JP2559300B2 - 半導体ウェーハの研磨方法 - Google Patents
半導体ウェーハの研磨方法Info
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- JP2559300B2 JP2559300B2 JP11523791A JP11523791A JP2559300B2 JP 2559300 B2 JP2559300 B2 JP 2559300B2 JP 11523791 A JP11523791 A JP 11523791A JP 11523791 A JP11523791 A JP 11523791A JP 2559300 B2 JP2559300 B2 JP 2559300B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの始発
材料として、インゴットより切出した半導体ウェーハを
研磨する工程に適用され、砥粒液の供給量を制御するこ
とにより、精度よく研磨を行なう技術に関する。
材料として、インゴットより切出した半導体ウェーハを
研磨する工程に適用され、砥粒液の供給量を制御するこ
とにより、精度よく研磨を行なう技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、インゴットより切出した半導
体ウェーハを研磨する、いわゆるラッピング工程におい
ては、図４に示したような砥粒液供給部を備えた研磨機
を用いて、図４中の符号１のパウダリングと呼ばれる砥
粒液の液留めから供給ホース２を介し、上定盤３に設け
られた滴下口４より、研磨機の上下両定盤間に挾持され
たウェーハ５上に砥粒液を供給しつつ研磨を行なってい
る。
体ウェーハを研磨する、いわゆるラッピング工程におい
ては、図４に示したような砥粒液供給部を備えた研磨機
を用いて、図４中の符号１のパウダリングと呼ばれる砥
粒液の液留めから供給ホース２を介し、上定盤３に設け
られた滴下口４より、研磨機の上下両定盤間に挾持され
たウェーハ５上に砥粒液を供給しつつ研磨を行なってい
る。
【０００３】砥粒液の供給に関し一例をあげれば、平面
図及び要部断面図で示した図５のパウダリング１の底
に、５個を一組として８組を等間隔に配置した供給口６
から、同様に平面図で示す図６の上定盤に設けた４０個
の滴下口４に、供給ホース２を通じて砥粒液を供給して
いる。一組の供給口ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、たとえば上
定盤のＡ，Ｂ，Ｄ，Ｃ，Ｅの適下口にそれぞれ対応す
る。
図及び要部断面図で示した図５のパウダリング１の底
に、５個を一組として８組を等間隔に配置した供給口６
から、同様に平面図で示す図６の上定盤に設けた４０個
の滴下口４に、供給ホース２を通じて砥粒液を供給して
いる。一組の供給口ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、たとえば上
定盤のＡ，Ｂ，Ｄ，Ｃ，Ｅの適下口にそれぞれ対応す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図５Ａ−
Ａ’断面拡大図に示したように、砥粒液はパウダリング
の底に僅かにあるような状態で、しかも一組中における
供給口同士の間隔は、隣り合う組における供給口同士の
間隔と異なることから、必ずしも最適量の砥粒液が、そ
れぞれの供給口に供給されているとは限らない。さら
に、研磨機本体と一体になってパウダリングが回転して
いるため、その影響も常にうけている。
Ａ’断面拡大図に示したように、砥粒液はパウダリング
の底に僅かにあるような状態で、しかも一組中における
供給口同士の間隔は、隣り合う組における供給口同士の
間隔と異なることから、必ずしも最適量の砥粒液が、そ
れぞれの供給口に供給されているとは限らない。さら
に、研磨機本体と一体になってパウダリングが回転して
いるため、その影響も常にうけている。
【０００５】このため定盤に挾まれたウェーハ上に均等
に砥粒液が行き渡らず研磨むらが生じたり、傷が発生し
たりする。
に砥粒液が行き渡らず研磨むらが生じたり、傷が発生し
たりする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記のような問
題点を解決するためになされたもので、上定盤と下定盤
間に挾持された半導体ウェーハを、前記上定盤に穿設さ
れた複数の滴下口を通じて砥粒液を供給しつつ研磨する
半導体ウェーハの研磨方法において、それぞれの滴下口
