TW473789B - Processing apparatus - Google Patents

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TW473789B
TW473789B TW089121323A TW89121323A TW473789B TW 473789 B TW473789 B TW 473789B TW 089121323 A TW089121323 A TW 089121323A TW 89121323 A TW89121323 A TW 89121323A TW 473789 B TW473789 B TW 473789B
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Masashi Saito
Yusuke Hirayama
Itsuko Sakai
Norihisa Oiwa
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Tokyo Electron Ltd
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Description

^^3789
五、發明說明（1 ) 本發明係有關％ ,關於一種處理裝置。 在乾燥I虫刻術中，# 反應活性種，故—古 電漿放電等以生成含有良之 兹刻氣體。然而，近Z有多數敦原子之氣體類作為 構已有所進展，特 兄之木 _ 寺別疋地球之溫暖化防止政策已成為 : 此種狀況下，習知乾燥蝕刻術中所利用 之氣化合物，由於甘 於其長久之大氣壽命及其高地球溫暖 、/、由防止地球溫暖化之角度觀之，其排氣量之 減低已成為當務之急。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 々旦在乾燥敍刻術中使含有氟化合物之處理Λ體的排 乳量減低之方法，已提出者有一個係如下述，即，使 處理氣體在處理裝置内循環，俾再利用處理氣體(以下 ’將該循環之處理氣體稱為「循環氣體」）。換言之， 已提出者有一種如下述之處理裝置，該處理裝置具有 一循環機構，可使藉排氣機構而由處理室内排出之氣 體至少一部分返回處理室内。即，該處理裝置藉設置 該氣體循環機構以再利用氣體，而可減低氣體之排氣 里及使用量，不但有助於防止上述之地球溫暖化，且 亦有降低處理氣體成本之效。 又’為均等地將處理氣體供給至處理室内，乃提出 有蓮蓬頭狀之氣體供給機構。接著，該等氣體供給 機構便被用來與上述氣體循環機構搭配使用。換言之 ’係將藉排氣機構而由處理室内排出之氣體至少一部 分循環至一蓮蓬頭狀之氣體供給機構，以使彳盾環體 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準（cns〉A4規格（21〇 X 297公釐） 473789 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 五、發明說明（2 ) 散射供入處理室内之被處理體上，而使處理氣體之使 用效率更進一步提高。 然而，在上述設置有氣體循環機構及氣體供泠 ,之處理裝置中，為使處理氣體有效率地循環P須將排 _氣機構之壓力（背壓）經常設定高身氣體供給機 -構上流側之壓力。-般用作排氣機構之渴輪栗的額定 背壓標準係2二3T〇rr，而特殊者則約為。而，渦 攀輪泵之背壓-旦超過額定錢，便將使排氣能力急遽 地下降。又，氣體供給機構係連結於用以由裝置外部 供給至直接處理室之處理氣體（以下，稱為「一次氣體 」）的處理氣體源，但該一灰氣體用配管之壓力通常係 在1氣壓（760丁〇„)以上，因此，即使藉流量控制裝置（ 質量流量控制器)降低一次氣體之流量及一次氣體用配 管之壓力時，亦只限於數丁〇„至數十丁〇rr之程度而已。 如上述，習知之處理裝置，由藉再循環處理氣體以 降低處理氣體之排氣量及使用量的角度觀之，固缺是 ―馨有用的，但就^1^3機構而言，則不能說是充分、 的2換言之，如習知之處理裝置般於排氣機構下流側 與氣體供給機構上流側之間設置循環氣體用配管時， 有下述問題，#，由於排氣機構之背壓為IGTcm·，而氣 體供給機構上流側之壓力，其降低則以數τ〇Η〜數十 Torr為限，故無法進行有效率之氣體循環。 本發明即係鑑於習知之處理裝置具有上述問題點 而發明者，即，本發明之目的在提供一種經改良而可 ^ ® ^i#TcNS)A4 (210 X 297 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 们 3789 ---B7五、發明說明（3 輕易地控制猶環氣體之勒新處理裝置。 為解決上述課題，依申 々 -種處理裝置，好 视圍第1項，乃提供 係用以經由多數老匕3有一 I體供給機構， 室内者給孔’將處理氣體供給至處理 體二者機構’係用以由該處理室内將處理 出者，及一氣體循環機構 + i I、+、走m 你猎該排氣機構， 由别述處理室内排出之氣 供仏德谨本· 邛勿返回前述氣 —機構者，而前述氣體供給機 供給系統及—循環氣體供給系統，彳久 統係用以使處理氣體源 P人乳"供給 氣體供給孔心至』：：：，體經由多务-㈣孫田室内者；而該循環氣體供給 、.先則係用以使前述排出氣體至少一部分經 氣體供給孔供給至處 免王至，且，前述一次 給糸統與前述循環氣體供給系統係構成伸互獨立之 統者。 -〜 由於依此構造’氣體供給機構具有-次氣體供仏 統及循環氣體供給系統，且一次氣體供給系統與循 乳體供給系統係構成相互獨立之系統，故可在處理 :初次使-次氣體與排出氣體之至少一部分(循環氣 混合。因此’即使不進行壓力控制，時而減少—次 體供給機構上流側之壓力，時而提高排氣機構之 Y亦可輕易地控制循環氣體。且’由於一次氣體 系統與循環氣體供給系統係構成相互獨立之系統 可在不叉到相互之氣體供給系統的影響下，獨立 氣 使 體 體 系 次 系 供 系 系 室體） 氣 背壓 供給 乃 控制 本紙張尺度適財關(CNS)A4規^1() x 297公爱） 473789 A7 五、發明說明（4 ) 壓力或流量。 又，循環氣體供給系統之導率並須予調整，俾使排 氣機構之排氣能力不致降低。雖然排氣機構之排氣能 力為排氣機構之背壓所左右，但若為普通之處理裝置 所用之標準排氣機構時，須調整循環氣體供給系統之 導率，以使其背壓降低至3Τ〇ΓΓ以下。或者，若使用特 殊之排氣機構時，則須調整背壓，使其降至ι〇τ〇Η以下 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 就前述氣體供給孔之孔徑及孔數密度則可構成如 以下所述。 (a)孔徑及孔數密度為全面固定（申請專利範圍第2 項） 依（a)之構造，可以每單位面積相同流量供給一次 體及循環氣體，且將由所有之氣體供給孔之供給 速設定為固定。因此，可確保被處理體處理之均 性。 s⑻使孔徑全面固定’並規定孔數密度，使前述循 氣體以目標流量供給時，背壓在前述排氣機構之額 定背壓以下（申請專利範圍第3項） ⑷使孔數密度為全面固定，並規定孔徑，使前述循 環氣體以目標流量供給時，背壓在前述排氣機構之 額定背壓以下（申請專利範圍第4項） 依⑻、⑷之構造，當排氣機構之額定背壓小時， 亦可使-次氣體與循環氣體每單位面積之供給流 氣 流 等 環 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 297公餐） -7- 4^3789 A7 五、發明說明（5 量相同。 如申請專利餘R μ 1V ^ 祀W第5項所述，就上述任一情形，均 Μ刖述氣體供 ,,R /、、、、"機構每單位面積之前述一次氣體供給 孔數及前述循環# ..^ ^ 乳體供給孔數之比在前述氣體供給機 構之全面為固定者為佳。 進一步，如由过 π a咖 甲請專利範圍第6項所述’若將前述循 %氣體供給系 庙 之^率設定為大於前述氣體供給機構 ’更可輕易地進行循環氣體之控制。 jp|j 卞 ^ ’如申請專利範圍第7項所述，前述氣 供給糸統宜呈右一 /、S ~用以由前述循環氣體供給孔供給 述一次氣體之第L 木z之一次氣體供給系統，且前述第2 一次氣體供給李祐6曰+ 曰、 示、、死且具有用以調節前述一次氣體之 量的流量調節構杜 ^ — 牛。s進行不使用循環氣體之處理 ’藉此構造’循環氣體供給孔可用作—次氣體之供給 孑L。此時，因筮？ ^ 乐之一次氣體用配管具有流量調節構件 故可提回由循環氣體供給孔供給一次氣體時之 控制性。又，啬^止 ^ 敢初先進行僅使用一次氣體之處理 -人進仃使用一次氣體與循環氣體之處理的所謂順 理犄、可提咼此時之流量控制性。 、/y如申睛專利範圍第8-項所述，氣體循環機 構及/或循環氣辦极^人么 〜虱體供給糸統宜設置緩衝空間。藉此構造 可於凡成處理後，將殘留於氣體循環機構及/或循環 體供給系、統之循環氣體暫時儲存於該緩衝空間， 下個處理時使用。因此，不須將殘留於循環氣體供給 體 刖 2之 流 時 給 流量 其 序處 -7 ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氣 而於 本紙張尺度適用中國國家標準 X 297公釐） 五、發明說明（6 ) 糸、.充之氣體排出， 個處理_ 向了減；軋體之排氣量。且，在下 設定所需的時間。 使用里’亚細紐處理之初期 機二進:：，如申請專利範圍第9項所述，氣體循環 =及：循環氣體供給系統宜設置一循環氣體之過滤 生 體 “式》可错此構造’去除循環氣體所包含之副 成物或教子，故可減輕因氣體循環所產生對被處理 之不良景〉響或保養之工時等。 由前述-次氣體供給孔往前述處理室供給前述一 次耽體之速度或由前述循環氣體供給孔往前述處理室 供給前述循環氣體之速度宜快。舉例言之， 處 供 在 利範圍第1G項所述，由前述-次氣體供給孔往前: 理至供給前述-次氣體之速度及/或由前述循環氣體 給孔往前述處理室供給前述循環氣體之^速度宜 、50〇m/秒以上。由於藉此構&可防止在處理室一内^產生 之副生成物或粒子附著於循環氣體供給孔，故可減輕 >對被處理體之不良影響或保養之工時。 4 ^ (發明之實施形態） 之 以下，參照所附圖式，就本發明處理裝置所適八 貫施形態加以詳細說明。而在本說明書及圖气中 同 實質上具有相同功能構造之構造要素則係藉附上相 符號以省略重複說明。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 473789 A7
五、發明說明（7 ) (弟1實施形態） 就本發明之第1實施形態加以說明。參照第丨圖說明 本實施形態之處理裝置100。且，第1圖係顯示處理裝 置100内部構造概略之說明圖。 (處理裝置100) 如第1圖所示，處理裝置100主要係由一處理室 110、一設置於處理室110上部而用以經由多數氣體供终 孔將處理氣體供給至處理室110内之作為氣體供給機構 一例的蓮蓬頭200、一用以由處理室内排出處理氣體之 作為排氣機構一例的渦輪泵120、一進一步用以將滿輸 泵120下侧排氣減壓之乾燥泵！3〇、一用以將由氣體源 140所供給之處理氣體（一次氣體）q〗供給至蓮蓬頭2⑻ 之一次氣體用配管145、及一使藉渦輪泵i2〇所排出之 氣體至少一部分（循環氣體）Q2返回蓮蓬頭2〇〇之作為氣 體循環機構一例的循環氣體用配管1 50所構成。 其次，參照第1圖，就處理裝置100之内部構造加以 說明。 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 連結於氣體源1 40之一次氣體用配管J 45插置有用 以控制由氣體源140供給之一次氣體流量的閥v〇及流 量控制裝置（質量流量控制器）MFC、和一用以測定配管 内壓力之真空計p〇。而一次氣體用配管145則連結於設 置在處理室1 10上部之蓮蓬頭200。 處理室1 1 0内配設有一用以載置作為被處理體之半 導體晶圓（以下僅稱為「晶圓」）w的基座115。該基座
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經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（8 ) 11 5以匹配器1 60為中介連結有一高頻電源丨7〇。進一 步，設置有一用以測定處理室11〇内之壓力的真空計 P2。 …一 處理室110之排氣側以閥V1為中介設置有一渴輪果 120，而渦輪泵120之下流側則設置有一用以控制渦輪 泵120之閥V2、及一用以測定渦輪泵12〇背壓之真空計 P3。又，闊V2之下流側設置有一進一步將渦輪泵12〇下 馨流側排氣減壓之乾燥泵130。用以循環循環氣體Q2之循 環氣體用配管150之一端係連結於渦輪泵12〇與閥v2 間，而另一端則連結於蓮蓬頭2〇〇。 位於循環氣體用配管1 50内，上流側設置有一闊 V3，而下流側則設置有一閥V4。以該閥V3及閥v4包圍 之循環氣體用配管150之一部分具有作為暫時儲存循 環氣體Q2之緩衝空間的功用。此點進一步後述之。 以上，雖說明了本實施形態之處理裝置1〇〇的構 造，但此構造只是一例。舉例言之，上述4個真空計p 〇、 _P1、P2、P3不須分別設置，只要構造成實質上可測定4 處之壓力即可。又，為防止由閥產生氣體之漏洩，於 必要時亦可直列地配設多數閥。 以下，就本實施形態處理裝置1 00中特徵之構成要 素的氣體供給機構加以說明。在本實施形態中，作為 氣體供給機構之構造例，係就蓮蓬頭200及蓮蓬頭3〇〇 加以說明。 (蓮蓬頭200) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） -11 - -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473789 A7 B7
五、發明說明（9 ) 參照第2圖至第4圖，銶备雜 步口就虱體供給機構一例之蓮蓬 200加以說明。第2圖係顯 "、…、、逄碩200外觀概略之立 圖，第3圖係第2圖之A-A，哉；m «,-------------裝--- * ， (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 躺# 截面圖。而第4圖係顯示ϋ 體供給孔配置之說明圖。 〃 作為氣體供給機構-例之蓮蓬頭2〇〇具有一用以網 由氣體請所供給之_次氣體Q1經由多數一次氣韻 供給孔而供給至處理室110内之—次氣體供給系統、及 一用以將循環氣體Q2經由多數循環氣體供給孔而供站 至處理室m之循環氣體供給系統，且一次氣體供給系 統及循環氣體#給系統係才冓成相互獨Α之系統。以 下，就該蓮蓬頭200構造之一例加以詳細說明。 --線· 如第2圖所示，Μ蓬頭2〇〇係由諸如防腐㈣所形成 之3片電極板210(第1電極板21〇a、第2電極板21讪、第： 電極板21〇c)所構成。一次氣體用配管145 配管⑽接貫穿於最上部之第〗電極板心= 例中，循環氣體用配管150分割為4個配管15〇a、15讥、 150c、l5〇d，俾防止導率降低，而使蓮蓬頭2〇〇内之擴 散容易。4個配管l5〇a、150b、150c、l5〇d之配管徑】 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 f 合 作 社 印 製 約為循環氣體用配管150配管徑尺之1/2,因而，4個配管 150a、150b、150c、l50d之總和截面積實質上等於循環 氣體用配管1 5 0之戴面積。舉例言之，循環氣體用配管 150之配管徑R為4〇公釐，配管i50a、150b、i5〇c、l50d 之配管徑r可為20毫米。 又’為輕易地去除在處理中於頭表面或内部之氣體 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7
473?8: 首先，就一次氣體供給系統加以說明。 第1電極板21〇a與第2電極板21〇b間之空間係設作 •用以連接貫穿於-次氣體用配管丨4 5以使_次氣體q i 擴散之-次氣體擴散空間22〇。一次氣體擴散空間— 係經由藉間隔件81在第2電極板21〇b與第3電極板魔 間之空間中所區隔之通道而連接貫穿於多數一次氣體 供給孔Μ。該間隔件31與第2電極板21帅及第3電極板 2 10c之接觸部設置有〇形圈（密封構件）〇，俾防止一次 氣體Q 1與循壞氣體q2混合。由一次氣體用配管145所供 、巧之_人氣體在藉一次氣體擴散空間220擴散後，藉多 數一次氣體供給孔散射供入處理室11()内。 麵I其次，就循環氣體供給系統加以說明。 第2電極板2 1 Ob與第3電極板2 1 〇c間之空間係設作 用以連接貫穿於循環氣體用配管15〇(15〇a、15〇b、 150c、15〇d)以使循環氣體Q2擴散之循環氣體擴散空間 230。循環氣體用配管150係經由藉間隔件§2在第2電極 板2 10b與第3電極板210c間之空間中所區隔之通道而連 接貫穿於循環氣體擴散空間230。該間隔件S1與第1電 極板2 1 〇a及第2電極板2 1 Ob之接觸部設置有〇形圈（密 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ^ —I — --I I I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -13- 五、發明說明（11 ) 封構件）〇,俾防止-次氣⑽與循Μ 環氣體擴散空間23。係連接貫穿於 二 ㈣。然後’由循環氣體用配管 心… Q2在藉循環氣體擴散空間-擴散後，藉氣： 供給孔h2散射供入處理室110内。 夕數循％氣體 一次氣體供給m及循環氣體供給孔h2 或模擬等形成最適合之配置，俾 、 虛理宕11〇如产 、逄碩200導入至 至0内之氣體於晶圓…上達到均等。第4圖係一-欠 耽體供給孔Μ及循環氣體供給孔以配置的—例， 即，普通之渦輪（背壓2〜3mT〇rr)用之圖形。 在第4圖中，貫穿設置有4〇個一次氣體供給孔hi , 而各孔徑為lmm。為包圍—次氣體供給孔h卜乃貫穿設 置有3〇〇個循環氣體供給孔h2，而各孔徑為imm。如此二 :第4圖氣體供給孔之孔徑及孔數密度係全面固 疋，而使一次氣體供給孔hl及循環氣體供給孔Μ之孔 數比例構成與一：欠氣體Q1及循環氣體Q2的目標流量之 比相同。其次，並規定循環氣體供給孔Μ之孔數密度， 使以目標:¾量供給循環氣體的時，使背壓降至渦輪泵 120之額定背壓以下。 (蓮蓬頭300) 芩照第5圖至第7圖，就氣體供給機構另一例之蓮蓬 頭3 00加以說明。又’第5圖係顯示蓮蓬頭3〇〇外觀概略 之概略圖，第6圖係第5圖之A-A，截面圖。而第7圖則 係顯示氣體供給孔配置之說明圖。 五、發明說明) 氣體供給機構另一例之蓮蓬頭300具有一用以將由 氣體源140供給之一次氣體Q1經由多數一次氣體供給 孔而供給至處理室110内之一次氣體供給系統、及一用 以將循環氣體Q2經由多數循環氣體供給孔而供給至處 理室110内之循環氣體供給系統，且一次氣體供給系統 及猶裱氣體供給系統係構成相互獨立之系統。 如第5圖所示，蓮蓬頭3〇〇係由諸如防腐蝕鋁所形成 _之小型第1電極板310a、大型第2電極板31〇b、及第3電 極板310c所構成。第1電極板31〇a連接貫穿有__次氣 體用配官1 45。而第2電極板3 1 〇b則連接貫穿有一循環 氣體用配管150。在圖式之例中，循環氣體用配管15Q 分割為4個配管150a、15〇b、15〇c、15〇d，俾防止導率 降低，而使蓮蓬頭200内之擴散容易。4個配管15〇a、 150b、150c、15〇d之配管徑r實質上等於循環氣體用配 = 150之配管徑汉。舉例言之，循環氣體用配管15〇之配 官徑為10公釐，配管150a、15〇b、15〇c、15〇3之配管徑 #r亦可為10公釐。 又，為輕易地去除在處理中於頭表面或内部之氣體 路徑等所產生之副生成物或粒子，蓮蓬頭3⑽宜為可分 解成單純形狀之零件的構造，依第4圖所示之構造，係 分解為3個電極板而可輕易地維護。 參照第6圖，就蓮蓬頭3〇〇之内部構造加以說明。 第1電極板3 10a與第2電極板3 1 〇b間之空間係設作 用以連接貝穿於一次氣體用配管j45以使一次氣體卩工 消 473789 A7 ___ B7五、發明說明Ρ 擴散之一次氣體擴散空間32〇。又，第3電極板3一間係設作用以；= 體用配管！50以使循環氣體Q2擴散之循環氣體^: 間330。第1電極板31〇a與第2電極板31〇b間，：第21: 板_與第3電極板⑽間設置有用以防止—欠氣^ Q1與循環氣體Q2漏洩之0形圈（密封構件…。 虹 一次氣體擴散空間32〇經由藉第2電極板咖所區 隔之通道而連接貫穿於循環氣體擴散空間330。在循产 氣體擴散空間330中，-次氣體Q1與猶環氣體如混/ 由多數混合氣體供給㈣將一次氣體Q1與循環氣體Q2 之混合氣體Q3散射供入處理室1 1 〇。 又，如此，為在將處理氣體往處理室11〇供給前混 合處理氣體，渦輪泵120之背壓須高達某程度。換言 之，僅於使用以高背壓亦可運轉（即，不降低排氣速度） 之渦輪泵時，可使用蓮蓬頭3〇〇。 混合氣體h3係藉經驗或模擬等決定形成最適合 配置，俾使由蓮蓬頭300導入處理室i 10内之氣體於晶 W上達到均等。第7圖係一次氣體供給孔h丨及循環氣 供給孔h2配置之一例，即，高背壓渦輪（背壓1〇丁〇⑴用 之圖形。 在第7圖中，貫穿設置有150個混合氣體供給孔h3， 而各孔徑為1 mm。如此，在第7圖中，混合氣體供給 h3之孔徑及孔數密度係全面固定。其次，規定循環 體供給孔h2之孔數密度，使以目標流量供給一次氣體 Φ 之 圓 體 孔 氣 . ^ ^---------tr---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度過用甲國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（Η ) Q1及循％乳體Q2時，使其背壓降至渦輪泵12〇之額定背 壓以下。 —如以上所說明，在蓮蓬頭300中，藉將循環氣體用 配管150之配管徑R(=配管15〇a、i5〇b、i5〇c、i5〇d之配 管徑Γ)設定為1 〇mm，渦輪泵120之背壓設定為7·7Τ〇ΓΓ， 可，運轉達循環率8〇%程度。此外，與蓮蓬頭2⑻不同 之邛刀係不包含有間隔件s丨、S2等，而可為簡單之構 _造。 其次，就循環氣體供給配管15〇之導率加以說明。 為使循壞氣體Q2可輕易地由渦輪泵12〇下流側供給至 連蓬頭200上流側，循環氣體用供給系統之導率的設定 乃極為重要。該導率之設定宜可一邊考慮渦輪泵之性 能一邊設定為大量。 上述蓮蓬頭200或蓮蓬頭3〇〇之氣體供給孔數及孔 徑係對後述循環氣體用配管15〇之導率造成影響者。 又，循壞氣體供給系統之導率宜大於一次氣體供給 •系統之導率。另-方面’考慮渦輪泵120之性能，而須 予以調整導率，俾不致降低其排氣能力。若舉乾燥飯 刻裝置所使用之渦輪泵為一例，當使用標準之渦輪泵 時，為使其背壓降至3T〇rr以下，乃須調整循環氣體之 導率。進一步，當使用特殊之渦輪泵時，宜調整循環 氣體之導率，以使其背壓降至1〇T〇rr以下。然而，此特 性只不過是一例，宜調整循環氣體供給系統之導率， 以使其降至依所使用之渦輪泵特性決定的指定背壓以 本紙張尺度_巾關家標準(CNS)A4 (210 x 297^7 17 裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 473789 A7 B7 五、發明說明C5 ) 下。 在本實施形態中，將循環氣體供給配管1 50之長度 設為3公尺、内徑R設為1〇公釐（為蓮蓬頭300時）或40公 釐（為蓮蓬頭200時）且為黏性流動領域（1 Torr以上）而計 算了循環氣體供給系統之導率。又，將循環氣體噴出 孔h2之孔徑設為1公釐、長度（第3電極板210c之寬度） 設為10公釐、孔數設為1〇〇個或300個、且設為分子流 動領域（40mTorr〜ITorr)而計算了導率。此外，處理室1 10内之壓力係固定為40mTorr。 【表1】係顯示當使用標準之渦輪泵時，蓮蓬頭之 孔數、氣體噴出速度、配管徑、及渦輪泵背壓之關係 •者0 :-------------裝—— * - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -·- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【表1】 蓮蓬頭 類型 Μ(個） h2(個） Q1 (seem) Q2 (seem) VI (m/s) V2 (m/s) R (mm) Cl (1/s) C2 (1/s) IMP背壓 (Torr) 辦 125 0 375 0 1210 - - - - - 循環用A 25 100 75 300 1210 12 10 10 2.7 1.0 5.1 循環用B 25 300 75 300 1210 403 10 1.5 3.1 3.8 循環用C 25 100 75 300 1210 1210 40 575 l.o 3.7 循環用D 25 300 75 300 1210 403 40 197 3.1 1.3 又，在【表1】及後述之【表2】中，VI係由—次氣 體供給孔h 1噴出之一次氣體q 1的流速，而v 2則係由循 環氣體供給孔h2噴出之循環氣體q2的流速。又， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 297公釐） -18- ;線. 4 4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（16 ) 循環氣體用配管15〇之導率，而C2則係循環氣體供給孔 h2之導率。 其次，若將循環氣體用配管1 50之導率設作c }，循 -環氣體供給孔h2之導率設作C2,則循環氣體用配管15〇 (導率C1)及循環氣體供給孔h2(導率C2)直列排列時之 合成導率C可以下述式子計算出，即， 1/C = 1/C1 + 1/C2 = (C1+C2)/C1 · C2。 _ 【表2】係顯示使用以遍背壓亦可運轉(即，不降低 排氣速度）之渦輪泵時，蓮蓬頭之孔數、氣體噴出速度、 配管徑、及渦輪泵背壓之關係者。 【表2】 蓮蓬頭 類型 hl(個） h2(個） Q1 (seem) Q2 (seem) VI (m/s) V2 (m/s) R (mm) Cl (1/s) C2 (1/s) IMP背壓 (Ton) 辨細 125 0 625 0 2016 - - - - - 循環用A 25 100 125 500 2016 2016 10 4.2 1.0 7.7 循環用B 25 300 125 500 2016 672 10 22 3.1 5.0 循環用C 25 100 125 500 2016 2016 40 954 1.0 6.1 循環用D 25 300 125 500 2016 672 40 323 3.1 2.1 由【表1】、【表2】可知使用以高背壓亦可運轉之渦 輪泵，具有以下之效果。 (1) 在A型、C型之蓮蓬頭中，可減少循環氣體供給 孔h2之數目。藉此，可削減蓮蓬頭之加工費。 (2) 在A型、C型之蓮蓬頭中，因循環氣體供給孔h2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- ------— — — — — — — ·1111111 ^ ·1111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印 發明說明（17 之數目減少，故可使一姊 一曰η 速度V2幾乎相等。藉此，可拐
南晶圓W之飯刻速率等製程特性之 W ⑺在Α型、。型之蓮蓬頭中，由於一次=以 數目與循環氣體孔h2 ⑽，不掂〇 # 之〜和數目與標準蓮蓬頭 %氟體之類型)相等，故孔加工圖形亦可 與標準連蓬頭相等。因此，當使用Α型、C型之蓮 蓬頭時，可獲得與標準蓮蓬頭相同之製程性能。 ⑷在A型、C型之蓮蓬頭中，因循環氣體供給孔匕 之數目減少’故循環氣體噴出速度V2亦隨之增大。 藉此，可抑制雜質往蓮蓬頭上堆積。 ⑺當使用A型、B型之蓮蓬頭日夺，可縮小循環配管 之管徑R。藉此，閥等零件亦可使用小型者。因此， 由裝置全體觀之，可省空間化。 如以上所述，在【表2】中，可知A型最佳，其次為 B型或C型，再其次為d型。 … 以上所說明之【表1】、【表2】之值只是一例，若可 將渦輪泵120之背壓調整至指定壓力，則循環氣體如之 流量、循環氣體用配管i 50之内徑、及循環氣體噴出孔 h2冬數目可使用最適合之值。 其次’就由上述構造所構成之處理裝置1 〇〇之循環 氣體控制方法加以說明。就將處理室1 1 〇内之壓力設作4 OmToir，由處理室所排出之氣體的約80%設作循環氣體 Q 2以用作循環氣體控制方法之一例的情形加以說明。
;-------------裝---- . - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i線· -H I .1 n I H · 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱)' 3〇: ----
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（18 ) 又，雖須預先調查處理時之一次氣體Q 1的供給量與渦 輪泵120前後之閥VI、V2之開度的關係，但在此，作為 一例，當一次氣體Q1之供給量為6〇sccm(循環氣體q2 之供給量為240sccm)時，可將閥V1之開度設為3〇%，閥 V2之開度設為20%係預先即已明確地設定者。 首先，在開放渦輪泵120前後之閥vi、V2，且關閉 循環氣體用配管1 50内之閥V3、V4的狀態下，利用渦輪 馨泵120及乾燥泵130以將處理室i 1〇内排氣。其次，將閥 VI之開度固定在30%，由氣體源14〇以60sccni供給一次 氣體Q1。藉流量控制裝置MFC使流量安定化後，將閥V 2之開度固定在20%。藉將閥V2之開度設定在20%，將 使藉渦輪泵1 20由處理室u 〇所排出之處理氣體的一部 分流入循環氣體用配管1 5 〇。 其次’開放循環氣體用配管1 50内之閥V3、V4。藉 開放閥V3、V4，將流入循環氣體用配管i 5〇之處理氣體 的一部分作為循環氣體(^2，而將再流入蓮蓬頭2〇〇。當 _循％氣體Q2之流量安定在約以㈦⑶^夺，處理室ιι〇内 之壓力P2約形成為4〇mT〇rr。在此狀態下，即開始處理。 當處理結束時，便同時關閉一次氣體供給配管145 内之閥V〇及循環氣體供給配管150内之閥V3、V4。當 關閉閥V3、V4時，殘留於由闊V3、V4包圍之循環氣體 供給管1 50之一部分的處理氣體Q2則於下次處理時使 用。舉例言之，當循環氣體供給配管150之管徑為4〇公 叙、長度為3公尺、氣體壓力為1T〇r，，閥、v4間 本紙張尺度_中_家標準格（2ι〇 χ 297公爱）-——-- ^--------^---------$ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4
A7 ^^' -----2Z----- 五、發明說明（I9 ) 之奴召氣體！為3·8Τ〇ΓΓ· l(5.〇sccm)，藉於下次處理時 ---------------^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用該殘留氣體’可將下次處理時之初期化縮短5秒左 右。其次’完全開放閥v 1、V2。 接著就利用緩衝空間，以縮短至循環安定為止之 時間=程序加以說明。為便於說明，乃將循環氣體導 入配g 150分剎為配管部151、152、153而說明之。換 口之配畜1 5 1係以渦輪泵下流配管及閥V2、V3所包圍 之空間，容積為l〇〇〇cc。又，將晶圓w之處理分為第ι 片曰曰圓及第2片晶圓之後而加以說明之。 若以接觸孔形成為例，則處理條件為： 當沒有循環時，C4F8/CO/AiVO2=10/50/200/5SCCm。 又當循環80〇/。時，C4F8/C〇/Ar/〇2 = 6/1〇/4〇/5sccm。 首先’就第1片晶圓加以說明。 (導入氣體前） --線· 關閉閥V4，並開放閥V1、V2、v3。此時，處理室！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 0内及配官1 5 3之領域藉渦輪泵丨2 〇及乾燥泵丨3 〇之排 氣功旎將壓力排氣至1〇-6Τ〇ΓΓ程度。而渦輪泵12〇下流側 及配官1 5 1、1 52之流域僅藉乾泵！ 3〇之排氣功能排氣。 (導入氣體〜安定化） 當以80%循環處理氣體以進行處理時，一次氣體qi 之導入量為：（l)Ql=C4F8/CO/Ar/〇2 = 6/10/40/5sccm。一 邊將一次氣體Q 1之流量保持在高流量比，一邊以流量 控制裝置MFC之最大流量流入，以使配管丨5丨、ι 52之領 域提南壓力至充足為止（例如2Τ〇ΓΓ)。即，（2)qi=c4F8/ -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公髮) 473789 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（?〇 ) CO/Ar/02 = 30/50/200/25sccm。此時，藉闊VI 進行處理 室110内之壓力P2的調整，而保持關閉閥V2、V4，且開 放閥V3之狀態。 使配管151、152之空間（容積約為38〇〇cc)至形成與 壓力P3相等之2torr的所須時間為當⑴Q1=C4F8/c〇/Ar/ 02 = 6/10/40/5sccm(總計61sccm)時，係 12·5秒，而當（2) Ql=C4F8/CO/Af/02 = 3 0/50/200/25Sccm(總計 3〇5sccm) φ時，係2.5秒。 因而’以（2)Ql=C4F8/CO/Ar/02 = 30/50/200/25sccm 之流量’使配管151、152之壓力上昇（例如上昇至2T〇rr) 後’開放閥V 4，以開始循環。與此同時，將一次氣體q 1設定變更為（l)Ql=C4F8/C0/Ar/02 = 6/10/40/5seem之流 量後，開始閥V2之控制，以使壓力P3形成所期之循環 氣體Q2流量（循環率80%)所獲得的值。 之後’在安定一次氣體Q1之流量，且安定壓力P2、 P3之際，由於使氣體循環形成穩定狀態，故開始 儀|電，以進行晶圓W之處理。 (晶圓處理結束時） RF放電結束，同時，一次氣體，且開放 閥VI、V2’俾去除處理室11〇内之氣體。同時，並關閉 閥V3、V4,俾使已循環之氣體封入配管ι52之空間内。 封入配管1 52之空間的氣體可用於第2片晶圓之循環氣 體安定化。 其次’就第2片之後之晶圓加以說明。 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21q χ挪公爱）--—-- -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 -------------------五、發明說明？1 ) (導入氣體前） 開放閥VI、V2，而關閉闊v3、V4。此 此4，循環氣 體Q2於配管152内有2T〇rr。 (導入氣體〜安定化） 與第1片晶圓之情形相同地，將流量設定為（2)qi = C4F8/CO/Ar/02 = 30/50/200/25sccm。此時，藉闊vj 進行 處理室内之壓力P2的調整，而保持關閉閥V3、V4，且 關閉閥V2之狀態。 由於進行晶圓第2片之後之安定化時，氣體已封入 作緩衝空間用之配管1 52，故於配管i 5丨之空間以指定 之壓力儲存氣體即可。於配管151之空間，以（2)qi=c4 ?8/(^0/八1：/02 = 3 0/5 0/2 00/2 5 8〇〇111之流量儲存2丁〇〇*之氣 體的空間為0.5秒。在此時間以後，開放閥V3、V4，以 開始氣體循環。與此同時，變更為（l)Ql=C4F8/CO/Ar/ 〇2 = 6/10/40/5 5(^111之設定。然後，閥\^2乃開始控制，俾 使壓力P3形成所期之設定壓力。 之後，進行與晶圓第1片相同之製程。 如以上所說明，因於完成晶圓處理時，同時，並將 氣體封入作緩衝空間用之配管1 52，故可追求縮短至晶 圓第2片之後之氣體循環安定為止之時間。又，因在開 始導入一次氣體之際，一邊保持指定之氣體流量比， 一邊導入所使用之流量控制裝置MFC的最大流量，並保 持關閉閥V2之狀態，故可追求縮短達指定之氣體循環 率的安定化時間。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -24- :-------------裝—— - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --線· _ B7 五 發明說明 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在本實施形態中，循王f与μ 直接、查姑♦办丨 盾衣虱粗供給配管150係構造成 右一；#碰 逄頭 其次，由於蓮蓬頭200具 雕一人供給系統（一次氣體擴散空間220及-次氣脰供給孔h 1)及循環氣體供仏 ；；_ Ώ 轧肢供、，、口系統（循環氣體擴散空間2 ^循環氣體供給孔吻，且一次氣體供給系統 =供料統係構成相互獨立之系統，故可在處理室; 初-人使-次氣體Q1與循環氣體Q2混合。因此，即 ·:不進行壓力控制’時而減少蓮蓬頭2〇〇上流側之壓 力，時而提高渴輪栗120背壓，亦可輕易地控制循環 體 Q2。 ^ 進步，由於循環氣體供給配管150設置有構成用 =暫時儲存循環氣體Q2之緩衝空間的㈣、V4，故於 凡成處理後，暫時儲存殘留於循環氣體供給配管150之 循環氣體Q2，而可於下次處理時使用。因此，因不 將殘留於循環氣體供給配管150之氣體排出，故可減 氣體之排氣量。且，在下次處理時，可減少氣體之 •用里’並可縮短處理之初期設定所需的時間。 (第2實施形態） 其次，就本發明之第2實施形態加以說明。 如第8圖所示，本實施形態之處理裝置具有一用以 由循環氣體供給孔供給一次氣體q丨之第2之一次氣體 用配官148，第2之一次氣體用配管148並具有一作為一 次氣體Q1之流量調節構件的閥V5。且，除了第2之一次 2 氣 用 須 少 使 本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公髮） -25-
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明p ) 氣體用配管148及閥V5以外之構成要素皆與上述第2實 施形態相同。 依本實施形態，當進行不使用循環氣體Q2之處理 時，循環氣體供給孔h2亦可用作一次氣體…之供給 孔。此時，因第2之一次氣體用配管148具有閥v5，故 可提高由循環氣體供給孔h2供給一次氣體…時之流量 控制性。因此，可提高最初進行僅使用一次氣體之處 理（一次氣體用完即扔掉），其次，進行使用一次氣體與 循環氣體之處理的所謂程序處理之流量控制性。 以下，就最初進行僅使用一次氣體之處理，其次進 仃使用一次氣體及循環氣體之處理的所謂程序處理一 例加以說明。 (第1階段） 首先，將氣體流量設定為N2/〇2 = 8〇/4〇sccm，壓力 設定為20mT〇rr，電力設定為12〇w，而進行了3〇秒處 理。因處理氣體不使用地球溫暖化氣體（pFC)，且處理 日可間短，故不進行處理氣體之循環。此時，藉開放閥v 5，由一次軋體供給孔^ 1及循環氣體供給孔μ同時供給 一次氣體Q1。(第2階段） 其次，將氣體流量設定為C4F8/CO/Ai-1〇/5〇/8〇SCC m，壓力設定為60mTorr，電力設定為15〇〇w(drm之標 準電力），而進行了 80秒處理。因處理氣體包含有作為 地球溫暖化氣體（PFC)之qF8，且處理時間亦長，故可 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐） -26- -------------裝--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 言. --線· ⑵89 4 A7
五、發明說明P4 ) 氣 氣 進行處理氣體之循環。 ^ y 衣此時，藉關閉閥V5，由一次氣 體供給孔hi供給一次氣妒 ^ 乳歧Q1，並由循環氣體供給孔h2 供給循環氣體Q2。 • 如以上所說明，佑太告k 依本貝、施形態，進行不使用循環 • : Q t處理日守’亦可將循環氣體供給孔μ用作一次氣 體Q1之供給孔。此時’因第2之一次氣體用配管148具 有間V 5 ’故可提高由循環氣體供給孔h 2供給-次氣體Q 1時之流量控制性。 (實施例） 八 就使用本發明之處理裝置的實施例加以說 由於本貝鼽例係使用在上述實施形態中所說明之 处里衣置100，而分別實施了⑷接觸孔之形成，⑻ (Self A1ign Contact)製程’（c)siN :形成溝之製程，故 就具有^上述處理裝置⑽及晶圓w約略相同之功能及 構&而D ’可藉附上相同符號以省略重複說明。又， μ虫刻製程條件只要非以下特別所示I，即&定與上述 實施形態約略相同。 〇)接觸孔之形成 广氣體流量為 C4F8/c〇/Ar/〇2=1〇/5〇/2〇〇/5sccm。在該 軋體流量之蝕刻特性係氧化膜蝕刻速率約50〇nm/mi η，而氧化膜對作為掩蔽之光阻劑的選擇比約為55。 藉進行約80%循環，調整氣體流量，而獲得與以丨 F8/CO/Ar/〇2 = 5/l〇/4〇/5sccm之流量相同之結果。即，氧 -------------裝--------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -27 ? -- 今 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 3^89 A7 B7 五、發明說明户） 化膜餘刻速率= 500nm/min，對抗#劑之選擇比為5.5。 (b) SAC製程 藉以 C4F8/CO/Ar= 1 6/300/3 8 0seem進行約 80%循 環，而達到了 C4F8/CO/Ar=7.5/45/80sccm。Si02蝕刻速 率為45 0nm/min，且對SiN之選擇比為14。又，第9圖係 顯示依上述SAC製程形成之蝕刻形狀概略的截面圖。 (c) SiN :形成溝之製程 藉以CF4/Ar/O2 = 80/160/20SCCm之氣體流量進行約 80%循環，而達到了 cF4/Ar/02=16/32/12sccm。SiN |虫 刻速率為200nm/min。 如以上所述，在本實施例中，就使用（^匕或 為氧化膜蝕刻製程之代表例而加以說明。其次，在處 理條件中’在不改變壓力、施加力等其他參數下，藉 利用循環製程，調整氣體流量，而達成了相同之蝕刻 形狀。換言之，比較了循環處理氣體時與不循環處理 氣體時之蝕刻形狀，可知接觸孔之形成、SAC製程、 SiN ·形成溝之製程中任一情形之蝕刻形狀係相同。 以上，參照所附圖式，說明了本發明處理裝置所適 合之實施形態，但本發明並不限於此例。只要為本業 者，在t請專利範圍所提出之技術性思想範鳴内可想 出各種變更例或修正例是很明顯的，且亦可了解該 當然係屬於本發明之技術性範圍。 舉例言之’在上述實施形態中，虽隹規定了循環氣 供給孔之孔數密度，使循環氣體以目標流量供給時 « __ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 il· 線· 等 體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格 -28- A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明P ) ^壓在渴輪泵之額定背M以下，但本發明並不限於 此。舉例言之，藉規定循環氣體供給孔之孔徑，使渦 輪泵之背壓在額定背壓以下亦可。 又，在上述實施形態中，雖說明了將處理後殘留之 ‘循環氣體儲存於作氣體循環機構一例之循環氣體用配 :150的一部分之一例，但該緩衝空間亦可設置於一次 氣體供給系統側。 _ -亦了於彳盾環氣體供給配管設置諸如過濾、器等之 =循％虱體用的過濾構件。由於可去除循環氣體所包 各之曰彳生成物或粒子，故可減輕藉氣體循環所產生對 被處理體之不良影響或保養之工時等。 又’在上述實施形態中，雖說明了將一次氣師 及循環氣體Q2導入蓮蓬頭200之情形的一例，但本發明 之蓮蓬頭構造亦可適用於諸如由2個處理氣體源將_ 處理氣體導入之處理裝置。 如以上所說明，藉本發明，由於氣體供給機構具有 •-次氣體供給系統及循環氣體供給系統，且一次氣 供給系統與循環氣體供給系統係構造成相互獨立之 統，故在處理室内可初次將一次氣體與循環氣體 合。因此，即使不進行壓力控制，時而減少氣體供 機構上流側之壓力，時而提高排氣機構之背壓，亦g 輕易地控制循環氣體。且，由於—次氣體供給系統與 循環氣體供給系統係構造成相互獨立之系統，故在 受相互之氣體供給系統的影響下，可獨立控制壓力 體 系 混 給 可 不 或 ^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Μ氏張尺度適用中國國家標準（〇^)A4規格―x 297公整 -29- A7 _^-------------- 五、發明說明0 ) 流量。 又，藉本發明，在完成處理後，將殘留於氣體循枣 機構及/或循環氣體供給系統之循環氣體暫時儲存於= 衝空間，以於下次處理時可使用。因此，由於不需將 殘留於循環氣體供給系統之氣體排出，故可減少氣體 之排氣量。且’在下次處理時’可減少氣體之使用量， 並縮短處理之初期設定所需的時間。 進一步，由於藉本發明可去除循環氣體所包含之副 生成物或粒子，故可減輕藉循環氣體所產生對被處理 體之不良影響或保養之工時等。 請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - (圖式之簡單說明） 圖 第1圖係第1實施形態處理裝置之内部構造的說 明 訂 第2圖係顯示蓮蓬頭外觀之說明圖。 第3圖係第2圖之蓮蓬頭的‘A，截面圖。 第4圖係顯示第2圖之蓮蓬頭的氣體供給孔配置 例之說明圖。 第5圖係顯示蓮蓬頭外觀之說明圖。 第6圖係第5圖之蓮蓬頭的A、，截面圖。 第7圖係顯示第5圖之蓮蓬頭的氣體供給孔配置 例之說明圖。 第8圖係第2實施形態處理裝置之内部構造的說 圖0 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） 鄱 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 明 -30- i
第9圖係顯示藉SAC製程形成之蝕刻形狀概略的裁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 【元件標號對照表】 100·.·處理裝置 11〇···處理室 11 5 ···基座 _12〇·.·渦輪泵 13 0 · · ·乾燥泵 14〇···氣體源 145···—次氣體用配管 148···第2之一次氣體用配 管 1 5 0 ···循環氣體用配管 150a…循環氣體用配管 1 5Ob…循環氣體用配管 _150c···循環氣體用配管 150d…循環氣體用配管 151···配管部 152.··配管部 153···配管部 160·.·匹配器 170…高頻電源（rf電源） 200…蓮蓬頭 21〇···電極板 21〇a···第1電極板 21〇b···第2電極板 210c·••第3電極板 220·.·—次氣體擴散空間 23〇···循環氣體擴散空間 300···蓮蓬頭 31〇a...第i電極板 310b·.·第2電極板 31〇c···第3電極板 320··. —次氣體擴散空間 330···循環氣體擴散空間 Q1…一次氣體 Q2…循環氣體 h1..· —次氣體供給孔 h2…循環氣體供給孔 S 1…間隔件 S2…間隔件 W…晶圓 MFC···流量控制裝置（質量 --------------^ ---— — — — — ^il —-----^ f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 473789 A7 B7 五、發明說明G9 ) 流量控制器） P0…真空計 P1…真空計 P2…真空計 P3…真空計 V0··.閥 VI…閥 V2·.·閥 V3...閥 V4···閥 V5···閥 R...配管徑 r...配管徑 0...0形圈 :-------------裝--- . W (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂· -線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -32-

Claims (1)

  1. 473789 B8 C8 $專利範圍 Κ —種處理裝置，其包含有： —氣體供給機構，係用以將處理氣體經由多數氣楚 供給孔，供給至處理室内者； —排氣機構，係用以由該處理室内將處理氣體排出 者；及 一氣體循環機構，係用以使藉該排氣機構由前述處 理室内排出之氣體至少一部分返回至前述氣體供給 機構者； 而’前述氣體供給機構則具有·· —-次氣體m統’係用以使處理氣體源所供給 之-次氣體、經由多冑一次氣體#給孔供給至處理室 内者；及 -循環氣體供給系統’係用以使前述排出氣體之至 少-部分經由多數循環氣體供給孔供給至處 者； 且，前述一次氣體供給系統盥 处〆* 凡一月丨j述循環氣體供給系 統係構造成相互獨立之系統者。 經^邓皙慧时吒-;只工消費合作社印製 2·如申請專利範圍第丨項之處 ^ ^ ^ ^ β ? ^ 衣置，其中前述氣體供 給孔之孔徑及孔數密度係 訢、十、^ ^ ^ 卸固弋，且構造成可使 刖述一次軋體供給孔及前述 I ‘、+、 A /盾长氧體供給孔之孔數 比例與則述一次氣體及前述循 相等者。 衣氧to之目標流量比 3·如申請專利範圍第〗項之處理 給孔之孔徑係全面固定，且1置，其中前述氣體供 使前述一次氣體供給孔 六、申請專利範圍 及前述循環氣體供給孔之設置領域的面積比 目標流量之比值相等，同時並將前述循環各2 孔之孔數密度規定在以目標流量供給前述循严:二 時背壓在前述排氣機構之額定背壓以下。长氣心 4.如申請專利範圍第i項之處理裝置，其中前述氣 給孔之孔數密度係全面固定，且使前述—次#粬’、 給孔及前述循環氣體供給孔之設置領域的面：：： 各自目標流量之比值相等’同時並將前述循環體 供給孔之孔徑規定在以目標流量供給前述循環氣體 時背壓在前述排氣機構之額定背壓以下。 5·如申請專利範圍第丨項之處理苴 給機構每單位面藉夕今、+、 L …面積之别述一次氣體供給孔數與前述 4盾環氣體供給孔數的卜彳έ + 数的比值在前述氣體供給機構係全 面固定。 6 ·如申請專利範圍第1項 貝之處理裝置，其中前述循環氣 體供給糸統之導率係大於前述氣體供給機構之導率 7· 項之處㈣士其中前述氣體供 而機構具有一用以由 月J这循裱軋體供給孔供給前述 -人氣體之第2之一今盔 -人乳體供給系統，且該第2之一 次氣體供給系統並具.一 一有 用以調節前述一次氣體之 k量的流量調節構件。 8·如申請專利範圍第1 _ s ^ 員之處理裝置，其中於前述氣體 #壞機構/或前述循瑗# &乳體供給系統中並設置有一 x 297公釐) 本紙張尺度+關家標準（CNS)A4規 473789 頜 C8 D8 六、申請專利範圍 緩衝空間。 9.如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中於前述氣體 循環機構/或前述循環氣體供給系統中並設置有一 供前述循環氣體用之過濾構件。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之處理裝置，其中由前述一次 氣體供給孔往前述處理室供給前述一次氣體之速度 及/或由前述循環氣體供給孔往前述處理室供給前 述循環氣體之速度係在500m/秒以上。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f )
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