上。另外，陰極8 1 7形成於第二有機化合物層8 1 6上。這樣製造出由陽極8 1 2、有機化合物層和陰極8 1 7組成的發光元件8 1 8。陰極8 1 7還作爲對所有像素共同的導線，並通過連接導線808與FPC 809電連接。並且，爲了密封形成於基底8 1 0上的發光元件8 1 8，基底810通過密封劑805接合到密封基底804。注意，可以提供由樹脂膜構成的隔離物以保持密封基底804和發光元件8 1 8之間的間隔。諸如氮的惰性氣體密封在密封劑 805圍繞的空間807中。注意環氧基樹脂較佳地用作密封劑805 °此外，理想的是密封劑805是使濕氣和氧透過最小的材料。另外，具有吸濕作用的物質和具有氧化保護作用的物質可以包括在空間807中。 d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製並且，本實施例中，由FPR (玻璃纖維增強塑膠）、 PVF (聚氟乙烯）、Mylar、聚酯、丙烯酸（acrylic )等構成的塑膠基底可用作除了玻璃基底和石英基底之外組成密封基底804的材料。此外，密封基底804用密封劑805接合到基底上’然後可用密封劑密封以便於覆蓋側面（暴露的表面）。當發光元件通過上述步驟密封在空間807中時，可完全對外界封閉，並可防止諸如濕氣和氧的促進有機化合物層退化的物質從外界進入。這樣，可得到具有高度可靠性的發光元件。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -34- 552824 A7 B7 五、發明説明（32 ) 注意，本實施例的結構可藉由與實施例1 -實施例3 的任何結構自由地組合來實現。【實施例5】本實施例中，將說明製造具有本發明的元件結構的被動（簡單矩陣）發光裝置的情形。圖9用於該說明。圖9 中，代號901指玻璃基底，902指由透明導電膜製成的陽極。本實施例中，氧化銦和氧化鋅的化合物通過蒸鍍法形成用於透明導電膜。注意，雖然圖9中沒有示出，多個陽極排列在平行於紙面的條形中。並且，由絕緣材料構成的圍堤903形成爲穿過條狀排列的陽極902。圍堤903與陽極902接觸並在垂至於紙面的方向形成。其次，形成有機化合物層904。本實施例中，首先，其中具有50或更高聚合度（η)的N-乙烯基嗦唑的高聚合物溶於甲苯的溶液通過旋塗法塗敷並在80°C加熱3分鐘以揮發溶劑。這樣，第一有機化合物層905形成在 50nm — 150nm 的膜厚。其次，具有2-5的聚合度（η)的N-乙烯基嘮唑的低聚合物和可能成爲發光中心的磷光質共蒸鍍以形成具有 20nm— 40nm膜厚的發光區906。注意，本實施例中，高聚合物（608 )可溶於有機容機中，低聚合物（609 )是具有昇華性的材料。並且，類似於實施例1所表明的熒光材料和磷光材料本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'乂297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 552824 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製五、發明説明（33 ) 可在本實施例中用於磷光質。另外，具有2 — 5的聚合度（η )的N-乙烯基挵唑的低聚合物可蒸發沈積在發光區906中以形成第二有機化合物層907。這樣，可形成由第一有機化合物層905、發光區906和第二有機化合物層907組成的有機化合物層904 。由於有機化合物層904沿著圍堤903産生的凹槽形成，它們在垂至於紙面的方向排列在條形中。其次，形成陰極908。注意，陰極908用金屬掩膜通過蒸鍍法形成於有機化合物層904上。注意，由於本實施例中下電極由透明陽極902構成，有機化合物層中産生的光發射到下側（基底90 1側）。其次’製備陶瓷基底以作爲愁封基底910。在本實施例的結構中，由於較佳的光遮擋性能，使用陶瓷基底。還可用塑膠或玻璃構成的基底。這樣製備的密封基底9 1 0經由紫外線可固化樹脂製成的密封劑9 11接合到所得到的基底上。注意，由密封劑 9 11圍繞的內部空間909變成封閉的空間並用諸如氮或氬的惰性氣體密封。此外，在封閉的空間中9 0 9提供以氧化鋇代表的吸濕材料是有效的。最後，F P C 9 1 2附連到基底上以完成被動發光裝置。注意，根據本發明，有機化合物層可藉由與實施例1或實施例2中所示的材料自由地組合來形成。【實施例6】 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣. 訂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） -36 - 552824 A7 B7 五、發明説明（34 ) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 儘管在實施例4中說明具有頂部閘極TFT的主動矩陣發光裝置，但是’本發明不限於這種TFT結構。因此，如圖12A和12B中所示，發光裝置可用底部閘極TFT ( 典型的是反轉交錯TFT )實現。此外，反轉交錯TFT可用任何方式形成。另外，儘管其中發射由發光元件在陽極側 (基底側）産生的光（向下發射型）的結構用在實施例4 中，也可使用如本實施例所指出的其中光從陰極側發射（向上發射型）的結構。注意，圖12A是使用底部閘極TFT的發光裝置的俯視圖。目前，沒有進行通過密封基底的密封。源極側驅動裕電路1201、聞極側驅動器電路1202和像素部分1203形成於基底上。圖12B是當發光裝置沿著圖12A的線；c-^切割時像素部分1 203中的區域1 204的橫截面視圖。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖12B中，將只說明形成於像素部分1 203中的TFT 的電流控制TFT。代號1 2 1 1指基底，1 2 1 2指作爲基礎的絕緣膜（下文中稱作基膜）。可使用透明基底作爲基底 1211，透明基底典型上可爲玻璃基底、石英基底、玻璃陶瓷基底和晶化玻璃基底。然而，需要的是基底在製程中承受最大處理溫度。並且，儘管基膜1212在特別地使用包括可運動離子的基底或導電基底的情形中是有效的，它可以不設在石英基底中。包括矽的絕緣膜較佳地用作基膜1 2 1 2。注意，本說明書中“包括矽的絕緣膜”具體地指包括對矽有預定比例的氧或氮的絕緣膜，諸如氧化矽膜、氮化矽膜或氮氧本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -37- 552824 A7 B7 五、發明説明（35 ) 化矽膜（Si〇xNy: X和y以任意整數表示）。代號1213指由p通道TFT製成的電流控制TFT。注 ® ’本實施例中由於發光元件的陽極與電流控制TFT 1213連接，理想的是電流控制TFT由p通道TFT製成。然而本發明不限於這種結構，電流控制TFT可由η通道 TFT構成。電流控制TFT 1 2 1 3由包括源極區1 2 1 4、汲極區1 2 1 5 和通道形成區1 2 1 6的主動層、閘絕緣膜1 2 1 7、閘電極 1218、夾層絕緣膜1219、源極導線1220和汲極導線1221 組成。本實施例中，電流控制TFT 1213是p通道TFT。並且，開關TFT的汲極區與電流控制TFT 1213的閘電極121 8連接。儘管沒有示出，但是，具體而言，電流控制TFT 1 2 1 3的閘電極1 2 1 8通過汲極導線（沒有示出）與開關TFT的汲極區（沒有示出）電連接。注意，雖然閘電極1218變成單閘結構，但是，它也可以變成多閘結構。此外，電流控制TFT 1 2 1 3的源極導線1 220與電流供給線（沒有示出）連接。電流控制TFT 1213是用於控制注入到發光元件中的電流數量的元件，使得相對大量的電流流入其中。這樣，較佳的是通道寬度（W )設計得大於開關TFT的寬度。此外，爲了防止過量的電流流進電流控制TFT 1 2 1 3，較佳的是通道長度（L)設計得更長。理想地，設爲每像素0.5 μΑ 一 2μΑ (較佳地，每像素ΙμΑ - 1·5μΑ)。並且，電流控制TFT 1 21 3和主動層（特別地，通道本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· d 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -38- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552824 A7 B7 五、發明説明（36 ) 开夕成區）的膜厚可增加（較佳地，增加至50nm- lOOnm，更佳地，60nm-80nm )以抑制TFT的退化。電流控制TFT 1 2 1 3的形成之後，形成夾層絕緣膜 12 19 ’並形成與電流控制TFT 1213電連接的陽極1 223。注蒽’本實施例中，用於電連接電流控制TFT 1 2 1 3和陽極1 2 2 3的導線以及陽極1 2 2 3问時由问樣的材料構成。此外’較佳的是具有更大功函數的導電材料用作組成陽極 1 223的材料。典型地，有諸如鎳、鈀、鎢、金和銀的列舉的金屬。注意，本實施例中，較佳.的是陽極1 223是不透光的。除此以外，更佳的是使用具有高反光性的材料。陽極1 223的形成之後，形成絕緣層1224。注意，絕緣層1 224也稱作圍堤。其次，形成有機化合物層。注意，本實施例中的有機化合物層具有與實施例1所說明的同樣的結構。換言之，有機化合物層的組成包括由高聚合物構成的第一有機化合物層1225、通過共蒸鍍低聚合物和磷光質形成的發光區 1 226和由低聚合物構成的第二有機化合物層1 227。注意，實施例1中所示的材料較佳地用作組成有機化合物層的材料。其次，陰極1 228形成於有機化合物層上。較佳的是具有2.5eV-3.5eV的功函數的導電材料用作陰極1 228的材料。典型上，較佳地用包括鹼金屬元素或鹼土金屬元素的導電膜、包括鋁的導電膜或其中鋁、銀等層疊於導電膜上的膜。由於本實施例涉及向上發光型’故嚴格地採取陰極本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

-39- 552824 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（37 ) 1228有透光性。這樣，當使用這些金屬時，具有大約 20nm厚度的超薄膜是較佳的。藉由以上步驟，可製造具有反轉交錯TFT的發光裝置。注意，本實施例中製造的發光裝置可在圖12B所示的箭頭（向上）所指的方向發光。由於反轉交錯TFT有一種結構使得步驟的數目與頂部閘極TFT相比很容易減少，故非常有優勢的是製造成本的減少，這是本發明的一個目的。注意，根據本實施例的結構，表明了具有其中提供反轉交錯TFT並且光從發光元件陽極側發射的元件結構的發光裝置。然而，如本實施例所示其中光從發光元件的陰極側發射的結構還可與實施例4所示的頂部閘極TFT組合。此外，其中如實施例4所示光從發光元件的陽極側發射的元件結構可與本實施例所示的反轉交錯TFT組合。另外，有機化合物層會通過與實施例1和實施例2自由地組合來形成。【實施例7】使用發光元件的發光裝置是自發光型，因而與液晶顯示裝置相比在亮的環境中有優越的可見度，有更寬的視角。因而發光裝置可用於各種電子設備的顯示部分。 ί采用根據本發明製造的電子設備包括攝影機、數位相機、護目鏡式顯示器（頭戴式顯示器）、導航系統、音響再現裝置（汽車音響系統、音響部件系統等）、筆記型電氏張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（21〇χ297公董） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -40- 552824 A7 B7 五、發明説明（38 ) 腦、遊戲機、個人數位助理（可移動電腦、可移動電話、攜帶型遊戲機、電子圖書等）和配備有記錄介質的影像再生裝置（具體地，適用於再生諸如數位多樣式碟片（DVD )的記錄介質並配備有能顯示其影像的顯示裝置的裝置）。特別地作爲用於個人數位助理其螢幕在許多情形中從側面觀察，對於具有寬的視角有很高的要求，於是具有發光元件的發光裝置較佳地應用於此。圖10A-10H示出其具體地實例。圖10A示出顯示裝置其包含諸如框架2001、支架 2002、顯示部分2003、揚聲器部分2004、和視頻輸入終端2005的部分。本發明的發光裝置可用在顯示部分2003 中。包括發光元件的發光裝置是自發光型的，所以與液晶顯示裝置相比，它不需要背光源並實現很薄的顯示部分。注意顯示裝置包括用於顯示資訊的所有顯示裝置例如用於個人電腦的、用於接收電視廣播的和用於廣告的。圖1 0B示出數位靜止相機，其包含諸如機體2 1 0 1、顯示部分2 1 02、影像接收部分2 1 03、操作鍵2 1 04、外部連接埠2 1 05、和快門2 1 06的部分。本發明的發光裝置可用在顯示部分2102中。圖10C示出筆記型電腦，其包含諸如機體2201、框架2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接埠2205、和滑鼠2206的部分。本發明的發光裝置可用在顯示部分 2203 中。圖10D示出可移動電腦，其包含諸如機體230 1、顯本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ;裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -41 552824 A7 B7 五、發明説明（39 ) 示部分2302、開關2303、操作鍵2304、和紅外線埠2305 的部分。本發明的發光裝置可用在顯示部分2302中。圖10E示出配備有記錄介質的攜帶型影像再現裝置（具體地，DVD重播裝置），其包含諸如機體2401、框架 2402、顯示部分A 2403、顯示部分B 2404、記錄介質（諸如DVD )讀入部分2405、操作鍵2406、和揚聲器部分 2407的部分。顯示部分A2403主要顯示影像資訊，顯示部分B2404主要顯示文本資訊，本發明的發光裝置可用在顯示部分A2403中和顯示部分B2404中。注意家庭遊戲機等包括在配備有記錄介質的圖像再現裝置的類別中。圖10F示出護目鏡式顯示器（頭戴式顯示器），其包含諸如機體250 1、顯示部分2502、和臂部分2503的部分。本發明的發光裝置可用在顯示部分2502中。圖10G示出攝影機，其包含諸如機體2601、顯示部分2602、框架2603、外部連接埠2604、遙控接收埠2605 、影像接收埠2606、電池2607、聲音輸入部分2608、和操作鍵2609的部分。本發明的發光裝置可用在顯示部分 2602 中。這裏圖10H示出攜帶型電話，其組成包括機體2701 、框架2702、顯示部分2703、聲音輸入單元2704、聲音輸出單元2705、操作鍵2706、外部連接埠2707、和天線 2708。本發明的發光裝置可用在顯示部分2703中。注意在顯示部分2703中，通過在黑色背景上顯示白色字元能夠抑制移動電話的電源消耗。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -42- 552824 A 7 B7 五、發明説明（40 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 注思如果有機磷光質的發光亮度將來會改善，還可實現對前投式或背投式投影機的應用，其中載有輸出的影像資訊的光會由透鏡等放大而被投影。另外上面提到的電子設備經常用於通過諸如網際網路或C A T V (有線電視）的電子通訊線發佈的顯示資訊。尤其是顯不移動影像資訊的頻率有增加。有機材料有高的回應速度，這樣使用有機材料的發光裝置較佳的用於顯示移動圖像。並且在發光裝置中發光部分會消耗電能。因而，較佳的是資訊以如此的方式顯示以至於發光部分盡可能的減少。因此，如同個人數位助理中所見般，特別是，移動電話或聲音再現裝置，顯示部份主要顯示文字資訊時，驅動會被較佳地執行成文字資訊以發光部分來形成而不發光的部分用作背景。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如上所述，根據本發明的製造方法的發光裝置可用於任何領域的電子設備，具有極寬的應用範圍。並且本實施例的電器可用作根據實施例1-實施例6製造的發光裝置中的顯示部分。【實施例8】通常利用高分子量材料的溶解性能很難得到疊層結構。本實施例中表明暸其中找到了對本發明中的高聚合物和低聚合物有不同溶解度的溶劑，然後高聚合物和低聚合物溶解在不同的溶劑中，它們組成的疊層通過旋塗法製造的本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210'X297公釐） -43- 552824 A7 B7 五、發明説明（41 ) 情形。首先聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸酯（縮寫形式： PED〇T/PSS)的混合水溶液用旋塗法塗敷到玻璃基底上，其中ITO作爲陽極形成爲膜，在大約lOOnm的厚度，蒸發濕氣以形成具有30 nm厚度的電洞注入層。其次，2,5-二烷氧基-聚（對亞苯基）（縮寫形式：RO-PPP)(下面的分子式（1))作爲高聚合物溶解在甲苯中，具有50nm 厚度的膜通過旋塗法形成以製造電洞傳輸層。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

RO

訂其次，作爲PPP的低聚合物（寡聚物）的R〇-5P (下面的分子式（2 ))和紅熒烯作爲摻雜物溶於酮基溶劑（環己酮等），膜作爲發光區形成爲大約20nm的厚度。由於RO-PPP對酮基溶劑很難溶解，沒有一種電洞傳輸層和發光區混合的情形。注意，這時發光區可以形成爲層的形狀而是團簇形。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）參經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -44- 552824 A7 B7 五、發明説明（ 42

ROoP 注意中可用作種結構，容易發生，理想的間。二口坐傳輸層的的厚度以通過發光裝置的元件性離陽極和起的淬熄，如上所述有機化合物其中發光區。這樣，爲是電子傳輸 (Triazole ) 材料。最後得到本發明實施本發明中的發光區能可得到改陰極的結構只通過旋塗法製造的疊層在本實施例層。然而，該情形中，由於得到了一與其次形成的陰極接觸形成，故淬熄了在本實施例中産生更高效率的發光層通過蒸鍍法形成于發光區和陰極之 (TAZ)衍生物等可用作組成電子 ’ Al:Li合金作爲陰極蒸鍍到150ηιη 的發光元件。 ’用局分子量材料作有機化合物層的可設疋在所需的位置，由此發光元件善。此外，由於可得到其中發光區遠 ’可防止來自發光區由於能量傳遞引 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨11„ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45-

Claims

552824 A8 B$ C8 _ D8 六、申請專利範圍 1 ^ ^ 1 · 一種發光裝置，包括：發光元件，其中，發光元件包括陽極、有機化合物層、和_ _ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁} 以及其中，有機化合物層包括高分子量材料，始部A U I nis分地具有包括低聚合物和磷光質的發光區。 ~ 2. —種發光裝置，包括：發光元件，其中，發光元件包括陽極、有機化合物層、和j 5 以及其中，有機化合物層包括具有同樣重復單元;自勺胃# + 量材料，並部分地具有包括磷光質的發光區。 3. —種發光裝置，包括：形成在具有絕緣表面的基底上的薄膜電晶體；以及與薄膜電晶體電連接的發光元件，其中，發光元件包括陽極、有機化合物層 '和陰極，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製以及其中，有機化合物層包括高分子量材料，並部分地具有包括低聚合物和磷光質的發光區。 4 ♦一種發光裝置，包括：形成在具有絕緣表面的基底上的薄膜電晶體；及與薄膜電晶體電連接的發光元件，其中，發光元件包括陽極、有機化合物層、和陰極， ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ "" -46 - 552824 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 2 以及 .I -- (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，有機化合物層包括具有同樣重復單元的高分子量材料，並部分地具有包括磷光質的發光區。 5 · —種發光裝置，包括：發光元件，其中，發光元件包括具有有機化合物層插入於其間之陽極和陰極，其中，有機化合物層包括包括高分子量材料的第一有機化合物層和第二有機化合物層， - 其中，第一有機化合物層部分地具有包括低聚合物和磷光質的發光區，以及其中，第二有機化合物層包括低聚合物並與形成爲與陰極接觸。 6 · —種發光裝置，包括： — 發光元件，其中，發光元件包括具有有機化合物層插入其間的陽極、和陰極，經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中，有機化合物層包括第一有機化合物層和第二有機化合物層，第一有機化合物層包括具有同樣重復單元的局分子量材料，其中，第一有機化合物層部分地具有包括磷光質的發光區，以及其中，第二有機化合物層包括低聚合物並與形成爲與陰極接觸。本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 552824 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 7 · —種發光裝置，包括：發光元件， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 其中，發光元件包括具有有機化合物層插入其間的陽極、和陰極，其中，有機化合物層包括包括高分子量材料的第一有機化合物層和第二有機化合物層，其中，第一有機化合物層部分地具有包括低聚合物和磷光質的發光區，以及其中，第二有機化合物層形成爲與陰極接觸。- 8 · —種發光裝置，所述發光裝置包括：發光元件，其中，發光元件包括具有有機化合物層插入其間的陽極、和陰極，其中，有機化合物層包括包括高分子量材料的第一有機化合物層和包括低分子量材料的第二有機化合物層，其中，第一有機化合物層包括具有同樣重復單元的高分子量材料並部分地具有包括磷光質的發光區，以及經濟部智慧財產局員工消費合作社印製其中，第二有機化合物層形成爲與陰極接觸。 9 ·根據申請專利範圍第7和8項中任一項的發光裝置，其中第二有機化合物層包括具有電子傳輸性能和電洞阻擋性能之一的低分子量材料。 10 ·根據申請專利範圍第9項的發光裝置，其中具有電子傳輸性能的低分子量材料是選自具有D奎啉骨架的鋁錯合物、具有苯並噻唑骨架和苯並噁唑骨架之一的鋅錯合物本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（210X297公兼） -48- 552824 A8 B8 C8 _______ 08 々、申請專利範圍 4 和1，3,4-噁二唑衍生物組成的群類之一。 11 ·根據申請專利範圍第9項的發光裝置，其中具有電洞阻擋性能的低分子量材料是選自1,3，4-噁二唑衍生物、1，2,4-三唑衍生物和菲咯啉衍生物組成的群類之一。 1 2 ·根據申請專利範圍第5 - 8項中任何一項的發光裝置，其中發光區和第二有機化合物層形成爲互相接觸。 1 3 ·根據申請專利範圍第丨一 8項中任何一項的發光裝置，其中高分子量材料包括具有2- 5的聚合度的低聚合物和具有50或更高聚合度的高聚合物之一。 - 1 4 ·根據申請專利範圍第丨一 8項中任何一項的發光裝置，其中局分子量材料包括N -.乙烯基嚷哩和荀之一作爲重復單元。 1 5 ·根據申請專利範圍第1 一 8項中任何一項的發光裝置，其中磷光質包括選自1，1，4,4-.四苯基-1，3-丁二烯、 4,4^:(N-(1-萘基）-N-苯基-胺基）-聯苯基、二萘嵌苣、香豆素6、4-二氰基亞甲基-2-甲基- 6-(p-二甲基胺基-苯乙烯基）-4H-吡喃、4-二氰基亞甲基-2-甲基-6-(久洛尼定-4-基-乙烯基）-4H-吡喃、紅熒烯、奈耳紅、N-N’-二甲基-喧吖（二）酮、蒽、芘、9，10-聯苯蒽、三（2-苯基吡啶）銥、和 2,3,7,8，12，13，17，18-八乙烷基-2112311-卟啉-鉑組成的群類中的至少之一。 1 6 ·根據申請專利範圍第1 一 8項中任何一項的發光裝置，其中發光裝置結合到選自顯示裝置、數位靜止相機、筆記型電腦、可移動電腦、包括記錄介質的攜帶型影像本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） --------I -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4" __ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -49- 552824 A8 B8 C8 —--- - 一 — D8 六、申請專利範ϊ~^ ~' ~~〜- 再現裝置、護目鏡式顯示器、攝影機和攜帶型電話的組成的群類中至少之_。種衣造發光裝置的方法，該方法包括：以塗敷方法，將包括高聚合物的高分子量材料施加到陽極上以形成第〜有機化合物層；藉由共黑鍍法，在第一有機化合物層上蒸發沈積包括低聚合物和憐光質的高分子量材料以形成發光區；以及藉由黑鑛法，在發光區上蒸發沈積包括低聚合物的高分子量材料以形成第二有機化合物層。 1 8 · —種製造發光裝置的方法，該方法包括：以塗敷方法，將包括高聚合物的高分子量材料施加到陽極上以形成第一有機化合物層；藉由共蒸鍍法，在第一有機化合物層上蒸發沈積包括低聚合物和磷光質的高分子量材料以形成發光區；以及藉由蒸鍍法，在發光區上蒸發沈積低分子量材料以形成第二有機化合物層。 19 ·根據申請專利範圍第1 8項之製造發光裝置的方法’其中低分子量材料是具有電子傳輸性能和電洞阻擋性能之一的材料。 20 ·根據申請專利範圍第19項之製造發光裝置的方法，其中具有電子傳輸性能的材料是選自具有喹啉骨架和鋁錯合物、具有苯並噻唑骨架和苯並惡唑骨架之一的鋅錯合物和1，3,4-惡二唑衍生物組成的群類中之一。 2 1 ·根據申請專利範圍第1 9項之製造發光裝置的方本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 1-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -50- 552824 Α8 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 6 法’其中具有電洞阻擋性能的低分子量材料是選自1 3心嚼二嗤衍生物、1，2,4-三唑衍生物和菲咯啉衍生物組成的群類中之一。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 2 2 ·根據申請專利範圍第1 7和1 8項中任何一項之製造發光裝置的方法，其中低聚合物具有2- 5的聚合度，高聚合物具有50或更高的聚合度。 2 3 ·根據申g靑專利範圍第1 7和1 8項中任何—^ I旨之製造發光裝置的方法’其中局分子量材料是包括乙烯基嘮唑和芴之一作爲重復單元的材料。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 4 ·根據申請專利範圍第1 7和1 8項中任何一項之製造發光裝置的方法，其中磷光質包括選自^4,4-·四苯' 基-1，3 -丁一烯、4,4’-二（N-(l-萘基）-N -苯基-胺基）_聯苯基、二萘嵌苣、香豆素6、4-二氰基亞甲基-2-甲基- 6-(p-二甲基胺基-苯乙烯基）-4Η-Π比喃、4-二氰基亞曱基-2-甲基-6_ (久洛尼定-4-基-乙烯基）-4Η-吡喃、紅熒烯、奈耳紅、Ν-Ν’-二曱基-喹吖（二）酮 '蒽、芘、9,10-聯苯蒽、三（2-苯基吡啶）銥、和 2,3,7,8，12，13，17，18-八乙烷基-211^2311-口卜啉-鉑的組成的群類中的至少一個。 2 5 ·根據申請專利範圍第1 7和1 8項中任何一項之製造發光裝置的方法，其中發光裝置結合在選自顯示裝置、數位靜止相機、筆記型電腦、可移動電腦、包括記錄介質的攜帶型影像再現裝置、護目鏡式顯示器、攝影機和攜帶型電話組成的群類中的至少之一。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公嫠）