TW518559B

TW518559B - Domain wall displacement magneto-optic recording medium, and reproducing method and apparatus for the same

Info

Publication number: TW518559B
Application number: TW090125949A
Authority: TW
Inventors: Tomoyuki Hiroki
Original assignee: Canon Kk
Priority date: 2000-11-15
Filing date: 2001-10-19
Publication date: 2003-01-21
Also published as: US6707767B2; CN1355527A; CN1201316C; KR20020037676A; US20020085457A1; JP2002157792A; EP1207526A2; KR100442070B1

Description

518559 Α7 Β7 五、發明説明（1) Μ背景本發明係關於磁光記錄媒體，磁光記錄媒體係根據磁光效果以雷射光記錄及再生資訊。更特別地，本發明關於利用D W D D (磁疇壁位移偵測）技術之磁光記錄媒體。相關技藝說明迄今爲止，關於可重寫式之高密度記錄方法，專注於磁光記錄媒體，在磁光記錄媒體中，以半導體雷射之熱能寫磁性薄膜中的磁疇，而將資訊記錄於其上，並根據磁光效應，從其中讀取記錄的資訊。近年來，由於需要以不同形式處理含有諸如聲音、靜態影像及動態影像等資訊的資料，以及因爲這些待處理的資料之大小日漸增加，所以，需要增加磁光記錄媒體的記錄密度及提供具有更大容量之記錄媒體。一般而言，諸如磁光（光）碟等磁光記錄媒體的記錄密度大部份取決於再生光學系統的雷射波長以及接物鏡的數値孔徑Ν Α。換言之，一旦再生光學系統的雷射波長λ 及接物鏡的數値孔徑Ν Α被決定，則光寬度的直徑也被決定。因此，可被再生成訊號之記錄坑的空間頻率具有約 2 Ν A / λ的上限。因此，爲了在傳統光碟中實現較高密度，需要縮短再生光學系統的雷射波長或增加接物鏡的數値孔徑。但是，由於諸如雷射裝置的效率及產生的熱等問題，所以，難以縮短雷射波長。而且，假使接物鏡的數値孔徑增加時，則本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) *τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -4- 518559 A7 __B7_ 五、發明説明（2 ) 透鏡與碟片之間的距離變成小至造成碟片可能撞擊透鏡之機械問題。同時，所謂的磁性超解析度技術已藉由改進記錄媒體的結構及再生方法而發展至增加記錄密度的程度。舉例而言，日本專利公開號7- 334877發表超解析度方法。根據此發表的方法，在多層結構中，形成用於固持記錄資訊之記憶層、用於掩罩再生光點的一部份之再生層、及用於控制記憶層及再生層之間的交換耦合力之截斷層。藉由利用光點照射時，媒體中產生的溫度分佈，記錄資訊會傳送至基本上位於再生光點的部份之中的再生層，因此，記錄資訊會從微小磁疇再生。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製但是，上述傳統的超解析度方法由於根據溫度分佈而掩罩再生光點的部份時解析功率會增加，所以，具有被掩罩部份中的光會被浪費且再生的訊號之振幅會降低等缺點 ;亦即，基本上藉由將讀取坑之孔徑限制於較小區域。換言之，由於被掩罩部份中的光無助於產生再生訊號，所以，有效的可用光量會隨著孔徑的窄化而減少以增進解析度。這將造成降低的訊號位準。而且，日本專利公開號6 - 290496揭示一方法，其中具有小磁疇壁矯頑磁力的位移層會設於相對於記錄層之再生光入射側上，且位移層中的磁疇壁會根據再生光點中產生的溫度梯度位移至較高溫度側。這會從磁疇壁再生資訊並在光點內將它放大。根據此揭示方法，由於訊號被再生並放大磁疇壁，所以，即使當記錄符號具有較小尺本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇><297公釐） -5- 生光點中產生的溫度梯再生資訊並在光點內將所揭不的方法並未考慮成當媒體以高線性速度體的結構而大幅地劣化此外，當嘗試以再生用於位移磁疇壁之溫溫度分佈的峰値。因此相對於再生光點之移動後）側位移至再生光點再生訊號。爲了克服該雷射光產生所需的溫度 518559 A7 __B7 五、發明説明（3 ) 寸時，仍然可以有效地使用再生光。因此，解析功率可以增加而不會使再生訊號的振幅變差。隨著近來資訊處理技術的進步，大容量記錄媒體領域不僅需要大容量，也需要局速記錄/再生技術。上述日本專利公開號6 - 2 9 0 4 9 6中揭示的方法係藉由根據再度以使磁疇壁位移的方法及從磁疇它放大，以增加媒體容量。但是，其對傳輸速率的影響。此方法會造移動時，再生訊號的品質視記錄媒〇生雷射光本身加熱記錄媒體以便產度梯度時，會於再生光點之內形成，此嘗試會造成磁疇壁以記錄媒體方向，分別從上游（前）及下游（之問題。這將造成難以取得良好的問題，已發表機構，以分別從再生分佈。但是，此解決之道造成再生裝置複雜化之另一問題。日本專利公開號1 1 一 8 6 3 7 2揭示藉由施加再生磁場以限制磁疇壁從下游側位移之方法。但是，所揭示的方法需要機構以分別地增加再生磁場，也使得再生裝置複雜化。發明槪述本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）請先閲讀背面之注意事項本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -6 - 518559 A7 _ B7 五、發明説明（4 ) (請先閲讀背面之注意事項^^寫本頁) 爲了克服上述問題，本發明的目的係提供磁光記錄媒體及再生方法和裝置，具有超過光學系統的解析度之記錄密度的訊號可由此再生裝置高速再生，卻不會使再生裝置及媒體結構複雜化。上述目的係以如下所述構成之本發明的磁光記錄媒體取得。在磁光記錄媒體中，當根據光束形成的溫度分佈以位移磁疇壁並具有最大溫度T r而放大記錄磁疇時，資訊會被再生，記錄媒體包括再生層，其中磁疇壁被位移；記錄層，用於固持對應於資訊之磁疇；及截斷層，配置於再生層與記錄層之間並具有低於再生層與記錄層的居禮溫度，其中，記錄媒體滿足下述條件； (Tr— RT)/(TC2-RT) -1 · 8 其中，T c 2 :截斷層的居禮溫度，及 R T :室溫。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製而且，以從上述磁光記錄媒體中再生記錄的資訊之再生方法及裝置，取得上述目的。特別地，再生方法包含從包括記錄層上的記錄資訊之磁光記錄媒體中再生記錄的資訊，接著當藉由光束以位移磁疇壁以放大記錄磁疇時，再生資訊，而且，再生裝置包含光碟，光碟包括具有追蹤導槽之基底及形成於上之發明的磁光記錄媒體。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 518559 Α7 Β7 五、發明説明（5) 此外，從參考附圖之下述較佳實施例，可淸楚暸解本發明的目的、特點及優點。厘A簡述圖1 A係光碟的剖面視圖，圖1 B及1 C係用於解釋本發明中磁疇壁位移原理。圖2 A、2 B及2 C係剖面視圖，用於解釋假訊號之發生。圖3係顯示本發明的實施例及比較實施例中以1 . 5 m/ s線性速度的雷射功率再生時，C N R與σ / T w之相依性。圖4係用於本發明的實施例4中的基底之剖面視圖。主要元件對照表 1 位移層 2 截斷層 3 記憶層 1 2 布洛赫磁壁 10 1 基底 10 2 千涉層 1〇3 保護層

較佳實施例說I 於下參考圖式，說明本發明的一實施例。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項3寫本頁) •裝. 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -8 - 518559 A7 _____ B7_ 五、發明説明（6 ) 圖1 A係根據本發明的一實施例之光碟（記錄媒體）白勺剖面視圖。如圖1 A所示，本實施例的光碟具有多層結 $_，多層結構包括干涉層1〇 2、再生或位移層1、截斷層2、用於固持記錄磁疇之記錄或記憶層、及保護層 1 〇 3，這些層係依上述次序連續地形成於基底1 〇 1上。在每一磁性物質層中箭頭i i代表保持於膜中的記錄磁疇中過渡金屬的子晶格（交錯）磁化方向。布洛赫（Bloch )磁壁1 2存在於相鄰的磁濤之間的介面，在介面中磁化是非平行的。基底1 0 1通常是由諸如玻璃或聚碳酸酯等透明材料形成。上述層可藉由使用磁控管濺射裝置之連續濺射或連續汽相沈積而形成。干涉層1 0 2係用以增加磁光效果，並由諸如Si3N4、 AIN、 Si〇2、 Si〇、Z n S或M g F 2等透明介電材料形成。保護層1 〇 3係用以保護其它磁性層，並由同於干涉層丨〇 2之材料形成。爲了使媒體的整個熱結構最佳化，可再於保護層1 0 3 上設置諸如Al、 AlTa、 AlTi、 AlCr或Cu 等形成的金屬層。如同所需而設置的干涉層1 0 2、保護層1 0 3、及金屬層對習於此技藝者而言係屬習知的層。記錄或記憶層3係由諸如T b F e C 〇、

Dy F e C 〇或TbDyF e C 〇等稀土 —鐵族元素非晶合金所形成；亦即，具有大的垂直磁性各向異性並能夠穩定地保持微小記錄坑之材料。視記憶層3中的磁疇爲向上或向下磁化而儲存記錄資訊。或者，可使用諸如柘榴石、 P t / C 〇或P d / C 〇等形成的垂直磁化膜，以致於資本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項3寫本頁) •裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -9- 518559 A7 B7 五、發明説明（7) 訊可以磁性地轉換至其它層。截斷層2係由諸如GdCo、 GdFeCo、

GdFe、GdFeCoAl、DyFeCoAl、 TbDyFe CoA 1或TbF eA 1等稀土 —鐵族元件非晶合金形成。截斷層2的居禮溫度丁 c 2設定爲低於位移層1及記憶層3的居禮溫度。再生或位移層係由諸如GdCo、 GdFeCo、 G d F e或N d G d G e C 〇等具有小垂直磁性各向異性之稀土 -鐵族元素非晶合金、或是諸如柘榴石等用於磁泡記憶器之材料所形成。當使用稀土-鐵族元素非晶合金時，其較佳地具有稀土元素的子晶格（交錯）磁化在室溫下佔優勢之成份。理由如下。假使位移層的飽合磁化在磁疇壁被位移時的溫度下爲大的値，則磁疇壁的位移將會因其容易受外部磁場或記憶層產生的浮動磁場之影響而不穩定。相對地，當位移層具有稀土元素的子晶格磁化在室溫下佔優勢之成份時，在該溫度時磁疇壁會位移之位移層的飽合磁化會被減少，而磁疇壁的位移因而穩定。每一元件層的膜厚如下所述。干涉層1 0 2係6 0 — lOOnm，位移層係20 — 40nm，截斷層2係5 — 20nm，記憶層3係40 — l〇〇nm，及保護層 103 係 40 — 8〇nm。除了上述結構之外，可以採用高聚合物樹脂之保護塗層。或者，具有元件層形成於上之一基底10 1可以接合本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) --穿. 寫太

.T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 518559 A7 ___B7____ 五、發明説明（8 ) 至類似的另一基底。藉由移動媒體及調變外部磁場並以具有足以加熱記錄或記憶層3至近似居禮溫度T c 3程度的功率之雷射光照射、或是藉由移動媒體及調變雷射光並以固定方向施加磁場，以將資料訊號記錄於本實施例的光碟（記錄媒體）上。在後一情形中，藉由調整雷射光的強度以致於僅有位於雷射光點內之預定區域達到T c 3，可以形成小於雷射光點的直徑之記錄磁疇。結果，可以記錄週期小於雷射光繞射極限之訊號。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖1 B係顯示軌道中心的溫度分佈，溫度分佈係當光碟被移至圖中的右方並照射雷射光至碟片時所造成的。在此溫度曲線中，膜溫度最大時的峰値，部份取決於碟片的線性速度，位於雷射光點中央稍微下游處（後方）·。圖 1 c係顯示位移層1中的磁疇壁能量密度σ 1之分佈。從圖 1可知，磁疇壁能量密度σ 1會隨著溫度增加而減少。因此，假使在碟片的移動方向中有溫度梯度，則磁疇壁能量密度σ :會朝向最大溫度的位置逐漸地減少。因此，以下述公式表示之力F i會作用於出現在每一層中的位置又之磁疇壁

F 1 = d σ 1 / d X 力量F χ作用於磁疇壁上以使其朝向磁疇壁能量較低的側位移。由於位移層1具有小的磁疇壁矯頑磁力及大的磁本紙張尺及通用中國國家標準（CNS ) A4· ( 2l〇X297公董） -11 - 518559 A7 _B7 _ 五、發明説明（9 ) 疇壁遷移率，所以，當磁疇壁獨自地處於非耦合狀態時，在力F i下其容易在位移層1中移位。在圖1 A中，在再生雷射照射至碟片之前，亦即，在室溫之碟片的部份，由於個別的磁性層均由垂直磁化膜形成，所以，記錄於記憶層3中的磁疇經由截斷層與位移層 1呈現交換的耦合關係，且磁疇會被轉換至位移層1。當時，磁壁1 2存在於每一層中相鄰的磁疇之間的介面，其中以箭頭1 1標示的磁化係彼此相反的。在膜溫度高於居禮溫度T c 2之截斷層2的部份中，截斷層2中磁化會消失，以及截斷層2與記憶層3之間的交換耦合會斷開。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製在此條件中，由於位移層1具有小的磁疇壁矯頑磁力，所以，位移層1中磁疇壁會在根據溫度梯度施加至磁疇壁之力F i下，朝向較高溫度側位移。磁疇壁在當時偏移之速度比碟片的移動速度足夠快。這意指在雷射光點中可以取得比記憶層3中記錄的磁疇壁更大的磁疇壁。在再生雷射光點中的孔徑區有助於位移磁疇壁，其可被視爲範圍幾乎從T c 2的等溫線至接近溫度分佈中最大溫度的點，光點未完全地參與位移磁疇壁。媒體中的溫度分佈不僅取決於媒體的溫度結構，也取決於其線性速度。隨著線性速度增加，最大溫度的位置偏移至下游側，且具有低於T c 2的溫度之區域會在相對於光點中心的上游側增加。假使溫度設計不令人滿意，則孔徑位置會視線性速度而大幅地偏移光點中心，因而造成增強的不必要顫動。因此，磁疇壁開始位移之溫度T C 2較佳地本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -12- 518559 A7 B7 五、發明説明（10) 設定爲稍微低於某一位準，以致於提供相當大的誤差餘裕此外，隨著光點的下游側上之媒體溫度逐漸地降低，磁疇會再度從記憶層3轉換至位移層1，及在磁疇轉換時產生的磁壁會朝向較高溫側位移，亦即，朝向光點中心位移。假使從下游側位移之磁疇壁進入光點，則再生的訊號中會發生雜訊，並且無法再確保資訊的精確再生。將參考圖2，更詳細地說明此點。在圖2 A中，在溫度稍微低於光點的下游側上之T c s 的位置處，由於位移層1及記憶層3會以相反方向磁化，所以，磁疇壁存在於截斷層2中或在截斷層2與位移層1 或記憶層3之間的介面。當媒體進一步被移動且介面磁疇壁的位置處之溫度降低至某一位準T X時，如圖2 B所示，介面磁疇壁能量會克服位移層1的矯頑磁力能量並再度將磁疇壁從記憶層3轉換至位移層1。然後，在當時產生於位移層1中的布洛赫磁疇壁會被強制移位至較高溫度側，亦即光點中心，並以假訊號混於再生訊號中。但是，如圖2 C所示，即使當磁疇壁再度從記憶層3 轉換至處於T X的位移層1時，從T X偏移的磁疇壁停止於T c 2位置處，而且，假使後續的磁疇壁接近T c 2位置並在記憶層3與位移層1之間建立交換耦合，則可避免假訊號混入再生訊號中。換言之，從T c 2至T X之距離L n 決定可記錄的最大記號長度。當採用記號位置記錄作爲記錄資料於媒體上的方法時本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐）請先閲讀背之注意事項寫本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 518559 A7 B7 五、發明説明（11) ，則藉由設定上及下磁疇之一作爲短記號，可不用考慮假訊號。但是，符號位置記錄不利於不能增加某些程度之外的記錄密度。爲了以大容量實現記錄媒體，因此，較佳的是採用記號長度記錄並抑制假訊號。對於磁疇壁位移媒體執行硏究及評估媒體特徵並改變截斷層2的居禮溫度τ c 2之結果顯示，達成下述結論。假設記錄資訊再生期間溫度分佈中最大溫度爲T ^且室溫爲 RT，當媒體滿足下述公式時： (Tr-RT)/(Tc 則儘管媒體以高線性速度移動，仍可穩定地再生訊號而不會使訊號品質劣化。同時，由於T c 2可以設定爲比最大溫度T r足夠低的値，所以與假訊號的發生有關之T c 2 及丁 X可以設定在溫度梯度適度之光點的下游之區域中。結果，可以增加最大記號長度L N。如上所述，藉由採用本實施例的光碟，即使當媒體以高速移動時，仍然能夠從接近對應於溫度T c 2之位置的再生雷射光的上游（前方）之磁疇中穩定地再生訊號，並放大雷射光點內的磁疇以及同時防止無用的訊號漏入其下游側（後方）的光點。因此，即使在增加線性記錄密度的情形中，仍然可以取得具有足夠大的振幅之再生訊號而不會受光繞射限制影響，並可利用相當簡單的再生裝置及媒體結構。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）請閲讀背面之注意事項寫本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -14- 518559 A7 B7 五、發明説明（12) (實施例1 ) 將摻雜有B、 Gd、 Dy、 Tb、 Fe及Co之Si 靶材安裝於DC磁控濺射裝置中，及將具有追蹤導引溝槽形成於其中之聚碳酸酯基底固定於基底固持器。然後，以低溫泵將室空間抽真空以建立不高於1 X 1 0 — 5 P a之真空。當繼續抽真空時，將A r氣體導入室中直至壓力達到 0 . 5 P a。當旋轉基底時，藉由靶材的濺射，如下所述般，於其上形成元件層。注意，當形成S i N層時，導入 N 2氣及A r氣並以D C反應濺射形成膜。首先，形成90nm膜厚之SiN層作爲下層。然後，形成30nm膜厚之GdFeCoAl層作爲位移層。之後，形成1 0 n m膜厚之T b F e A 1層作爲截傭層，及形成8 0 n m膜厚之T b F e C 〇層作爲記憶層。最後，形成5 0 n m膜厚的S i N層作爲保護層。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製藉由調整施加至Gd、 Tb、 Fe、 Co及A1靶材之功率比例，控制每一磁性層的成份比例。調整成位移層居禮溫度T。i約爲2 5 0 °C、截斷層居禮溫度T。2約爲1 2 0 、及記憶層的居禮溫度T。3約爲2 9 0 °C。當碟片以1 . 5 m/ s的線性速度旋轉時，藉由將 6 8 0 n m波長的雷射光經由N A 0 · 6 0的接物鏡而聚光至記錄膜上並接著施加外部磁場，在如此製成的碟片上執行0 _ 1 5 // m記號長度之記錄及再生。圖3顯示所造成的CNR與σ/Tw之關係，其表示再生訊號相對於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -15- 518559 A7 ____B7_五、發明説明（13) 再生雷射功率之穩定度。此處，（7/Tw代表藉由再生訊號的脈沖寬度之變異（亦即顫動）相對於記錄記號的時間寬度T w (在此情形中爲1 〇〇 n s )之標準偏差的歸一化，而取得之値。一般而言，需要不局於1 Ε - 4的誤差率作爲以高可經濟部智慧財產局員工消費合作社印製靠度再生資於窗寬度之之（1 - 7 2 Τ，因此最小記號長差率，G / 當磁疇光點之內的之間的溫差再生功率1 。舉例而言資料代表（ 0.15// 表1顯的結果。從 6 · 6 至 6 令人滿意的然後，記號長度，訊之指標。爲了符合此需求，顫動必須在相對 1 4 %內。在採用習知的高密度記錄調變方法 )R L L調變的情形中，最小的記號長度爲窗寬度爲最小記號長度的1/2。換言之，當度設爲0 · 1 5//m時，爲取得令人滿意的誤 Tw希望不會大於7%。壁在0.70mW的再生功率達到Tc2的雷射溫度以及光點內的最大溫度及室溫（2 ‘ 5 °C ) 與再生功率成正比時，則評估σ / T w最小之 • 6Mw時光點內的最大溫度Tr爲2 4 0°C ，在本實施例中取得的a/Tw=6·6%之 1 一 7 ) R L L調變中最小記號長度設定爲 m時確保令人滿葸的誤差率。示以不同線性速度執行同於上述之量測而取得表1可知，以低至高線性速度範圍σ / T w = • 7 %，亦即，以資訊記錄的觀點而言程度上穩定度，執行訊號再生。將訊號記錄於本實施例的碟片上並逐漸地改變以及量測無假訊號之最大記號長度。量測結果本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）請先閲讀背 3 本頁 -16- 518559 Α7 Β7 五、發明説明（14) 也顯示於表1中。從表1可知，對個別線性速度，以〇· 80至1 · 00//ΓΠ最大記號長度，執行無假訊號之穩定記錄及再生。雖然最大的記錄記號長度會視要記錄的碼之種類而定，但是，舉例而言，在（1 一 7 ) R L L調變中，最小記號長度對最大記號長度的比例爲4。因此，虽最小記號長度設疋爲0 · 1 5 //in時，最大記號長度爲 0 · 6 0 // m。這意指本實施例中製造的碟片具有充份的餘裕。此外，爲了取得較平滑的磁疇壁位移，在開始訊號記錄及再生之前，於本實施例中使用高功率雷射對溝槽部份退火，以致於在軌道的側部無磁疇壁發生。 (實施例2 ) 在如同實施例1中所使用的基底上，除了截斷層2的居禮溫度T c 2設定爲1 3 0 °C之外，以正好同於實施例1 中的方式，形成多層膜。首先，圖3顯示以線性速度1 . 5 m/ s於本實施例中取得的資料。由於位移層1係由同於實施例1的膜形成，所以，最佳再生功率及最佳再生功率時的最大溫度T r不會改變。但是，由於截斷層2的居禮溫度T c 2設定爲 1 3 0 °C，則磁疇壁開始之最小再生功率稍微地增加至 0 · 8 0 m W。然後，在σ / T w的最佳値及免於假訊號的最大記號長度並改變線性速度之條件下，量測本實施例的碟片。量測結果顯示於表1中。從表1可見，如同實施本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) •裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -17- 518559 A7 ____B7__ 五、發明説明（15) 例1 一般，在實施例2中取得令人滿意的結果。特別地，在採用（1 一 7 ) R L L調變的情形中，以充份的餘裕，執行訊號再生。 (實施例3 ) 在如同實施例1中所使用的基底上，除了截斷層2的居禮溫度T c 2設定爲1 4 5 °C之外，以正好同於實施例1 中的方式，形成多層膜。首先，圖3顯示以線性速度1 . 5 m/ s於本實施例中取得的資料。由於位移層1係由同於實施例1及2的膜形成，所以，最佳再生功率及最佳再生功率時的最大溫度 Tr不會改變。但是，由於截斷層2的居禮溫度丁02設定爲1 4 5 °C ,則磁疇壁開始之最小再生功率又增加至 0 · 9 0 m W。然後，在σ / T w的最佳値及免於假訊號的最大記號長度並改變線性速度之條件下，量測本實施例的碟片。量測結果顯示於表1中。從表1可見，在實施例 3中，cr / T w的最佳値可與實施例1及2中的最佳値相比，但是，當線性速度相當低時，無假訊號之最大記號長度減少至0 · 60//m。該長度値設定爲〇 · i5//m，最大記號長度爲0 · 6 0//m。該最大記號長度的値代表使用（1 - 7 ) R L L調變的情形中碟片可幾乎無餘裕地被緊密使用之程度。 (比較實施例）本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）請先閲讀背面之注項本頁經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 518559 A7 _________B7_ 五、發明説明（16) 在如同實施例1中所使用的基底上，除了截斷層2的居禮溫度T c 2設定爲1 6 之外，以正好同於實施例1 中的方式，形成多層膜。首先，圖3顯示以線性速度1 · 5 m/ s於本比較實施例中取得的資料。由於位移層1係由同於每一實施例的膜形成，所以，最佳再生功率及最佳再生功率時的最大溫度不會改變。但是，由於截斷層2的居禮溫度tc2設定爲1 6 0 °C，則磁疇壁開始之最小再生功率又增加至 0 · 95mW。然後，在α/Tw的最佳値及免於假訊號的最大記號長度並改變線性速度之條件下，量測本比較實施例的碟片。量測結果顯示於表1中。從表1可見，在本比較實施例中，σ / T w隨著線性速度增加急遽變差，且更容易在寬廣範圍的線性速度上發生假訊號。這些結果意指選取調變方法時有很大的限制且難以取得高速再生。 (實施例4 ) 在具有陸面與溝槽之間的深步階（位差）的基底上，形成同於實施例1之多層膜。藉由該結構，在膜形成的同時，在軌道的側部，磁耦合會被斷開。因此，省略實施例 1中使用高功率雷射之退火。圖4係本實施例的光碟之剖面視圖。於基底1 0 1中，形成深度1 8 0 n m的長方形導槽。以同於實施例1中的方式，於基底上形成個別膜。雖然膜稍微地沈積於推拔部上，但是，推拔部中的膜厚遠薄於陸面及溝槽部份。因本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項\^寫本頁) -裝· 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 518559 A7 ____ _ _B7__ 五、發明説明（V) lit，步階部份中的磁耦合是可忽略的。 {吏用同於實施例1中所使用的光學頭，對本實施例的碟片執行資訊記錄及再生。結果，取得可與實施例1相比白勺再生訊號。而且，藉由使用陸面/溝槽記錄，可改:進軌道間距方向中的記錄密度。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20- 518559 A7 B7 五、發明説明（18) 表1 實施例1 實施例2 實施例3 比較實施例 TC2__ 120 130 145 160 Tr 240 240 240 240 (Tr-RT)/(1 「c2-RT) 2.3 2.0 1.8 1.6 σ/Τ w (最大記號長度） 1 . 5 m/s 6.6 (0.80) 6.7 (〇·75) 6.7 (0.60) 6.6 (0.35) 3 . Om/s 6.6 (0.85) 6.6 (0.75) 6.7 (0.60) 7.5 (0.35) 4.5 m/s 6.6 (0.90) 6.7 (0.80) 6.8 (0.65) 9.1 (0.40) 6 . Om/s 6.7 (1.00) 6.8 (0.85) 7.0 (0.70) 11.5 (0.45) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製如上所述，藉由採用本發明的磁光記錄媒體，可以可觀地改進媒體上的資訊記錄密度，並且可以以同於從相當大的磁疇取得之振幅，從微小記錄磁疇取得再生訊號。而且，即使當本發明的媒體以高速移動時，其仍能穩定地再生訊號。此外，由於防止假訊號從再生光點的下游側外漏，所以，可以實現具有較大容量的媒體而不會使得記錄及再生裝置複雜化及成本增加，而裝置的構造仍維持與傳統裝置相同。雖然參考目前視爲較佳的實施例，說明本發明，但是本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -21 - 518559 A7 B7 五、發明説明（19) ，應暸解本發明不限於所揭示的實施例。相反地，發明係用以涵蓋包含於後附申請專利範圍的精神及範圍內之不同修改及等效配置。下述申請專利範圍的範圍係以最廣義的解釋包含所有此種修改及等效結構和功能。 (請先閲讀背面之注意事項

--裝—— \^^寫本K 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22-

Claims

518559 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 · 一種磁光記錄媒體，於其中資訊被再生，並藉由根據光束所形成的溫度分佈使磁疇位移及具有最大溫度T r ，以放大記錄磁疇，包括：再生層，其中，磁疇被移位；記錄層，用於保持對應於資訊之記錄磁疇；及截斷層，配置於該再生層與該記錄層之間並具有之居禮溫度低於該再生層及該記錄層等二者的居禮溫度，其中，記錄媒體滿足下述條件； (Tr-RT)/(Tc2-RT) -1 · 8 其中，T C 2 :該截斷層的居禮溫度，及 R T :室溫。 2 .如申請專利範圍第1項之磁光記錄媒體，其中該再生層、該記錄層、及該截斷層均由稀土-鐵族元素非晶合金所形成，且該再生層具有之成份爲室溫時稀土元素的子晶格磁化佔優勢。 3 ·如申請專利範圍第1項之磁光記錄媒體，其中該再生層在相鄰的資訊軌道之間是磁性分離。 4 · 一種再生方法，從如申請專利範圍第.1項之磁光記錄媒體中再生記錄的資訊，該方法包括：當藉由光束使磁疇壁位移以放大記錄磁疇時，將資訊記錄於該記錄層並接著再生該資訊。 ’ 5 · —種光碟，用於再生記錄的資訊，包括： ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----1---：—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -23- 518559 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍基底，具有追蹤導槽及如申請專利範圍第1項的磁光記錄媒體形成於其上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）