TW552628B - II-VI compound semiconductor crystal and electro-optic conversion functional element - Google Patents

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552628 A7 B7 五、發明説明（1 ) 【發明所屬之技術領域】 本發明係相關於具有半導體層和接觸層之II-VI族化合 物半導體結晶和以其爲基體使用之光電轉換功能元件。 【先前技術】 Π-VI族化合物半導體因爲是在化合物半導體中特別具 有寬能帶間隙之半導體，故可發射黃色光、綠色光和藍色 光等。因而，近幾年，以II-VI族化合物半導體結晶做爲基 體使用，高效率和長壽命之光電轉換功能元件之開發被嘗 試著。 又，爲了製作高效率之光電轉換功能元件，雖然在P 形和η形皆可控制半導體之傳導型是必要的，但眾所皆知 ，一般而言II-VI族化合物半導體在傳導型的控制方面是困 難的。例如，ZnSe系化合物半導體控制低阻抗之η型比較 容易，但控制Ρ型則較困難。相反地，ZnTe系化合物半導 體控制P型容易，但控制η型則困難。 在此，ZnSe系化合物半導體意味著包含ZnSe和實質上 晶格匹配之化合物半導體之半導體，同樣地ZnTe系化合物 半導體意味著包含ZnTe和實質上晶格匹配之化合物半導體 之半導體。 一般，使用在光電轉換功能元件之ZnSe系化合物半導 體結晶具有從藉由使用分子束磊晶生長法使氮激發電漿所 得之良反映性活性氮在ZnSe中以高濃度照射之方法所形成 之ρ型ZnSe層，將此ρ型ZnSe層做爲與電極之接觸層。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 扯衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 552628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2) 但是，ZnSe系化合物半導體難以得到高載體濃度之p 型，所以P型電極和p型ZnSe接觸層之接觸阻抗不可能十 分小。因而’使用具有pn接合之ZnSe系化合物半導體結 晶之光電轉換功能元件有其工作電壓變高，消耗電力變多 之問題和經由發熱而使元件提早劣化之問題產生。 因而，在ZnSe系化合物半導體之pn接合之上，疊積 可以高濃度添加P型不純物之ZnTe層，將此ZnTe層做爲 與P型電極之接觸層之光電轉換功能元件被提出。但是， 在ZnSe層直接疊積ZnTe層，在介面之能帶間隙變大而不 能實現低電壓化。 又，在ZnSe層之上形成使Se和Te之組成比慢慢變化 之ZnSeTe組成漸進層，使用其上具有形成p型ZnTe接觸 層之疊層構造之結晶之光電轉換功能元件，以及在ZnSe層 之上形成ZnSe/ZnTe超晶格層，使用其上具有形成p型 ZnTe接觸層之疊層構造之結晶之光電轉換功能元件被開發 以求低電壓化。 但是，上述ZnSeTe組成漸進層和具有包含ZnSe/ ZnTe 超晶格層之疊層構造之結晶，爲了 ZnTe和ZnSe之晶格常 數大爲不同而採用高結晶性製造是困難的，有對光電轉換 兀件有不良影響之缺點。亦即，使用具有上述疊層構造之 ZnSe系化合物半導體結晶之光電轉換元件雖已實用化，但 卻不能將工作電壓弄成低電壓，消耗電力和元件劣化的問 題並未改善 〇 另一方面，使用ZnTe系化合物半導體之光電轉換功能 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------装----Ί--1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -5- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552628 A7 B7 五、發明説明（3 ) 元件，至目前爲止ZnTe單結晶因不容易培養，開發並無進 展。但是近幾年，本發明人等成功培養p型ZnTe單結晶， 藉此，安定的p型ZnTe單結晶基板可以得到。伴隨此，使 用ZnTe系化合物半導體之光電轉換元件之開發變得可廣泛 進行。 又’做爲光電轉換功能元件用之基體而被使用之ZnTe 系化合物半導體結晶一般具有如下所示之疊層構造。 例如，具有將第13 ( 3B)族元素配置在p型ZnTe單結 晶基板表面上，施予熱處理將上述之第13 (3B)族元素做 爲η型不純物擴散至基板中形成n型ZnTe層所得之疊層構 造。 又，具有在P型ZnTe單結晶基板上以磊晶生長形成η型 ZnTe薄膜所得之疊層構造。 又，具有在p型ZnTe單結晶基板上將包含p型ZnTe 緩衝層、Mg ' Cd和Se等之MgZnSeTe和CdZnSeTe等之四 元混晶之P型金屬包層、ZnTe活性層、四元混晶之η型金 屬包層以晶體取向生長法順次形成所得之疊層構造。 但是，ZnTe系化合物半導體，因爲難以得到高載體濃 度，所以不能將η型電極和ZnTe層之接觸阻抗弄得十分小 。因而，使用ZnTe系化合物半導體之光電轉換功能元件持 有工作電壓變高消耗電力變高之問題和因發熱元件提早劣 化的問題。 亦即，根據上述疊層構造之η型半導體層（η型ZnTe 層、四元混晶之η型金屬包層）之載體濃度爲1〇17/cm·3是 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 裝 „ 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -6 - 552628 A7 B7 五、發明説明（4 ) 界限’在此程度之載體濃度不能得到低電極之歐姆接觸， 因而難以降低接觸阻抗。因而’目即將具有pn接合之ZnTe 系化合物半導體結晶做爲基體使用之光電轉換功能元件未 到實用階段，亦無有效的低電壓化之報告出現。 本發明之目的是用來解決上述問題點，提供具有在希 望的傳導型可控制的接觸層之II-V；[族化合物半導體結晶和 將其做爲基體使用之光電轉換功能元件。 【發明槪述】 本發明人等檢討爲何以上述之ZnSe系化合物半導體晶 體被使用之技術，亦即在ZnSe系化合物半導體將ZnTe層 做爲P型接觸層而利用之技術不能應用在將ZnTe系化合物 半導體結晶做爲基體之光電轉換功能元件。也就是說，檢 討爲何不能將在ZnTe系化合物半導體容易控制傳導型於η 型之Se系化合物半導體做爲η型接觸層而利用之情事。所 得結果爲，CdSe藉由添加C1 (氯）等之第17 ( 7Β )族元素 和A1等之第13 ( 3B )族元素不僅易於將載體濃度提升到 1019cm_3，且晶格常數爲6.05與ZnTe之晶格常數（6.10A ) 比較接近，所以從結晶性之方面來看做爲ZnTe系化合物半 導體之η型接觸層也是最合適的。 又，在ZnTe層之上直接疊積CdSe層，雖然在介面之 能帶間隙大而增大阻抗，但藉由在η型ZnTe層和η型CdSe 層之間形成ZnTe/CdSe超晶格層或ZnCdSeTe之組成漸進 層，看得出可避免將能帶間隙之傾斜減緩阻抗變大之問題 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -7- 552628 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 產生。 又’在ZnTe系化合物半導體，於ZnSe層和p型ZnTe 接觸層之間要形成ZnSe/ZnTe超晶格層或ZnSeTe之組成 漸進層之場合，ZnTe和ZnSe之晶格常數之差大，因而帶給 結晶性不良影響之可能性高，但是要形成ZnTe/ CdSe超晶 格層或ZnCdSeTe之組成漸進層之場合，ZnTe和CdSe之晶 格常數比較接近，因而看得出帶給結晶性不良之影響比較 小。 亦即，考慮在半導體和接觸層間形成ZnTe/CdSe超晶 格層或ZnCdSeTe之組成漸進層以控制接觸層之傳導型，不 僅對ZnTe系化合物半導體結晶之n型控制有效用，並且對 CdSe系化合物半導體結晶之ρ型控制亦有效用。 本發明係基於上述說明所完成，係具有在ZnTe系化合 物半導體層之上包含疊積n型CdSe和η型ZnTe而成之超 晶格層或ZnCdSeTe之組成漸進層之η型接觸層之Π-VI族 化合物半導體結晶。又，係具有在ZnTe系化合物半導體層 之上包含疊積p型CdSe和p型ZnTe而成之超晶格層或 ZnCdSeTe之組成漸進層之p型接觸層之II-VI族化合物半 導體結晶。 