より供給される砥粒液の展開範囲を研磨定盤上に同心円
領域としてそれぞれ仮定し、この仮定した個々の領域に
対して単位面積当りの供給量が互いに等しくなるよう砥
粒液を供給しつつ研磨することを特徴とする。
題点を解決するためになされたもので、上定盤と下定盤
間に挾持された半導体ウェーハを、前記上定盤に穿設さ
れた複数の滴下口を通じて砥粒液を供給しつつ研磨する
半導体ウェーハの研磨方法において、それぞれの滴下口
より供給される砥粒液の展開範囲を研磨定盤上に同心円
領域としてそれぞれ仮定し、この仮定した個々の領域に
対して単位面積当りの供給量が互いに等しくなるよう砥
粒液を供給しつつ研磨することを特徴とする。
【０００７】供給量の制御は、供給ラインの途中にバル
ブを設けることでも可能であるが、簡易には、供給ライ
ンのつなぎ方を変えることにより対応する。
ブを設けることでも可能であるが、簡易には、供給ライ
ンのつなぎ方を変えることにより対応する。
【０００８】
【作用】本発明の研磨方法によれば、それぞれの仮定し
た同心円領域（図６中Ｓ１〜Ｓ５）に単位面積当り等し
い量の砥粒液が供給される。必ずしも一滴下口からの砥
粒液が仮定した一つの領域のみに展開されるとは限らな
いと思われるが、供給量を均等化する作用を有する。
た同心円領域（図６中Ｓ１〜Ｓ５）に単位面積当り等し
い量の砥粒液が供給される。必ずしも一滴下口からの砥
粒液が仮定した一つの領域のみに展開されるとは限らな
いと思われるが、供給量を均等化する作用を有する。
【０００９】図６に示したように、各領域内に存在する
滴下口の数は互いに等しい（図６の場合８箇）から、パ
ウダリング底の供給口からの流量を同一にしてしまう
と、当然面積の大きい定盤外側の領域には、単位面積当
たりの流量が内側の領域のものより不足する。
滴下口の数は互いに等しい（図６の場合８箇）から、パ
ウダリング底の供給口からの流量を同一にしてしまう
と、当然面積の大きい定盤外側の領域には、単位面積当
たりの流量が内側の領域のものより不足する。
【００１０】したがって、外側領域に行くにしたがい、
流量を多くする必要がある。
流量を多くする必要がある。
【００１１】
【実施例】まず、パウダリングを示した図５のＡ−Ａ′
断面図の一組の供給口ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅのそれぞれに
ついて、砥粒液量を測定した。その結果を図３に示す。
これより、回転方向下手ほど流量が多いことが判る。
断面図の一組の供給口ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅのそれぞれに
ついて、砥粒液量を測定した。その結果を図３に示す。
これより、回転方向下手ほど流量が多いことが判る。
【００１２】次に図６に示したように上定盤を滴下口の
分布にしたがい内側よりＳ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4，Ｓ5に分
け面積の比を求めた。その結果を表１に示す。これより
Ｓ4領域が最も広く、以下Ｓ5，Ｓ3，Ｓ2，Ｓ1の順であ
った。
分布にしたがい内側よりＳ1，Ｓ2，Ｓ3，Ｓ4，Ｓ5に分
け面積の比を求めた。その結果を表１に示す。これより
Ｓ4領域が最も広く、以下Ｓ5，Ｓ3，Ｓ2，Ｓ1の順であ
った。
【００１３】そこで、最も面積の広いＳ4 領域にある滴
下口に、最も流量の多い供給口ａを供給ホース２でつな
ぎ、以下Ｓ5−ｂ，Ｓ3−ｃ，Ｓ2−ｄ，Ｓ1−ｅと連結
し、図１に示したように、シリコンインゴットから切り
出したφ５”シリコンウェーハの研磨を開始した。
下口に、最も流量の多い供給口ａを供給ホース２でつな
ぎ、以下Ｓ5−ｂ，Ｓ3−ｃ，Ｓ2−ｄ，Ｓ1−ｅと連結
し、図１に示したように、シリコンインゴットから切り
出したφ５”シリコンウェーハの研磨を開始した。
【００１４】また、同様にして、φ６”シリコンウェー
ハについても研磨を開始した。なお、それぞれの領域の
単位面積当たりの流量は、表２のようにほぼ等しくな
る。
ハについても研磨を開始した。なお、それぞれの領域の
単位面積当たりの流量は、表２のようにほぼ等しくな
る。
【００１５】研磨結果を観るために不良率の発生状況を
経時的にとったのが図２である。これから判るように従
来の方法から本発明の研磨方法に変えたときから、不良
率の発生が大きく減っていることが判る。なお、本実施
例では単に供給ラインのつなぎ代えにより流量の均一化
を図ったが、勿論コック等を設けるなどしても流量制御
はできる。
