TW514557B - Continuous feed coater - Google Patents

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TW514557B
TW514557B TW090122820A TW90122820A TW514557B TW 514557 B TW514557 B TW 514557B TW 090122820 A TW090122820 A TW 090122820A TW 90122820 A TW90122820 A TW 90122820A TW 514557 B TW514557 B TW 514557B
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coating
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TW090122820A
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Andrew T Hunt
Wayne Neilson
Miodrag Oljaca
Edward J Reardon
Tzyy-Jiuan Jan Hwang
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Shipley Co Llc
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Description

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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(1 )[發明領域] 本發明係關於在連續饋進之基板上形成薄膜及塗佈 物之方法及裝置。詳言之,本發明係關於利用一種捲軸對 捲軸(roll to roll)或其他連續饋進之機構,而將一基板、薄 片或捲狀片材之一部分外露於沉積物質中,以增加沉積的 有效面積,然後使該基板繼績前進而形成適當的塗佈物厚 度及均勻度,藉以獲致最大的塗佈處理效率。 [發明背景] 許多年來,喷灑及氣相沉積一直是被應用於在基板上 形成塗佈物,係藉由產生沉積材料之煙霧或蒸氣,然後將 基板之表面曝露在蒸氣中,而形成適當的塗佈物。為了保 存沉積材料,且避免其污染周圍環境,通常係採用一腔室 來將該基板包圍。在許多方法中,該腔室必須抽氣,以提 供無氧或減少氣體之環境,以避免產生可燃性的混合物或 使前軀體(precursor)過早產生反應i在沉積處理期間,該 塗佈材料係可能會沉積在腔室的壁體上,而形成必須加以 回收再利用或必須丟棄的廢棄材料。其他的廢棄物則由排 放系統將材料由腔室中移出而形成。 在化學氣相沉積(CVD)中,蒸氣係在一起泡機或其他 裝置中形成,可使預成艎材料接受一能量源來活化該預成 體,然後形成塗佈材料,接著,此一材料(呈蒸氣型態)便 被發送至基板。近來所發展的CVD方法係包括燃燒式化學 氣相沉積(CCVD),諸如在美國專利第5652021、5858465、 5863604、5997956及6013318號中所揭露者,這些專利之 -----裝·-- rtt先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· •線
本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公餐) 91918 514557 A7
五、發明說明(2 ) (請先閱讀背面之ii音?事項再填寫本頁} 揭露内容皆在此援引為參考。在這些專利中,以燃燒源提 供能量源,以活化在基板表面附近的預成體材料(並且可以 加熱該基板)。這使得不需要再提供一腔室,而可藉由在靠 近基板處產生塗佈材料而增加沉積處理的效率,使得大部 分的材料沉積在基板之適當表面上。當然,視特定的應用 而定,而可以再提供一腔室或遮罩。 不論所採用之塗佈方法為何,在習知技術中所欠缺的 是一種以連績方式來塗佈一基板之大範圍表面積之具有更 高效率的方法。這對於欲以較低成本及減少固態廢料之方 式來大量生產經塗佈之材料的實際解決方案而言,是有其 需要的。舉一實例CVD而言,其正常的沉積效率係5至 30%。因此,便有需要提供更高的沉積效率以降低成本及 增加沉積速率,並且藉由減少廢棄材料而提供環境保護。 [發明之概要] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明係關於一種單面或多面式塗佈機,其特別適用 於在連績性或間歇性饋進之基板上沉積塗佈物^這些基板 可以具有數種不同型式之連續性或連接式基板,包括(但不 以此為限):可撓性基板,諸如連續線材、片材、線帶、光 纖電纜、長條片或長條帶(諸如超導體長條帶或者較為 堅硬的基板,諸如板體、桿體,管體及長形基板,其中這 些堅硬的基板係相互連接或者由輪送帶所輸送,而得以連 續地饋進基板材料。當基板係以可繞性材料之型式來連續 饋進時,諸如線材、線帶或片材,這些材料係可以被支撐 在一捲軸上。此類材料之一實例係銅箔,諸如在電子工業 ^紙張&度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公if) -' --- 2 91918 514»/ A7 ------— B7____ 五、發明說明(3 ) 中用以在印刷配線板(PWB)上逐漸形成電路之銅箔。然 而’應瞭解的是’以下將說明之本發明的捲軸對捲軸式塗 佈機實施例’係可以在相當廣泛的片狀材料上形成塗佈 物。這些材料包括(但不以此為限)··金屬箔片,諸如鋁, 鋼、不銹鋼及鎳;塑膠,包括熱固性(熱固性塑膠)及熱塑 塑膠,以及其他材料,諸如環氧樹脂玻璃或Kapt〇n⑧(一 種由DuPont®公司所生產之多元亞胺基薄膜)。 本發月係構成一種沉積空間(dep〇Siti〇n plenum),係一 種部分由欲塗佈之基板所構成之沉積腔室。藉由使基板材 料彼此極為靠近或者係與其他表面極為靠近,如此便可以 提供該沉積空間之至少一壁體。薄片或基板之側緣係彼此 相接觸,以構成一封閉的薄片系統,或者利用側邊堰體來 加以岔封,以構成具有多邊形截面形狀之沉積空間,使得 蒸氣不會由材料之邊緣散逸出去。該塗佈機之捲轴對捲軸 式實施例係具有兩組或更多組供應及捲收滾輪(take_up rollers),以將多個薄片向前饋進,而使未塗佈表面可以出 現在腔室的内部空間中,同時將已經過塗佈之表面由腔室 中傳送出來。為了使薄片可以彼此極為靠近,供應捲軸之 材料係經由定位滚輪來饋進,而通過一薄片處理部分,且 最後到達捲收滾輪。欲沉積在捲狀材料上之塗佈物係由一 塗佈材料供應源來導入至沉積空間中,其令該塗佈材料供 應源係定位在沉積空間的底部,並且經由沉積空間的頂部 排放出去。藉由提供一沉積空間,其中該沉積空間之一個 或多個較大表面積的壁體係由欲塗佈材料所構成 ,如此便 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· .線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用令國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 3 91918 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
91918 A7 五、發明說明(4 可以提供具有極佳效率的塗佈系統。當然,其中一個較大 之壁體亦可以由一固定元件所取代,諸如觀察窗,只是如 此其效率會較差一些。然而,這對於製程的實驗分析係有 用的’或者在僅想生產一捲塗佈材料的例子中係有用的。 該固定式壁體在使用後必須加以清潔,以將形成於其上的 塗佈物加以清除,或者該固定式壁體係一基板,而於其上 具有所需要的塗佈物。若欲使用捲軸對捲軸式塗佈機來塗 佈其他可撓性基板,則這些基板(諸如線材、管體,長條片 或光纜電纜)係可以連接至一支撐薄片,或者係直接捲繞在 供應及回收捲軸。這些材料接著便可以饋進通過該沉積空 間,如上述之連績片材一樣。 其他非可撓性基板亦能以連續方式來加以塗佈。舉例 來說,堅硬板體、管體、長條片、桿體係可以彼此連接在 一起’或者係藉由輸送帶而以連績方式來饋進至沉積空間 中,並且當離開沉積空間之後,利用在自動化工業領域中 所習知慣用的適當饋進機構來加以收集之。再者,這些基 板以及可撓性基板亦可以在進入至沉積空間之前,才剛藉 由擠壓、滾軋或其他方法所生產出來,如此便能以一種有 效率的方式來整合製程。當正要進入至沉積空間之前才將 材料擠壓成具有特殊形狀時(例如,桿體或薄片),該擠壓 器便可以做為該連續進料塗佈機之進料裝置,而非採用針 對以下將說明之捲轴對捲軸式塗佈機所述之供應捲軸。亦 可採用額外的後續處理步驟(諸如切割、堆疊或退火),以 進一步增加製程的整體效率。連績進料塗佈機的多樣式, (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) --------^--------- 經濟部智慧財產局員工薄費合作社印製 514557 , A7 • B7 五、發明說明(5 ) 係使其可以沉積許多類型的材料。藉由提供數個連續的沉 積空間,數種不同的塗佈物便可以”接二連三地,,來加以沉 積,不論係在其他基板處理步驟之前或之後。舉例來說, 一製造程序係可包括以下之步驟··將一金屬材料滾軋成薄 片;將該薄片傳送至第一沉積空間,以在該薄片之表面上 塗佈第一材料,·將該薄片傳送至第二沉積空間,以在相同 或另一表面上沉積相同或不同的材料;將該連續薄片傳送 至切割工站,以形成數個板片狀基板;將該板體傳送至第 二沉積空間,以在板片之表面上沉積第三材料;以及將板 片傳送至堆疊工站,而將該板片加以收集。當然,這只是 一個示例性實例,此製造程序的許多整合、變化及擴充亦 可行。由於這些整合製造技觀係習知的,因此在本發明應 用範圍内,對此便不再多加以說明。 在沉積空間的大部分係由欲塗佈基板所構成之連績 進料塗佈機的設計’係可以提供超越習知技術之沉積方法 與腔室之優點。在習知技術的沉積方法中,將基板被放置 在沉積腔室中,且將沉積材料饋進至該腔室中,而造成材 料沉積在基板以及沉積腔室的壁體與其他不需要沉積的表 面上。雖然本發明之沉積空間的某些部分(諸如側邊堰部) 亦並非是欲加以塗佈之基板,然而該沉積空間之相當大的 比例係由基板表面所構成。處理之效率便會隨著此一比例 的增加而增加。在某些實施例中(諸如沉積空間之壁體係形 成一觀察窗的型式),此一比例可能會低到40%、50%或 75%。在較有效率的實施例中,該沉積空間之内部表面積 ^--------t---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格(210 x 297公爱) 5 91918 514557 A7 -—---2Z--- 五、發明說明(6 ) 之90〇/〇、95%且甚至高達99%,係由基板表面所構成。舉 一簡單的例子來說明,可考慮隔開1公分之兩個122公分 宽的薄片(即密封該沉積空間之側邊堰部之寬度)。假設在 沉積腔室之長度上係具有均勻的寬度輪廓,則這所形成之 基板比例便為224公分/(244公分+2公分)= 99.19%。當然, 側邊堰部本身亦可以係長條狀的基板材料,藉此可以增加 可用的基板表面的比例。若基板之個別部位係彼此相接觸 或碰觸,包括有目的的彼此接觸或碰觸,則便不需要採用 側邊堰部,然而基板沿其邊緣的某些部分有可能無法充份 地被塗佈。此未塗佈或部分塗佈的部分,係在本說明書中 所述之基板標的區域以外,其在後續的製程中係必須加以 修剪。 在沉積空間中之環境並未侷限於任何特定的氣體或 液鱧流動或特定的壓力。不論係沉積空間壁體的形狀及方 位不一定要如以下詳細說明中所述之捲軸對捲軸式塗佈機 之較佳實施例所述,將其限制為垂直方向。舉例來說,當 沉積空間之壁體係連續移動或為可移除面板及長條帶時, 沉積空間便不一定係要垂直的。沉積空間之内部係可以具 有蒸氣’以在基板上進行蒸氣沉積。或者,若塗佈方法係 採用脅灑液體或塗佈粉末於基板表面時,則可以採用標準 大氣,以使塗佈操作更具有彈性。在某些情況下,可能需 要在沉積空間中充填惰性氣體,諸如氮氣,以降低沉積物 質在沉積於基板之前產生反應。在其他例子中,在沉積於 基板表面之前’於沉積空間中係可存在一種氣體(諸如氧氣) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
裝--------訂---------線A 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公爱) 6 91918 514557 一 1 m ' ...... ———————————————— 五、發明說明(7 ) 而可以與所提供之蒸氣或液鱧產生反應,藉此形成所想要 的塗佈材料。藉由本發明之教示,對於沉積領域有普通瞭 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 解之人士應可瞭解,在本發明之範圍内,其可以具有無數 種沉積技術的組合。 本發明之沉積技術係具有一超越習知技術方法之優 點,因為該沉積材料係被大致斜向地導引,然後再大致地 平行於基板來流動(不像其他方法,其中該蒸氣係被導引而 直接撞擊(諸如以垂直的角度)在表面上,而殘留的材料則 係流向旁邊)。在此方式中,停留的時間會增加,藉此可讓 更多的塗佈材料得以沉積。在基板之間以及在沉積空間申 之漩流係可以進一步地增加沉積效率及均勻度。雖然在較 佳實施例的說明t,其係使材料垂直地流經該沉積空間, 然而可以瞭解的是,視應用類型而定,該流經該沉積空間 的々’L動方式亦可以係向上、向下或者係側向流動。當在較 佳實施例中採潘一加熱的沉積蒸氣時,採用垂直流動係較 有用的,因為這可以利用原本就存在的熱抽引作用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 就本發明之實施例及方法而言,其中流體係流經沉積 空間,其通常最好在該沉積空間中提供漩流,以在基板表 面上形成更均質且均勻的塗佈物。就CCVD利用一火焰來 做為加熱源以形成至少一部分的沉積物質之實施例而言, 其中之一種提供旋流的方法便是朝火焰來吹風。此種,,吹 風’’係可以藉由一喷口來將空氣朝向火焰吹,或者藉由在火 焰附近設置扇葉來達成。在沉積空間中產生漩流的其他裝 置係包括(但不以此為限):空氣(或其他氣體)之喷流的共振 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(8 ) 脈波;聲波(藉由使基板本身或者係沉積空間之其他基板體 振動所產生’或者係藉由在聲波範圍内脈動空氣喷流所產 生)’或者係藉由使用機械式擴散器。放置在流體流動路徑 中之桿體、線材或其他物件亦可以產生旋流。這些物件的 材料應避免使沉積物質產生集結,以避免其累積在這些物 件上。或者’該物件亦可以係基板本身,而使塗佈物可以 累積於其上。視基板之磁性而定,該基板之振盪亦可以藉 由磁力而產生,或者可以藉由流體喷流或聲波撞擊在基板 之一個或以上之表面來產生。 該塗佈材料供應源可以係以下任何一個供應源或者 係其組合的供應源·起泡器、CCVD喷嘴、超音波汽化器、 喷務器、物理蒸發等等。其他材料亦可以利用連續進料 塗佈機來加以沉積,其係藉由提供一個或更多的喷嘴來傳 送喷灑材料來進行沉積,諸如熱喷流(通常在室溫下為固態 的熔化材料)及液體喷流。亦可利用連續進料塗佈機來供應 粉末塗佈物。藉由使基板帶有靜電荷,該喷灑的粉末便可 以被導引至基板表面。同步地或連續地加熱該基板係會使 塗佈物熔化然後再凝固於基板上。在所述的較佳實施例 中,其係採用一種雙喷嘴CCVD裝置,並且提供一喷嘴遮 罩來將由CCVD火焰所產生之蒸氣導引至收歛的基板上, 同時利用壓力差來導引蒸氣在兩薄片材料之間流動。該火 焰係可以在沉積空間的底部來回地掃描,以分散該塗佈材 料,而在薄片的寬度方向上提供均勻的塗佈。可以採用各 種不同的火焰形狀設計,以促使在沉積空間中產生漩流及/ -----------·裝.丨丨——訂---------線參 (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 8
