KR100448184B1 - 박막 전계 발광 소자 - Google Patents

박막 전계 발광 소자 Download PDF

Info

Publication number
KR100448184B1
KR100448184B1 KR10-2001-0052284A KR20010052284A KR100448184B1 KR 100448184 B1 KR100448184 B1 KR 100448184B1 KR 20010052284 A KR20010052284 A KR 20010052284A KR 100448184 B1 KR100448184 B1 KR 100448184B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
excited state
thin film
electroluminescent device
film electroluminescent
Prior art date
Application number
KR10-2001-0052284A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20020090833A (ko
Inventor
다까히로 나까야마
스께까즈 아라따니
Original Assignee
가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 filed Critical 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
Publication of KR20020090833A publication Critical patent/KR20020090833A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100448184B1 publication Critical patent/KR100448184B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기 LED 발광의 고효율화를 도모하는 것이다. 즉, 본 발명은 여기 상태의 생성을 행하는 발광층(14)의 주요 재료로서 스핀 전환 재료(14a)를 사용하고 거기에 발광 재료(14b)를 별도로 첨가한 구성으로 여기 상태를 유효하게 이용하는 것이다.

Description

박막 전계 발광 소자{Electroluminescent Film Device}
본 발명은 전자-홀 재결합에 의해 발생하는 여기 상태를 이용하여 광자를 발생시키는 박막 전계 발광 소자에 관한 것이다.
유기 전계 발광 소자에서는 그 여기 상태 생성-광자 변환 기능을 하는 구성 부분(이하, 발광층이라 함)에서 1중항 여기 상태와 3중항 여기 상태가 1:3의 비율로 생성되는데, 그 중 발광에 이용되어왔던 것은 여기 상태의 1/4을 차지하는 1중항 여기 상태뿐이었다(여기서는 편의를 위해, 이러한 재료를 1중항 이용 재료라 함). 최근, Ir 또는 Pt 등의 중금속을 결합시킨 발광 분자에 있어서, 궤도각 운동량 양자수와 여기 상태의 스핀 양자수가 중금속의 효과에 의해 발생하는 상호 작용에 의해 교환된다는 것이 알려져, 1/4을 상회하는 비율의 여기 상태를 발광에 이용할 수 있는 것을 알수 있었다(여기서는 편의를 위해 이러한 재료를 스핀 전환 재료라 함).
발광층의 구조는 발광 재료를 단일 조성으로 이용한 것이었지만, 농도 소광이라는 발광 분자간의 상호 작용에 의해 효율이 저하되어 있었다. 그 개선책으로서 Blado et. al:Appl. Phys. Lett., vol.74, no. 3, p.442 등에 표시된 것처럼 1중항 이용 재료 중에 스핀 전환 발광 재료 또는 1중항 여기 상태 이용 발광 재료를 수％ 정도 도핑하는 구조가 이용되어 왔다.
