TW471090B - Semiconductor wafer inspection machine - Google Patents

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TW471090B
TW471090B TW089127695A TW89127695A TW471090B TW 471090 B TW471090 B TW 471090B TW 089127695 A TW089127695 A TW 089127695A TW 89127695 A TW89127695 A TW 89127695A TW 471090 B TW471090 B TW 471090B
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Taiwan
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wafer inspection
optical system
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TW089127695A
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Inventor
Masatoshi Arai
Makoto Sakai
Original Assignee
Tokyo Seimitsu Co Ltd
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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    • GPHYSICS
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Description

471090 A7 B7 五、發明說明(1 發明背景 本發明關連於一半導體晶圓檢查裝置,尤其是能夠在, 一已形成製程層於其上之半導體晶圓上,形成另—製程; 時,檢查下方和上方製程層之對m k — 表$層乏對率记唬之物理關係,以確 & I%層形成的位置是正確的。 通常會有-趨勢’即半導體元件的層數目會隨著其 : 的 訂 :加二在一半導體元件的製造過程中,有數以百計的; 脲。在母-製程層形成前,—經製作圖樣的 光和顯影-圖樣,而在-塗覆的光阻上„,每—製2 經=刻或賤鍍加工成-圖樣層,相對於-光阻圖樣。在 问始度半導體凡件中,每_製程層的圖樣是非常小的, 而每一製程圖樣製作的精確度必須相當地準確。除此 外’製程層的數目正增加中’而若—半導體元件有_個 有嚴重定位誤差的製程層,該半導體元件將是一個不好 產品。 不 可 圍 光 因此,里測一經製作圖樣的層與其下製程層間位置之 同,以確認定位誤差在可容許的範圍内。當定位誤差在 容許的範園内_,製程層以光阻層加工,如果誤差在範 之外的話,則需將光阻層移除,同時必須重新開始形成 阻層的過程,定位誤差的測量結果會回饋到階梯,其爲 曝光裝置,在曝光中調整位置時使用。 關 體 爲了量測定位誤差,對準記號2形成用於晶圓上晶片 旁的每一製程層,同時要量測兩層的對準記號間之物理 係。生爭兔號的形狀是根據SEMI標準Ρ25·96頁(製造積 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21G X 297公爱) 471090 A7
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電路用之測試形式),圖1 B揭示這種對準記號的例子, 做盒中盒。 X® 2 A至2 C舉例説明對準記號的截面形狀。圖2 a爲當在 基板上或一較低層11上,形成一第一製程層12,並於其 上形成一光阻層13。在第1製程層12上,形成—方形孔 徑’作爲第一對準記號,而方形光阻層i 3形成於孔徑的 中心。記號的這一部份透過顯微鏡之類的,被投影到一攝 影機,而兩記號中心位置的差別,可以透過檢查在螢幕上 之類的影像來量測。通常會提供一影像處理器,以處理來 自攝影機的影像訊號,並自動量測兩記號中心位置之差 圖2B舉例説明當第一製程層1 2之薄膜很薄時,在這個 情況,第一製程層工2上表面,與光阻層i 3之上表面間等 級的差別,大於圖2A中所示的,因此,一具有大焦距深 度的鏡片是必須的,且因爲在第一對準記號之等級差別很 小,要準確地量測記號位置,與圖2八比較起來,更加的 困難。 圖2 C舉例説明,當在一具有第一方形孔徑的對準記號 之第一製私層12上,沈積一第二製程層14,並在其上形 成一具備圖樣的光阻層15。第二製程層14再次—製程中 被加工製成光阻層15之圖樣。在此一情況下,因爲第二 製程層14敎沈積在第一製程層12上,在第二製程層㈠上 會形成一相對於第一對準記號之邊緣。在這個過程中,第 一疋位對準圮號之中心可由第二製程層i 4之邊緣量測而 本紙張尺㈣射關家標準(CNS)A4規格⑵57^7公f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------^----
n n ϋ I 秦丨 471090 五、發明說明(3 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 得,或者,第一製程層i 2之第一定位對準記號之中心, 可透過第二製程層1 4之量測而得。 兩個方法中,與量測圖2A之對準記號相比,要精確地 量測圖2B或2C中所示之對準記號,是相當困難的。 近來’ 一圖樣的最小線寬隨著半導體元件密度增加而變 得更窄,而圖樣製作的精確度容許範圍很小,以致必須以 高精確度量測定位對準記號之中心,以高精確度量測對準 記號I中心。需要使用具備高解析度的光學系統,儘管高 精確度需要一個具有大氣字孔择(NA)的顯微鏡片(物 鏡),當N A大時,焦距的深度是窄的。 舉例來説,如果對準記號如同圖2 A所示,第一製程層 1 2與光阻層1 3的高度之間差別很小且因爲兩記號都在焦 距冰度的範圍之内’所以準確量測兩對準記號之中心是可 能的。然而,如果對準記號是如同圖2 B所示,量測的精 確度可能會降低,因爲高度上的差別艰大,同時兩個記號 都不在—赛距深度的範圍内。由於第一製程層1 2不高,要 辨別出其本身是困難的,且要準確量測記號中心是不可能 的,將此應用於圖2C中,其中要相當準確量測記號的中 心也很困難。 在不同焦點上選取影像之一方法,j japanese Unexamined 專利著作(Kokai)第9_287916中有公布。然而,沿著光軸 私動物鏡i半導體晶片,以在不同焦點上選取影像是必須 的。事實上,邊緣可由依據對準記號高度之差別,調整光 學系統中之焦點所得之影像,偵測而得,而記號中心的座 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •ti^------訂---------*5^^丨 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471090 A7 ------- 五、發明說明(4 ) 標即可計算,這個過程在焦點改變之後或藉由沿著光軸掃 瞒而重複。除此之外,對每一晶片之眾多記號,或一晶圓 上眾多點的記號,同樣的過程是必須的。 衣半導體元件的製程當中,輸出效能是一項重要的因 素,在Japanese Unexamined專利著作第9-287910號中所公 布之方法中,改變光學系統中之焦點是必要的,同時一個 問題,即量測對準記號需要更多時間,將會發生。 如圖2 C所示,一半導體晶圓檢查裝置,用以準確地量 測半導體晶圓上難以量測的,對準記號之定位誤差,在
Japanese Registered Utility Model 第 3003842 中有説明,然 而,此處的檢查裝置,必須沿光軸掃瞄,同時需要更多時 間量測對準記號,且會有效能減低的問題發生。 發明概述 本發明被研發以解決這些問題,其目的爲瞭解一半導體 晶圓檢查裝置,其可以較少的時間,與高精確度,量測在 不同焦點上之對準記號,而不會引起效能的減低。 爲了瞭解上述的目的,本發明之半導體晶圓檢查裝置使 用一共焦光學系統,其中焦點依據波長(或顏色)而有不 同,同時也使用具有大深度焦距的光學系統,使得在一大 範圍焦點中可以得到清晰的影像,同時在不同焦點上的影 像會形成。 換句話説,本發明之半導體晶圓檢查裝置可形成一半導 體晶圓表面上之光學影像,其,上形成有第一層具有一第一 對準記號,第二層則具有一第二對準記號,該裝置之特徵 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) .«裝--------訂--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 471090 A7 B7 經齊郎智慧时轰咼員X消費合阼fi印製 五、發明說明(5 ) 爲’配備有一共焦光學系統,其中形成有半導體晶圓表面 之光學影像,而焦點則依據不同波長而有不同,共焦光學 系統之光源則具有一大範圍的波長。 在共焦光學系統中’只有在焦點上的影像能夠被清楚 地投射,其他則不然。因此,如果共焦光學系統被設計 爲,焦點依據波長而不同,在每一焦點上相對於波長的影 像就可清晰地成像。如果使用一具有大範園波長的光源, 在母一焦點之清晰的影像成功地可得。結果,也可得一大 範圍焦距之清晰的影像,即使在焦點不同時,影像的大小 最好仍維持固定,例如,同軸光學系統即爲共焦光學系統 所推薦。 第一層層與第二層層可以是連續或分開的。 結果,在共焦光學系統中形成的影像之焦點,依據波長 而不同,波長並不只限於可見光,紫外光或進紅外光亦包 含在其中。 一影像擷取裝置用以轉換共焦光學系統中形成的半導體 晶圓表面之影像成爲影像信號。假若一具有波長靈敏度範 圍相對於光源的波長範圍之黑白電視攝影機,用於影像擷 取系統,則涵盍一大範圍的焦點,可得到清晰的影像。因 此,要量測如圖2中(2)或(3)所示的,對準記號準確的中 心點是可能的。 假若使用一彩色電視攝影機作爲影像擷取裝置,且由彩 色電視攝影機輸出的彩色影像,信號以彩色方式呈現,則在 每一焦點上I影像會以不同的顏色顯示,這也應用在,稍 -8 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 ------ (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) !· 裝 ----tr---------^_wl 471090 A7 ------- B7 ^------- 五、發明說明(6 ) 後所會提到的,當裸眼透過目鏡觀看一轉動的圓盤,而不 使用影像擷取裝置時。 當在一彩色顯示器顯示彩色影像擷取裝置之每一個影像 信號時,彩色影像擷取裝置的色彩濾光器特性,不需與顯 示的顏色配合。舉例來説,彩色影像擷取裝置之色彩滤光 器之波長(顏色)小小的不同,可以被顯示爲一明顯的波長 的不同,以凸顯顯示的影像之差別。 當在自動量測第一和第二層的定位誤差時,提供—影像 處理器是必須的,該處理器可用影像擷取裝置所輸出的影 像信號,計算第一和第二對準記號之位置,並使用此結果 計算第一和第二層之位置;在這個情況下,當使用黑白電 視攝影機作爲影像擷取裝置時,可以處理影像信號,而當 使用一彩色電視攝影機作爲影像擷取裝置時,只需處理每 一彩色影像信號的簡單總和。 假若光學影像的波長受限於預設的波長範圍之一,即可 決定焦點,亦即沿著光軸的位置。因此,也就可能用此方 法得到對準記號的三度空間形狀。在此情況中,必須提供 一影像分離元件,其可將共焦光學系統中形成之光學影 像’分離爲具有不同波長之兩分離光學影像,而擷取裝置 需要個別產生相對於每一分離光學影像之兩影像信號,接 著兩分離光學影像之波長必須至少互相重疊一部份,兩影 像信號之比例單純地在兩元件重疊的波長範圍内改變,每 一信號比例有一相反的改變特性,且需提供一影像處理 器’其可由相同位置之兩影像信號間之比例,計算出記號 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -·裝--------訂---------^^丨 五、發明說明(7 ) 足咼度,由於在焦點上,相f
對於重螢範圍波長之影像,包 含於兩分離光學影像中,而;A A 、;eu /, 而兩衫像信號強度之比例是由全 部波長特性(光源、滹井哭 .^ 、^ p 〜尤咨,與影像擷取裝置之波長特 性)’ I亥波長可由兩侦測到々 ’如此可得一三度空間之形狀 、j< 影像信號強度比例所決定, 且焦點亦可被決定。因此 附圖之簡短説明 藉由以下敘述與伴隨之卩朴同 4 心附圖,碩者將更瞭解本發明之特 色與優點。其中: 肩1A和1B爲形成於半導體曰 〜、卞守卵固上的對準記號之例子; 、圖2A至2C爲各種對準記號之截面; 屬3A和3B説明共舞光睾華絲 、尤予糸統疋原理,與光點依據波長 之差別; 具體陳述中之半導體晶圓檢查 '圖4説明在本發明之第 裝置之組態; 圖5爲舉例説明用於本發明 式電視攝影機之組態; 圖6説明本發明之第二具體 置之組態;以及 之第一具體陳述中之一三片 陳述中之半導體晶圓檢查裝 圖7A和7B説明第二具體陳述中得到的兩影像信號之總 光譜敏感度與比例; 較佳具體實施例之叙述 在解釋本發明 < 具體實施例之前,要先參考圖3八與 3 B ’解釋共焦光學系、统’與焦點依據波長而有差別之原 理。 .、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471090 A7 _ B7 五、發明說明(8 ) 圖3 A所示,一具有孔2 1之檔光板2 2,被光源4 0所照 党’來自孔21之光線’直接透過一半鏡(一半爲水銀的鏡 子)至鏡片24,並會聚於試片1〇〇(半導體晶圓)之上。當 試片1 0 0被放置於虛線所代表的位置時,光線會聚到試片 1 〇 〇上。且只有一點會被照亮,被試片1 0 0所反射出之光 線’被指引沿著虛線所示的路徑,回到鏡片2 4,經由半 鏡2 3反射,會聚到檔光板2 6上之孔2 5。因此,幾乎所有 由試片1 0 0所反射的光線,都被指引通過孔2 5,到達孔 2 5後的光接收元件2 7。孔2 1和2 5定位於對稱於半鏡2 3 之位置。 當試片1 0 0移動至實線所示的位置,光線會聚於試片 1 〇 0上成一大光點,而被試片1 0 0反射之光線則通過實線 所示的路徑回到鏡片2 4,並在經半鏡2 3反射後,會聚餘 擋光板26上之孔25。因此,由試片100所反射的,非常 少數的光線被指引通過孔2 5,而幾乎所有光線都被檔光 板2 6擋住,無法到達光接收器2 7。也就是説,由試片 1 〇 〇所反射的,在焦點之外的光線,都被擋住了。 、移動孔2 1與2 5 ’使得試片表面在與光軸垂直的平面被 掃目苗’並結合光接收器在每一位置之輸出,可以得到試片 表面之影像;如上所述,當試片表面位於焦點時,可得其 影像’若試片表面不在焦點上則否,在共焦光學系統中, 只有在焦點上可以得到清晰的影像,其餘則否。在圖3 a 中,儘管孔2 1與2 5被安置於以半鏡2 3爲對稱之位置,然 而只有孔2 1,而無半鏡,也是可被接受的,這個情況 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,裝----- 1T--------- 471090 A7 B7 五、發明說明(9 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 下,半鏡在孔2 1之後,如此則光源和光接收器以半鏡爲 對稱。圖3説明這個情況,其中來自於孔3 i之光線會聚於 點3 4 ’然後由此反射,再次通過孔3 1。 一般而言,光學鏡片會有一色差,且焦點會依光波長而 有差異。因此,當使用一光源,例如波長範圍大的白光 源,則會使用一用以矯正色差的消色差鏡片。一用以量測 對準記號位置誤差的常用檢查裝置,當使用一同等的單色 光源時,使用一未經色差矯正的彩色物鏡,但當其使用白 光源時,會使用一消色差之物鏡。如果使用白光源配合彩 色物鏡,則會得到嚴重色差的影像。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 、現在讓我們探討一案例,其中在一共焦光學系統中使用 一嚴重色差的彩色物鏡。如圖3B所示,物鏡24將由擋光 板3 2上之孔3 1所輻射出之長波長(紅)光,通過實線所示 之路徑33,會聚至點34 ,而將短波長之(藍)光通過虛線 所示之路徑3 5,會聚至點3 6。如果試片表面放置於點 3 4 ’由試片所反射之長波長光線,在此被反射,並會聚 於孔3 1 ’大部分的光線通過孔3 1,但短波長之光線被投 射於擋光板3 2上,成唯一大光點,大多數的光線則被擋 光板3 2擒住’而不通過孔3 1。相似的情況,如果試片表 面被放置於點3 6,試片所反射出的,短波長光在此被反 射,並會聚於孔3 1,大部分的光通過孔3 1,但長波長的 光被投射备樓光板3 2上,成爲一大光點,而大多數的光 線被檔光板3 2所擋住,而不通過孔3 1。也就是説,通過 孔3 1之光線當中,來自點3 4上之物體影像之長波長的光 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ^α〇9〇 Α7 Β7 五、發明說明(1〇 線,與來自點36上物體影像之短波長的光,長波長的光 僅在點34上成像,另一在不同點(點36上之焦點)上形成 的影像則排除在外。類似地,短波長光僅在點3 6成像, 另一在不同點(焦點在點36)上之成像則排除在外。如以 f所π的,如果一共焦光學系統使用嚴重色差的彩色物鏡 =白光源,則可以依據波長成功地在每一焦點上得到影 曰,在波長和焦點間的關係,由彩色物鏡之色差所決定, 也畎疋’彩色物鏡之波長和焦點間之關係。 § V圖4説明在本發明第一個具體實施利中,半導體晶圓檢 查裝置之組態。不同高度的圖樣,形成於半導體晶圓1〇〇 上。半導體晶圓1〇〇黏著於平台101上,且被支撑著,同 時可向基座1 0 2移動。光源4 i爲一白光源,發射出大範圍 波長的光線。光源41所發射出的光線,由一視準鏡42變 成平行光到達分光器4 3後被反射,並發射到一有許多 孔的轉動圓盤上44上。到達圓盤44上的光線,由物鏡以 曰來到半導體晶圓1〇〇上。物鏡45有色差,與旋轉圓盤相 =的焦點依據波長而有不同。舉例來説,長波長的光線有 焦平面,位於與半導體製品的下平面相符的高度,短波 長的光則有一焦平面,位於與半導體製品上表面相符的高 度,因此,在通過小孔的光線當中,長波長的光如實線所 不,會聚於半導體晶圓的下表面,而短波長的光則如虛線 所不,會聚於半導體晶圓的上表面;在由半導體晶圓1〇〇 所反射的光線當中,由下部所,反射的長波長光,再度會聚 於旋轉圓盤上的小孔,並通過小孔,但由下部所反射的短 -13 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公爱 Α7 B? 五、發明說明( 波長光則被擋住,相似的情 #,、ϋ w ^ 乂丄 J /兄,由上邵所反射的短波長 =通過小孔,但由上部所反射的長波長光,則被擋住。 ^旋轉圓盤44會轉動,小孔則掃晦半導體晶圓100之 表面。 通過小孔之光線,通過分光 . 尤杂不帶色差地到達消色差 投射鏡片,並投射至愛白雷滿總& μ 王…曰私視攝影機47上,其具有波長 敏感度的特性。如圖3 Α盥3 Β硌-; 口 /、36所不,在投射至黑白電视攝 影機4 7的螢幕上的影俊φ σ问 . 叼&像中晶固1〇〇下表面的清晰影像, 藉由長波長的光形成,上表面的影像,藉由短波長的光形 成,中間表面的影像,則藉由中等波長的光而形成,寶白 電視攝影機47則料些影像轉換成影像錢,再輸出。 因此,這些影像信號可以在大範固的焦點,由晶圓ι〇〇的 下表面到上表面,產生清晰的影像。 v由黑白電視攝影機47輸出的影像信號,被送至影像處 理器4 8,並經歷許多過程,如量測對準記號的中心,同 時於顯π器4 9上呈現出來。影像處理器從影像信號中區 別出第一和第二對準記號,並計算其位置,也使用第一和 第一對準記號’經計算而得的位置,計算第一和第二層位 置間的誤差。 舉例來説’在第一個具體實施例中的共焦光學系統當 中’即使;^使用對單一波長而言,焦距深度〇 2 " m或更 小的鏡片,由於旋轉圓盤4 4上小孔直徑的特性,與物鏡 4 5的色差’焦點間的差別在可見光的範圍是2 a瓜或更 大。這代表,由寬度很窄(近似35 nm),近似單一波長光 -14 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 471090 五、發明說明(12 =形成(清晰影像,可以在焦距深度2 _或更大的範圍 得到。因此’高度差很大,如圖26與2(::所示的兩對準記 號顯示得相當清楚,也使得其中心的量測可以準確。 在第一個具體實施例中’使用黑白電视攝影機47爲影 像擴取裝置,但是可以使用彩色電視攝影機來代替,在這 個情況中一’使用的彩色電視攝影機最好是三片式的,如圖 —片式衫色電視攝影機藉由棱鏡將光學影像分離 成:二原色(RGB)所组成的影像,在棱鏡的表面上有一 色衫分離遽光鏡形成,藉由三個影像操取元件,將八 離的影像、,轉換成電子信號,儘管由於詳細的解釋是廣^ 二:抟所:在此省略’然而三片式彩色電視攝影機同樣能 測維持二個影像像素間的物理關係,並可使用做位置的量 j彩色^視攝影機所輸出的三原色影像信號,顯示於彩 員不态上。半導體晶圓表面的下部影像以;: :=:=::ΓΤ …二影 區別= 二 备,以預設顏色表示高度的差別,而不顯 =處理 影機所輸出的三原色影像信號是可能的。例如;如2攝 信號,使得每—相對於藍_ 果處理 ”、,高度的小差別被提高以促進其別以藍和紅 ::景:像處理器,處理由彩,色電視攝影機輸 π像信號,並自動計算對準記號中心之差別時 2色 丨η月皂使 -15- 本紙張尺度翻中百^鮮(CNS)A4_規格(21Q X 29?公爱· 471090 A7 五、發明說明(13 ) 用當使用黑白電視攝影機時的相似過程,處理每一彩色$ 像信號加總的信號。此外,由於影像的顏色相對於焦點 可能用影像的顏色決定其三度空間形狀,以下敘述=第^ 據體實施例顯示當以影像之顏色(波長),決定三度空間^ 狀之例。 < 圖6説明本發明之第二具體實施例中,半導體晶圓檢查 裝置t組態。當與圖4比較時,我們可寵知道,第二與第 一具體實施例的組態,主要差別在於投射鏡片4 6之後 影像擷取裝置。 v通過投射鏡片4 6的光線,被分光器5 i分離成兩光學影 像,每一影像有著不同的波長特性,分別通過濾光器5 ^ 和5 4,並投射在黑白電視攝影機5 3和5 5上,以產生影像 信號。由黑白電視攝影機53與55輸出的影像信號,被送 至影像處理器,在此處理後,顯示在顯示器57上,波長 特性由光源4 1之光譜特性、濾光器5 2與5 4之波長特性, 與黑白電視攝影機5 3與5 5之總光譜敏感性所決定;第二 具體實施例中,可選擇濾光器52與54的波長特性,使其 總光譜敏感性(總敏感性)具有如圖7A實線與虛線所示的 波長特性,也就是説,兩總敏感性在λ i與Λ 2交會,其 中之一當波長短於;I 1時敏感性高,且漸漸下降,使其當 波長爲λ 2持較低,如實線所示,另一則如虛線所示,當 波長爲;I 1時較低,並增加使其當其波長長於λ 2時較高, 這樣的總敏感性可被理解的,例如,選擇以下的光源 4 1、黑白電視攝影機,與濾光器5 2與5 4 ;光源4 1有著波 -16- 本紙張尺^適用中國國家標準(CNS)A4規$ (210 χ 297公爱) ------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 裝--------訂—-----· 471090 A7 ---------- — 五、發明說明(14 ) . ^^1 ----I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 長介於几丨與几]之間的強度,黑白電視攝影機53與55有 著波長介於11與Λ2之間的敏感性,濾光器的透磁率,在 波長短於A1與λ2時較低,並漸漸降低,使其當波長等於 几2時較低,而彩色濾光器54的透磁率,當波長等於 車父低’並漸漸增加。在波長大於λ 2時較高。 、當兩影像信號之總敏感性有著如圖7Α所示的特性時, ‘影像信號之光譜敏感性比例,在;ι 1與λ 2之間,如圖 7Β所示一起增加,舉例來説,假設半導體晶圓表面在相 對於圖7中由;ι Α表示的波長之焦點上。此表面光學影像 的主要波長由λΑ表示,而由黑白電視攝影機53與55輸出 的信號強度比例爲Β比C,儘管絕對値依據表面的反射係 數而不同,比例卻是固定的。因此,如果我們計算兩信號 強度比例,並找出滿足圖7Β中敏感性比例的波長,我們 可以算出該邵分光學影像的主要波長,與該表面(焦點)的 高度,因此,如果我們用兩信號的強度比例,計算該部分 的高度,則可得到該表面的三度空間形狀。 彩色電視攝影機三原色影像信號所偵測到的波長範園, 會互相重疊,且舉例來説,我們可能可以應用第二具體實 施例,至影像信號R與G,G與Β上,以計算出三度空間的 形狀’在這個情況中,對波長長於G (大約5 00 nm )的中心 波長的元件使用信號R與G,對波長短於G之中心波長之 元件,則使用信號G與B。 對準記號爲表示高度不同的記號,藉由得到三度空間的 形狀,可能可以更準確地量測中心的位置。比如説,同樣 -17- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 4710^0 A7 ______Β7______ 五、發明說明(15 ) 記號的邊緣並不總是相同的,其中之一能較陡峭,其他則 叫平緩,在平緩的情況中,記號的中心位置取決於邊緣的 哪一邵份被決定爲邊緣的衷心位置。如果得到三度空間的 形狀,就可能指定一高度,用已決定邊緣的中心位置,益 能更準確地量測記號的位置。 儘管本發明之具體實施例在上述解釋當中爲獨立的元 件,本發明仍可使用於有建置該元件,或附在曝光裝置 上,或是製造裝置的情況中。 如以上所解釋的,根據本發明,在許多焦點上可能同時 產生清晰的影像,而不改變沿著光軸的焦點,以快速且準 確地量測半導體晶圓的對準記號間的誤差。 (請先間讀背面之注意事頊再瑱寫本頁) »-裝--------訂---------. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18-

Claims (1)

  1. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 471090 韶 C8 --—-------- D8 六、申請專利範圍 、種半導體晶圓檢查裝置,其形成一半導體晶圓表面之 光學影像,於其上形成具有一第一對準記號之第一層與 具有一第二對準記號之第二層,該裝置包含一共焦光學 系統’其中焦點依據波長而不同,且有一半導體晶圓表 面I光學影像形成,該共焦光學系統之一光源具有大範 圍的波長。 2_ =申請專利範園第1項之半導體晶圓檢查裝置,其中一 :像擷取裝置,將形成於共焦光學系統之半導體晶圓之 光學影像,轉換成影像信號。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓檢查裝置,其中影 像擷取裝置爲一黑白電视攝影機。 4. 如申請專利範圍第2項之半導體晶圓檢查裝置,其中影 像擷取裝置爲一彩色電視攝影機。 、5.如申請專利範圍第2項之半導體晶圓檢查裝置,其中有 一影像處理器,用影像擷取裝置輸出的信號,計算第一 對準圮號與第二對準記號之位置,並基於此結果,進一 步計算第一層與第二層間位置的誤差。 6.如申請專利範圍第2項之半導體晶圓檢查裝置,其中有 一影像分離器,其將形成於共焦光學系統之光學影像, 分離成不同波長之兩分離影像,與影像擷取裝置,產生 分別相對於每一分離影像之兩影像信號。 ' 7.如申請專利範圍第6項之半導體晶圓檢查裝置,其中兩 分離影像之波長至少重疊彼此」部份,而兩影像信號間 t比例同時改變,且改變之特性在波長互相重疊的範圍 19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 297公釐) --------^--------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 471090 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 是相反的;該裝置包含一影像處理器,可根據相對於同 一部份之兩影像信號間之比例,計算相關部分之高度。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) • 裝----- 訂--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)
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