藉此，即使係傳導型之控制困難的II-VI族化合物半導 體，變得可比較容易控制接觸層之傳導型。此亦謂，接觸 層之載體濃度容易增大。因而，將如此之半導體結晶做爲 基體使用之半導體元件，因爲接觸層與電極間之接觸形成 歐姆接觸，所以可取得半導體元件之低電壓化。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 批衣 ； 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -8 - 552628 A7 B7 五、發明説明（6) 例如，在具有pn之ZnTe系化合物半導體結晶之表面 和裏面分別設置電極，在η型半導體和η型電極間具有η 型接觸層，並且前述η型接觸層之至少一部分有以疊基η 型CdSe和η型ZnTe而成之超晶格層所構成之光電轉換功 能元件。 具體上，在ZnTe系化合物半導體結晶，於n型ZnTe 層之上形成η型CdSe/n型ZnTe超晶格層，與η型電極接 觸之層形成η型CdSe層。此時，與η型電極接觸之η型 CdSe層藉由添加C1 (氯）等之第17(7Β)族元素和Α1等 之第13 ( 13Β)族元素載體濃度可望達到l〇18Cm·3以上，更好 是1019cm·3以上。 若依據此光電轉換功能元件，η型接觸層之載體濃度大 ，所以η型電極和η型接觸層之接觸可爲歐姆接觸，並且 藉由形成ZnTe/CdSe超晶格層或ZnCdSeTe之組成漸進層 能帶間隙成緩慢傾斜，所以可避免頻寬間隙差而導致之阻 抗變大。又，此光電轉換功能元件之工作電壓變成4V以下 ，所以可期待將ZnTe系化合物半導體結晶做爲基體之光電 轉換功能元件之實用化。 此處，以ZnTe/CdSe超晶格層形成無能帶間隙差之接 觸層之場合，藉由階段式地變化形成超晶格層內之ZnTe和 CdSe之膜厚比可達成。例如，在ZnTe系化合物半導體層上 ，交互疊基具有幾乎一定之膜厚之ZnTe層和階段式地使膜 厚增加之CdSe層形成超晶格層。此時，ZnTe之膜厚固定在 1 nm〜50 nm之間，CdSe層之膜厚從0.2 nm程度至ZnTe層 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） ---------^-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 552628 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 之膜厚程度止，可以以數階段增加。 又，因爲構成ZnTe/CdSe超晶格層或ZnCdSeTe之組 成漸進層之CdSe和ZnTe之晶格常數比較接近，所以ZnTe /CdSe超晶格層或ZnCdSeTe組成漸進層給予ZnTe系化合 物半導體結晶之結晶性不良影響之可能性小。因而，可得 到具有優良發光特性之光電轉換功能元件。 又，在至少具有pn接合之CdSe系化合物半導體結晶 之表面和內面分別設置電極而形成之光電轉換功能元件之 場合，P型半導體和P型電極之間具有P型接觸層，且前束 P型接觸層之至少一部分可以從p型CdSe和p型ZnTe之超 晶格層或ZnCdSeTe之組成漸進層構成。 例如，在難以將傳導型控制在p型之CdSe系化合物半 導體藉由適用本發明，因爲可形成高載體濃度之p型接觸 層，因爲P型電極和P型接觸層之接觸形成歐姆接觸，所 以可得到光電轉換功能元件之工作電壓之低電壓化。 【圖面之簡單說明】 第1圖係一顯示作爲依據本發明之光電轉換功能元件之 發光二極體（LED)之構造示意圖； 第2圖係一顯示藉由PL法評價依據本實施形態之ZnTe 化合物半導體結晶所得之能量光譜圖； 第3圖係一顯示藉由EL法評價本實施形態之發光二極 體所得之能量光譜圖；；以及 第4圖係一顯示本實施形態之發光二極體之構造之電流 ---------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -10- 552628 A7 B7 五、發明説明（8 -電壓特性圖。 【圖號說明】 10、 20 Au電極 11 ZnTe基板 12 ZnTe緩衝層 13 P型ZnTe金屬包層 14、 16 ZnTe中間層 15 ZnTe活性層 17 η型ZnTe金屬包層 18 η型CdSe/ η型ZnTe超晶格層 19 η型CdSe接觸層 I I 批衣 ： 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【發明之最佳實施形態】 以下，係爲本發明之最佳實施形態，參照圖式詳細說 明。 第1圖係顯示做爲依據本發明之光電轉換功能元件之發 光二極體（LED)之構造說明圖。 本實施形態之發光二極體係在ZnTe基板11上經由ZnTe 緩衝層12，在p型ZnTe金屬包層13、ZnTe中間層14、 ZnCdTe活性層15、ZnTe中間層16、η型ZnTe金屬包層17、 η型CdSe/ η型ZnTe超晶格層18和η型CdSe接觸層19順次 被疊積而形成之半導體結晶之表面和內面形成Au電極10和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） -11 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 552628 A7 B7 五、發明説明（9 ) 20而構成。 以下，就具有如上所述之本發明人等實施之構造之發 光二極體之製造步驟之一例說明。 首先，ZnTe單結晶板在甲醇溴溶液中鈾刻之後，導入 分子束磊晶取向生長裝置中。以35(TC施予1分鐘熱處理後 洗淨基板表面，接著，在ZnTe單結晶基板尙在240°C之低 溫形成5 nm厚度之ZnTe緩衝層12。 其次，以500 nm厚度形成p型ZnTe金屬包層13。亦即 ，p型ZnTe金屬包層13植入做爲不純物藉由電漿激磁而活 性化之N (氮）控制爲p型。 其次，在P型ZnTe金屬包層13上形成50 nm厚度之未 植入ZnTe中間層14，其上形成10 nm厚度之未植入ZnCdTe 活性層15，又在更上一層形成50 nm厚度之未植入ZnTe中 間層16，在更上上層形成200 nm厚度之η型金屬包層17。 亦即，η型ZnTe金屬包層17植入做爲不純物之C1控制在η 型。 其次，在η型ZnTe金屬包層17上交互疊積7層η型 CdSe層和η型ZnTe層（共14層）之CdSe / ZnTe之超晶格 層18。此時，將CdSe層之厚度從0.3 nm ( η型ZnTe金屬包 層17側）慢慢變厚至1·7 nm ( η型CdSe層19側），將ZnTe 層之厚度固定爲2 nm。 其次，在CdSe/ZnTe超晶格層18之上形成50 nm厚度 之η型CdSe層，製造成爲發光二極體之基體之ZnTe化合 物半導體結晶。此處，η型CdSe層19植入做爲不純物之C1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ^^1T^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -12- 552628 A7 B7 五、發明説明（1Q) 而控制爲η型，其載體濃度製造成9 X 1〇18〜cnT3。 亦即，在第1圖之構造，雖然分別顯示CdSe/ZnTe超 晶格層18和η型CdSe接觸層19，但可看出η型CdSe層19 亦爲CdSe/ZnTe超晶格層18之一部份，所以CdSe/ZnTe 超晶格層可構成η型接觸層之一部份。 第2圖係藉由光學發光法（Photo Luminescence，PL法 )評價依照本發明之ZnTe化合物半導體結晶所得之能量光 譜圖。具體而言，係在上面所述之ZnTe化合物半導體結晶 以15K之溫度下入射光時從ZnCdTe活性層15被放射出來之 光的能量光譜圖。 如第2圖所示，在2.22eV附近可發現明顯的波峰，其半 高寬値大小係5.9meV。藉此，依照本實施形態之ZnTe化合 物半導體結晶可確認是無結晶缺陷之高品質結晶，適合做 爲發光二極體之基體。 再者，將上述ZnTe化合物半導體結晶做爲基體，藉由 蒸鍍法在η型CdSe層19之表面和 p型ZnTe單結晶基板之 內面形成Au電極10和20，製造具有如第1圖所示之構造之 發光二極體。