1중항 이용 재료 중에 스핀 전환 발광 재료 또는 1중항 여기 상태 이용 발광재료를 도핑하면 농도 소광은 피할 수 있지만, EL 발광의 발광 양자 효율은 25％가 이론 한계이다.
본 발명의 목적은 발광형 디스플레이를 비롯한 여러가지 발광 소자에서 공통된 과제인 발광 양자 효율(주입 전하수에 대해 발생하는 광자수의 비율) 또는 에너지 효율(인가 에너지에 대한 발광 에너지)을 향상시키는 것이다.
도 1은, 스핀 전환 재료를 발광층 주성분으로 사용한 본 발명에 의한 유기 발광 소자의 일례를 나타내는 단면 모식도.
도 2는, 유기 분자의 구조를 나타내는 도면.
도 3은, Ir(ppy)3에 PtOEP를 혼합한 발광층을 갖는 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면.
도 4는, 본 발명에 의한 유기 발광 소자의 다른 예에 대한 단면 모식도.
도 5a는, CBP에 lr(ppy)3을 혼입한 발광층을 갖는 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면.
도 5b는, CBP에 PtOEP를 혼입한 발광층을 갖는 유기발광 소자의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면.
도5c는, Ir(ppy)3에 PtOEP를 혼입한 발광층을 갖는 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼을 나타내는 도면.
도 6은, 1중항 이용 재료 중에 스핀 전환 재료, 발광 재료를 혼입한 발광층을 갖는 유기 발광 소자의 단면 모식도.
도 7은 다원 증착 장치의 일례를 나타내는 개략도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
11 투명 기판
12 투명 전극
13 홀 수송층
14 발광층
15 전자 수송층
16 금속 전극
14a 스핀 변환 재료
14b 발광 분자
24 발광층
24a 1중항 이용 재료
31 챔버
32 진공 배기계
33 기판
34 내지 36 증착 보트
37 내지 39 가열 전극
본 발명에서는 여기 상태 생성을 행하는 발광층의 주요 재료로서 스핀 전환 재료를 사용하고 거기에 발광 재료를 별도로 첨가함으로써 여기 상태를 유효하게 이용하여 상기 목적을 달성한다.
즉, 본 발명에 의한 박막 전계 발광 소자는, 전자-홀 재결합에 의해 발생하는 여기 상태를 이용하여 광자를 발생시키는 발광층을 구비하는 박막 전계 발광 소자에 있어서 발광층은 궤도각 운동량 양자수와 여기 상태의 스핀 양자수가 상호 작용에 의해 교환 가능한 재료와 상기 재료 중에 혼합된 발광성 분자를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이 박막 전계 발광 소자는 궤도각 운동량 양자수와 여기 상태의 스핀 양자수가 상호 작용에 의해 교환 가능한 재료를 이용하여 재결합 여기 상태를 생성하고 그 여기 에너지를 발광성 분자에 전달하여 발광시키는 것이다.
또한, 본 발명에 의한 박막 전계 발광 소자는, 전자-홀 재결합에 의해 발생하는 여기 상태를 이용하여 광자를 발생시키는 발광층을 구비하는 박막 전계 발광 소자에 있어서 발광층은 유기 증착 박막에 궤도각 운동량 양자수와 여기 상태의 스핀 양자수가 상호 작용에 의해 교환 가능한 재료와 발광성 분자를 별개의 도펀트로 함유하는 동시 증착법에 의해 작성된 막인 것을 특징으로 한다.
궤도각 운동량 양자수와 여기 상태의 스핀 양자수가 상호 작용에 의해 교환가능한 재료는 중금속 원자(원자 번호 76 이상의 금속 원자)가 유기 재료와 결합 또는 배위된 분자로 할 수 있고 중금속 원자는 Ir 또는 Pt로 할 수 있다.