9191S 514557 • Α7 _ Β7 五、發明說明(9 ) 或使塗佈材料在沉積空間均勻地分佈。以具有長形截面形 狀之沉積空間而言,其可以採用一列火焰,而具有多邊形 之沉積空間則可以採用圓形設計之火焰。應瞭解的是,在 以下所說明之CCVD型材料供應源僅係做為示例性的原理 說明,其可以採用各種不同的供應源,這係視所欲沉積的 材料類型而定。舉例來說,若有需要沉積鐵或銅,則可以 採用乙烷基己酸鎳或乙烷基己酸銅。或者,亦可以採用一 種起泡器,其内含適當的可蒸發預成體,並且配合管路設 計而將沉積蒸氣傳送至沉積腔室的底部。 沉積空間的頂部係具有一排放口,其壓力係低於沉積 空間中的壓力。在以下即將要說明的捲軸對捲轴式塗佈機 中,係採用一排氣風扇,且該排氣風扇之速度係根據在排 氣系統中所測得的靜壓來加以控制。複數個動輪轉子係間 隔配置在沉積空間的寬度上,使得所有的氣流可以通過該 動輪轉子°每一動輪轉子係包括一流量計,且該流量計係 具有一滑動閥,以調整分別流經每一動輪轉子的流量。在 流量計之每一滑動閥下方係具有一溫度感測器及一靜壓感 測器,係用以分別測量流經每一流量計之氣流的溫度及壓 力。在動輪轉子上方之收集器係包括一靜壓感測器,係用 以測量在動輪轉子下游的壓力。該由靜壓感測器所測得的 靜壓係用以做為控制排氣風扇之基準,以及用以做為控制 每一滑動閥之測量基準線。藉由此方式,該沉積空間之狀 態資料係用以控制細孔彼此相對之尺寸,以及控制通過$冗 積空間之寬度的差壓,以進一步在兩基板材料之薄片的寬 --------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - -線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) 9 9I9I8 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明(10 ) 度上提供均勻的塗佈物。此控制亦可以手動調整式細孔之 方式來提供,或者若有需要動態控制,亦可以係自動回餚 控制系統。該排氣系統係捲軸對捲轴式塗佈機之一整體的 部分;然而,應瞭解的是,此類型之流體流動控制亦可以 應用在其他的沉積裝置或其他流鱧控制裝置❶在此應瞭解 的是,在本說明書中之流體係可以延伸及於任何可以流動 的材料,包括氣體、液體及懸浮液,但不以此為限。 為了具有均勻厚度,滾軋材料係可利用一具有編碼器 之惰轉滾輪及適當的回饋控制,而以固定的速度來饋進。 所產生的蒸氣係置於極靠近該基板的大部分,而未沉積之 蒸氣則係被抽離。這便形成一種極有效的塗佈方法。亦可 以採用另一種利用拉動滾輪及一邊緣夾擠滾輪之驅動系統 (類似於使用在膠帶驅動機構中之滾輪),以確保薄片具有 固定的速度’而不需要速度測量及回饋控制接著,便可 以驅動該捲收滾輪,如在以下之詳細說明中所述之捲收滚 輪,而僅將薄片捲繞於其上。當薄片捲繞在捲收滾輪上時, 為了在每一薄片中保持張力,有一個安裝有惰轉滾輪之負 載至係可用以提供拉緊回饋控制,以控制該驅動捲收滾輪 之馬達。 在此係揭露兩種不同的薄片處理實施例,而所採用的 特定實施例係視所欲塗佈之材料而定。在第一實施例中 在沉積空間中係具有複數個水平定位的拱形桿。這些棋形 桿係由低磨擦力材料所製成,並且可以導引薄片材料Ύ 在薄片中沿著一水平線來形成小彎角。在兩薄片係藉由棋 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210^ 297公餐) 10 (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝--------訂---------線 A7
五、發明說明(U ) 形桿而被重新定向的部位上,由於流動*積的改變,因此 便會產生文氏管作用。此文氏管作用係會在蒸氣中產生漩 流,破壞邊界層而形成較均質且較均勻的塗佈物。該拱形 桿亦可以係、-種空氣式支承件的類型,其中空氣係經由拱 形桿中之小穿孔所導出,而以低磨擦力的方式來支撐該薄 片。薄片處理部分的第二實施例係包括一個真空夹頭,係 可以保持兩薄片呈平坦狀,以避免薄片扭曲變形或皺縮, 且藉此提供更均勻的表面,以及更均勻的塗佈物。 許多塗佈方法係需要將該基板加熱,以使塗佈物可以 形成在基板的表面上。本發明之連續進料塗佈機的設計係 能使此加熱方式更具有效率。在沉積腔室中之薄片基板後 面提供加熱桿’係可以在基板位於沉積腔室中的情況下來 加熱之。當基板進入及離開該沉積空間時,其有可能會需 要以交替或逐步之方式來加熱及/或冷卻該基板^在捲軸對 捲軸式塗佈機的實施例十,這可以藉由加熱每一用以傳送 薄片之滚輪以升高或降低其溫度來達成。當在連績滾輪的 部位上採用空氣式支承件時,亦可以加熱或冷卻該空氣, 以控制基板的溫度。此加熱或冷卻係視所使用之材料以及 所需要的最終產品而定。舉例來說,當藉由在鋼箔上沉積 鉑來產生埋入式電阻器時,該箔片之初始溫度係大約為 22°C(室溫)。舉例來說,在第一階段中,該箔片溫度係會 上升,首先係66。(:,然後係77°C,最後在沉積腔室中為 93°C。在離開沉積腔室之後,箔片溫度係降低至77°C,然 後係66。(:,最後係回到室溫。此在溫度上的步階式增加及 ^ . —-----^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張&度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 11 91918 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(12 ) 降低係有助於控制箔片的膨脹及收縮,藉此減少會破壞最 終產品之品質的皺縮現象。在此應瞭解的是,針對其他的 應用,基板之加熱、冷卻及可能的同時加熱及冷卻,係在 沉積程序之不同階段有其需要,這係視所欲產生的材料及 產品而定。甚至可以預期的是,在某些應用中,該基板可 能會需要產生皺縮或其他溫度引致的變形。 為了確保所需要的塗佈物係可以被供應至薄片上,因 此最好使用一種薄片檢查系統。當薄片離開該沉積腔室 時,該薄片檢查系統係可以利用X射線螢光(XRF)、光學 或其他類型的裝置。這些檢查方法係在沉積領域中眾所周 知的,因此在此便不需要再加以詳細說明。該檢查系統可 包括數個感測器,在薄片的寬度上間隔配置,或者係具有 以下將說明的機械式掃描系統。 該捲軸對捲轴式塗佈機之電動馬達、制動器、沉積空 間及其他的系統,係可以藉由決定最佳化設定值及利用操 作員輸入裝置來調整各種不同的控制,而能以一種手動方 式來加以控制。若有需要一個更佳化的控制系統,則可以 採用一電腦型控制系統。如以下針對圖式之說明中,該電 腦型控制系統係包括數個感測器,以由捲軸對捲軸式塗佈 機之各種不同的元件中測量速度、流量率、溫度及麼力。 根據由這些感測器所接收到的信號,電腦接著便可以控制 馬達、制動器、泵、閥、及其他使用在捲軸對捲軸式塗佈 機中之控制裝置。用以產生所需要結果之程式,乃係熟習 電腦程式之設計者所熟知的,因此在本申請案中便不再加 -----------•裝--------訂---------線# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 12 91918 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(13 ) 以詳細說明。 利用本發明所形成之沉積層可以薄如單分子層,因二 本發明之方法係可以產生連續的單層塗佈物。此薄層係… 有實用性,例如,可以做為後續電鍍或無電式電鍍的種層具 因此,可以沉積之最薄層體係視欲沉積之個別分子或分^ 混合物的尺寸而定。然而,大體而言,通常係沉積且^ 少數個分子厚度之層體,以確保該層體可以連續地沉積在 基板表面。 同樣地,視塗佈時間而定’對於可以沉積之材料厚度 並未有實際的上限。然而,當相較於用以製備較厚塗佈物 之其他方法而言,極厚層體的沉積係較不具有效率。 可藉由本發明之捲軸對捲轴式塗佈機來加以沉積之 一種重要的材料係鉑/氧化矽複合物,其係用以構成埋入式 電阻器。此一層體的厚度係可以小至單分子層,但通常係 至少釣為10奈米。針對可以使用目前蝕刻方法來加以處理 之薄層材料,其厚度之上限值係大約為150奈米,然而亦 可以使用較強的腐蝕劑來蝕刻較厚的層體。針對可以構成 埋入式電阻器之鉑/氧化矽薄層之較佳厚度,係大約介於50 及120奈米之間的厚度範圍。 針對其他材料之最大及最小薄膜厚度,係視材料以及 終端用途而定〇 [圖式之簡單說明] i--------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第1圖係本發明之捲軸對捲軸式塗佈機之正視圏。 第2圖係第1圖之捲軸對捲軸式塗佈機之左側視圖
91918 514557 A7 B7 五、發明說明(14 ) 第3圖係第1圖之捲軸對捲軸式塗佈機之右側視圖。 第4圖係沿第1圖之剖面線4-4所取之截面視圖,其 中顯示捲轴對捲轴式塗佈機之相對的薄片結構。 第5圖係沉積腔室之放大視圖,其令顯示捲軸對捲轴 式塗佈機之薄片支撐裝置之第一實施例。 第6圖係沉積腔室之放大視圖,其中顯示捲軸對捲轴 式塗佈機之薄片支撐裝置之第二實施例。 第7圖係用以可轉動地固持該薄片支撐捲軸之其中一 可調整機構及支承件的放大視圖。 第8圖係沿著第2圖之剖面線8-8所取之捲轴對捲轴 式塗佈機之沉積空間的截面放大視圖,其中顯示沉積空間 内部之細部結構。 第9圖係捲轴對捲轴式塗佈機之電腦式控制系統的方 塊圖。 第10圖係構成一沉積空間之複數移動薄片陣列的俯 視圖。 第11圖係第10圖之薄片陣列的截面視圖。 第12圖係第11圖所示之氣體導引空氣流動管之一部 分的放大視圖。 第13圖係利用一機械式氣體導引裝置之薄片陣列的 部分裁面視圖。 第14圖係藉由一轉動式喷灑裝置來加以塗佈之薄片 陣列的部分裁面視圖。 第15圖係第14圖之轉動式喷灑裝置之另一實施例的 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) 14 91918 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ▼裝--------訂---------線邊 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 一 _ B7____— 五、發明說明(15 ) 仰視圖。 第16圖係一用以塗佈該薄片之喷灑裝置之平板狀偏 向器實施例的側視圖。 第17圖係一用以塗佈該薄片之喷灑裝置之錐狀偏向 器實施例的側視圖。 第18圖係用以塗佈該薄片之喷灑裝置之風扇型偏向 器之俯視圖。 第19圖係一截面視圖,其中顯示該薄片之另一種傳 送方法以及數個漩流形成裝置。 第20圖係本發明之連續進料之線材/帶體塗佈機之概 -------------· I------^ -------I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 要視圖。 [元件符號說明] 10 捲轴對捲轴式塗佈機20 排氣系統 30 原處塗佈物檢查系統40 薄片處理部 50 塗佈材料供應源 100 薄片支撐捲軸 102 供應滾輪 104 - 106 側邊板體 108 橫桿 110 腿部 112 縱向橫樑 114 平整度調整機構 116 螺紋轴桿 118 調整螺帽 120 支腳 122 支撐架 124 進料滾輪 126 薄片溫度控制器 130 下方切線滾輪 132 薄片支撐板 134 上方切線滾輪 136 加熱桿 138 邊緣密封件 140 驅動馬達 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 15 91918 514557 A7 B7 五、發明說明(16 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 142 驅動齒輪 144 被動齒輪 146 驅動皮帶 148 編碼器 150 電磁制動器 152 制動齒輪 154 受限齒輪 156 制動皮帶 158 - 1042 、 1500 嗔嘴 160 噴嘴支撐板 162 > 178樑體 164 垂直支撐件 166 隔離板骨架 168 下方隔離板 170 托架 172 橫移機構 174 電動馬達 176 可撓性導管 180 連接器 182 滑動閥 184 執道 186 薄片掃描檢查系統 200 下方側邊壤部 202 臂部 204 橫向橫樑 206 喷口 208 排出口 210 薄襯片 210? 最終傳送路徑 212 薄襯紙滾輪 214 左侧空氣堰部 300 右側空氣堰部 400 入口區域 402 開口 404 動輪轉子部分 406 收集器 408 上方動輪轉子支撐板 410 下方動輪轉子支撐板500 拱形桿 600 穿孔薄板 601 中央導管 700 下方支承塊 702 上方支承塊 704 螺栓 706 螺紋扣件 708 螺紋穿孔 710 鎖固螺帽 裝--------訂--------->^· Γ请先閱讀背面v>i意事項再填寫本頁> 本纸張尺度過用中國國冢標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 16 91918 514557 五、發明說明(17 712 800 804 900 904 908 910 - 912 916 920 922 1000 1002 凹溝 動輪轉子 溫度感測器 中央處理器 監視器 重新定向控制器 914 、 918 重新導向流動控制迴路 伺服馬達控制迴路 薄片掃描檢查系統控制迴路 714 802 806 902 906 808 插销 流量計 #髮感測器 傳统個人電腦系統 鍵盤 控制迴路 陣列 薄片 1006、2007回收捲軸 1010 排氣遮蓋 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1020 1030 1040 1504 1602 1800 1900 1904 1908 1912 長形管體 結構性導流板 流體導管 中央管體 板體 風扇 平行薄片 發散薄片 收歛薄片 槳輪 1001 1004 1008 1012 1022 1032 1044 1600 1700 1802 1902 1906 1910 1914 外部加熱器 進料捲軸 火培供應源 1804箭頭 開孔 支柱 1502喷流 中央供應管 錐狀偏向益 葉片 •彎出薄片 弯入薄片 水平管 桿體 -------------^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210^ 297公餐) 17 91918 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(18 ) 2000 裝置 2001 線帶 2002 供應捲轴 2003 底部導引捲轴 2004 漏斗部 2005 管體 2006 上方引線捲軸 2008 CCVD喷嘴 [較佳實施例之詳細說明] 本發明可以由以下之較佳實施例的詳細說明以及圖 式,而獲得更深入的瞭解。在此應瞭解的是,以下之實施 例僅係連續進料塗佈機之一個特定實施例,其仍可以具有 諸如在摘要中所說明之各種不同的變化,而不會脫離本發 明之範圍。 第1圖至第4圖係顯示連續進料塗佈機之實施例之一 種捲軸對捲轴式塗佈機10的各個不同視圖。該捲轴對捲轴 式塗佈機係包括壓力控制之排氣系統20、原處塗佈物檢查 系統30、薄片處理部40及塗佈材料供應源50。所有這些 次系統皆係安裝在一骨架上。該骨架係包括兩個側邊板體 104及106,係藉由數個橫桿108而固定在一起。側邊板體 104及106皆係呈兩件式設計,係藉由臂部202而連接在 一起,並且支撐在腿部110上。該腿部係藉由縱向橫樑112 及橫向橫樑204而連接在一起。腿部110係皆包括一個具 有高度及平整度調整機構114之支撐凸緣,該高度及平整 度調整機構114係包含一螺紋轴桿116、調整螺帽118及 支腳120。由於此類型之高度及平整度調整機構係習知 的,因此在此並不需要對其進一步加以說明。視捲軸對捲 轴式塗佈機10之整鱧尺寸及強度需求而定,該骨架構件係 -----------·裝-----------訂---------線· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 18 9I9I8 514557 A7 B7 五、發明說明(19 ) --------------裝·-- (請先閱讀背面之泫意事項再填寫本頁) 可以由任何適當的材料所製成。已發現鋁的強度足以做為 側邊板體104及106、腿部110及橫樑U2與204,而不銹 鋼的強度則可以做為橫桿108。 .線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 捲軸對捲軸式塗佈機10之整體操作的說明,最好先 參照第1圖至第4圖來說明材料薄片通過薄片處理部4〇 的行經路徑。在此應說明的是,在以下的說明内容中,係 針對第2圖或第4圖之左側或右側的薄片處理部4〇來加以 說明’因為相對的薄片處理部係與另一個薄片處理部呈對 稱關係。材料薄片W係裝設在一薄片支撐捲軸i 00上來加 以供應。應瞭解的是,在此所用之,,薄片(web),,一詞並未有 特殊的限制,而可包括金屬箔片、塑膠片材或者係任何可 以捲繞在一捲轴上並且可於其上施加塗佈物或薄膜之其他 片材。其他可捲式基板係包括長條帶、線材、管體及纖維, 其可以裝設在一支撐捲轴上,以密封介於欲塗佈之基板之 間的空間腔室的較大側邊。該薄片支撐捲轴1〇〇係裝設在 供應滾輪102上,係利用適當的支承件120而連接至側邊 板體104及106’其中該支承件120係靠置在支撐架122 的頂部。該支承件係包括調整機構(其將在下文中加以說 明),以針對薄片的歪斜,而使得其相對於支撐架122以及 側邊板體104及106之邊緣的相對位置可加以變化(當由第 1圖觀看時,係沿進出紙面的方向來移動調整)。亦可採用 另一種供應機構,其中該薄片在被送入捲軸對捲軸式塗,佈 機之前,會先被拉伸。這便可以免除設置一供應滾輪的需 要。當薄片離開支撐捲軸100時(或其他供應機構),便被 本紙張瓦度適用中國國家標準<CNS〉A4規格(210 x 297公釐) 19 9i9ir 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(2〇 ) 導引而繞過進料滾輪124。進料滚輪i24係可轉動地安裝 在側邊板體104及1〇6 ’或者最好係形成空氣式支承件的 型式。詳言之,這些空氣式支承件係呈抗腐姓、多孔性的 固態金屬滾輪的型式,且在其—端部上係包括一空氣供應 孔口。在箱片處理的技術領域中’該空氣式支承件係眾所 周知的,係包括複數個空氣或氣體孔口沿著該滾輪其會與 绪片或薄片相接觸之表面部分而隔開配置。當空氣或氣體 離開這些孔口時’在滾輪表面與箱片之間便會形成空氣緩 衝部,而可以保持該猪片與滾輪表面隔開,藉此減少磨擦。 很明顯地’若薄片係-種透氣式材料,則該空氣支承件便 不太具有功效。當薄片被導引繞過進料滾輪124時,其便 會向上及向内傾斜而形成該沉積腔室之一帳蓬狀的入口區 域.4〇〇(參照第4圖)。兩個下方侧邊堪部2〇〇,如第2圖及 第3圖所示,係構成入口區域4〇〇的另外兩側邊。 在離開進料滾輪124之後,該薄片便會經過一薄片溫 度控制器126,在一實施例申,該薄片溫度控制器126係 -種預先加熱器’其係用以在薄片進入至沉積空間之前, 先將該薄片加熱。或者,該薄片溫度控制器126可以係一 種預先冷卻器,以在薄片進八至沉積空間之前,先將該薄 片冷卻。視薄片的材料而定,在薄片進入至會使薄片收縮 的/儿積腔至之前,藉由預先加熱而使其膨脹係相當重要 的,因為此一膨脹可造成薄片最終的回縮。當欲塗佈其他 類^的材料時,其可能需要在薄片進行塗佈處理之前先將 其冷卻。亦可採用其他類型的溫度控制器(圖上未顯示), -----------裝--------訂---------線In· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵〇χ 297 y 20 91918 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514557 A7 -—_ B7 五、發明說明(21 ) 以在薄片進入至沉積空間之前(如薄片溫度控制器126)以 及在薄片離開沉積空間之後,交替地增加或降低薄片的溫 度。用以傳送薄片經過該捲軸對捲轴式塗佈機之各個滾輪 係可加熱或冷卻,以提供所需要的溫度控制。再者,當在 這些滾輪中採用空氣支承件時,亦可將空氣本身加熱或冷 卻,以提供溫度控制。 薄片接著便進入至沉積空間中,且接由下方切線滾輪 130而將其重新導引向上。薄片支撐板132係延伸在下方 切線滾輪130與上方切線滾輪134之間。該薄片支撐板係 包括薄片支撐裝置,其將在下文中參照第5圖及第6圖來 加以說明。薄片支撐板的背面係包括數個加熱桿136,其 係視需要來升高沉積空間中的溫度。該薄片支撐板丨32的 頂部及底部係包括邊緣密封件13 8,係用以阻絕沉積空間 與周圍空氣。邊緣推封件138係由聚四氟乙烯或其他抗熱 性、低磨擦性材料所製成。雖然下方切線滾輪丨3〇及上方 切線滾輪134係可以轉動地裝設在側邊板體ι〇4及丨〇6 上’然而其最好係具有上述針對進料滾輪124所述之空氣 式支承件。當採用空氣式支承件時,邊緣密封件138便不 一定要由低磨擦性材料所製成。在上述滾輪124、130及 134中使用空氣式支承件的一個優點係在於,該空氣式支 承件係可使薄片隨著其被加熱及冷卻而橫向地膨脹及收 縮,這乃係本發明之一特點。這可以減少或消除薄片的皺 縮,進而形成完美的最終成品。兩薄片支撐板132係彼此 連接在一起,且由左側空氣堰部214及右側空氣堰部300 ---------------------^---------^ (請先閱讀背面之注意事頊鼻填寫本買〕 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公餐) 21 91918 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明說明(22 ) 所支撐。除了可以防止沉積氣體離開該沉積空間以外,當 其藉由適當的支撐桿(圖上未顯示)而連接至臂部2〇2時, 側邊空氣堰部214及300尚可支撐該薄片支撐板。在離開 沉積空間且被導引繞過上方切線滾輪134之後,該薄片便 捲繞在該安裝在被動式捲收滚輪138上之薄片支撲捲轴 100。或者,亦可以採用其他的薄片捲收機構,諸如切割及 堆疊站。若所需要的產品係塗佈有材料之分離式片材或板 片時,則便可以不需要採用捲收滾輪。為了驅動薄片通過 該薄片處理部40,將驅動馬達140利用驅動齒輪ία、被 動齒輪144以及驅動皮帶146而活動式地連接至被動式捲 枚滾輪138®編碼Is 148係連接至馬達轴桿,以在塗佈操 作期間監視該馬達轴桿的位置及速度。在捲軸對捲軸式塗 佈機之整體電腦控制系統中係包括薄片之電腦式速度控制 器,此將在下文中做進一步地說明。為了保持薄片在饋進 至沉積空間時係呈現拉緊的狀態,將電磁制動器150利用 制動齒輪152、受限齒輪154以及制動皮帶156而活動式 地連接至供應滚輪102。就速度控制而言,將輸入至電磁 制動器150之電流(及因此產生的制動力)由電腦控制系統 來加以控制,此將在下文中說明。雖然皮帶及齒輪機構的 較佳實施例係包括齒狀、人造橡膠的定時皮帶及缺口齒 輪,然而視該捲轴對捲轴式塗佈機之尺寸、欲處理之材料 及其他因素而定,其亦可以採用其他類型的傳動機構。在 圖式中所示之齒輪的相對尺寸僅係示例性尺寸,實際所需 要的尺寸係要根據所需要的薄片速度、馬達及制動類型以 -----------1--------1---------線· (•tf先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張&度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公爱) 22 91918 514557 A7 —---—_____ 五、發明說明(23 ) 〜 及其他因素來加以選擇。如前所述,驅動系統的另一實万 例(未顯示)係可以包括一拉力滾輪及一邊緣夹擠滾輪,施 似於使用在膠帶驅動系統中之主驅動器。 類 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 乃』M刼用許多 其他類型的驅動機構,以推動、拉動或者係驅動薄片通過 該捲軸對捲軸式塗佈機。這些細節乃係熟習電機領域之工 程師所熟知的,因此諸如此類的細部結構在此便不再說 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第2圖至第4圖係顯示一可視情況選用之薄襯片 210,用以保護該離開沉積空間之經過塗佈的薄片。為了圖 式簡潔之緣故,該薄襯片210及支撐構件係由第i圖中省 略。薄襯片210係捲繞在一薄片支撐捲軸1〇〇上,相同於 薄片捲繞在薄片支撐捲軸之方式。該薄片支撐捲軸1〇〇係 裝設在一薄襯紙滾輪212上,而該薄襯紙滾輪212則係可 轉動地安裝至側邊板體104及106。當薄片捲繞在該裝設 在捲收滾輪138上之薄片支撐捲軸1〇〇上時,該薄槪片21〇 亦會捲繞在該薄片上,而構成位在薄片之相鄰層體之間的 保護層。薄襯片210可以由任何保護性材料所製成,當該 薄片係金屬箔片時,該薄襯片以採用塑膠材料為佳,然而 針對其他的應用,亦可採用布質或紙質的薄襯片。除了保 護經塗佈之薄片以外,該薄襯片實際上亦可以構成最終成 品的一部分,其可以係自黏性或熱反應式黏膠的型式,或 者係在後績製程中可以附著至薄片的材料。第4圖係顯示 當沉積處理程序由一完整的供應滚輪丨〇2進行至一完整的 捲收滾輪13 8時,該薄片及薄襯片的傳送路徑。以實線所 本紙張瓦度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 23 91918 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 24 514557 五、發明說明(24 ) 、’專片w係表不初始的薄片傳送路徑’而以虛線表示 之薄片W則係表示當有需要更換該位在捲收滾輪138與 供應滚輪102上之薄片支撐捲轴時之最後薄片傳送路徑。 藉由使用相同的薄片支撐捲軸1〇〇,在供應滾輪102上之 已經空的薄片支撐捲軸100便可以移動至捲收滾輪138, 使得裝載有未經塗佈薄片之新的薄片支撐捲軸100可以放 置在供應滾輪1〇2上。薄襯片210之初始及最終傳送路徑 亦顯不在圖示中,以實線所示之210係表示初始傳送路 徑,而以虛線所示之210,則係表示最終傳送路徑。很顯地, 亦可以採用電子感測器(光學感測器或機械式跳動桿),以 警告操作員需要更換一個或多個捲轴1〇〇。 用以塗佈該薄片之蒸氣係由整體以標號5〇所標示之 塗佈材料供應源所產生及/或供應。在圖示之特定實施例中 係採用兩個CCVD喷嘴158,如在美國專利第5997956號 中所揭露者’然而如前所述,亦可以採用其他的材料供應 源。在由這些噴嘴所產生的兩道光焰之間,係具有一定位 在令間的空氣或氣體喷口 206,將沉積氣體導引向上,且 當沉積氣體朝向沉積空間而移動時,該喷口 2〇6係有助於 將該沉積氣體散開。喷嘴158及喷口 206係利用適當的托 架及塾高件而裝設在一喷嘴支撐板16〇上。若有需要,這 些托架可以係可調整式托架,而可以改變該喷嘴^58及= 口 206之間的角度及位置。該板體16〇接著係可以支撐在 兩個樑體162上,當位在如圖所示之中間位置時,該=體 係延伸超過捲轴對捲軸式塗佈機10的兩側邊。四個垂直支 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐 91918 -----------—:----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514557 A7 B7 ' ---~一 — 五、發明說明(25 ) 撐件164係定位在標體162的兩端,以支撐一隔離板骨架 166以及一下方隔離板168。下方隔離板168係包括一定位 在中央的開口 402(顯示在第4圖的截面圖中),其係可使由 該C C VD喷嘴158所形成的沉積氣體進入至沉積空間申。 下方隔離板168的其餘部分係封閉的,以防止沉積氣體由 沉積空間的底部離開,並且避免沉積空間受到污染,且可 使沉積氣體正確地流經該沉積空間。為了提供均勻的沉 積,當以第1圖觀看時,該CCVD喷嘴158、喷口 206以 及支樓在樑體162上的整個滑座,係會在兩個下方側邊堪 部200之間前後來回地掃描。下方隔離板ι68之額外長度 係可確保當進行該掃描時,該沉積腔室的底部係永遠保持 封閉狀態。兩個托架170係支撐該樑體162,且藉由橫移 機構172而前後地移動,此技術乃係自動化工業所習知慣 用的。電動馬達174係可提供此一運動,係由捲軸對捲軸 式塗佈機的電腦系統所控制。為了保護喷嘴158及喷口 206 所使用之各種可撓性氣體及液體供應管,設可撓性導管 176包圍該供應管,並且可以撓曲以配合組件的移動。