TW464768B

TW464768B - Microlithography reduction objective and projection exposure apparatus

Info

Publication number: TW464768B
Application number: TW089102316A
Authority: TW
Inventors: Udo Dinger
Original assignee: Zeiss Stiftung
Priority date: 1999-02-15
Filing date: 2000-02-11
Publication date: 2001-11-21
Also published as: EP1035445A3; JP2000235144A; DE59914179D1; EP1035445B1; EP1035445A2; US6353470B1; EP1772775A1; EP1772775B1

Description

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 47 6 8 五、發明說明（/ , 本發明包括二個部分，其一為具有申請專利範圍1之 4寺徵的微顯影物鏡’其二為具有申請專利範圍29之特徵的投影曝光設備，其三為具有申請專利範圍32之特徵的積體電路製造方法。微顯影系統已經開始採用波長低於193nm以進行操作’尤其是以波長為又=11/λ=13之EUV微顯影的技術產生低於13Onm結構，最好能低於1 〇〇nm。一個微顯影系統的解析度可以下式表示 RES = K】.（入 /να) 式中κ〗是微顯影製程有關之特別參數，人是入射光的波長，ΝΑ是微顯影系統在成像側的今值孔徑。用於EUV波長範圍的成像系統所使用的最主要光學組件是一具有多層塗佈的反射系統。λ =llnm時，M〇/Be 夕層塗佈疋最適當的系統；而；= 1 3rmi時，Mo/Si多層塗佈是最適當的系統。右數值孔控為0 2，則要以波長1 3 nm之入射光形成 50nm之微結構成像，所需的參數κ^Ο.77。若K,=0.66，則波長llnm之入射光可以形成35nm之微結構成像。由於多層塗佈反射鏡系統的反射率只有70%左右，因此對EUV微顯影用的投影物鏡而言，最重要的一點是如何使EUV投影物鏡能夠以最少的光學組件達到足夠的光強度。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） ------------ut"--------^訂 -------線丨 1 卜 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 464768 A7 B7 五、發明說明（£ ) 從具有很高的光強度和修正成像誤差的可能性的角戶來看’具有六面反射鏡、ΝΑ=0·20的微顯影系統是非常理想的選擇。

在專利編號 US-A-5 68672 8、ΕΡ 0779528、以及 US 5815310中均有提及這種具有六面反射鏡的微顯影系統。專利編號US-A-5686728之投影微顯影系統的投影物鏡具有六面反射鏡’這六面反射鏡的反射鏡面皆為非球面形’且均沿著一條共同的光學軸設置，以達成一無遮蔽的光程。由於專利編號US-A-5,686,728中的投影物鏡僅能用於波長在100至300nm之間的紫外線’該反射鏡的非球面性很高，約為±50μιη ’且其入射角很大，約為38度。即使孔徑縮小至ΝΑ=0·2時，從頂點到頂點的非球面性仍為25μιη ’而入射角則幾乎沒有變小。根據目前相關技藝所能達成的水準而言，該非球面性及入射角對於EUV波長範圍並不實際，因為該設計對反射鏡表面之品質及鏡面反射性的要求非常嚴格，因此該條件是無法被實現的。專利編號US 5,686,728中的投影物鏡的另一項缺點是晶圓與最靠近晶圓之反射鏡間距過短，故無法適用於；小於100nm的波長，尤其是波長為Unni及I3nm者，更是無法適用。在專利編號US-A-5,686,728中，由於晶圓與最靠近之反射鏡間距過短，所以反射鏡須非常的薄。g 於在波長llnm及I3nm時，多層塗佈反射系統之應力十分強，所以太薄的反射鏡非常不穩定。 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - ϋ |> n n t— If.-^OJ_ w— 9) ϋ I I I - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7

五、發明說明（彡） 46 47 6 8 專利編號EP-A-779,528中的投影物鏡具有六個反射鏡’可用於EUV微顯影’即使波長為Unm及Unm時亦可使用。ΕΡ-Α-779,52δ中的投影物鏡也有類似的缺點，亦即六個反射鏡中至少有二個反射鏡具有過高的非球面性’各為26μηι及Ι8.5μηι。而且其設置方式會使晶圓與最靠近之反射鏡間的光學自由工作距離過短，導致反射鏡不穩定或甚至出現負的自由工作間距。本發明的目的在於提出—種適用於低波長，最好為低於lOOnm波長，以進行微顯影，而且沒有上述缺點的投影物鏡裝置。本發明的第一種特徵是以下述方式達到該目的：將投影物鏡之六個反射鏡中最靠近晶圓的反射鏡予以適當的設置’使成像側的數值孔徑大於或等於〇丨5，且晶圓側的光學自由工作間距至少和最靠近晶圓的反射鏡的有效直徑一樣大’及/或晶圓側的光學自由工作間距至少與最靠近 b曰圓反射鏡的有效直徑三分之—長加上一段2Omm至 30mm長度相同，及/或晶圓側的光學自由工作間距至少有50mm，最好為60mm。在本發明的第二種特徵中，成像側的數值孔徑NA大於0.15 ’且晶圓上的環形場域寬度w位於下式範圍内：

1.0 mm ^ W 同時’所有反射鏡之非球面的頂點至頂點差值A的範圍本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> --------'訂 i 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 6 4 6 4 7 6 8 A7 ----------B7____ 五、發明說明（萆）限於下式，且該差值與反射鏡有效範圍内最適合球面相關： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A S 19μιη ‘ 102μιη(0.25 _ ΝΑ) - 0.7μπι/πιηι (2mm - W) 在較佳實施例中’非球面頂點_頂點差值Α的範圍限制於下式範圍内，則更為理想： Α = 12μιη - 64μιη(0.25 - ΝΑ) - 0.3μηι/ιηηι (2mm - W) 在本發明的第三個特徵，數值孔徑na^〇15，且晶圓侧的％形場域寬度W g 1 mm，在所有反射鏡上相對於所有射線之法線所形成的入射角A〇I限於下式： ΟΙ ^ 23° - 35° (0.25 - ΝΑ) - 0.2 0 /mm (2mm - W) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製最佳的，亦可以將前述的特徵加以組合，形成新的配置方式；例如由前述三種方式組合而成的新配置方式可以同時滿足前面提到的三個條件，也就是說，ΝΑ=〇·2時，光學自由工作間距大於5〇mm，同時非球面的頂點-頂點差值及入射角均於前面定義的範圍内。本專利所稱之非球面性是指非球面表面在有效範圍内最適當之球面之間的頂點，頂點差值A，或稱峰-谷（PV)差值0 7 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 464768 五、發明說明（^ ) 在本專利所舉的實施例中將以一個球面來趨近上述的條件，該球面的中心點位於反射鏡的圖形軸上，且此圖形轴在子午截面内自有效範圍的最上端和最下端切入非球面。入射角是指入射光與入射處的平面法線之間的夾角。而且疋取最大的角度做為入射角，也就是說，是以出現在任一反射鏡上的最大入射角度做為入射角。本專利所稱之有效直徑是指通常並非圓形之有效範圍的包線圓直徑。晶圓側的光學自由工作間距最好是6〇nim。前面提及的投影物鏡不只可以用在EUV波長範圍，也可以用在其他波長範圍。故本發明之應用範圍不僅限於 EUV波長範圍。將投影物鏡的反射鏡適當安排，使光程不受阻礙，可以避免成像品質變差，例如因中心遮蔽造成的成像品質變差。為了使系統的安裝和調整更為容易，在本發明的另— 個實施例中，反射鏡鏡面係對一根主轴（HA)呈旋轉對稱的關係。為了能夠提供自由光闌' 盡量縮小物鏡的體積，並使光程不受阻礙，最好是將投影物鏡裝置做成具有中間影像的系統。若能使中間影像在第四面反射鏡之後形成，則更為有利。這種構造可以使光闌位於前面低孔徑的物鏡部分，並使共軛的光瞳面成像於最後一面反射鏡的焦點平本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂ir — -線-1 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 46 47 6 8 五、發明說明（占）面。這種構造可以確保影像空間内遠心光程不受阻礙。在本發明的實施例中，將光闌以光學及物理的排列置於第二及第三面反射鏡之間。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 右第一及第二面反射鏡的間距與第一及第二面反射鏡的間距之比為 0.5 < S1S3/S1S2 < 2 則表示該光闌具有良好的設置性。為了防止從第三面反射鏡向第四面反射鏡行進的光束被設置於第二及第三面反射鏡之間的光闌遮蔽住，最好能夠使第二面反射鏡與光闌的間距和第三面反射鏡與光闌的間距之比為 0.5 <S2光闌/S3光闌<2 本發明的第一種實施例增長的構造亦可減輕投影物鏡前面部分的角度負荷。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製位置在第二及第一面反射鏡之間的光闌至少要有一部分是構成窄環的形狀，以避免從第一面反射鏡射向第二面反射鏡之削波。但這種構造方式存在一種危險性，那就是光線可能會直接’或是由第一及第二面反射鏡反射通過光闌的窄環之外的部分，到達晶圓上。將光闌的光學位置置於第二及第三面反射鏡之間，ji 使其物理位置靠近第一面反射鏡，只要採用這種簡單的光本紙張尺度適㈣_家標準（CNS)A4規格⑽X 297公复） 9 464768 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 五、發明說明（> ) 闌配置方式就可以有效的減少及消除上面提及的危險性。而光闌可以設置為第一面反射鏡内一孔口，也可以設置在第一面反射鏡之後。在本發明的另一實施例_，係將光闌設置在第二面反射鏡上或疋s更置在第二面反射鏡的附近。將光闌設置在反射鏡上的優點是施作容易。只要能夠符合 °·3 < S1S3/S1S2 < 2.0 及 °·7 < S2S3/S3S4 < 1.4 的條件，就可以確保光程不受阻礙，同時獲得一較小的入射角的優點。為了能夠對六面反射鏡系統的成像誤差進行必要的修正，在本發明的一種實方式中的六面反射鏡均採用非球面形反射鏡。但為了簡化製造過程，在本發明的另一實施例中採用最多五面反射鏡為非球面形。這樣就可以有一面反射鏡，最好是最大的那一面反射鏡，即第四面鏡，為球面形。第二至第六面反射鏡的排列方式最好是：凹-凸-凹_ 凸-凹。為了使解析度至少達到50nm的程度，最好使系統之 rms波前部分的設計部分最多不超過〇〇7又，最好是〇〇3 λ 。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線-1

464768 A/ I_____B7 ^__ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製發明說明（s) 在本發明的各種實施例中，最好都使物鏡在成像侧形成遠心光程。在以一個反射光罩運作的投影系統中，如果沒有經由一分光器以大幅減低其傳導，就不可能在物側形成一遠心光程’如專利編號JP_A_95 2831 16所提及的分光器。。因此應在遮蔽罩上選擇一個能夠確保曝光不受遮蔽的主射束角。若系統具有透射光覃，則可以使投影物鏡在物鏡側形成遠心光程。在這種實施例中，第一面反射鏡最好是凹透鏡。般來說’晶圓上的遠心誤差不應超過1〇 mrad，且最好能夠控制在5 mrad以下，若能夠控制在2 mrad以下則更好。這樣可以保證經由景深範圍的成像比例改變能夠保持在可容忍的範圍内。在本發明的實施例中，整個系統包括一面場鏡、一個由二面反射鏡構成的子系統、以及一個由二面反射鏡構成的子系統。除了根據本發明的投影物鏡裝置之外，還包括一套投影曝光設備’其具有至少一個投影物鏡裝置。在第一個實施例中，投影曝光設備含有一反射光罩，另一種實施例的投影曝光設備則是以一個透射光罩取代反射光罩。投影曝光設備最好具有一套可以照明一抽外環形場域的照明裝置’並使該系統設計為一環形場域掃瞄器。掃瞄細缝的割線長度至少要有26mm，且環形場域寬度大於本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

8 4 6 4 7 6 8 Λ7 ------------B7__ 五、發明說明（Ϋ ) 〇_5mm，方能獲得均勻的照明。玆+例並配合以下的圖形對本發明的裝置做進一步的說明。圖1 :本發明的第一種實施例，中間影像及可到達的光闌位於第二及第三面反射鏡之間，數值孔徑為0.2。圖2.種適用於波長大於100nm之光線的六面反射鏡系統’如專利編號US-A-5686728提出的系統。圖3，本發明的第二種實施例，光闌位於第二及第三面反射鏡之間的第一面反射鏡上。圖4 .本發明的第三種實施例，光闌位於第二面反射鏡上’工作間距為59mm。圖5 ·本發明的第四種實施例，具有中間影像，數值孔佐NA為〇_28，成像側光學自由工作間距的長度至少與最靠近晶圓的反射鏡的有效直徑的三分之一外加一段長度為20至30mm —樣大。圖6 .本發明的第五種實施例’具有中間影像，數值孔徑 NA 為〇.3〇。圖7A-7B :在不同的照明光場域下，有效直徑的定義。圖1、3、4所示為本發明之六面反射鏡投影物鏡的配置方式’其光學自由工作間距至少與最靠近晶圓之反射鏡的有效直徑一樣大。圖2所示為一種適用於波長大於1 〇〇nrn之已知系统，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公f ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Ά---- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製訂·1'-------線-1- -----^--------------·------ 4 ; 46 47 6 8

五、發明說明（/〇 ) 如專利編號US-A-5686728所提出的系統。在每張圖中均以相同的標號來表示各實施例中相同的構造元件。另以下列括弧内的縮寫來表示各反射鏡： - 第一面反射鏡（S1)，第二面反射鏡（S2) - 第三面反射鏡（S3)，第四面反射鏡（S4) - 第五面反射鏡（S5)，第六面反射鏡（S6) 圖1所示之六面反射鏡投影物鏡的光程是由遮蔽罩表面（2)至晶圓表面（4)。這個系統可視為由下面三個部分組合而成： -一面成像比例召>0的場鏡（S1)’可以產生一個姐激的虛像， -一個由S2、S3及S4構成的三面反射鏡子系統，可以將S1產生的物體的虛像轉換成縮小的實像，中間影像Z ; -一個由S5及S6構成的二面反射鏡子系統，可以將中間影像Z以合乎遠心要求的條件下成像於晶圓表面（4)。因為各子糸統的像差可以彼此抵消掉，所以整個系統能夠提供足夠好的成像品質。實體光闌B設置於第二面反射鏡（S2)和第三面反射鏡 (S3)之間。從圖1可以清楚的看出’光闌位於第二面反射鏡（S2)和第三面反射鏡（S3)之間’光程可以到達的位置。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規柊（210 X 297公釐） ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

-·、-· — ― I I I I I l·--II--I ^ - 1 I — — — — — 一 — I - 1 I Γ I I ] 1 I 13 〇 3 A7 B7 五、發明說明（//) (請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 在圖1的實施例中’位於最靠近晶圓的反射鏡（S5)及晶圓表面（4)之間的光學工作間距大於反射鏡（S5)的有效直徑，也就是說，合乎以下的條件：反射鏡（S5)及晶圓表面（4)之間的光學工作間距 >反射鏡（S5)的有效直徑。 §然也可以使用不同的間距條件。例如：光學工作間距大於隶靠近晶圓的反射鏡（S5)的有效直徑的三分之一加上20mm的和，或是大於50mm。圖1之實施例的光學自由工作間距為60ηΐηι。這樣的光學工作間距可以確保機械工作間距會大於 0 ’且適用於波長小於1 OOnm，最好是11/I3nm。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製光學組件包括用於波長人=13nm及；I =1 lnm之Mo/Si 及/或Mo/Be多層系統，其中適用於波長；l =13nm的典型多層系統有4〇層Mo/Si層，適用於波長λ=11ηιη的M〇/Be 多層系統約有70層。系統能夠達到的反光程度約為。多層系統各層的張力可能達到350Mpa或更高，可能造成表面變形’尤其是邊緣部分更可能出現變形。依據下式： RES = Kj · λ /ΝΑ 當最小數值孔徑ΝΑ = 0.2時，本發明之系統，如圖j中本紙張尺度適用令國國家^準（CNS)A4規格（21〇X297公釐） A7 B7 464768 五、發明說明（Λ2 ) 的實施例之名目解析度至少為50nm，= 0.77，入二 13nm ’或名目解析度為35nm ’ i = 0.77，λ = 13nm。气中的K!是微顯影程序的特別參數。在圖1所示的物鏡中，光程不會受到阻礙。若要形成 26 x 34mm2或26 x 52mm2的圖形為例，最好將本發明的投影物鏡應用於環形場域掃瞄投影曝光設備令，此時掃瞄細縫的割線長度至少要有26mm。在投影曝光設備中使用不同的光罩，如反射光罩、型板光罩或透射光罩，可使成像側遠心系統在物側形成遠心卷程或非遠心光程。使用反射光罩在物側形成遠心光程時，必須搭配使用一個使傳導減弱之分光器。在非遠心光程時，光罩的表面不平整會造成成像的維度比例誤差。在遮蔽罩上的主射束角最好能夠控制在10度以下，以便用現有的技術即可使遮蔽罩的表面達到平整性的要求。在圖1的實施例中，數值孔徑為0.2時，在晶圓上的成像側遠心誤差為丨mra(J。由於成像側的遠心誤差很大，因此最後一面反射鏡（S6) 的入射光瞳位於其焦點内或靠近其焦點平面。因此，這種具有一個中間影像的實施例中，光闌設置在前方低數值孔徑物鏡中’即主要位於第一面反射鏡(S1)和第三面反射鏡 (S3)之間门時與光闌共耗的光瞳面會成像在最後一面反射鏡的焦點平面。此實施例中的所有反射鏡S1至S6均為非球面形，這些反射鏡在有效範圍内的最大非球面性為7·3μπι。從製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

‘ -TJ -- I I I n I I I I J 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ‘紙張尺度適用中國國家標準（UMS)A4規格（if 297公釐） 15 4 6^768 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 B7 五、發¥說明（/3 ) 造的觀點來看，這麼低的非球面性具有很大的優點，這是因為多層反射鏡的表面加工困難度，會隨著非球面偏差和非球面梯度的升高而大幅度的升高。在圖1的實施例中，最大入射角18·4度出現在第五面反射鏡（S5)上。入射角的最大變化範圍約14.7度，也疋出現在第5面反射鏡（S5)上。當又=13nm時，圖1之實施例之波前誤差小於0.032人，點狀圖像的重心位移小於 3nm ’靜態比例修正失真程度為4nm。在圖1的實施例中，光闌可以自由的提供於第二及第二面反射鏡之間。自第三面反射鏡，經由光闌射向第四面反射鏡之光損失可以藉由將反射鏡上的入射角限制在可接受的範圍並能夠滿足以下二個條件：〇-5 < S1S3/S1S2 < 2 ；以及〇·5 < S2光闌/S3光闌< 2 上面一個條件式中的細寫S1 S3表示第一面反射鏡（§ 1)頂點及第三面反射鏡（S3)頂點之間的機械間距。並且，“S2 光闌”表示第二面反射鏡（S2)頂點及光闌間的機械間距。同時，為了減小在圖1'圖3及4反射鏡上的入射角，遮蔽罩與第一面反射鏡（S1)之間的距離小於第二面反射鏡.. (S2)與第三面反射鏡（S3)之間的距離，即： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂_丨·^-------線 16 A7 ^6^768 五、發明說明（/令）遮蔽罩SI < S2S3 最佳的是，將遮蔽罩遠離的設置在沿著光線入射方向上的首面反射鏡之前，在此例中為第二面反射鏡S2前。在此例中遮蔽罩與首面反射鏡（S2)之間的距離為 80mm，但這並不是唯一可行的距離，也可以使用其他大小的距離。此外，在圖1及圖3至5的實施例中，第三面反射鏡 (S3)與第六面反射鏡（S6)之間的距離必須大到讓反射鏡能夠有足夠的厚度’以便反射鏡具有足夠的強度，來承受多層反射鏡系統中出現的應力。若能符合下式代表的條件則更為有利： 0_3.(83的有效直徑+86的有效直徑）<3386 表1為圖1所示系統之各項元件的參數（依據code v_ Nomenklatur)。表1之物鏡系統為一環形場域面積為26χ 2mm2及數值孔徑為0.2的5倍縮小物鏡系統。系統之成像側平均半徑約為26mm。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 47 6 8 B7_ 五、發明說明（/t) 表一元件編號半徑厚度直徑種類物體 INF 80.9127 258,1723 413.0257 S1 A(l) -88.8251 197.5712 REFL(反射鏡） 195.6194 -324.2006 188.6170 0.0000 S2 A(2) 324.2006 188,7078 REFL(反射銳）光闡孔徑 67,1796 423.6214 183,2180 0.0000 S3 A(3) -423.6214 184.7062 REFL(反射銳） 519.0546 -74,9270 S4 A(4) 498,5484 541.0453 REFL(反射銳） 248,6244 109.8242 177,5488 281.5288 S5 A(5) -281.5288 65.0842 REFL(反射鏡） S6 A(6) 281.5288 187.9549 REFL<反射銳} 78.3999 成像成像寬 59.9202 53.9889 18 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

· f r 一0,’ P ^^1 ^^1 n n a^i I ^^u^1 ^1 ^1· ^1 .^1 .^1 n n n -1 ^1 ^1 1^ ^1 .^1 I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 464768 A7 Β7 五、發明說明) 非球面形常數： Z=(CURV)Y2 / I + il-tl + KJtCURV)1 Yz),/Z + (A)Y4+(B)Y6 + (C)Y*+(D)Y' 非球面曲度 K A Β C D A(l> O.OOQ31SOO -27.686599 O.OOOOOE+OO 1.32694E-IS 2.00546Ε-20 -8.49471Ε-25 A(2) 0-00094928 -3.998204 ο.〇ΰΰϋ〇Ε+ο〇 4.03849Ε-15 -6.15047Ε-20 2.73303Ε-25 A(3) 0.00126752 0.424198 0.00000£+〇〇 1.58766Ε-15 -8.2796SE-20 2.A032SE-24 A(4J 0.00123850 0.023155 Ο.ΟΟΟΰΰΕ+00 2.46048Ε-17 -1.08266Ε-22 3.75259Ε-28 A{5) 0.00329892 2.902916 Ο,ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ 1.5S628E-12 -6.71619Ε-Ι7 -5.30379Ε-21 A(6) 0.00277563 參考波長=13nm 0.072942 O.OOOOOE+OO 2,96285Ε-16 3.99 125 Ε-21 4.55007Ε-26 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "乂-丨·-------訂 _ 經濟部智慧財產局員H消費合作社印製圖2所示為專利編號US-A-5686728提出的一種以波長；I低於lOOnm之光線進行微顯影的投影物鏡系統。圖2 與圖1中相同的構造元件均以相同的標號來表示。從圖2t可以清楚的看出，最靠近晶圓的反射鏡（85) 與晶圓之間的距離遠小於反射鏡的直徑，約為2〇mm。由於極大應力施於鏡面塗佈之故，這將導致鏡面在Euv波長範圍之強度及穩定度等問題。除此之外，這種系統尚有非球面性非常高（土5叫叫，及入射角38度過大的缺點。從製造及塗佈技術的角度來看，這麼高的非球面性和入射角在Euv波長範圍的應用本紙張尺度適用尹國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公髮） 19 ^64768

五、發明說明（/$) 疋無法實現的。圖3所示為本發明之六面反射鏡系統的另外一種實施例，其光闌位於第一面反射鏡上。圖3與圖i中相同的構 k元件均以相同的標號來表示。與圖1的實施例一樣，在圖3的實施例中，晶圓上的光學自由工作間距大約為6〇mm，大於最靠近晶圓的反射鏡（S5)的直徑。和圖丨的實施例一樣，在圖3的實施例中，第二面反射鏡（S2)和第三面反射鏡（S3)之間的距離也遠大於專利編號US-A-5686728中第二面反射鏡（S2)和第三面反射鏡（S3)之間的距離，因此可以避免出現過大的入射角。和圖1的實施例不同處為，在圖3的實施例中，光闌 B位於第一面反射鏡，即主反射鏡上。將光闌設置於這個位置可以十分有效的遮蔽第二面反射鏡（S2)反射的光線，若是將光闌B設置於第一面反射鏡（S1)及第二面反射鏡 (S2)之間’則第二面反射鏡（S2)反射的光線可能會從狭窄的環形光闌上方通過。在圖3所示的實施例中，可以將光闌做成位於第一面反射鏡（S1)内的一個孔口，或是置於第一面反射鏡（S1)之後。圖3之實施例的另一個優點是第四面反射鏡（S4)為一球面形反射鏡’且又是整個系統中最大的一面反射鏡，此點對於降低製造上的困難度而言特別有利。由於如此之設計，在有效範圍内的非球面性增為 10·5μπι’略高於圖1之實施例在有效範圍内的非球面性。 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - (乂-----！1.訂·1 Γ I -----線-Ά. ----.!:--I ---.

五 '發明說明（/S ) 々圖1之實施例一樣，在圖3之實施例中，最大入射角，約為18.6度，也是出現在第五面反射鏡（S5)上。當λ=13ηηι 時’圖3之實施例在寬i.7mm之環形場域内的波前誤差為〇.〇32λ。而且若將第四面反射鏡（84)設計為具輕微的非球面性0.4μιη，則當；I =13nm時，在寬1.8mm之環形場域内的波前誤差可以控制在〇.03〖又。將光闌直接設置於第一面反射鏡（S1)之上並非有效減弱非必要的光線的唯 —辨法’將光闌設置於第一面反射鏡（S1)之後也可以達到同樣的目的。置於第一面反射鏡（Si)之後的光闌與第二面反射鏡（S2)之間的距離若能符合以下的條件，則在製作的便利性上將會特別有利： S2S1 $ 0.9 X S2 光闌表2為圖3之5X物鏡系統的構造規格（依據code V-Nomenklatur)，其中第四面反射鏡（S4)為一球面形反射鏡。面積為26 X 1.7mm2之像場的平均半徑仍然是26mm。 f靖先閲讀背面之注意事項再填寫本頁> 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製適度尺張紙本 10 2 /V 格規議TC 準標家國國 |釐 1公 97

a ' ί -JH— n n —1 1 -I ^ ^ 1 _1 n I ϋ n n n n I— ! I 46 47 6 8 Λ7 B7 五、發明說明（/?) 表經濟部智慧財產局員工消費合作社印製元件編號半徑厚度直徑種類物艟 INF 85.2401 256,1389 358.4668 S1 A(l) 0.0024 203.8941 REFL(反射鏡） 203.8845 *358.4691 201.9677 0,0000 S2 Α(2) 358.4691 201.9942 REFL(反射鏡）光闌孔徑 60.7572 390.5456 187.2498 0.0000 S3 Α(3) -390.5456 188.9474 REFL(反射鏡） 505.8686 -104.1273 S4 Α(4) 494.6729 550.3686 REFL(反射鏡） 256.9217 1 14.3062 181.7337 281.6969 S5 Α(5) -281.6969 64.4286 REFL(反射鏡） S6 Α(6) 281,6969 187.8549 REFL(反射鏡） 78.1545 成像成像寬 60.0041 53.6996 97 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -i-----I-訂，.11-- !線·1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 B7

6 B 五、發明說明（。2ί>) ~~~— --------------1 - 非球面形常數： Z=(CURV)Yi / 1 + (1-(1 + K)(CURV)2 Y2)Wi + (A)Y4+(B)Y6+(C)Y®+(D)Y10 非球面曲度 κ A Β C D A⑴ 0.00035280 -58.238840 〇,0«000£+00 2.14093Ε-15 2.29498Ε-20 Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ A<2) 0.00097971 -4.160335 O.OOOOOE+OO 1.54696Ε-15 8.15622Ε-21 0.00000£+00 O.OOU7863 -2.136423 O.OOOOOE + OO -1.78563Ε-16 3.45455Ε-20 Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ A(4) 0.00124362 〇.〇〇〇〇〇〇 ο,οοοοΰΕ+ΰο Ο-ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ A(S) 6.00338832 2.90?9«7 ΰ.ΰΰ〇ο〇Ε + οο 7.90Ι23Ε-13 7.04899Ε-Ι7 ΰ.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ A(6} 0.00278660 0.062534 Ο,ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ 2,79526Ε-Ι6 7.00741Ε-21 Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ 參考波長=13nm 一__ 圖4所示為本發明的另一種實施例，圖4與其他圖中相同的構造元件均以相同的標號來表示。在圖4的實施例中，光闌B之光學位置及物理位置均位於第二面反射鏡（S2)上。將光闌直接安置在反射鏡上的優點是施作容易。當又=1 3nm時，在圖4的4倍縮小物鏡系統中，在寬度2mm之環形場域内的波前誤差可以控制在0.021入。在有效範圍内的最大非球面性為11.2μιη，最大入射角18.3 度出現在第五面反射鏡（S5)上。平均像場半徑仍然是 26mm ° 23 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210^ 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 * · -^ - ^1 ^1 ϋ ϋ an -^-BJ 1 ϋ I 1 I ^ 1 I 1 n I n n n » A7a6JJ 6 8___«I 玉、發明說明) 依據本發明的設計*晶圓及最靠近晶圓的第五面反射鏡（S5)之間的光學自由工作間距’在圖4之實施例中為 59mm，應大於最靠近晶圓的弟五面反射鏡（S5)的直徑。表3為圖4之實施例的光學參數（依據Code V-Nomenklatur)。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2】0 X 297公釐） (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 24

^ i n I I 一51 I n n I ^ I B··· I 鷗 MB I 46 47 6 8 A7 B7 五、發明說明（及表二經濟部智慧財產局員工消費合作社印製元件編號半徑厚度直徑種類物體 INF 84,0595 205.6642 473.5521 SI A⑴ -145.8261 147.3830 REFL(反射饞） 136.4700 -327.7260 先M孔徑 112.0176 0.0000 S2 A(2> 473-5521 112.1228 REFL(反射鏡） 163.5236 190.4830 184.4783 0.0000 S3 A(3) ^190.4830 185.3828 REFL(反射鏡） 358.6720 -399.1713 S4 A(4) 589.6560 654.5228 REFL(反射銳） 310.1977 207.5220 175.3006 276.2668 S5 A(5) -276.2668 65.2138 REFL(反射銳） S6 A(6) 276.266S 182.8159 REFL(反射鏡} 77.5085 成像成像寬 59.0000 53.9968 Ί --------1111-4^-111----* 訂·1.----— 丨丨 i<請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 25 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 464768 __B7 五、發明說明（23 ) 非球面形常數： Z=(CURV)Y2 / 1+(1-(1+K)(CURV)2 Y2)l/I + (A)Y4+(B)Y6+(C)Y* + (D)Yie 非球曲度 K A B c D 面 A〇) 0.00015851 441.008070 — - — -O.OOOOOE + OO -3.499HE-16 1.2747SE-19 -3.3702 I E-25 A(2) 0.00089932 -5.032907 O.0000OE + 00 -6.95852E-15 -7.53236E-20 -2.74751E-24 A(3) 0.«0188578 0.913039 O.OOOOOE+OO -K60100E-15 -9-53S50E-20 1.30729E-26 A(4> 0.00108147 0.038602 0.«0000£+00 2.48925E-18 -S.29046E-24 -4,37ll7E-3l A(S) 0.00269068 7*253316 O.OOOOOE+00 5.7ΰ008Ε^ 1 3 -9.32236E-1 7 -6.09046E-2 1 A(6) 0.00281036 0.150957 O.OOOOOE+00 1.30822E-15 1.86627E-20 5.0S15S£-2S 參考波長=13nm (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製圖5所示的反射鏡系統係由一面場鏡（s丨）、由第二至四面反射鏡（S2-S4)構成的第一個子系統、以及由第五及第六面反射鏡（S5 ’ S6)構成的第二個子系統等三個部分所構成。成像比例石>0的場鏡（S1 )，可以產生物體（2)的虛像；由S2、S3、及S4構成的第一個子系統，成像比例冷 <0，可以將S1產生的物體的虛像轉換成縮小的實像，即中間像Z ;由S5及S6構成的第二個子系統，可以將中間像Z貫像成像於晶圓表面（4)。此系統的數值孔徑 ΝΑ=0·28。最後一面反射鏡（S5)和晶圓表面之間的光學自由工作間距至少和最靠近晶圓的反射鏡的有效直徑的三分 __________26 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 464768 _Bl 五、發明說明之一加上一段長度20至30mm —樣大。光闌B則位於第二面反射鏡（S2)上。表4為圖5之實施例的光學參數（依據Code V-Nomenklatur) ° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂-------線！經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 464768 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 B7 五、發明說明U夕表四 J …一-— 元件編號半徑厚度直徑種類物逋 INF 151.2625 194.7605 229.0820 S1 A⑴ -39.4068 162.9S62 REFL(反射銳） 147,1426 -189.6752 先Μ 65.0637 0,0000 S2 A(2) 229.0820 65.1650 REFL(反射鐃） 168.3504 137.5708 230.5128 0.0000 S3 A(3) -137.5708 234.0072 REFL(反射镜） 386.2567 -300.3445 S4 A(4) 437.9153 630.7784 REFL(反射銳〉 343.1578 133,0981 257.0225 353.0840 S5 A(5) -353.0840 79.9521 REFL(反射銳） S6 A(6) 353.0840 264.2853 REFL(反射銳） 78.6376 成像成像寬 44.0000 54.0051 28 --— —— — — — — — —--^^訂·1-—-----1.^ I ^(請先閱讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 46 47 6 8 A? __B7 五、發明說明（女έ) 非球面形常數： Z=(CURV)Y2 / l+O-Cl+KKCURV)2 Y2)1/2 + (A^ + tBJY^ + tC^ + ^Y1。 + (E)Yli + (F)Y14 + (G)YI6+(H)Y,* + (J)Y20 非球面曲度 κ Ε A ¥ Β G C Η D J A⑴ -0.00080028 〇.〇〇〇〇〇〇 -3.35378Ε-09 5.36S41E-14 -7.86902E-L9 -5.07886Ε-24 Ο.ΟΟΟΟΰΕ+Οσ Ο,ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ Ο,ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ Ο,ΟΟΟΟΰΕ+ΟΟ A⑴ 0.0004002 O.OOOftOO 1.6β187Ε-0β 2.G5570E-12 2.427ΙΟΕ-16 5.697Ϊ4Ε-20 Ο,ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ 0,000Ε + 00 o.oooooE+oo 0,〇〇β〇ΟΕ+〇〇 Ο.ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ A(3) 0.00113964 -2.760663 Ο.ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ -3.55779E-1S 1.03881 Ε-19 -3.64996£-24 Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ ϋ,ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ A(4) 0.0012S753 0.019273 Ο.ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ 5.82746E-U -Ι.77496Ε-22 1.64954Ε-27 -6.20361Ε-33 Ο.ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ ΰ.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ A(5) 0.00373007 11.68SS968 ΰ.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ -5.53902Ε-12 -4.32712Ε-16 -1.S4425E-19 Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ 0.00000Ε+00 0-OOOOOE-f 00 0.0〇000£ + «0 A(6) 0,00240387 -0.002567 Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ -6.78955Ε^1 6 -8.39621Ε-21 -2.95854.25 0.0Ρ ㈣ ΟΕ + ΰΟ 〇,〇〇Ο0ΟΕ^〇〇 Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ + ΟΟ Ο.ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ 參考波長=13ηηι 圖6所示為具有場鏡（SI)、第一及第二子系統、以及中間影像（Z)的六面反射鏡物鏡系統的第二種實施例。此系統的數值孔徑ΝΑ=0.30。和圖2所示的實施例一樣，此系統的光闌B亦位於第二面反射鏡（S2)上。表5為圖6之實施例的光學參數（依據Code V-Nomenklatur) 〇本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） t^i· ϋ· In J t n n n ^ t— I I n I ^ n 1^1 It I I _1 (請先閱讀背面之注咅？事項再填寫本頁) 29 46 47 6 8 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 A7 B7_ 五、發明說明（2?) 表五元件編號半徑厚度直徑種類物體 INF 103-2808 197.3874 219.3042 S1 A(l) -39.2890 157.6222 REFL(反射鏡） 142.1492 -180.0152 光閣 67.2659 0.0000 S2 A(2) 219,3042 67,4347 REFL(反射鏡） 167.6895 1312051 228.0182 0.0000 S3 A(3) -131.2051 232,3162 REFL(反射鏡） 401.4441 -247.5850 S4 A(4) 378.7901 613.5493 REFL(反射鏡） 355,7774 134.4001 268.3735 348.5086 S5 A(5) -34S.5086 81.5255 REFL(反射銳） S6 A(6) 348-5086 269.2435 REFL(反射銳） 75.4983 成像成像寬 36.1195 53.9942 30 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 46Λ76Β A7 ___Β7五、發明說明Ρ穸）非球面形常數：Z = (CURV)Y2 / l+iJ-il+KXCURV)* Υ2)!/ϊ + {A)Y4 + (B)Y6 + (C)Y8 + (D)Y1Q+(E)Y12+(F)Y14+(G)Yli + (H)Y,*+(J)Yi0 非球面曲度 κ £ A F B G C H D J A(l> -0.0006J615 0,000000 -5.19402E-09 1.09614E-13 -3.44621£-18 l,58S73E-22 - 7.07209Ε-27 0.00000£+00 0.000㈣ £ + 00 Ο,ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ O.OOOOOE+OO Α(2) 0.0006691 1 〇.〇〇〇〇〇〇 U69112E.0S 2.3990SE-12 2.89763E-16 1.00572E-19 1.84514Ε-29 Ο,ΟΟΟΟΟΕ + ύΟ O.OOOOOE+OO O.OOOOOE+OO Ο,ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ Α(3) 0.00 140031 〇.〇〇〇〇〇〇 -&.71Ϊ71Ε-10 - 1,47622E-15 -3.40869E-20 4.32196E-24 - 2.23484E-2S ο.οοαοοΕ+οο O.OOOOftE+OO O.OOOOOE+OD O.OOOOOE+OO Α(4) 0.00143731 〇.〇〇〇〇〇〇 2.18U5£-12 2.6540SE-17 -2.017S7E-22 I.14856E-2S 1.49357Ε-32 -».61043Ε-38 0.00000 E + 〇〇 O.OOOOOE+OO O.OOOOOE + OO A(S) 0.00378996 〇.〇〇〇〇〇〇 S.S4406E-08 2.25929E-I2 3.36372E-16 1.92S656E-20 5.75469-24 O.OOOOOE + OO O.OOOOOE+OO O.OOOOOE+OO O.OOOOOE+OO Α(6) 0.00246680 〇.〇〇〇〇〇〇 -3.61 754E-12 -8.29704E-16 - 1.53440E-20 -2.24433E-Z5 5.91279E-JO O.OOOOOE十00 Ο,ΟΟΟΟΟΕ+ΟΟ 0.00000E+00 ϋ.00000Ε + 00 參考波長=13nm (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製從圖7A及7B可以清楚的看出前面多次提及的有效直徑D的定義。例如’圖7A中一反射鏡上的曝光場域（1〇〇)為一正方形場域。因此其有效直徑D就是將正方形曝光場域（1〇〇) 包住之包線圓（102)的直徑。正方形曝光場域（1 〇〇)的邊角 (104)應剛好位於包線圓（102)上。圖7B是另一個例子。曝光場域（1 〇〇)的形狀如一腎 31 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐)

4 6 4 7 6 B A7 -----B7___----- 五、發明說明（df ) 形，將本發明之物鏡用於微顯影投影曝光設備中，所需要的有效範圍就是這種腎形的曝光場域。包線圓（102)將腎形曝光場域（100)全部包圍，且其圓周上有二個點（106, 108) 觸及腎形曝光場域（1〇〇)之邊緣。本發明是第一個提出最適合用於EUV環形場域，且故佳成像縮小此例為4倍、5倍、以及6倍之六面反射鏡才又影物鏡的專利發明。本發明之系統在所要求的像場上能夠達到足夠的解析度，且因為非球面性相當不明顯、入射角夠小、而且有足夠的空間容置反射鏡支架，故同時具有構造簡單，功能足夠的優點。經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製適度尺張紙本釐公 97 :2 X 10 2 yc\ 格規 A4I(c 準懔家國國 ----------------------itr---------線— 1 --------^------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

Claims

464768 σι 灰* L 充 UM A8B8C8D8 六、申請專利範圍民國9〇年1月修正本 1· 一種用於低波長，尤其是低於iOOnm波長的微顯影投影物鏡裝置’具有第一面反射鏡（S1)、第二面反射鏡 (S2)、第三面反射鏡（S3)、第四面反射鏡（S4)、苐五面反射鏡（S5)、以及第六面反射鏡（S6)，其特徵為：成像側的數值孔徑NA20.15，且最靠近受曝光之物體的反射鏡’最好是最靠近晶圓的反射鏡的配置方式能夠滿足以下的要求： - 成像側的光學自由工作間距至少和最靠近晶園的反射鏡的有效直徑D —樣大丄_及/或 -成像側的光學自由工作間距至少和最靠近晶圓的反射鏡的有效直徑D的三分之一加上一段20至3Qmm 的長度一樣大_[_及/或 -成像側的光學自由工作間距至少有5〇min_，最好是 60mm。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2. —種用於短波長，尤其是低於100ηπι之波長的微顯影投影物鏡裝置，具有第一面反射鏡（S1) '第二面反射鏡（S2) '第三面反射鏡（S3)、第四面反射鏡 (S4) '第五面反射鏡（S5)、以及具有一環形場域之第六面反射鏡（S6)，其特徵為：成像側的數值孔徑 ΝΑ2 0.15 ;晶圓上的環形場域寬度wgl.〇mm ;與有效範圍内最適合的球面相比，所有反射鏡上的非球面的頂點-頂點差值（A)的範圍受限於下式： 33 本紙張又度適用中囷國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公髮） A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印t 46476B 六、申請專利範圍 A茎 19μιη - 102μηι(0.25 - ΝΑ) _ 0·7μιη/ππη (2mm _ W)。 3. —種用於短波長’尤其是低於1〇〇nfil波長的微顯影投影物鏡裝置’具有第一面反射鏡（S1)、第二面反射鏡 (S2)'第三面反射鏡（S3)、第四面反射鏡（S4)、苐五面反射鏡（S5)、以及具有一環形場域之第六面反射鏡 (S6) ’其特徵為：成像側的數值孔徑να20.15 ;成像側的環形場域寬度W会1 ·〇mm，在所有反射鏡上相對於所有射線與法線的入射角（AOI)受下式之限制： AOI ^ 23° - 35° (0.25 - NA) - 0.2 ° /mm (2mm - W) 4，一種微顯影投影物鏡裝置，由場鏡（S1)、由第二至四面反射鏡（S2-S4)構成的第一個子系統、以及由第五及第六面反射鏡（S5，S6)構成的第二個子系統等三個部分構成其特徵為：成像比例y3>〇的場鏡（S1)，可以產生物體（2)的虛像；由第二、三、四面反射鏡（S2，S3， S4)構成的第一個子系統（成像比例彡<〇)，可以將S1 產生的物體的虛像轉換成縮小的中間實像Z;由第五' 六面反射鏡（S5，S6)構成的第二個子系統，可以將中間像（Z)實像成像於晶圓表面（4)。 5.如申請專利範圍第2或第3瑁所述之微顯影投影物鏡裝置，其特徵為：最靠近被曝光之物體的反射鏡，最本紙張疋度適用中固國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公楚） "0 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

A8B8SD8 46 47 6 8 六、申請專利範圍好是最靠近晶圓的反射鏡的配置方式能夠滿足以下的要求： (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —成像側的光學自由工作間距至少和最靠近晶圓的反射鏡的有效直徑D —樣大丄及/或一成像側的光學自由工作間距至少和最靠近晶圓的反射鏡的有效直徑D的三分之一加上一段20至30ffiJIL 的長度一樣大丄_及/或 -成像側的光學自由工作間距至少有5〇nmL，最好是 60mm。 6. 如中請專利範圍J 3或4項所述之微顯影投影物鏡奘置’其特徵為：成像側的數值孔徑NA20.15 ;晶圓上的環形場域寬度Wg 1.0mm;與有效範圍内最適合的球面相關之所有反射鏡上的非球面的頂點-頂點差值（A) 的範圍受限於下式： 19μηι - 102μιη(0·25 - ΝΑ) - 0.7μιη/ιηιη (2mm - W)。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7. 如申請專利範圍第4項所述之微顯影投影物鏡裝罟，其特徵為：反射鏡的位置及裝置方式能夠使光線行進方向無任何阻礙。 8. 如申請專利範圍第4項所述之微顯影投影物鏡裝詈，其特徵為：反射鏡係於與一主軸（HA)呈旋轉對稱關本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐〉 35 464768 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 22·如申请專利範圍第1至4 17、20 二·^12、14 黾 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所述之微顯影投影物鏡裝置，其特徵為：其中物鏡在成像側為遠心。如申:月專利範圍^所述之微顯影投影物鏡裝置，其特徵為：其中物鏡在物體側為遠心。 24. 如申請專利範圍^^所述之微顯影投影物鏡裝置，其特徵為：照射在物體上的主要光束係沿著光學軸行進。 25. 如申請專利範圍所述之微顯影投影物鏡裝置，其特徵為：其中焦距最短的反射鏡設置於中間影像之後。 26. 如申請專利範圍第1至4頊之任一項所述之微顯影投影物鏡裝置，其特徵為：第三面反射鏡（S3)及第六面反射鏡（S6)之間的距離“S3S6”符合以下的條件：經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 0.3.(33的有效直徑+36的有效直徑）<8386 27. —種具有如申請專利範圍第4項所述之微顯影投影物鏡裝置的微顯影投影曝光設備，其中包含一反射光罩。 _39_ 本紙張尺度細中關家標準（CNS〉A4胁⑵Q χ 2⑴公楚） 46 47 6 8 A8 R8 C8 D8 、申請寻利範圍罩種具有如申請專利範圍第4項所述之微顯影投影物置的微顯影投影曝光設備，其中包含一面透射光種具有如申請專利範圍第27項所述之投影物鏡裝置的微顯影投影曝光設備，更進一步包含一可照明—環形場域的照明系統。根據申清專利範圍或2g項所述之微顯影投影曝光設備製造積體電路的方法。經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 40·