발광성 분자는 중금속 원자(원자 번호 76 이상의 금속 원자)가 유기 재료와 결합 또는 배위된 분자로 할 수 있고 중금속 원자는 Ir 또는 Pt로 할 수 있다.
본 발명에서는 3중항 여기 상태를 1중항 여기 상태와 동일하게 발광에 이용할 수 있으므로 발광 양자 효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 형태를 설명한다.
도 1은, 스핀 전환 재료를 발광층 주성분으로 이용한 본 발명에 의한 유기 발광 소자의 일례를 나타내는 단면 모식도이다. 이 발광 소자는 투명 기판(l1)상에 투명 전극 (12), 홀 수송층(13), 발광층(14), 전자 수송층(15), 금속 전극(16)을 형성한 pin 형 발광 다이오드의 일종이다. 발광층(14)에서 전극(12), (16)으로부터 주입된 홀과 전자가 결합하여 여기 상태를 형성한다. 발광층(14)은 주성분 재료(14a)로서 스핀 전환 재료를 사용하고 거기에 발광 분자(14b)를 농도 소광이 발생하지 않는 농도(0.1 내지 20 체적％ 정도)로 혼입시켜 구성한다. 주성분인 스핀 전환 재료(14a)에 의해서 발광층 중의 여기 상태인 스핀은 1중항 상태와 3중항 상태 사이에서 교환이 가능해지고 1중항 여기 상태가 발광 분자(14b)로 이동하여 발광을 발생시킨다. 그 결과, 여기 상태 중의 1/4를 초과하는 부분이 발광에 이용되게 된다. 이 효과는 주성분 재료에 혼입된 발광 재료가 1중항 이용 재료이든 스핀 전환 재료이든 동일하게 발휘된다. 발광층의 주성분을 이루는 스핀 전환 재료는 에너지 밴드 갭이 발광 분자의 발광 에너지보다 큰 것이 적당하고 단일 분자로평가했을 때에 발광성이 있거나 없을 수도 있다. 일반적으로, 발광 분자는 3중항 여기 상태 전환 분자보다도 에너지 밴드 갭폭으로 보다 넓은 값을 갖는 것이 고효율을 달성할 수 있다.
도 1에 단면 모식도를 나타내는 유기 발광 소자를 제작하였다. 유리 기판(11)상에 ITO (Indium Tin 0xide)투명 전극(12) 20O nm, 홀 주입층(13)으로 서 α-NPB 35 nm, 발광층(14)으로서 Ir(ppy)3(14a)에 PtOEP(14b)를 6 체적％ 혼입한 막 20 nm, 전자 수송층(15)로서 ALQ 22 nm를 순차 적층하였다. 그 위에 LiF 층 0.5 nm, Al층 150 nm을 적층하여 상부 전극(16)으로 하였다. 성막에 있어서는 ITO는 스퍼터링법, 다른 막은 보트 가열에 의한 증착법이 대표적인 성막 방법이다. 도 2에 각 유기 분자의 구조를 나타낸다. 이 소자의 ITO 전극 (12)-Al층(16)사이에 +4 V 이상의 직류 전압을 인가함으로써 PtOEP의 발광이 고효율로 달성된다. 도 3은 이와 같이 하여 제작한 유기 발광 소자의 발광 스펙트럼을 나타낸다. Ir(ppy)3도 발광성 분자이기는 하지만 520 nm 부근에 피크가 있는 Ir(ppy)3의 발광 스펙트럼은 거의 보이지 않고 PtOEP에 기인하여 650 nm에 피크를 갖는 발광 스펙트럼이 강하게 관측되었다.
소자의 발광 파장은 발광층의 재료를 선택함으로써 변화가 가능하다. 도 4는 스핀 전환 재료인 CBP를 주성분 재료로 하고 거기에 발광 분자로서 Ir(ppy)3을 혼입한 발광층을 갖는 본 발명에 의한 유기 발광 소자의 다른 예를 도시하는 단면 모식도이다. 무알칼리 유리 상에 ITO 투명 전극 140 nm, 홀 주입층으로서 α-NPB40 nm, 발광층으로서 CBP에 Ir(ppy)3을 6 체적％ 혼입된 막 20 nm, 버퍼층으로서 BCP 층 6 nm, 전자 수송층으로서 ALQ 240 nm, 상부 전극으로서 LiF 층 0.6 nm, A1층 150 nm를 순차 적층하였다. 성막에 있어서는 ITO는 스퍼터링법, 다른 막은 보트 가열에 의한 증착법이 대표적인 성막 방법이다.
