TW491875B - Novel photoresist cross-linker and photoresist composition comprising the same - Google Patents

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Jae-Chang Jung
Myoung-Soo Kim
Hyung-Gi Kim
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Description

491875 A7 B7 五、發明說明（I ) 發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於可用於負型光阻劑組成物之交聯試劑(“ 交聯劑”），及含其之光阻劑組成物。更特定而言，係關於 製備高度集積半導體元件之微電路時，用於光阻劑之交聯 劑，其適合於使用KrF (248 nm)、ArF (193nm)、E-束、離 子束或EUV光源之光學微影程序，以及使用它的光阻劑組 成物。 發明背景 近來，已證實化學放大型DUV (深紫外光)光阻劑在製 造半導體之微電路製程中可有效達到高靈敏度。這些光阻 劑係藉由將一光酸產生劑與具有酸不安定結構之聚合物母 體巨分子混合而製得。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據此一負型光阻劑之反應機構，該光酸產生劑於受 來源光之照射時會產生酸，而該聚合物母體巨分子之主鏈 或支鏈與所產生之酸交聯，以形成一交聯結構。因此，曝 光的部分無法被顯影液溶解而維持不變，因而於基板上產 生光罩的負像。在微影程序中，解析度視光源之波長而定-波長愈短，可形成之圖案愈小。然而，當光源的波長減少 至形成一微小圖案時[例如，在使用193mn波長或EUV(超 紫外光）之情形下]，曝光裝置的透鏡會因光源而產生不利 的形變，使得壽命縮短。 蜜胺，一種傳統的交聯劑，僅具有有限數目（三個）官 能基以與酸交聯。另外，當使用蜜胺作爲交聯劑時必須產 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491875 A7 B7 五、發明說明（\) 生大量的酸，因爲酸被該交聯反應消耗掉了。因此，此種 交聯試劑需要較高能量的曝光。 爲了克服上述缺點，需要一可與光阻劑聚合物(在此亦 稱爲光阻劑樹脂）交聯並使用較少能量的化學放大型組分。 然而，尙未發展出此種化學放大型交聯劑。 發明槪述 本發明之目的在於提供一種新穎光阻交聯劑，以及一 種製備該光阻交聯劑之方法。 本發明之另一目的在於提供一種含該交聯劑之光阻劑 組成物，以及一種製備該組成物之方法。 本發明之又一目的在於提供一種以該光阻劑組成物所 製之半導體元件。 圖式簡單說明 圖1至圖10顯示使用由實施例5至14所獲得之交聯 劑而製備的光阻劑圖案。 發明詳述 在一方面，本發明提供一種由下列化學式1所代表之 交聯劑單體： 〈化學式1> 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---:---.--------------tT---------^· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
(A \ / 491875 A7 __ B7 五、發明說明（h ) γΧί8
Ri R2 其中Xi及X2分別代表CH2，CH2CH2，0或S; p及 S分別代表0至5之整數；q爲1或1 ; R’及R’’分別代表 氫或甲基；R代表直鏈或支鏈C^o烷基，直鏈或支鏈Q-醚，直鏈或支鏈C^o酯，直鏈或支鏈Cmo酮，直鏈或 支鏈C^q羧酸，直鏈或支鏈C^o縮醛，包括至少一羥 基之直鏈或支鏈C^o烷基，包括至少一羥基之直鏈或支 鏈C^q醚，包括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo酯，包 括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo酮，包括至少一羥基之 直鏈或支鏈Cmo羧酸，及包括至少一羥基之直鏈或支鏈 C^o縮醛；心及R2分別代表氫，直鏈或支鏈Cmo烷基， 直鏈或支鏈Cmo酯，直鏈或支鏈Cmo酮，直鏈或支鏈 C^o羧酸，直鏈或支鏈Cmo縮醛，包括至少一羥基之直 鏈或支鏈Cmo烷基，包括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo 酯，包括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo酮，包括至少一 羥基之直鏈或支鏈Cmo羧酸，及包括至少一羥基之直鏈 或支鏈Cmo縮醛。 8 @張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---j------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491875 A7 B7 五、發明說明（4 ) 本發明之交聯劑可包括一由上述化學式1所代表之交 聯劑單體；其均聚物；或其共聚物。 較佳地，交聯劑爲一共聚物，其爲⑴化學式1所代表 之化合物，其作爲第一共單體，及(Π)馬來酐，其作爲第二 共單體。尤其較佳交聯劑進一步包括(iii)甲基丙烯酸，其 作爲第三共單體，且所得共聚物係由下列化學式7所代表 〈化學式>
0 0 Ri R2 其中&及X2分別代表CH2，CH2CH2，Ο或S; z2分別代表CH2，CH2CH2，O或S ; p，s及t分別代表ο 至5之整數；q爲0或1，R’，R’’，R’’’，及R’’’’分別代表 氫或甲基；R代表直鏈或支鏈Cmo烷基，直鏈或支鏈（：!_ 1〇醚，直鏈或支鏈Cmo酯，直鏈或支鏈Cmo酮，直鏈或 支鏈Cmo羧酸，直鏈或支鏈Cmo縮醛，包括至少一羥 基之直鏈或支鏈Cmo烷基，包括至少一羥基之直鏈或支 9 —,—·------· 1-------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491875 A7 _ B7 五、發明說明（< ) 鏈C^o醚，包括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo酯，包 括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo酮，包括至少一羥基之 直鏈或支鏈C^o羧酸，及包括至少一羥基之直鏈或支鏈 Cl-ίο縮醒，Ri ’ R2 ’ R3 ’ R4 ’ R5及R6分別代表氮，直鍵 或支鏈烷基，直鏈或支鏈Cmo酯，直鏈或支鏈C^o 酮，直鏈或支鏈Cmo羧酸，直鏈或支鏈Cmo縮醛，包 括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo烷基，包括至少一羥基 之直鏈或支鏈C^o酯，包括至少一羥基之直鏈或支鏈 Cmo酮，包括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo羧酸，及包 括至少一羥基之直鏈或支鏈Cwo縮醛；且a，b及C分別 代表各自共單體之相對量。a:bx之較佳比例爲0-90莫 耳％:10_100 莫耳％:0-90 莫耳。/〇。 本發明亦提供一種光阻劑組成物，其包含⑴光阻劑樹 脂，（Π)如先前所說明之光阻交聯劑，（iii)光酸產生劑，及 (iv)有機溶劑。 根據本發明交聯劑之反應機構參考下示反應圖1作說 明。 首先，將本發明之交聯劑與一具有羥基之光阻劑聚合 物混合，並將該混合物塗覆於一傳統半導體基板上（階段1) 。然後，使該基板之一預定區域曝光，該曝光部分產生酸( 階段2)。由於從曝光部分產生之酸，本發明之交聯劑與該 光阻劑聚合物結合在一起，此交聯的結果進一步產生酸。 因爲可交聯之羥基再生成於交聯劑上，而可進行連續的鏈 交聯(階段3)。 10 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---.---.-----------------------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 491875 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（ <反應式1〉
。<。>。)“皆b (樣，4r- δR^I OH OH OH OH 交聯劑 具有羥基之光阻劑物 曝光時產生酸 穿 -jq
Ri R2 OH OH OH OH
R2 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) · 酸 Λη
〇 OH OH Θ
Ri-
OH 作爲催化劑，酸於交聯後再度產生 (化學放麵交聯） 交聯後再生出可交聯之羥基 11 訂-------1 «ά—·.-----II---------------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491875 A7 ________ B7 五、發明說明（7 ) 其中，Χι，X2，Zi，Z2，p，q，s，t，R，R，R ， 及R’’’’，心，R2，R3，R4R5，及R6係定義於化學式1及7 中〇 交聯劑單體的製備 本發明人已發現由下列化學式1所代表之化合物爲良 好的負型光阻交聯劑單體。 <化學式1>
0 0 \ /
Ri R2 其中Xi及X2分別代表CH2，CH2CH2，Ο或S; p及 s分別代表0至5之整數；q爲1或1 ; R’及R’’分別代表 氫或甲基；R代表直鏈或支鏈烷基，直鏈或支鏈Ch 10醚，直鏈或支鏈酯，直鏈或支鏈C^o酮，直鏈或 支鏈C^o羧酸，直鏈或支鏈C^o縮醛，包括至少一羥 基之直鏈或支鏈烷基，包括至少一羥基之直鏈或支 鏈C^o醚，包括至少一羥基之直鏈或支鏈酯’包 12 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 一 r---.--------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 491875 A7 B7 五、發明說明（/) 括至少一羥基之直鏈或支鏈C^o酮，包括至少一羥基之 直鏈或支鏈CN1〇羧酸，及包括至少一羥基之直鏈或支鏈 C^o縮醛；Ri及R2分別代表氫，直鏈或支鏈C^o烷基， 直鏈或支鏈C^o酯，直鏈或支鏈Cmo酮，直鏈或支鏈 羧酸，直鏈或支鏈Cm〇縮醛，包括至少一羥基之直 鏈或支鏈Cm。烷基，包括至少一羥基之直鏈或支鏈CN10 酯，包括至少一羥基之直鏈或支鏈CN1()酮，包括至少一 羥基之直鏈或支鏈C^o羧酸，及包括至少一羥基之直鏈 或支鏈縮醛。 化學式1之化合物與具有羥基(-OH)之光阻劑聚合物在 酸之存在下進行反應，以形成光阻劑聚合物的交聯。此外 ，化學式1之化合物生成另一酸以導致交聯反應，進而誘 發隨後交聯反應。因此，在經曝光區域中之光阻劑聚合物 可被緊密地硬化以獲得高解析度之負型圖案。因此，藉由 使用化學式1之交聯劑單體可製備具高光感度之光阻劑聚 合物。 下列實施例論證所欲之根據本發明之光阻交聯劑單體 的合成方法： 實施例1 將0.5莫耳5-原冰片烯-2-甲醇（由下列化學式3所代 表)與2〇0毫升THF置入一燒瓶中。加入0.12莫耳之吡啶 ’然後加入0.1莫耳化學式3之2-(2-溴乙基)-1，3-二噁茂 烷(di〇xoran)。使該混合物反應1至2天。反應完成後，將 白色固態鹽與溶劑除去，於減壓下蒸餾殘餘物，以得到下 13 本紙張尺度適用中國國家標準（cns)A4規格（210 x 297公釐)~' "" ,—.------—----訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 491875 A7 B7 五、發明說明（q ) 列化學式4之單體: <化學式2>
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
OH <化學式3>
Br
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例2 重複實施例1之步驟，但使用2-(2-溴乙基)-1，3-二噁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 491875 A7 五、發明說明（1 院（由化學式5所代表)以代替溴乙基二噁茂院 (dioxoran)(由化學式3所代表），以獲得由下列化學式6所 代表之單體。 〈化學式5>
Br I CH，
0<、0 U <化學式6>
Η Η CIOICIC
—^ —.--------------訂·-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 光阻交聯劑共單體的製備 根據本發明之光阻交聯劑單體可自身被使用來作爲光 阻交聯劑，或用來形成亦可作爲光阻交聯劑的聚合物。 較佳地，交聯劑爲一共聚物，其爲⑴化學式1所代表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 491875 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（) 之化合物，其作爲第一共單體，及(ii)馬來酐，其作爲第二 共單體。 下列化學式7代表根據本發明之所欲的光阻交聯劑聚 合物： <化學式7>
Ri R2 其中乂！及X2分別代表CH2，CH2CH2，0或S;冗1及 z2分別代表CH2，CH2CH2，0或S ; p，s及t分別代表〇 至5之整數；q爲0或1，R’，R’’，R’’’，及R’’’’分別代表 氫或甲基；R代表直鏈或支鏈Cmo烷基，直鏈或支鏈 1〇醚，直鏈或支鏈Cmo酯，直鏈或支鏈Cm酮，直鏈或 支鏈Cmo羧酸，直鏈或支鏈Cm〇縮醛，包括至少一羥 基之直鏈或支鏈Cmo烷基，包括至少一羥基之直鏈或支 鏈醚，包括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo酯，包 括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo酮，包括至少一羥基之 直鏈或支鏈Cmo羧酸，及包括至少一羥基之直鏈或支鏈 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----------線· 491875 A7 B7 五、發明說明（A) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Cuo縮醛；R!，R2，R3，R4，R5及R6分別代表氫，直鏈 或支鏈Cmo烷基，直鏈或支鏈C^o酯，直鏈或支鏈C^o 酮，直鏈或支鏈Cmo羧酸，直鏈或支鏈Cmo縮醛，包 括至少一羥基之直鏈或支鏈Cmo烷基，包括至少一羥基 之直鏈或支鏈Cm酯，包括至少一羥基之直鏈或支鏈 Cno酮，包括至少一羥基之直鏈或支鏈C^o羧酸，及包 括至少一羥基之直鏈或支鏈C^o縮醛；且a，b及C分別 代表各自共單體之相對量。a:bx之較佳比例爲0-90莫 耳％:10-100 莫耳％:0-90莫耳％。 實施例3 將實施例4之0.1莫耳之交聯劑作爲第一單體，0至 0.1莫耳馬來酐作爲第二單體，及化學式8之0至0.5莫耳 5-原冰片烯-2-羧酸作爲第三單體，在0.2克聚合引發劑 AIBN之存在下，與20克四氫呋喃(75克)混合於一 200毫 升瓶中。於65°C氮氣或氬氣大氣下反應8小時。聚合反 應完成後，以乙醚溶劑或蒸餾水將所得聚合物沉澱出以獲 得化學式9之聚合物： <化學式8>
OH 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 <化學式9> 17 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 491875 A7 _ 五、發明說明（Λ )
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) in； 人
I__I 實施例4 重複實施例3之步驟，但使用實施例6之交聯劑單 體，以代替化學式4之交聯劑單體，以獲得化學式10之聚 合物： <化學式10>
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在實施例3及4中，AIBN係作爲聚合反應引發劑。 然而，亦可使用任何其它傳統自由基聚合反應引發劑，例 如月桂基過氧化物。 18 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 491875 A7 修王 Β7 年月日^ 、j , tzi: wye 五、發明説明（#) -- 可使用丙二醇，甲苯，甲基醚或醋酸酯等，以代替四 氫呋喃。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 製備光阳劑組成物及形成圖案之方法 使用本發明之交聯劑之負型光阻劑組成物的製備方法 將說明如下： 因爲本發明之交聯劑爲化學放大型之交聯劑，因而根 據本發明之光阻劑組成物包括⑴一光阻劑樹脂，（π)—根據 本發明之交聯劑，（iii)一光酸產生劑以及(iv)—可使這些物 質混合於其中之有機溶劑。 上述光阻劑樹脂可爲傳統光阻劑聚合物，較佳爲適用 於使用極短波長(小於250nm)光之光學微影程序中。 可使用傳統光酸產生劑作爲光酸產生劑，例如鎗型化 合物，含鹵素化合物，重氮酮類化合物，硼，磺酸，及硫 化合物，最佳爲銃化合物。例如，該光酸產生劑可爲二苯 基鎮六氟磷酸鹽、二苯基鎮 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六 氟砷酸鹽、二苯基鐫六氟鍊 酸鹽、一本基對甲氧基苯基二氟甲院磺酸鹽(triflate)、二 苯基對甲苯基三氟甲烷磺酸鹽、二苯基對異丁基苯基三氟 甲烷磺酸鹽、二苯基對三級丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽、三 苯基銃六氟磷酸鹽、三苯基銃六氟砷酸鹽、三苯基銃六氟 銻酸鹽、三苯基銃三氟甲烷磺酸鹽、二丁基萘基銃三氟甲 烷磺酸鹽或其混合物。 可使用2-甲氧基乙基醋酸酯，乙基3_乙氧基丙酸酯， 甲基3-甲氧基丙酸酯，環己酮，丙二醇甲基醚醋酸酯，或 其類似物作爲有機溶劑。 19 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 491875 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（β) 爲了使用所製備之光阻劑組成物以形成光阻圖案’光 阻劑組成物係經旋轉塗覆至一砂晶圓上’及在一溫度爲約 70至200。(：，較佳80至15〇。0：之烘箱中或加熱板上”軟烤” 約1至5分鐘。然後，使用一具有ArF、KrF、E-束、EUV 或X射線之曝光機，以〇·1至1〇〇 mJ/cm2的光能量將光阻 劑層曝光，且在溫度爲約70至200°C，較佳100至200°C 下”後烘烤”。然後，藉由將經曝光後之晶圓浸在一如〇·〇1-5 wt%TMAH(四甲基氫氧化銨)溶液中，較佳爲2.38wt%或 2.5 wt%TMAH溶液中一段預定時間，較佳約40秒，以進 行晶圓的顯影，以得到一超微光阻劑圖案。 寶施例5 將20克化學式11之光阻樹脂，由實施例3所得之化 學式9之10克交聯劑，與0.6克三苯基锍三氟甲烷磺酸鹽 溶於200克的丙二醇甲基醚醋酸酯以獲得光阻劑組成物。 <化學式11>
OH 其中d，e及f分別代表每各自單體之相對量。 將如此製得之光阻劑組成物塗覆在一矽晶圓上，於 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線一 491875 A7 B7 五、發明說明（4 ) 110°C下軟烤90秒。在烘烤之後，利用ArF曝光機將晶圓 曝光，再於ll〇°C下後烘烤90秒。然後晶圓浸漬在2.38 wt%含水TMAH溶液中，以獲得Ο.Π/zmL/S負型圖案（圖 1)〇 結果顯示經曝光區域之硬化極佳，即使曝光能量只有 15mJ/cm2，其係因爲所使用之交聯劑良好的交聯性質。 實施例6 重複實施例5之步驟，但使用化學式12的光阻樹脂， 以代替化學式11之光阻樹脂，以獲得解析度〇.13/zm L/S 的負型圖案（圖2)。 <化學式12>
ch2 Oil c=o
I ch2 I ch2 OH ---;---,--------------訂---------線"^^_ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中d，e及f分別代表各自共單體之相對量。 實施例7 重複實施例5之步驟，但使用化學式13的光阻樹脂， 以代替化學式11之光阻樹脂，以獲得解析度〇.13//1111^/3 的負型圖案（圖3)。 <化學式13> 21 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 491875 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（d)
CHry C=0 I · I OH 0 ch2 OH 其中d，e及f分別代表各自共單體之相對量。 實施例8 重複實施例5之步驟，但使用化學式14的光阻樹脂， 以代替化學式11之光阻樹脂，以獲得解析度L/S 的負型圖案（圖4)。 <化學式14> ο Ό ζι^,ο ο oil
H2H2H 其中d，e及f分別代表各自共單體之相對量。 實施例9 重複實施例5之步驟，但使用化學式15的光阻樹脂， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ---τ---,--------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 491875 A7 B7 五、發明說明（d) 以代替化學式11之光阻樹脂，以獲得解析度〇.13#m L/s 的負型圖案（圖5)。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) <化學式15> 女声w - 0气产0 尸0 OHOH 0
I ch2 ΐΗ:
OH .其中d，e及f分別代表各自共單體之相對量。 實施例10 重複實施例5之步驟，但使用實施例4所獲得之化學 式6的交聯劑來代替實施例3所獲得之化學式4之交聯 劑，以獲得解析度0.13 //mL/S的負型圖案（圖6)。 實施例11 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 重複實施例6之步驟，但使用實施例4所獲得之化學 式6的交聯劑來代替實施例3所獲得之化學式4之交聯 劑，以獲得解析度0.13 /zmL/S的負型圖案（圖7)。 實施例12 重複實施例7之步驟，但使用實施例4所獲得之化學 式6的交聯劑來代替實施例3所獲得之化學式4之交聯 劑，以獲得解析度〇·13 //mL/S的負型圖案（圖8)。 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱) 491875 A7 B7 五、發明說明（q) 實施例13 重複實施例8之步驟，但使用實施例4所獲得之化學 式6的交聯劑來代替實施例3所獲得之化學式4之交聯 劑，以獲得解析度0.13 //mL/S的負型圖案（圖9)。 實施例14 重複實施例9之步驟，但使用實施例4所獲得之化學 式6的交聯劑來代替實施例3所獲得之化學式4之交聯 劑，以獲得解析度〇·13 /zmL/S的負型圖案（圖10)。 如前所述，根據本發明之光阻交聯劑具有高交聯能力 。因此，含交聯劑之光阻劑在經曝光區域及未經曝光區域 間，在硬化上顯現明顯的差異，其可使形成具有良好輪廓 之微細圖案成爲可能。另外，因爲光阻交聯劑爲一化學放 大型，有可能使用小量光酸產生劑獲得所欲之影響，其解 決因含在光阻組成物中大量光酸產生劑所導致的問題。再 者，因爲根據本發明之光阻交聯劑具有高光學靈敏度，有 可能以少量光輻射獲得充足的曝光效果。因此，含本發明 之交聯劑的光阻劑組成物，其適用於使用極短波長，例如 ArF (193nm)的光學微影程序。 —：—.--------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 491875 公 口 本 A8 B8 C8 D8 90。4· 13 修正. 年月日 ___1Λ- ..> 六、申請專利範圍 — 1、一種光阻交聯劑單體，其係選自化學式4及6之化 合物所組成之族群中。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) <化學式4>
    <化學式6>
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2、一種光阻交聯劑，其中該光阻交聯劑係選自由下列 化學式9，及10之化合物所組成之族群中： 〈化學式9〉 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 491875 A8 B8 C8 D8 申T脊專利範圍 0= Ο ：〇 ch2 0 ch2 ch2 人 I__I C 二 I OH <化學式10>
    (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A1 2規格（210 X 297公釐） 1 根據申請專利範圍第2項之光阻交聯劑，其中 a:bx之比例爲0-90莫耳％:10-100莫耳％:0-90莫耳％。 2 一種光阻劑組成物，其包括⑴光阻劑樹脂，其選擇 自由下列化學式11、12、13、14及15所表示之化合物所 組成之族群中： <化學式11> 491875 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 ^-(-7.….α( 0=v J=〇 Ο
    CH2 OH <化學式12> 0= μ-7—α( ο ch2 I Oil C-0 Iο I ch2 CH2 OH (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、IT. <化學式13> J=0o 1(/ \)e( CH, I ' OH
    經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 c=o I 0 I CH， I CH. I ch2 <化學式14> 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 491875 ABCD 申請專利範圍
    (Uh 0= Ο o=c c=o c=o (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) CH, 1 ‘ ch2 OH <化學式15>
    OH OH 〇 I ctu I “ CH， I ** CH-I ' OH (ii) 根據申請專利範圍第5項之光阻交聯劑； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (iii) 光酸產生劑，其爲選自二苯基鎭六氟磷酸鹽、二苯基 鎭六氟砷酸鹽、二苯基鎮六氟銻酸鹽、二苯基對甲氧基苯 基三氟甲烷磺酸鹽（triflate)、二苯基對甲苯基三氟甲烷擴 酸鹽、二苯基對異丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽、二苯基對三 級丁基苯基三氟甲烷磺酸鹽、三苯基銃六氟磷酸鹽、三苯 基銃六氟砷酸鹽、三苯基銃六氟銻酸鹽、三苯基銃三氟甲 烷磺酸鹽、二丁基萘基毓三氟甲烷磺酸鹽及其混合物所組 成之族群中；及 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 491875 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (iv)有機溶劑，其爲選自環己酮，甲基3-甲氧基丙酸酯， 乙基3-乙氧基丙酸酯，及丙二醇甲基醚醋酸酯所組成之族 群中。 5、 根據申請專利範圍第4項之光阻劑組成物，其中該 光阻劑樹脂包括含多於一羥基之傳統光阻劑聚合物。 6、 〜種形成光阻圖案之方法，其包括之步驟爲（a)塗 覆根據申請專利範圍第4項之組成物於一晶圓上，（b)使用 曝光機使晶圓曝於光之下，且(c)顯影經曝光之晶圓。 7、 根據申請專利範圍第6項之方法，其中光源爲選自 DUV(深紫外光)光源，其包括ArF (193nm)及KrF (248nm) ’及E-束，χ-射線及EUV光源。 8、 根據申請專利範圍第6項之方法，其中該顯影步驟 係使用鹼性顯影溶液來進行。 9、 根據申請專利範圍第8項之方法，其中該顯影溶液 爲0.01至5wt%含水TMAH溶液。 10、 根據申請專利範圍第9項之方法，其中該鹼性顯 影溶液爲2.38wt%含水TMAH溶液。 Η、根據申請專利範圍第6項之方法，其進一步在步 驟(b)之前及/或之後，包括一烘烤步驟。 I2、根據申請專利範圍第U項之方法，其中該烘烤步 驟在70至2〇0。(：之溫度下進行丨至5分鐘。 Π、根據申請專利範圍第6項之方法，其中該光阻圖 案爲負型。 5 掁尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格-；------ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 • ϋι« I ml · 491875 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 14、根據申請專利範圍第6項之方法，其係用於製造 半導體元件。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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