可 撓性導管176的末端係連接至隔離板骨架166上方及樑體 178下方,且該橫移機構172係支撐在橫向橫樑204上。 該氣體及液體供應缸、泵、閥及其他控制件皆已省略,因 為這些都是化學蒸氣沉積CVD技術領域中眾所周知的元 件,且在此便不再進一步說明之。 為了控制沉積氣體流經該沉積空間的流動,設有一壓 力經控制之排氣系統20。第8圖係顯示該排氣系統20之 *裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張又度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 25 91918 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 514557 A7 B7 五、發明說明(26 ) 放大的截面視圖,藉此顯示其細部結構。排氣系統之排出 口 208係導通至一排氣風扇或其他負壓產生源,且其亦需 要任何後績沉積、蒸氣收集機構。由於捲轴對捲轴式塗佈 機之沉積處理係極有效率,因此沉積後的廢氣清除通常係 不需要的。本發明之有效的沉積方法的優點係多方面的。 藉由增加該供應至沉積空間中之材料沉猜量’收集未沉積 材料之成本便可以降低。再者,由於不再需要昂貴的回收 設備(在其他的沉積設備之排氣系統下游處係需要該回收 設備),使得設備的總成本亦可以降低。本發明之沉積方法 的另一個且可能係最重要的優點,係在於降低釋放至大氣 中而對環境有害之材料的量值。藉由這些被傳送至排氣系 統之材料量值’使得釋放至大氣中之材料總量值亦可以降 低。當然’就任何沉積方法而言’在排氣系統出口端係可 採用一刮擦器或分離裝置,以收集任何未沉積之材料。這 係相當地重要,尤其係在未沉積材料係相當昂貴的情況 下,諸如鉑或金。在某些情況下,所收集的材料可能係有 用的副產品,諸如細微粉末或其他材料,其具有超越被沉 積成一薄膜或塗佈物的用途。 棑氣風扇之速度係根據在排氣系統2 〇令所測得的靜 壓來加以控制。排出口 208係連接至一收集器4〇6,而該 控制器接著便連接至一動輪轉子部分404。複數個動輪轉 子800係由動輪轉子部分4〇4之頂部延伸至底部有一個 上方動輪轉子支撐板408及一個下方動輪轉子支撐板41〇 密封住該動輪轉子800周圍的間隙,以傳送所有的氣體流 ------------裝--------訂---------^wi (請先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 本纸張&度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(210 χ 297公爱) 26 91918 514557 A7 ____— B7_ 五、發明說明(27 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經該動輪轉子800。每一動輪轉子800係包括一流量計 802,具有一滑動閥182,以分別調整流經每一動輪轉子8〇〇 的流量。在每一滑動閥182下方且在流量計802中設有一 溫度感測器804及一靜壓感測器806,以分別測量流經每 一流量計802之氣體的溫度及壓力。該收集器406亦包括 一靜壓感測器808,其係用以測量在動輪轉子下游的壓 力。由靜壓感測器808所測得之靜壓力係用以控制排氣風 扇(圖上未顯示),並且用以做為基準測量值,以根據流經 每一流量計802之氣體的溫度及壓力來控制每一滑動閥 182。該感測器804、806及808皆包括連接器180及電線(圖 上未顯示)’以將感測器連接至以下將說明之電腦控制系 統。雖然已針對本發明之捲軸對捲軸式塗佈機來說明該排 氣系統’然而應瞭解的是,該排氣系統亦可以在許多應用 中用以控制流體的流動。在功效上,壓力控制型排氣系統 係會在整個沉積空間之寬度上產生特定的差異流動模式, 其手動地或自動地調整,以產生所想要或所需要的均勻流 動模式或其他流動模式。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 薄片的實際塗佈係在沉積空間中進行,該沉積空間的 細部結構係顯示在第5圖及第6圖中,其中該圖式係通過 沉積空間中央的截面視圖。帛5圖係顯示沉積空間之第一 實施例,包括數個拱形桿500 ^該拱形桿5〇〇係安裝在薄 片支撑板132 m係裝設成逐漸地靠近其相對的棋形 桿’而由其底部注入口向上延伸至沉積央部位。 上方拼形桿係裝設成逐漸地遠離其相對的棋形桿,而由沉 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 27 91918 514557 A7 五、發明說明(28 ) 積空間的令央部位向上延伸至該沉積空間的頂部。最好, 取上方及最下方的-對换形桿係隔開19〇5毫米而尹央 的兩對則係分開6.35毫米,且中門的 “ 、 127()客上田 Μ且㈣的成對拱形桿則係隔開 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2:〇毫未。取佳的薄片間隔係視特定應用…在此並 =有^㈣卜針對在㈣上沉㈣/氧切而言該間隔 …50毫米’且最好該最靠近的部分係隔開12 未或以下,且以大約6毫米為最佳…般而t,該荡片 層係以最窄的間距而儘可能地#近,但不發生接觸。可挽 性材料(諸如箱片)在實務上的一個限制,係此類材料在處 =上較為困難。該接近程度無法窄到可以截斷實質的氣鱧 _ 1對極接近程度而^ ’薄片處理上的困難度係一個 主要的限制因素。就最大限度而言,最靠近的間距係無法 使氣體以過高的速率來流動。其他的蒸氣化材料將會通過 而不會塗佈在薄片上》如前所述,就目前塗佈之用途而言, 最大的接近間隔係大約為150毫米。應瞭解的是,上述針 對最接近間隔係針對用以塗佈目前已被採用之裝置的塗佈 方法而言。這些參數係可視諸如欲沉積之材料、塗佈溫度 以及流量率等因素而有所改變。在此亦應瞭解的是,這些 間隔係指在薄片基板上之,,目標,,沉積區域,,之間的距離而 言,其他的部位(諸如側緣)實瞭上則可以相碰觸,而提供 另一種密封該沉積空間的方式。 上述的拱形桿係可在沉積空間之中央部位的薄片與 中央流量計部位形成水平線的每一個拱形桿處,來提供薄 片方向的改變。當高速沉積氣體通過這些水平線時,便會 91918 28 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇><297公釐) 514557 _ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(29 ) 形成璇流部位而造成邊界層被破壞,而使沉積氣體可以更 均勻地塗佈在薄片上。該拱形桿可以係固態金屬或其他材 料所製成’或者最好其係形成如上述針對滾輪13〇及134 所說明之空氣式支承件的型式。該空氣式支承型拱形桿係 可使薄片能夠隨著在塗佈處理期間的溫度改變而橫向地膨 脹及收縮(當由第5圖觀之時,其方向係在進出紙面的方 向)。 在某些狀況下’由於薄片之材料、所需要的沉積溫度 以及其他因素,其有可能需要以更積極有效的方式來固定 住該薄片。在第6圖中所示之沉積空間的實施例中,包括 一真空夹頭,用以當溥片向上移動通過該沉積空間時,可 以保持該薄片緊貼在該夹頭上,使得薄片不會產生扭曲或 皺縮的情況。有一個中央導管601係連接至真空源(圖上未 顯示),且在薄片支撐板132與穿孔薄板6〇〇之間提供一低 壓區域。穿孔薄板或燒結金屬板6〇〇係包括複數個細孔, 以使真空吸力可以將薄片緊緊地抵靠住該薄板6〇〇。在此 應瞭解的是,上述兩個實施例係可以藉由提供穿孔板6〇〇 而結合,包括數個小彎角,類似於由拱形桿5〇〇在薄片上 所提供的小弩角。藉由此方式,薄片便可以牢牢地緊貼於 板體600,同時仍會產生上述的漩流。最好,亦可以交替 地提供藉由真空夹頭部分所隔開的拱形桿部位,以藉此使 該沉積空間具有寬及窄的部位。這些交替部位係可以提供 較大程度的旋流’以加強塗佈的均勻性。 就沉積空間中所產生的漩流而言,第19圖係顯示各 G紙張&度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 一 29 91918 II--— — — — —------------訂--------* (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 ___________ 五、發明說明(30 ) 種漩流形成裝置及交替出現的薄片傳送路徑。交替出現的 薄片傳送路徑係包括平行薄片1900、彎出薄片19〇2、發散 薄片1904、彎入薄片19〇6(相同於上述的設計卜以及收歛 薄片1908。這些傳送路徑係可加以選擇,以在沉積空間令 形成不同的部位,以改變沉積材料流動及所形成之漩流。 在此應瞭解的是,雖然這些傳送路徑係針對雙薄片系統來 加以說明,然而其亦可以應用在以下將說明之多薄片系統 中。為了在沉積空間中進一步增加漩流,在薄片之間提供 旋流引致裝置係相當有用的。圖中顯示一種此類裝置,係 一種水平管1910,包括複數個空氣或其他氣體孔口,而可 以在周圍區域中產生旋流。另一種漩流形成裝置係槳輪 1912,包括有划槳,而當槳輪1912在沉積材料路徑上轉動 時’其便可以產生旋流。當槳輪以高於沉積材料之流動速 度的速率轉動時,其產生漩流的效果最大,而使得沉積材 料在楽:輪之一側邊的流速增加,而在另一側邊的流速則減 小。當然,槳輪1912的方向亦可周期性地改變,以進一步 增加旋流。圖申顯示一平桿或平管1914係插入至沉積材料 流動路徑’以形成旋流。桿體1914亦可手動地放置在沉積 空間中’或者如同薄片本身一樣,以基板的型式連績地饋 進至沉積空間中。這可以提供引致漩流產生的雙倍效果, Π時亦了以在〉儿積空間中提供額外的基板表面。雖然在圖 式_所示之漩流形成裝置1910、1912及1914的裁面形狀 係大致呈圓形,然而應瞭解的是,其截面形狀亦可以呈三 角形’長方形或任何適當的形狀。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ί裝--------訂·丨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張义度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇χ 297公餐) 30 91918 514557 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明說明(31 ) 第7圖係顯不薄概紙滾輪212、供應滾輪102及捲收 滾輪138的調整機構。該滾輪係必須針對在任何薄片處理 裝置中所會發生的左右歪斜(相對於第1圖)來加以調整。 支承塊120係支撐滾輪其直徑漸縮的端部(如第7圖申所示 之供應滾輪102),且包括一個下方支承塊700及一個上方 支承塊702,兩支承塊皆係支撐在支撐架122上。上方支 承塊702係具有兩個穿孔,且螺紋扣件,諸如螺栓704, 係延伸通過這些穿孔而進入至位在下方支承塊700中之螺 紋盲孔,以將支承塊固定在一起,同時可以將滾輪取下來 以重新裝填薄片。下方支承塊700係包括插銷714,其係 伸入至凹溝712中,以保持在支承塊120與支撐架122之 間的側邊對側邊的對齊,如第1圖所示。為了調整在支承 塊120與側邊板體104(或106)之邊緣712之間的間距,在 側邊板體之螺紋穿孔708中包括一螺紋扣件706。藉由將 扣件706旋入及旋出該螺孔708,在支承塊120與側邊板 體之邊緣712之間的間距便可加以調整(應注意的是,所有 滚輪102、138及212會由於驅動薄片所產生的力量而被向 内抽拉)。扣件706的端部最妤係加以修圓,以降低在扣件 706與支承塊之間的磨擦力,以藉此容易進行調整操作。 有一支鎖固螺帽710緊抵住側邊板體的邊緣712,使得當 調整操作完成時,可以將扣件706鎖固在定位上。 在捲轴對捲轴式塗佈機中最好係包括薄片掃描檢查 系統30,用以當薄片離開沉積空間時,可以在原處檢查該 塗佈物。有一軌道184延伸通過捲轴對捲轴式塗佈機寬 — --- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ί 言 Γ 本紙張瓦度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 31 91918 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(32 ) 度,並且由橋接支撐件302及216所支撐。一檢查滑梭186 係沿著軌道184而在薄片的寬度上來回地移動,且包括光 學或其他儀器,以檢查該塗佈物。這些儀器係可以測量塗 佈物的深度、外部特性、平滑度及塗佈物的其他特性。或 者’視所使用之儀器類型而定,複數個感測器係可以分開 地配置在薄片的寬度方向上。所使用的各種不同的光學及 其他塗佈物檢查系統,在材料塗佈領域中係眾所周知的, 因此在此便不再進一步說明之。在本發明捲軸對捲軸式塗 佈機中獨特的定位方式係可使塗佈物在原處來加以檢查, 而使操作員可以調整沉積狀態,而提供最佳化的塗佈參 數。當然,電腦控制係可以輔助或取代由操作員控制的方 為了監視及控制各個電氣元件,可以採用一電腦式控 制系統。該電腦式控制系統之方塊圖係顯示在第9圖中。 有一個中央處理器(CPU)900可以接收由各個感測器所輸 入之信號,並且傳送控制信號至各個控制裝置。最好,該 CPU係一傳統個人電腦(PC)系統902的一部分,且該個人 電腦系統係包括一監視器904及一鍵盤906。輸入值係包 括:由編碼器148所發出之薄片速度指示信號;由橫移機 構172所發出的光柵速度指示信號;由電磁制動器15〇所 發出的制動力指示信號;由CCVD喷嘴及重新定向控制器 908所發出的沉積氣鳢及液體流量率;由預先加熱器/冷卻 器126所傳送的預先加熱器/冷卻器溫度;由靜壓感測器 806及808所傳送的靜壓;由溫度感測器804所傳送的流 裝--------訂---------^A_wi (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 32 91918 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____ ___B7 五、發明說明(33 ) 量計溫度;以及由薄片掃描檢查系統186所傳送的光學或 其他輸入值。輸出值係包括:驅動馬達14〇控制迴路91〇; 電磁制動器150控制迴路912 ;移動馬達174之控制迴路 14’ ;儿積氣體、液體及重新導向流動控制迴路916(果、 閥等等);加熱器/冷卻器126(及其他)控制迴路918 ;滑動 閥182伺服馬達控制器920(若滑動閥ι82為自動化控制則 有需要)’·以及薄片掃描檢查系統控制迴路922(若有需 要)。 在塗佈操作期間所使用的各個控制參數,係根據所欲 形成的塗佈物量值來預先設定❶由驅動馬達所決定的薄片 速度,係會影響到塗佈物的厚度,且在大部分的應用中, 其係較為緩慢的(介於5至200毫米/分鐘之間)。再者,薄 片速度並非一定是均勻速度,其亦可以係脈衝式步階速 度、遞增及遞減速度,或者係完全停止。舉一實例來說, 一種整批式沉積係驅動該薄片,直到一特定的部分位在沉 積空間中為止,然後便停止驅動。沉積處理會持績在此部 位上作用,直到所想要的塗佈物已塗佈於其上為止,然後 接著再驅動該薄片’以將特定部分由沉積空間中移出,同 時將薄片的另一部分移入至沉積空間中。這可進一步考慮 使用面板來做為沉積壁體之步驟,以取代上述針對捲軸對 捲轴式塗佈機所說明之可撓性薄片。在此種整批式沉積的 類型中,沉積空間之一個或多個壁體係可加以移除及替 換’以塗佈數個非可撓性面板。雖然這不如使用捲軸式薄 片來得有效率,然而還是有某些用途係需要塗佈非可撓性 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格ΟΠΟ X 297公笼) 33 -------------裝·-------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 514557 A7 五、發明說明(34 ) 基板。藉由改變輸送至制動器的電流來調整電磁制動力, 該可撓性便可以受到-特定拉張力的作用。利用靜壓錢 器及配合流量計溫度感測器所測得,並且由滑動閥所控制 的沉積氣體流量率係相當地高。通過沉積空間之沉積氣體 的特定流量率係視數個因素而改變,包括沉積空間的尺 寸、欲沉積的材料、所使用的載鱧氣體、薄片通過沉積空 間之速度及其他的標準。就銅片上沉積鉑/氧化矽而言,其 係可以採用具有610毫米乘以6毫米載面積的沉積㈣/。、 針對此用途,一般而言,其流量率係14〇〇〇公升/分鐘。很 明顯地’針對此種應用及其他的應用,其亦可以採用不同 的流量率,而最佳的流量率亦可以藉由實驗而獲得。雖然 一般針對滑動閥係採用手動控制,然而其亦可以藉由伺服 馬達來加以控制,以快速地改變壓力分佈狀態。若偵測到 有不可接受的塗佈品質時’由薄片掃描檢査系統所收集的 資訊便可以提供一警告訊息,或者可以採用捲軸對捲軸式 塗佈機的自動關機系統。所有這些用以實現各種功能的各 種次常式及迴路,乃係熟習蒸氣沉積領域之操作員所習知 慣用的’因此在此便不再進一步說明之。 上述參照第1至9圖及第19圖所說明之捲軸對捲軸 式塗佈機,係特別適用於以熱氣體來塗佈箔片。因此,上 述針對本發明此一實施例所述的各種裝置,已發現其在處 理可撓性箔片上係相當具有功效的,其中該可撓性謂片在 受到高熱氣體作用時係會產生熱膨脹及收縮的現象。然 而,本發明之沉積空間觀念亦適用於塗佈較堅硬材料的移 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一裝--------訂---------' 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公釐) 34 91918 M4557 A7 五、發明說明(35 ) f請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 動薄片,諸如可捲式片材或某些塑膠。該塗佈材料可以由 流動氣體所承載,諸如由一火焰源(CCVD)或其他蒸氣源所 產生的氣體,或者亦可藉由喷灑來供應液態的塗佈材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 依照本發明的另一樣態,一系列的移動薄片(大於兩個) 係配置成可以構成一個進行塗佈處理的多邊沉積空間,其 t薄片欲處理表面係面向内側。塗佈材料可為呈流動蒸氣 的型式,或者位在沉積空間中之喷灑裝置所喷出的液體。 在第10圖及第11圖中係顯示一薄片1002之陣列1〇〇〇, 係配置在一呈六邊形之沉積空間中。雖然在圖式中係顯示 六個薄片1000,然而該移動薄片1000的數量亦可以減少 為兩個,如同上述針對第1至9圖所述之實施例,或者係 任何可行的數量。就三個或以上的移動薄片1〇〇2而言,整 個沉積空間陣列100G係可以由薄片1〇〇2所構成,而不需 要提供蒸氣堰部,諸如上述針對第1至9圖之實施例中所 說明的側邊堰部。具有愈多的薄片1〇〇2,則該多邊形便會 愈接近圓形的形狀。即使採用單一移動薄片,其亦可以配 合該用以做為沉積空間之其餘側邊之固定的側邊壁體而構 成一個沉積空間。每一薄片係由一進料捲轴1〇〇4捲繞至一 回收捲轴1006。(可以瞭解的是,該進料捲軸及回收捲轴 係可以互換的)。圖中亦顯示一火焰供應源1〇〇8,係將前 艇化學溶液燃燒,而產生蒸氣狀的塗佈化學物質。雖然在 圖式中所不之火焰堆係呈圓形’然而亦可以採用其他的形 狀。舉例來說,可為定位在中央的火焰,然後可以樞轉而 朝向位在沉積空間中之許多基板壁體上的塗佈材料。有一 表紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<210 X 297公爱) 514557 經濟部智慧財產局員Μ消費合作杜印製 A7 B7 五、發明說明(36 ) 排氣遮蓋1010配置在沉積空間陣列1〇〇〇的上方,包括一 排氣風扇(圖上未顯示),而可以由沉積空間的頂部抽吸廢 氣,並且藉此促使氣體向上流經該沉積空間。當藉由火焰 源1008所產生的蒸氣化塗佈化學物質係沿著箭頭1 〇丨2的 方向而向上流經該沉積空間1 〇 〇 〇時,該沉積化學物質便會 與沉積空間1000的壁體相接觸,亦即,薄片1〇〇2其面向 朝内的表面,並且塗佈在這些表面上。 若沉積空間1000係具有足夠的高度(或長度),則可以 預期的是,幾乎所有的塗佈化學物質會與薄片1002的内側 表面相接觸’並且塗佈於其上。然而,在較短的沉積空間 中(其可能較為實用),其便有需要將氣體重新導向該沉積 空間1000的壁體。如第10圖且尤其係第11圖中所示,且 在第12圖中所不之放大部分’具有長形管體1〇2〇形式之 二氣流動裝置係具有複數個開孔1 〇 2 2。諸如空氣或氣氣之 氣體係向下流經管體1020,使得其由開孔流出,並且將氣 體導向通過該開孔1022,並藉此將向上流動的氣體導引至 沉積空間1000的側壁,藉此沉積化學物質之主要部分便可 以接觸且塗佈沉積空間1000之側壁。在此應瞭解的是,雖 然捲轴對捲轴式塗佈機1 〇以及沉積空間1 000係針對沿垂 直方向移動之薄片來加以說明,然而亦可以採用其他不同 的設計。沉積空間可以係水平的,且該供應滾輪及捲收滾 輪之中心軸係與沉積材料流動方向呈垂直。沉積材料亦可 以在幾個不同的方向來流動,且本發明的主要特徵(如前所 述)便係要形成一種沉積空間,且該沉積空間主要的内部壁 -----------裝--------訂---------^__w— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210x 297公楚) 36 91918 M4557 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明(37 ) 體係由欲加以塗佈的基板表面所構成。很明顯地,原本之 熱活化預成體的熱氣向上流動便係有助於沉積材料的垂直 流動。 在第13圖中係顯示一結構性導流板1〇3〇,其係呈圓 頂之形狀,且藉由軸向配置在該沉積空間100〇中之支柱 1032由上方加以支撐,以導引流動氣體向外朝向該薄片 1002之面部朝内的表面。導流板1〇3〇最好係具有類似於 沉積空間之内部壁體的形狀(在第1〇圖及第n圖中所示的 /、邊形)°支柱1032亦可以移動,以將導流板1Q30定位在 沉積空間的不同部位,或者導流板1〇3〇係可以呈長形,以 在一較長的距離上提供較小的空間,藉此可以沉積較多的 塗佈材料於薄片1002上。 雖然在第11圖中之裝置係顯示一藉由燃燒來產生蒸 氣沉積用之化學物質的火焰供應源,然而該化學蒸氣沉積 亦可以藉由其他方法來提供。舉例來說,若薄片1〇〇2係片 狀金屬,則該薄片便可以在其垂直移動時藉由一外部加熱 器1001來加熱之’並且導引該蒸氣化之預成體化學物質通 過該’儿積空間1 〇〇〇 »當預成體化學物質與受熱之側邊壁體 相接觸時,其便會分解,⑥塗佈在向上移動之薄片i術 之面部朝内的表面上。 在某些例子中,該塗佈材料不一定係為蒸氣型式。在 =14圖中係顯示一移動薄片1〇〇2之沉積空間1〇〇〇。有一 机體導管1040配置在該沉積空間1000的中央部位,在該 導管端部係具有一承載有複數個喷嘴1042之轉動裝置其 Η張在標準(CNS)A4規格⑽κ 297公『 ’ 37 91918 --I-----I I I I I --------t --------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 514557 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 --------B7___ _ 五、發明說明(38 ) 中該喷嘴1042係用以將液態塗佈材料的嘴流1044導引至 該薄片之面部朝内之表面。藉由此一方式,便可以同時塗 佈複數個薄片。由於在此實例中之移動薄片1〇〇2係配置成 垂直方向,因此喷流1044在所有橫側方向上的重力作用係 皆相同的,藉此便可以達到均勻地塗佈該移動薄片1 〇〇2 之陣列1 000。所喷灑的塗佈材料可以係油漆、黏膠,諸如 一環氧樹脂黏膠等等。 其他的喷流導向裝置係顯示在第15圖至第18圖中。 第15圖係顯示第14圖之喷嘴ι〇42的一種變化型式,其中 該喷嘴1500係呈一角度而可以利用喷流15〇2的作用力而 來轉動該中央管體1504及該喷嘴15〇〇。在第16圖中,中 央供應管1600係將一液體喷流向下導引至偏移板16〇2。 該噴流係藉由板體1602向外偏移而朝向薄片或基板 1002。在第17圖中係顯示另一種偏向器,係具有錐狀偏向 器1700的形狀。該錐狀偏向器17〇〇係可將更多的材料向 外導引(而不是向上導引),藉此增加沉積效率。在第18圖 中係顯示一種風扇型偏向器18〇〇。風扇18〇〇係具有複數 個葉片1802,其係可以將喷流向外導引,如箭頭18〇4所 示。喷流之作用力亦可以轉動該風扇18〇〇(類似於灑水系 統),藉此可以更均勻地將喷灑的沉積材料分佈在基板壁體 第20圖係顯示連續進料塗佈機之另一實施例,其中 裝置2000係利CC VD或任何其a適當#蒸氣沉積方 法,而塗佈一線材或線帶。該線材或線帶2〇〇1係由供應捲 --------^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本纸張瓦度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2h 297公釐) 38 91918
514557 五、發明說明(39 ) 輛2002饋進至底部導引捲轴2003 ,然後向上通過漏斗部 2004及管體2005。該線材或線帶2〇〇1接著便被導引而繞 過上方導引捲轴2006且捲繞在回收捲軸2〇〇7。在漏斗部 2004底部,CCVD喷嘴2008係提供一蒸氣化塗佈材料供 應源’以在線材或線帶2001上形成塗佈物。雖然在圖式中 係顯示兩個CCVD喷嘴2008,然而應瞭解的是,這僅係示 例性的實例,其可以視所需要的沉積速率來採用任何數量 的喷嘴。再者,裝置2000係可以與其他蒸氣沉積源配合使 用,然而可以產生熱沉積氣體的供應源係最適當的,因為 其具有可由管體2005產生的向上對流作用的優點。此一向 上對流作用係可以將沉積氣體向上帶而通過管體2〇〇5,同 時可保持管體2005内部由頂部至底部具有較固定的溫 度。固定溫度係會造成線材或線帶2001在理想的沉積溫度 下具有較長的曝露於氣體的時間。這不僅可以造成有效的 沉積處理’並且亦可以減少會降低塗佈品質之晶粒或微粒 構造的變化。亦可以同步地將兩個或更多的線材或束帶導 引通過該管體,以進一步增加裝置2000的效率。圖示之裝 置2000係可以在具有銀外覆層之超導體帶上產生極佳的 矽塗佈物。這些塗佈物係遠比習知的塗佈物還薄(其僅有數 微米,而不像習知塗佈物具有多達一密爾(mil)的厚度),同 時仍可以保持相同程度的電性絕緣。藉由提供較薄的塗佈 物,該線帶便可以構成在每一截面上具有較多圈數的超導 體線圈,藉此可增加由這些線圈所形成之磁場^ 雖然本發明已針對某些特定實施例而說明如上,然而 -------------裝--------訂---------線 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 39 91918 514557 A7 B7 ---------- 五、發明說明(40 ) rtt先閱讀背面之泛音?事項再填寫本頁> 在不脫離本發明範園的情況下,對於本技術有普通瞭解之 人士仍可對本發明進行某些修飾。舉例來說,當欲塗佈之 材料係箔片時,在遮蓋之頂部與複數個平行的捲收捲軸之 間,係可以配置複數個葉片,藉此可以提供具有適當尺寸 之成捲的經塗佈過的材料。同樣地,取代捲收捲轴,經塗 佈過的材料亦可以藉由先前所述的下游處理裝置而直接地 回收,就本發明之目的而言,其可以視為與捲收捲軸具有 相同的功效。 連績進料塗佈機之整體尺寸(高度、寬度、長度)係可 設計成用以處理所需要的基板尺寸。基板尺寸則係視特定 的應用及使用的領域而定。就印刷配線板中埋設電阻器的 領域中欲於鋼箔上形成鉑/氧化矽塗佈物而言,箔片之寬度 係可以由610毫米至737毫米,且甚至可以大到1220毫 米。當然,捲轴對捲轴式塗佈機之寬度係可以略長一些, 以配合該箔片的處理。 [實施例] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在此實例令,一鉑/氧化矽塗佈物係形成在兩銅箔片 上,以在導電性基板上形成電阻層。上述之捲轴對捲轴式 塗佈機係用以形成該塗佈物。一内含40公克鉑(Π)環辛二 烯(cyclooctadiene)、8 公克之十二烷胺(dodecylamine)、27 公克之原石夕酸乙醋(tetraethyl orthosilicate)(TEOS)、750 公 f克之甲苯(toluene)以及4455公克之propane的溶液係饋進 至兩個CCVD喷嘴中,且每一喷嘴具有大約4.85立方公分 /分鐘之流率。大約3· 15安培的電流係供應至CCVD喷嘴 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 40 91918 A7 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明() 之阻熱嗔霧器,以產生4.1公升/分鐘的微量氧氣。重新導 向之空氣係以43公升/分鐘之重新導向速率而供應至中央 部位。該⑽时嘴細平均5公尺/分鐘的速度在橫越過 沉積空間寬度的方向上加以掃描。銅落係以216毫米/分 鐘的速度績進通過該沉積空間。當氣體流經沉積空間之流 量率約為14000公升/分鐘的速度時,在沉積空間中之溫度 係保持在大約90。〇該沉積係持續進行5小時又32分鐘, 而在具有7.2 &尺長的銅箔上塗佈大約9〇奈米(卿则㈣ 厚度的電阻層。 在此應瞭解的是,本文中所使用的術語,僅係用以闡 述特定的實施例,而不具有任何限制的意涵。必須注意的 是,在本說明書及後附申請專利範圍中,單數格,,一(a、an) 或一個’’及”該(the)”係包括複數詞,除非在内容中有清楚地 規定^ 在本申請案中’在所引用之公開文獻中係以其全文援 引為本申請案的參考,以期能夠更詳細地闡述本發明所屬 的技術領域。 91918
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Claims (1)

  1. 514557 A8B8C8D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 · 一種沉積空間,其包含: 該沉積空間的内部壁體; 至少兩壁體係由連績性或間歇性移動材料之基板 所構成;以及 塗佈裝置,係與該沉積空間連結在一起,以將塗佈 材料導引至該移動材料上。 2.如申請專利範圍第1項之沉積空間,該沉積空間的至少 二個壁體係由連績性或間歇性移動材料之基板所構 成’且該塗佈裝置係將該塗佈材料導引至該移動材料 上。 3·如申請專利範圍第1項之沉積空間,其中該塗佈裝置係 在該沉積空間中的第一位置處提供蒸氣型式的塗佈材 料,並且在該沉積空間中提供一壓力差,使得該蒸氣係 可被抽吸至該沉積空間中的第二位置,且該塗佈材料係 流經該沉積空間,且緊貼在該連續性或間歇性移動材料 之基板上,藉此塗佈該基板。 4,如申請專利範圍第3項之沉積空間,其中該塗佈裝置係 包含一火焰供應源,其係可以由一前軀體化學溶液來產 生該蒸氣型式之塗佈材料。 5·如申請專利範圍第3項之沉積空間,其中該基板係藉由 一外部加熱源來加熱,且該蒸氣型式之塗佈材料係會在 該基板上分解,而在該移動材料上形成一塗佈物。 6·如申請專,厂範圍第3項之沉積空間,其中在移動材料之 每一壁體上,該塗佈材料係沉積在其中一表面,且每一 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁)
    42 91918 514557 A8B8C8D8 l 經濟部智慧財產局員Η消费合作社印製 六、申請專利範圍 該表面係加熱以分解該塗佈材料,而移動材料之每一該 壁體的另一表面則係加以冷卻。 7·如申請專利範圍第3項之沉積空間,其進一步包含排氣 裝置,係配置在該沉積空間之第二位置,用以產生該壓 力差,藉此抽引該塗佈材料通過該沉積空間,並且緊貼 在該連續性或間歇性移動材料之基板上,以塗佈該基 板。 8·如申請專利範圍第3項之沉積空間,其包含一額外裝 置,係用以導引該蒸氣化塗佈材料朝向該移動材料之壁 體。 9·如申請專利範圍第8項之沉積空間,其中該用以導引之 額外裝置係包含與該沉積空間相連結之氣體流動裝 置。 1〇·如申請專利範圍第8項之沉積空間,其中該用以導引之 額外裝置係包含一配置在沉積空間中之導流板。 U •如申請專利範圍第1項之沉積空間,其中該塗佈裝置係 提供一液態塗佈材料之喷口,其可以塗佈該位在沉積空 間中之基板。 12·如申請專利範圍第1項之沉積空間,其中連績性或間歇 性移動材料之基板係構成該沉積空間之内部壁體之至 少40¾的總面積。 13·如申請專利範圍第12項之沉積空間,其中連續性或間 歇性移動材料之基板係構成該沉積空間之内部壁體之 至少50%的總面積。 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐〉 — III —----•裝·-------訂·--11---* 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 91918 43 514557 098895 ABCD 部 智 慧 貝 工 消 費 製 六、申請專利範圍 14 ·如申清專利範圍第丨3項之沉積空間,其中連續性或間 歇性移動材料之基板係構成該沉積空間之内部壁體之 至少75%的總面積β 1 5 ·如申清專利範圍第丨4項之沉積空間,其中連續性或間 歇性移動材料之基板係構成該沉積空間之内部壁體之 至少95%的總面積。 16. 如申請專利範圍第15項之沉積空間,其中連續性或間 歇性移動材料之基板係構成該沉積空間之内部壁體之 至少99%的總面積。 17. 如申請專利範圍第12項之沉積空間,其中該基板係一 種可撓性薄片材料。 A如申請專利範圍第17項之沉積空間,其中該薄片係以 連績方式移動’使得該塗佈材料可以均句地沉積在該薄 片上。 19·如申請專利範圍第18項之沉積空間,其_該薄片材料 係以間歇方式移動,使得連績部分被饋進至沉積空間 中’然後加以塗佈之後便移出該沉積空間。 2〇.如申請專利範圍第!項之沉積空間,其中該基板係包含 至少一堅硬的板片材料。 Α如f請專利範圍第15項之沉積空間,其中該基板係包 含複數個堅硬的板片材料。 22.如申請專利範圍第21項之沉積空間,其中該堅硬板片 係彼此連接在一起,並且以連續方式通過該沉積空間。 請㈣範’第21項之沉積空間’ 〇該堅硬板片 本紙張尺度適財國國家標準(CNS)A4規格⑽χ视公f (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁}
    44 91918 經濟部智慧財產局貝X消費合作社印製 )14557 C8 —---^______ 六、申請專利範圍 係彼此連接在一起,並且以間歇性方式通過該沉積空 間,使得連績的板片被饋進至該沉積空間中,然後加以 塗佈後便移出該沉積空間。 24·如申請專利範園第2〇項之沉積空間,其中該至少一堅 硬板片材料係可在沉積塗佈物之後,由該沉積空間中移 出,然後以另一個未經塗佈之堅硬板片材料來更替之。 25·—種用以塗佈兩捲薄片材料型式之兩基板的設備,該設 備包含: 兩供應裝置,係用以供應及支撐該薄片基板之個別 未塗佈部分; 兩薄片處理部分,係用以導引該個別薄片基板通過 塗佈區域’該薄片基板係在該塗佈區域中彼此靠近而 構成一沉積空間; 兩口收裝置’係用以支撐該薄片基板之個別已經塗 〗佈的部分,並且驅動個別薄片基板而使其由供應滾輪駆 動通過該塗佈區域,然後到達該收取裝置;以及 一塗佈材料供應源,係用以供應塗佈材料至該沉積 空間。 26·如申請專利範圍第25項之設備,其中該薄片係垂直地 定位在該沉積空間中,該塗佈材料供應源係定位在沉積 空間的底部,且該設備係在沉積空間的頂部包括一排氣 系統’使得在兩薄片之間的塗佈材料係會由沉積空間的 底部流動至沉積空間的頂部。 27 ·如申請專利範圍第26項之設備,其中該兩薄片處理部 — — — · I I I I 1 I 重 ^^ 1111—1!* ^^ (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公釐〉 45 91918 会§ ___ C8 六、申請專利範圍 分係皆包括複數個拱形桿,每—棋形桿係沿—水平線來 支撐個別薄片,藉此在個別薄片上形成彎角,其中當塗 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} :材料流經f角時,該塗佈材料係會被重新導向,而在 沉積空間中形成漩流部位。 28.如申請專利範圍第27項之設備,其中: ^立在其t 一薄片處理部分之每一拱形桿係與位在 另薄片處理部分之拱形桿相連結,使得該拱形桿係以 成對方式相對齊; 取上方及最下方成對的拱形桿係以一第一間距而 隔開; 中間成對的拱形桿則係以一第二間距而隔開,該第 二間距係小於該第一間距;以及 在中間成對之拱形桿與該最上方及最下方成對之 拱形桿之間的成對拱形桿,則係以一第三間距而隔開, 其中該第三間距係大於該第二間距但小於該第一間 距。 29·如申請專利範圍第28項之設備,其中每一該拱形桿係 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 沿著該水平線而包括複數個開孔,該開孔係在每一拱形 桿與個別薄片之間提供加壓氣體,藉此形成一低磨擦力 的空氣支承件。 3〇·如申請專利犯圍第27項之設備,其中兩薄片處理部分 係皆包括一真空夹頭,每一真空夹頭係支撐該個別薄 片’使件該薄片可以緊貼在該真空夹頭上,藉此,當薄 片移動通過該沉積空間時,個別的薄片將不會皺縮。 本紙張尺度適”國國家標準(CNg)A4規格(21G χ 297公爱) 46 91918
    六、申請專利範圍 3=申請專利範圍第27項之設備,其中該排氣系統料 ::!度,其係平行於該薄片的寬度’該排氣系統係在 /儿積空間的寬度上包括複數個相互隔開的動輪轉子, 一動輪轉子係包含: 一流量計;以及 m 一位在流量計中之滑動閥,該滑動閥係可加以調 整’以改變流經該流量計之塗佈材料的量值, 接处 尺停在沉 積二間之寬度方向上的壓力差可加以控制,而在薄片上 供更均勻的塗佈^物。 32·如申請專利範園第31項之設備,其中每一動輪轉子係 進一步在該流量計中包含一動輪轉子靜壓感測器。 33·如申請專利範圍第32項之設備,其中每一動輪轉子係 進一步在該流量計中包含一動輪轉子溫度感測器。 34·如申請專利範圍第33項之設備,其中該排氣系统進一 步包含一排氣系統靜壓感測器,該動輪轉子靜壓感測 器、該動輪轉子溫度感測器以及該排氣系統靜堡感測 器,係可提供該滑動閥的回饋控制。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 貝 工 消 费 合 作 社 印 製 (請先闐讀背面之注意事項再填寫本頁) 3 5·如申請專利範圍第25項之設備,其進一步包含: 一骨架’該骨架係包括第一及第二側邊板趙,其係 藉由複數個橫桿而相互連接在一起;以及 四個腿部,其中兩腿部係支撐該第一側邊板體,而 另兩個腿部則係支撐第二側邊板體;其中: 該兩供應裝置、兩薄片處理部分以及兩收取裝置係 藉由第一及第二側邊板體所連接,並且由該第一及第二 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 47 91918 M4557 ______§___ 六、申請專利範圍 側邊板體所支撐。 36·如申請專利範圍第35項之設備,其中兩供應裝置及兩 枚取裝置皆係滾輪,其係利用分別設置在滾輪之每一端 部上之一第一及第二調整機構而可轉動地連接至該第 一及第二側邊板體,而使得該調整機構可以調整在該滾 輪之端部與個別側邊板體之外緣之間的距離,以將該薄 片之歪斜加以調整。 37·如申請專利範固第36項之設備,其中每一調整機構係 包含: 一臺架,係連接至個別側邊板體的外側邊緣; 一支承塊,其係可滑動地安裝在該臺架之頂部;以 及 一螺紋扣件,係安裝在一位於個別之側邊板體之外 側邊緣之螺紋穿孔中,該螺紋扣件係包括一與該支承塊 靠接之端部; 其中將該螺紋扣件旋入及旋出該螺紋穿孔,便可以 調整在支承塊與該個別側邊板鳢之外側邊緣之間的距 離,以調整該薄片的歪斜度。 38.如申請專利範圍第25項之設備,其進一步包含兩個薄 片溫度控制器,其係用以在薄片進入至沉積空間之前, 調整該薄片之溫度。 Μ·如申請專利範圍第38項之設備,其中該兩薄片溫度控 制器係皆由一預先加熱器所構成。 如申請專利範圍第38項之設備,其中該兩薄片溫度控 91918 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ___________iiiiL 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 费 合 作 社 印 製 48 514557 .經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 制器係皆由一預先冷卻器所構成。 41·如申請專利範圍第25項之設備,其中該收取裝置係包 含被動式捲收滚輪,且該設備係進一步包含兩個薄襯片 滾輪,係用以供應一薄襯片至該被動式捲收滚輪,該薄 襯片係被捲繞在該被動式捲收滾輪上而位於相鄰之已 塗佈薄片基板層之間。 42·如申請專利範圍第25項之設備,其中該兩薄片處理部 分係皆包括一上方及下方切線滾輪,以導引個別的薄片 基板’而由兩供裝置所傳送之薄片基板係被捲繞在該下 方切線滚輪上,並且通過該沉積空間,且繞過該上方切 線滾輪而到達該收取裝置。 43·如申請專利範圍第42項之設備,其中該上方及下方切 線滾輪係可轉動地安裝至該第一及第二側邊板體。 44·如申請專利範圍第42項之設備,其中該上方及下方切 線滾輪係包括複數個開孔,該開孔係可以在上方及下方 切線滾輪與個別薄片之間提供加壓氣體,以藉此形成一 低磨擦力的空氣式支承件。 45.如申請專利範圍第42項之設備,其中兩薄片處理部分 係皆包括一進料滾輪,該進料滾輪係定位在下方切線滾 輪下方與供應裝置之間,由供應裝置所傳送出來之個別 薄片係繞過該進料滾輪而到達該下方切線滾輪,藉此形 成一用以將塗佈材料傳送至沉積空間中的帳蓬狀入口 log 域。 46·如申請專利範圍第45項之設備,其中該進料滾輪係可 — lfI — 1 — Ifl — —— -— — — III— >^illllllll (請先聞讀背面之注意事項再填寫本Va〇 本紙張尺度通用〒國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 49 91918 514557 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 轉動地安裝在該第一及第二側邊板體上。 47·如申請專利範圍第45項之設備,其中該進料滾輪係包 括複數個開孔,該開孔係可在該進料滾輪與個別薄片之 間產生加壓氣體,藉此形成一種低磨擦力的空氣式支承 件。 48·如申請專利範圍第45項之設備,其中該帳蓬狀入口區 域係包括第一及第二下方側邊堰部,係用以將蒸氣化塗 佈材料傳送至該沉積空間中。 49·如申請專利範圍第25項之設備,其中該沉積空間係進 一步包含第一及第二側邊空氣堰部,係用以將塗佈材料 保持在兩薄片之間,該第一及第二空氣堰部及兩薄片便 因此構成該沉積空間的四個最内側的壁體。 50·如申請專利範圍第25項之設備,其中該塗佈材料供應 源係包含一起泡器,其可使塗佈材料蒸氣化。 5i·如申請專利範圍第25項之設備,其中該塗佈材料供應 源係包含一昇華器,其可使該塗佈材料蒸氣化。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 52·如申請專利範圍第25項之設備,其中該塗佈材料供應 源係包含一蒸發器。 53·如申滑專利範圍第25項之設備,其中該塗佈材料供應 源係包含一喷霧器。 :>4·如申請專利範圍第25項之設備,其中該塗佈材料供應 源係包含至少一燃燒式化學蒸氣沉積喷嘴。 55·如申請專利範圍第$4項之設備,其中該塗佈材料供應 源係包含至少兩個燃燒式化學蒸氣沉積喷嘴。 本紙張尺度適用"國家標準(CNS)A4規格 91918 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 50 514557 A8B8C8D8 ,經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 六、申請專利範圍 56.如申請專利範圍第55項之設備,其中該塗佈材料供應 源係進一步包含一氣體噴口。 57·如申請專利範園第55項之設備,其中該至少兩燃燒式 化學蒸氣沉積喷嘴係以一特定角度而指向朝上並且朝 向彼此’且該氣體喷口係指向朝上且介於該兩燃燒式化 學蒸氣沉積喷嘴之間,以藉此將該蒸氣化塗佈材料導引 至該沉積空間中。 58·如申請專利範圍第54項之設備,其中該塗佈材料供應 源進一步包含: 一支撐板,該至少一化學蒸氣沉積喷嘴係安裝在該 支撐板上; 一隔離板,該隔離板係安裝在該至少一化學蒸氣沉 積喷嘴上方,且包括一定位在中央部位的開口,以藉由 該開口而將蒸氣化塗佈材料喷入至沉積空間中,該至少 一化學蒸氣沉積喷嘴係安裝在該定位在中央部位之開 口的正下方;以及 一移動機構,該支撐板及該隔離板係安裝在該移動 機構上;其中該移動機構係可以將該支撐板、該至少一 化學蒸氣沉積喷嘴以及隔離板,在沉積空間之寬度方向 上來回地加以移動,以藉此使該蒸氣化塗佈材料可以均 勻地通過該薄片。 59.如申請專利範圍第58項之設備,其中該塗佈材料供應 源係包含至少兩個燃燒式化學蒸氣沉積喷嘴。 60·如申請專利範圍第59項之設備,其中該塗佈材料供應 零! — i _! t·! „ $ (锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格<21〇 χ 297公釐) 51 91918 丄 HD:)/ 合I C8 --—---— 58____ 六、申請專利範圍 源係進一步包含一氣體喷口,該氣體喷口係安裝在該支 撐板上。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1·如申請專利範圍第60項之設備其中該至少兩燃燒式 化學蒸氣沉積喷嘴係以一特定角度而指向朝上並且朝 向彼此,且該氣體喷口係指向朝上且介於該兩燃燒式化 學蒸氣沉積喷嘴之間,以藉此將該蒸氣化塗佈材料導引 至該沉積空間中β 62·如申請專利範圍第6丨項之設備其中該至少兩化學蒸 氣沉積喷嘴及該氣體喷口係經由可撓性供應管體來供 應其個別的沉積預成體及其他氣體,該可撓性供應管係 由一可撓性導管所包圍,使得當移動機構來回地移動該 支撐板、該至少一化學蒸氣沉積喷嘴、該氣體喷口以及 該隔離板時,該可撓性導管可以保護該可撓性供應管 鱧。 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 63·如申請專利範圍第62項之設備,其進一步包含一薄片 掃播檢查系統,該檢查系統係在薄片離開該沉積空間之 後且在薄片由該回收裝置加以收取之前,用以在該兩薄 片的寬度方向上進行掃描。 64·如申請專利範圍第63項之設備,其中該薄片掃描檢查 系統係包括: 第一執道及一第二轨道;以及 第一檢查滑梭,其係安裝在該第一軌道,以及一第 二檢查滑梭,其係安裝在該第二軌道上;其中 該第一及第二檢査滑梭係會分別沿著其個別的執 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 χ 297公爱) "Τ: )14557 A8B8C8D8 秦 經 濟 部 智 慧 財 產 局 貝 工 消 费 合 作 社 印 製 9f9iS 六、申請專利範圍 道,而在個別薄片之寬度方向上來回移動;且 該第一及第二滑梭係包括儀器,其可以檢查在該薄 片上之塗:佈物的至少一個以下的性質;塗佈物的深度、 塗佈物的外表特性;以及塗佈物的光滑度。 65·如申請專利範圍第25項之設備,其進一步包含: 薄片速度指示裝置; 塗佈材料流量率指示裝置; 兩個驅動裝置,其係用以驅動兩個收取裝置,該驅 動裝置係由所聯結办驅動控制迴路所加以控制; 塗佈材料流動控制迴路; 薄片檢查裝置;以及 一電腦式控制系統;其中 該電腦式控制系統係會由該薄片速度指示裝置、該 塗佈材料流量率指示裝置以及該薄片檢查裝置接收信 號’並且根據這些信號而提供控制信號至該驅動系統迴 路及該塗佈材料流動控制迴路。 66·如申請專利範圍第65項之設備,其中·· 該塗佈材料供應源係進一步包含至少一個化學蒸 氣%積喷嘴、一支撐板,該至少一個化學蒸氣沉積喷嘴 係安裝在該支撐板上’以及一隔離板,該隔離板係安裝 在該至少一個化學蒸氣沉積喷嘴上方,且包括一個定位 在_央部位的開口,以藉由該開口而將蒸氣化塗佈材料 喷入至’儿積空間中’該至少一個化學蒸氣沉積喷嘴係安 裝在該定位在令央部位之開口的正下方且包含一移動 本紙張尺度適財國國家標準(CNS)A4規格咖χ撕公爱 1-—------ ---- ------- t 1 丨丨! I ti! (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 514557 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 機構,該支撐板及該隔離板係安裝在該移動機構上,該 移動機構係可以將該支撐板、該至少一個化學蒸氣沉積 喷嘴以及隔離板’在沉積空間之寬度方向上來回地加以 移動,以藉此使該蒸氣化塗佈材料可以均勻地通過該薄 片;且 該電腦式控制系統係控制該移動馬達,以藉此控制 該支撐板、至少一個化學蒸氣沉積喷嘴以及該隔離板在 沉積空間的寬度方向上來回移動的速率。 67·—種流體流動控制排氣系統,該排氣系紇係具有一寬 度’且包括複數個動輪轉子彼此隔開地配置在該寬度 上,每一動輪轉子係包含: 一流量計;以及 一滑動閥,係位在該流量計中,該滑動閥係可加以 調整以改變流鱧流經該流量計的量值,使得在該排氣系 統的寬度上所形成的差壓可以被控制,以在排氣系統之 寬度上提供一特定的差異流動模式。 68·如申請專利範圍第67項之流體流動控制排氣系統,其 中母一動輪轉子係進一步在該流量計中包含一動輪轉 子靜壓感測器。 69·如申請專利範圍第68項之流體流動控制排氣系統,其 中每一動輪轉子係進一步在該流量計中包含一動輪轉 子溫度感測器。 70·如申請專利範圍第69項之流體流動控制排氣系統,其 中該棑氣系統進一步包含一排氣系統靜壓感測器,該動 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) !!訂·!1!!線J 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐〉 54 91918 _ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 费 合 作 社 印 製 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 輪轉子靜壓感測器、該動輪轉子溫度感測器以及該排氣 系統靜壓感測器,係可提供該滑動閥的回饋控制。 71·如申請專利範圍第7()項之流體流動控制排氣系統,其 中該棑氣系統係進一步包含一排氣風扇、該排氣風扇係 可根據由該排氣系統靜壓感測器之信號來加以控制。 72·—種塗佈捲狀薄片材料型式基板之設備,該設備包含·· 一供應裝置,係用以供應及支撐該薄片基板之未塗 佈部分; 一薄片處理部分,係用以導引該薄片基板通過一塗 佈區域’該薄片棊板係在該塗佈區域中靠近一表面而構 成一沉積空間; 一收取裝置,係用以支撐該薄片基板之已經塗佈的 部分’並且骚動溥片基板而使其由供應滾輪骚動通過該 塗佈區域,然後到達該捲收滚輪;以及 塗佈材料供應源,係用以供應塗佈材料至該沉積 空間。 73·如申請專利範圍第72項之設備,其中該供應裝置係位 在該收取裝置下方,使得當薄片位在該沉積空間中時, 該薄片係大致呈垂直的。 74.如申請專利範圍第73項之設備,其中該薄片基板係朝 向該表面而由沉積空間之底部朝向該沉積空間的中央 部位逐漸地收歛’並且由該沉積空間之中央部位朝向該 沉積空間的頂部而逐漸地發散,藉此在該沉積空間申形 成一中央流量計部位。 --------------裝 m n ϋ 1 n ϋ ff— I 訂i 1 n ϋ n / ϋ I 線 (锖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用t國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 55 91918 M4557 A8B8C8D8 六、申請專利範圍 75.—種用以塗佈線材或線帶的設備,該設備係包含·· 一垂直管體; 至少一個沉積蒸氣供應源; 至少一個供應裝置,係用以支撐及供應該線材或線 帶之未經塗佈的部分通過一漏斗部及垂直管體;以及 至少一個收取裝置,係用以在該線材或線帶離開該 垂直管體之後,支撐及回收該線材或線帶已塗佈之部 分。 76·如申請專利範圍第75項之設備,其進一步包含一蒸氣 導引裝置’係用以將沉積蒸氣由至少一沉積蒸氣供應源 導引至該垂直管體中。 77·如申請專利範圍第76項之設備,其申該蒸氣導引裝置 係包含一漏斗部。 請 先 閲 讀 背 面 之 注 意 事 項 再 填 寫 本 頁 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 56 91918
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI385260B (zh) * 2004-12-18 2013-02-11 Aixtron Ag A device for storing containers at temperature

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
MY134338A (en) * 2001-08-24 2007-12-31 Asml Us Inc Atmospheric pressure wafer processing reactor having an internal pressure control system and method
DE60211470T2 (de) * 2002-03-15 2006-11-09 Vhf Technologies S.A. Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von flexiblen Halbleiter-Einrichtungen
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8808457B2 (en) * 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US20040020430A1 (en) * 2002-07-26 2004-02-05 Metal Oxide Technologies, Inc. Method and apparatus for forming a thin film on a tape substrate
US20040142104A1 (en) * 2003-01-07 2004-07-22 Woolley Christopher P. Apparatus and method for depositing environmentally sensitive thin film materials
US7648925B2 (en) * 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
DE10330401B3 (de) * 2003-07-04 2005-02-24 Applied Films Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum bereichsweisen Auftragen von Trennmitteln
US20050079278A1 (en) * 2003-10-14 2005-04-14 Burrows Paul E. Method and apparatus for coating an organic thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability
US20050256011A1 (en) * 2004-01-23 2005-11-17 Metal Oxide Technologies, Inc. System and method for quality testing of superconducting tape
WO2005106350A2 (en) * 2004-04-23 2005-11-10 Philip Morris Usa Inc. Aerosol generators and methods for producing aerosols
US7968145B2 (en) 2005-04-26 2011-06-28 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US7931937B2 (en) * 2005-04-26 2011-04-26 First Solar, Inc. System and method for depositing a material on a substrate
US8795769B2 (en) * 2005-08-02 2014-08-05 New Way Machine Components, Inc. Method and a device for depositing a film of material or otherwise processing or inspecting, a substrate as it passes through a vacuum environment guided by a plurality of opposing and balanced air bearing lands and sealed by differentially pumped groves and sealing lands in a non-contact manner
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
DE102005044306A1 (de) * 2005-09-16 2007-03-22 Polyic Gmbh & Co. Kg Elektronische Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer solchen
CH697933B1 (de) 2005-11-03 2009-03-31 Tetra Laval Holdings & Finance Verfahren und Vorrichtung zur Beschichtung von Kunststofffolien mit einer Oxidschicht.
US7923281B2 (en) * 2006-04-13 2011-04-12 Solopower, Inc. Roll-to-roll processing method and tools for electroless deposition of thin layers
WO2008041858A1 (en) * 2006-10-06 2008-04-10 Gp Stratum As Process and device for continuous treatment of a web substrate
US7410542B2 (en) * 2006-10-10 2008-08-12 Paul Terrance Nolan Variable environment, scale-able, roll to roll system and method for manufacturing thin film electronics on flexible substrates
US8815346B2 (en) * 2006-10-13 2014-08-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Compliant and nonplanar nanostructure films
EP1975272A1 (en) * 2007-03-27 2008-10-01 Galileo Vacuum Systems S.p.A. Device for vacuum deposition of a coating on a continuous material, with liquid applicator
CN101680083B (zh) * 2007-05-14 2012-01-25 株式会社爱发科 薄膜传送装置和卷绕式真空成膜方法
US7513410B2 (en) * 2007-06-11 2009-04-07 International Business Machines Corporation Air bearing gap control for injection molded solder heads
JP2010532819A (ja) * 2007-07-06 2010-10-14 ピルキントン グループ リミテッド 蒸着法
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
EP2281921A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition.
US20110143019A1 (en) 2009-12-14 2011-06-16 Amprius, Inc. Apparatus for Deposition on Two Sides of the Web
JP5621258B2 (ja) * 2009-12-28 2014-11-12 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
US20130061803A1 (en) * 2010-01-15 2013-03-14 Solopower, Inc. Roll-To-Roll PVD System and Method to Manufacture Group IBIIIAVIA Photovoltaics
US8088224B2 (en) * 2010-01-15 2012-01-03 Solopower, Inc. Roll-to-roll evaporation system and method to manufacture group IBIIAVIA photovoltaics
EP2360293A1 (en) 2010-02-11 2011-08-24 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
EP2362002A1 (en) 2010-02-18 2011-08-31 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Continuous patterned layer deposition
EP2362411A1 (en) 2010-02-26 2011-08-31 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for reactive ion etching
TWI477646B (zh) * 2010-08-09 2015-03-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 化學氣相沉積設備
DE102010060489B4 (de) * 2010-11-11 2018-08-16 Océ Printing Systems GmbH & Co. KG Vorrichtung zum Trocknen eines mit Tinte bedruckten Aufzeichungsträgers in einem Drucker und Verfahren hierzu
KR101806916B1 (ko) * 2011-03-17 2017-12-12 한화테크윈 주식회사 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법
TWI414641B (zh) * 2011-06-20 2013-11-11 Intech Electronics Co Ltd 軟性銅箔基板電鍍裝置
CN103107241B (zh) * 2013-01-25 2015-10-14 山东四季欣盛科技有限公司 太阳能电池背膜的生产工艺
DE102013219816B4 (de) * 2013-09-30 2023-06-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung mit Abscheidekammer mit turbulenter Gasführung zur kontinuierlichen Beschichtung von Substraten mittels Gasphasenabscheidung sowie Verfahren zu diesem Zweck unter Verwendung einer solchen Vorrichtung
DE102013111790A1 (de) * 2013-10-25 2015-04-30 Aixtron Se Energie- und materialverbrauchsoptimierter CVD-Reaktor
JP6282917B2 (ja) * 2014-04-11 2018-02-21 株式会社Ihi 真空処理装置
KR101905560B1 (ko) * 2016-03-08 2018-11-21 현대자동차 주식회사 연료전지용 막-전극 어셈블리의 제조장치 및 방법
US10954598B2 (en) * 2017-02-28 2021-03-23 George Xinsheng Guo High throughput vacuum deposition sources and system
IT201800006582A1 (it) * 2018-06-22 2019-12-22 Filo metallico con rivestimento anticorrosivo, nonché impianto e procedimento per rivestire un filo metallico
US11633885B2 (en) * 2020-05-22 2023-04-25 86 Solar Inc. Lazarev reactor 2: continuous production process of films of two- dimensional polymers
CN113091337B (zh) * 2021-05-26 2022-07-08 青海中煤地质工程有限责任公司 一种基于地热利用的地热转换设备
CN114481034B (zh) * 2022-01-04 2022-12-16 重庆金美新材料科技有限公司 一种复合金属箔的制备方法、设备和系统

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3907607A (en) * 1969-07-14 1975-09-23 Corning Glass Works Continuous processing of ribbon material
US3850679A (en) * 1972-12-15 1974-11-26 Ppg Industries Inc Chemical vapor deposition of coatings
US4031851A (en) * 1973-08-08 1977-06-28 Camahort Jose L Apparatus for producing improved high strength filaments
US4423701A (en) * 1982-03-29 1984-01-03 Energy Conversion Devices, Inc. Glow discharge deposition apparatus including a non-horizontally disposed cathode
DE3330092A1 (de) * 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
EP0142083A3 (de) * 1983-11-11 1987-04-29 Hoesch Aktiengesellschaft Verfahren und Einrichtung zum Herstellen metallischer Überzüge
US4601260A (en) * 1985-04-01 1986-07-22 Sovonics Solar Systems Vertical semiconductor processor
US4664951A (en) * 1985-07-31 1987-05-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method provided for corrective lateral displacement of a longitudinally moving web held in a planar configuration
US4723507A (en) * 1986-01-16 1988-02-09 Energy Conversion Devices, Inc. Isolation passageway including annular region
US4728406A (en) * 1986-08-18 1988-03-01 Energy Conversion Devices, Inc. Method for plasma - coating a semiconductor body
JPS6357777A (ja) * 1986-08-28 1988-03-12 Canon Inc 堆積膜形成装置
JPH01224206A (ja) * 1988-03-04 1989-09-07 Natl Res Inst For Metals 酸化物高温超電導体皮膜の形成方法
GB9007273D0 (en) * 1990-03-31 1990-05-30 British Petroleum Co Plc Process for the manufacture of ceramic fibres
US5314570A (en) * 1990-07-18 1994-05-24 Sumitomo Electric Industries Ltd. Process and apparatus for the production of diamond
US5273911A (en) * 1991-03-07 1993-12-28 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of producing a thin-film solar cell
US5236509A (en) * 1992-02-06 1993-08-17 Spire Corporation Modular ibad apparatus for continuous coating
DE4324320B4 (de) * 1992-07-24 2006-08-31 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer als dünne Schicht ausgebildeten fotovoltaischen Umwandlungsvorrichtung
JP2914098B2 (ja) * 1993-06-29 1999-06-28 東レ株式会社 蒸着フィルムの測定、制御方法、装置および製造方法
JP3632999B2 (ja) * 1994-09-16 2005-03-30 株式会社ユーハ味覚糖精密工学研究所 高圧力下でのラジカルcvd法による連続成膜方法及びその装置
DE19744060C2 (de) * 1997-10-06 1999-08-12 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten
SE9801190D0 (sv) * 1998-04-06 1998-04-06 Abb Research Ltd A method and a device for epitaxial growth of objects by Chemical Vapour Deposition
US6368665B1 (en) * 1998-04-29 2002-04-09 Microcoating Technologies, Inc. Apparatus and process for controlled atmosphere chemical vapor deposition
JP2000082595A (ja) * 1998-07-08 2000-03-21 Sekisui Chem Co Ltd シート状基材の放電プラズマ処理方法及びその装置
US6258408B1 (en) * 1999-07-06 2001-07-10 Arun Madan Semiconductor vacuum deposition system and method having a reel-to-reel substrate cassette

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI385260B (zh) * 2004-12-18 2013-02-11 Aixtron Ag A device for storing containers at temperature

Also Published As

Publication number Publication date
EP1209252A3 (en) 2002-11-27
CA2357324A1 (en) 2002-03-15
EP1209252A2 (en) 2002-05-29
US20020069826A1 (en) 2002-06-13
KR20020021619A (ko) 2002-03-21
JP2002212743A (ja) 2002-07-31
US6869484B2 (en) 2005-03-22

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