도 5a는 도 4에 나타낸 소자의 발광 스펙트럼을 나타낸다. 도시하는 바와 같이 Ir(ppy)3에 기인하는 52O nm 부근의 피크를 갖고 있다.
발광층을 스핀 전환 재료인 CBP를 주성분 재료로 하고 발광 분자로 PtOEP를 6 체적％ 혼입하여 구성한 것 이외에는, 도 4에 나타낸 것과 동일한 층 구조를 갖는 유기 발광 소자를 제조하였다. 이 발광 스펙트럼을 도 5b에 나타낸다. 이 소자의 발광 스펙트럼은 PtOEP에 기인하는 650 nm 부근의 피크를 가지고 있다.
발광층을 스핀 전환 재료인 Ir(ppy)3을 주성분 재료로 하고, 발광 분자로서 PtOEP를 6 체적％ 혼입하여 구성한 것 이외에는, 도 4에 나타낸 것과 동일한 층 구조를 갖는 유기 발광 소자를 제조하였다. 이 소자의 발광 스펙트럼을 도 5c에 나타낸다. 이 발광 스펙트럼은 PtOEP에 기인하는 650 nm 부근의 피크를 가지며 Ir(ppy)3에 기인하는 520 nm의 피크는 관측되지 않았다.
도 6은, 본 발명에 의한 유기 발광 소자의 다른 예를 나타내는 단면 모식도이다. 도 6에서 도 1과 동일한 구성 부분에는 도 1과 동일한 번호를 붙여 중복되는 설명은 생략한다.
발광층(24)중에서 재결합 여기 상태가 충분히 자유롭게 돌아다닐 수 있는 경우는, 발광층 모체 재료 전부가 스핀 전환 재료일 필요는 없고 1 중항 이용 재료 중에 스핀 전환 재료 및 발광 재료를 혼입시킨 구조로 효율 향상을 도모할 수 있다. 도 6에 나타낸 유기 발광 소자의 발광층(24) (두께 20 nm)는 주성분 재료로서의 1 중항 이용 재료(CBP)(24a) 중에 스핀 전환 재료 Ir(ppy)3(14a) 20 체적％, 발광 재료(PtOEP) (14b) 7 체적％를 혼입시킨 막이다. 재결합 여기 상태가 발광층막 중에서 충분히 자유롭게 돌아다닐 수 있는 구조는 진공 중에서 유기 분자를 동시 증착하여 충분한 혼합ㆍ분산 상태를 작성함으로써 달성할 수 있다.
도 7은, 발광층(24)을 성막하기 위해서 이용하는 다원 증착 장치의 일례를 도시하는 개략도이다. 진공 배기계(32)에 접속되어 1.3×10-4Pa (10-6Torr) 이상의 진공도로 진공 배기되는 챔버(31)내에는 증착하여야 할 재료를 넣은 증착 보트(34, 35, 36)가 배치되고, 그 위에 기판(33)이 증착면을 증착 보트에 대향시켜 배치된다. 각 증착 보트(34, 35, 36)내의 재료는 가열 전극(37, 38, 39)을 통해 증착 보트에 통전되고, 보트를 가열함으로써 기화되어 기판(33)에 증착된다. 기판에 형성되는 동시 증착막의 조성은 보트에 흐르는 전류를 제어함으로써 조정할 수 있다.
도 6에 나타낸 유기 발광 소자는 발광층으로서 3 성분이 동시에 증착된 막을 사용하였으나, 4 성분 이상이 동시 증착된 막을 사용할 수도 있다. 이 경우 주성분, 스핀 전환 재료, 발광 재료에 더욱 추가하는 재료로는 다음과 같은 재료가 있다.
(1) 다른 분자의 스핀 전환 재료
재결합 여기자는 여러가지 에너지값을 갖는다는 것이 예측된다. 여러가지 에너지값의 3중항 여기 상태의 전환을 완수하는 것을 목적으로, 2종류 이상의 스핀 전환 재료를 넣은 경우이다.
(2) 다른 분자의 발광 재료
발광 스펙트럼의 색조 조정이나 스펙트럼의 광파장 지역화를 달성하기 위해서 2종류 이상의 발광 재료를 넣은 경우이다.
(3) 기타 재료
막의 혼합성, 상하 막과의 밀착성 등을 향상시키기 위한 재료 또는 주성분 재료의 전기 전도성을 개선하기 위한 재료(Li 결합 분자 등)을 넣은 경우이다.
상기 예로 나타낸 바와 같은 본 발명의 유기 발광 소자에 의하면, 농도 소광에 의한 악영향을 받지 않고 3중항 재료의 고효율화 효과를 이용할 수 있다.

Claims (10)

  1. 전자-홀 재결합에 의해 발생하는 여기 상태를 이용하여 광자를 발생시키는 발광층을 구비하는 박막 전계 발광 소자에 있어서, 상기 발광층은 궤도각 운동량 양자수와 여기 상태의 스핀 양자수가 상호 작용에 의해 교환 가능한 재료와 상기 재료 중에 혼합된 발광성 분자를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 궤도각 운동량 양자수와 여기 상태의 스핀 양자수가 상호 작용에 의해 교환 가능한 재료는 중금속 원자가 유기 재료와 결합 또는 배위된 분자인 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 중금속 원자는 Ir 또는 Pt인 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 발광성 분자는 중금속 원자가 유기 재료와 결합 또는 배위된 분자인 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 중금속 원자는 Ir 또는 Pt인 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
  6. 전자-홀 재결합에 의해 발생하는 여기 상태를 이용하여 광자를 발생시키는 발광층을 구비하는 박막 전계 발광 소자에 있어서, 상기 발광층은 유기 증착 박막에 궤도각 운동량 양자수와 여기 상태의 스핀 양자수가 상호 작용에 의해 교환 가능한 재료와 발광성 분자를 별개의 도펀트로서 함유하고 동시 증착법에 의해 작성된 막인 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 궤도각 운동량 양자수와 여기 상태의 스핀 양자수가 상호 작용에 의해 교환 가능한 재료는 중금속 원자가 유기 재료와 결합 또는 배위된 분자인 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
  8. 제7항에 있어서, 상기 중금속 원자는 Ir 또는 Pt인 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
  9. 제6항에 있어서, 상기 발광성 분자는 중금속 원자가 유기 재료와 결합 또는 배위된 분자인 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
  10. 제9항에 있어서, 상기 중금속 원자는 Ir 또는 Pt인 것을 특징으로 하는 박막 전계 발광 소자.
KR10-2001-0052284A 2001-05-29 2001-08-29 박막 전계 발광 소자 KR100448184B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00161057 2001-05-29
JP2001161057A JP2002352960A (ja) 2001-05-29 2001-05-29 薄膜電界発光素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020090833A KR20020090833A (ko) 2002-12-05
KR100448184B1 true KR100448184B1 (ko) 2004-09-13

Family

ID=19004392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0052284A KR100448184B1 (ko) 2001-05-29 2001-08-29 박막 전계 발광 소자

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20020179899A1 (ko)
EP (1) EP1263061A3 (ko)
JP (1) JP2002352960A (ko)
KR (1) KR100448184B1 (ko)
CN (1) CN1388734A (ko)
TW (1) TW520617B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7902738B2 (en) 2006-08-24 2011-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device having first and second light emitting members

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2765174B1 (en) 2002-11-26 2018-05-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and display and illuminator
US7449830B2 (en) * 2004-08-02 2008-11-11 Lg Display Co., Ltd. OLEDs having improved luminance stability
WO2007004380A1 (ja) 2005-07-01 2007-01-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
EP1988143A4 (en) 2006-02-20 2009-11-25 Konica Minolta Holdings Inc ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, WHITE LIGHT EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, AND LIGHTING DEVICE
US20090091253A1 (en) 2006-03-17 2009-04-09 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and lighting device
US8920942B2 (en) 2006-03-23 2014-12-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device and illuminating device
WO2007123998A2 (en) * 2006-04-19 2007-11-01 Massachusetts Institute Of Technology Light emitting devices
US20080309217A1 (en) * 2007-05-18 2008-12-18 Mulder Carlijn L Organic light emitting devices
US20100139749A1 (en) * 2009-01-22 2010-06-10 Covalent Solar, Inc. Solar concentrators and materials for use therein
JP5156657B2 (ja) * 2009-01-27 2013-03-06 パナソニック株式会社 有機ｅｌ発光装置
EP2383815B1 (en) 2009-01-28 2014-07-30 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device, and illumination device
EP3046156A1 (en) 2009-02-06 2016-07-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, and illumination device and display device each comprising the element
JP5472301B2 (ja) 2009-07-07 2014-04-16 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、新規な化合物、照明装置及び表示装置
KR101657222B1 (ko) * 2010-05-14 2016-09-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP5853964B2 (ja) 2011-02-16 2016-02-09 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5742586B2 (ja) 2011-08-25 2015-07-01 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
WO2013073301A1 (ja) 2011-11-14 2013-05-23 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、面状発光体
WO2013137089A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
JP5880274B2 (ja) 2012-05-21 2016-03-08 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5849867B2 (ja) 2012-06-21 2016-02-03 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP6424626B2 (ja) 2012-12-10 2018-11-21 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
EP2930762B1 (en) 2012-12-10 2020-09-16 Konica Minolta, Inc. Material for organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, illumination device, and display device
US9267877B2 (en) 2014-03-12 2016-02-23 Nxgen Partners Ip, Llc System and method for making concentration measurements within a sample material using orbital angular momentum
US10451902B2 (en) * 2014-08-08 2019-10-22 Nxgen Partners Ip, Llc Suppression of electron-hole recombination using orbital angular momentum semiconductor devices
US10726353B2 (en) 2015-08-03 2020-07-28 Nxgen Partners Ip, Llc Quantum mechanical framework for interaction of OAM with matter and applications in solid states, biosciences and quantum computing
KR20230108770A (ko) * 2022-01-10 2023-07-19 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 전자 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10149883A (ja) * 1996-11-20 1998-06-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20000007778A (ko) * 1998-07-07 2000-02-07 정선종 강유전체 전자방출원을 가진 전계 발광소자 구조
WO2001008230A1 (en) * 1999-07-21 2001-02-01 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6358631B1 (en) * 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US6303238B1 (en) * 1997-12-01 2001-10-16 The Trustees Of Princeton University OLEDs doped with phosphorescent compounds
AU5004700A (en) * 1999-05-13 2000-12-05 Trustees Of Princeton University, The Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
JP4037033B2 (ja) * 2000-03-31 2008-01-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10149883A (ja) * 1996-11-20 1998-06-02 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20000007778A (ko) * 1998-07-07 2000-02-07 정선종 강유전체 전자방출원을 가진 전계 발광소자 구조
WO2001008230A1 (en) * 1999-07-21 2001-02-01 The Trustees Of Princeton University Intersystem crossing agents for efficient utilization of excitons in organic light emitting devices

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7902738B2 (en) 2006-08-24 2011-03-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device having first and second light emitting members

Also Published As

Publication number Publication date
KR20020090833A (ko) 2002-12-05
TW520617B (en) 2003-02-11
EP1263061A3 (en) 2006-10-18
EP1263061A2 (en) 2002-12-04
CN1388734A (zh) 2003-01-01
US20020179899A1 (en) 2002-12-05
JP2002352960A (ja) 2002-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100448184B1 (ko) 박막 전계 발광 소자
TW500787B (en) Very high efficiency organic light emitting devices based on electrophosphorescence
US6303238B1 (en) OLEDs doped with phosphorescent compounds
EP2097938B1 (en) Long lifetime phosphorescent organic light emitting device (oled) structures
US5811833A (en) Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals
JP5180369B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
JP2003526876A5 (ko)
WO2009070382A1 (en) Organic light emitting device having multiple separate emissive layers
WO2010028262A9 (en) White phosphorescent organic light emitting devices
US11217762B2 (en) Surface-plasmon-pumped light emitting devices
EP2715825A1 (en) Oled having multi-component emissivie layer
JP2022067645A (ja) プラズモンｏｌｅｄのためのエネルギー準位及びデバイス構造
US20220181573A1 (en) Optoelectronic device including ultrathin dopant layers
US20230255047A1 (en) Enhanced purcell effect using red-shifted surface plasmon modes and high index material in organic light emitting devices
WO2008030309A1 (en) Organic light emitting device having a transparent microcavity
WO2012169150A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセント素子
Seo et al. Color tuning of OLEDs using the Ir complexes of white emission by adjusting the band gap of host materials

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20110811

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee