TW497161B - Semiconductor device manufacturing method having a step of forming a post terminal on a wiring by electroless plating - Google Patents

Semiconductor device manufacturing method having a step of forming a post terminal on a wiring by electroless plating Download PDF

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TW497161B
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Taiwan
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wiring
forming
film
sealing resin
thin film
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TW090113235A
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Yutaka Makino
Eiji Watanabe
Hirohisa Matsuki
Tetsuya Fujisawa
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Fujitsu Ltd
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Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497161 A7 —---------— B7___— —___ 五、發明說明（1 ) 璧^背景 ΐ·發明領域 本發明一般而言係有關一種製造半導體元件之 方法，而更特定言之，係有關一種製造具有作為安 裝端子之柱狀電極之半導體元件的方法。 近年來，由於半導體元件快速地縮小並以較高 密度提供，且因此其安裝端子係具有窄的間距。特 別是對CSP(晶片尺寸封裝）而言，當CSP具有設在形 成於半導體構件周圍之電極墊上的安裝端子時，由 於半導體構件具有大體上相等於其封裝的尺寸，上 述窄間距係會產生一嚴重的問題。 為了避免上述問題，安裝端子與電極墊係形成 於偏置（offset)狀態，使得安裝端子係於封裝體形成 矩陣。此結構係需求佈線（其後稱為再分佈層），以 連結安裝端子與電極墊。 另一方面，半導體元件係要求以低花費製造。 因此’於製造半導體元件中，±述再分佈層需以低 花費來形成。 2 ·相關技藝描述 近年來，晶圓級(WafeMevel)技術係已應用於製 造一 CSP型半導體元件，在該等技術中，再分佈層 (佈線）與密封樹脂係於切割（分離成片體）晶圓前設 置。其後，將描述習知在晶圓級形成再分佈層（佈線） 以及設置密封樹脂的方法。
497161 五、發明說明（2 ) 經濟部智慧財產局M.*工消f.合作社印製
第1至12圖係顯示一連續製造習知半導體元件 的步驟。如上所述，佈線（再分佈層）25以及密封樹 脂26係於切割（分離成片體）晶圓11前設置。然而7 為了方便顯示與描述，第丨至12圖並未顯示整個晶 圓11，但放大在電極墊12周邊内晶圓u之一部分。 一電子電路與一電極墊12係預先形成在晶圓u 之上表面上（欲形成佈線25之表面）。又，形成一絕 緣薄膜13 ,以覆蓋晶圓丨丨之上表面。絕緣薄膜η具 有形成在對應於電極墊12之位置上的開口，使得電 極墊12係自絕緣薄膜13曝露出來。 於形成佈線25中，首先，一底下的（底下的）金 屬薄膜14係在上述狀態下形成於晶圓丨丨上，如第i 圖所示。底下的金屬薄膜14係由銅（Cu)製成，且係 以濺鍍形成。底下的金屬薄膜14係形成於整個晶圓 11上方。 於形成底下的金屬薄膜14後，一由絕緣材料製 成之光阻15係設置於底下的金屬薄膜14上，如第2 圖所不。光阻15係具有依據欲形成之佈線25而成形 的開口 16。隨後，一佈線薄膜17係藉由使用底下的 金屬薄膜14作為電極以及光阻15作為罩模之電鍍 而形成於底下的金屬薄膜14上，如第3圖所示。 如同底下的金屬薄膜14 ,此佈線薄膜17亦係由 銅（Cu)製成。於上述電鍍中，光阻15係使用作為罩 杈，以給予佈線薄膜17一依據欲形成之佈線25的形 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 297公釐） 497161 Λ7 B7 五、發明說明（3 ) 狀。 於形成佈線薄膜17後，光阻15係被去除，如第4 圖所示。其後，一光阻18係設置於底下的金屬薄膜 14以及佈線薄膜17上，如第5圖所示。光阻18具有 開口 19，以於其中形成一柱狀20。 隨後，柱狀20係藉由使用底下的金屬薄膜14作 為電極以及光阻18作為罩模之電鍍而形成於開口 19内，如第6圖所示。如同底下的金屬薄膜14以及 佈線薄膜17，此柱狀20亦係由銅（Cu)製成。柱狀20 係形成於對應在後述步驟中，欲設置焊料突起27(安 裝端子）之位置的位置上。 於形成柱狀20厚後，一鎳（Ni)薄膜21係形成於 柱狀20上，如第7圖所示。隨後，一金（An)薄膜22 係形成於鎳（Ni)薄膜21上，如第8圖所示，使得柱狀 20、鎳（Ni)薄膜21以及金（An)薄膜22—起形成一柱 狀端子23。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於形成柱狀端子23後，光阻18係被去除，如第9 圖所示。其後，一光阻（未示於圖式中）係被設置， 以覆蓋佈線薄膜17(具有依據欲形成之佈線25的形 狀）以及用於將底下的金屬薄膜14形成圖案之柱狀 端子23。特別是，底下的金屬薄膜14除了面對佈線 薄膜17(具有依據欲形成之佈線25的形狀）之部分係 以姓刻加以去除，如第10圖所示。此形成在晶圓11 上之佈線25。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 497161 A7 B7 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員" 工 消 費- 合 社 印 製 五、發明說明（4 於上述形成柱狀端子23以及佈線25後，密封樹 脂26係以模塑形成於晶圓11上方，如第11圖所示。 接著，作為安裝端子之焊料突起27係藉由如轉移程 序而設置於柱狀端子23之上端上。其後，晶圓11係 被切割成片體，以形成半導體元件10。第12圖顯示 在電極墊12周遭内之完整半導體元件10的一部分。 如上所述，佈線25以及柱狀端子23係以電鍍步 驟加以形成（參見第3與第6圖）。然而，使用電鍍步 驟來形成佈線25以及柱狀端子23在電鍍中，需要對 以金屬（在上述步驟中為銅）電鍍之部分提供電力供 應。 顯示在第1圖之底下的金屬薄膜14係用於再電 鍍中提供上述電力供應。因此，底下的金屬薄膜14 不能被去除，直到電鍍步驟完畢為止。易言之，底 下的金屬薄膜14係於電鍍步驟完畢後被去除。特別 是，在上述習知方法中，底下的金屬薄膜14係藉由 顯示在第10圖内之#刻加以去除。 因此，直到底下的金屬薄膜14被去除止，無法 設置密封樹脂26。因此，於形成包含佈線薄膜17以 及柱狀20之金屬構件中，必須設置光阻而後於每次 加以去除。此使半導體元件之製造步驟變得複雜。 特別是，於顯示在第1至12圖的習知方法中，於 去除顯示在第10圖中之底下的金屬薄膜14前，必需 先形成佈線25以及柱狀端子23。因此，光阻15必需 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]0 X 297公釐） --------^--------- (請先閱請背面之注意事項再填寫本頁) 497161 A7 B7 五、發明說明（5 ) 設置於顯示在第2圖之步驟中，以形成佈線25(佈線 薄膜17)，而後光阻15必須在顯示於第4圖之步驟中 被去除。又，光阻18必須設置在顯示於第5圖之步 驟中，以形成柱狀端子23，而後光阻18必須於顯示 在第9圖之步驟中被去除。因此，上述習知方法需 要兩組設置與去除光阻之步驟。此使半導體元件製 造步驟變得複雜。 此外，使用銅（Cu)作為形成佈線25(佈線薄膜17) 之材料係引發遷移的考量。亦即，儘管銅（Cu)具小 電阻抗，且因此作為佈線時具有良好的電氣特性， 然而銅（Cu)係傾向於被遷移所影響，使得互相鄰近 設置銅佈線（佈線25)係導致不良的絕緣。所熟知者 為使銅佈線（佈線25)塗覆另一金屬薄膜，如鎳（Ni) 薄膜，係有效防止此遷移。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當考量執行此一塗覆步驟，以完全塗覆佈線25 時，當底下的金屬薄膜14除了面對佈線25(佈線薄膜 17)之部分係被去除時，由於底下的金屬薄膜14之殘 餘部分係自金屬薄膜曝露出來，因此，於去除底下 的金屬薄膜14前，形成金屬薄膜係過早。因此，金 屬薄膜必需在去除底下的金屬薄膜14後形成，以完 全塗覆佈線25。另一方面，不可能在設置密封樹脂 26後，以金屬薄膜塗覆佈線25。因此，於上述習知 方法中，用於防止遷移之金屬薄膜僅可形成於顯示 在第10圖之步驟中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 497161 Λ7 * B7 五、發明說明（6 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 然而，設若金屬薄膜係形成於顯示在第10圖之 步驟中，不僅佈線25且柱狀端子23亦塗覆有金屬薄 膜。當柱狀端子23塗覆有諸如鎳（Ni)薄膜之金屬薄 膜時，在足夠安裝強度下，焊料突起27無法藉由轉 移程序而被確保設置於柱狀端子23之上端上。此降 低了半導體元件10之可靠度。簡言之，習知製造方 > 法無法提供形成用於防止遷移之金屬薄膜的最佳 化條件。 發明概述 本發明之一目的在於提供改良且有用之製造半 導體元件的方法，該半導體元件具有作為安裝端子 之柱狀電極，本發明之方法與元件係可排除上述問 題。 本發明之一特定目的在於提供製造具有作為安 f 裝端子之柱狀電極之半導體元件的方法，該方法 可簡化製造半導體元件之步驟，並防止發生自其佈 線間之遷移。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為了達到上述目的，根據本發明之一面，係提 供一種製造半導體元件之方法，該方法包含下列步 驟： 形成一電氣連結至形成在基材上之電極墊的佈 線，該佈線係延伸於基材上； 以無電鍍敷形成一柱狀端子，使得該柱狀端子 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） 497161 Λ7 B7 五、發明說明（7 ) 係電氣連結至該佈線；以及 設置一密封樹脂，以覆蓋基材除了形成柱狀端 子之位置。 根據本發明，由於柱狀端子係以無電鍍敷形 成，係不須設置或去除在電鍍中所需之用以提供電 力供應的底下的金屬薄膜或底下的佈線。此簡化製 造半導體元件之步驟。 再者，於根據本發明之半導體元件製造方法 中，設置密封樹脂之步驟可於形成柱狀端子之步驟 前執行，且設置密封樹脂之步驟可包含於密封樹脂 内形成開口，以於形成柱狀端子之步驟中，將柱狀 端子形成於開口内。 根據本發明，柱狀端子可藉由使用密封樹脂作 為罩模之無電鍍敷來形成。再者，於藉由無電鍍敷 形成柱狀端子後，密封樹脂不須被去除，以去除在 電鍍中可能存在於密封樹脂下方以提供電力供應 之底下的金屬薄膜或底下的佈線。因此，形成柱狀 端子之步驟不需包含在習知方法中所需之設置與 去除光阻。此簡化了製造半導體元件之步驟。 再者，於根據本發明之半導體元件製造方法 中，設置密封樹脂之步驟可包含選擇耐鹼性材料來 形成密封樹脂。 根據本發明，儘管使用於無電鍍敷之無電鍍敷 溶液一般係具有強鹼性，選擇耐鹼性材料來形成密 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） I, 丨·裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂——-------線 « 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -10- 497161 Λ7 五、發明說明（ 封相m係防止密封樹脂在電鍍中遭受破壞。因此， 可藉由使用密封樹脂作為I模之鑛敷碟保形 成柱狀端子。 再者’根據本發明之半導體元件製造方法，< 進-步包含於形成佈線之步驟後，將—金廣薄膜形 成於佈線上之步驟，使得佈線係塗f有金廣薄膜， 其中形成柱狀端子之步驟與設置密封樹脂之步驟 係於形成金屬薄膜之步驟後進行。 ^據本發明，由於金屬薄膜係於形减線之少 驟疋成後再形成於佈線上，因此，佈線係 線之任一部分向外曝露之情&下，完全 有伸 所塗覆。藉此，即使佈線係由傾向遷移之缚m 成，佈線係完全被金屬薄膜所覆蓋，以避免卷所製 再者’於根據本發明之半導體元件製^多。 中，佈線可由銅（CU)形成。 法 經濟部智慧財產局氮工消#合作社印製
产根據本發明，具有小電阻抗且因此具有声 氣特性之銅（CU)作為佈線可增進半導體元^蚌電 力。必須注意的是，即使銅（Cu)本身傾向產生遷< 能 由銅（Cu)形成之佈線係完全被金屬薄膜所覆多， 避免遷移。 ’ Q 再者，根據本發明之半導體元件製造方法 進一步包含於形成柱狀端子之步驟後，以無電可 將至少一金屬薄膜形成於柱狀端子上之步驟。X數 根據本發明，如同形成柱狀端子，用於钕狀 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵〇 x 297公髮 -11 497161 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（9 ) 子之金屬薄膜可在不使用底下的金屬薄膜或底下 的佈線來提供電力供應下，以無電鍍敷形成。再者， 由於將金屬薄薄膜形成於柱狀端子上不使用底下 的金屬薄膜或底下的佈線來提供電力供應，用於柱 狀端子之金屬薄膜可於設置密封樹脂後形成。士本發明之其他目的、特徵與優點將伴隨附圖閱 5買下列詳細描述而變得更清楚。 選式簡簟説明 第1圖係用於解說形成習知再分佈層（佈線）之 方法的第一例示說明圖； 第2圖係用於解說形成習知佈線之方法的第二 例示說明圖； 第3圖係用於解說形成習知佈線之方法的第三 例示說明圖； 第4圖係用於解說形成習知佈線之方 例示說明圖； 第5圖係用於解說形成習知佈線之方法的第 例示說明圖； 第6圖係用於解說形成習知佈線之方法的第山 例示說明圖； ^ 第7圖係用於解說形成習知佈線之方法# $ 例示說明圖； 第8圖係用於解說形成習知佈線之方法的第 請' 先 閱 讀一 背 面 意 事 項 再I 填( 寫 本 頁 四 五 七 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐 -12- 497161 Λ7 B7 五 、發明說明（10 ) 例示說明圖； 第9圖係用於解說形成習知佈線之方法的第九 例示說明圖； 第10圖係用於解說形成習知佈線之方法的第十 例示說明圖； 第11圖係用於解說形成習知佈線之方法的第十 一例示說明圖； 第12圖係用於解說形成習知佈線之方法的第十 —例不說明圖； 第13圖係晶圓之平面圖，其係執行根據本發明 之一實施例之製造半導體元件的方法； 第14圖係以顯示在第13圖之箭矢a所指之部分 的放大圖； 第15圖係用於解說形成根據本發明之一實施例 之再分佈層（佈線）之方法的第一例示說明圖. 第16圖係用於解說形成根據本發明之一實施例 之佈線之方法的第二例示說明圖； 第17圖係用於解說形成根據本發明之一實施例 之佈線之方法的第三例示說明圖； 第18圖係用於解說形成根據本發明之一實施例 之佈線之方法的第四例示說明圖； 第19圖係用於解說形成根據本發明之一實施例 之佈線之方法的第五例示說明圖· 第20圖係用於解說形成根據本發明之 例 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局氮工消費合作社印製
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497161 Λ7 B7 五、發明說明（11 ) 之佈線之方法的第六例示說明圖； 第21圖係用於解說形成根據本發明之一實施例 之佈線之方法的第七例示說明圖； 第2 2圖係用於解說形成根據本發明之一實施例 之佈線之方法的第八例示說明圖； 第23圖係用於解說形成根據本發明之一實施例 之佈線之方法的第九例示說明圖；以及 第2 4圖係用於解說形成根據本發明之一實施例 之佈線之方法的第十例示說明圖。 較佳實施例之詳細說明 以下將參照圖式描述根據本發明之實施例。 第15至2 4圖係顯示根據本發明之一實施例之製 造半導體元件的方法。必須注意的是，根據本實施 例之製造半導體元件之方法的特徵係在於，形成佈 線（再分佈層）55、柱狀端子54，以及密封樹脂48之 步驟，而其他的製造步驟則為已知。因此，下列描 述將主要為構成本發明之特徵的上述步驟。 佈線55、柱狀端子54，以及密封樹脂48係於切 割（分離成片體）晶圓41前形成。然而，為了方便顯 示與描述，第15至24圖係顯示形成於晶圓41内之半 導體構件之電極墊42周邊的放大圖。 特別是，於顯示在第13圖之晶圓41内，以實線 矩形界定之部分（以箭矢A所指之部分）係為形成半 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) r..裝--------訂---------線 -14- 經濟部智慧財產局P.工消f_合作社印製 497161 A7 ' B； 五、發明說明（12 ) 導體構件之區域。第14圖係為以顯示在第13圖之箭 矢A所指之部分的放大圖。第15至24圖係玩顯示在 第14圖之電極墊42之周邊部分（即，以箭矢B所指之 實線矩形所定義之部分）的放大截面圖。再者，第13 與14圖係顯示切割線58。 一電子電路與電極墊42係預先形成於晶圓41之 > 上表面（形成佈線55之表面）上。又，一絕緣薄膜43 係被形成，以覆蓋晶圓41之上表面。絕緣薄膜43可 為諸如保護薄膜之氮化物薄膜，或為諸如聚醯亞胺 薄膜之樹脂薄膜。當選用聚醯亞胺薄膜作為絕緣薄 膜43時，聚醯亞胺薄膜較佳為具有2 //m至50 //m 之厚度。絕緣薄膜43具有形成在對應於電極墊42之 位置上的開口，使得電極墊42係自絕緣薄膜43曝露 出來。 在形成佈線55中，首先，一底下的金屬薄膜44 > 係在上述狀態下藉由濺鍍而形成於晶圓41上，如第 15圖所示。底下的金屬薄膜44係由銅（Cu)製成，且 係為200 nm至800 nm厚。底下的金屬薄膜44係電氣 連結至電極墊42。 於形成底下的金屬薄膜44後，一由絕緣材料製 成之光阻45係設置於底下的金屬薄膜44上，如第16 圖所示。光阻45具有依據欲形成之佈線55而成形的 開口 46 〇 隨後，一佈線薄膜47係藉由使用底下的金屬薄 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） -------------裝.-------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -15- 497161 Λ7 B7 ------- ' *----- 五、發明說明（13 ) 膜44作為電極且光阻45作為罩模，而形成於底下的 金屬薄膜44上，如第17圖所示。如同底下的金屬薄 膜44,此佈線薄膜47亦由銅（Cu)製成，並具有5 // m至15 之厚度。於上述電鍍中，光阻45係使用 作為罩模，以給予佈線薄膜47依據欲形成之佈線55 的形狀。 於形成上述佈線薄膜47後，光阻45係被去除， 如第18圖所示。其後，底下的金屬薄膜44除了面對 佈線薄膜47之部分外係藉由使用佈線薄膜47作為 罩模之蝕刻加以去除。於此去除步驟後，由於去除 了底下的金屬薄膜44，係無法執行使用底下的金屬 薄膜44作為電極之電錄程序。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 於此藉由蝕刻去除底下的金屬薄膜44之步驟 中，使用作為罩模之佈線薄膜47亦部分被蝕刻。然 而’相較於具有相當小之200 nm至800 nm厚度的底 下的金屬薄膜44，佈線薄膜47具係有5 μηι至15 μηι 之大厚度。因此，儘管佈線薄膜47在藉由蝕刻去除 底下的金屬薄膜44時係部分被蝕刻，佈線薄膜47仍 維持足以作為佈線55之厚度。至此所述之一連續步 驟係形成包含底下的金屬薄膜44與佈線薄膜47之 佈線55。 於上述形成佈線55後，一第一Ni薄膜51係藉由 無電鍍敷而形成於佈線55之上表面上。於此步驟 中，由於底下的金屬薄膜44係已藉由蝕刻之上述去 本紙張尺度適標準（CN^^格⑵Q χ挪公髮） -16 - 497161 A7 B7 經濟部智慧財產局I工消氮合作社印製
五、發明說明（14 除底下的金屬薄膜44之步驟而形成依據佈線55之 形狀的圖案，佈線55係完全塗覆該第一Ni薄膜51。 易言之，於本實施例中，由於第一Ni薄膜51係 於上述一連續形成佈線55之步驟後形成，佈線55係 在未有佈線55之任一部分向外曝露下，完全塗覆有 該第一Ni薄膜51。藉此，即使佈線55(底下的金屬薄 膜44以及佈線薄膜47)係由傾向於遷移之銅（Cu)製 成，佈線55係完全被第一Ni薄膜51所覆蓋，以避免 遷移。第19圖顯示佈線55以及形成於其上之第一Ni 薄膜51。 於上述佈線55塗覆第一Ni薄膜51後，密封樹脂 48係設置於晶圓41上方，如第20圖所示。密封樹脂 48係由如耐鹼以及絕緣聚醯亞胺樹脂所製成，並藉 由加壓模塑形成。再者，密封樹脂48係具有形成在 欲形成柱狀端子54之位置上的開口 49。 此設置密封樹脂48之步驟係於柱狀端子54在下 列步驟中形成前進行。如上所述，於根據本實施例 之製造方法中，由於在顯示於第19圖之步驟前，佈 線55係已完成，佈線55(底下的金屬薄膜44以及佈線 薄膜47)係不進行其後的進一步處理。 因此，設置於上述步驟中之密封樹脂48係不須 於下列步驟中去除，且因此可由作為半導體元件60 之一部分之最終型式的材料製成（參見第24圖）。易 言之，設置於上述步驟中之密封樹脂48係作為半導 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 497161 A7 ______B7__ 五、發明說明（15 ) 體元件60之樹脂封裝體。密封樹脂48具有2 ΙΏ 100 //m(較佳5 至1〇 vm)之厚度。 於上述設置密封樹脂48後，一柱狀5〇係形成於 開口 49内。柱狀50係由銅（Cu)製成，且係以無電鍍 敷形成。特別是，柱狀50可藉由使用商業無電銅電 鍍溶液（由Meltex公司製造之Melplate CiM00)之無 電鍍敷形成。柱狀50具有自密封樹脂48之厚度之+ 3 範圍内的高度。第21圖顯示以無電鍍敷=成於 密封樹脂48之開口 49内的柱狀50。 於此方式中，藉由使用無電鍍敷，杈狀5〇甚至 可於去除電力供應所需之底下的金屬薄膜44，並設 置作為樹脂封裝體之密封樹脂48後，形成於佈線％ 上。再者，由於形成半導體元件60之一部分的密封 樹脂48係使用作為罩模來形成柱狀5〇，因此，不須 執行顯示在第5與9圖中所需之設置與去除光阻18 來形成柱狀20的步驟，以簡化半導體元件6〇之製造 步驟。 、於上述形成柱狀50後，一第二Ni薄膜52係形成 於柱狀50上方，如第22圖所示。該第二奶薄膜^係 作為抵抗焊料突起57之阻擋金屬。隨後，一Au薄膜 «係形成於該第二Ni薄膜52上，如第_所示。Au /專臈53係作為氧化抑制薄膜。第二Ni薄膜52與Au 薄膜53可亦藉由使用商業無電鍍敷溶液之無電鍍 敷加以形成。 · (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1¾衣--------訂---------線 «!
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五、發明說明（16 於此等步驟中，第二Ni薄膜52係形成約1 //m 至5 //m之厚度，而Au薄膜53係形成約10nm至200 nm之厚度。再者，儘管無電鍍敷溶液一般具有強鹼 性，如上所述，本實施例係選擇耐鹼材料來形成密 封樹脂48。此防止密封樹脂48於上述使用無電鍍敷 之步驟中遭受破壞。因此，可確保藉由使用密封樹 脂48作為罩模之無電鍍敷來形成柱狀50。 上述顯示於第20至23圖之步驟係形成包含柱狀 50、第二Ni薄膜52，以及Au薄膜53之柱狀端子54。 柱狀端子54係電氣連結至佈線55(以及電極墊42)。 於此狀態下之柱狀端子54可使用作為接合至安裝 基材之安裝端子。然而，於本實施例中，為了更確 保將安裝端子接合至安裝基材，焊料突起57係設置 於柱狀端子54上，以使用焊料突起57作為安裝端 子。於設置焊料突起57後，晶圓41係沿上述切割線 58供給至各半導體構件59,以形成顯示於第24圖之 半導體元件60。 必須注意的是，密封樹脂48可不僅如上述實施 例所述由聚醯亞胺樹脂形成，且此一樹脂可為聚烯 烴、聚矽氧樹脂、苯並環丁烯，或環氧樹脂。此樹 脂最低可容忍12.5 pH，且因此可進行上述使用無電 鍍敷之步驟。 本發明係非限制於特定揭露之實施例，在不偏 離本發明之範圍下，可進行變化與修飾。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -19- 497161 Λ7 ______ Β7 五、發明說明（17 ) 本發明係基於2000年12月19日所提申之日本優 先權案號2000-368033之申請案，該申請案之整個内 容係併於此作參考。 it件標號對照表 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 半導體元件 42 電極墊 11 晶圓 43 絕緣薄膜 12 電極墊 44 底下的金屬薄膜 13 絕緣薄膜 45 光阻 14 底下的金屬薄膜 46 開口 15 光阻 47 佈線薄膜 16 開口 48 密封樹脂 17 佈線薄膜 49 開口 18 光阻 50 柱狀 19 開口 51 第一 Ni薄膜 20 柱狀 52 第二Ni薄膜 21 Ni薄膜 53 Au薄膜 22 Au薄膜 54 柱狀端子 23 柱狀端子 55 佈線（再分佈層） 25 佈線（再分佈層） 57 焊料突起 26 密封樹脂 58 切割線 27 焊料突起 59 半導體構件 41 晶圓 60 半導體元件 本紙張尺錢财關家標準規格⑵〇 χ 爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線 -20 -

Claims (1)

  1. L 一種製造半導體元件之方法，該方法包含下列 步驟： 形成電氣連結至形成在一基材上之電極 塾的佈線，該佈線係延伸於該基材上； 以無電鍵敷形成一柱狀端子，使得該柱狀 端子係電氣連結至該佈線；以及 設置一密封樹脂，以覆蓋該基材除了形成 該柱狀端子之位置。 2·如申請專利範圍第1項之方法，其中該設置密 封樹脂之步驟係於該形成柱狀端子之步驟前執 行，且該設置密封樹脂之步驟包含於該密封樹 脂内形成開口，以於該形成柱狀端子之步驟 内，在開口内形成柱狀端子。 3 ·如申凊專利犯圍第2項之方法，其中該設置密 封樹脂之步驟包含選擇一耐驗材料來形成該密 封樹脂。 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製 4·如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含 於該形成佈線步驟後’將一金屬薄膜形成於該 佈線上之步驟’使得該佈線係塗覆有金屬薄 膜，其中該形成柱狀端子之步驟以及該設置密 封樹脂之步驟係於形成金屬薄膜之步驟後進 行。 5_如申請專利範圍第4項之方法，其中該佈線係 由銅（Cu)形成。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -21- 497161 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 6.如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包含 於該形成柱狀端子之步驟後，以無電鍍敷將至 少一金屬薄膜形成於該柱狀端子上之步驟。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局I工消費合作社印剔衣
    本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） •22-
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