TW526552B - Post-etching alkaline treatment process - Google Patents

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Description

526552 A7 B7
本發明一般有關一種清潔半導體晶圓之方法。更詳言 之，本發明有關一種移除半導體晶圓經蝕刻後可存在於單 晶半導體晶圓表面上之鋁污染之方法。 藉由自單晶矽塊切成薄晶圓片，而產生製造積體電路時 所使用之半導體晶圓。切片後，使晶圓進行研磨程序而使 其獲得貫質上均勻之厚度。然後將晶圓蝕刻以移除損壞及 產生平滑表面。習用之半導體晶圓造型程序之最後步驟為 拋光步騾，以在晶圓之至少一個面上製造高反射性及無損 壞之表面。在此拋光面上進行積體電路製造。 在研磨步驟之後，一般必須將晶圓清潔以移除如此物件 如·磨砂（如·銘氧）、有機殘餘物、金屬污染物、及其他 種類之微粒不純物。若清潔方法無效果，則晶圓表面會被 此等不純物污染（contaminated)，或，，污染（stained)”。 當在被此等不純物污染之晶圓表面上製造積體電路時，此 等電路之品質與性能可大為減小。為確定高品質與性能， 一般藉由在亮光或螢光照明下視覺檢察晶圓，以檢視晶圓 之污染。 A日 將半導體晶圓弄污之污染一般源自晶圓製造步驟之一。 例如，於研磨操作時，磨砂包含大量氧化鋁（鋁氧）。鋁氧 之硬度與顆粒形狀使其特別適合研磨應用。然而，使用鋁 氧之結果為，鋁污染（離子或微粒形式）會黏著至晶圓表 面。再者，因為晶圓在研磨操作後極粗糙，所以可將銘污 染物陷在晶圓表面上之裂縫。隨後之操作，如化學蚀刻或 張尺度ΊϋΤ國國家標準(^7;規格(1Γ0Χ297公釐）4---^ -- Λ發明説明（ 清潔方法’無法充分移除此㈣。再者，於任何此等後續 操作中使用熱’會因使得顆粒更強烈黏著至晶圓表面而加 大鋁>了染之問題。拋光操作可藉由將晶圓表面之數微米移 除而使晶圓上之銘污染減輕，但晶圓未拋光之背側仍然被 3染。未能移除此背側污染，可導致弄污，轉而會引起最 終產物減少性能。 —迄今已有數種方法被提出以減少或移除在晶圓研磨後黏 著至$晶15表面之㈣染。然而般言之’此等方法並 不佳，因為此等方法未能既經濟且有效率的移除充分量之 污染，以防止積體電路性能與品質降低。 例如’已揭示將超音波能量導引穿過清潔;也，有效降低 =圓表面上之微粒濃度（參見，例如，Erk等人之美國專利 第5,593,505號）。然而，因為費用涵括超音波之使用，此 種方法增加自晶圓移除鋁污染之成本。進一步’長時間曝 露於超青波可導致晶圓晶格之損壞。 、 、已被使用以移除銘污染之另一種清潔技術使用氧化清潔 溶液（如：SC-1，一種包含h i : 5之比例之氫氧化鋁、過 氧化氫、及水之溶液）。一般言之，此技術並不佳，因為此 技術使晶圓表面成為親水性（如，氧為終端）。已知氧化鋁 在此狀態下會反應而形成氧化矽鋁。當鋁與矽形成此安定 相’則極難自晶圓表面移除銘。 因此，持、續需要存在一種；f;昂貴及有效自經触刻之矽晶 圓表面移除鋁污染之方法，不需使用超音波能量。 發明概述 526552 五、發明説明（3 因此本毛明足目的中，提供_種自半導體晶m表面移 除銘(亏染之方法，不需使用超音波能量；提供一種自經餘 刻《曰曰圓《半導體晶圓表面移除鋁污染之方法；及提供一 種不昂貴=有效自半導體晶圓表面移㈣污染之方法/、 因此’間：《：本發明針對-種自經蝕刻之半導體晶圓 、、面移除鋁污木《方法。孩方法藉由首先於含有鋁之研磨 淤浆中研磨半導體晶圓，將晶圓姓刻，及最後將晶圓浸潰 於包含驗性成分與界面活性劑之水性池中，而予以進行。 /將在下文中部份顯現及部份指出本發明之其他目的 徵。 置式簡單說明 圖1係描述錢料處理與未㈣财纽之㈣後銘污 染之圖。 盤進實施例之詳-必i 表 面 之 在將碎晶圓自研磨操作移除後，研磨淤漿仍留在晶圓 面上。在其他事物中，此研磨淤漿含有可黏著至晶圓表 2化銘(如:銘氧)。根據本發明之方法相= 刻後’藉由將珍晶圓浸潰在包含驗性成分與界面活性劑 水丨生π潔/谷液中，而將此鋁污染自矽晶圓表面移除。 不堅守特別之理論，但相信驗性池自半導體晶圓移除銘 ’/7染之能力部份視晶圓表面上氧切之存在而定。實驗已 』不田氧化碎不存在於晶圓表面上時（即，當晶圓表面為疏 二生^以氫為終端時），更容易移除銘污染。相信當氧化銘 ”乳々二物質接觸時，不管ρΗ值為何，均會形成安定相 297公釐） &張尺度適财 526552
(如·（Al2〇3) · (Sl〇2)x)。因此，若氧化碎不存在於晶圓 表面上，則氧化鋁無法形成安定相，促進鋁污染之移除。 下列反應序列說明不含氧化劑之鹼性池如何導致具有疏 水性表面（晶圓（即，具有少數或不具有氧終端）： I (Si3Si-H)界面活性劑+0H- —>(Si3Si〇)界面活性劑_+出， II (SisSiO)界面活性劑-+3〇H-—>3(Si_H)界面活性劑 +si〇44·。 於反應I中，羥基作用如氧化劑，導致具有親水性表面之
晶圓（以氧為終端）。於反應π中，羥基作用如汽提劑，導 致具有疏水性表面狀態之晶圓（以氫為終端）。因此，較快 速之步银决足印圓之表面狀態。於本發明之方法中，反應 Π以比反應I快之速率進行，藉以導致具有疏水性表面狀態 之印圓。如上述討論者，此表面狀態促進鋁污染自晶圓表 面之移除。另者，在使用氧化化學時（即，sc-丨池），反應I 為較快之步驟，藉而導致具有親水性表面狀態之晶圓及阻 礙鋁污染之移除。 於本發明之較佳具體實施例中，自單晶矽塊切成薄晶圓 片。然後藉由使晶圓與研磨淤漿接觸而研磨晶圓，使晶圓 獲得實質上均勻之厚度。在其他眾多事中，此研磨淤漿含 有磨砂（氧化鋁），磨砂會黏著至晶圓表面。 然後藉由技藝中一般已知之方法將經研磨之晶圓蝕刻， 移除晶圓表面上之損壞及產生平滑之晶圓表面。較佳為在 蚀刻程序中使用酸性蝕刻劑。典型之酸性蝕刻劑包括乙 酸、硝酸、及氟化酸（f 1 u 〇 r i d i c a c i d)。然而亦可使用其他 種類之蝕刻劑，包含鹼性蝕刻劑。典型之鹼性蝕刻劑包括
裝 訂
五、發明説明（ 氫氧化4甲與氫氧化鈉。驗性触刻溶液之溫度較佳大於約 9 〇 °C及鹼性成分之濃度較佳大於約4 〇百分比。 姓刻程序之後，若干鋁污染留在晶圓表面上。根據本發 明之方法’藉由將晶圓自蝕刻劑轉移至包含鹼性成分與界 面/舌性劑之水性池中，而將鋁污染自晶圓表面移除。較佳 為，不使晶圓在浸潰於本發明之驗性池前乾燥。不堅守特 別之理論，但相信使晶圓在蝕刻程序後但在將晶圓浸潰於 鹼性池之前乾燥，會導致鋁污染更強烈黏著於晶圓表面 晶圓於鹼性池内之停留時間典型上在約2至約4分鐘之範 圍。然而停留時間強烈依要被處理之晶圓之鋁污染程度而 定。較佳將電阻或技藝中常用之其他加熱元件連接於鹼性 池’使得池之溫詹能鈞绐姓大从《Λ。广π μ "___
使驗性池之溫度超過65t：，因為此會導致驗性反應進行太 快及太強烈，產生優先姓刻之區域。
h也之pH很重要’因為已知銘會溶解於具有相對高pH
驗性成分包括氫氧化J甲（KOH)、 驗性池之Ρ Ή典型上在約1 0至約1 3之範 7难待所欲之pH。適合之 氫氧化鈉（NaOH)、及氫
本紙張尺度適财國國家標準(cns) A4規格(2 氧化铵（nh4〇h)。可將任何此等驗性溶液與技藝中_般已 知在驗性條件下適合使用作為晶圓清潔劑之界面活性劑 (如：陰離子界面活性劑、非離子界面活性劑、或具有_ 子與非離子成分二者之界面活性劑）組合使用。界面活性劑 較佳為Vector HTC(可自康乃狄克州Bethei之
Intersurface Dynamics公司購得）。 於另一較佳具體實施例中，鹼性池包含濃度典型上在約 0.5至約5重量百分比之範圍之氫氧化鉀。較佳者為，濃度 在約〇·5至約3重量百分比之範圍，及更佳為約丨重量百= 比。鹼性池亦含有界面活性劑，較佳為Vect〇r HTc(可自 康乃狄克州Bethel之lntersurface Dynamics公司獲 得）。較佳為，池中之界面活性劑濃度在約丨至約5體積百分 比之範圍’及更佳為約1至約2體積百分比。 將界面活性劑添加至本發明之鹼性池之目的係防止晶圓 表面上弄污。界面活性劑藉由如潤濕劑般作用而完成此目 的。如上述之反應I中所示，在鹼性反應期間會釋出氫氣。 右晶圓表面係在疏水性狀態下，氫氣泡可黏著於晶圓表 面。此可導致在彼等部位之優先蚀刻，使晶圓有缺陷。界 面活性劑作用以減少水溶液於晶圓上之表面張力。因此， 藉由如潤濕劑般作用，界面活性劑使晶圓表面保持親水 性，藉以防止氫氣泡黏著至晶圓表面。 相關的說’若選擇含有非離子成分之界面活性劑，則確 保驗性池之溫度不超過6 5 C係重要的。右池溫果真上升至 6 5 °C以上，會產生微胞與泡末，導致優先蚀刻及對晶圓表 -9- 526552 五、發明説明（ 面之損壞。 通常使用晶圓卡式盒（wafer eass 許多片晶圓。當使用卡式各 …時間處理 人 ' 皿時，矽日曰圓之特定區域盥卡气 i接觸。即使驗性池含有界面活性劑，與卡 觸： 圓區域亦會變成疏水性。晶圓與卡式盒之間之接觸點之: 水性特別重要，在該處要處理高度反射性之㈣。如^ 《反應1中所不，在驗性反應期間會釋出氫氣。此等氫氣泡 可黏著於晶圓上之疏水性*而道沾a 瓜生表面，導致晶圓表面上之優先蝕 刻’而因此弄污。為消除疏水性區域，及對應之污染， 佳為當浸潰於驗性池中時，使在日日日圓卡式盒中被處理之 圓旋轉。藉由使晶圓旋轉，晶圓無—區域會—直盘晶圓 式盒接觸，藉而確保晶圓之整個表面將不受氯氣泡之 壞。 藉由使用如美國專利第5,593,5〇5號（Erk等人）所揭示之 平浸潰步驟，可增進自晶圓表面移除銘污染。在驗性溶液 〈表面處界氣.液介面。將晶圓置於驗性池中，使得口 圓指向-般正直之位置，至少一部份晶圓在液體中及在氣 液介面下面。使晶圓以相對於池之交互動作旋轉，使得 圓之整個表面重複通過池之氣_液介面。亦能夠在池之液^ 回度上升與下降時使晶圓旋轉。此亦導致晶圓表面重複通 過氣-液介面。最後，如又另一選擇，能夠使晶圓重複的 全浸潰於池中，及然後完全移離池中。當接續浸潰時， 圓繼續旋轉。再次，此導致晶圓表面重複通過氣_液介面 於全部上述具體實施例中，至少一部份晶圓重複通過氣_ 較 田曰
I 曰曰 曰曰 .體 完 晶 液 8 五、發明説明（ 介面。 於本發明之進_步具體實施例中，將鹼性 再循環。此特徵輔助自驗性溶液中移除銘冷染及背助= 銘污染再沉積於晶圓表面上。較佳者為，再循環系統: 約母2分鐘翻轉一池之容量。為確保過遽系統自驗性溶液： 分移除鋁污染’較佳使過濾篩目在約0.1至約0.3微米，及 更佳為約〇 . 2微米。 較佳者為，在晶圓自驗性池中移出後沖洗晶圓。使用DI 熱DI水、或是臭氧化水沖洗晶圓，均能有益的移除因 晶圓表面上之界面活性劑所留下之有機殘餘物。此等洗液 中，因為臭氧化水強力之氧化特徵，所以較佳。臭氧於水 /合液中之;辰度較佳在約2至約5 ，及更佳在約3至約 4 PPm之範圍。 此冲洗步驟較佳藉由使用機械手臂將晶圓自鹼性池轉移 、水丙埽建造之沖洗槽中而進行。雖然較佳為使用溢流 池，但是亦可使用快速傾倒沖洗（quick-dumP-rinse)或技 藝中已知之任何其他技術沖洗。 藉由下列實例說明本發明，諸實例僅供說明目的之用， 及不應視為限制本發明之範疇或可實施之方式。 實例 為決疋本發明之方法之效力，分析3 8個後蝕刻矽晶圓之 樣口 口足銘染。前2丨個後蝕刻晶圓之樣品未以清潔程序處 里左此等實例之晶圓表面上之鋁濃度顯示於下列圖1。 ^後’根據本發明之方法使用鹼性清潔池處理丨2個樣 紙張尺度適用中A4規格(21GX297公釐）-- 526552 A7
品。使用晶圓卡式盒轉移晶圓。#自㈣程序出來仍為潮 濕時，將晶圓浸潰於包含陰離子界面活性劑之池中達4分 鐘。界面活性劑之組合物包括K〇H，因此，不添加額外之 KOH至池中。在清潔程序之整個過程中，藉由技藝中已知 之方式旋轉晶圓。所得之池之？11為约1〇 5。再者，使池維 持於約6 5 °C之溫度。 然後將晶圓以機械手臂自驗性池轉移至包含水之溢出沖 洗池中’ mi在該處停留約3分鐘。沖洗池之溫度為約 2〇°C。晶圓表面上所得之鋁濃度示於下列第1圖。 亦根據本發明，使用鹼性清潔池處理最後5個後蝕刻晶圓 之樣品。再次，使用晶圓卡轉移晶圓。當自蝕刻程序出來 仍為潮濕時，將晶圓浸潰於包含氫氧化鉀與Vect〇r HTC 界面T性劑之池中達4分鐘。在清潔程序之整個過程中，藉 由技蟄中已知之方式旋轉晶圓。池中氫氧化钾濃度為約〇.5 百分比，及池中界面活性劑濃度為約1百分比。所得之池之 ρΗ為約12·5。再者，使池維持於約65 °C之溫度。 、然後將晶圓以機械手臂自鹼性池轉移至包含水之溢出沖 洗池中，使晶圓在該處停留約3分鐘。沖洗池之溫度為約 2〇°C。晶圓表面上所得之鋁濃度示於下列第1圖。 如自第i圖明顯可知者，實施本發明之方法能夠戲劇性減 少梦晶圓表面上|g污染之程度。 鑑於上述，可見達成本發明之數個目的。 因為上述方法能有種種變化，而不悖離本發明之範疇， 所以欲將上料含之全部事物解釋為㈣性*非限制性之
526552 A7 B7 五、發明説明（10 ) 意義。 __ - 13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐）

Claims (1)

  1. • 種自碎晶圓表面移除鋁污染之方法，該方法包含 使用含有鋁之研磨淤漿研磨矽晶圓； 將經研磨之矽晶圓蝕刻；及 將經餘刻之晶圓浸潰於水性池中，該池包含鹼性成分 與界面活性劑，及該池具有至少約10之pH值。 2·根據申請專利範圍第1項之方法，其中鹼性成分為氫氧 化_ 〇 3·根據申凊專利範圍第2項之方法，其中水性池具有氫氧 化鉀濃度在約〇·5至約3重量百分比之範圍。 4*根據申請專利範圍第1項之方法，其中水性池具有界面 活性劑濃度在約1至約2重量百分比之範圍。 5·根據申請專利範圍第1項之方法，其中將水性池加熱至 約55°C至約65°C之溫度。 6·根據申請專利範圍第1項之方法，其中水性池具有？11值 在約10.5至約12.5之範圍。 7·根據申請專利範圍第1項之方法，其中將晶圓浸潰在水 性池中達約2分鐘至約4分鐘之範圍之一段時間。 8.根據申請專利範圍第1項之方法，其中在將晶圓浸潰於 驗性池中前使晶圓保持濕潤。 9·根據申請專利範圍第1項之方法，其中在將晶圓自鹼性 池移出後，將晶圓沖洗以移除可存在於晶圓上之有機 殘餘物。 10.根據申請專利範圍第9項之方法，其中沖洗步驟包含將 晶圓浸潰在包含臭氧化水之水性池中。
    526552
    11’根據申4專利範圍第丨0項之方法，其中沖洗池具有範 圍在約2ppm至約5ρρηι之臭氧濃度。 12·根據申凊專利範圍第丨項之方法，其中在將晶圓浸潰於 水性池中時，使晶圓旋轉。 13·根據申請專利範圍第丨項之方法，其中使晶圓旋轉，使 得晶圓之至少一部份重複通過水性池之氣-液介面。 14· 一種自矽晶圓表面移除鋁污染之方法，該方法包含 使用含有鋁之研磨淤漿研磨矽晶圓； 將經研磨之矽晶圓蝕刻； 將經I虫刻之晶圓浸潰於水性池中，該池包含鹼性成分 與界面活性劑，及該池具有至少約1〇ipH值以移除銘 污染；及 冲洗經處理之晶圓以移除可存在於晶圓上之有機殘餘 物。 15. 根據申請專利範圍第1 4項之方法，其中沖洗步驟包含 將晶圓浸潰在包含臭氧化水之水性池中。 16. 根申請專利範圍第1 5項之方法，其中沖洗池具有範 /1^約2ppm至約5ppm之臭氧濃度。 自$晶圓表面移除銘污染之方法’該方法包含 使用含有鋁之研磨淤漿研磨矽晶圓； 將經研磨之矽晶圓蝕刻； 將經蚀刻之晶圓浸潰於水性池中，該池包含驗性成分 與界面活性劑，及該池具有至少約10之pH值以移除銘 污染；及 -15- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公爱) ' ------ 526552 8 8 8 8 A B c D 申請專利範圍 當經蝕刻之晶圓浸潰於水性池中時，使經蝕刻之晶圓 '旋:轉。 18靜申請專利範圍第1 7項之方法，其中使晶圓旋轉’使 得晶圓之至少一部份重複通過水性池之氣-液介面。 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) I 申請曰期 案 號 088108509 類 別 (以上各欄由本局填註） 修. A4 C4 中文說明書修正本(91年11月） 專利説明書 526552 、12名稱 中 文 後蚀刻驗性處理方法 英 文 POST-ETCHING ALKALINE TREATMENT PROCESS 姓 名 國 籍 吉亞帕歐羅牧特夫果 GIANPAOLO METTIFOGO 發明 人 住、居所 姓 名 (名稱? 國籍 義大利 義大利諾瓦瑞市葛尼菲啼路26號 美商MEMC電子材料公司 MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC. 美國 $ 三、申請人 美國米蘇里州聖彼得斯市珍珠大道501號 哈蘭尼.福.哈尼里 HELENE F. HENNELLY 本紙張尺度適用巾國g家操啊CNS) M規格_ x 297公羡)
TW088108509A 1998-05-26 1999-05-25 Post-etching alkaline treatment process TW526552B (en)

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JP (1) JP2002517090A (zh)
KR (1) KR20010052400A (zh)
CN (1) CN1303518A (zh)
TW (1) TW526552B (zh)
WO (1) WO1999062110A1 (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6030932A (en) * 1996-09-06 2000-02-29 Olin Microelectronic Chemicals Cleaning composition and method for removing residues
US6454852B2 (en) 1999-07-14 2002-09-24 Seh America, Inc. High efficiency silicon wafer optimized for advanced semiconductor devices
US6395085B2 (en) 1999-07-14 2002-05-28 Seh America, Inc. Purity silicon wafer for use in advanced semiconductor devices
US6632277B2 (en) 1999-07-14 2003-10-14 Seh America, Inc. Optimized silicon wafer gettering for advanced semiconductor devices
DE19960573C2 (de) * 1999-12-15 2002-10-10 Promos Technologies Inc Verfahren zum Entfernen von festen Rückständen auf Oberflächen von Halbleiterscheiben
US6358821B1 (en) 2000-07-19 2002-03-19 Chartered Semiconductor Manufacturing Inc. Method of copper transport prevention by a sputtered gettering layer on backside of wafer
US6589356B1 (en) * 2000-09-29 2003-07-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Method for cleaning a silicon-based substrate without NH4OH vapor damage
DE10052762A1 (de) * 2000-10-25 2002-05-16 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen einer Halbleiterscheibe
KR100420205B1 (ko) * 2001-09-10 2004-03-04 주식회사 하이닉스반도체 웨이퍼 제조 방법
SG119205A1 (en) * 2003-12-22 2006-02-28 Tay Kiang Dr Meng Method and apparatus for deposition removal and recycle cleaning of copper interconnect semiconductor process kits
TWI244135B (en) * 2004-12-31 2005-11-21 Ind Tech Res Inst Method of making solar cell
KR101168589B1 (ko) * 2008-03-26 2012-07-30 엘지전자 주식회사 계면 활성제를 이용한 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
US8226772B2 (en) * 2009-01-08 2012-07-24 Micron Technology, Inc. Methods of removing particles from over semiconductor substrates
CN101996882B (zh) * 2009-08-19 2015-01-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 去除阻挡层和金属层中污染物颗粒的方法
CN103272796B (zh) * 2013-05-23 2015-08-05 浙江中晶科技股份有限公司 一种高洁净度单晶硅研磨片的清洗方法
CN112605051A (zh) * 2020-10-28 2021-04-06 威科赛乐微电子股份有限公司 一种晶片研磨夹具的清洗方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4156619A (en) * 1975-06-11 1979-05-29 Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fur Elektronik-Grundstoffe Mbh Process for cleaning semi-conductor discs
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
DE3738651A1 (de) * 1987-11-13 1989-05-24 Wacker Chemitronic Verfahren zur hydrophilierenden und/oder kittreste entfernenden oberflaechenbehandlung von siliciumscheiben
US4885056A (en) * 1988-09-02 1989-12-05 Motorola Inc. Method of reducing defects on semiconductor wafers
US4964919A (en) * 1988-12-27 1990-10-23 Nalco Chemical Company Cleaning of silicon wafers with an aqueous solution of KOH and a nitrogen-containing compound
US5078801A (en) * 1990-08-14 1992-01-07 Intel Corporation Post-polish cleaning of oxidized substrates by reverse colloidation
JPH04107922A (ja) * 1990-08-29 1992-04-09 Fujitsu Ltd 半導体洗浄液およびそれを用いた洗浄方法
US5308400A (en) * 1992-09-02 1994-05-03 United Microelectronics Corporation Room temperature wafer cleaning process
US5397397A (en) * 1992-09-18 1995-03-14 Crestek, Inc. Method for cleaning and drying of metallic and nonmetallic surfaces
US5389194A (en) * 1993-02-05 1995-02-14 Lsi Logic Corporation Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing
US5277702A (en) * 1993-03-08 1994-01-11 St. Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. Plately alumina
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
JP3338134B2 (ja) * 1993-08-02 2002-10-28 株式会社東芝 半導体ウエハ処理方法
JP2586304B2 (ja) * 1993-09-21 1997-02-26 日本電気株式会社 半導体基板の洗浄液および洗浄方法
JP2857042B2 (ja) * 1993-10-19 1999-02-10 新日本製鐵株式会社 シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
JP3416855B2 (ja) * 1994-04-15 2003-06-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨方法
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5478436A (en) * 1994-12-27 1995-12-26 Motorola, Inc. Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device
US5593505A (en) * 1995-04-19 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface
US5693239A (en) * 1995-10-10 1997-12-02 Rodel, Inc. Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use
US5773360A (en) * 1996-10-18 1998-06-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Reduction of surface contamination in post-CMP cleaning

Also Published As

Publication number Publication date
EP1084510A1 (en) 2001-03-21
KR20010052400A (ko) 2001-06-25
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WO1999062110A1 (en) 1999-12-02
JP2002517090A (ja) 2002-06-11
US5964953A (en) 1999-10-12

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