TW460483B - Improved process for saturated oligomer production - Google Patents
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Description
4 60 4-83 五'發明說明(1)背景 一直持續存在著將輕質 需求。以丙烯、丁烯及戊 一種氫氟酸(HF)觸媒,通 已提供製造高辛烷内燃機 安全操作之歷史,目前對 酸之關注已促使研究用以 的改良或替代改良方法。 為觸媒的相似烷化方法。 HF酸帶來的危險程度,但 危險,而且不如HF烷化方 化方法之處理取代方法。 結合異丁烷與輕質烯烴 習知而旦已被採用,但是 或其設備與操作更為昂貴 脫氫,並寡聚合所形成烯 固態鱗酸將輕質婦烴寡聚 知,其使甬該肝烷化方法 方法亦可稱為催化縮合作 料通常稱為聚合物汽油。 亦已知將該寡聚合製得 烯烴轉換成高辛烷内燃機燃料之 烯進行之異丁烷烷化作罔係使闬 常稱為HF烷化作闬,該烷化作用 燃料之成功方法°儘管已有長期 於HF烷化單位可能劇烈釋放HF 製備内燃機燃料之HF 烷化方法 一個替代方法是一種使用硫酸作 雖然使闰硫酸可以降低某些使用 是該硫酸方法仍然可能存在相同 法經濟。因此,仍然在尋求H F烧 以製造内燃機燃料之其他方法已 其無法製造相同品質之汽油產物 。此種替代方法之一係將異丁烷 烴製造汽油沸點範圍烴類。使罔 合成更高分子量内燃機燃料已習 -見US-A-2 5 2 6 96 6。此等寡聚合 闬與聚合作同,所形成内燃機燃 之烯屬烴流氫處理成飽和烯烴。 GB -A- 2186287揭示一種C4餾份之脫氫與募聚合作用以製造 選擇性氫化成高級汽油之噴射航空器燃料。由輕質鏈烷烴 脫氫與寡聚合製得之噴射燃料、柴油機燃料與潤滑沽的氫
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第5頁 4 60483 1、發明說明
處理揭示於ϋ S Ή,6 7 8,6 4 5。然而,氫處理對於寡聚合製 輝1^不—定有利,而且可能降低辛烷比,但是已 知其於將異辛烯飽和成異辛烷時特別有利。 摘要 曰本無明目的係改良寡聚合區與飽和區之整合操作。本發 明另一目的係提供經改良之整合募聚合區與飽和區,其與 ~脫氣區併用可提供一種具吸引力之HF烷化作用替代方 法。 本發明將一部分飽和募聚合物再循環至該寡聚合區,藉 ^整合該輕f歸烴之寡聚合作用肖㈣A $聚合物之飽和 ,二,和寡聚合物再循環至該寡聚合區可藉由沉積焦炭 p1孩寡水合區觸媒焦結’而且令人驚異地是其亦改良該 入&合,對於更高級辛烷C8異構物之選擇性。由飽和募聚 。机岀物再循環重質鏈烷烴所促進之減少焦結可以延 長4寡聚合區之觸媒壽命’或是以較低壓操作該寡聚合 區。 =5亥ft合區與飽和區與一脫氫區整合時,以較低壓操 作=別1利於提供輕質烯烴進料之來源。當脫氫之操作壓 $降低^ ’该代表性低壓操作脫氫作用與該寡聚合區整合 传更有,李。該脫氫反應器之操作壓力可自丨36至1136 (5 il5〇psig),但是—般寡聚合區之操作壓力通常 α 過 2170 kPa ( 30 0 psig),而且經常約為 3 5 5〇 kPa (500 PS 1 g)。藉由再循環飽和寡聚合物以降低焦結寡聚合區壓 力可低於2170 kPa ( 300 psig)。介於該脫氫區與寡聚合
460483 立、發明說明(3) 區間之择作厭士 v 並、力队〜,一力差可缩減至小於1 03 4 kPa U50 psig), I y均除此茸F Μ _ 改* π, ^間對於任何雙階段壓縮作用之需求。园此’ %民遥堪S -A· i 人淪私* ~及改良操作成本之再循環對於整合脫氫、寡聚 。,飽和區配置有利。 法此本發明廣凝具體實例係一飽和寡聚合物之製備方 ' :秦來合條件下使一種包含c3至〇5稀烴之寡聚 93—泰聚合觸媒接觸,該寡聚合條件通常包括 1〇 ,C (2〇〇至5〇〇下)溫度,79〇 至6996 kpa (1〇〇至 =Γ二:f枝5至5〆之。亦使包含… -種包含c展:更、公:媒接觸°該寡聚合條件可有效地製造 重貝烯烴及鏈烷烴之寡聚合流出物流,並 以寡聚合流出物流。將至少-部分來自 下與::ϋ 含氫流送至一飽和區,並於飽和條件 隹=和觸媒接觸以飽和該募聚合流出物中之稀煙。於 —二t 3 Cs與更重質鏈烷烴之飽和區流出物流時,將至少 二21包ί具有至少8個碳原子之鏈炫烴趣類的餘和區^ 物机达至該寡聚合區作為再循環流。 本t明更特別具體實例係自—種包含異丁烷進科流製造 ,,機燃料產物之製備方法^該方法將五包含異丁烷之進 枓流送至一脫氫區,並於脫氫條件下使該募聚合區内之進 钟*IL與說虱觸媒接觸’該脫氫條件通常包括5 1 〇邕β 4 q。匚 ( 950 至 1 200 °F)之溫度,136至1136 kPa (5至15〇 psig) 及.5-50 hr】之LHSV,而且自該脫氫區收集氫與包含以異 烯烴之脫氫流出物β自氫純度自7 0 — 9 5莫耳%之脫氫區流"^
C:\ProgramFiles\Patent\55050.ptd 第 7 頁 五、發明說明(4) 離氫流之後,將其餘脫氫區流送至寡聚合區作為包含C 4烯 烴之液相進料流。在該寡聚合區中,該寡聚合區進料與含 鏈烷烴再循環流於寡聚合條件歹接觸一種固態寡聚合觸 媒,該寡聚合條件通常包括9 3至2 6 0 °C ( 2 0 0至5 0 0 °F )温 度,790 至6996 kPa (100 至 1000 psig)之壓力及.5 至5 hr_]之LHSV,其可有效製造包含C7與更高級異烯烴類之寡 聚合流。未經分離作用之寡聚合區流與該氫流一同送入一 餘和區内。該飽和區使該寡聚合區流及氫與一種飽和觸在 媒飽和條件下接觸以飽和該寡聚合流之烯烴。將至少一部 分該飽和區流送至該分離區以收集包含Cs與更重質鏈烷烴 之經飽和流。將至少一部分收集之飽和流送至該寡聚合區 作為再循環流。 附圖簡述 該圖係本發明之示意流程圖,其顯示主要處理區及相儘 管線與設備。 詳述 進行本發明用之主要操作區係寡聚合反應區本發明適 用之寡聚合區採取許多形式。該寡聚合方法已知有許多名 稱,諸如催化縮合作用以及催化聚合作用。習知進行此等 反應之觸媒包括習知為S P A觸媒之固態磷酸觸媒,以及均 相觸媒,諸如 US-A-3,906,053、US-A-3,916,019 與 US -A- 3, 981,94]:所述之三氣化硼。 該寡聚合方法之較觸媒係固態磷酸(SPA )觸媒=先前提 及之SPA觸媒係指包含亞磷酸-諸如鄰-、焦-或四磷酸-作
C:\ProgramFiles\Patent\5505iLptd 第 8 頁 五、發明說明^5 一 ,主要成份之固態觸媒。通常混合該亞磷酸與一種矽固態 載體形成一種濕漿糊製得該觸媒。可以煅燒該漿糊,然後 壓碎成所需之觸媒粒子,在煅燒該漿糊以製造更均勻觸媒 祖子之$可以擠製該漿糊或將之丸粒化。該載體以一種天 」夕孔之含氧化石夕物質為佳,諸如石夕藻土(kieselguhr)、 高嶺土、矽藻土(infusorial earth)與矽藻土 (diatomaceons earth)。可將較少量各種添加劑—諸如礦 物滑石、漂白土與包括氧化鐵之鐵化合物—添加於該載體 中以提高其強度與硬度。該載體與添加劑之組合物包含 15-30%該觸媒,其餘部分為磷酸為佳。可包含佔載體物質 總量3 - 2 0 %之添加劑。亦可能自該组合物製得變化物,諸 如墙酸含量較低者。自 US-A-3, 0 50, 472 ; US-A-3, 050, 473 與US-A-3, 13 2, 1G9可以獲得該組合物與製造SPA觸媒更多 細節。 本發明之寡聚合反應區係以可提高寡聚合反應區流出條 件與其下游飽和反應區入口之入口條件以及其上游脫氫反 應區流出條件之入口條件相容性之溫度與壓力操作為佳。 該寡聚合反應區之較佳溫度通常在自93至260 °C (200至 500 °F)内’在自149至232 t (300至450 T)範圍内更佳, 對某些觸媒而言特佳之溫度自149至204 °C ( 3 0 0至 40 0 °F)。使用本發明降低寡聚合反應區之操作壓力時,該 寡聚合反應區内之壓力通常在自790至6990 kPa (1〇〇至 1000 psig)範圍内,在自790 至 3549 k Pa (100至 500 ps 1 g)範圍内更佳。進行本發明時,該SPA觸媒之特佳操作
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第 9 頁 五'發s月說明(6) 壓力在790至2170 kPa (100至300 psig)範圍内。亦已發 現將操作溫度保持在自1 49至I 71 t ( 3 0 0至34QT )之狹窄 範圍内可加強對於製造(:8異構物之選擇性。 寡聚合區反應之進料通常包含C3至C5烯烴與鏈烷烴。可 將蒸氣與水進料至該反應器内,使較佳SPA觸媒之水合作 用保持低度水含量。該炼烴進料之來源通常為一種自F CC 法分離部分收集之輕質氣流、蒸氣裂化與已煉焦氣體之C4 流或來自脫氫區之流。該烯烴進料流之特徵係其全部C4烯 烴濃度至少1 0重量%。在大部分操作中,此烯烴進料流包 含(:4烯烴,但是其亦可構成充分量之C3烯烴。通常該烯烴 進料之C3至(:5烯烴濃度至少30重量%。較佳進料的C4烯烴濃 度至少30重量%,至少50重量%更佳。該烯烴進料流包含至 少20重量%異丁烯為佳,以30重量%更佳。該異丁烯佔總丁 烯至少3 3%為佳。較佳進料之烯烴含量主要包括具有大量 異丁烯之分枝烯烴。使本發明寡聚合區之進料保持高濃度 異丁烯可以促進正戊烯與丙烯組合物之反應。該異構區之 進料烯烴分佈包含至少5 0重量%異丁烯可以促使戊烯與丙 烯寡聚合成高級辛烷異構物。當該寡聚合區之進料存在大 量丙烯時,增加該進料中丁烯餾份之異丁烯百分比可以提 高產物之辛烧值。當大量丙蹄進入寡聚合區時,該丁婦截 份包含100%異丁烯為佳。 進行本發明時,將重質鏈烷烴組份與觸媒以及一般寡聚 合區進料接觸。該重質鏈烷烴組份包含具有至少八個碳原 子至高達20個碳原子之烴類,而且包含Cs至(:12鏈烷烴為
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第 10 頁 460483 五、發明說明(7) 佳。添加重質鏈 烴,並於該反應、 烴,於每個_媒 鏈烷烴更常見。 觸媒床之5重量% 之5 0重量%。 境烴流可提供該寡聚合區内大量重質鏈烷 流中產生最少20重量%C8與更重質鏈烷 床入口處之產生至少25重量%CS與更重質 以C8鏈烷烴尤佳’而且其最小含量為第/ ’最多含量為流經該寡聚合反應區總流量 該重質鍵P卜 二 、 ①您故份可以進入之進料或注入位於中間區域 之寡聚口反應區開始進行該方法。不同觸媒床包含在一或 夕個,筒f重直定向之容器中為佳,使該進料流進入該反 $頂部為佳°該觸媒以配置在習知為室式反應器結構之寡 聚合區内的固定床中為自。-般而言,室式反應器包含約 五個觸媒床在室式反應器中’該反應物流經一系列大直 才二2媒床可藉由再循環相當惰性之烴類作為受熱器進一 V 制》亥反應物之溫度。寡聚合反應區例行性地配置此等 ^二觸媒床其接受一種驟冷物質之中間注射’以控制該 ,熱反應之溫度。添加重質鏈烷烴進料作為中間注射流之 貫質優點係其亦可作為該方法之驟冷物質。 因為添加重質鏈烷烴流之故,該寡聚合區之混合進料中 鏈淀fe對烯fe之比率自1 : 1至5 : 1為佳。該寡聚合反應區之 進料的鏈烷烴濃度通常至少5〇重量%,至少70重量%更常 見。該進料流中之高百分比烯烴會於該寡聚合反應區内與 異丁稀反應。該稀烴轉換率通常自8 〇至9 9 %。主要的寡聚 合產物包含C7+烯烴。 將包含未經反應重質鏈院烴之寡聚合流出物及所形成之
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第11頁 460483 五、發明說明(8) 重質烯屬烴送至該飽和反應器。適用之飽和反應器使所有 來自飽和反應之烯烴實質上完全飽和。將來自寡聚合區之 未經分離或收集輕質餾份流出物直接送至該飽和區為佳。 該寡聚合反應器之較低廢操作使該聚合流出物可以直接送 至該氫化反應器中。放熱作用通常使該飽和區以高於寡聚 合區之溫度操作,所以得自該寡聚合作用之驟冷液體與鏈 烷烴可以作為該飽和反應區所釋放之熱的受熱物質。 該寡聚合流出物於進入該飽和區之前先與一種含氫氣流 混合。該氣流必須包含至少5 0重量%氫。該含氫氣流之氫 濃度高於75重量%氫為佳。可自脫氫部分收集氫作為該飽 和區氫進料之主要部分,所需之氫其餘部分或是不存在脫 氫區時,可由外部來源供應以補足氫,外部來源可以供應 所有必要氫。罔以補足之氫以高純度為佳,以提高進入該 飽和區之氫整體純度,如此減少輕質烴類之體積。因為此 等輕質烴類會使通過該餘和區之總體積不必要地增加,而 且其相當高之蒸氣壓力可能增加下游分離作用中潛在烴類 之損失1所以存在此等輕質烴類通常較不佳。然而,本發 明整合脫氫作周、寡聚合作周及飽和作用之較佳構造之配 置有助於使周可接受低純度氫流之分離配置。 該補足之氣流與寡聚合流出物之混合比例可使氫對烴之 比率在.1至2範圍内,在.15至.30範圍内更佳。 本發明較佳飽和反應器可使所有不飽和烴類實質上完全 飽和。該氫處理區内之條件通常包括93至316 °C (200-6 0 0 °F)之温度,自 791 至 492 8 kPa (100 至 70 0 psig)之壓
C:\Prograin Fi les\Patent\55050. picl 第 12 頁 460483 五、發明說明〔9) 力’以及自1至20 h〆之液體空間速度。選擇該反應條件 使該煙進料保持蒸氣相為佳。該氫處理器通常係以使該混 合進料流上升至飽和反應溫度之溫度操作,該溫度上升係 藉由與氫處理器流出物熱交換完成。以此方式將熱導入該 寡聚合作用,並由該進入該寡聚合反應區之入口流上之調 整加熱器製彳寻氫化順序為佳。 較佳f氫處理反應器包含—個氫處理觸媒之固定床。本 方ΐIt!之觸媒複合物包括習用之氫處理觸媒。已發現 枯土與來自週期農VI丨]^ , 从岐社VJJT表ΠΙ〜νίβ私之含氧化鋁金屬元素組合 物4 Π族元素包括鐵、鈷、鎳、釕、鍊、鈀、娥、 ^ ^ , ^ ^ B知金屬包括鉻、鉬與鎢,以 括Ϊ金屬組份承载於一多孔载體物質上。該載 ^ 1 #日^ α/_化鋁 '站土或氧化矽。特別適周之觸媒係 至5請之钻或錄金屬▲自5至15重量% 在iU :載姐上鉬之組合物。該金屬之重量百分比係將其 ^ ^ & ^ ^ 市售躅媒包括以球狀或經擠製 氧化銘為底負益以上述建議4 γ丨 '« l、遘比例之C〇-Mo或Ni-Mo預浸之祓 合物。其他適用觸媒組合物包含15至2〇重量%氧化紹上之 錄。市售觸媒之ABD通常自0.5至〇9克 表面積 自150至250平方公尺/券。—机&丄 ^ θ ^ ^ I 般而言,該觸媒上之金屬含 ϊ愈尚,戎觸媒之活性愈大。 分離來自肖和區之流出物獲得_ 之再循環流。 該重質鏈烷t組份亦包含該產物烴類。該再循環流之分離 作用可在-簡易分離器中進行’該分離器粗切飽和流出
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第 13 f 4 60483 五、發明說明(ίο) 物,製得足以再循環至該寡聚合區之重質物質及再循環經 該飽和區之任何驟冷物質。或者,該再循環流可包括在第 一分離器中分餾較輕質物質後之產物側流。 來自該飽和反應區之流出物進入一驟冷分離器為佳。該 驟冷分離器將該飽和區流出物分成高比例c4與較低沸點物 質,製得具有相當高濃度cs及更重質烴類之驟冷流。自該 飽和反應區流出物收集更高分子量物質有助於整合該寡聚 合反應區五該飽和反應區。該cs及更重質烴類之再猶環流 提供一不反應流,其可保持該較低壓之寡聚合反應區内的 液體濃度。 使用本發明進行之較低壓寡聚合區操作亦可周以有利地 整合該寡聚合區之脫氫區上游。通常脫氫區之進料會包含 輕質鏈烷烴流=較佳之進料富含c4鏈烷烴,而且包含高百 分比異丁烷。(此處所使用之富含一辭意指具有至少5 0 %重 量或體積百分比上述組份之流,而相對富含一辭意指一流 之上述組份之濃度高於衍生該流之進料的此組份濃度。) 該脫氫區之進料異丁烷濃度在自60至99重量%範圍内更 佳。此進料流之代表性來源是工作丁院類、精棟C4飽和區 流及來自氣體回收單位之丁烷類。可自精煉丁烷流或可提 供富含丁烷進料之其他來源製得該異丁烷流。本發明較佳 脫氫反應區藉由使用高壓與低轉換率條件有利地整合該脫 氫區與該寡聚合反應區。較低轉換作用會減少觸媒鈍化, 尤其是與較高空間速度結合時,可使大部分脫氫反應區以 還原再生需求操作 <'此外,較高之壓力條件會特別降低流
C;\Program Files\Patent\55050. ptd 第 14 頁 460483 五、發明說明(11) 岀物分離作用之壓縮需求,並改良處理效率。 催化脫氫方法與反應器配置已習知。適用之脫^ —種原科與包含氫之流摻合’益於反應區内使令飞f法將 媒接觸。本發明較佳之催化脫氫作用原料主要包2 f與觸 燒,亦可包含丙烷與戊烷。該催化脫氫作用會處^異丁 為鏈烧烴烴類,如此形成烯屬烴化合物a此方法、.Λ本質 氫區所提供異丁烷轉換成異丁烯之轉換率低,而f用之脫 結率相當低。 一且觸媒焦 本發明方法可使用任何適用脫氫觸媒。特別之脫氫反應 器構造視該觸媒與該反應區之性能特性而定。操作該脫氫 區用之低轉換率條件通常可獲得在〗0至40重量%範圍内之 烯烴產率,在自20至30重量%範圍内更佳。選用該脫氫區 内之操作條件,製造異丁烯對正丁烯與丙烯比率大於1之 烯烴流出物流為佳。可藉甴一擺動床操作、半再生操作或 連續觸媒再生部分使該觸媒再生。 催化脫氫反應通常係於存在包括一或多種結合多孔載體 (諸如耐火無機氧化物)之V II I族貴金屬(例如鉑、銥' 铑、鈀)的觸媒下進行。通常,較佳觸媒包含一種鉑族金 屬組份、一種鹼金屬組份及該多孔載體。該觸媒亦可包含 有助於改良該觸媒性能之促進劑金屬。該脫氫觸媒之多孔 載體物質係表面為25至500平方公尺/克之吸收性大表靣積 載體。該多孔載體物質必須對該反應區内所使用之條件具 有相當高之抗力,而且可選自習用於雙功能經轉換觸媒之 載體物質。因此多孔載體物質可選自一種經活化碳、焦或
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第丨5頁 五、發钥說明(12) 木炭、氧化矽或矽膠、钻土與矽酸鹽類,其包括合成製備 者與天然者,可經酸處理或不經酸處理,諸如例如美國活 性點土、石夕藻土( d i a t 〇 m a c e 〇 u s e a r t h )、妙藻土 (kieselguhr)、鋁土;耐火無機氧化物,諸如氧化鋁、二 氧化欽、二氧化錯、氧化鎮、氧化碎-氧化紹、氧化銘-氧 化硼;結晶氧化鋁矽酸鹽類,諸如天然或合成之絲光沸石 或此等物質之一或多種的組合物。較佳多孔載體物質係耐 火矮氧化物,以氧化鋁載體物質所獲得之結果最佳氧化鋁 為最常使罔之載體。該較佳氧化鋁物質習知為7 、e與Θ 氧化鋁,7與Θ氧化鋁可提供最佳結果。具有β氧化鋁載 體之較佳觸媒是為球狀粒子形式=以具有1. 6公厘(1 /1 6") 之相當小直徑粒子為佳,但是該粒子最大可為5. 6公厘 (1/4")。 該韵族組份可以元素金屬之化合物(諸如氧化物、硫化 物、鹵化物、氧硫化物等)存在最終複合物中,或與該觸 媒一或多種其他成份結合。一般認為實質上所有鉑族組份 以元素狀態存在時可以獲得最佳結果。該鉑主要組份通常 佔最終觸媒複合物的0. 01至2重量%,此以元素基準計算。 該觸媒之始含量介於0. 2與1重量%為佳。較佳之始族組份 為鉑,鈀為為次佳金屬。該鉑族組份可以任何適用方式與 該觸媒複合物結合,諸如與較佳載體物質共沉澱或共膠 凝,或藉甴離子交換或預浸該載體物質。製備該觸媒之較 佳方法通常涉及使用鉑族金屬之水溶性可分解化合物預浸 該經煅燒載體物質。例如,藉由混合該載體與一種氯鉑或
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第 16 頁 460483 五、發明說明(13) _________ 氯鈀酸之水溶液將該鉑族繞 溶液中通常添加一種酸(諸如—恭加於5玄載體上°於该預浸 遍梅於該載體物質中。較佟氣氯酸),以k進该链族組份 重量百分比。 < 文觸媒物質的氣濃度自.5至3 較佳鹼金屬視該進料烴而〜 之濃度可自0.1至3.5重量% ’通常為鉀或鋰°該鹼金屬 其以元素基準計算。此組份可隹是介於〇 2至2. 5間為佳, 或與其他組份溶液同時添加二以上述方法,在分離步驟時 力该觸媒中。 該脫II觸媒亦可包含一種促進劑金屬。此種較佳促進劑 金屬之一為錫。該鎖組份必須構成〇.〇丨至i重量%的錫。鎖 對齡之原子比率介於1 : 1至6 : 1間為佳。該錫組份可以任何 適用方式與該觸媒複合物結合,以促進此組份以極均勻方 式遍佈於該載體物質中。結合該錫組份身較佳方法涉及於 製備該較佳載體物質期間進行共沉澱作用。製備該載體物 質與添加鉑組份及錫組份之更詳細說明見 US-A-3, 745, 1 1 2。 較佳脫氫區之低標準操作可延長觸媒使用期限。該脫氫 區可使用一種以固定床、半再生床或連續觸媒再生方式操 作之固態觸媒,其視該脫氫區進料之觸媒系統與性質而 定。該脱氫區之實際配置可能相當簡單,而且包括一個單 一反應器與單一加熱器。此外,該脫氫催化反應區可由多 重觸媒床紐成。此等系統中,可使用在環形床内之觸媒, 該觸媒可以重力流動方式經由環形床移動。適於使用一種 連續觸媒再生系統使異丁烷連續脫氫之輕質烴較佳脫氫方
C:\ProgramFUes\Patent\55050.ptd 第 17 頁 4 60483 五、發明說明(丨4) 法描迷於LS A-5,227,566、US-A~3 978,150、 TJS-A-3,856,662 與US~A- 854,887。 於較佳形式中’遠脫氫方法可使用一移動床反應發與再 生區。於τ除或替代該觸媒時’移動床系統有助於維持製 備作用。在一儉表性移動床反應區中,藉由重力使新鮮未 經使用之觸媒粒子流經該反應區。自該反應區底部取出觸 媒,並將其送至一再生區’於此處使周一種下文稱為多重 步驟再生法回收該觸媒’使其恢復促進反應能力。觸媒流 藉甴重力流經各個再生步驟,然後器該再生區底部取出, 並供應到該反應區。移動床内之燃燒、乾燥與再分散部分 代表性配置可參見US-A- 3, 6 5 3, 2 3 1 與US-A-5, 22 7, 5 66。 本發明奴佳脫氫區之操作條件通常包括在自5丨〇至g (950至1200 F)耗圍内之溫度,該操作溫度至少 (110G°F)為佳’該操作溫度為6〖(TC (U3〇T)尤佳。較佳 脫氫區低轉換率條件的特徵為相當高之操作壓力,其通 在377至1136 kPa (40至150 psig)範圍内。較佳脫'氮區壓 力通常為至少 446 kPa (50 pSig),以 584 至 860 kPa (70 至11 0 psig)之壓力尤佳。低轉換率條件亦可使該脫氫區 於氫對烴莫耳比率低之情況操作’該比率在自·〗至4範圍 内’以約2為佳。該脫氫區之空間速度自.5至5〇心-〗厂通 常超過10 hr_1,通常約等於1 5 hr—!。 當結合本發明低壓春聚合區時’該脫氫區之低轉換率與 低壓亦有助於節省設儀。例如,可使罔一往復壓缩器故集 來自該脫氫流出物之再循環氫。該脫氫區内之較高壓及发
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第18胃 4 ^0483 五、發明說明(15) 與飽和反應區之整合亦可減少供應與收集氫伴隨而至的設 備花費。在該脫氫區内使用相當高壓亦可收集冷卻時最小 純度為8 0%或以上之氫流因為大量異丁烷再循環流會稀 釋並轉至該脫氫區之任何該稀烴有害效果,所以脫氫區之 低轉換率條件可使用此種低純度氫流。此外,自該脫氫區 供應過量氫至該飽和區可使第一分餾器收集過量異丁烷’ 否則會致使該方法操作中產生不可接受之此種烴類損失。 對照附圖描述該方法及不同操作步驟。 經由管線1 2使一種富含c4鏈烷烴之輕質烴流進入去丁烷 器柱1 0。柱1 0亦接受來自下文稱為飽和區流出物流且經由 管線9 6進入之再循環流。去丁烷器柱1 〇提供側餾份流1 6 ’ 其包含脫氫區同之進料流異丁烷。 管線16經由交換器98通至脫氫區。當管線16首先經由交 換器1 8通到該脫氫區時持續加熱,收集該脫氫區流出物2 0 之熱。視該脫氫觸媒之組成而定,可經甴管線1 7添加少量 疏’避免該反應器與加熱器金屬表面形成碳,並鈍化該觸 媒。言線2 2結合脫氫區進料流與一含氫流製得一混合流, 其藉由管線28流經交換器24,進入脫氫反應器2 6。將部分 來自該進料流之鏈烷烴組份與脫氫觸媒接觸使之脫氫,其 經由官線3 0排出該脫氫區反應器2.6,益經由—個提供反應 熱之中間加熱器32 ’在第二反應器34中進一步轉換異丁 烧。管線36載著經加熱且部分轉換脫氫區進料經過反應器 34 ’經由流出物流2〇排出該反應器。 ΰ亥圖概格顯示脫氫區之操作’該觸媒再生系統經由管線
C:\Program Fi!es\Patent\55050. ptd 第19頁 * ^0483 五、發明說明(16) 3 8提供反應器2 6與3 4經再生觸媒。觸媒運送系統(未顯示) 分別經甴導管42與44自反應器26與34底部運送經煉焦觸 媒’並將送至觸媒提升導管46。導管46將該經煉焦觸媒輸 达到再生部分48。觸媒再生部分48藉由焦炭燃燒作闬回收 觸媒。 該脫氫反應區之流出物2〇包含至少氫、丁烷、丁烯、某 些輕質烴類及少量重質烴類。管線2 0將流出物自該脫氫區 經白交換器18輪送至分離器52,藉由管線57去除該流出物 ::的各種重質組份。;I;線56自重質餾份分離器52將蒸氣 流出物送至一收集含氫流之氫分離器54,並經由管線22將 風再循環至該脫氫區進料中。本發明之脫氮區可以相對不 t氫流操作。本發明適用之氣再循環流的氫濃度低於90 ,。可接受之氫濃度可低至7〇重量%,約8〇重量%較常 含氫:其餘部分包括C「烴類,通常為某些底濃度 若情況需要,藉由冷卻分離器54之塔頂键出物以 减y'載入流22内之雜質,如此可 離器54收集之含氫流其餘部分传;=流之純度。自分 之氫進料。 丨刀係作為下文所述飽和反應器 結合來自分離器54之底部流60盥__ 該寡聚合反應區之混合進料。由烴流m 供應該$聚合反應區額外烯烴。;J总:載送之含烯烴流 含正丁烯與異丁烯’而且亦包括~ = 8進入之烯烴包 烴。 〇活^與匕烯烴以及某些鏈烷 管線60經由 交換器6 2載送該 思合寡聚合區 進料流,以加
4 b〇483 五、發明說明(17) 熱該飽和區流出物之寡聚 券聚合區進料,其經由調 該反應。根據本發明,結 質再循環流及經由管線6 9 區進料依序經過一系列分 經由驟冷分佈管線7 2使額 70内之中間床區,對每個 驟冷物使本發明重質物質 烷Cs異構物選擇性之優點 出物管路74收集一種募聚 管線76對於來自該寡聚 一種飽和反應區用之混合 受來自脫氫處理作罔之氫 該處理過程。所有來自該 一起直接進入飽和區為佳 該飽和區飽和不飽和汽 之未反應輕質烯烴,製得 通常使用多個依序配置之 反應器。該組反應器配置 管線84載送於交換器86 交換之混合進料,該經如 一飽和反應器8 2。該氫化 反應器系統,其中來自第 線85進入第二反應區86。 合區進料。管線64載送該經加熱 整加熱器66,並經由管線68送至 合一包含(:8與更重質鏈烷烴之重 進料至寡聚合區之進料。募聚合 成多重階段之寡聚合反應器7 0。 外與更重質鏈烷烴進入反應器 内部反應階段提供驟冷物。注射 亦具有與觸媒相同以及對於高辛 。與該募聚合反應器70連接之流 合λπΐ id物流。 合反應區之流出物提供氫,製得 進料。管線76經由管線78與8 G接 °任何補充氫可經由管線82進入 募聚合區之流出物與該添加之氫 〇 油沸點範圍组份及來自寡聚合區 一種烧化品質產物流。該飽和區 反應器8 2、8 6 ,使進料流經每個 可以控制溫度。 内以來自飽和區之流出物間接熱 熱飽和區進料流經管線8 7進入第 區之較佳配置可為兩階段氫處理 一飽和反應器82之流出物經由管 為控制第一反應區之放熱溫度,
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第頁 46〇483 五、發明說明(】8) 經由管線88輸送部分作為驟冷流之重質烴類,使之與第一 ,應區流Hi物8 5結合。該現已飽和之募聚合反應區流出物 藉由管線90經過熱交換器86,並藉由管線送至熱交換器 62,在經甴官線93進入驟冷分離器g 2之前收集該飽和反應 妖 。 4 I ^ \ 驟冷分離器92收集來自飽和區之重質物質,提供本發明 液相再循環流。來自分離器92之底部流94經由管線69與72 提供該寡聚合區重質再循環物質,並經由管線8S提供該飽 和反應區驟冷物。其餘之重質物質經甴管線9 5送回反應 器’塔頂餾出物經由管線1 〇 2自該製裎取出,作為該去丁 烧器10之底部產物。由管線96取得分離器92之塔頂餾出物 質及管線9 5所供應之任何額外分離器底部物質,其主要包 含烷化品質產物及未淑反應丁烷。在交換器9 8中進行該分 離器流9 6之另外熱收集作闬’開始提高來自去丁烷器1 〇脫 氫區進料流之溫度。 本發明較佳配置使用去丁拔器1 0同時蒸餘含分離器塔頂 餾出物流及開始製造脫氫區進枓流。較佳去丁烷器容器將 輕質餾份分離成塔頂餾出物流1 0 0,同時供應前述脫氫區 進料1 6作為側餾份。配置該去丁烷器柱設計,使經由該側 餾份流進入該脫氫區之進料具有高濃度異丁烷。該去丁烷 器通常提供純度為80重量%之異丁烷’至少95重量%更佳。 亦操作該枝經由塔頂萄出物流1 0 0分離來自該脫氣區剩餘 缺乏c4物質。該主要分餾器亦輸送該飽和寡聚合區產物組 份作為底部流1 0 2。此較佳配置之去丁炫器亦可梹應正C4
^ ΰ〇483 五、發明說明(19) 側餾份,自該製程取出過量未經反應丁烷。經由管線1 04 取出該側餾份,其於一熱交換器1 0 6内藉著與C4進料流之 間接熱交換供應額外的熱" 為了更充分說明本發明伴隨之優點,進行下列試驗。 實施例1 將具有13重量%正丁烯、17. 7重量%異丁烯與69.4重量% 異丁烷組成之進料流接觸約5 0立方公分之固態磷酸觸媒, 該觸媒包含於矽基質中之磷酸經煅燒混合物。該觸媒包括 直徑與長度約為6 . 4公厘(1 / 4")之丸粒,其放置於容積為 70立方公分之22公厘(7/8")鋼反應容器内。小心以砂裝填 介於粒子間之空隙避免產生槽流。於1 9 0 °C ( 3 7 4 °F)溫度 及3 54 9 kPa ( 50 0 psig)壓力下使該進料進入反應器,並 以2 hf1之液體小時空間速度通過該反應器。該寡聚合反 應產生之最大反應溫度為2 0 2 °C ( 3 9 6卞)。收集,蒸餾並 分析該反應器流出物樣本以測定C4稀烴之轉換率,及該產 物之碳數選擇性。分析結果示於表1。
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第23頁 4 ° Ο 4 8 3 五、發明說明(20) 表1 ;|- 丨· 進料 轉換率 碳數、選擇性、重量% 5->7 8 9-> 11 12 >12 實施例1 正 Cf=85 異 C4_=91 全部C4_=88 8.4 56 5.2 ! 28 2.4 實施例2 正 CV = 81 異 C4_ = 91 全部CV = 86 4.7 66.2 3.9 24.6 0.6 實施例2 為說明重質再循環流之優點,於實施例1之進料中另外 添加25重量%正。鏈烷烴,並於實施例1之操作條件及以相 同觸媒進行該製程。該寡聚合區達到之最高溫為2 0 0 °C (3 9 2 °F)。再次蒸餾並分析該反應區流出物樣本,發現其 包含明顯較高百分比之(:3烯烴。該分析結果示於表1。 實施例1與2之比較指出*在大約相等之C4烯烴轉換率 下,添加Cs鏈烷烴使該反應器流出物之選擇性明顯朝向製 造極需要之Cs異構物,並令人驚異地不製造較高或較低碳 數之異構物。 如此實施例所示,本發明之再循環流明顯改良該寡聚合 反應對於高辛烷(^異構物之選擇性。 實施例3
C:\Prograrri Fi les\Patent\55050. ptd 第 24 頁 460483 五、發明說明(21) 將具有8. 4重量%正丁烯、21. 9重量%異丁烯與69, 7重量% 異丁烧組成之進料流接觸約5 〇立方公分實施例1與2所使周 之固知碟酸觸媒。該反應容器與觸媒裝填技術亦與實施例 1與2所使用者同類型。於]git: (376 T)溫度及3549 kPa (500 psig)壓力下使該進料進入反應器,並以2 hr !之液 體小時空間速度通過該反應器。該寡聚合反應產生之最大 反應溫度為206°C ( 403 T)。收集,氫化、蒸餾並分析該 反應器流出物樣本以測定C4烯烴之轉換率,該產物之碳數 選擇性以及研究辛烷值與内燃機辛烷值,分析結果示於表 2 ° 實施例4 - 6 為說明高於C3之更重質組份及較低操作溫度的優點,於 貫施例3之進料中另外添加2 5重量%正C;2鍵烧烴,並降低實 例3之杯作溫度與空間速度及以相同觸媒進行該製程。 蒸館並氫化三批進料中添加CIL,組份之流出物後,轉換率、 選擇性與研究辛烷值及内燃機辛烷值顯示於表2,是為實 施例4 - 6。
C:\ProgramFiles\Patent\55050.ptd 第 25 頁 460483 五 '發明說明(22) t ^ ! ^ ί 玄 ! Ο i 4 碑: 碎 I to ! i 一 ! 1 cr> o i—» U1 u> o Ο ίο ο > α餘 ί碎 > 〇 〇 KJ tO NJ χ ^ 11 H> 'pH ί - Ρ Ρ Ρ ιι' II Ό 00 丨1 ^ - 皂η n P ll' 1! 丨丨s a 茭·… % η o P II 11 丨丨茗g =» u υ> 吵批'fH 4¾ ο η ρ it ιι 么·、D 00 II ^ o 1—i 荽 OJ Γ: 〇 0〇 o L/i 1 V oo窝 j \〇 餘 V 弟 二蒔 4 l:*Li l ^ T 蹄| v ^ r〇 i ^0 L*j . oo 00 1 i —* i ’c> o lO o L>j Cn bo Ξ; m—· OJ i s 1 NJ Ln 〇 Ό 〇 h—· Ο 0〇 l>j Ο ί z Ό U> to 〇 on 〇 ’〇 s I o I 2 ! mrna C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第 26 頁 460483 五、發明說明(23) 這三批均以比實施例3低之溫度操作,其顯示添加正C12 鏈烷烴明顯改良對於Cs之選擇性。在稍微降低轉換率之 下,實施例4與5均顯示其對於Cs異構物之選擇性遠高於實 施例3。該經改良之選擇性使其辛烷值大幅高於實施例3中 不含C12組份得到的結果。實施例6顯示以相對高溫及低空 間速度可以獲得高於實施例3之轉換率,而且仍然使其對 於(:8異構物之選擇性明顯高於實施例3所示之選擇性。
C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第27頁
Claims (1)
- 公告木Μ6。483 六、宇請專利範圍 '—-- 1. -種製備飽和寡聚合热之方法1方法包括: a) 使含C3 %烯煙之募聚合區進_物流[…與包含具 $至少8個碳數之鏈烷烴的再循墦物流[69]與位於寡聚合 [70]區中之寡聚合觸媒於保持有效製造包含具有至少7個 石炭數之稀烴的流出物流之募聚合條件下接觸; b) 自鑲包含忒鏈烷烴與具有至少7個瑞數之烯烴之區 [7 0 ]中回收寡聚合流出物; c) 將至少部分來自寡聚合區[7〇 ]之流出物[74]與含氫 物流[76]送至飽和條件下之包含飽和觸媒之飽和區[82, 8 6 ],使該泰聚合流出物部份口 4 ]中之烯烴飽和’並回收 飽和區流出物流[9 0 ]; d) 將包含具有至少8個碳原子之鏈烷烴烴類的該飽和 區流出物流[9〇]中-部分[94]送至該寡聚合區[7〇]作為該 再循環物流[6 9 ];及 e) 回收包含。與更重質鏈貌烴之該飽和區流出物流 [9 0 ]中一部分[1 〇 2 ]。 2. 根據申請專利範圍第”員之方法,其中該寡聚合區觸 媒包含一種固態雄酸觸媒。 3. 根據申請專利範圍第丄項之方法’其中該寡聚合區係 於低於2170 kPa (300 psig)之壓力下操作 4. 根據申請專利範圍第i項之方法,;‘該再循環物流 包含或C,,鏈烧經。 5.根據巾請專利範園第!項之方法,其 物C:\Program Files\Patent\55050. ptd 第28頁 460483 六、申請專利範圍 6. 根據申請專利範圍苐1項之方法,其中冷卻該飽和區 流出物流[9 0 ]中至少一部分[9 4 ],並送回至該寡聚合區 [7 0 ]與該飽和區[8 2,8 6 ]作為驟冷液體,作為該再循環物 流[6 9 ] —部分。 7. 根據申請專利範圍第8項之方法,其申該寡聚合區 [7 0 ]包含固態磷酸觸媒床,並於至少一個中間位置將該驟 冷液體[72] ΐ主入該床° 8. 根據申請專利範圍第1項之方法,其中該寡聚合區係 於149至204t ( 3 0 0至400Τ)溫度下操作。 9. 一種自含進料物流[1 6 ]之異丁烷製備内燃機燃料產物 之方法,該方法包括: a) 將含異丁烷之進料物流[16]送至脫氫區[26,34], 於可有效製造包含氫與C4異烯烴類之流出物流[2 0 ]之脫氫 條件下,使脫氫區内之進料物流與脫氫觸媒接觸; b) 自該脫氫流出物[20]分離氫純度為70-95莫耳%之氫 物流[7 8 ],並自該脫氫流出物剩餘部分回收包含C4異烯烴 類之進料物流[6 Q ],製得寡聚合區進料物流[6 0 ]; c )將該寡聚合區進料[6 0 ]與含鏈烷烴再循環物流[6 9 ] 送至寡聚合區[7 0 ],使之與固態寡聚合觸媒於可有效製造 包含碳數至少為8之異烯烴類的寡聚合區流出物[74 ]之寡 聚合條件下接觸; d )使步驟b )分離之氫物流[7 8 ]至少一部分與來自寡聚 合區[7 0 ]且未經分離之流出物[7 4 ]送至包含飽和觸媒且保 持可使該寡聚合區流出物[7 4 ]中之烯烴類有效飽和之飽和C:\ProgramFUes\Patent\55050.ptd 苐 29 頁 4 60483 六、申請專利範圍 條件下之飽和區[82,86 ],並回收飽和區流出物流[90 ]; e )將飽和區流出物流[9 0 ]至少一部分送至分雜區 [9 2 ],以回收包含碳數至少為8之鍵烧烴的飽和物流 [94];及 ί )甴該飽和物流[9 4 ]至少一部分[6 9 ]再循環至步驟c ) 作為該再循環物流。 1 0.根據申請專利範圍第9項之方法,其中該寡聚合區進 料物流之烯烴濃度為至少3 0重量%異丁烯。C:\ProgramFiles\Patent\55050.ptd 第 30 頁
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