TW520617B - Electroluminescent film device - Google Patents

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TW520617B TW090121344A TW90121344A TW520617B TW 520617 B TW520617 B TW 520617B TW 090121344 A TW090121344 A TW 090121344A TW 90121344 A TW90121344 A TW 90121344A TW 520617 B TW520617 B TW 520617B
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Takahiro Nakayama
Sukekazu Aratani
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Description

發明之背景 本發明係關於使用電子-電洞復合所產生的激態，來產 生光子的一種電激發光薄膜裝置。 在有機電激發光裝置中’單激態與三激態以具有激態產 生-光子轉換功能，1:3切面比例產生（此切面稍後參考為發 光層）：然而’只有佔全部激態1/4之單激態可利用來發射 光線（為了方便，如此材料稍後參考為單層利用材料）。最 近幾年發現’ #_發光分子包含鍵結重金屬（如㈣叫， 軌道角動量的量子數與激態自旋的量子數，藉由重金屬效 應與全部激態超過1/4以上可利用為發光者產生交互作用 ’而彼此轉換(為了方便，％此材料稍後參考為自旋轉換 材料）。， 得 發光層使用單一組成發光材料的結但因發光分子之 間交互作用而效率低（此交互作用稱做密度消失）。為了減 輕此密度消失’使用一種單層利用材料摻以大約幾個百分 比之自旋轉換發光材料’或使用單激態發光材料，如 则0 等人於 Appl.Phys.Lett·，V0l 74,n〇 3，p 單激態 率有一 在單層利用材料摻以自旋轉換發光材料，或使用 發光材料，可以避免此密度消失，但電激發光效 2 5 %的理論極限。 發明之揭示 生電子對於注入電荷之 對於引入能量之比例）的 本發明之目的在於量子效率（產 比例）或是能量效率（發射光線能量 -4- 520617 A7 ------ - B7 五、發明説明（2 ) 改善，此改善在不同之發光裝置包含發光顯示器中，已經 是一種普遍的工作。 本發明中，上述目的使用發光裝置之發光層（激態產生 處）而完成，自旋轉換材料為主要材料，以及分隔地加入 發光材料’以有效利用激態。 本發明提供一種電機發光裝置，其具有以電子-電洞復· a產生激態’來產生光子’裝置中發光層包含； 材料’其中執道角動量的量子數與激態自旋的量子數— ，藉交互作用而彼此轉換，以及 一發光分子混入以上材料。 在此電激發光薄膜裝置中，復合激態是藉由使用一材料 ’其中執道角動量的量子數與激態自旋的量子數，藉交互 作用而彼此轉換；所得之激發能量傳送到發光分；因此允 許發光發生。 本發明也提供一種具有發光層之電激發光薄膜裝置，其 中藉由電子-電動復合所產生之激態用以產生光子，該裝 置之發光層為使用同步氣相沉積方法形成，包含有·· 一材料，其中執道角動量的量子數與激態自旋的量子數 ’藉交互作用而彼此轉換，以及 一發光分子， 每一者為獨立之摻雜物。 此材料執道角動量的量子數與激態自旋的量子數，藉交 互作用而彼此轉換’可為一種分子，具有重金屬（原子序 為76或以上）鍵結到一有機材料；並且此重金屬可為Ir或 —_ -5- I紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(2ϋ97公爱)-----— 520617
p卜 叙光分子，可為一種分子，具有重金屬（原子序為76或 以上）鍵結到一有機材料；並且此重金屬可為^或pt。 ^如本發明，使用三激態發光類似於單激態發光，然而可 獲得改善之量子效率。 附圖之簡明說明 圖1為一不思圖，列出本發明使用自旋轉換材料為發光 層主要成分的有機發光裝置範例。 圖2為有機分子的結構。 圖3為一曲線，列出一有機發光裝置的發光頻譜，其發 光層為PtOEP混入Ir(ppy)3。 圖4為示思圖，列出本發明另一範例之有機發光裝置。 圖：)（a)為一曲線’列出一有機發光裝置的發光頻譜，其 發光層為Ir(PPy)3混入CBP;圖5(b)為一曲線，列出一有機 發光裝置的發光頻瑨，其發光層為EtQEp混入CBp ;以及 圖5(c)為一曲線，列出一有機發光裝置的發光頻譜，其發 光層為PtOEP混入Ir(ppy)3。 圖6為一有機發光裝置的切面示意圖，其發光層中自旋 轉換材料與發光材料混合為單層-利用材料。 圖7為一切面示意圖，列出一多成分氣相沉積設備之範 例。 圖1，圖6以及圖7所使用之數字參考如下。 11:透明基板，12__透明電極，13:電洞傳輸層，14••發光 層，15:電子傳輸層，16·金屬電極，14&:自旋轉換材料， -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 520617 A7 B7 五、發明説明（4 ) 14b:發光分子’ 24:發光層，24a:單層-利用材料，31:腔體 ’ W:真空放電系統，3 3 :基板，3 4到3 6:氣相沉積舟，37到 39:加熱電極。 實現本發明之最佳模式 本發明實施例，為參考附圖而加以說明。 圖1為一切面示意圖，列出本發明使用自旋轉換材料為 發光層主要成分的有機發光裝置範例。此發光裝置為一種 pin形式發光二極體，其中透明電極12，電洞傳輸層η， 發光層14，電子傳輪層15以及金屬電極16在透明基板丨丨上 形成。發光層14中，由電極12注入之電洞結合由電極16注 入之宅子來產生激態。發光層14使用自旋轉換材料為主要 成分14a，並且混合發光分子14b濃度（約〇丨到2〇體積百分 比）組成，而無密度消失效應。發光層中激態的自旋，由 於自旋轉換材料（主要成分）14a的存在，而可以在單激態 與三激態之間轉換；單激態傳輸至發光分子14b ;因此發 生發光。結果，超過1/4激態用以發光。此有利的現象不 只在發光材料混入以單層·利用材料為主要成分者，同時 也在田其為自％轉換材料時發生。獨特的是，自旋轉換材 料組成發光層的主要成分，其具有較發光分子的發光能量 車乂大之此隙，並且此自旋轉換材料具有發光或不發光特性 。一般而言，發光分子於能帶間隙寬度稍大於三激態轉換 分子時，展現高效率。 由圖1切面示意圖所列之發光裝置製作完成。在玻璃基 板11上依下列順序形成，200 nm透明電極12 (由ιτ〇 (銦鈕 本紙張尺度適财國國家料(CNS) Α4規格(21Gχ 297公愛)
裝 訂 f 520617 A7 -------— B7 五、發明説明（5 5 -- 氧化層）構成）’ 35 nm電洞注入層13 (α_ΝΡΒ構成），20 nm 發光層 14 [6%體積之 Pt〇EP (1413)混入 Ir(ppy)3(14a)]，
22 nm電子傳輸層15 (AIq構成）。在其上面，以〇5 nm LiF 層與150 nm A1層順序形成上電極16。以上層次或電極形 成中，典型上ITO由濺鍍形成，並且其他層次以加熱晶舟 形式之氣相沉積形成。圖2所列為所使用之有機分子結構 。藉由直流電壓+4伏特或以上到IT〇電極12與A1層16之間 的上述裝置，便可獲得高效率之Pt〇Ep發光。 圖3所列為上述有機發光裝置的發光頻譜。ir(ppy)3也是 一種發光分子，其發光峰值在52〇 nm。然而圖3中，實質 上不見Ir(ppy)3的發光頻譜，並且在65〇 nm觀察到pt〇EP的 強度峰值。 由發光裝置所發射光線波長，可以藉由改變發光層材料 而變化。圖4為一切面示意圖，列出本發明另一範例之有 機發光裝置，其發光層使用lr(ppy)3為發光分子混入CBP (一種自旋轉換材料）當作主要成分。在無鹼金屬玻璃上， 依序形成有140 nm IT0透明電極，40 nm電洞注入層 (α-ΝΡΒ構成），20 nm發光層[6%體積之lr(ppy)3混入CBP]， 6 nm緩衝層（BCP構成），240 nm電子傳輸層（AIQ構成），以 及0.6 nm LiF層與150 nm A1層順序形成上電極。以上層次 或電極形成中，典型上IT0由錢鑛形成，並且其他層次以 加熱晶舟形式之氣相沉積形成。 圖5(a)列出圖4所列發光裝置的發射頻譜。如所見到的 ，大約在520 nm處有一 Ir(ppy)3峰值。 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）
裝 訂
線 520617 A7 ____ B7 五、發明説明（6 ) 如圖4所列相同層次結構之有機發光裝置，不同的是使 用CBP (—種自旋轉換材料）當作發光層主要成分，並且混 合6%體積之PtOEP當作發光分子。所得裝置之發射頻譜列 於5(b)中。此發射頻譜大約在65〇 nm處有一 PtOEP峰值。 如圖4所列相同層次結構之有機發光裝置，不同的是使 用Ir(ppy)3 (—種自旋轉換材料）當作發光層主要成分，並 且此合6%體積之PtOEP當作發光分子。所得裝置之發射頻 5普列於5(c)中。此發射頻譜大約在650 nm處有一 PtOEP峰 值，但在520 nm處並無Ir(ppy)3峰值。 圖6為一切面示意圖，列出本發明另一範例有機發光裝 置。圖6中’與圖1相同數字代表相同内容，不再重複說 明。 當復合激態可以在發光層24中自由移動時，發光層中所 有陣列材料不需是自旋轉換材料，並且於自旋轉換材料與 發光材料混合成單層-利用材料時，可以獲得改善之效率 。圖6所列有機發光裝置的發光層24 (厚度：2〇 nm)為一種 膜’由20%體積自旋轉換材料ir(ppy)3 14a與7%體積發光材 料（PtOEP) 14b混合成主要成分，亦即是，單層-利用材料 (CBP) 24a。結構為復合激態可以在發光層中自由移動， 可以同步地以真空沉積有機分子獲得，並且形成充分混合 與分散的狀態。 圖7為一切面示意圖，列出用於形成發光層24之多成分 氣相沉積設備。氣相沉積舟3 4，3 5與3 6每一者包含將被氣 相 >儿積的材料放置在一腔體3 1中，該腔體3 1係連接至真空 ____ -9- 尽紙張尺歧财ϋ#準(CNS) A4規格( X 297公釐)"' ' 520617 五、發明説明（7 A7 B7 放電糸統32上，其真空度為1〇·6τ〇γγ以上；氣相沉積舟上 面固疋-基板33’基板將要沉積之表面指向氣相沉積舟； 氣相沉積舟34，35與36以加熱電極〜38與39通電與加敎 二然而乱相沉積舟内的材料蒸發’並且在基板33上做氣相 積。在基板上所形成之同步氣相沉積膜的組成，可藉 控制通過氣相沉積舟電流而調整。 曰 圖6所列之有機發光裝置中， 接π # ★丄 以一種成分做同步氣相沉 ’成之胰备作發光層。也可以四種成分或以上 =形成膜。在此情形之下，下列所使用材料為除了主 成刀，自方疋轉換材料與發光材料以外。 (1) 不同分子之自旋轉換材料 復合激子具有不同能量準位。 士、 ^ _ Μ ^ 為了達成不同能量準位的 二^材料。’备使用兩種或以上的自旋轉換材料時，要加 (2) 不同分子之發光材料 ^控制發射頻譜色彩，或放寬發射頻譜的波長範圍， 备使用兩種或以上的發光材料時，要加人此材料。 (3) 其他材料 當所使用材料用以改善膜材料之間的混合度，發光 於上面或下層膜的附著性，以及一材料（鍵結u分子^以 改善主要成分材料的導電性時加入這些材料。 古=上述本發明之有機發光裝置，可利用三層材料得到 阿效率而不受到密度消失的影響。 裝 訂 -10 本纸張尺度適用中a g家標準(CNS) A4規格(灿X 297公董）

Claims (1)

  1. 520617 A8 B8 C8 D8
    1 ·· 一種具有一發光層之電激發光薄膜裝置，其中使用電 子-電洞復合產生激態來產生光子，該裝置中的發光層 包含： 一材料，其執道角動量的量子數與激態自旋的量子 數藉交互作用而彼此轉換，以及 一種發光分子混入上述材料。 如申凊專利範圍第1項之電激發光薄膜裝置，其中該材 料軌道角動量的量子數與激態自旋的量子數藉交互作用 而彼此轉換，並且為一其中具有重金屬原子鍵結或配價 (coordinated)到有機材料之分子。 、 如申請專利範圍第2項之電激發光薄膜裝置，其中該重 金屬原子為Ir或Pt。
    金屬原子為Ir或Pt。
    同步氣相沉積形成一有機薄膜，包含： ，包含： 5：裝置，其中使用電子. 該裝置中的發光層為由 一材料， :材料，其執道角動量的量子數與激態 數藉父互作用而彼此轉換，以及 自旋的量子 一發光分子， 母一者為獨立之掺雜物。 -11 -
    、申明專利範圍第.6項之電激發光薄膜裝置，其中該材 料轨道角動量的量子數與激態自旋的量子數藉交互作用 而彼此轉換，並且為一分子具有重金屬原子鍵結或配價 到有機材料。 •如申清專利範圍第7項之電激發光薄膜裝置，其中該重 金屬原子為Ir或Pt。 •如申靖專利範圍第6項之電激發光薄膜裝置，其中該發 光刀子為一分子具有重金屬原子鍵結或配價到有機材料 〇 10.如申請專利範圍第9項之電激發光薄膜裝置，其中該重 金屬原子為Ir或Pt。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2248870B1 (en) 2002-11-26 2018-12-26 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminscent element and display and illuminator
US7449830B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
US20090039771A1 (en) 2005-07-01 2009-02-12 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element material, organic electroluminescent element, display device and lighting device
WO2007097149A1 (ja) 2006-02-20 2007-08-30 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、白色発光素子、表示装置、及び照明装置
US20090091253A1 (en) 2006-03-17 2009-04-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
EP3081619A1 (en) 2006-03-23 2016-10-19 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
US8008856B2 (en) * 2006-04-19 2011-08-30 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting devices with agent to increase the fraction of excitons formed as a singlet
KR101282400B1 (ko) 2006-08-24 2013-07-04 한국과학기술원 유기 발광 표시 장치
WO2008144549A1 (en) * 2007-05-18 2008-11-27 Massachusetts Institute Of Technology Organic light emitting devices
US20100139749A1 (en) * 2009-01-22 2010-06-10 Covalent Solar, Inc. Solar concentrators and materials for use therein
JP5156657B2 (ja) * 2009-01-27 2013-03-06 パナソニック株式会社 有機ｅｌ発光装置
US20110260152A1 (en) 2009-01-28 2011-10-27 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device, and illumination device
US9617255B2 (en) 2009-02-06 2017-04-11 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescent element, and illumination device and display device each comprising the element
WO2011004639A1 (ja) 2009-07-07 2011-01-13 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、新規な化合物、照明装置及び表示装置
KR101657222B1 (ko) * 2010-05-14 2016-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
WO2012111548A1 (ja) 2011-02-16 2012-08-23 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5742586B2 (ja) 2011-08-25 2015-07-01 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2013073301A1 (ja) 2011-11-14 2013-05-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体
KR102417945B1 (ko) * 2012-03-14 2022-07-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
JP5880274B2 (ja) 2012-05-21 2016-03-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5849867B2 (ja) 2012-06-21 2016-02-03 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR101798738B1 (ko) 2012-12-10 2017-11-16 코니카 미놀타 가부시키가이샤 유기 일렉트로루미네센스 소자 재료, 유기 일렉트로루미네센스 소자, 조명 장치 및 표시 장치
US10774261B2 (en) 2012-12-10 2020-09-15 Konica Minolta, Inc. Organic electroluminescence element, illumination device, and display device
US9267877B2 (en) 2014-03-12 2016-02-23 Nxgen Partners Ip, Llc System and method for making concentration measurements within a sample material using orbital angular momentum
US10451902B2 (en) * 2014-08-08 2019-10-22 Nxgen Partners Ip, Llc Suppression of electron-hole recombination using orbital angular momentum semiconductor devices
US10726353B2 (en) 2015-08-03 2020-07-28 Nxgen Partners Ip, Llc Quantum mechanical framework for interaction of OAM with matter and applications in solid states, biosciences and quantum computing
KR20230108770A (ko) * 2022-01-10 2023-07-19 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358631B1 (en) * 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
JP3490856B2 (ja) * 1996-11-20 2004-01-26 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
KR20000007778A (ko) * 1998-07-07 2000-02-07 정선종 강유전체 전자방출원을 가진 전계 발광소자 구조
DE60031729T2 (de) * 1999-05-13 2007-09-06 The Trustees Of Princeton University Lichtemittierende, organische, auf elektrophosphoreszenz basierende anordnung mit sehr hoher quantenausbeute
US6310360B1 (en) * 1999-07-21 2001-10-30 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices
JP4037033B2 (ja) * 2000-03-31 2008-01-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

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