経時的にとったのが図２である。これから判るように従
来の方法から本発明の研磨方法に変えたときから、不良
率の発生が大きく減っていることが判る。なお、本実施
例では単に供給ラインのつなぎ代えにより流量の均一化
を図ったが、勿論コック等を設けるなどしても流量制御
はできる。
【表１】
【表２】
【００１６】
【発明の効果】本発明の研磨方法によれば、滴下口の展
開範囲を定盤に仮に想定しておき、この想定した個々の
領域に単位面積当り等しくなるよう、砥粒液の流量を制
御するため、ウェーハ間においてもまた同一ウェーハ内
においても均一な砥粒液の層ができる。このため部分的
に液切れが起きたり、また過研磨状態になったりするこ
とがなく、研磨むらや傷不良の発生が減少する。この結
果製品の歩留りが向上し、生産性が上がる。
開範囲を定盤に仮に想定しておき、この想定した個々の
領域に単位面積当り等しくなるよう、砥粒液の流量を制
御するため、ウェーハ間においてもまた同一ウェーハ内
においても均一な砥粒液の層ができる。このため部分的
に液切れが起きたり、また過研磨状態になったりするこ
とがなく、研磨むらや傷不良の発生が減少する。この結
果製品の歩留りが向上し、生産性が上がる。
【図１】本発明を実施する際に採用される研磨機の砥粒
液供給部を示す部分正面図。
液供給部を示す部分正面図。
【図２】ウェーハのキズ不良率の経時的発生率を示す
図。
図。
【図３】パウダリングの砥粒液の各供給口からの流量を
示す図。
示す図。
【図４】従来法を実施する際に採用される研磨機の砥粒
液供給部を示す部分正面図。
液供給部を示す部分正面図。
【図５】研磨機のパウダリング部分を示す図。
【図６】研磨機の上定盤を示す図。
【符号の説明】 １ パウダリング ２ 供給ホース ３ 上定盤 ４ 滴下口 ５ ウェーハ ６ 供給口
Claims (1)
- 【請求項１】上定盤と下定盤間に挾持された半導体ウェ
ーハを、前記上定盤に穿設された複数の滴下口を通じて
砥粒液を供給しつつ研磨する半導体ウェーハの研磨方法
において、それぞれの滴下口より供給される砥粒液の展
開範囲を研磨定盤上に同心円領域としてそれぞれ仮定
し、この仮定した個々の領域に対して単位面積当りの供
給量が互いに等しくなるよう砥粒液を供給しつつ研磨す
ることを特徴とする半導体ウェーハの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11523791A JP2559300B2 (ja) | 1991-04-20 | 1991-04-20 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11523791A JP2559300B2 (ja) | 1991-04-20 | 1991-04-20 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283384A JPH05283384A (ja) | 1993-10-29 |
| JP2559300B2 true JP2559300B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=14657740
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11523791A Expired - Fee Related JP2559300B2 (ja) | 1991-04-20 | 1991-04-20 | 半導体ウェーハの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2559300B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6429131B2 (en) * | 1999-03-18 | 2002-08-06 | Infineon Technologies Ag | CMP uniformity |
| CN116787331B (zh) * | 2023-08-10 | 2024-01-09 | 浙江晶盛机电股份有限公司 | 抛光液供给系统及晶圆抛光机 |
-
1991
- 1991-04-20 JP JP11523791A patent/JP2559300B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05283384A (ja) | 1993-10-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |