TW544949B - Light-emitting device and display apparatus using the same - Google Patents
Light-emitting device and display apparatus using the same Download PDFInfo
- Publication number
- TW544949B TW544949B TW091107829A TW91107829A TW544949B TW 544949 B TW544949 B TW 544949B TW 091107829 A TW091107829 A TW 091107829A TW 91107829 A TW91107829 A TW 91107829A TW 544949 B TW544949 B TW 544949B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- electrode
- doped region
- interface
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 103
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000002079 cooperative effect Effects 0.000 claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 235000012054 meals Nutrition 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims 5
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 claims 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 2
- PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N (1s,3r,4e,6e,8e,10e,12e,14e,16e,18s,19r,20r,21s,25r,27r,30r,31r,33s,35r,37s,38r)-3-[(2r,3s,4s,5s,6r)-4-amino-3,5-dihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-19,25,27,30,31,33,35,37-octahydroxy-18,20,21-trimethyl-23-oxo-22,39-dioxabicyclo[33.3.1]nonatriaconta-4,6,8,10 Chemical compound C1C=C2C[C@@H](OS(O)(=O)=O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2.O[C@H]1[C@@H](N)[C@H](O)[C@@H](C)O[C@H]1O[C@H]1/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/C=C/[C@H](C)[C@@H](O)[C@@H](C)[C@H](C)OC(=O)C[C@H](O)C[C@H](O)CC[C@@H](O)[C@H](O)C[C@H](O)C[C@](O)(C[C@H](O)[C@H]2C(O)=O)O[C@H]2C1 PCTMTFRHKVHKIS-BMFZQQSSSA-N 0.000 claims 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 18
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 16
- 229910021423 nanocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 7
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Shi Xi Chemical compound 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003863 physical function Effects 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/34—Materials of the light emitting region containing only elements of Group IV of the Periodic Table
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
五 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544949 A7 9253pif.doc/008 B7 發明說明（j ) 本發明是有關於一種能得到最大發光效率，且具有一基底 之發光元件，更特別的是一種使用此發光元件之顯示裝置。 砂半導體基底可以用來將邏輯元件(Logic Devices)及操作 元件(Operation Devices)高度積集化，並可可靠地驅動其中之 元件。因爲矽的價格較化合物基底便宜，使得高度積體電路可 以低價格在矽基底上形成，因此，矽己在大多數的積體電路中 作爲基底材料。 基於矽的優點，爲得低價格光電元件，在利用一般積體電 路製程來製造矽基礎發光元件一方面可見相當的努力。實驗可 確認多孔砂(Porous Silicon)及納米結晶砂(Nano-Crystal Silicon) 皆具有發光能力。因此，這方面的努力仍持續不斷。 第1圖繪τκ形成於一主體單晶砂（Bulk Monocrystalline Silicon)表面之一多孔砂區域之截面圖，以及在多孔政區域之間 價電帶(Valence Band)及導電帶(Conduction Band)之間的能隙 (Energy Bandgap) 〇 多孔矽可藉在包括氫氟酸(HF)之電解溶液中，主體單晶矽 表面之陽極電化學解離(Anodic Electrochemical Dissolution)而 得。 當一主體矽在氫氟酸溶液中受到陽極電化學解離時，主體 矽表面中會形成一具有一定數目之孔洞la之多孔矽區域1，其 如第1圖所繪示。在形成孔洞la的區域中，較多的矽氫(Si-H) 鍵形成於未受氫氟酸解離之凸起區域(Projection Region)lb中’ 而價電帶(Εν)及導電帶(Ec)之間的能隙則與多孔矽區域1的形 狀相反。 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------1 訂-------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 544949 A7 9253pif.doc/008 B7 ^___ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 發明說明（2) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在能隙曲線中被凸起區域包圍，且對應多孔矽區域1中， 與孔洞區域la包圍之凸起區域lb的凹陷區域提供一量子侷限 效應(Quantum Confinement Effect)，因此在此區域之能隙增加 至大於主矽體之能隙，而使電洞(Hole)及電子(Electron)得以在 此區域中被捕獲(Trap)，以發射光線。 例如，在多孔矽區域1中，由孔洞區域la圍繞之凸起區域 lb係形成一單晶矽之量子線(Quantum Wire)，以提供量子侷限 效果，使電洞電子被捕獲於此一量子線中再親合以發光。發光 的波長範圍可由近紅外光波長(Near Infrared)至藍光波長，其係 由量子線之尺寸(寬度及長度)所決定。例如，在此多孔區域la 之區間大約爲5納米(nm)，而最大厚度係爲3納米。 因此，在製造一多孔矽基礎發光元件之後，施加一預定電 壓至多孔矽區域1形成之處的發光元件時，可依據多孔矽區域 1之孔洞而得到所欲波長之光線。 然而，以上所述之孔洞矽基礎發光元件並非一高度可靠之 發光元件，且僅具有0.1%之外界量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)。 第2圖係一截面圖，繪示出一納米結晶基礎之發光元件。 參考第2圖，該納米結晶基礎發光元件具有一多層結構，包括 一 P型單晶砂基底2，一非晶砂(Amorphous Silicon)層3形成 於矽基底2上，一絕緣層5形成於非晶矽層3上，以及下上電 極6及7分別形成於矽基底2之底面及絕緣層5上。納米結晶 矽4的形成係在非晶矽層3中作爲一量子點(Quantum Dot)。 納米結晶4係在非晶矽層3於氧氣中快速加熱至700°C0以 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544949 Α7 9253pif.doc/008 B7 五、發明說明（A ) 再結晶(Recrystallizadon)時以一量子點型式形成。在此，非晶 矽層3具有3納米之厚度，而納米矽4具有2-3納米之大小。 如以上所述，當對使用納米結晶矽4之發光元件的電極7 及6之間施加一逆向偏壓時，在矽基底2及納米結晶矽4之間’ 非晶矽層3端會產生高電場，因此電子及電洞在此高能量電位 狀能下產生。電子及電洞將遂穿(Tunnel)至納米結晶矽4，並彼 此耦合以發射光線於納米結晶基礎發光元件中，因此產生之波 長係隨著納米結晶矽量子點大小的減小而減短。 在以上所述使用納米結晶矽4之發光元件中，納米結晶量 子點的大小及均勻度較難控制，且其效率相當低。 爲解決以上問題，本發明之目的在於提供一種發光元件， 其具有較多孔矽基礎及納米結晶矽基礎發光元件高之發光效 率，及雙面發光表面，以得最大發光效率，以及使用此發光元 件之顯示裝置。 爲達本發明之目的，提供一種發光元件，包括：一 P型或 η型基底；在基底至少一個表面上植入與其極性相反之預定雜 質，以形成至少一摻雜區，以在該摻雜區域及該基底之間的Ρ-η界面中，利用量子侷限而發光；以及一電極，使得摻雜區域 之ρ-η界面發射之光線經過基底之兩個表面向外界發射。 摻雜區域最好是在基底的一個表面上形成，且電極包括第 一及第二電極分別形成於基底的兩個表面。因此由ρ-η界面產 生之光線可以由基底的兩個表面發射，如此，至少第一個第二 電極可以是透明電極。 摻雜區域最好包括第一及第二摻雜區域分別形成於基底的 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------------訂----------線· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 544949 A7 9253pif.doc/008 B7 五、發明說明（ψ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 兩個表面，且該電極最好包括第一及第二電極分別形成於基底 之兩個表面上，以發射由第一摻雜區域p-n界面產生之光線， 以及第三及第四電極分別形成於基底之兩表面，以發射由第二 摻雑區域p-n界面產生之光線’其中第一及第四電極係形成方令 基底同一表面且彼此分離，而第二及第三電極係形成於基底另 一表面且彼此分離。 基底最好包括第一及第二基底，而摻雜區域最好包括第一 及第一摻雑區域分別形成於第一及第二基底的外表面上，而電 極最好包括第一及第二電極分別形成於第一及第二基底之外表 面，以及一共同電極形成於第一及第二基底之間。 該發光元件最好包括一控制層形成於基底與摻雜區域相同 之表面上，以作爲形成摻雜區域之罩幕，並限制摻雜區域之深 度爲超淺(Ultra-Shallow)。基底最好是由包括是的一預定半導 體材料形成，而控制層最好是由氧化砍層形成至一適當厚度， 因此摻雜區域可具有一超淺深度。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之目的亦可藉形成一具有數個發光元件及雙向（Bh directional)顯示器而達成，每一個發光元件包括：一 p型或η 型基底；在基底至少一個表面上植入與其極性相反之預定雜質， 以形成至少一摻雜區，以在該摻雜區域及該基底之間的ρ-η界 面中，利用量子侷限而發光；以及一電極，使得摻雜區域之Ρ-η界面發射之光線經過基底之兩個表面向外界發射。 圖式之簡單說明： 本發明以上及其他目的，特徵及優點可參考下例實施例之 說明及以下附圖而更明顯，其中： 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制农 544949 A7 9253pif.doc/008_B7 五、發明說明（L) 第1圖係一截面圖，繪示出主體單晶砂表面中形成之一多 孔矽區域，以及在多孔矽區域中價電帶及導電帶之間的能隙； 第2圖係一截面圖，繪示出納米結晶矽基礎發光元件的例 子； 第3圖係一截面圖，繪示出本發明之發光元件的第一實施例； 第4A圖繪示利用非平衡擴散(Non-Equilibrium Diffusion) 形成之具有超淺深度，作爲摻雜層之p-n界面的結構； 第4B圖繪出第4A圖中，利用非平衡擴散形成之p-n界面 中所形成之縱向(Longitudinal)及橫向(Lateral)井(Quantum Well， QW)之能帶； 第5圖係一截面圖，繪示出本發明之發光元件的第二實施 例； 第6圖係一截面圖，繪示出本發明之發光元件的第三實施例； 以及 第7圖繪示出一雙向顯示裝置，其應用了本發明提供之發 光元件。 圖式之標記說明： 1 :多孔區域 la :孔洞區域 lb :凸起區域 2 :矽基底 3:非晶矽層 4:納米結晶矽層 5 ·絕緣層 8 本紙張尺度賴+ _家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公餐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -r^r --線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544949 A7 9253pif.doc/008 B7 五、發明說明（ς ) 6 :下電極 7 :上電極 10 :發光元件 11 :基底 13 :控制層 14 : p-n界面 15 :摻雜區域 17 :第一電極 19 :第二電極 23 :控制層 24 : p-n界面 25 :第一摻雜區域 27 :第一電極 29 :第二電極 33 :控制層 34 : p-n界面 35 :第二摻雜區域 37 :第三電極 39 :第四電極 49 :共同電極 70 :反射鏡 實施例 參考第3圖，根據本發明，一發光兀件包括一基底11，至 少一個摻雜區域15，其利用將與基底11相反極性之預定雜質 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •線· 544949 A7 9253pif.doc/008___B7 五、發明說明（Ί ) 摻雜至基底11至少一個表面上形成，以使得與基底11毗鄰之 p-n界面14藉量子侷限效應而發光，以及一電極結構，其設計 在使得摻雜區域15之p-n界面14產生之光對外界發射。本發 明之發光元件更包括一控制層13於基底11形成摻雜區域15之 表面，以作爲形成摻雜區域15之罩幕，並限制摻雜區域15之 厚度至一超淺涂度。控制層13係根據本發明形成發光元件之摻 雜區域15所需形成，其可在形成摻雜區域15之後選擇性地被 移除。 基底11最好是由一包括矽之預定半導體材料所形成，例如 是石夕，碳化砂’或鑽石。該基底11最好是含有η型雜質。 摻雜區域15的形成最好是利用將一預定雜質，例如是硼或 磷，由控制層13之一孔隙擴散至基底11，該摻雜區域15係具 摻雜有與基底11相反極性之雜質，例如是ρ+型雜質。 在摻雜摻雜區域15時，摻雜區域15最好是具有一超淺深 度，以至少形成一量子井，量子點及量子線於摻雜區域15及基 底11之間，亦即在P-n界面14之間，以藉量子侷限效應發光。 量子井通當是形成於p-n界面14中，而量子點或量子線亦 可形成於P-n界面中，其中，量子井，量子點及量子線至少其 中之二會一起形成於P-n界面14中。以下，本發明將以形成一 量子井於P-n界面14中爲例以簡化說明。然而，雖然以下說明 僅在p-n界面14中形成一量子井’實際上該量子井可視爲至少 量子井，量子點及量子線其中之一。 第4A圖繪示出作爲摻雜層15之p-η界面14的結構利用 非平衡擴散形成而具有超淺深度。弟4B瞻[繪示出第4A圖利用 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544949 A7 9253pif.doc/008 __JB7 五、發明說明（》） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 非平衡擴散形成之P-η界面中所形成之縱量子井及橫子井(QW) 的能帶。在第4B圖中，Ec係代表導電帶電位，Εν係代表價電 帶電位，而Ef係費米能階(Fernn Level)。這些能階皆爲半導體 相關領域習知之參數，因此其敘述在此予以省略。 如第4A圖及第4B圖所示，在接近p-n界面14，不同摻雜 型態之摻雜層係相間形成，以提供一量子井結構。該量子井及 以下的阻障分別具有大約2納米及3納米的深度。 利用超淺摻雜在P-n界面14中形成量子井可以藉著控制控 制層13之厚度及擴散製程的條件而最佳化.。 利用適當的擴散溫度以及基底11表面的變形位準 (Deformed Potential)，擴散輪廓(Diffusion Profile)可以在擴散 過程中調整，例如是10至20納米。結果，可形成具有此超淺 擴散輪廓之量子井系統。基底11表面係因起始控制層之厚度及 預表面處理而變形，而該形變係在製程中加劇。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當基底11由包括矽之預定半導體材料形成時，控制層13 最好由氧化矽以一適當厚度形成，以使摻雜層15的摻雜具有一 超淺深度。例如，爲形成控制層13，氧化砂層於基底11上形 成’且該氧化層被微影蝕刻以移除作爲擴散之孔隙部分，而使 控制層13具有一罩幕結構。 如擴散技術領域所知，如果氧化矽層厚度超過一適當厚度 (數千埃)時，或者是擴散溫度低時，擴散則被晶格空穴(Vacancy) 影響而形成較深的控制輪廓。相反地，如果氧化矽層厚度低於 一適當厚度時，或者是擴散溫度高時，擴散則被矽的自行間隙 (Self-IntemUial)影響而形成一深控制輪廓。因此，利用形成具 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^_I_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544949 A7 9253pif.doc/008 B7 發明說明（q) 有適當深度的氧化政層，其中砂自行間隙及晶格空穴具有幾乎 相同的產生比例，可達到超淺摻雜。有關晶格空穴及自行間隙 的物理特性例擴散技術之習知，因此不在此詳述。 本發明之發光元件第一實施例具有一個結構，其中摻雜區 域15僅形成在基底11的一個表面。在第一實施例中，基底u 可以摻雜成P型導電型，而摻雜區域15可以摻雜成n+型導電 型。 在本發明第一實施例中，電極結構包括一第一電極17形成 於基底上摻雜區域15形成之表面上，以及一第二電極17形成 於基底之另一表面，因此由摻雜區域15之p-n界面14產生之 光可以由基底11之兩個表面向外發射。 第一電極17係形成於基底11之一表面上以作爲一不透明 電極與摻雜區域15電性連接。當第一電極π由不透明金屬形 成時，其係形成於用以形成摻雜區域15，除了光線輸出窗(Ught Output Window)的控制層17孔隙中。第一電極17係在摻雜區 域15形成之後形成。或者，第一電極17可使用一透明電極材 料，例如是銦錫氧化物(ITO)形成於整個摻雜區域15中。 第二電極19可利用例如是銦錫氧化物在基底11整個另一 表面上形成爲一透明電極。或者，第二電極19可以由不透明金 屬形成，如此，第二電極19的形成曝露了一光線輸出窗(未顯 示），如第3圖所示之第一電極17。 如果電力(電流)施加於具有以上結構的發光兀件之第一^電極 17及弟—^電極19之間’注射的電極及電洞則因量子井中量子 侷限效應而產生光。所產生之光將穿過基底11之兩表面，亦即 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) — I f-訂-------線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 544949 A7 9253pif.doc/008 B7 五、發明說明（（。） 經過由第一電極17環繞之光線輸出窗及透明的第二電極19向 外發射。在此，發射光線的強度及波長係取決於施加的電流量。 參考第5圖，本發明之發光元件可以具有超淺第一及第二 摻雜區域25及35分別形成於基底11的相反表面上，以及一電 極結構，其中光線係由摻雜區域25及35之p-n界面24及33 產生，並由基底11之兩表面外向發射◦在第5圖中，與第3圖 相同之代表係代表具有相同功同之元件。 例如’本發明發光元件之第二實施例中，如第5圖所示， 可包括第一及第二電極27及29分別於基底11之兩個表面上， 以發射第一摻雜區域25之p-n界面24產生之光線，以及第三 及第四電極37及39分別形成在基底11之兩表面上，以發射第 二摻雜區域域35之p_n界面34之光線。 弟一及第四電極27及39最好是在基底11之一表面上彼 此分離形成，以分別連接一電源的正極及負極，相同地，第二 及第三電極29及37最好是在基底11之另一表面上彼此分離形 成’以分別連接電源之正極及負極。第一電極27最好是向著第 四電極39形成，以電性連接第一摻雜區域25，而第三電極37 最好是向著第二電極29形成，以電性連接第二摻雜區域35。 控制層23最好是限制第一摻雜區域25的摻雜，以在基底11之 一表面上’第一及第四電極27及39之間形成一超淺深度，而 一控制層33最好是在基底Η另一表面上的第二及第三電極29 及37之間，限制第二摻雜區域35形成至一超淺深度。 第一及第三電極27及37可由不透明金屬分別形成於基底 11之兩個表面，其分別曝露光線輸出窗，因此由第一及第二摻 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· t 線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544949 A7 9253pif.doc/008 _B7 五、發明說明（（丨） 雜區域25及35之p-n界面24及34產生之光線可經由此光線 輸出窗向外發射。或者，第一及第三電極27及37可利用例如 是銦錫氧化物之透明電極形成，而不需要分離光線輸出窗。 在上述本發明之第二實施例的結構中，用以形成第一及第 二摻雜區域25及35方法中，第一及第二摻雜區器25及35的 物理特性，控制層23及33的材料，以及控制層23及33的物 理功能與本發明第一實施例中所述之摻雜區域15及控制層13 相同，因此不再重覆。 參考第6圖，本發明發光元件的第三實施例具有結構，其 中一對發光元件各包括一摻雜區域15形成於一基底之一表面， 此對發光元件結合使得各個基底11之另一表面彼此面對一共同 電極49。在本發明之第三實施例中，該共同電極49可用例如 是銦錫氧化物之透明電極形成。本發明第三實施例之發光元件 的製造可藉合倂一對本發明第一實施例之發光元件，以使第二 電極19彼此面對。在第三實施例中，共同電極49可以由一非 透明金屬形成。 上述本發明實施例之發光元件皆具有一可由該P-n界面雙 向發光的結構，因此，在兩個方向上發射的所有光線皆可以應 用，而得到最大的發光效率。 上述本發明之發光元件可應用爲一顯示裝置之發光元件。 如第7圖所示，該顯示元件使用本發明之發光元件作爲一可實 施雙向發光顯示器的發光元件10。如此，發光元件10包括複 數個本發明之發光元件。該顯示裝置更包括至少一個反射鏡 70，以改變由發光元件發射之光線的路徑至一所需方向。本發 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------#-------+訂 I-------線 A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 544949 9253pif.doc/008 A7 B7 五、發明說明（G) 明之發光元件可以利用半導體元件之製程以更小之尺寸製造而 成。因此，使用根據本發明由複數個發光元件形成之二度空間 發光元件陣列，可得一雙向平面固態顯示裝置(Bi-directional Flat Panel Solid State Display Apparatus) 〇 本發明之發光兀件可應用至一照明系統（Illumination System)。如此，該照明系統括至少一個本發明之發光元件，以 配合照明系統之使用及需要。 如以上所述，根據本發明之發光元件具有一超淺摻雜區域， 以在其p-n界面利用量子侷限發光，因此可得較多孔矽基礎及 納米結晶矽基礎發光元件高之發光效率。此外，本發明之發光 元件可使p-n界面產生之光線在兩個方向上向外界發射。所有 這些在兩個方向上發射的光線可以被應用，以得到最大的發光 效率。 -ϋ n ϋ aBai n ·ϋ to— i a (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
Claims (1)
- ABCD 544949 六、申請專利範圍 1. 一種發光元件，包括： 一p型或η型基底； 至少一個摻雜區域，在將與該基底相反極性之一預定雜質 摻雜至該基底時形成於該基底之至少一個表面上，以在該摻雜 區域及該基底之間的一 Ρ-η界面利用量子侷限效應發光；以及 一電極，使得由該摻雜區域之該ρ-η界面發射之光線得以 經過該基底之兩個表面向發射。 2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該摻雜係 形成於該基底之一表面上，而該電極包括一第一電極及一第二 電極，分別形成於該基底之該表面及另一表面上，因此由該摻 雜區域該P-η界面產生之光可經由該基底之該兩表面外向發 射。 3. 如申請專利範圍第2項所述之發光元件，其中該第二電 極係爲一透明電極。 4.如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中當該摻雜 區域包括一第一及第二摻雜區域，分別形成於該基底之該表面 及另一表面，且該電極包括一第電極及一第二電極，分別形成 於該基底之該表面及另一表面，以發射該第一摻雜區域之該ρ-η界面產生之光線，以及一第三及一第四電極分別形成於該另 一表面及該表面上，以發射由該第二摻雜區域之該ρ-η界面產 生之光線，其中該第一及第四電極係形成於該基底之同一該表 面且彼此分離，而該第二及該第三電極係形成於該基底之同一 該另一表面且彼此分離。 5.如申請專利範圍第4項所述之發光元件，其中該第一電 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨訂· i線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 544949 9253pif.doc/008 A8 H8 C8 1)8 六 經濟部智慧財產局員工消費合作社印焚 申請專利範圍 極係向著該第電極形成，而該第三電極係向著該第二電極形成。 6. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該基底包 括一第一及一第二基底，該摻雜區域包括一第一及第二摻雜區 分別形成於該第一基底及該第二基底的一外表面，以及一第一 及一第二電極分別形成於該第一及第二基底的該外表面，以及 一共同電極形成於該第一及第二基底之間。 7. 如申請專利範圍第1至6項中任一項所述發光元件，更 包括一控制層形成於該基底形成該摻雜區域的同一表面上，以 作爲形成該摻雜區域的一罩幕，限制該摻雜區域的深度爲超淺。 8. 如申請專利範圍第7項所述之發光元件，其中該基底係 由一包括矽的預定半導體材料形成，而該控制層係一具有一適 當厚度之氧化矽層，因此該摻雜區域可以具有該超淺深度。 9. 一種顯示裝置，包括複數個發光元件及可雙向顯示器， 每一該些發光元件包括： 一 P型或η型基底； 至少一個摻雜區域，在將與該基底相反極性之一預定雜質 摻雜至該基底時形成於該基底之至少一個表面上，以在該摻雜 區域及該基底之間的一 ρ-η界面利用量子侷限效應發光；以及 一電極，使得由該摻雜區域之該ρ-η界面發射之光線得以 經過該基底之兩個表面向發射。 Ηλ如申請專利範圍第9項所述之顯示裝置，其中該摻雜 係形成於該基底之一表面上，而該電極包括一第一電極及一第 二電極，分別形成於該基底之該表面及另一表面上，因此由該 摻雜區域該ρ-η界面產生之光可經由該基底之該兩表面外向發 • I 1^ n n ·ϋ I n I n n II ϋ I ϋ n ·ϋ i n n n-，、· n n 1_1 n n n ·ϋ I n n ϋ n ·1· ϋ 1· ϋ ·_1 n n n ϋ n n ϋ n ·ϋ · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公餐) 544949 圖式簡單說明 第一 A圖所不係為傳統的電磁感應糸統之天線迴路佈 局在X車由方向的示意圖； 第一 B圖所示係為傳統的電磁感應系統之天線迴路佈 局示意圖； 感線 磁天 電體 ’ 實 中一 你某 施出 實示 佳僅 較此 一在 第C 之圖 明意 發示 本路 據迴 根線； 為天} 係重圖 圖多意 二之示 第統之 系路 應迴 感 磁 電 中 例 施 實 佳 較·， 二圖 第意 之示 明局 發佈 本路 據迴 根線 為天 係重 圖多 三之 第統 應 中 例 施 實 佳 較 三 第 之 明 發 本 據 根 為 係 示 所 圖 圖 意 示 路 電 之 統 四應 第感 磁 電 中 例 施 實 佳 較 三 第 之 明 發 本 據 艮 才 為 係 示 所 圖 圖 意 示 局 佈 路 迴 線 天 重 多 之 統 四應 第感 磁 電 中 例 施 實 佳 較 三 第 之 明 發 本 據 根 為 係 示 所 圖 表 置 配 路 迴 之 統 系 四應 第感 磁 電 中 例 施 實 佳 較 三 第 之 明 發 本 據 根 為 係 示 所 圖 表 鄰 相 之 統 系 四應 第感 磁 電 第20頁 544949 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 9253pif.doc/008 ^ D8 申請專利範® 16.如專利範圍第15項所述之顯示裝置，其中該基底 係由一包括矽的預定半導體材料形成，而該控制層係一具有一 適當厚度之氧化矽層，因此該摻雜區域可以具有該超淺深度。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20010020495 | 2001-04-17 | ||
| KR1020020015903A KR100828351B1 (ko) | 2001-04-17 | 2002-03-23 | 발광 소자 및 이를 적용한 디스플레이 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW544949B true TW544949B (en) | 2003-08-01 |
Family
ID=26638990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW091107829A TW544949B (en) | 2001-04-17 | 2002-04-17 | Light-emitting device and display apparatus using the same |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6677610B2 (zh) |
| EP (1) | EP1251568A3 (zh) |
| JP (1) | JP3772130B2 (zh) |
| KR (1) | KR100828351B1 (zh) |
| CN (1) | CN1381907A (zh) |
| TW (1) | TW544949B (zh) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6697403B2 (en) * | 2001-04-17 | 2004-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device and light-emitting apparatus using the same |
| KR100940530B1 (ko) | 2003-01-17 | 2010-02-10 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 제조방법 및 이에 의해 제조된 실리콘광소자 및 이를 적용한 화상 입력 및/또는 출력장치 |
| KR100459894B1 (ko) * | 2002-02-09 | 2004-12-04 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 수광소자 |
| KR100459898B1 (ko) * | 2002-03-07 | 2004-12-04 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 발광소자 및 이를 채용한 디스플레이 장치 |
| KR100464321B1 (ko) * | 2002-11-20 | 2004-12-31 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 및 이를 적용한 화상 입출력장치 |
| TWI350404B (en) * | 2002-12-13 | 2011-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
| US20040129223A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-07-08 | Park Jong Hyurk | Apparatus and method for manufacturing silicon nanodot film for light emission |
| CN1293643C (zh) * | 2002-12-30 | 2007-01-03 | 中国科学院半导体研究所 | Cmos结构的硅基发光器件 |
| KR20040076330A (ko) * | 2003-02-25 | 2004-09-01 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 광소자 및 이를 적용한 광신호 입출력장치 |
| US8294166B2 (en) | 2006-12-11 | 2012-10-23 | The Regents Of The University Of California | Transparent light emitting diodes |
| US7781789B2 (en) * | 2006-11-15 | 2010-08-24 | The Regents Of The University Of California | Transparent mirrorless light emitting diode |
| US8718437B2 (en) * | 2006-03-07 | 2014-05-06 | Qd Vision, Inc. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| WO2007103310A2 (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-13 | Qd Vision, Inc. | An article including semiconductor nanocrystals |
| JP5020961B2 (ja) * | 2005-10-27 | 2012-09-05 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | マルチビュー表示器等の指向性光出力装置 |
| TW200729132A (en) * | 2006-01-18 | 2007-08-01 | Au Optronics Corp | Double-sided display |
| WO2007092606A2 (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-16 | Qd Vision, Inc. | Displays including semiconductor nanocrystals and methods of making same |
| US9874674B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-01-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
| US7569984B2 (en) * | 2006-06-19 | 2009-08-04 | Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Research | White-light fluorescent lamp having luminescence layer with silicon quantum dots |
| WO2008060586A2 (en) | 2006-11-15 | 2008-05-22 | The Regents Of The University Of California | Textured phosphor conversion layer light emitting diode |
| US8836212B2 (en) * | 2007-01-11 | 2014-09-16 | Qd Vision, Inc. | Light emissive printed article printed with quantum dot ink |
| WO2009014707A2 (en) | 2007-07-23 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same |
| US8128249B2 (en) * | 2007-08-28 | 2012-03-06 | Qd Vision, Inc. | Apparatus for selectively backlighting a material |
| WO2009137053A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-11-12 | Qd Vision, Inc. | Optical components, systems including an optical component, and devices |
| US9207385B2 (en) | 2008-05-06 | 2015-12-08 | Qd Vision, Inc. | Lighting systems and devices including same |
| WO2009151515A1 (en) | 2008-05-06 | 2009-12-17 | Qd Vision, Inc. | Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles |
| EP2270882A1 (en) * | 2009-06-30 | 2011-01-05 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light emitting diode circuit for ambient light |
| JP2012074752A (ja) * | 2012-01-18 | 2012-04-12 | Oki Data Corp | 表示装置 |
| TWI509842B (zh) * | 2013-09-02 | 2015-11-21 | Lextar Electronics Corp | 發光二極體的封裝結構及其製造方法 |
| JP2017092075A (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-25 | 株式会社ソディック | 発光素子 |
| US12113159B2 (en) | 2018-12-31 | 2024-10-08 | Nano-X | Dual emission LED chip |
| US11592166B2 (en) | 2020-05-12 | 2023-02-28 | Feit Electric Company, Inc. | Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility |
| US11876042B2 (en) | 2020-08-03 | 2024-01-16 | Feit Electric Company, Inc. | Omnidirectional flexible light emitting device |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5529178A (en) * | 1978-08-24 | 1980-03-01 | Semiconductor Res Found | Ac driving composite light emission diode device |
| US4684964A (en) * | 1980-10-08 | 1987-08-04 | Rca Corporation | Silicon light emitting device and a method of making the device |
| US5156979A (en) * | 1986-01-21 | 1992-10-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor-based radiation-detector element |
| JPH0327577A (ja) * | 1989-06-23 | 1991-02-05 | イーストマン・コダックジャパン株式会社 | 発光ダイオ―ドアレイ |
| US5412226A (en) * | 1989-11-20 | 1995-05-02 | British Telecommunications Public Limited Company | Semi-conductor structures |
| JP3243303B2 (ja) * | 1991-10-28 | 2002-01-07 | ゼロックス・コーポレーション | 量子閉じ込め半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPH06296045A (ja) * | 1993-04-08 | 1994-10-21 | Rohm Co Ltd | 側面発光／受光半導体装置および両面発光表示装置 |
| US5600157A (en) * | 1993-04-28 | 1997-02-04 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Light-emitting and light-sensing diode array device, and light-emitting and light-sensing diode with improved sensitivity |
| JPH08148280A (ja) * | 1994-04-14 | 1996-06-07 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO1997049132A1 (en) * | 1996-06-20 | 1997-12-24 | Jeffrey Frey | Light-emitting semiconductor device |
| JP4071360B2 (ja) * | 1997-08-29 | 2008-04-02 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US6037612A (en) * | 1997-09-11 | 2000-03-14 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting device having nanostructure porous silicon and mesostructure porous silicon |
| GB0014042D0 (en) * | 2000-06-08 | 2000-08-02 | Univ Surrey | A radiation-emissive optoelectric device and a method of making same |
| US6697403B2 (en) * | 2001-04-17 | 2004-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light-emitting device and light-emitting apparatus using the same |
-
2002
- 2002-03-23 KR KR1020020015903A patent/KR100828351B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-04-16 US US10/122,219 patent/US6677610B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-04-17 EP EP02252707A patent/EP1251568A3/en not_active Withdrawn
- 2002-04-17 CN CN02120169A patent/CN1381907A/zh active Pending
- 2002-04-17 TW TW091107829A patent/TW544949B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-04-17 JP JP2002114415A patent/JP3772130B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20020149015A1 (en) | 2002-10-17 |
| CN1381907A (zh) | 2002-11-27 |
| JP3772130B2 (ja) | 2006-05-10 |
| EP1251568A2 (en) | 2002-10-23 |
| KR20020081553A (ko) | 2002-10-28 |
| KR100828351B1 (ko) | 2008-05-08 |
| US6677610B2 (en) | 2004-01-13 |
| JP2002359398A (ja) | 2002-12-13 |
| EP1251568A3 (en) | 2008-02-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW544949B (en) | Light-emitting device and display apparatus using the same | |
| TW560087B (en) | Light-emitting device and light-emitting apparatus using the same | |
| KR100446622B1 (ko) | 실리콘 광소자 및 이를 적용한 발광 디바이스 장치 | |
| US7800117B2 (en) | Pixel structure for a solid state light emitting device | |
| JP2007157749A (ja) | 発光素子 | |
| US7888686B2 (en) | Pixel structure for a solid state light emitting device | |
| KR20070060962A (ko) | 측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자 | |
| TW442828B (en) | Light emitting device | |
| KR20030067955A (ko) | 실리콘 수광소자 | |
| JP2007043016A (ja) | 結晶シリコン素子、およびその製造方法 | |
| US9219188B2 (en) | Optoelectronic semiconductor structure and method for transporting charge carriers | |
| JP2007043006A (ja) | 結晶シリコン素子、およびその製造方法 | |
| KR100624413B1 (ko) | 수발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| Li et al. | Enhanced performance of large‐area vertical light‐emitting diodes treated by laser irradiation | |
| JP2008053422A (ja) | 結晶シリコン素子及び結晶シリコン素子の製造方法 | |
| KR100866789B1 (ko) | 발광소자 및 이를 적용한 발광 디바이스 장치 | |
| JP2007220853A (ja) | 発光デバイス装置 | |
| TW201140877A (en) | Light-emitting diode chip and fabrication method thereof | |
| KR20020081551A (ko) | 발광 소자 및 그 제조방법 및 이를 적용한 발광 디바이스장치 | |
| JP2007311545A (ja) | 結晶シリコン素子及び結晶シリコン素子の製造方法 | |
| TW201424059A (zh) | 光電元件及其製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |