TW477732B - Improved CMP uniformity - Google Patents

Description

477732 A7 _B7___ 五、發明説明（i ) 發明之領域 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於半導體加工，更特別是關於改良之化學機 械拋光均 勻性。 先前技術之說明 在半導體加工中，希望能生產均勻平坦表面以供後續加 工，如光刻照像術。一般，化學機械拋光（CMP)被用來在基 材上生產均勻平坦表面。 一般上，CMP系統均使薄的半導體平坦晶圓在可控制壓 力下，與相對於半導體晶圓移動之磨光襯墊接觸。半導體 晶圓可爲不動’或者可在夾住晶圓之載體上轉動。支持薄 膜可選擇地置於晶圓載體與晶圓之間。磨光平台一般覆蓋 有很軟的濕襯墊材料，如 聚醯銨。 線 一種液體化合物或賫劑經常被提供在半導體晶圓與磨光 襯墊之間’用來促進晶圓之磨光。泥漿用來潤滑半導體晶 圓與磨光襯墊之間的移動介面，而溫和地磨擦且磨光半導 體晶圓表面。一般，菁劑包括，如，哇石或礬土溶液。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於通常之使用，襯墊表面成爲不 > 均勻。襯墊不均勻表 面造成不均勻之磨光，而形成很不均勻之基材表面。不均 勻之基材表面因爲其後續加工之負面效果，製造良率之降 低而不受歡迎。一般，爲了消除不均勻襯墊之負面效果， 必須周期性地調節以使其表面光滑平順。但是，即使周期 性地調節襯墊，化學機械拋光（CMP)後，基材表面之不均勻 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（公釐） 477732 A7 B7_____ 五、發明説明（> ) 性仍然發生。 由於前述，希望改良CMP均勻性以改善製造良率。 i明之扼要說明 本發明係關於半導體加工，更特別是關於改良之晶圓磨 光。在一個實施例中，本發明改進了磨光過程中菁劑之分 配。胥劑分配之改進控制是由提供膏劑分配器而達成，它 將胥劑從多數個位置分配到襯墊上。在一個實施例中，育 劑是從多數個徑向位置分配到磨光襯墊上。在°另一個實施 例中，胥劑是從多數個角度位置分配到磨光襯墊上。在另 更一個實施例中，音劑是從多數個徑向及角度位置分配到 磨光襯墊上。膏劑所從分配之徑向及角度位置可隨時改變 或調整，以對應改變之情況。 在另一個實施例中，擠壓桿被裝設在音劑與基材之間的 路徑中。擠壓桿用來使音劑分配成型。擠壓桿可有多數位 置在育劑分配器與基材之間，用來產生所須之育劑分配。 擠壓桿可提供另外之參數，以改進音劑分配之控制。 圖示之簡單說明 第1圖是顯示傳統CMP系統之頂視圖； 第2圖是顯示本發明一個CMP系統之實施例； 第3圖是顯示本發明另一個CMP系統之實施例； 第4圖是顯示本發明更另一個實施例； 較佳實施例之詳細說明 本發明係關於半導體加工，更特別是關於改進CMP之均 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *1Τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 477732 A7 B7__ 五、發明説明（3 ) 勻性。依照本發明，改進CMP之均勻性是由CMP過程中控 制胥劑之分配所達成。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 參照第1圖，是顯示傳統CMP系統之頂視圖。CMP系統包 含有胥劑分配器42。育劑分配器將泥漿44輸送到到磨光 襯墊46上。分配器包含有單一出口，泥漿即從此分配出去 。磨光襯墊是裝在可轉動襯墊之平台上。 基材支件或者載體49被提供用來承載基材，如半導體晶 圓。基材支件夾住一個與磨光襯墊成並排之基材。在一些 實施例中，載體可被轉動，以轉動基材。 在磨光時，施加在基材表面之壓力可依須要而改變。調 整基材表面之壓力可由改變平台相對於載體之位置，改變 載體相對於平台的位置，或二者而達成。另外，基材相對 於襯墊之徑向位置可依須要移動載體、移動平台，或二者 而改變。襯墊及載體之位置可依須要而改變，以在襯墊上 產生更均勻之磨損，延長襯墊之壽命。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當音劑從出口分配出去時，由轉動之襯墊所產生向心力 而移動朝向襯墊外周。胥劑之形狀在分配到襯墊上時，主 要是由離心力大小所決定。以離心力控制膏劑之分配很困 難，往往造成基材與襯墊之間膏劑分配之不均勻分配。此 造成CMP過程之不均勻性，負面影響製造良率。 依照本發明一個實施例，CMP過程之不均勻性是由提供 具有改進控制音劑之分配的膏劑分配器而被降低。膏劑分 配器因而可在CMP過程中改進胥劑分配之不均勻性。 -5 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（2i〇x297公釐） 477732 A7 B7 五、發明説明（4 ) 參照第2圖，顯示有依照本發明一個實施例之CMP系統。 此CMP系統240—般包含有磨光襯墊2 46裝在可轉動平台上 (未示）。基材之主要表面，例如，可由真空壓力裝在底面 ± °其他用來將基材裝設在載體上之技術，如靜電夾頭亦 可使用。基材之對向主要表面則保持與磨光襯墊246並排 〇 由磨光襯墊施加在基材表面之壓力可依須要而改變。壓 力之改變是由變更平台與載體之間的距離而達成。此距離 可由，例如，改變平台相對於載體之位置，改變載體相對 於平台的位置，或者二者相對於彼此之距離改變而達成。 爲了延長襯墊的壽命，載體包含有可轉動載體，用來轉 動待磨光之基材。此種構造使基材及襯墊在磨光、控制晶 圓上各點與襯墊之間的相對速度時可被轉動。亦可使用不 轉動之載體。 依照本發明一個實施例，一種多點膏劑分配器被提供來 改善胥劑分佈之不均勻性。多點育劑分配器包含有多數個 出口用來將育劑從多數個位置分配到襯墊上。 在一個實施例中，多點胥劑分配器242包含有排出管， 其中具有多數個出口 248 。排出管，例如，可爲圓柱形。 其他形狀或構造如彎曲排出管亦可使用。如圖示，出口沿 著管子長度配置。相鄰出口之間的距離，例如，可爲相等 。以非等距離分隔相鄰出口亦可。在另一個實施例中，相 鄰出口之間的距離可被調整，以產生所要之音劑分配。在 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2l〇X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 477732 A7 B7__ 五、發明説明（<；) 〜個實施例中，排出管沿著襯墊之半徑而定位。賫劑經由 出口被分配到磨光襯墊246上。設多數出口時，音劑可分 配到襯墊上不同部份，形成更可控制之胥劑分配，而改進 CMP過程。 在一個實施例中，育劑經由多數出口以均勻速率被分配 。一般，從出口之總流量約1 00 - 300毫升/分鐘。其他流量 亦可使用，並且可最適化以用到特定用途。 在另一個實施例中，在各個出口之育劑流量可被調節。 在各個出口調節流量之能力可增加了胥劑分配之可控制性 ’或者反應到作用參數而涵蓋磨光襯墊2 46之胥劑外形。 影響胥劑外形之作用參數包括，例如，磨光襯墊之轉速、 膏劑類型、及襯墊種類。 許多技術可用來控制各個出口之胥劑流量。在一個實施 例中，各個出口之胥劑流量是由各個出口設一個流,量控制 器而被控制。流量控制器，例如，包括一個控制閥。閥可 被控制而產生所要之音劑流量。數値可用電子或人工控制 。其他控制育劑流量之技術，例如，改變各個出口之尺寸 ，或者對出口提供不同尺寸之孔，亦可行。在一些出口個 別地控制流量，或者在多數出口之子群組出口控制其流量 亦可行。出口之膏劑流量經常地被調節，以對應，如晶圓 表面圖型之磨光時，狀況之改變。 依照本發明，多點分配器之使用改進了育劑分配到襯墊 之可控制性。視一組作用參數及/或自耗性而定，如磨光襯 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（21〇>< 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印紫 477732 A7 B7 五、發明説明（& ) 墊之外形、負荷（例如晶圓圖型），育劑分配器可被最佳化 以產生音劑外形，而產生所要的磨光特性。例如，育劑均 勻地分配在晶圓與襯墊之間可改善涵蓋整個晶圓之磨光速 率的均勻性。不均勻的胥劑分配亦可產生所要的磨光特性 〇 本發明尤其在金屬CMP中很有用。在金屬CMP中被證明， 育劑分配對埋入構造之凹入（dishing)有直接影響，故直接 影響金屬線之最終電阻。改善胥劑分配之可控制性之能力 減少了與埋入金屬構造之凹入/腐蝕有關的問題。 第3圖顯示本發明另一個實施例。如圖所示，CMP系統 340包括一個磨光襯墊346裝在裝在可轉動襯墊之平台上（ 未示）。基材載體349被提供用來定位基材，使基材與磨光 襯墊成並排。基材可被載體沿順時針或者反時針方向轉動 。由襯墊施加在基材表面之壓力可依須要，由變更平台與 載體之間的距離而改變。基材相對於襯墊之徑向位置可被 改變，以延長襯墊壽命。 CMP系統包含有分配系統，它包含多數個膂劑分配器372 。如圖所示，分配器包含有排出管從出口 3 48分配胥劑。 出口，例如。位在排出管之一端。其他類型之分配器亦可 被使用。分配器被定位以育劑是從磨光襯墊之不同角度位 置分配育劑。圖示上，分配系統包含有六個分配器。分配 器，例如，可在襯墊之一個部份中等距離隔開。或者，分 配器在襯墊該部份中之角度位置可被改變，以產生所要之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公瘦） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 477732 經濟部智慧財產局員工消費合作社印^ A7 B7 五、發明説明（Μ ) 育劑分配。分配器之胥劑流量可被個別控制，以一群，或 以子群組，以進一步控制音劑分配。例如，許多分配器有 不同的流量，一或多個可被關閉以產生所要之胥劑分配。 裝設具有多數個分配器之分配系統可改進胥劑分配之控制 〇 另外，控制育劑分配處的角度及徑向位置，使育劑子系 統之徑向位置可被改變。具有多數個孔之分配器，如第2 圖所示，亦可被使用。使用多點胥劑分配器可從多數個角 度及/或徑向位置分配育劑’以改善育劑在襯墊上分佈之可 控制性。例如，視一組作用參數及/或自耗性而定，如磨光 襯墊之外形、磨光襯墊之速度、負荷（例如晶圓圖型），膏 劑分配器可被最佳化以產生膏劑外形，而產生所要的磨光 特性。位置及流量可經常地被調節，若須要時可對應，如 晶圓表面圖型之磨光時，狀況之改變。此可，例如，改善 涵蓋整個晶圓之磨光速率的均勻性，而改進製造良率。 參照第4圖，顯示CMP工具另一個實施例。CMP工具包含 有磨光襯墊446裝在可轉動平台上（未示）。基材或者晶圓 載體449被提供用來承載晶圓460。半導體晶圓之第一表 面一般由真空力而被夾持在晶圓載體之底面，並且半導體 晶圓對向第二表面被夾持與磨光襯墊並排，磨光襯墊施加 壓力於晶圓載體與磨光襯墊之間。 在磨光時，平台沿逆時針方向轉動磨光襯墊。晶圓載體 亦可轉動，使半導體晶圓之表面在轉動時可接觸磨光襯墊 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇>< 297公楚） ----------------1T------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局g(工消費合作社印製 477732 A7 B7 ___ 五、發明説明（f ) 。晶圓載體亦可沿著與磨光襯墊同方向（逆時針方向）轉動 ’或者與磨光襯墊反方向轉動。胥劑分配器442可分配須 要量的育劑而塗在磨光襯墊上。轉動力與襯墊之磨光表面 性質，以及靑劑之潤滑及磨擦性質結合也磨光半導體晶圓 c 依照本發明一個實施例，擠壓桿4 7 1被裝設在胥劑與半 導體晶圓之間的胥劑路徑中，沿著平台/磨光襯墊之半徑 4 60相鄰的磨光襯墊表面。擠壓桿最好包含雨刷式裝置用 來促進胥劑分配或是重分配。其他可促進育劑分配之擠壓 桿亦可被使用。在一個實施例中，擠壓桿長度實質上約等 於磨光襯墊之半徑。其他可促進所要育劑分配之長度亦可 被使用。 半徑之角位置yS可在0 °到D °之間變化，其中0 °是基 材在襯墊上之角度位置，而D°是分配器相對於襯墊上之 基材之角度位置。擠壓桿之定位，例如，可由提供一個延 伸涵蓋襯墊之可動擠壓桿支臂而達成。其他形式可使擠壓 桿沿著磨光襯墊半徑改變位置之擠壓桿支件亦可被使用。 擠壓桿提供另一參數用來控制膏劑分配。擠壓桿之角位 置；3可在0 °到D °之間變化，以產生所要磨光特性之音 劑分配。例如，膏劑在與基材接觸而產生晶圓上造成更大 不均勻性之前，可在襯墊上產生更均勻的育劑分佈。 擠壓桿沿著半徑之位置可有另外之自由度用來提供另外 之參數，以控制或進一步地改進膏劑分佈。在一個實施例 -10- 用中國國家標準（CNS ) A4規格（210乂297公^1 I—*-1 ______ I — _____— — ______________\ : [ . ___________1 I — ί m------ 丁— — I I . .....I 、 、1句、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 477732 A7 B7 五、發明説明（1 ) 中，擠壓桿可被置於沿著半徑石之多數個位置上。爲了促 進擠壓桿沿著半徑之移動，擠壓桿支件可被改變成包含有 軌道以供擠壓桿在其上滑動。擠壓桿支件可裝設有用來轉 動擠壓桿之轉子。此使擠壓桿相對於磨光襯墊之半徑万可 有多數個角度α。 擠壓桿與磨光襯墊之間的壓力可被調整，以進一步控制 胥劑分配。壓力調整可由控制擠壓桿相對於磨光襯墊之高 度而達成。增加壓力可在磨光襯墊之整個表產生更均勻更 薄之胥劑層。此可，例如，由提供可調整擠壓桿及/或平台 高度，以改變磨光襯墊高度之擠壓桿支件而達成。 擠壓桿相對於襯墊之角度及其高度亦可被調整。改變擠 壓桿之角度對控制育劑分配很有用。擠壓桿角度之調整， 例如，可由提供擠壓桿支件使擠壓桿及/或平台傾斜而達成 〇 故，擠壓桿之不同參數可被改變以控制育劑分配，而產 生所要磨光特性。這些參數，例如，可視一組作用參數及/ 或自耗性，如磨光襯墊之分佈、磨光襯墊速度，及產生所 要膏劑分佈之負荷（例如晶圓圖型），而被最佳化，以在晶 圓與襯墊之間產生均勻的音劑分配。 擠壓桿亦可結合多點分配器以提供音劑分配之額外控制 性。一或多個參數可經常地調整，以在磨光過程中對應情 況之變化。 雖然本發明在此特別以許多實施例顯示敘述之，熟於此 -1 1 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 477732 A7 B7 五、發明説明（10 ) 技術者皆知，本發明在不違離其範圍下可有許多改變。因 此，本發明之範圍並非參照上述之說明，而是參照所附申 請專利範圍及其均等範圍。 元件符號對照表 40 傳統CMP系統 42 育劑分配器 44 胥劑 46 磨光襯墊 48 單一出口 49 基材支件或者載體 240 CMP系統 242 多點式膏劑分配器 246 磨光襯墊 248 出口 249 基材支件或者載體 260 基材 340 CMP系統 346 磨光襯墊 348 出口 349 基材支件或者載體 360 基材 372 分配器 440 CMP系統 442 胥劑分配器 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局κ工消費合作社印製 -一口

477732 A7 B7 五、發明説明（u ) 446 磨光襯墊 449 晶圓載體 460 晶圓 I___________ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、\一-口 線.': 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

1. 477732 丨修孤 六、申請專利範圍 第89104 8 26號「改良之化學機械拋光均勻性」專利案 (90年10月修正） 六申請專利範圍 1. 一種在半導體晶圓磨光過程中控制膏劑分配之方法，包 括有： 轉動一磨光襯墊；以及 將膏劑從多數個膏劑分配器來分配，其中至少多數個 分配器之一包括有多數個膏劑分配出口以分配膏劑至磨 光襯墊上，其中多數個分配器以不同的角位置來分配膏 劑至磨光襯墊上。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中多數個膏劑分配出 口是在沿著一個分配器之整個長度上。 3·如申請專利範圍第1項之方法，其中每個分配器是被裝 在沿著襯墊半徑之上。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中分配出口包含有可 控制的分配出口用來控制膏劑流量。 5. 如申請專利範圍第4項之方法 '其中可控制的分配出口 爲個別可控制的分配出口。 6· —種在半導體晶圓磨光過程中控制膏劑分配之方法，包 括有： 轉動磨光襯墊；及 將膏劑從多數個膏劑分配器分配到磨光襯墊上；及 以擠壓桿將膏劑在襯墊上成型。 7·如申請專利範圍第6項之方法，其中擠壓桿是裝設在膏 477732

   六、申請專利範圍 劑分配器與晶圓之間的膏劑襯墊上。 8. 如申請專利範圍第6項之方法，其中擠壓桿是被裝在膏 劑分配器之間沿著磨光襯墊半徑之上膏劑分配器與晶圓 之間。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中擠壓桿可相對於半 徑以不同角度位置而朝向。 10·如申請專利範圍第9項之方法，其中擠壓桿可有多數個 沿著半徑之位置。 11·如申請專利範圍第ίο項之方法，其中在擠壓桿與磨光襯 墊之間的壓力可被控制。 12·如申請專利範圍第丨丨項之方法，其中擠壓桿相對於磨光 襯墊之主平面可以有多數個角度。 13·—種磨光工具，包括有： 磨光襯墊，裝在可轉動並支持該磨光襯墊之可轉動平 台上；以及 膏劑分配系統，用來將膏劑分配到磨光襯墊上，此膏 劑分配系統包含有多數個分配器v，其中多數個分配器以 不同的角位置來分配膏劑至磨光襯墊上。 &如申請專利範圍第1 3項之磨光工具，其中至少多數個分 配器之一包含有多數個出口以從此出口來分配膏劑。 15·如申請專利範圍第14項之磨光工具，其中多數個出口是 在沿著一個分配器之整個長度上。 16.如申請專利範圍第15項之磨光工具，其中多數個出口包 含有可控制的分配出口以用來控制膏劑流量。 -2- 477732 、申請專利範圍

   17·如申請專利範圍第16項之磨光工具，其中多數個出口包 含有個別可控制的分配出口以用來控制膏劑流量。 18·如申請專利範圍第13項之磨光工具，其中每個多數個分 配器包含有至少一個出口以從此出口來分配膏劑。 19.如申請專利範圍第18項之磨光工具，其中多數個分配器 從磨光襯墊的不同半徑位置來分配膏劑。 20·如申請專利範圍第19項之磨光工具，其中多數個出口包 含有可控制的出口以用來控制膏劑流量。 21·如申請專利範圍第19項之磨光工具，其中多數個出口包 含有個別可控制的出口以用來控制膏劑流量。 22. —種磨光系統，包括有： 磨光襯墊，裝在可轉動並支持該磨光襯墊之可轉動平 台上； 基材載體，用來支持基材； 膏劑分配器，用來將膏劑分配到磨光襯墊上；以及 擠壓桿承座，用來支持一擠壓桿以在磨光襯墊上分配 膏劑。 23. 如申請專利範圍第22項之磨光系統，其中擠壓桿承座將 擠壓桿裝設在基材載體與膏劑分配器之間。 24. 如申請專利範圍第23項之磨光系統，其中擠壓桿承座將 擠壓桿裝設成朝向磨光襯墊半徑上，基材載體與膏劑分 配器之間。 25.如申請專利範圍第24項之磨光系統，其中擠壓桿承座進 一步將擠壓桿裝設成相對於半徑上之多數個角度上。 477732

   、申請專利範圍 26如申請專利範圍第25項之磨光系統，其中擠壓桿承座進 ~步將擠壓桿裝設成沿著半徑上之多數個位置上。 27·如申請專利範圍第26項之磨光系統，其中擠壓桿承座進 ~步調整在擠壓桿與磨光襯墊之間的壓力。 &•如申請專利範圍第24項之磨光系統，其中擠壓桿承座進 〜步將擠壓桿裝設成相對於磨光襯墊之主平面的多數個 角度上。 ^^ -4