又，在η型電極除了 Αιι以外可使用A1和In 〇 第3圖係藉由電發光法（Electro Luminescence，EL法） 評價依照本發明之ZnTe化合物半導體結晶所得之能量光譜 圖。具體而言，在本實施形態之發光二極體通過20mA、 40mA和60mA (換成電流密度係12A/cm2、23A/cm2和35A / cm2 )之脈衝電流時所放射出來之光之能量光譜圖。亦即 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 辦衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 552628 Α7 Β7 五、發明説明（11) ，用在本實驗之脈衝係往複周波數爲1kHz且工作比（Duty ratio )(將電流ON之比率）爲10%之方形波。 由第3圖，可了解隨著電流値變大EL強度亦變大。又 ，不管電流値之大小可看出在2.1 leV附近有明顯的波峰， 波峰的半高寬値大小係2 5.9 m e V。又，被得到之發光波場係 波場5 87nm之明亮黃色，即使在室溫也可辨認。 第4圖係顯示本實施形態之發光二極體之電流-電壓特 性圖。由此，可了解本實施形態之發光二極體啓動電壓（ 電流開始流動之電壓）係4V附近。習知，將ZnTe系化合 物半導體做爲基體之發光二極體啓動電壓係7V程度而難以 實用化，但本實施形態之發光二極體啓動電壓改善爲4V而 可達到實用化之階段。 再者，做爲發光二極體之啓動電壓爲4V被認爲還是太 高，但是藉由最適化適用在本實施形態之CdSe/ZnTe超晶 格層之構造（各層之厚度和疊層數），可期待得到更低電 壓化。 以上所述，基於實施形態具體說明本發明人等所提出 之發明，但本發明並不僅僅限於上述實施之形態。 例如，在本實施形態，雖然使用ZnTe化合物半導體做 爲發光二極體之基體，但是被認爲在ZnTe化合物半導體以 外若實質與ZnTe晶格匹配之化合物半導體亦可得同樣之效 果。 又，在本實施形態，雖然係就藉由以CdSe/ZnTe超晶 格層構成ZnTe化合物半導體層之η型接觸層之一部份改良 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ----------裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 552628 A7 B7 五、發明説明（12) 澤-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) η型接觸層之例說明，但是製造藉由以CdSe/ZnTe超晶格 層構成與CdSe實質晶格匹配之化合物半導體之p型接觸層 之一部份改良p型接觸層之CdSe系化合物半導體結晶亦可 ’使用此CdSe系化合物半導體結晶做爲基體之光電轉換功 能元件可期待與本實施形態之發光二極體具同樣特性。 又’在本實施例雖然係藉由以CdSe/ZnTe超晶格層構 成ZnTe化合物半導體層之n型接觸層之一部份，但是形成 ZnCdSeTe之組成漸進層代替前述超晶格層亦可緩慢使能帶 間隙傾斜，所以可期待同樣的效果。 又，氮、磷和砷做爲使半導體磊晶生長時之p型不純 物是合適的，做爲η型不純物A1等之III族元素或C1等之 VII族元素是合適的。 又’晶晶生長法不限於分子束晶晶取向生長法（ΜΒΕ )，亦可爲有機金屬取向成長法（MOCVD)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 若依據本發明，在ZnTe半導體結晶，因具有在ZnTe 系化合物半導體層之上疊積η型CdSe和η型ZnTe而形成 之超晶格層或包含ZnCdSeTe之組成漸進層之η型接觸層， 所以即使是難以將傳導型控制在η型之ZnTe系化合物半導 體，增大其η型接觸層之載體濃度就可比較容易控制傳導 型。又，因在接觸層和電極之間形成CdSe/ZnTe超晶格層 或ZnCdSeTe之組成漸進層，所以藉由頻寬帶隙差可抑住阻 抗之增大。更且，構成CdSe/ZnTe超晶格層或ZnCdSeTe 之組成漸進層之CdSe和ZnTe之晶格常數比較接近，所以 給予半導體結晶之結晶性不良影響之可能性低，可得高品 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 15 552628 A7 B7 五、發明説明（13) ‘ 質之半導體結晶。 所以，將如此之半導體結晶做爲基體之半導體元件接 觸層和電極之接觸形成歐姆接觸可達成半導體元件之低電 壓化，而且半導體結晶之品質優良，所以例如在光電轉換 功能元件係可得到優良的發光特性之效果。 產業上之可利用性 本發明不限定於II - VI族系化合物半導體結晶和將其 做爲基體之光電轉換功能元件，而可廣泛利用於有必要具 有使半導體和電阻以低阻抗接觸之歐姆接觸之半導體元件 ： 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -16 -

Claims (1)

1. 552628 8 8 8 8 ABCD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍1 1 · 一種II 一 VI族化合物半導體結晶，其特徵爲··在 ZnTe系化合物半導體之上，具有包含疊積^型CdSe和η型 ZnTe所形成之超晶格層之η型接觸層。 2.—種II一 VI族化合物半導體結晶，其特徵爲··在 ZnTe系化合物半導體之上，具有包含緩慢變換zn、Cd、Se 和Te之組成之n型ZnCdSeTe之組成漸進層之n型接觸層 〇 3·一種π一 VI族化合物半導體結晶，其特徵爲：在 CdSe系化合物半導體之上，具有包含疊積ρ型cdSe和ρ型 ZnTe所形成之超晶格層之p型接觸層。 4· 一種II 一 VI族化合物半導體結晶，其特徵爲：在 CdSe系化合物半導體之上，具有包含緩慢變換Zn、Cd、Se 和Te之組成之p型ZnCdSeTe之組成漸進層之p型接觸層 〇 5. —種光電轉換功能元件，係就在具有pn接合之ZnTe 系化合物半導體結晶之表面和內面分別設有電極所形成之 光電轉換功能元件，其特徵爲： 在η型半導體層和η型電極之間具有η型接觸層，且 前述η型接觸層之至少一部分由疊積η型CdSe和η型 ZnTe所形成之超晶格層或ZuCdSeTe之組成漸進層所構成。 6. —種光電轉換功能元件，係就在具有pn接合之CdSe 系化合物半導體結晶之表面和內面分別設有電極所形成之 光電轉換功能元件，其特徵爲： 在p型半導體層和p型電極之間具有p型接觸層，且 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------、玎------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^17- 552628 A8 B8 C8 D8 Γ、申請專利範圍2 前述η型接觸層之至少一部分由疊積ρ型CdSe和ρ型 ZnTe所形成之超晶格層或ZnCdSeTe之組成漸進層所構成。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ------.---裝--*--K——訂------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -18 η α……_7號屬 中夂讀^書修正本(含申請專利範圍） ^ 91117^7號專利申請案 民國92年7月22日修正

   Α4 C4 552628 %專利説明書 中 文 II一VI族化合物半導體结晶以及光電轉換功能元件 發明 新型 名稱 英 文 姓 名 國 籍 (1) 岸野克巳 (2) 野村一郎 (3) 催成伯 (1)日本 0 日本 （3) 北韓 (1)日本國東京都秋琉野市草花一七八二 裝 發明 創作> 住、居所 (2)日本國千葉縣浦安市北榮三丁目五番三號 金高梨四〇八 (3)日本國東京都千代田區紀尾井町t 丁目一番 訂 姓 名 (名稱） 國 籍 (1)日鑛馬鐵利亞股份有限公司 株式会社日鉱U 7儿文 0 岸野克巳 岸野克巳 (1)日本 （2)日本 (1)日本國東京都港區Λ之門二丁目一〇番一號 線 三、申請人 住、居所 (事務所） 代表人 姓 名 (2)日本國東京都秋琉野市草花一t八二 (1) 岡田昌德 (2) 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）